DE2012805C3 - Verfahren zur Herstellung eines elektrofotografischen Röntgenstrahlen-Aufzeichnungsmaterials - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines elektrofotografischen Röntgenstrahlen-AufzeichnungsmaterialsInfo
- Publication number
- DE2012805C3 DE2012805C3 DE19702012805 DE2012805A DE2012805C3 DE 2012805 C3 DE2012805 C3 DE 2012805C3 DE 19702012805 DE19702012805 DE 19702012805 DE 2012805 A DE2012805 A DE 2012805A DE 2012805 C3 DE2012805 C3 DE 2012805C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- selenium
- layer
- recording material
- producing
- thick
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 24
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 229910017255 AsSe Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 arsenic selenide Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229940065287 selenium compound Drugs 0.000 description 1
- 150000003343 selenium compounds Chemical class 0.000 description 1
- ZIJTYIRGFVHPHZ-UHFFFAOYSA-N selenium oxide(seo) Chemical compound [Se]=O ZIJTYIRGFVHPHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines elektrofotografischen Röntgenstrahlen-Aufzeichnungsmaterials,
bei dem auf einen auf einer Temperatur zwischen 45 und 60" C gehaltenen
Schichtträger im Vakuum, vorzugsweise von weniger als K)"5 Torr, Selen aufgedampft wird.
Es ist bekannt, bei elektrofotografischem Röntgenstrahlen-Aufzeichnungsmaterial,
den sogenannten xcroradiografischen Folien für Röntgenaufnahmen, Selenschichten zu verwenden. Nachteilig daran ist,
daß ihre Dunkelleitfähigkeit zu groß ist, um die aufgebrachte Ladung über eine für die Aufnahme ausreichende
Zeitspanne zu speichern. Außerdem war die Röntgenempfindlichkeit zu gering im Vergleich zu
den bekannten fotografischen Filmen.
Aus der DE-AS 1 267 089 ist ein Verfahren zur Herstellung eines elektrofotografischen Aufnahmematerials
bekannt, bei dem das Selen vor seiner Auftragung auf einen Schichtträger geschmolzen und
dann mit halogenfreiem Gas in engen Kontakt gebracht wird. Bei Verwendung von Sauerstoff als Gas
ist dabei auf 400° C zu erhitzen, damit die Oxide usw. weggeführt werden.
Nach Absatz 2, ab Zeile 7 der Seite 3 der GB-PS 234 sollen Kombinationen von Schichten verwendet
werden, die einerseits solche aus Selen oder Selenverbindungen, wie Arsenselenid (AsSe3), enthalten,
und andererseits solche, die als Überzug aufge-
tragen sind und aus Zinksulfid bestehen. Außerdem ist die Lehre der GB-PS an bereits hergestellte
Schichten gebunden, die auf 80 bis 200° C erhitzt werden sollen. Bei diesen Temperaturen wird der
Umwandlungspunkt des amorphen Selens überschritten.
Aufgabe der Erfindung ist, aus Selen Schichten herzustellen, die hohe Dunkelisolation aufweisen,
wodurch sie Ladungen über längere Zeit festhalten, so daß sie eine bildhaft verteilte Ladung ebenfalls über
längere Zeit speichern können. Weiterhin soll die Rönigenempfindlichkeit gesteigert werden, d. h. eine
möglichst große Elektronenausbeute pro absorbiertem Quant erzielt werden, damit die für eine Aufnahme
benötigten Bestrahlungsdosen kleiner als 10 Milliröntgen werden. Außerdem sollen die Schichten
hinsichtlich Aufbau und Empfindlichkeit über die ganze Fläche gleichmäßig sein und keine Alterungserscheinungen
aufweisen.
Der Gegenstand der Erfindung gehl von einem Verfahren zur Herstellung eines elektrofotografischen
Röntgenstrahlen-Aufzeichnungsmaterials aus, bei dem auf einen auf einer Temperatur zwischen 45 und
60° C gehaltenen Schichtträger im Vakuum, vorzugsweise von weniger als 10~5 Torr, bei erhöhter Temperatur
mit Sauerstoff behandeltes Selen aufgedampft wird, und ist dadurch gekennzeichnet, daß das Selen
vor dem Aufdampfen in Anwesenheit von Sauerstoff auf 130 bis 180° C erhitzt wird.
Die Erhitzung des Trägers trägt insbesondere zur Bildung einer homogenen Schicht amorpher Struktur
bei. Die Einstellung der Mindesttemperatur von 45" C reicht aus, um die gewünschte Struktur und
Einheitlichkeit zu erhalten. Die obere Grenze ist durch die bei 60° C liegende Umwandlungstemperatur
bedingt, oberhalb der keine amorphe Schicht erhalten wird. Die Verbesserung durch den Einfluß des
Sauerstoffes beruht wahrscheinlich darauf, daß bei der Erhitzung eine Art Kompensationshalbleiter geschaffen
wird.
Durch die Erfindung wird erreicht, daß bei den Selenschichten gegenüber den bekannten der Widerstand
von H)1-'Ohm ■ cm auf 10lsOhm · cm gesteigert
ist. Auch die Homogenität der Schicht und die Gleichmäßigkeit der Empfindlichkeit sind ausreichend. Die
Durchschlagfestigkeit ist verbessert und das zeitliche An- und Abklingverhalten ist vom Sekunden- in den
Millisekundenbereich gerückt, so daß Nachzieherscheinungen, wie sogenannte Geisterbilder, vermieden
sind.
Bei einer 100 μηι starken Selenschicht nach der
Erfindung, einer 80 kV-Einstrahlung, die mit 0,6 mm Kupfer gefiltert ist, und einem Fokusabstand von ca.
70 cm wird eine Belichtungszeit von 0,4 see erhalten. Die benötigte Dosis beträgt 10 bis 20 Milliröntgen
und es werden 400 bis 600 Elektronen pro absorbiertes Röntgenquant erzeugt. Das Feld, welches nach der
Aufladung vor der Aufnahme in der Schicht entsteht, beträgt etwa 100 kV pro cm. Von der Strahlung werden
ca. 14% absorbiert. Durch diese Ausgestaltung werden Verhältnisse erreicht, die sich gegenüber den
üblichen Röntgenfilmen ohne Verstärkerfolien als ebenbürtig erweisen.
Es werden Schichten vergleichbarer Qualität erhalten, wenn das Selen vor der Aufdampfung in feiner
Verteilung in einer Atmosphäre erhitzt wird, die Sauerstoff enthält. Eine hinreichend feine Verteilung
ist z. B. eine 200 μΐη starke Schicht. Zur Dotierung
wird diese Schicht etwa an Luft eine Stunde lang auf
1800C erhitzt. Dieses Material wird dann in einem
Vakuum von weniger als 10~5 Torr aufgedampft.
Durch diese Ausgestaltung wird erreicht, daß man mit einer einfachen Apparatur auskommt. Es werden
keine Umwälzvorgänge usw. nötig.
Mit verschiedenen Ausgangsmaterialien lassen sich durch entsprechende Änderungen der Behandlung,
z. B. mit unterschiedlichen Sauerstoffdrücken, immer die gewünschten elektrischen Werte erhalten. Die erforderlichen
Änderungen der Bedingungen sind im Bedarfsfall durch Messung des Dunkelwiderstandes
des resultierenden Selens leicht auffindbar. Dies schließt den weiteren großen Vorteil ein, daß auch
Selen verwendbar wird, welches gegenüber dem nach dem Stand der Technik als benutzbar angeschenen,
geringeren Reinheitsgrad aufweist und um Größenordnungen billiger ist.
Die neue Selcnmodifikation ermöglicht es, haltbare Schichten von 30 bis 300 μπ\ Stärke zu erzeugen. Als
optimal haben sich Schichtdicken von 50 bis 100 jum
erwiesen. Dies bietet den Vorteil, daß die Schichtdikken den Absorptionsverhältnissen der Röntgenaufzcichnungstechnik
anzupassen sind.
Eine für die Röntgenxerografie brauchbare Aufnahmeplatte
wird in einem Ausführungsbeispiel der Erfindung erhalten, wenn ein Behälter 1 er !sprechend
der Figur unter einer Vakuumglockc 2 erhitzt wird und im Dampfstrom der Trager 3 aus 1 mm «.iikkem
Aluminium liegt, der als Substratuntcrlagc für die aufzudampfende Schicht 4 aus Selen dient. Der
Träger aus Aluminium, der zur Erzielung hinreichender Stabilität 0,5 bis 2 mm stark sein kann, ist an der
zu belegenden Seite poliert und anschließend durch eine kräftige Glimmentladung aufgerauht, so daß er
eine glatte und doch haftfähige Fläche erhält. Die Erhitzungstemperatur
des Behälters 1 wird durch die elektrische Energie der Stroriiquelle 5 erzeugt und geregelt.
Dabei wird die Temperatur in der Schmelze auf 230" C gehalten, so daß die Aufdampfung pro
Minute einen Zuwachs der Dicke der Schicht 4 um 1,5 μη\ ergibt. Der Abstand des Behälters 1, der die
Verdampiungsquelle darstellt., vom Träger 3 beträgt dabei 10 bis 15 mm. In der dargestellten Anordnung
ist der Träger 3 so gelagert, daß seine Temperatur wenigstens 50° C, höchstens aber 58° C erreicht. Diese
Temperatur könnte allerdings auch durch die gestrichelt eingezeichnete Vorrichtung 6 gehalten werden,
die an einen entsprechend dinnensionierten Thermostaten 7 angeschlossen ist. Zur Erzielung des Vakuums
von K)"'4 his 1(1 ''Torr dient die mittels der durch
den Hahn 8 abschließbaren Röhre 9 angeschlossene Pumpe 10. Der Sauerstoffdruck ist durch die mittels
des Hahnes 11 regelbare Düse 12 einstellbar. Der im Behälter 1 bei Erhitzung entstehende Dampf aus Selen
steigt dann durch die Sauerstoff enthaltende Atmosphäre hindurch zu dem von den Ständern 13, 14
getragenen Träger 3 auf. Dort wird dann die erfindungsgemäß aktivierte Fotoschicht niedergeschlagen,
in analoger Anordnung wird nach einem anderen Ausfiihrungsbeispiel eine Fotoschicht mit vorbehandeltem
Selen erhalten. Der einzige Unterschied zur oben beschriebenen Apparatur besteht darin, daß die
Düse 12 wegfällt und aus dem Behälter 1 Selen verdampft wird, welches schon vorher mit Sauerstoff aktiviert
wurde. Die Aktivierung erfolgt dadurch, daß eine im Vakuum aufgedampfte 200 μη\ starke Schicht
aus Selen eine Stunde lang an Luft auf 180' C erhitzt wurde. Das bei dieser Behandlung von der Unterlage,
die vorzugsweise aus Glas besteht, sich selbständig lösende (abspringende) Selen ist dabei das Ausgangsmaterial
für die Aufdampfung, die in einem Vakuum von weniger als K)"' Torr erfolgt. Bei dieser Auf-
,, dampfung ist hinsichtlich der einzuhaltenden Bedingungen
nur auf das Entstehen haltbarer einheitlicher Schichten Rücksicht /u nehmen. Die Einstellung der
Temperatur des Trägers der Schicht wird wie oben erwähnt durchgeführt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Verfahren zur Herstellung eines elektrofotografischen Röntgenstrahlen-Aufzeichnungsmaterials,
bei dem auf einen auf einer Temperatur zwischen 45 und 60° C gehaltenen Schichtträger
im Vakuum, vorzugsweise von weniger als 10~5 Torr, bei erhöhter Temperatur mit Sauerstoff behandeltes
Selen aufgedampft wird, dadurch gekennzeichnet, daß das Selen vor dem
Aufdampfen in Anwesenheit von Sauerstoff auf 130° bis 180° C erhitzt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Selen in Form einer 150
bis 200 μπι dicken Schicht eine Stunde lang erhitzt
wird.
3. Verfahren zur Herstellung eines elektrofotografischen Röntgenstrahlen-Aufzeichnungsmaterials,
bei dem auf einen auf einer Temperatur zwischen 45 und 60° C gehaltenen Schichtträger
im Vakuum Selen bei einem Druck zwischen 10~4 und 10~ä Torr mit einer solchen Geschwindigkeit
aufgedampft wird, daß eine 1 bis 3 |im, vorzugsweise 1,5 μΐη, dicke Schicht pro Minute
entsteht, dadurch gekennzeichnet, daß während des Aufdampfens ständig neuer Sauerstoff zugeführt
wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß auf den Schichtträger eine 30
bis 300 μΐη dicke, vorzugsweise 50 bis 100 μΐη
dicke, Selenschicht aufgedampft wird.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19702012805 DE2012805C3 (de) | 1970-03-18 | Verfahren zur Herstellung eines elektrofotografischen Röntgenstrahlen-Aufzeichnungsmaterials |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19702012805 DE2012805C3 (de) | 1970-03-18 | Verfahren zur Herstellung eines elektrofotografischen Röntgenstrahlen-Aufzeichnungsmaterials |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2012805A1 DE2012805A1 (en) | 1971-09-30 |
| DE2012805B2 DE2012805B2 (de) | 1973-12-13 |
| DE2012805C3 true DE2012805C3 (de) | 1978-02-09 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3124447C2 (de) | ||
| DE2855718C3 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE1490927A1 (de) | Widerstand aus einer Tantalnitrid-Schicht | |
| DE2638097A1 (de) | Verfahren zur oberflaechenbehandlung von kunststofflinsen und nach diesem hergestellte produkte | |
| DE3616607C2 (de) | ||
| DE1052001B (de) | Lichtelektrische Vorrichtung mit Bleioxydschicht als Photoleiter und Verfahren zu deren Herstellung | |
| DE2012805C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektrofotografischen Röntgenstrahlen-Aufzeichnungsmaterials | |
| DE1297987B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Dispersion eines Silberfaellungsmittels | |
| DE2808757C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials | |
| DE1490950A1 (de) | Zinn-Oxyd-Widerstand | |
| DE3425741C2 (de) | ||
| DE3525113A1 (de) | Substrat fuer einen amorphen silicium-fotorezeptor | |
| DE2012805B2 (de) | Verfahren zur Herstellung elektro fotografischen Röntgenstrahlen Aufzeich nungsmatenals | |
| DE2061655C3 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
| DE2305407B2 (de) | Elektroradiografisches aufzeichnungsmaterial | |
| DE2616270C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer schweroxidierbaren Schicht auf einem Körper aus einem leichtoxidierenden Metall oder einer entsprechenden Metallegierung | |
| DE736758C (de) | Verfahren zur Herstellung eines Trockengleichrichters vom Selentyp mit Traegerelektrode aus Leichtmetall | |
| DE3610277C2 (de) | ||
| DE1596179C2 (de) | Vorrichtung zur direkten Erzeugung von Elektrizität | |
| Lange et al. | Method to manufacture an electrophotographic X-ray recording material | |
| DE1908101C3 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE3035298C2 (de) | ||
| DE1597840B2 (de) | Verfahren zur verbesserung der photoleitfaehigkeit im vakuum auf einem schichttraeger abgelagerter cadmiumsulfid schichten | |
| DE2951482C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Dippelschicht mit Hetero-Übergang für die Speicherelektrode einer Bildaufnahmevorrichtung | |
| DE1497065C3 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial und Verfahren zu seiner Herstellung |