DE2012805B2 - Verfahren zur Herstellung elektro fotografischen Röntgenstrahlen Aufzeich nungsmatenals - Google Patents

Verfahren zur Herstellung elektro fotografischen Röntgenstrahlen Aufzeich nungsmatenals

Info

Publication number
DE2012805B2
DE2012805B2 DE19702012805 DE2012805A DE2012805B2 DE 2012805 B2 DE2012805 B2 DE 2012805B2 DE 19702012805 DE19702012805 DE 19702012805 DE 2012805 A DE2012805 A DE 2012805A DE 2012805 B2 DE2012805 B2 DE 2012805B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
selenium
layer
ray recording
thick
oxygen
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19702012805
Other languages
English (en)
Other versions
DE2012805C3 (de
DE2012805A1 (en
Inventor
Gottfried Dipl.-Phys. 8520 Erlangen Lange
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19702012805 priority Critical patent/DE2012805C3/de
Priority claimed from DE19702012805 external-priority patent/DE2012805C3/de
Publication of DE2012805A1 publication Critical patent/DE2012805A1/de
Publication of DE2012805B2 publication Critical patent/DE2012805B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2012805C3 publication Critical patent/DE2012805C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
    • G03G5/082Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
    • G03G5/08207Selenium-based

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines elektrofotografischen Röntgenstrahlen-Aufzeichnungsmaterials, bei dem auf einen auf einer Temperatur zwischen 45 und 60° C gehaltenen Schichtträger im Vakuum, vorzugsweise von weniger als 10'' Torr, Selen aufgedampft wird.
Es ist bekannt, bei elektrofotografischen! Röntgenstrahlen-Aufzeichnungsmaterial, den sogenannten xeroradiografischen Folien für Röntgenaufnahmen, Selenschichten zu verwenden. Nachteilig daran ist, daß ihre Dunkelleitfähigkeit zu groß ist, um die aufgebrachte Ladung über eine für die Aufnahme ausreichende Zeitspanne zu speichern. Außerdem war die Röntgenempfindlichkeit zu gering im Vergleich zu den bekannten fotografischen Filmen.
Aufgabe der Erfindung ist, aus ί "len Schichten herzustellen, die hone Dunkelisolation aufweisen, wodurch sie Ladungen über längere Zeit festhalten, so daß sie eine bildhaft verteilte Ladung ebenfalls über längere Zeit speichern können. Weiterhin soll die Röntgünempfindlichkeit gesteigert werden, d. h. eine möglichst große Elektroncnausbeule pro absorbiertem Quant erzielt werden, damit die für eine Aufnahme benötigten Bestrahlungsdosen kleiner als K) Milltröntgen werden. Außerdem sollen die Schichten hinsichtlich Aufbau und Empfindlichkeit über die ganze Fläche gleichmäßig sein und keine Alterungserscheinungen aufweisen
Der Gegenstand der Erfindung geht von einem Verfahren zur Herstellung eines elektrofotografischen Röntgenstrahlen-Aufzeichnungsmaterials aus, bei dem auf einen auf einer Temperatur zwischen 45 und 60° C gehaltenen Schichtträger im Vakuum, vorzugsweise von weniger als K) 5 Torr, Selen aufgedampft wird, lind ist dadurch gekennzeichnet, daß das Selen vor dem Aufdampfen in Anwesenheit von Sauerstoff auf 130 bis 300' C, vorzugsweise auf 180° C, erhitzt
wird.
Die Erhitzung des Trägers trägt insbesondere zur Bildung einer homogenen Schicht amorpher Struktur bei. Die Einstellung der Mindesttemperatur von 45° C reicht aus. um die gewünschte Struktur und
ίο Einheitlichkeit zu erhalten. Die obere Grenze ist durch die bei 60" C liegende Umwandlungs.smperatur bedingt, oberhalb der keine amorphe Schicht erhalten wird. Die Verbesserung durch den Einfluß des Sauerstoffes beruht wahrscheinlich darauf, daß bei der
Erhitzung eine Art Kc.npensationshalbleiter geschaffen wird.
Durch die Erfindung wird erreicht, daß bei den Selenschichten gegenüber den bekannten der Widerstand von lO'Ohm · cmauf 10'5Ohm · cm gesteigert ist. Auch die Homogenität der Schicht und d'.e Gleichmäßigkeit der Empfindlichkeit sind ausreichend. Die Durchschlagfestigkeit ist verbessert und das zeitliche An- und Abklingverhalten ist vom Sekunden- in den Millisekundenbereich gerückt, so daß Nachzieherscheniungen, wie sogenannte Geisterbilder, vermieden sind.
Bei einer 100 /im starken Selenschicht nach der Erfindung, einer ,NO kV-Einstrahlung, die mit 0,6 mm Kupfer gefiltert ist, und einem Fokusabstand von ca.
70 cm wird eine Belichtungszeit von 0,4 see erhalten. Die benötigte Dosis beträgt 10 bis 20 Milliröntgen und es werden 400 bis 600 Elektronen pro absorbiertes Röntgenquant erzeugt. Das Feld, welches nach der Aufladung vor der Aufnahme in der Schicht entsteht,
beträgt etwa 100 kV pro cm. Von der Strahlung werden ca. 149r absorbiert. Durch diese Ausgestaltung werden Verhältnisse erreicht, die sich gegenüber den üblichem Röntgenfilmen ohne Verstärkerfolien als ebenbürtig erweisen.
Gemäß einer Ausgestaltung de - Erfindung werden Schichten vergleichbarer Qualität erhalten, wenn das Selen \or der Aufdampfung in feiner Verteilung in einer Atmosphäre erhitzt wird, die Sauerstoff enthält. Eine hinreichend feine Verteilung ist z. B. eine 200 /<m starke Schicht. Zur Dotierung wird diese Schicht etwa an Luft eine Stunde lang auf 180° C erhitzt. Dieses Material wird dann in einem Vakuum von weniger als K)""5 Torr aufgedampft. Durch diese Ausgestaltung wird erreicht, daß man mit einer einfachen Apparatur auskommt. Es werden keine Umwälzvorgänge etc. nötig.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung kann die Behandlung des Selens mit Sauerstoff etwa dadurch erfolgen, daß das Selen in einer Sauer-
stoff enthaltenden Atmosphäre von 10~4 bis K)"5 Torr zur Herstellung der Schicht aufgedampft wird. Dabei wird die Aufdampfungsgeschwindigkeit so eingcstelil:, daß pro Minute ein Dickenzuwachs von 1 bis 3 μπίι, vorzugsweise 1,5 μηι, erhalten wird. Die untere Grenze ist unkritisch, weil sie nur dadurch gegeben ist, daß eine absehbare für die Fabrikation noch vernünftige Aufdampfzeit anzustreben ist. Die obere Grenze sollte nicht überschritten werden, damit während der Aufdampfung für die Bildung der homogenen Struktur ausreichend Zeit bleibt. Gemäß dieser Ausgestaltung wird der Vorteil erzielt, daß das erfindungsgemäßc Material in einem Arbeitsgang erhalten werden kann.
Mil verschiedenen Ausgangsmaterialien lassen sich durch entsprechende Änderungen der Behandlung, z. B. mit unterschiedlichen Sauerstoffdrücken, immer die gewünschten elektrischen Werte erhalten. Die erforderlichen Änderungen der Bedingungen sind im Bedarfsfall durch Messung des Dunkelwiderstandes des resultierenden Selens leicht auffindbar. Dies schließt den weiteren großen Vorteil ein, daß auch Selen verwendbar wird, welches gegenüber dem nach dem Stand der Technik als benutzbar angesehenen, geringeren Reinheitsgrad aufweist und um Größenordnungen billiger ist.
Die neue Selenmodifikation ermöglicht es, haltbare Schichten von 30 bis ";)() /im Starke zu erzeugen. Als optimal haben sich Schichtdicken von 50 bis 100 /im erwiesen. Dies bietet den Vorteil, daß die Schichtdikken den Absorptionsverhältnissen der Röntgenaufzeichnungstechnik anzupassen sind.
Eine für die Röntgenxerografie brauchbare Aufnahmeplatle wird in einem Ausführungsbeispiel der Erfindung erhalten, wenn ein Behalter 1 entsprechend der Figur unter einer Vakuumglocke 2 erhitzt iwrd und im Dampfstrom der Trägt-r 3 aus 1 mm dikkem Aluminium liegt, der als Substratunterlage für die aufzudampfende Schicht 4 aus Selen dient. Der Träger aus Aluminium, der zur Erzielung hinreichender Stabilität 0.5 bis 2 mm stark sein kann, ist an der zu belegenden Seite poliert und anschließend durch eine kraftige Glimmentladung aufgerauht, so daß er eine glatte und doch haftfähige Fläche erhall. Die Erhitzungstemperatur des Behälters 1 wird durch die elektrische Energie der Stromquelle S erzeugt und geregelt. Dabei wird die Temperatur in der Schmelze auf 230" C gehalten, so daß die Aufdampfung pro Minute einen Zuwachs der Dicke der Schicht 4 um 1,5 μπι ergibt. Der Abstand des Behälters 1, der die Verdampfungsquelle darstellt, vom Träger 3 beträgt dabei 10 bis 15 mm. In der dargestellten Anordnung ■st derTräger 3so gelagert, daß seine Temperatur wenigstens 50" C, höchstens aber 58° C erreicht. Diese
Temperatur könnte allerdings auch durch die gestrichelt eingezeichnete Vorrichtung 6 gehalten weiden, die an einen entsprechend dimensionierten Thermostaten 7 angeschlossen ist. Zur Erzielung des Vakuuins von K) bis K)"5 Torr dient die mittels der durch
ίο den Hahn 8 abschließbaren Röhre 9 angeschlossene Pumpe 10. Der Sauerstoffdruck ist durch die mittels des Hahnes II regelbare Düse 12 einstellbar. Der im Behälter 1 bei Erhitzung entstehende Dampf aus Sc len steigt dann durch die Sauerstoff enthaltende At-
!5 mosphäre hindurch zu dem von den Ständern 13, 14 getragenen Träger 3 auf. Den wird dann die erfindungsgemäß aktivierte Fotoschicht niedergeschlagen, in analoger Anordnung wi-d nach einem anderen Ausführungsbeispiel eine Fotoschicht mit vorbehandHtem Selen erhalten. Der einzige Unterschied zur oben beschriebenen App , atur besteht darin, daß die Düse 12 wegfällt und aus de ti Behälter 1 Selen verdampft wird, welches schon vorher mit Sauerstoff aktiviert wurde. Die Aktivierung erfoigt dadurch, daß
'.5 cine im Vakuum aufgedampfte 200 /im starke Schicht aus Selen eine Stunde lang an Luft auf 180" C erhitzt wurde. Das bei dieser Behandlung von der Unterlage, die vorzugsweise aus Glas besteht, sich selbständig lösende (abspringende) Selen ist dabei das Ausgangsmaterial für die Aufdampfung, die in einem Vakuum von weniger als 10 ^ Torr erfolgt. Bei dieser Aufdampfung ist hinsichtlich der einzuhaltenden Bedingungen nur auf das Entstehen haltbarer einheitlicher Schichten Rücksicht zu nehmen. Die Einstellung der i"emperatur des Trägers der Schicht wird wie oben erwähnt durchgeführt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

2 012 S05 Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellungeines elektrofotografischen Röntgenstrahlen-Aufzeichnungsmaterials, bei dem auf einen auf einer Temperatur zwischen 45 und 60" C gehaltenen Schichtträger im Vakuum, vorzugsweise von weniger als K)-' Torr, Selen aufgedampft wird, dadurch gekennzeichnet, daß das Selen vor dem Aufdampfen in Anwesenheit von Sauerstoff auf 130 bis 300° C, vorzugsweise auf ISO" C, erhitzt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Selen in Form einer 150 bis 200 μπι dicken Schicht eine Stunde lang erhitzt wird.
3. Verfahren zur Herstellung eines elektrofotografischen Röntgenstrahlen-Aufzeichnungsmaterials, bei dem auf einen auf einer Temperatur zwischen 45 und 60° C gehaltenen Schichtträger im Vakuum Sel?n aufgedampft wird, dadurch gekennzeichnet, daß das Selen in Anwesenheit von Sauerstoff bei einem Druck zwischen 10~4 und 10 ^ Torr mit einer solchen Geschwindigkeit aufgedampft wird, daß eine 1 bis 3 μίτι, vorzugsweise eine 1,5 μΐη, dicke Schicht pro Minute entsteht.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß auf den Schichtträger eine 30 bis 300 μΐη dicke, vorzugsweise eine 50 bis 100 μηι dicke, Selenschicht aufgedampft wird.
DE19702012805 1970-03-18 Verfahren zur Herstellung eines elektrofotografischen Röntgenstrahlen-Aufzeichnungsmaterials Expired DE2012805C3 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19702012805 DE2012805C3 (de) 1970-03-18 Verfahren zur Herstellung eines elektrofotografischen Röntgenstrahlen-Aufzeichnungsmaterials

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19702012805 DE2012805C3 (de) 1970-03-18 Verfahren zur Herstellung eines elektrofotografischen Röntgenstrahlen-Aufzeichnungsmaterials

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2012805A1 DE2012805A1 (en) 1971-09-30
DE2012805B2 true DE2012805B2 (de) 1973-12-13
DE2012805C3 DE2012805C3 (de) 1978-02-09

Family

ID=

Also Published As

Publication number Publication date
DE2012805A1 (en) 1971-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2513034C2 (de) Vorrichtung zur Herstellung von dotierten dünnen Halbleiterschichten
DE1943391B2 (de) Verfahren zum Herstellen von Bildern
DE1950126A1 (de) Verfahren zur Aufringung isolierender Filme und elektronische Bauelemente
DE938644C (de) Verfahren zur Aufbringung lichtempfindlicher Stoffe auf Schichttraeger
DE1614986B2 (de) Verwendung einer unter Vakuum aufge dampften, polykristallinen Alkali methallhalogenidschicht in Bildwandler rohren und Verfahren zur Herstellung einer solchen Schicht
DE1052001B (de) Lichtelektrische Vorrichtung mit Bleioxydschicht als Photoleiter und Verfahren zu deren Herstellung
DE2012805B2 (de) Verfahren zur Herstellung elektro fotografischen Röntgenstrahlen Aufzeich nungsmatenals
DE862913C (de) Verfahren zur Herstellung von Mosaikelektroden fuer Bildzerlegerroehren
DE2012805C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines elektrofotografischen Röntgenstrahlen-Aufzeichnungsmaterials
DE2808757C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials
DE102012203824B4 (de) Mikropartikel fur wärmesteuerungsmaterial und vorrichtung und verfahren zu seiner herstellung unter verwendung eines ultraschall-hochtemperatur-schwingungsschemas
DE2247524C3 (de) Verfahren zur Herstellung trägerfreier Leuchtschirme
DE102007053076A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von Röntgenstrahlung mittels polarisierbarer Kristalle
DE1720817A1 (de) Herstellung von Filmen durch Ultraviolett-Oberflaechen-Photopolymerisation
WO2006063893A1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleitenden oder photovoltaisch aktiven filmen
Bradner The Production of Thin Be Foils
DE2061655C3 (de) Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial
DE3000305C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials
DE10141522C1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Leuchtstoffschicht
DE895086C (de) Verfahren zur Herstellung metallischer Niederschlaege durch thermische Verdampfung
DE921324C (de) Verfahren zur Herstellung sehr feiner Loecher in duennen Folien
DE1908101C3 (de) Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2250689B2 (de) Elektrofotografisches Röntgenaufnahmeverfahren
DE2616270B2 (de) Verfahren zum Herstellen einer schweroxidierbaren Schicht auf einem Körper aus einem leichtoxidierenden Metall oder einer entsprechenden Metallegierung
DE1597840C (de) Verfahren zur Verbesserung der Photo leitfähigkeit im Vakuum auf einem Schicht trager abgelagerter Cadmiumsulfid Schichten

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
EHJ Ceased/non-payment of the annual fee