DE2048915A1 - Verfahren zur Veränderung von Eigen schäften eines metallischen Films - Google Patents

Verfahren zur Veränderung von Eigen schäften eines metallischen Films

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Description

IBM Dßlltschland Internationale Büro-Masdiinen Gesellschaft mbH
Böblingen, den 21. August 1970 bm-rz
Anmelderin: International Business Machines
Corporation, Armonk, N.Y. 10504
Amtliches Aktenzeichen: Neuanmeldung Aktenzeichen der Anmelderin: Docket FI 969 020
Verfahren zur Veränderung von Eigenschaften eines metallischen Films
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Veränderung von physikalischen Eigenschaften eines auf eine Unterlage aufgebrachten metallischen Films.
Für die Bildung von elektrischen Kontakten und Leiterbahnen auf der Oberfläche von Halbleiteranordnungen wird in der Regel Aluminium verwendet. Bei sehr großen Stromstärken jedoch tritt das Problem einer Ionenwanderung bei diesem Leitermaterial auf, wodurch Aluminium für derartige Belastungen nicht verwendbar ist. Ein weiteres gutes Leitermaterial ist Molybdän, bei dem eine Ionenwanderung bei hohen Stromstärken nicht stattfindet. Es ergeben sich bei der Benutzung von Molybdän aber andere Nach- ä teile. Ein auf eine Halbleiteroberfläche oder eine diese bedeckende Isolierschicht aufgestäubter oder pyrolytisch aufgebrachter Molybdänfilm ist erheblichen mechanischen Spannungen unterworfen, durch die der Film leicht angreifbar wird. Bei Feuchtigkeit korrodiert das Molybdän daher sehr schnell. Aus diesem Grunde wurde Molybdän als Leitermaterial bei Halbleiteranordnungen bisher nicht verwendet, obwohl es eine gute elektrische Leitfähigkeit besitzt.
Viele Leitermaterialien, so z.B. Kupfer, haften nicht auf der
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Halbleiteroberfläche bzw. der Isolierschicht. So ist es erforderlich, eine zusätzliche Haftschicht zwischen dem Leiter und der Unterlage vorzusehen. Bei Kupfer als Leitermaterial und einer Siliziumdioxydunterlage kann diese Haftschicht beispielsweise aus Chrom bestehen.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei leicht angreifbaren Metallfilmen deren Korrosionsfestigkeit zu erhöhen und weiterhin bei schlecht haftenden Metallfilmen auf einer Unterlage deren Haftfähigkeit zu vergrößern. Diese Aufgabe wird bei dem anfangs genannten Verfahren erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Film mit Ionen hoher Energie beschossen wird.
Durch den Ionenbeschuß werden beispielsweise die mechanischen Spannungen in einem Molybdänfilm abgebaut, so daß dieser selbst bei hoher Feuchtigkeit noch korrosionsfest ist. Dabei ergibt sich durch den Ionenbeschuß nur eine geringfügige Erhöhung des elektrischen Widerstandes. Das Verfahren nach der Erfindung macht die Verwendbarkeit von Molybdän als Leitermaterial auf Halbleiteranordnungen möglich.
Um metallische Leitungszüge und Kontaktflächen auf einem Halbleiter zu erhalten, ist es üblich, die ganze Halbleiteroberfläche mit einem Metallfilm zu überziehen und dann die nicht benötigten Metallflächen wegzuätzen. Dieser Vorgang erfolgt mit einem der bekannten Maskierungsverfahren. Nach dem hier vorgeschlagenen Verfahren kann dieser Vorgang dadurch vereinfacht werden, daß man den Ionenstrahl auf diejenigen Teile des Metallfilmes lenkt, die auf der Halbleiteroberfläche verbleiben sollen. Mit geeigneten Ätzmitteln ist es anschließend möglich, die nicht beschossenen Metallflächen wegzuätzen, während die beschossenen Flächen vom Ätzmittel nicht angegriffen werden.
Bei der Bildung der einzelnen verschieden dotierten Bereiche in einer Halbleiteranordnung ist es bekannt, einen Molybdänfilm als
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Maske für das Einbringen von Dotierungsstoffen in bestimmte Gebiete des Halbleiters zu benutzen. Die Öffnungen in der Molybdänmaske werden durch Ätzen hergestellt. Hierbei können Unterhöhlungen im Film auftreten, die eine genaue Begrenzung der Dotierungsgebiete verhindern. Die verwendeten Molybdänmasken können nun in der Weise verbessert werden, daß der Molybdänfilm mit Ausnahme der Stellen, an denen die Öffnungen eingeätzt werden sollen, mit Ionen beschossen wird. Beim nachfolgenden Ätzen werden nur die nicht beschossenen Gebiete entfernt. Die Ätzkanten verlaufen dabei senkrecht zur Halbleiteroberfläche, so daß ünterhöhlungen nicht auftreten. Außerdem ist auch ohne die Berücksichtigung von Unterhöhlungen diese Art der Maskenher- f stellung genauer als die üblichen, z.B. lithografischen, Verfahren .
Die Herstellung eines ohmschen Kontaktes zwischen einem Metall und einem sehr flachen Halbleitergebiet, beispielsweise einer Emitterzone, bereitet erhebliche Schwierigkeiten. Während des Legierungs- oder Sinterprozesses kann es vorkommen, daß das Metall durch das sehr flache Halbleitergebiet hindurchdringt. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren läßt sich die Kontaktierung jedoch in sehr einfacher Weise durchführen. Das Metall wird auf dem Halbleiter niedergeschlagen. Dieser Vorgang erfolgt ohne Wärmeeinwirkung, so daß noch kein direkter Kontakt zwischen dem g Halbleiter und dem Metall besteht. Durch den anschließenden Beschüß der Kontaktstelle mit Ionen hoher Energie wird auf das Metall soviel Energie übertragen, daß Ionen des niedergeschlagenen Metalls in die Halbleiteroberfläche eindringen können und so eine dünne Legierungsschicht zwischen dem Halbleiter und dem Metall herstellen. Dies ergibt einen außergewöhnlich gleichförmigen Übergang. Auf diese Weise können ohmsche Kontakte zwischen dem Leitermaterial und den verschieden dotierten Bereichen einer Halbleiteranordnung gleichzeitig gebildet werden. Für den Anschluß von metallischen Leitern müssen daher zuerst die zu kontaktierenden Gebiete auf der Halbleiteroberfläche freigelegt, dann die den Halbleiter bedeckende Isolierschicht
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sowie die freigelegten Stellen mit einem Metallfilm überzogen und weiterhin die Kontaktierungsstellen sowie diejenigen Flächen, die die metallischen Leiter bilden sollen, mit Ionen beschossen werden. Anschließend werden die nicht beschossenen Flächen weggeätzt.
Wenn das Halbleitermaterial aus Germanium besteht, dann müssen für die Kontaktierung von N- und P-dotierten Gebieten verschiedene Metalle verwendet werden. Beispielsweise können Silber für ein N-dotiertes und Aluminium für ein P-dotiertes Gebiet als Kontaktmaterialien benutzt werden. Da Silber zum Eindringen in das Germanium eine höhere Temperatur benötigt als Aluminium, müssen beim herkömmlichen Kontaktierungsverfahren zwei getrennte Schritte durchgeführt werden. Dabei werden zuerst das Silber, das eine höhere Temperatur erfordert, in die N-dotierten Gebiete und anschließend bei einer niedrigeren Temperatur das Aluminium in die P-dotierten Gebiete des Germaniums einlegiert.
Wendet man hierbei dagegen das Verfahren nach der Erfindung an, dann tritt das Problem der verschiedenen Kontaktierungstemperaturen nicht auf. Nach dem Aufbringen der beiden Metalle werden die entsprechenden Stellen des Silber- und des Aluminiumfilms gleichzeitig mit Ionen hoher Energie beschossen, wodurch sich gute ohmsche Kontakte zwischen dem Silber und den N-dotierten Gebieten sowie dem Aluminium und den P-dotierten Gebieten ergeben. Dieser Vorgang ist natürlich nicht nur bei Germanium, sondern auch bei allen anderen Halbleitermaterialien durchzuführen, die zwei verschiedene Metalle für die Kontaktierung von N- und P-dotierten Gebieten benötigen.
Wenn der metallische Film auf einer elektrisch isolierenden Schicht mit Ionen hoher Energie beschossen wird, dann ergibt sich ebenso wie zwischen dem Metall und einem Halbleiter eine Verschmelzung der aneinandergrenzenden Flächen der Metall- und der Isolierschicht. Dadurch wird die Haftfähigkeit des Metallfilms auf der Isolierschichtoberfläche beträchtlich vergrößert. Dies
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gilt für verschiedene Metalle, so z.B. auch für Kupfer. Die ausreichende Haftung von Kupfer auf einer Isolierschicht, beispielsweise aus Siliziumdioxyd wird in bekannter Weise durch eine weitere Metallschicht, z.B. aus Chrom, erreicht, die zwischen dem Kupfer und der Isolierschicht angeordnet ist. Diese zusätzliche Haftschicht kann bei dem Verfahren nach der Erfindung entfallen.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der in den Fign. dargestellten Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 die schematische Darstellung einer Einrichtung für I einen lonenbeschuß,
Fig. 2 die Draufsicht auf ein Halbleiterplättchen mit einer darüberliegenden Maske,
Fig. 3 einen Querschnitt durch eine Halbleiteranordnung mit ohmschen Kontakten und metallischen Zuleitungen und
Fig. 4 einen Querschnitt durch eine weitere Halbleiteranordnung mit ohmschen Kontakten und metallischen Zuleitungen. ä
Die Einrichtung in Fig. 1 enthält eine Ionenquelle 10, in der Atome von mindestens einem Element in bekannter Weise ionisiert werden. Die Elemente werden vorzugsweise aus dem zwischen Helium und Argon liegenden Bereich des periodischen Systems ausgewählt, wobei in besonderen Fällen auch Elemente mit höherem oder niedrigerem Atomgewicht verwendet werden können. Die Ionen werden in einem Beschleuniger 11 durch ein Potentialgefälle geführt, so daß sie die gewünschte Energie erhalten. Die jeweilige Energie hängt von der Dicke des zu beschießenden Metallfilms und von dem die Ionen liefernden Element ab.
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Die Ionen bilden einen Strahl 12, der einen Schlitz 14 in einer hinter dem Beschleuniger 11 angeordneten Blende 15 passiert. Der Strahl 12 gelangt in eine magnetische Ablenkvorrichtung 16, in der Ionen mit verschiedener Energie verschieden stark abgelenkt werden, so daß die einen Strahl 17 bildenden Ionen die gleiche Energie besitzen. Dieser Strahl 17 gelangt durch einen Schlitz 18 einer weiteren Blende 19 in den Bereich von Ablenkplatten 20, die vorzugsweise elektrostatisch wirken.
Mit den Ablenkplatten 20 ist die Richtung des Ionenstrahles steuerbar, so daß das zu beschießende Teil 21 an einer gewünschten Stelle getroffen wird. Das Teil 21 kann z.B. aus einem Halbleitersubstrat mit einem dünnen Metallüberzug bestehen.
Der Strahl 17 kann auch in der Weise abgelenkt werden, daß die gesamte den Ablenkplatten 20 zugewandte Seite des Teils 21 getroffen wird. Zur Auswahl der zu beschießenden Gebiete ist dann vor dem Teil 21 eine Maske angeordnet. Die ganze in Fig. 1 gezeigte Einrichtung befindet sich unter Vakuum.
Bei einem speziellen Ausführungsbeispiel wurde ein in einer Dicke von 3000 bis 7000 8 auf eine ein Siliziumplättchen bedeckende Schicht aus Siliziuradioxyd aufgestäubter Molybdänfilm mit Borionen beschossen. Die Dosis betrug dabei 6 χ 10 Ionen/ cm , die Energie der Ionen 290 keV, die Temperatur 20 0C. Dann wurde der Molybdänfilm mit einem Ätzmittel behandelt, das zu einem Volumenteil aus einer Lösung aus vier Volumenteilen HNO3, achtzig Teilen H3PO4 und sechzehn Volumenteilen entionisiertem H2O sowie zu einem Volumenteil aus HNO3 bestand. Diejenigen Flächen, die unter Ionenbeschuß standen, wurden nicht angegriffen, obwohl ein Molybdänfilm normalerweise von diesem Ätzmittel weggeätzt wird.
Das Teil 21 hatte bei einigen der im folgenden beschriebenen Versuche die aus Fig. 2 ersichtliche Form. Ein halbkreisförmiges Halbleiterplättchen 22 wird von einer Maske 23 aus Molybdän in
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der Weise bedeckt, daß der Ionenstrahl 17 zuerst auf die Maske 23 trifft. Der Ionenstrahl verläuft senkrecht zu der Zeichenebene der Fig. 2 und trifft das Halbleiterplättchen 22 direkt in dem Gebiet 24, das infolge einer entsprechenden öffnung in der Maske 23 freiliegt. Die Maske 23 besitzt einen an eine Seite des Gebietes 24 angrenzenden Teil 25, der keine öffnungen aufweist. Ein an der anderen Seite des Gebietes 24 angrenzender Teil 26 der Maske 23 ist mit einer größeren Anzahl von durchgehenden öffnungen mit einem Durchmesser von beispielsweise je 0,05 mm versehen. In dem Gebiet 24 können die mechanischen Spannungen im Metallfilm nach dem Ionenbeschuß gemessen werden. Das Gebiet des Halbleiterplättchens 22 unterhalb des Teiles 25 dient zur g Bestimmung der mechanischen Spannungen bei fehlendem Ionenbeschuß. Das unterhalb des Teiles 26 liegende Gebiet ist für die Bestimmung der Ätzbarkeit des beschossenen und des nicht beschossenen Metallfilms vorgesehen. Bei Verwendung geeigneter Ätzmittel erhält man dann hier eine größere Anzahl von Metallstiften mit jeweils 0,05 mm Durchmesser.
Die Maske 23 besteht im vorliegenden Beispiel aus Molybdän, sie kann jedoch auch aus einem anderen geeigneten Material hergestellt sein.
Bei der in Fig. 2 gezeigten Vorrichtung wurde ein pyrolytischer Molybdänfilm verwendet, der in verschiedenen Versuchen durch die Maske 23 hindurch mit Borionen von 120 keV und von 250 keV bei
16 2
einer Dosis von jeweils 10 Ionen/cm und mit Stickstoff-
16 2 ionen von 70 keV bei einer Dosis von ebenfalls 10 Ionen/cm beschossen wurde.
Die Beugung von Röntgen- und Elektronenstrahlen und die Elektronenmikroskopie wurden für einen strukturellen Vergleich der beschossenen und nicht beschossenen Gebiete benutzt. In den nicht beschossenen Gebieten des pyrolytisch aufgebrachten Molybdänfilms wurde eine nahezu gleichförmige mechanische Beanspruchung im BeDocke t FI 969 020 109827/0890
3 2 3 2
reich von etwa 4,2 χ 10 kp/cm und 5,6 χ 10 kp/cm festgestellt.
Eine Untersuchung der Kristallgröße durch Beugung von Röntgenstrahlen ergab Werte zwischen 1000 8 und 8000 8. Die beschossenen
Gebiete zeigten einen im wesentlichen gleichförmigen Spannungs-
3 2 verlauf mit Werten von null bis etwa 0,56 χ 10 . kp/cm , wobei auch ungleichförmige Beanspruchungen auftraten. Mit Hilfe der Elektronenmikroskopie konnte in den beschossenen Gebieten eine wesentlich höhere Dichte von Versetzungsschleifen festgestellt werden als in den nicht beschossenen Gebieten. Es ergibt sich somit eine Änderung der Kristallstruktur, bei der die gleichförmige Beanspruchung stark abgebaut wird und eine wesentlich geringere ungleichförmige Beanspruchung entsteht.
Bei einem anderen Versuch mit der in Fig. 2 dargestellten Vorrichtung wurden pyrolytisch aufgebrachte Molybdänfilme auf einer Siliziumdioxydschicht eines Halbleiterplättchens und auf geschmolzenem Quarz einem Beschüß von Stickstoffionen mit einer
16 2
Energie von 70 keV und einer Dosis von 10 Ionen/cm unterworfen. Dabei wurde für den nicht beschossenen Molybdänfilm auf
3 2 dem Slliziumdoxyd eine Beanspruchung von etwa 3,8 χ 10 kp/cm gemessen, während beim entsprechenden beschossenen Film die mechanische Beanspruchung nahezu null war.
Beim Molybdänfilm auf der Quarzunterlage betrug die Beanspru-
3 2 chung im nicht beschossenen Zustand etwa 10,5 χ 10 kp/cm und im beschossenen Zustand 5,6 χ 10 kp/cm . Obwohl die Spannungen hier beträchtlich größer als bei dem Molybdänfilm auf Siliziumdioxyd sind, so ist durch den Ionenbeschuß doch eine Verringerung der mechanischen Beanspruchung um etwa 50 % möglich.
Bei einem anderen Versuch wurden pyrolytische Molybdänfilme auf einer thermischen Siliziumdioxydschicht eines Halbleiterplättchens und auf geschmolzenem Quarz zum Teil nicht beschossen, zu einem Teil mit Heliumionen mit einer Energie von 35 keV
16 2 und einer Dosis von 10 Ionen/cm und zu einem weiteren Teil
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mit Heliumionen mit einer Energie 80 keV und einer Dosis von 16 2
ebenfalls 10 Ionen/cm beschossen. Für die mechanischen Beanspruchungen im Molybdänfilra auf der Siliziumdioxydschicht wurden
3 folgende Werte gemessen: Im nicht beschossenen Zustand 6,3 χ
2
kp/cm , nach dem Beschüß mit Heliuraionen von 35 keV etwa 4,9 χ
3 2
10 kp/cm und nach dem Beschüß mit Heliumionen von 80 keV 3r5 χ 3 2
10 kp/cm . Beim Molybdänfilm auf der Quarzunterlage ergaben
sich folgende Werte: Im nicht beschossenen Zustand 13,4 χ 10 kp/
2 3
cm , nach dem Beschüß mit Heliumionen von 35 keV 11,6 χ 10 kp/ 2
cm und nach dem Beschüß mit Heliumionen von 80 keV 11,2 χ 10 kp/
cm . Mit steigender Ionenenergie ist auch eine steigende Abnahme
der mechanischen Spannungen zu verzeichnen. Jedoch ist die Bean- ä spruchung beim Molybdänfilm auf Quarz so hoch, daß auch bei einem Beschüß mit Heliumionen von 80 keV der Molybdänfilm nicht als korrosionsfest anzusehen ist.
Weitere Versuche wurden mit pyrolytischen Molybdänfilmen auf einer Siliziumdioxydschicht eines Siliziumplättchens durchgeführt. Im ersten Versuch hatte der Moly^änfilm eine Dicke von 3500 S und wurde mit Argonionen mit einer Energie von 280 keV
16 2
bei einer Dosis von 10 Ionen/cm beschossen. Im zweiten Versuch betrug die Dicke des Molybdänfilms 10 000 8, die verwendeten Argonionen hatten eine Energie von 80 keV, als Dosis
16 2
wurden ebenfalls 10 Ionen/cm gewählt. In einem weiteren, dritten Versuch hatte der Molybdänfilm eine Dicke von 10 000 S, "
die Energie der Argonionen betrug 280 keV und die Dosis wiederum 16 2
10 Ionen/cm .
Im ersten und dritten Versuch hatten die nicht beschossenen Ge-
3 2 biete des Metallfilms eine Spannung von etwa 6,3 χ 10 kp/cm ,
während die beschossenen Flächen nahezu spannungsfrei waren. Auch hier traten jedoch wieder ungleichmäßige Beanspruchungen auf.
Im zweiten Versuch waren die Spannungen von etwa 6,3 χ 10 kp/
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2 3 2
cm durch den Ionenbeschuß auf etwa 4,2 χ 10 kp/cm abgesunken. Durch die geringere Ionenenergie gegenüber dem ersten und dem dritten Versuch ist der Spannungsabfall hier nicht so stark ausgeprägt.
Bei anderen Versuchen wurde ein Aluminiumfilra mit einer Dicke von 50OO bis 6000 S auf einer Siliziumunterlage mit Ionen beschossen. Dabei wurden Bor-, Neon-, Stickstoff- und Arsenionen mit einer Energie von 57 bis 60 keV und einer Dosis von 10
Ionen/cm verwendet. Die Änderung des Widerstandes der beschossenen Flächen lag im Bereich von 0 bis 5 %.
Die beschossenen Flächen konnten durch ein Ätzmittel aus achtzig Teilen H3PO4, vier Teilen HNO3 und zehn Teilen entionisiertem Wasser nicht weggeätzt werden, obwohl dieses Mittel normalerweise Aluminium angreift. Selbst nachdem der Hetallfilm für fünfzehn Minuten bei einer Temperatur von 550 0C in Stickstoff geglüht wurde, behielten die beschossenen Flächen ihre Widerstandsfähigkeit gegen das Ätzmittel.
Die beschriebenen Änderungen der Eigenschaften der Metallfilme haben sich als unabhängig von der Art der verwendeten Ionen gezeigt. Daraus geht hervor, daß die physikalischen Eigenschaften der Ionen, d.h. ihre Energie, die Änderungen des Metallfilms hervorrufen und nicht ihre chemischen Eigenschaften.
Bei einem weiteren Versuch wurde ein poliertes Siliziumplättchen mit einem Durchmesser von 3,8 cm und einer Dicke von 0,15 bis 0,2 mm sowie einer P-Leitfähigkeit von 1Ω cm mit einer Schicht aus Siliziumdioxyd von etwa 3700 A versehen. Diese Schicht wurde in Sauerstoff und Wasserdampf bei 970 0C thermisch aufgewachsen. Anschließend wurde Kupfer auf der Siliziumdioxydschicht mit einer Dicke von etwa 1000 A niedergeschlagen. Die Temperatur des Siliziumplättchens wurde dabei auf 200 0C gehalten.
Ein Teil des Plättchens mit dem Kupferfilm wurde daraufhin mit Neonionen, die ein Atomgewicht von 20 besitzen, mit einer Energie Docket FI 969 020 109827/0890
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von 100 keV und einer Dosis von 10 Ionen/cm** bei 20 C beschossen. Eine Klebefolie wurde dann auf den Kupferfilm aufgebracht und wieder abgezogen. In den nicht beschossenen Gebieten des Plättchens war die Haftung zwischen dem Siliziumdioxyd und dem Kupfer gering, so daß hier der Kupferfilm mit der Klebefolie entfernt wurde. Dies ist bei niedergeschlagenem Kupfer normalerweise der Fall. In den beschossenen Gebieten jedoch blieb das Kupfer beim Abziehen der Klebefolie auf der Siliziumdioxydunterlage haften. Die Haftfähigkeit des Kupfers auf dem Siliziumdioxyd wurde durch den Ionenbeschuß also beträchtlich erhöht.
In Fig. 3 ist ein Substrat 30, das beispielsweise aus N-leitendem Silizium besteht, gezeigt. Das Substrat 30 enthält einen Bereich 31 von entgegengesetzter, d.h. P-Leitfähigkeit, der bis zur Oberfläche 32 des Substrats 30 reicht. Im Bereich 31 befindet sich ein weiterer Bereich 33 mit N-Leitfähigkeit, der ebenfalls bis zur Oberfläche 32 reicht»
Der Bereich 31 steht in Verbindung mit einem ohmschen Kontakt 34, der sich durch eine öffnung in einer elektrisch isolierenden Schicht 35 erstreckt. Diese befindet sich auf der überfläche 32 und besteht beispielsweise aus Siliziumdioxyd. Der Kontakt 34 ist aus einem Metall gebildet, das mit Ionen mit einer Energie von mindestens 10 keV beschossen wurde.
In gleicher Weise ist der Bereich 33 mit einem ohmschen Kontakt 36 versehen, der ebenfalls durch eine öffnung in der Schicht 35 hindurchgeführt ist. Er ist ebenso wie der Kontakt 34 ausgebildet. Die ohmschen Kontakte 34 und 36 können z.B. aus Molybdän oder Aluminium bestehen und sie besitzen die gewünschte gute elektrische Verbindung zu den Bereichen 31 bzw. 33.
An die Kontakte 34 und 36 können Leiterzüge 37 und 38 angeschlossen sein, die aus dem gleichen Material bestehen. Diese werden daher gleichzeitig mit den beiden Kontakten mit Ionen beschossen. Hierdurch erhält man gute elektrische Verbindungen und kann auch die
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Kontakte 34 bzw. 36 und die Lsiterzüge 37 bzw. 38 jeweils als ein Teil ausbilden.
In Fig. 4 ist ein Substrat 40, beispielsweise ebenfalls aus N-leitendem Silizium, dargestellt. Auf dessen Oberfläche 42 befindet sich eine Schicht aus elektrisch isolierendem Material, z.B. Siliziumdioxyd.
Das Substrat 40 enthält einen Bereich 43 von entgegengesetzter Leitfähigkeit, der bis zur Oberfläche 42 reicht. In diesem befindet sich ein weiterer, ebenfalls bis zur Oberfläche 42 reichender Bereich 44 mit wiederum entgegengesetzter, d.h. N-Leitfähigkeit.
Der Bereich 43 besitzt einen ohmschen Kontakt 45, welcher sich in einer Öffnung der Schicht 41 befindet. Ebenso ist der Bereich
44 mit einem ohmschen Kontakt 46 versehen, der sich ebenfalls durch eine Öffnung in der Schicht 41 erstreckt. Beide Kontakte
45 und 46 haben eine gute elektrische Verbindung mit den zugeordneten Bereichen.
Ein vorzusweise aus Kupfer bestehender Leiterzug 47 ist auf der Oberfläche der Schicht 41 angeordnet und mit dem Kontakt 45 galvanisch verbunden. Der Leiterzug 47 wurde mit Ionen mit einer Energie von mindestens 10 keV beschossen, um so die Haftfähigkeit auf der Schicht 41 zu erhöhen. Dadurch kann ein zusätzliches Haftmaterial zwischen dem Leiterzug 47 und der Schicht 41 entfallen.
Der Kontakt 46 ist mit einem Leiterzug 48 verbunden, der ebenfalls vorzugsweise aus Kupfer gebildet ist und sich auf der Oberfläche der Schicht 41 befindet. Der Leiterzug 48 wurde zur Erzielung einer guten Haftung auf der Schicht 41 in gleicher Weise wie der Leiterzug 47 mit Ionen beschossen, so daß auch hier kein zusätzliches Haftmaterial benötigt wird.
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Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren lassen sich Molybdänfilme korrosionsfest machen. Ein anderer Vorteil dieses Verfahrens
besteht darin, daß metallische Filme ohne Unterhöhlungen weggeätzt und somit öffnungen mit senkrechten Begrenzungsflächen in die Filme geätzt werden können. Ein weiterer Vorteil ergibt sich durch den Fortfall einer zusätzlichen Maske bei der Bildung von metallischen Leiterzügen auf einer Halbleiteranordnung.
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Claims (9)

  1. - 14 -
    PATENTANSPRÜCHE
    Verfahren zur Veränderung von physikalischen Eigenschaften eines auf eine Unterlage aufgebrachten metallischen Films, dadurch gekennzeichnet, daß der Film mit Ionen hoher Energie beschossen wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Energie der Ionen mindestens IO keV beträgt.
  3. 3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Auswahl der Art der Ionen in Abhängig keit vom Material des Films und von dessen Dicke erfolgt.
  4. 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Ionen aus einem Element gebildet werden, das im periodischen System im Bereich zwischen Helium und Argon liegt.
  5. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Unterlage für den metallischen Film ein Halbleiter verwendet wird.
  6. 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Unterlage für den metallischen Film eine elektrisch isolierende Schicht verwendet wird.
  7. 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß für den metallischen Film Molybdän verwendet wird.
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß für die elektrisch isolierende Schicht Siliziumdioxyd und für den metallischen Film Kupfer verwendet werden.
  9. 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekenn-Docket FI 969 020 109827/0890
    zeichnet, daß nur bestimmte Gebiete des metallischen Films mit Ionen beschossen werden und daß anschließend ein Ätzen des Films mit einem Ätzmittel, das nur die nicht beschossenen, jedoch nicht die beschossenen Gebiete angreift, erfolgt.
    Docket FI 969 020 183827/0890
    Leerseite
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GB (1) GB1333106A (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2340565A1 (fr) * 1976-02-04 1977-09-02 Kom Funkwerk Erfurt Procede et installation pour la fabrication de composants semi-conducteurs
AT382040B (de) * 1983-03-01 1986-12-29 Guenther Stangl Verfahren zur herstellung von optisch strukturierten filtern fuer elektromagnetische strahlung und optisch strukturierter filter

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2326279A1 (de) * 1973-05-23 1974-12-19 Siemens Ag Ionenstrahlschnellschaltung zur erzielung definierter festkoerperdotierungen durch ionenimplantation
US3887994A (en) * 1973-06-29 1975-06-10 Ibm Method of manufacturing a semiconductor device
US3871067A (en) * 1973-06-29 1975-03-18 Ibm Method of manufacturing a semiconductor device
US4017403A (en) * 1974-07-31 1977-04-12 United Kingdom Atomic Energy Authority Ion beam separators
US4087281A (en) * 1975-09-19 1978-05-02 Rca Corporation Method of producing optical image on chromium or aluminum film with high-energy light beam
US4081315A (en) * 1976-05-25 1978-03-28 Trw Inc. Cermet etch technique
US4085330A (en) * 1976-07-08 1978-04-18 Burroughs Corporation Focused ion beam mask maker
US4335295A (en) * 1979-05-09 1982-06-15 Fowler Gary J Method of marking a metal device
JPS6059994B2 (ja) * 1979-10-09 1985-12-27 三菱電機株式会社 アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜の微細パタ−ン形成方法
US4457972A (en) * 1981-12-07 1984-07-03 California Institute Of Technology Enhanced adhesion by high energy bombardment
US4486247A (en) * 1982-06-21 1984-12-04 Westinghouse Electric Corp. Wear resistant steel articles with carbon, oxygen and nitrogen implanted in the surface thereof
US4450041A (en) * 1982-06-21 1984-05-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Chemical etching of transformed structures
US4526624A (en) * 1982-07-02 1985-07-02 California Institute Of Technology Enhanced adhesion of films to semiconductors or metals by high energy bombardment
US4520039A (en) * 1982-09-23 1985-05-28 Sovonics Solar Systems Compositionally varied materials and method for synthesizing the materials
US4664960A (en) * 1982-09-23 1987-05-12 Energy Conversion Devices, Inc. Compositionally varied materials and method for synthesizing the materials
JPS60235773A (ja) * 1984-05-01 1985-11-22 株式会社豊田中央研究所 セラミツクス体の結合方法
GB8417040D0 (en) * 1984-07-04 1984-08-08 Salford University Of Modifying properties of material
GB2165692B (en) * 1984-08-25 1989-05-04 Ricoh Kk Manufacture of interconnection patterns
US5136344A (en) * 1988-11-02 1992-08-04 Universal Energy Systems, Inc. High energy ion implanted silicon on insulator structure
EP0776040A3 (de) * 1995-09-27 1999-11-03 Texas Instruments Incorporated Integrierte Schaltungsverdichtung und Verfahren
US6391754B1 (en) 1996-09-27 2002-05-21 Texas Instruments Incorporated Method of making an integrated circuit interconnect
US6224099B1 (en) 1997-07-22 2001-05-01 Cordant Technologies Inc. Supplemental-restraint-system gas generating device with water-soluble polymeric binder
US6170399B1 (en) 1997-08-30 2001-01-09 Cordant Technologies Inc. Flares having igniters formed from extrudable igniter compositions
US20040093912A1 (en) * 2002-11-04 2004-05-20 Neal Krieger Irrigation system with corner irrigator span
US20060243379A1 (en) * 2005-04-29 2006-11-02 E-Beam & Light, Inc. Method and apparatus for lamination by electron beam irradiation
DE102011006899A1 (de) 2011-04-06 2012-10-11 Tyco Electronics Amp Gmbh Verfahren zur Herstellung von Kontaktelementen durch mechanisches Aufbringen von Materialschicht mit hoher Auflösung sowie Kontaktelement

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2340565A1 (fr) * 1976-02-04 1977-09-02 Kom Funkwerk Erfurt Procede et installation pour la fabrication de composants semi-conducteurs
AT382040B (de) * 1983-03-01 1986-12-29 Guenther Stangl Verfahren zur herstellung von optisch strukturierten filtern fuer elektromagnetische strahlung und optisch strukturierter filter

Also Published As

Publication number Publication date
DE2048915C3 (de) 1981-01-22
DE2048915B2 (de) 1980-05-08
JPS4836982B1 (de) 1973-11-08
US3682729A (en) 1972-08-08
GB1333106A (en) 1973-10-10
FR2082979A5 (de) 1971-12-10

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