DE19955775A1 - Anordnung zur Spannungsversorgung einer elektronischen Schaltung - Google Patents

Anordnung zur Spannungsversorgung einer elektronischen Schaltung

Info

Publication number
DE19955775A1
DE19955775A1 DE19955775A DE19955775A DE19955775A1 DE 19955775 A1 DE19955775 A1 DE 19955775A1 DE 19955775 A DE19955775 A DE 19955775A DE 19955775 A DE19955775 A DE 19955775A DE 19955775 A1 DE19955775 A1 DE 19955775A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
voltage
standby
active
supply
electronic circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19955775A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19955775C2 (de
Inventor
Pramod Acharya
Andreas Taeuber
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Polaris Innovations Ltd
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE19955775A priority Critical patent/DE19955775C2/de
Priority to US09/716,901 priority patent/US6489759B1/en
Publication of DE19955775A1 publication Critical patent/DE19955775A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19955775C2 publication Critical patent/DE19955775C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10Regulating voltage or current
    • G05F1/46Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Spannungsversorgung einer elektronischen Schaltung mit wenigstens zwei verschiedenen Versorgungsspannungen (VDD1, VDD2), bei der mittels eines Spannungsteilers (R¶1¶, R¶2¶, R¶3¶) aus der höchsten Versorungsspannung mehrere Standby-Versorgungsspannungen gewonnen werden.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anordnung zur Span­ nungsversorgung einer elektronischen Schaltung mit wenigstens zwei Versorgungsspannungen (VDD1, VDD2, . . .) mit verschiede­ nen Spannungspegeln während eines Standby-(Bereitschafts-)Be­ triebsmodus, bei der die Versorgungsspannungen der elektroni­ schen Schaltung im aktiven Betriebsmodus über jeweils einen, jedem Spannungspegel zugeordneten Aktiv-Spannungsregler zuge­ führt sind.
Viele elektronische Schaltungen, wie beispielsweise ein eDRAM (embedded bzw. eingebetteter DRAM), haben zwei Betriebsmodi, nämlich einen Standby-Betriebsmodus und einen Aktiv-Betriebs­ modus. Im Standby-Betriebsmodus wird die Schaltung so mit stabilen Spannungen versorgt, daß die in ihr gespeicherte In­ formation erhalten bleibt. Dabei soll die Summe der durch die Schaltung aufgenommenen Ströme aber möglichst gering sein.
Im Aktiv-Betriebsmodus, in welchem die elektronische Schal­ tung arbeitet und eine Datenverarbeitung vornimmt, ist dage­ gen bei sonst im wesentlichen unveränderten Spannungen die Summe der zur Schaltung gespeisten Ströme relativ groß.
Bekanntlich müssen einem eDRAM als einem Beispiel einer sol­ chen elektronischen Schaltung sowohl im Standby-Betriebsmodus als auch im Aktiv-Betriebsmodus Spannungen mit verschiedenen Spannungspegeln zugeführt werden, wie beispielsweise eine verstärkte Wortleitungsspannung für eine Lese/Schreibopera­ tion mit einem Spannungswert von ungefähr 3,5 V (± 10%), eine lokale und globale Versorgungsspannung VBLH für Lesever­ stärker (S/A) mit Spannungswerten von 1,8 V (± 10%), eine Vorspannung VPL zur Reduzierung von durch das elektrische Feld erzeugten Belastungen über der eDRAM-Zelle insgesamt mit Spannungswerten von VBLH/2, d. h. 0,9 V, eine Bitleitung- Ausgleichsspannung VBLEQ, die vor einem Lesevorgang angelegt wird, mit Spannungswerten von VBLH/2, d. h. etwa 0,9 V, und eine eDRAM-Substratvorspannung VBB zur Minimierung von Leck­ strömen und Steigerung der Zellen-Rückhaltezeit mit Span­ nungswerten von etwa -1 V. Abhängig von dem verwendeten eDRAM-Typ werden diese Spannungen alle oder nur teilweise oder auch weitere, zusätzliche Spannungen eingesetzt. So gibt es auch Spannungen, die sogar über der Spannung liegen, die dem Halbleiterchip extern zugeführt ist, in den der eDRAM eingebettet ist, wofür Spannungspumpen benötigt werden, um beispielsweise aus einer extern angelegten Spannung von 3,3 V eine Spannung von 3,8 V zu erzeugen.
In bestehenden Anordnungen werden, um der Forderung nach ei­ nem niedrigen Leistungsverbrauch im Standby-Betriebsmodus zu genügen, getrennte Regler für die Erzeugung der einzelnen Spannungen im Aktiv-Betriebsmodus und im Standby-Betriebs­ modus eingesetzt. Ein Beispiel hierfür ist in der Fig. 3 in einem schematischen Blockschaltbild veranschaulicht.
In einem Halbleiterchip 1 aus Silizium ist ein eDRAM 2 einge­ bettet, der von Reglereinheiten 4, 5, 6, 7, 8 mit Spannungen versorgt und mit einer Logikeinheit 3 verbunden ist. Die Reg­ lereinheiten 4 bis 8 werden über Pads (bzw. Kontaktkissen) 9, 10 mit einer externen Versorgungsspannung CE (über Pad 9) von einer Spannungsquelle 11, die eine Spannung von etwa 3,3 V liefert, und Bezugspotential (T) (über Pad 10) versorgt. Zu­ sätzliche Pads 18 dienen zur Eingabe/Ausgabe weiterer Signa­ le. Die Reglereinheiten 4 bis 8 erzeugen aus den externen Spannungen die gewünschten Versorgungsspannungen mit Werten von 2,5 V (Reglereinheit 4), 0,9 V (Reglereinheit 5), 0,9 V (Reglereinheit 6), 1,8 V (Reglereinheit 7) und 3,8 V (Regler­ einheit bzw. Pumpe 8). Um die Spannung mit 3,8 V liefern zu können, muß hierzu die Reglereinheit 8 als Spannungspumpe ausgeführt sein.
Der Aufbau der Reglereinheiten 4, 5 ist als Beispiel in Fig. 4 in Einzelheiten veranschaulicht: jede der Reglereinheiten 4 und 5 besteht aus einem Aktiv-Regler 12 und einem Standby- Regler 13, die in der angegebenen Weise mit der externen ho­ hen Spannung CE und der externen niedrigen Spannung T beauf­ schlagt sind. Im Aktivmodus arbeitet der Regler 12 mit einem relativ großen Strom I1, während im Standby-Betriebsmodus der Regler 13 die gewünschte Spannung VDD1 bzw. VDD2 mit einem relativ niedrigen Strom I0 abgibt (I1 << I0). Die Spannungen VDD1 bzw. VDD2 haben so Werte von beispielsweise 2,5 V und 0,9 V, wie dies in Fig. 3 angegeben ist. Dabei wird die Span­ nung VDD1 aus der externen Spannung CE generiert, während die Spannung VDD2 aus der niedrigen Spannung T erzeugt wird. Fig. 5 zeigt schließlich den Aufbau eines solchen Reglers 13 aus N- und P-Kanal-MOS-Transistoren, Widerständen und einer Be­ zugsspannungsquelle. Dieser Aufbau eines Reglers ist von üb­ licher Weise, so daß er hier nicht näher erläutert zu werden braucht.
Schon aus den Fig. 3 und 4 ist zu ersehen, daß der Aufwand für die einzelnen Reglereinheiten 4 bis 8 beträchtlich hoch ist, da jede Reglereinheit aus zwei Reglern 12 und 13 be­ steht, die jeweils für Aktiv-Betriebsmodus und für Standby- Betriebsmodus bereitgehalten werden müssen. Hierfür wird re­ lativ viel Fläche auf dem Halbleiterchip 1 beansprucht.
Zusätzlich ist zu berücksichtigen, daß gerade die Regler für den Standby-Betriebsmodus ein äußerst genaues Design erfor­ dern, da der im Standby-Betriebsmodus fließende Strom im ho­ hen Ausmaß durch den Ruhestrom des Reglers bestimmt wird.
Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Anord­ nung zur Spannungsversorgung einer elektronischen Schaltung mit wenigstens zwei Versorgungsspannungen mit verschiedenen Spannungspegeln zu schaffen, welche sich durch einen einfa­ chen Aufbau auszeichnet, möglichst wenig Fläche auf einem Halbleiterchip benötigt und eine sehr geringe Eigenstromauf­ nahme hat.
Diese Aufgabe wird bei einer Anordnung der eingangs genannten Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß einem Standby-Span­ nungsregler für die höchste Versorgungsspannung ein Span­ nungsteiler nachgeschaltet ist, der die Versorgungsspannungen während des Standby-Betriebsmodus bei abgeschalteten Aktiv- Spannungsreglern aus der höchsten Versorgungsspannung gene­ riert.
Dabei sind in bevorzugter Weise die Abgriffe des Spannungs­ teilers über Schalter mit den durch ein Standby-Signal ab­ schaltbaren Aktiv-Spannungsreglern für die übrigen Versor­ gungsspannungen verbunden. Der Spannungsteiler selbst liegt zwischen zwei Transistoren, deren Steuerelektroden über ein Standby-Signal und ein phasenverschobenes Standby-Signal an­ steuerbar sind. Die höchste Versorgungsspannung ist vorzugs­ weise die verstärkte Wortleitungsspannung.
Die Erfindung weicht damit von dem bisherigen Stand der Tech­ nik in wesentlichen Punkten ab: anstelle der Anordnung ge­ trennter Spannungsregler für die einzelnen Standby-Versor­ gungsspannungen und Aktiv-Versorgungsspannungen werden zu­ nächst nur die Aktiv-Regler beibehalten. Aus dem Standby- Regler mit der höchsten Versorgungsspannung, die bevorzugt durch die verstärkte Wortleitungsspannung gegeben ist, werden mit Hilfe eines Spannungsteilers die für den Standby-Be­ triebsmodus benötigten übrigen Versorgungsspannungen gewon­ nen. Im Standby-Betriebsmodus ist so allein der Standby- Regler für die höchste Versorgungsspannung eingeschaltet, während alle übrigen Schaltungen deaktiviert sind. Dadurch kann der Leistungsverbrauch weiter reduziert werden. Insbe­ sondere wird aber auf dem Halbleiterchip wesentlich weniger Fläche benötigt, da die sonst üblichen Spannungsregler für den Standby-Betriebsmodus nicht mehr erforderlich sind und durch einen einfachen Spannungsteiler ersetzt sind.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein Blockschaltbild der erfindungsgemäßen Anord­ nung, wobei hier zwei Spannungsabgriffe reali­ siert sind,
Fig. 2 die erfindungsgemäße Anordnung in mehr Einzelhei­ ten, wobei hier drei Spannungsabgriffe realisiert sind,
Fig. 3 ein Blockschaltbild einer bestehenden Anordnung,
Fig. 4 den Aufbau von Reglereinheiten bei der bestehen­ den Anordnung und
Fig. 5 ein Schaltbild eines Reglers.
Die Fig. 3 bis 5 sind bereits eingangs erläutert worden. In den Figuren werden für einander entsprechende Bauteile die gleichen Bezugszeichen verwendet.
Fig. 1 zeigt ein Schaltbild der erfindungsgemäßen Anordnung mit einem Regler 13, dem die höchste Versorgungsspannung, im Beispiel von Fig. 3, die verstärkte Wortleitungsspannung VPP mit einem Spannungspegel von etwa 3,5 V, zugeführt ist. Unter "höchster Versorgungsspannung" ist die für den jeweiligen Zweck am besten geeignete Versorgungsspannung zu verstehen. Es braucht also nicht die absolut höchste Versorgungsspannung zu sein. Diesem Regler 13 ist ein Spannungsteiler aus Wider­ ständen R1, R2 und R3 nachgeschaltet, der über Transistoren T1 und T2 aktiviert werden kann. Diese Transistoren T1 und T2 sind über Standby-Signale aktivierbar bzw. deaktivierbar.
Gegebenenfalls kann der Spannungsteiler auch aus Transistoren gebildet werden.
Die Abgriffe des Spannungsteilers sind mit Schaltern 14 ver­ bunden, die geschlossen sind, wenn ein Standby-Signal an ih­ nen anliegt, und die offen sind, wenn dieses Standby-Signal nicht anliegt. Bei einem Standby-Betriebsmodus leiten also beide Schalter 14. Gleichzeitig werden im Standby-Betriebs­ modus die Aktiv-Regler 12 abgeschaltet, so daß am Ausgang der Schalter 14 die Standby-Versorgungsspannungen VDD1 bzw. VDD2 erhalten sind, die durch Spannungsteilung der Wortleitungs­ spannung VPP mittels des Spannungsteilers gewonnen wurden. Im Aktiv-Betriebsmodus sind die Schalter 14 offen, so daß die dann freigegebenen Aktiv-Spannungsregler 12 aus der externen Versorgungsspannung CE die Versorgungsspannungen VDD1 bzw. VDD2 für den Aktiv-Betriebsmodus liefern.
Fig. 2 zeigt die Anordnung von Fig. 1 in weiteren Einzelhei­ ten: hier ist der mit einer Spannungspumpe versehene Span­ nungsregler 13 für Standby-Betriebsmodus mit einer Referenz­ spannungsquelle 15 versehen und erzeugt aus der von dieser gelieferten Referenzspannung die Versorgungsspannungen VPP. Diese Versorgungsspannung VPP wird einem Pegelschieber 16 zu­ geführt, der bei Anliegen eines Standby-Signales eingeschal­ tet und sonst ausgeschaltet ist. Die Transistoren T1 und T2, die an den Enden des Spannungsteilers aus den Widerständen R1, R2 und R3 vorgesehen sind, werden durch das pegelverscho­ bene Standby-Signal bzw. durch das Standby-Signal angesteuert und eingeschaltet, wenn bei Anliegen des Standby-Signales am Pegelschieber 16 dieser ein pegelverschobenes Ausgangssignal abgibt.
An den Schaltern 14 liegen jeweils das pegelverschobene Aus­ gangssignal des Pegelschiebers 16 und das durch einen Inver­ ter 17 hierzu invertierte Signal, wobei diese Schalter 14 dann leiten, wenn das pegelverschobene Signal bzw. das inver­ tierte Signal an ihnen anliegen, also der Standby-Betriebs­ modus vorliegt. Im Standby-Betriebsmodus sind aber die Aktiv- Regler 13 abgeschaltet, so daß am Ausgang der Schalter 14 die durch den Spannungsteiler erzeugten Versorgungsspannungen VDD1, VDD2 und VDD3 geliefert werden.
Liegt das Standby-Signal am Pegelschieber 16 nicht an, so ist der Spannungsteiler deaktiviert, und die Schalter 14 sind of­ fen, während die Aktiv-Regler 13 eingeschaltet sind. Damit werden die Versorgungsspannungen VDD1, VDD2 und VDD3 für den Aktiv-Betriebsmodus von den Reglern 13 geliefert.

Claims (7)

1. Anordnung zur Spannungsversorgung einer elektronischen Schaltung mit wenigstens zwei Versorgungsspannungen (VDD1, VDD2) mit verschiedenen Spannungspegeln während eines Standby-Betriebsmodus, bei der die Versorgungsspan­ nungen der elektronischen Schaltung im aktiven Betriebs­ modus über jeweils einen, jedem Spannungspegel zugeordne­ ten Aktiv-Spannungsregler (12) zugeführt sind, dadurch gekennzeichnet, daß einem Standby-Spannungsregler (13) für die höchste Ver­ sorgungsspannung ein Spannungsteiler (R1, R2, R3) nachge­ schaltet ist, der die Versorgungsspannungen (VDD1, VDD2, . . .) während des Standby-Betriebsmodus bei abgeschalteten Aktiv-Spannungsreglern (12) aus der höchsten Versorgungs­ spannung generiert.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Abgriffe des Spannungsteilers (R1, R2, R3) über Schal­ ter (14) mit den durch ein Standby-Signal abschaltbaren Aktiv-Spannungsreglern (12) verbunden sind.
3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Spannungsteiler (R1, R2, R3) zwischen zwei Transisto­ ren (T1, T2) liegt, deren Steuerelektroden über ein Standby-Signal und ein phasenverschobenes Standby-Signal ansteuerbar sind.
4. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die höchste Versorgungsspannung die Wortleitungsspannung (VPP) ist.
5. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Standby-Spannungsregler (13) eine Pumpschaltung ent­ hält.
6. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Spannungsteiler durch Transistoren gebildet ist.
7. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die elektronische Schaltung ein in einen Halbleiterkörper eingebetteter DRAM ist.
DE19955775A 1999-11-19 1999-11-19 Anordnung zur Spannungsversorgung einer elektronischen Schaltung Expired - Fee Related DE19955775C2 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19955775A DE19955775C2 (de) 1999-11-19 1999-11-19 Anordnung zur Spannungsversorgung einer elektronischen Schaltung
US09/716,901 US6489759B1 (en) 1999-11-19 2000-11-20 Standby voltage controller and voltage divider in a configuration for supplying voltages to an electronic circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19955775A DE19955775C2 (de) 1999-11-19 1999-11-19 Anordnung zur Spannungsversorgung einer elektronischen Schaltung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19955775A1 true DE19955775A1 (de) 2001-06-13
DE19955775C2 DE19955775C2 (de) 2002-04-18

Family

ID=7929671

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19955775A Expired - Fee Related DE19955775C2 (de) 1999-11-19 1999-11-19 Anordnung zur Spannungsversorgung einer elektronischen Schaltung

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6489759B1 (de)
DE (1) DE19955775C2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108932003A (zh) * 2017-05-22 2018-12-04 敦宏科技股份有限公司 智能型低压降稳压器与智能型稳压方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6774610B2 (en) * 2002-11-06 2004-08-10 Crydom Limited AC voltage regulator apparatus and method
US7038523B2 (en) * 2003-10-08 2006-05-02 Infineon Technologies Ag Voltage trimming circuit
KR20060018553A (ko) * 2004-08-25 2006-03-02 삼성전자주식회사 기준 전압의 흔들림을 줄이기 위한 기준 전압 흔들림 보상회로 및 이를 가지는 비교기
DE102004041626B4 (de) * 2004-08-27 2008-06-05 Qimonda Ag Chipkarte, und Chipkarten-Sicherungs-Einrichtung
KR100706239B1 (ko) * 2005-01-28 2007-04-11 삼성전자주식회사 대기모드에서 소비 전력을 감소시킬 수 있는 전압레귤레이터
CN113972907A (zh) * 2020-07-24 2022-01-25 雅特力科技(重庆)有限公司 针对电池电压的分压器电路及具备分压器电路的电子装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5811861A (en) * 1996-01-19 1998-09-22 Fujitsu Limited Semiconductor device having a power supply voltage step-down circuit
DE19903629A1 (de) * 1998-04-30 1999-11-04 Mitsubishi Electric Corp Integrierte Halbleiterschaltung
DE69422254T2 (de) * 1993-10-06 2000-05-11 Nec Corp., Tokio/Tokyo Dynamische Speicheranordnung mit mehreren internen Speisespannungen

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5337284A (en) * 1993-01-11 1994-08-09 United Memories, Inc. High voltage generator having a self-timed clock circuit and charge pump, and a method therefor
KR100300077B1 (ko) * 1999-07-28 2001-11-01 김영환 가변 오실레이션 주기를 갖는 차지펌프회로
US6320454B1 (en) * 2000-06-01 2001-11-20 Atmel Corporation Low power voltage regulator circuit for use in an integrated circuit device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69422254T2 (de) * 1993-10-06 2000-05-11 Nec Corp., Tokio/Tokyo Dynamische Speicheranordnung mit mehreren internen Speisespannungen
US5811861A (en) * 1996-01-19 1998-09-22 Fujitsu Limited Semiconductor device having a power supply voltage step-down circuit
DE19903629A1 (de) * 1998-04-30 1999-11-04 Mitsubishi Electric Corp Integrierte Halbleiterschaltung

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108932003A (zh) * 2017-05-22 2018-12-04 敦宏科技股份有限公司 智能型低压降稳压器与智能型稳压方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE19955775C2 (de) 2002-04-18
US6489759B1 (en) 2002-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4037206C2 (de) Versorgungsspannungs-Steuerschaltkreis mit der Möglichkeit des testweisen Einbrennens (&#34;burn-in&#34;) einer internen Schaltung
DE10239515B4 (de) Halbleiterspeicher-Steuerverfahren und Halbleiterspeichervorrichtung
DE69011738T2 (de) Halbleiter-Speichereinrichtung.
DE3710865C2 (de)
DE10196673B4 (de) Stromsparende Spannungsversorgungsvorrichtungen für ein Speicherbauelement und Verfahren hierzu
DE19815887C2 (de) Halbleiterspeichereinrichtung mit einem Normalbetriebsmodus und einem Eigenauffrischungsmodus und einem reduzierten Stromverbrauch und stabilen Betrieb in einem Datenhaltezustand
DE19618752C2 (de) Einschaltrücksetzsignal-Erzeugungsschaltkreis einer Halbleitervorrichtung
DE102005030547A1 (de) Speicherbauelement und Betriebsverfahren
DE3340567A1 (de) Spannungswandlerschaltung
DE2740700C3 (de)
DE19749602C2 (de) Substratspannungs-Generatorschaltung
DE10318814B4 (de) Speicherbauelement und dessen Verwendung
DE112012006168T5 (de) Gate-Treiber für Anzeigen
DE19654544C2 (de) Differenzverstärker
US5534817A (en) Voltage generating circuit
DE19955775C2 (de) Anordnung zur Spannungsversorgung einer elektronischen Schaltung
DE10021085C1 (de) Refresh-Ansteuerschaltung für einen DRAM
DE19681425B3 (de) Schaltung und Verfahren zum Regeln einer Spannung
DE10253872A1 (de) Speicherbauelement mit Abtastverstärkerschaltung
DE19501535A1 (de) Interne Stromversorgungsschaltung, die basierend auf einem externen Stromversorgungspotential ein internes Stromversorungspotential erzeugt
DE69617275T2 (de) Oszillator mit niedriger Leistung
DE60103534T2 (de) Generatorschema und schaltung zur kompensierung von spannungsabfall über speisespannungschaltungen in chips
DE10031479B4 (de) Leistungsversorgungssteuervorrichtung zum Ändern der Art der Versorgungsleitungsverbindung in Reaktion auf die Betriebsweise in einem Halbleiterspeicherbauteil
EP0635838B1 (de) Spannungserzeugungsschaltung
DE102005029110A1 (de) Digitale Schaltungseinheit

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: POLARIS INNOVATIONS LTD., IE

Free format text: FORMER OWNER: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE

Owner name: INFINEON TECHNOLOGIES AG, DE

Free format text: FORMER OWNER: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE

R082 Change of representative
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: POLARIS INNOVATIONS LTD., IE

Free format text: FORMER OWNER: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 85579 NEUBIBERG, DE

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee