DE19932541A1 - Verfahren zur Herstellung einer Membran - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer MembranInfo
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Abstract
Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Membran vorgeschlagen, bei dem eine n-dotierte Epitaxieschicht auf einem p-dotierten Siliziumsubstrat aufgebracht wird. Zwischen dem Siliziumsubstrat (1) und der Epitaxieschicht (4) wird eine p-Dotierung (3) angeordnet, die bei einem nachfolgenden Ätzprozeß zu einer Verringerung der Membrandicke führt.
Description
Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zur Herstellung
einer Membran, nach der Gattung des unabhängigen
Patentanspruchs.
Es sind bereits Verfahren zur Herstellung einer Membran
bekannt, bei dem auf einem p-dotierten Substrat eine
n-dotierte Epitaxieschicht aufgebracht wird. In einem
weiteren Schritt erfolgt dann ausgehend von der Rückseite
des Substrats die Einätzung einer Ausnehmung, wobei die
Ätzung am pn-Übergang zwischen Substrat- und Epitaxieschicht
stoppt. Durch die so eingebrachte Ausnehmung werden die
geometrischen Abmessungen der Membran festgelegt.
Das erfindungsgemäße Verfahren mit den Merkmalen des
unabhängigen Anspruchs hat demgegenüber den Vorteil, daß die
Dicke der Membrane verringert werden kann. Dabei ist es
nicht notwendig, die Dicke der Epitaxieschicht zu
verringern.
Weitere Vorteile ergeben sich durch die Merkmale der
abhängigen Patenansprüche. Besonders einfach erfolgt das
Einbringen der p-Dotierung in die Epitaxieschicht durch die
Verwendung einer Maske und Anbringen eines Dotierstoffs in
das Substrat. Dabei kann sowohl aus der Gasphase, wie auch
durch Implantation, der Dotierstoff eingebracht werden.
Zudem erlaubt die Maske auch eine strukturierte Aufbringung
der p-Dotierung. Wenn sich diese, über den gesamten Bereich
der Membran erstreckt, kann so die Gesamtdicke der Membran
verringert werden. Weiterhin ist es auch möglich nur
Teilbereiche, insbesondere Randbereiche der Membran durch
Einbringen der p-Dotierung dünner auszugestalten. Einzelne
Bereiche der Membran können auch durch Einbringen einer
n-Dotierung dicker ausgestaltet werden. Besonders
vorteilhaft ist dabei eine Ausgestaltung, bei der der
Mittelbereich der Membran verdickt wird und die Randbereiche
dünner ausgestaltet werden, da so eine Spannungs
konzentration in den Randbereichen erfolgt. Durch Einbringen
von Piezowiderständen in der Epitaxieschicht und von
integrierten Schaltungen, können Sensoren geschaffen werden,
die Spannungszustände in der Membran nachweisen.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen
dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung im Detail
erläutert. Es zeigen die Fig. 1 bis 4 ein erstes
Herstellungsverfahren, die Fig. 5 und 6 ein zweites
Herstellungsverfahren und die Fig. 7 und 8 eine drittes
Verfahren.
In der Fig. 1 wird ein einkristallines Siliziumsubstrat 1
gezeigt, dessen Oberseite mit einer strukturierten
Maskierschicht 2 bedeckt ist. Bei dem einkristallinen
Siliziumsubstrat 1 handelt es sich um ein Substrat, welches
eine p-Dotierung aufweist. Für die Maskierschicht 2 werden
übliche Maskierschichten der Halbleitertechnik,
beispielsweise Siliziumoxyd, Siliziumnitrid oder eine
Mischung dieser Materialien verwendet. Die Strukturierung
der Maskierschicht 2 erfolgt durch Aufbringen einer
Fotolackschicht, strukturieren dieser Photolackschicht durch
einen Belichtungsprozeß und Ätzen der Maskierschicht 2.
In einem weiteren Prozeßschritt werden dann die Dotierstoffe
3 in die Oberseite des Siliziumsubstrats eingebracht. Die
Maskierung 2 deckt dabei bestimmte Bereiche der Oberfläche
des einkristallinen Siliziumsubstrats ab, so daß in diesen
Bereichen keine Dotierstoffe eingebracht werden. In der
Fig. 2 werden die so eingebrachten Dotierstoffe 3 gezeigt
und weiterhin ist in der Fig. 2, die nun nicht mehr
benötigte Maskierschicht 2 wieder entfernt. Bei den
Dotierstoffen 3 handelt es sich wiederum um eine
p-Dotierung, die jedoch von der in der Stärke der Dotierung
über der Dotierung des Substrats 1 liegt. Das Einbringen des
Dotierstoffes 3 in die Oberseite des Siliziumsubstrats 1
kann beispielsweise durch implantieren der Oberfläche mit
entsprechenden Dotierstoffen erfolgen. Eine weitere
Möglichkeit ist eine Temperaturbehandlung, bei dem auf der
Oberseite des Siliziumsubstrats 1 Dotierstoffe für eine p-
Dotierung in großer Zahl angeboten werden, so daß eine
Diffusion von Dotierstoffen in das Siliziumsubstrat 1 hinein
folgt.
In einem weiteren Schritt wird nun eine n-dotierte
Epitaxieschicht 4 aufgebracht. Wie in der Fig. 3 zu erkennen
ist, erfolgt dabei durch einen Diffusionsprozeß auch eine
Verteilung der p-Dotierung 3 in der Epitaxieschicht 4. Der
p-dotierte Bereich 3 erstreckt sich somit, teilweise in der
Siliziumsubstrat 1 und teilweise in die Epitaxieschicht 4
hinein. Die p-Dotierung 3 ist somit an der Grenzfläche
zwischen Siliziumsubstrat 1 und Epitaxieschicht 4 angeordnet
und erstreckt sich jeweils in beide Gebiete herein. Durch
dieses Hereinerstrecken der p-Dotierung 3 wird dann somit
ein pn-Übergang zwischen der n-dotierten Epitaxieschicht 4
und der p-Dotierung 3 gebildet. Dieser pn-Übergang ist durch
das Einbringen der zusätzlichen p-Dotierung 3 in die
Epitaxieschicht 4 hereingelegt. Dies ist für einen
nachfolgenden Ätzschritt von Bedeutung.
Es erfolgen noch weitere Prozeßschritte, die für eine
konkrete Nutzung der Membran von Bedeutung sind. Es werden
beispielsweise in zusätzlichen Prozeßschritten
Piezowiderstandselemente 5 oder Schaltkreise 10 in der
Epitaxieschicht 4 erzeugt.
In einem weiteren Schritt erfolgt ausgehend von der
Unterseite des Siliziumsubstrats 1 die Einätzung einer
Ausnehmung 6. Dieser Zustand wird in der Fig. 4 dargestellt.
Durch die Ausnehmung 6 wird nun ein Membranbereich gebildet,
der aus der n-dotierten Epitaxieschicht 4 besteht. Durch die
geometrische Größe der Ausnehmung 6 wird dabei die Größe der
Membran festgelegt. Die Dicke der Membran wird hier durch
die Dicke der n-dotierten Epitaxieschicht 4 vermindert, um
die Dicke mit der die p-Dotierung 3 in die Epitaxieschicht 4
hineinreicht, gebildet. Bei einer vorgegebenen Dicke der
Epitaxieschicht kann somit der Membranbereich durch die
Verwendung der zusätzlichen Dotierung 3 verringert werden.
Dies liegt darin begründet, daß der Ätzprozess für die
Ausnehmung 6 an der Grenzfläche zwischen dem p-dotierten
Substrat und dem n-dotierten Material der Epitaxieschicht 4
endet. Zur Ätzung der Ausnehmung 6 wird ein
elektrochemisches Ätzverfahren verwendet, bei dem durch
Anlegen von entsprechenden Spannungen ein Ätzstopp am
Übergang zwischen dem p-dotierten Silizium und dem
n-dotierten Silizium erreicht wird. Die über dem PN-Übergang
anliegende Sperrspannung wird derart gewählt, daß beim. Ätzen
in KOH mit einer Referenzelektrode z. B. Pt das Potential im
p-Gebiet unterhalb des Ätzstopp-Potentials liegt (wird
geätzt) und im n-Gebiet oberhalb (wird nicht geätzt).
Es kann so erreicht werden, daß bei vorgegebener Dicke der
Epitaxieschicht 4 der Membranbereich von der Dicke her
dünner ausgestaltet werden kann als die Epitaxieschicht 4
ist. Da sich die Dotierungsprofile einer derartigen p-
Dotierung in einer Epitaxieschicht 4 aus n-dotiertem
Silizium sehr genau kontrollieren lassen, läßt sich so auch
die Dicke der Membran genau kontrollieren. Eine derartige
Verringerung der Membrandicke ist vor allen Dingen auch von
Interesse, wenn durch andere Prozesse die Dicke der
Epitaxieschicht 4 vorgegeben ist beispielsweise, wenn für
das Einbringen einer Schaltung 10 eine bestimmte
Schichtdicke der Epitaxieschicht 4 erforderlich ist.
Andere Methoden zur Verringerung der Dicke der Membran, wie
beispielsweise ein zeitgesteuertes Abätzen der
Epitaxieschicht 4 nur im Membran-Bereich 20, hat das
Problem, daß sich damit die exakte Dicke der Membran 20 nur
mit geringer Genauigkeit einstellen läßt. Die Schwankungen
eines derartigen Prozesses sind sehr viel größer als die
Schwankungen die sich dadurch ergeben, daß eine
entsprechende p-Dotierung 3 in der Epitaxieschicht 4
ausgebildet wird.
In den Fig. 5 und 6 wird ein weiteres Ausführungsbeispiel
des erfindungsgemäßen Verfahrens gezeigt. Mit dem
Bezugzeichen 1, 4 und 5 sind in der Fig. 5 wieder das
Siliziumsubstrat, die Epitaxieschicht und die
Piezowiderstände bezeichnet. Weiterhin ist eine p-Dotierung
3 vorgesehen, die sich jedoch nicht über den gesamten
Membranbereich 20 (der erst in Fig. 6 gezeigt wird)
erstreckt, sondern nur in einem Randbereich ausgebildet ist.
Dabei umgibt die p-Dotierung 3 den gesamten Randbereich des
Membranbereichs 20. In der Mitte des Membranbereichs 20 ist
hingegen eine starke n-Dotierung 8 vorgesehen. Diese
n-Dotierung 8 wird mit einen ähnlichen Prozeß eingebracht,
wie er zum Einbringen der Dotierung 3 beschrieben wurde. Bei
einem nachfolgenden elektrochemischen Ätzung wie sie bereits
beschrieben wurde, wird dann die Membran 20 geschaffen, wie
sie in der Fig. 6 dargestellt ist. In einem Randbereich
(das heißt in dem Bereich wo die p-Dotierung 3 vorgesehen
war) ist die Dicke der Membran 20 geringer als die
ursprüngliche Dicke der Epitaxieschicht 4, während im
Mittelbereich (wo die starke n-Dotierung 8 eingebracht war),
der Membranbereich 20 dicker als die ursprüngliche Dicke der
Epitaxieschicht 4 ausgebildet ist. Es läßt sich somit ein
Membranbereich 20 schaffen, bei dem gezielt einzelne
Bereiche in ihrer Dicke vergrößert werden, während andere
Bereiche in ihrer Dicke verringert werden. Dies ist
insbesondere bei Membranbereichen 20 von Vorteil, die für
Drucksensoren Verwendung finden, da so im Bereich der
ebenfalls in der Fig. 6 dargestellten Piezoelemente
besonders hohe mechanische Kräfte auftreten können. Durch
die Verwendung eines verdickten Mittelbereichs, in der Mitte
des Membranbereichs 20, wird dabei die Linearität eines
derartigen Sensors verbessert.
In den Fig. 7 und 8 wird ein weiteres Ausführungsbeispiel
des erfindungsgemäßen Verfahrens gezeigt. Mit dem
Bezugzeichen 1, 4 und 5 sind in der Fig. 7 wieder das
Siliziumsubstrat, die Epitaxieschicht und die
Piezowiderstände bezeichnet. Weiterhin ist wie in den
Fig. 5 und 6 eine p-Dotierung 3 vorgesehen, die nur in
einem Randbereich ausgebildet ist. Dabei umgibt die p-
Dotierung 3 den gesamten Randbereich des Membranbereichs 20.
In der Mitte des Membranbereichs 20 ist wie in den Figuren
Bund 6 eine starke n-Dotierung 8 vorgesehen. Zusätzlich wird
der gesamte Randbereich der Membran 20 noch von einer
starken n-Dotierung 8 umgeben. Wie in der Fig. 8 zu sehen
ist wird so ein Membranbereich 20 geschaffen bei dem der
äußere Rand verdickt ist, weiter innen (unter den
Piezoelemeneten 5) ist dann der Membranbereich 20 dünner
ausgelegt und im Mittelbereich wird wieder eine Verdickung
vorgesehen. Der Membranbereich 20 der Fig. 8 unterscheidet
sich vom Membranbereich 20 wie er in der Fig. 6 gezeigt
wird durch die zusätzliche aüßere Verdickung der Membran.
Durch diese Maßnahme wir erreicht, daß beim Ätzen der
Ausnehmung 6 Dickenschwankungen des Siliziumsubstrats nicht
so sehr ins Gewicht fallen. Die durch solche Variationen
bedingte Vergrößerung des Membranbereichs 20 liegen in einem
verdickten Bereich und so werden die mechanischen
Eigenschaften der Membran nicht wesentlich beeinflußt.
Claims (10)
1. Verfahren zur Herstellung einer Membran (20), bei dem in
einem ersten Schritt auf einer Vorderseite eines p-dotierten
Siliziumsubstrats (1) eine n-dotierte Epitaxieschicht (4)
aufgebracht wird und in einem zweiten Schritt ausgehend von
einer Rückseite des Siliziumsubstrats (1) eine Ausnehmung
(6) eingeätzt wird, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem
zweiten Schritt im Bereich der Membran (20) ein Teil der
Epitaxieschicht (4) mit einer p-Dotierung (3) versehen wird,
und daß bei dem zweiten Schritt ein Ätzprozeß verwendet
wird, der p-dotiertes Silizium ätzt und n-dotiertes Silizium
nicht ätzt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
vor dem ersten Schritt eine Maske (2) aufgebracht wird, und
daß der Dotierstoff in nicht von der Maske (2) bedeckte
Bereiche des Siliziumsubstrats (1) eingebracht wird.
3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß sich die p-Dotierung (3) über die
gesamte Membran (20) erstreckt.
4. Verfahren nach Anspruch 1 und des Anspruch 2, dadurch
gekennzeichnet, daß sich die p-Dotierung (3) nur über
Teilbereiche der Membran erstreckt.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß
sich die p-Dotierung (3) über Randbereiche der Membran (20)
erstreckt.
6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet,
daß im Bereich der Membran zusätzlich eine n-Dotierung in
das Substrat eingebracht wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß
die n-Dotierung (8) in einem Mittelbereich der Membran (20)
eingebracht wird.
8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß
die n-Dotierung (8) über Randbereiche der Membran (20)
eingebracht wird.
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß in die Epitaxieschicht (4)
piezoresistive Widerstandselemente (5) eingebracht werden.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß in die Epitaxieschicht (4)
integrierte Schaltungen (10) eingebracht werden.
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DE19932541A DE19932541B4 (de) | 1999-07-13 | 1999-07-13 | Verfahren zur Herstellung einer Membran |
JP2000208650A JP4753326B2 (ja) | 1999-07-13 | 2000-07-10 | ダイアフラムを製造する方法 |
US09/615,142 US6511913B1 (en) | 1999-07-13 | 2000-07-13 | Method for manufacturing a membrane |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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DE (1) | DE19932541B4 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2855510A1 (fr) * | 2003-05-26 | 2004-12-03 | Bosch Gmbh Robert | Dispositif micromecanique notamment capteur de pression et procede de fabrication |
DE102008026886B4 (de) * | 2008-06-05 | 2016-04-28 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Strukturierung einer Nutzschicht eines Substrats |
DE102022203215A1 (de) | 2022-03-31 | 2023-10-05 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Mikromechanischer Membransensor sowie Herstellungsverfahren |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4269859B2 (ja) * | 2003-09-10 | 2009-05-27 | 株式会社島津製作所 | 放射線検出器 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59136977A (ja) * | 1983-01-26 | 1984-08-06 | Hitachi Ltd | 圧力感知半導体装置とその製造法 |
JPS6261374A (ja) * | 1985-09-11 | 1987-03-18 | Nec Corp | シリコンダイアフラムの形成方法 |
US5068203A (en) * | 1990-09-04 | 1991-11-26 | Delco Electronics Corporation | Method for forming thin silicon membrane or beam |
JPH05304304A (ja) * | 1991-06-06 | 1993-11-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体圧力センサとその製造方法 |
JPH0694557A (ja) * | 1992-09-11 | 1994-04-05 | Fujikura Ltd | 半導体圧力センサ |
DE4309207C2 (de) * | 1993-03-22 | 1996-07-11 | Texas Instruments Deutschland | Halbleitervorrichtung mit einem piezoresistiven Drucksensor |
DE4309206C1 (de) * | 1993-03-22 | 1994-09-15 | Texas Instruments Deutschland | Halbleitervorrichtung mit einem Kraft- und/oder Beschleunigungssensor |
JP3197690B2 (ja) * | 1993-07-21 | 2001-08-13 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
KR0133481B1 (ko) * | 1994-03-10 | 1998-04-23 | 구자홍 | 평면마이크로 가공기술을 이용한 적외선어레이센서 제조방법 |
EP0822398B1 (de) * | 1996-07-31 | 2003-04-23 | STMicroelectronics S.r.l. | Integrierter piezoresistiver Druckwandler und Herstellungsverfahren dazu |
-
1999
- 1999-07-13 DE DE19932541A patent/DE19932541B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-07-10 JP JP2000208650A patent/JP4753326B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-07-13 US US09/615,142 patent/US6511913B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2855510A1 (fr) * | 2003-05-26 | 2004-12-03 | Bosch Gmbh Robert | Dispositif micromecanique notamment capteur de pression et procede de fabrication |
DE102008026886B4 (de) * | 2008-06-05 | 2016-04-28 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Strukturierung einer Nutzschicht eines Substrats |
DE102022203215A1 (de) | 2022-03-31 | 2023-10-05 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Mikromechanischer Membransensor sowie Herstellungsverfahren |
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DE19932541B4 (de) | 2011-07-28 |
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