DE1640470A1 - Verfahren zum Herstellen von scharf definierten Aperturen in einer isolierenden Schicht bzw.in Halbleitermaterial,insbesondere zur gegenseitigen elektrischen Isolierung verschiedener in einer integrierten oder monolithischen Halbleitervorrichtung zusammengefasster Schaltungselemente - Google Patents

Description

PATENTANWALT DIPL.-ING. H. E. BÖHMER

703 BDBLINGEN SINDELFINGER STRASSE 49

FERNSPRECHEB (0 7031) 661 30 40 IDhUH /U

Böblingen, 22. Juni 1966 si-koe

Anmelder : International Business Machines

Corporation, Armonk, N.J. 10504

Amtl. Aktenzeichen : Neuanmeldung Aktenz. der Anmelderin : Docket 14

Verfahren zum Herstellen von scharf definierten Apjzierturen in einer isolierenden Schicht bzw. in Halbleitermaterial, insbesondere zur gegenseitigen elektrischen Isolierung verschiedener in einer integrierten oder monolithischen Halbleitervorrichtung zusammengefaßter Schaltungselemente.

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen von scharf definierten Aperturen in einer isolierenden Schicht, insbesondere auf ein Verfahren zur Herstellung von Durchbrüchen geringen Durchmessers oder schmalen Schlitzen in einem dünnen Glasfilm, der sich über die Oberfläche eines Halbleiterkörpers erstreckt. Das Verfahren ist besonders brauchbar zur gegenseitigen Isolierung verschiedener in einer integrierten oder monolithischen Halbleitervorrichtung zusammengefaßter Schaltungselemente .

Der gegenwärtige Trend der Elektronik, insbesondere auf dem Gebiet der Datenverarbeitung, richtet sich auf die Miniaturisierung von Halbleiter- oder Pestkörperkomponenten. Zur Zelt werden große Anstrengungen gemacht eine große Anzahl von Halbleitervorrichtungen innerhalb eines einzigen kleinen Ausgangsplättchens aus Halbleitermaterial herzustellen. Es 1st z.B. wünschenswert, etwa vierhundert Transistoren mit im wesentlichen identischen Abmessungen und elektrischen Parametern herzustellen,

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wobei von einem einzigen Halbleiterplättchen ausgegangen wird, JS

welches bei einer Dicke von etwa 2,5 * 1O~ mm kleiner ist als

Zum Zwecke der Herstellung einer großen Anzahl von Halbleitervorrichtungen aus einem einzigen Substrat ist es oft notwendig, Durchbrüche in eine isolierende auf der Oberfläche des Substrates befindliche Schutzschicht einzubringen. Dies geschieht entweder zu dem Zwecke, durch Eindiffusion verschiedener Verunreinigungen innerhalb verschiedener Zonen des Substrates Zonen verschiedenen Leitfähigkeitstypes oder um ohmsche Kontaktierungen aktiver Halbleiterbezirke zu erstellen, welche ihrerseits zuvor an irgend einer Stelle des Substrates hergestellt wurden. Hierbei geht man in der Reg« so vor, daß zunächst ein bestimmtes Muster von Leitfähigkeitszonen verschiedenen Types und Zonen für die Kontaktierungen festgelegt werden, was durch die Benutzung von kleinen, mit entsprechenden Difussionsapperturen bzw. Legierungsapperturen versehenen Masken geschieht. Diese dienen, dazu, gewisse Teile der Oberfläche des Halbleiterplättchens während des Herstellungsprozesses abzudecken, während andere Oberflächenteile des Einflüssen des Diffusionsbzw. Legierungsmaterials offengelegt werden. Sehr dünne Ausschnitte bzw. Apperturen mit Durchmessern von 5 bis 1,2 · 10" mm und Übergangsbreiten von etwa 2,5 · 10~^ mm an der Oberfläche eines diffundierten Transistors werden bej|manchen Herstellungsprozessenlerf ordert. Derartige Anforderungen bezüglich extrem kleiner Abmessungen sowie· die Einhaltung präziser elektrischer Parameter sind bei integrierten Halbleitervorrichtungen schwferigjzu realisieren. Zusätzlich ist es oft erforderlich, Einschnitte, Gruben oder Kerben in das Substrat einzubringen, um gewisse Bereiche des Halbleitermaterials wirksam von benachbart gelegenen aktiven Halbleitergebieten zu isolieren. Diese isolierenden Kerben werden nach der Erzeugung entsprechender Einschnitte in eine isolierende Schutzschicht hergestellt, so daß man vermöge einer Ätzung diese Einschnitte aus dem Substrat heraus-

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lösen kann, wobei die isolierende Schicht als Schutzmaske bei der Ätzung benutzt wird'. Es ist bereits bekannt, hierbei Siliziummonoxyd als Maskenmaterial zu benutzen, da dieses Material gestattet, einen dünnen, undurchdringlichen und eng anliegenden Film auf bestimmten Oberflächenteilen eines Halbleiterplättchens bzw. -substrates zu erzeugen. Siliziummonoxyd ist nur eines von mehreren Materialien, welche ein großes Anwendungsgebiet für Diffusions- bzw. Legierungsmasken in der Halbleitertechnik erlangten.Siliziummonoxyd kann aufgedampft werden, wobei eine dünne, undurchdringliche und eng anliegende Schicht auf einen vorherbestimmten Oberflächenbereich eines Halbleiterplättchens gebildet werden kann.

Entsprechend einem geometrischen Muster dünner Apberturen auf dem Abdeckfilm werden vofaerbestimmte Flächenteile der Oberfläche des Halbleiterkörpers freigelegt. Diese freigelegten Bareiche sind in der Lage, verdampftes Metall aufzunehmen, wodurch Kontaktierungen oder Verbindungen hergestellt werden können. Diese freigeigten Stellen können auch dem Einfluß von Dämpfen oder Quellen aktiver Verunreinigungen ausgesetzt werden, wodurch man in gezielter Weise den Leitfähigkeitstyp der freigelegten Bereiche ändern kann. PN-Übergänge und Anschlüsse für Zonen verschiedenen Leitfähigkeitstyps können so auf vorherbestimmten Flächengebieten einer Halbleitervorrichtung hergestellt werden, wobei Gebrauch von mit an den entsprechenden Stellen mit Durchbrüchen vereehenen Abdeckschichten aus Siliziummonoxyd gemacht wird.

Es wurden auch bereits mit einigem Erfolg Metalle als Maskenmaterial bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen benutzt. Dieses Verfahren erwies sich aber als unpraktisch bei der simultanen Herstellung einer großen Anzahl von Halbleitervorrichtungen mit präzisen Abmessungen und möglichst gleichen elektrischen Parametern. Während des Diffusionsschrittes durchsetzen die Atfcome des dotierenden Materials nicht nur die Apperturen der auf den Halbleiterplättchen

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angebrachten Metallmasken., sondern neigen auch dazu, in die Gebiete zwischen Maske und Halbleiteroberfläche in unmittelbarer Nähe der App,ertur einzudringen, wobei an den von ihnen erreichten Stellen gleichfalls unerwünschte Änderungen des Leitfähigkeitstyps hervorgerufen werden. Außerdem ergab sich, daß bei der Massenfabrikation von Halbleiterbauelementen bzw. von monolithischen Anordnungen schwierig zu beherrschende Probleme bezüglich der mechanischen Justierung auftreten.

Gleichfalls war es bisher extrem schwierig, in befriedigender Weise definierte Durchbrüche mit geringen Abmessungen bzw. kreisförmige Durchbrüche mit sehr kleinem Durchmesser oder enge Einschnitte in einem Glasfilm zu erzeugen, der sich über einem Halbleiterplättchen oder über einer integrierten Sehaltungsstruktur erstreckt.. Ein derartiger abdeckender Glasfilm dient sowohl zur Isolation als auch als Schutzschicht für das Halbleitermaterial. Ein früher angewendetes Verfahren bestand darin, Natriumchlorid auf bestimmte Teile eines · Glasfilms aufzudampfen, wobei eine mit Ap^erturen versehene Metallmaske benutzt wurde. Anschließend wurde ein Film aus Siliziummonoxyd auf den Glasfilm aufgebrachtunter Einbeziehung der Bereiche, die mit Natriumchlorid bedampft waren. Die Natriumchlorid-Eestandteile unter dem SiO-FiIm wurden mit Wasser herausgelöst und darauf die Bereiche des Siliziummonoxydfilmes, welche ursprünglich auf diesem Natriumchlorid entstanden waren, entfernt, xvobei eine Ultraschalleinwirkung in einem Chlorwasserstoffbad benutzt wurde. Infolgedessen konnte nun die Galasumgebung in der Nähe der ursprünglich niedergeschlagenen Natriumchloridteile herausgeätzt werden und die auf der Glasschicht zurückbleibenden Siliziummonoxydbedeckung diente dabei als Maske bei der Ätzung des Glases. Dieses Verfahren zur Herstellung von Durchbrüchenin Glasfilmen hat jedoch den Nachteil, daß der ursprüngliche Iiatriumchloridniederschlag durch Verdampfen von Natriumchlorid auf ausgewählte Teile des Glasfilmes durch eine mit Ap&erturen versehene Maske erzeugt wird, wodurch ein Halo- oder ein Schattenbereich von IJ.itviumchlorid auf der Oberfl Hohe des Glasfilms in der Nähe einer

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jeden Appertur innarhalb der Metallmaske entsteht. Etwas von dem verdampften Natriumchlorid sickert durch die Apperturen unter die Maske und bildet eine Halo rings um eine jede der Apperturen in der Metallmaske«,

3s ist somit wünschenswert, ein neues verbessertes Verfahren zur Herste llung; von Durchbrächen oder Apperturen in Glasfilme zu besitzen, Vielehe3 es gestattet, präaisere Toleranzen einzuhalten und vrelches nicht da^u rieigt, abzuschälen und die gewünschten Abmessungen der Durchbräche zu vergrößern, wie dies bisher in Form der genannten Halo-ßilduru·; bei der Benutzung von Natriumchloridniederschlagen üblich war*

Dor vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren ansugebon, welches es gestattet, unter Einhaltung strenger Toleranzen Äppertüren sehr geringer Abmessungen in isolierende Schichten bzw. in mit solchen Schichten überdeckte Halbleiterkörper einzubringen. Diese Apperturen sollen sich für Kontaktlerungszweeke der Halbleitertschnikj insbesondere auch zur elektrischen Isolation verschiedener, in elnar integrierten oder monolithischen Halbleiteranordnung ausaiiUiiengei'aßtux- Schaltungselemente eignen.

Das die genannten Forderungen erfüllende Verfahren der vorliegenden Erfindung ist gekennzeichnet durch die folgenden Verfahrenssehritte:

a.) Herstellung einer metallischen Abdeckschicht auf dem mit einer isolierenden Schicht versehenen Substrat in einer der herausteilenden Appertur entsprechenden Lage und Ausdehnung j

b.) Aufbringen einer maskierenden Abdeckschicht auf die gesamte Oberfläche dea Substrats in einer Dicke, die geringer ist als diejenige der metallischen Abdeckschicht, derart, daß deren Randgebiete ohne maskierende Abdeckungen verbleiben;

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c.) Herstellung der Aperturen innerhalb der isolierenden Glasschicht durch Ablösung der metallischen /ibdeekschicht mittels eines Ätzverfahrens für Metalle;

d.) Durchführung eines Glasätzprozesses zur weiteren Vertiefung der Appertur durch die Glasschicht hindurch unter Verwendung der unter b.) aufgebrachten Schicht als Maske;

e.) V/eiterführung der Materialablösung durch Tiefenätzung bis in den Halbleitergrundkörper hinein.

Einzelheiten der Erfindung gehen aus der folgenden detaillierten Beschreibung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels undjaus den Zeichnungen hervor. In diesen bedeuten:

Pig, i eine Schnittdarstellung einer auf einem Halbleitersubstrat ciufgebrachten Glasschicht,

PIg₅ 2 eine .3ohnittdai's te llung einer auf die Struktur der Fig. 1 aufgebrachte Metallschicht,

Pig, J eine Schnittdarsteliung einer weiteren auf der Metallschicht aufgebrachten Photoresistschicht,

Pig, 4 die Darstellung einer Struktur nach Fig. 5 naqh Entfernen eines Teiles der Photoresistsehicht,

Pig«, 5 ein Seitenriß der Struktur von Pig. ^ nach Äbätzung eines Teiles der Metallschicht,

Pig, 6 einen Seitenriß der Struktur von Pig. 5 nach Entfernen der auf der Metalloberfläche verbliebennen Photoresistschicht und nach dem Aufbringen einer ,isolierenden Abdeckung aus Siliziummonoxyd,

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Pig. 7 eine Darstellung der Struktur nach B'ig. 6 nach Abätzen der verbliebenen Metallschicht,

Fig. 8 Darstellung der Struktur nach Fig. 7 nach Ätzen eines Durchbruchs in die Glasschicht und

Fig. 9 Teildarstellung einer integrierten Halbleiterschaltung mit einem isolierenden, nach den Lehren der vorliegenden Erfindung erstellten Einschnittes zwischen zwei aktiven S chaltungselementen.

Den Ausgangspunkt des Verfahrens nach der vorliegenden Erfindung stellt die in Fig. 1 gezeigte Struktur, ein Halbleitergrundkörper 12 mit einer darauf aufgebrachten Glassehfcht 10 dar. Die Glasschicht 10 ist nach irgendeinem bekannten Verfahren auf den Halbleiterkörper aufgebracht, wobei der Grundkörper 12 aus irgendeinem gewünschten Halbleitermaterial, vorzugsweise aus Silizium, bestehen kann, welches in geeigneter Weise zur Erzeugung verschiedener aktiver Zonen mit je einem geeigneten Leitfähigkeitstyp dotiert ist, so daß insgesamt aktive Elemente wie Dioden oder Transistoren in Teilbereichen des Halbleitergrundkörpers erstellt werden können.

Fig, 2 zeigt eine Metallschicht 14, welche auf die Oberfläche der Glasschicht 10 vorzugsweise durch Aufdampfen aufgebracht wurde. Die Metallschicht 14 kann auch durch Kathodenzerstäubung oder auf irgendeine andere Weise auf die Glasschicht 10 aufgebracht werden. Sie kann ferner aus einer einzelnen Schicht aus Chrom oder aus irgendeinem anderen geeigneten Metall bestehen, welches eine große Haftfähigkeit bezüglich der Oberfläche der Glasschicht 10 aufweist. Vorzugsweise wählt man Kupfer oder ein ähnliches Metall, Vielehes durch* Verdampf en auf die Chromschicht aufgebracht wird, um eine flexible Gesamtmetallschicht 14 zu erhalten, da die Chromschicht allein manchmal etwas spröde ist und die Neigung aufweist., während de·³ Wärmafeehandlungsphasen abzuplatzen« In einem Beispiel iirurde

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eine Chromschicht.rait einer Dicke von 1000 & auf die Oberfläche der Glasschicht aufgedampft. Anschließaend wurde eine 2/u dicke Kupferschicht auf die Chromschicht aufgedampft, wodurch sich eine zusammengesetzte Metallschicht 14 ergab. Fig. 5 zeigt eine auf die Metallschicht T 4 aufgebrachte Schicht eines phot ore sistenten Material; 16, welche unempfindlich gegenüber Metallätzlösungen ist. Die Photoresistschicht 16 kann aufgemalt oder in irgendeiner bekannten Weise angebracht werden und ist ■aui-offl --fe als Kodak-Photoresist erhältlich. .'.■".'

Aus Pig. 4 sind diejenigen Bereiche der Metallschicht 16 zu ersehen, die durch Ätzen mittels bekannt er _ fitzverfahren entfernt v/erden sollen Falls gewünscht, kann ein Verfahren benutzt werden, welches es· gestattet, mit Hilfe von Photolitographischen Verfahren ein weißes" Muster mit einem dunklen Untergrund auf die Oberfläche des Photoresists 16 aufzubringen. Beim Ätzverfahren werden vorzugsweise negative Prozesse benutzt, bei denen diejenigen Teile der Schicht 16, " die weggeätzt werden müssen, dem schwarzen Untergrund und diejenigen Flächenteile der Fläche 16, welche-vom Ätzvorgang nicht beeinflußt werden sollen, dem weißen Teil des Musters entsprechen. Hierbei wird die Photoresistschicht einer ultravioletten Lichtquelle ausgesetzt, wie es durch die Pfeile der Fig. 4 angedeutet ist. Die Bestrahlung dient zur Entfernung der unentwickelten Anteile der Photoresistschicht _ 16 (entsprechend dem schwarzen Untergrund), während die entwickelten ™" Teile dieser Schicht (entsprechend dem weißen Muster) auf der Oberfläche der Metallschicht 14 verbleiben. Derartige Ätzvorgänge unter Verwendung von in der genannten Weise zu beeinflussenden Photoresistschichten sind z.B. in der US-Patentschrift 2 122 8I7 beschriebene

Fig. 5 zeigt denjenigen Teil der Metallschicht 14, der entsprechend der obengenannten Methode nach dem Ätzvorgang auf,der .Glasschicht 10 verbleibt„ (selektive Ätzung). Der so verbleibende Metallstreifen 14 kann bei Benutzung des oben erwähnten Ätzverfahrens sorgfältig

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an die ^rfodernisse der herzustellenden öffnung angepaßt werden» Der freigelegte Kupferteil der Metallschicht 14 wird mit einer Bisenchloridlösung von "ßO° C in bekannter Art. behandelt, Die Chrombestandteile der Metallschicht 14,, die durch die genannte ' Atzung freigelegt sind, wird ihrerseits durch die Lösung aus 300 enr⁵ HgO, 60 qwP K^Fe (CN)₁^ und 18 cnr⁵ NaOH geätzt«

Entsprechend der nächsten Pig«, β wird zunächst die Photoresist= schicht 16 mit Trichloräthylenlösung entfernt und eine dünne Schicht aus Siliziummonoxyd 20 von etwa 5OOO bis 10 000 i?E Dicke mittels eines bekannten Verfahrens., beispielsweise durch Vakuumaufdampfung auf die freigeigte Glasoberschicht 10 sowie auf die Oberfläche des metallischen Streifens 14 aufgebracht«, Die Dicke der Glasschicht beträgt etwa 2/u. Die Siliziummonoxydschicht 20 ist transparent$ so daß eine visuelle Beobachtung des anschließenden Glasätzprozesses möglich ist. Die Siliziumoxydschicht 20 besitzt eine Dicke, die geringer ist als diejenige der Metallschicht I4j so daß die Auf-= lagerung des Siliziummonoxydmaterials nicht über die seitlichen Dickenabmessungen des Metellstreifens."14 hinausgehen wird» Darüber=· hinaus ist das SiO widerstandsfähig gegenüber den meisten Glasätz«= lösungen, von denen es nicht aufgelöst wird* es sei denn* man be« handelt es mit einerkochenden konzentrierten Pluorv/asserst off lösung»

Weiterhin ist in Fig. 7 gezeigt,, wie der Metallstreifen 14 abgelöst wurde unter Benutzung einer oben beschriebenen Ätzlösung- für Metalle. Infolgedessen besteht ebenfalls derjenige Bereich der Slliziummonoxydschicht 20, der der bisherigen Lage des Metallstreifens 14 entsprach, nicht mehr, so daß an Dürchbruch 22 in der Siliziummonoxyd schicht 20 erstellt 1st. Insgesamt besitzt daher, die Glas- , schicht 10 eine Abdeckschicht aus Siliziummonoxyd über Ihrer gesamten Oberfläche, ausgenommen das Gebiet des in der'Oben beschriebenen Weise hergestellten Durchbruches 22, Die Sillziummonoxydschicht 20 wirkt nunmehr.als maskierende Schutzschicht bei einem sich anschließenden Glasätzprozess» Weiterhin ist die Siliziuminonoxydschlcht

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, ztemlloh söharf begrenzt, so daß die hierin geformten öf^nungsmuster bezüglich ihrer Grenzen ziemlich schärf definiert sind und keine ungewünschten Ecken, Aufspaltungen oder Ausfransungen zeigen,

Fig. 8 zeigt die Konfiguration nach Benutzung eines geeigneten Glas« ätzmittels, z.B. von Fluorwasserstoff, wobei in einer Tiefenätzung durch die ursprüngliche öffnung 22 der weiterführende Durchbruch 2K in die Glässchicht 10 bewerkstelligt wird. Der Durchbruch 24 in der Glas schicht TO fluchtet demnach mit der ursprünglichen, in die SiIlziummonoxydschieht eingebrachte Öffnung» Die so hergestellten Durch- =brüche sind z.B. auch geeignet zur Anbringung von Zuführungen bzw. von"Metallkontakten an dem von der Glasschicht bedeckten Halbleitermaterial,

Wie aus Fig» 9 hervorgeht ₃ wird aber das Hauptanwendungsgebiet der Erzeugung derartiger Durchbrüche darin erblickt, daß durch noch weitergehendes Ätzen in den Halbleitergrundkörper 12 hinein eine Isolierung zwischen einzelnen in diesem Körper erzeugten aktiven Halbleiterbauelementen erzfeit werden können. Die Fig. 9 trägt ähnliche Bezugsseicheri wie sie in den übrigen Figuren benutzt wurden, jedoch ist bei federn Bezugszeichen der Buchstabe A hinzugefügt. In dem in der Figur dargestellten Beispiel sind zwei PNP-Transistoren durch die beschriebene Ätzung des Durchbruchs 26 voneinander separiert bzw» isoliert, wobei natürlich insgesamt eine Vielzahl von aktiven Halbleiterbauelementen durch entsprechend angeordnete Tr-ennfugen bzw. Gräben voneinander isoliert werden können. Besteht das Substrat 10A aus Silizium, so kann als geeignetes Ätzmittel zur Entfernung dieses Halbleitermateriais 2 enr Silbernitratlösung, gepuffert mit einem Gramm Silbernitrat in 100 cnr destilliertem Wasser, 2 enr Salpetersäure und 1/2 cnr Fluorwasserstoffsäure benutzt werden. Die PNP-Zonen innerhalb des Substrates 10A werden vorzugsweise durch bekannte Diffusionsverfahren vor Auf bringen der ßlasierung hergestellt.

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Zu jeder aktiven Halbleiterzone sind die'Zuführungen 28 vorgesehen. Die Zuführungen 28 bestehen aus elektrisch leitenden Metallkonfigurationen, welche durch Niederschlagsverfahren oder durch Aufdämpfung in Durchbrüche, Kanäle oder Öffnungen hinein hergestellt werden können, die ihrerseits nach dem vorstehenden beschriebenen Verfahren hegestellt wurden. In einem Äusführungsbeispiel besitzt die Glasschicht 1OA eine Dicke zwischen 2 und 5/U , wobei die Öffnung einen Durch-

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messer von etwa 5 * 10 ^ mm aufweist. Die Dicke der fertigen Konfigura-

tion, einschließlich der Glasschicht, beträgt etwa 2 · 10 mm mit einer Tiefe der Basiszone von etwa 2>u und einer Tiefe der Emitterzone von etwa 1,5/U.

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Claims (1)

P a t ^ e η t a η s ρ r ü c h e_

1. Verfahren zum Herstellen von scharf definierten Aperturen in einer isolierenden Schiciit bzw. in Halbleitermaterial, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte:

a. Herstellung einer metallischen Abdeckschicht (14) auf dem mit einer isolierenden Schicht (10) versehenen Substrat (12) in einer der herzustellenden Apertur entsprechenden Lage und Ausdehnung; . .

b. Aufbringen einer maskierenden Abdeckschicht (20) auf die gesamte Oberfläche des Substrates in einer Dicke, die geringer ist als diejenige der metallischen Abdeekschbht (14), derart daß deren Randgebiete ohne maskierende Abdeckungen verbleiben;

c. Herstellung der Aperturen (22) innerhalb der isolierenden Glasschicht (10) durch Ablösung der metallischen Abdeckschicht (14) mittels eines Ä'tzverfahrens für Metalle;

d. Durchführung eines Glasätzprozesses zur weiteren Vertiefung der Apertur durch die Glasschicht (10) hindurch unter Verwendung der unter b. aufgebrachten Schicht als Maske;

e. Weiterführung der Materialablösung durch Tiefenätzung "bis in den Halbleitergrundkörper hinein.

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2* Verfahren nach Patentanspruch 1, dadurch gekennzelehnet_s daß die metallische Äbäeckschicht (20) aus zwei einander überdeckenden Schichten verschiedener Metalle hergestellt wird und daß als Material für die erste, direkt auf der
Glasschicht (10) aufliegenden Schicht ein Metall guter
Haftfähigkeit, dagegen für|die zweite Schicht ein Metall
guter Duktilität gewählt wird. .

j?» Verfahren nach den Patentansprüchen 1 und 2_ß dadurch gekennzeichnet, daß für die erste Metallschicht'Chrom* für die zweite Kupfer gewählt wird»

4, Verfahren nach den Patentansprüchen 1 bis ~j>_s dadurch gekennzeichnet, daß für die erste Metallschicht eine Dicke von 1 000 $.E_S für die zweite eine solche von 2 ^u gewählt wird. '

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