DE19929754A1 - Verguß eines Schaltungsaufbaus mit vibrationsdämpfender Einbettungsmasse - Google Patents

Verguß eines Schaltungsaufbaus mit vibrationsdämpfender Einbettungsmasse

Info

Publication number
DE19929754A1
DE19929754A1 DE19929754A DE19929754A DE19929754A1 DE 19929754 A1 DE19929754 A1 DE 19929754A1 DE 19929754 A DE19929754 A DE 19929754A DE 19929754 A DE19929754 A DE 19929754A DE 19929754 A1 DE19929754 A1 DE 19929754A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrate
base plate
thixotropic
potting
embedding compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19929754A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19929754C2 (de
Inventor
Frank Franzen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19929754A priority Critical patent/DE19929754C2/de
Priority to FR0007632A priority patent/FR2795908A1/fr
Priority to IT2000MI001335A priority patent/IT1318001B1/it
Priority to US09/606,592 priority patent/US6350953B1/en
Publication of DE19929754A1 publication Critical patent/DE19929754A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19929754C2 publication Critical patent/DE19929754C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/284Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05599Material
    • H01L2224/056Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05638Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05644Gold [Au] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/4501Shape
    • H01L2224/45012Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015Cross-sectional shape being circular
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485Material
    • H01L2224/48505Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48638Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48644Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4899Auxiliary members for wire connectors, e.g. flow-barriers, reinforcing structures, spacers, alignment aids
    • H01L2224/48991Auxiliary members for wire connectors, e.g. flow-barriers, reinforcing structures, spacers, alignment aids being formed on the semiconductor or solid-state body to be connected
    • H01L2224/48992Reinforcing structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4899Auxiliary members for wire connectors, e.g. flow-barriers, reinforcing structures, spacers, alignment aids
    • H01L2224/48996Auxiliary members for wire connectors, e.g. flow-barriers, reinforcing structures, spacers, alignment aids being formed on an item to be connected not being a semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/48997Reinforcing structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01014Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01028Nickel [Ni]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01058Cerium [Ce]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1515Shape
    • H01L2924/15153Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/15165Monolayer substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107Disposition of discrete passive components off-chip wires
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20Parameters
    • H01L2924/207Diameter ranges
    • H01L2924/20753Diameter ranges larger or equal to 30 microns less than 40 microns
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y10T29/49146Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. with encapsulating, e.g., potting, etc.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Vibration Prevention Devices (AREA)
  • Refinement Of Pig-Iron, Manufacture Of Cast Iron, And Steel Manufacture Other Than In Revolving Furnaces (AREA)

Abstract

Ein Schaltungsaufbau wird mit einer vibrationsdämpfenden, thixotropen Einbettungsmasse (15) vergossen. Der Schaltungsaufbau umfaßt eine Grundplatte (2), eine darauf angebrachte elektrische Schaltung (4) mit elektrischen Bauelementen (6) und eine zu der Schaltung (4) hingeführte flexible Leiterplatte (3), welche die Schaltung (4) mittels Leitungsdrähten (7) elektrisch kontaktiert. Die Bauelemente (6) einerseits und die Kontaktstellen (14) der Leitungsdrähte (7) an der flexiblen Leiterplatte (3) andererseits werden in getrennten Arbeitsschritten mit der Einbettungsmasse (15) vergossen.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Vergießen eines Schaltungsaufbaus mit einer vibrationsdämpfenden, thixotropen Einbettungsmasse und einen derart vergossenen Schaltungsauf­ bau.
Es ist bereits bekannt, Schaltungsaufbauten mit einer vibra­ tionsdämpfenden, thixotropen Einbettungsmasse auf Silikonba­ sis (sog. Silgel) zu vergießen. Das Silgel weist die als Thixotropie bezeichnete Eigenschaft auf, sich unter Einwir­ kung eines beim Vergießen angewendeten Dosierdrucks zu ver­ flüssigen und sich nach dem Austritt aus der Dosieranlage wieder zu verfestigen. Durch den Verguß wird ein Schutz von elektrischen Kontaktierungen wie z. B. Bonddrahtverbindungen oder elektrisch leitenden Klebungen des Schaltungsaufbaus ge­ genüber den z. B. in einem Kraftfahrzeug (Kfz) auftretenden hohen Vibrationsbelastungen (bis etwa 40 g) erreicht.
Aus der deutschen Patentanmeldung DE 197 12 842 ist ein Steu­ ergerät für ein Kraftfahrzeug bekannt, das eine auf einer Grundplatte angebrachte elektrische Schaltung aufweist, die durch eine zu der Schaltung hingeführte flexible Leiterplatte kontaktiert ist. Die flexible Leiterplatte dient gleichzei­ tig als elektrische Gehäusedurchführung.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzu­ geben, mittels dem ein Verguß einer von einer flexiblen Lei­ terplatte kontaktierten elektrischen Schaltung mit einer thixotropen Einbettungsmasse auf kostensparende, prozeßsiche­ re und in bezug auf den erreichbaren Beschädigungsschutz wirksame Weise durchgeführt werden kann. Ferner zielt die Erfindung darauf ab, einen kostengünstig herstellbaren, vi­ brationsfesten Schaltungsaufbau der vorstehend angegebenen Art zu schaffen.
Die Aufgabenstellung wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst.
Im Rahmen der Erfindung unternommene Versuche haben gezeigt, daß es bei einem derartigen Schaltungsaufbau Schwierigkeiten bereitet, einen vibrationsdämpfenden Verguß mit thixotroper Einbettungsmasse innerhalb eines Arbeitsschrittes auf dem Substrat und an den Kontaktstellen der Leiterdrähte an der flexiblen Leiterplatte anzubringen. Wird eine Einbettungs­ masse mit relativ hohem Thixotropiegrad auf das Substrat auf­ gebracht, muß dies mit einem hohen Dosierdruck erfolgen, da­ mit die Einbettungsmasse beim Dosieren eine ausreichend ge­ ringe Viskosität annimmt, um sowohl die elektrischen Bauele­ mente als auch die Kontaktstellen erreichen zu können. Durch den hohen Dosierdruck können Bonddrahtverbindungen geschädigt werden. Ferner kann infolge des hohen Thixotropiegrades die Schwierigkeit auftreten, daß sich die Einbettungsmasse zu schnell verfestigt und die Bonddrahtverbindungen dann nicht vollständig umhüllt werden, wodurch ein unzureichender Vibra­ tionsschutz realisiert wird. Bei Verwendung einer Einbet­ tungsmasse mit einem relativ niedrigen Thixotropiegrad können die vorstehend genannten Probleme zwar vermieden werden, es kommt jedoch zu einem ausgeprägten Verfließen der in diesem Fall relativ dünnflüssigen Einbettungsmasse auf der flexiblen Leiterplatte. Das Verfließen hat zur Folge, daß eine große Menge an Einbettungsmasse benötigt wird. Sofern die flexible Leiterplatte als Gehäusedurchführung verwendet wird, ist fer­ ner nachteilig, daß eine großdimensionierte Gehäusegrundflä­ che benötigt wird, um zu verhindern, daß sich die Einbet­ tungsmasse bis in den Dichtungsbereich ausbreiten und dort später Undichtigkeiten herbeiführen kann. Hinzu kommt, daß aus Gründen der Prozeßsicherheit zusätzlich ein vergleichs­ weise großer Grundflächen-Toleranzbereich zum Verlaufen der Einbettungsmasse vorgesehen sein muß, da sich gezeigt hat, daß die Einbettungsmasse (z. B. thixotropiertes Silgel) her­ stellerseitig mit beträchtlichen Viskositätsschwankungen ge­ liefert wird. Insgesamt hat sich herausgestellt, daß eine ausreichend prozeßsichere Dosierung der thixotropen Einbet­ tungsmasse innerhalb eines Arbeitsschrittes, wenn überhaupt, nur mit kostenintensiven zusätzlichen Maßnahmen (z. B. dem Hinzufügen von Barrieren gegen das Verlaufen der Einbettungs­ masse) und/oder unter Inkaufnahme von großen Gehäusedimensio­ nen erreichbar ist.
Durch das erfindungsgemäße Vergießen des Schaltungsaufbaus in (mindestens) zwei Arbeitsschritten werden die genannten Schwierigkeiten überwunden. Es wird eine vergleichsweise ge­ ringe Menge an thixotroper Einbettungsmasse benötigt. Vor­ teilhaft ist ferner, daß wesentlich weniger Platz (d. h. Grundplattenfläche) für das Verfließen der Einbettungsmasse bereitgehalten werden muß, da der Verfließbereich aufgrund der sich bei einer geringeren Menge an Einbettungsmasse stär­ ker auswirkenden Oberflächenspannung deutlich reduziert ist. Dieser Effekt tritt besonders bei dem Verguß der Kontaktstel­ len zutage.
Grundsätzlich können die beiden Arbeitsschritte mit Einbet­ tungsmassen unterschiedlichen Thixotropiegrads durchgeführt werden. Vorzugsweise wird zum Verguß der elektrischen Bau­ elemente und zum Verguß der Kontaktstellen jedoch dieselbe Einbettungsmasse mit demselben Thixotropiegrad verwendet, da in diesem Fall der Gesamtprozeß kostengünstiger mit nur einer Vergußanlage durchgeführt werden kann.
Eine erste bevorzugte Ausführungsvariante der Erfindung kenn­ zeichnet sich dadurch, daß das Substrat mit den darauf ange­ brachten elektrischen Bauelementen ganzflächig vergossen wird. In diesem Fall wird eine maximale Prozeßgeschwindig­ keit erreicht.
Bei einer zweiten, ebenfalls bevorzugten Ausführungsvariante der Erfindung werden zumindest einige der auf dem Substrat angebrachten elektrischen Bauelemente mit einem Einzelverguß versehen. Der Vorteil besteht darin, daß noch weniger Ein­ bettungsmasse als bei der ersten Variante benötigt wird, was die Materialkosten minimiert.
Besonders bei der ersten Ausführungsvariante ist es bevor­ zugt, wenn das Substrat in einer Vertiefungszone der Grund­ platte angeordnet ist oder die Grundplatte mit einer das Sub­ strat umlaufenden Grabenstruktur ausgeführt ist. In beiden Fällen kann über den Substratrand übertretende Einbettungs­ masse in der Vertiefungszone oder der Grabenstruktur aufge­ fangen werden.
Bezüglich des mit dem Vergießen der Kontaktstellen zusammen­ hängenden zweiten Arbeitsschrittes können einzelne Kontakt­ stellen entweder einzeln oder auch gemeinsam vergossen wer­ den.
Mit besonderem Vorteil wird der erfindungsgemäße Schaltungs­ aufbau in einem Steuergerät für den Einbau in ein Kfz- Getriebe oder einem Kfz-Motor eingesetzt, wobei in dem Steu­ ergerät die flexible Leiterplatte zwischen der Grundplatte und einem mit der Grundplatte öldicht gekoppelten Gehäusedec­ kel durchgeführt ist.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von zwei Ausführungsva­ rianten unter Bezugnahme auf die Zeichnung erläutert; in die­ ser zeigt:
Fig. 1 eine schematische Schnittdarstellung eines Getriebe­ steuergeräts mit erfindungsgemäßem Schaltungsaufbau, das zum Einbau in ein Getriebe vorgesehen ist;
Fig. 2 eine schematische Schnittdarstellung einer ersten Aus­ führungsvariante der Erfindung;
Fig. 3 eine schematische Schnittdarstellung einer zweiten Ausführungsvariante der Erfindung;
Fig. 4 eine schematische Schnittdarstellung der ersten Aus­ führungsvariante mit einer Vertiefungszone in der Grundplatte;
Fig. 5 eine schematische Schnittdarstellung der ersten Aus­ führungsvariante mit einer Grabenstruktur in der Grundplatte;
Fig. 6 eine schematische Schnittdarstellung einer flexiblen Leiterplatte im Bereich einer Kontaktstelle; und
Fig. 7 eine schematische Darstellung eines erfindungsgemäßen Schaltungsaufbaus mit Einzel- und Mehrkontaktstellen­ verguß in Draufsicht.
Fig. 1 zeigt ein Getriebesteuergerät 1 zum Einbau in ein Ge­ triebe. Auf eine metallische Grundplatte 2, die vorzugsweise aus Aluminium besteht, ist eine flexible Leiterplatte 3 mit einem ölbeständigen Klebstoff öldicht aufgeklebt (auflami­ niert). Die flexible Leiterplatte 3 umgibt allseitig eine elektrische Schaltung 4 bestehend beispielsweise aus einem Keramik-Leiterplattensubstrat 5 (LTCC-Substrat) und darauf angebrachten elektrischen Bauelementen 6. Das Keramiksub­ strat 5 ist in einem zentralen Bereich der Grundplatte 2 auf diese mittels eines Wärmeleitklebstoffs aufgeklebt. Die elektrische Kontaktierung der elektrischen Schaltung 4 zur flexiblen Leiterplatte 3 erfolgt über Leitungsdrähte 7 vor­ zugsweise in Form von Al-Dickdrahtbondungen (Dicke der Lei­ tungsdrähte 7 etwa 300 µm).
Ein Gehäusedeckel 8 ist mit der metallischen Grundplatte 2 durch eine Anpreßverbindung, realisiert durch Befestigungs­ elemente 9, unter Verwendung einer Ringdichtung 10 öldicht gekoppelt. Die flexible Leiterplatte 3 ist zwischen der Ringdichtung 10 und der metallischen Grundplatte 2 aus dem Innenraum des Steuergerätgehäuses 2, 8 herausgeführt und kon­ taktiert außerhalb des Steuergerätgehäuses 2, 8 angeordnete Elektrobauteile, beispielsweise einen Temperatursensor 11.
Die Fig. 2 bis 7 erläutern den in Fig. 1 nicht dargestellten Verguß der elektrischen Bauelemente 6 und der Kontaktstellen 14 zwischen den Leitungsdrähten 7 und der flexiblen Leiter­ platte 3 mit einer thixotropen Einbettungsmasse 15. Es hat sich gezeigt, daß ein Verguß der Bauelemente 6 auf dem Sub­ strat 5 zumindest immer dann erforderlich ist, wenn die Bau­ teile 6 durch Kontaktklebung, Laserschweißen oder Löten auf dem Substrat 5 kontaktiert sind.
Bei der im Rahmen der Erfindung verwendeten thixotropen Ein­ bettungsmasse 15 handelt es sich vorzugsweise um thixotro­ piertes Silgel. Thixotropiertes Silgel ist ein Gel mit hohem Silikonanteil, das zur Erzielung einer ausreichenden Standfe­ stigkeit mit einem Thixotropiermittel versetzt ist. Es weist unmittelbar nach dem Austritt aus einer Dosieröffnung einer Dosieranlage eine Viskosität etwa vergleichbar mit einer Flüssigkeit auf. Im mechanisch unbelasteten Zustand verfe­ stigt sich das Silgel bis zu einer Viskosität vergleichbar mit Honig und ist dann in der Lage, die im folgenden be­ schriebenen und dargestellten Vergußstrukturen aufzubauen. Nicht-thixotropiertes Silgel (das ebenfalls schwach thixotro­ pe Eigenschaften aufweist) ist nahezu eine Flüssigkeit und daher für die erfindungsgemäße Verwendung zu dünnflüssig.
Nach Fig. 2 wird in einem ersten Arbeitsschritt die gesamte Oberseite des Substrats 5 mit sämtlichen darauf befindlichen elektrischen Bauelementen 6 vergossen. Es ergibt sich eine (in Fig. 2 übertrieben dargestellte) gewölbte Vergußstruktur.
Dabei werden eine Dicke von beispielsweise 30 µm aufweisende elektrische Bonddrahtverbindungen 12 (sog. Dünndrahtbondun­ gen), die zwischen den elektrischen Bauelementen 6 und Kon­ taktpads 13 an in dem Keramiksubstrat 5 integrierten Leiter­ bahnen verlaufen und vorzugsweise aus Gold gebildet sind, von der Einbettungsmasse 15 vollständig umhüllt. Auch Gegenkon­ taktstellen 22 zwischen den Leitungsdrähten 7 und den inte­ grierten Leiterbahnen können dabei von der Einbettungsmasse 15 umhüllt werden.
In einem zweiten Arbeitsschritt werden die Leitungsdrähte 7 an ihren Kontaktstellen 14 auf der flexiblen Leiterplatte 3 ebenfalls mit thixotropiertem Silgel vergossen. Der Verguß kann lokal, d. h. einzeln für jede Kontaktstelle 14 erfolgen, oder es können mehrere benachbarte Kontaktstellen 14 mit ei­ nem zusammenhängenden Strang 16 aus Einbettungsmasse 15 (sie­ he Fig. 7) überzogen werden.
Fig. 3 zeigt eine zweite Ausführungsvariante, bei der im er­ sten Arbeitsschritt die elektrischen Bauelemente 6 auf dem Keramiksubstrat 5 einzeln vergossen werden. Auch hier sind die Dünndraht-Bonddrahtverbindungen 12 der elektrischen Bau­ elemente 6 vollständig von der Einbettungsmasse 15 umhüllt.
Der zweite Arbeitsschritt (Verguß der Kontaktstellen 14 an der flexiblen Leiterplatte 3) erfolgt in der bereits anhand Fig. 2 erläuterten Weise. In einem weiteren Vergußschritt werden die Leitungsdrähte 7 an den substratseitigen Gegenkon­ taktstellen 22 mit Einbettungsmasse umhüllt.
Bei beiden Ausführungsvarianten ist die Reihenfolge der bei­ den Arbeitsschritte beliebig. Wichtig ist jedoch, daß die Einbettungsmassen 15 über dem Keramiksubstrat 5 und den Kon­ taktstellen 14 in getrennten Dosierabläufen aufgebracht wer­ den. Üblicherweise wird eine Dosieranlage mit einer einzigen Dosieröffnung eingesetzt und die Dosieröffnung wird relativ zu dem Schaltungsaufbau 1 unter Einsatz eines automatischen Positioniersystems mit optischer Lageüberwachung verfahren.
Gemäß Fig. 4 kann das Keramiksubstrat 5 in eine Vertiefungs­ zone 18 der Grundplatte 2 eingesetzt sein. Die Vertiefungs­ zone 18 weist größere seitliche Dimensionen als das Kera­ miksubstrat 5 auf, so daß umfangsseitig des Keramiksubstrats 5 ein umlaufender Spaltbereich 17 verbleibt, in welchem Ein­ bettungsmasse 15 aufgefangen werden kann, welche gegebenen­ falls über den Substratrand tritt. Dadurch wird die Prozeß­ sicherheit beim ersten Arbeitsschritt günstig beeinflußt, da herstellungsbedingte Viskositätsschwankungen der Einbettungs­ masse durch das Auffangen im umlaufenden Spaltbereich 17 kom­ pensiert werden.
Dasselbe Ziel kann gemäß Fig. 5 mit einer um das Keramiksub­ strat 5 herumlaufenden Grabenstruktur 19 erreicht werden.
Fig. 6 zeigt den Aufbau der flexiblen Leiterplatte 3 im Be­ reich einer Kontaktstelle 14. Die flexible Leiterplatte 3 ist mit einem ölbeständigen Klebstoff 20 auf die Grundplatte 2 auflaminiert und umfaßt zwei Kunststoffolien 3.1 und 3.5, zwischen denen eine elektrische Leiterbahn 3.3 unter Verwen­ dung von Klebstoffschichten 3.2 und 3.4 eingebettet ist.
Im Bereich der Kontaktstelle 14 sind die deckenseitige Kunst­ stoffolie 3.5 und Klebstoffschicht 3.4 ausgespart und die elektrische Leiterbahn 3.3 ist in diesem Bereich mit einer Kontaktmetallbeschichtung 21 (z. B. 2-4 µm Nickel und darüber 0,2-0,4 µm Gold) versehen. Der Leitungsdraht 7 ist an die Kontaktmetallbeschichtung 21 angebondet.
Die beim Dosiervorgang aufzubringende Menge an Einbettungs­ masse 15 ist so zu bemessen, daß eine minimale erforderliche Vergußhöhe von etwa 400 µm über der Kontaktmetallbeschichtung 21 erreicht wird. Die Menge kann gering gehalten werden, da die Einbettungsmasse 15 infolge der Oberflächenspannung einen halbkugelförmigen Tropfen (bzw. als Strang - siehe Fig. 7 - einen im wesentlichen halbkugelförmigen Strangquerschnitt) ausbildet. Unterstützt wird dieser Effekt dadurch, daß die Kontaktmetallbeschichtung 21 gegenüber der Oberfläche der flexiblen Leiterplatte 3 vertieft liegt (der Abstand zwischen der Kontaktmetallbeschichtung 21 und der Leiterplattenober­ fläche kann beispielsweise etwa 50 µm betragen). Fig. 6 macht deutlich, daß praktisch kein Verfließen der Einbet­ tungsmasse 15 im Bereich der Kontaktstelle 14 auftritt, und zwar auch dann, wenn im zweiten Arbeitsschritt dasselbe (re­ lativ schwach thixotropierte) Silgel als Einbettungsmasse 15 wie im ersten Arbeitsschritt eingesetzt wird.
Fig. 7 zeigt eine schematische Darstellung der flexiblen Lei­ terplatte 3 mit Keramiksubstrat 5 (Bestückung und Verguß des­ selben nicht dargestellt) in Draufsicht. Die Kontaktstellen 14 können im zweiten Arbeitsschritt wie bereits erwähnt ent­ weder einzeln oder durch einen Strang 16 aus Einbettungsmasse 15 gemeinsam vergossen werden.

Claims (13)

1. Verfahren zum Vergießen eines Schaltungsaufbaus, welcher
  • - eine Grundplatte (2),
  • - eine elektrische Schaltung (4), die ein auf der Grundplatte (2) angebrachtes, mit elektrischen Bauelementen (6) be­ stücktes Substrat (5) aufweist, und
  • - eine zu dem Substrat (5) hingeführte flexible Leiterplatte (3), welche die elektrische Schaltung (4) mittels Leitungs­ drähten (7) elektrisch kontaktiert,
umfaßt, mit einer vibrationsdämpfenden, thixotropen Einbet­ tungsmasse (15), in welchem die auf dem Substrat (5) angeord­ neten Bauelemente (6) einerseits und Kontaktstellen (14) der Leitungsdrähte (7) an der flexiblen Leiterplatte (3) anderer­ seits in getrennten Arbeitsschritten mit thixotroper Einbet­ tungsmasse (15) vergossen werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zum Verguß der elektrischen Bauelemente (6) und zum Ver­ guß der Kontaktstellen (14) dieselbe Einbettungsmasse (15) mit demselben Thixotropiegrad verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (5) mit den darauf angebrachten elektrischen Bauelementen (6) ganzflächig vergossen wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest einige der auf dem Substrat (5) angebrachten elektrischen Bauelemente (6) mit einem Einzelverguß versehen werden.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Bauelemente (6) durch Kontaktkleben, Schweißen oder Löten auf dem Substrat (5) kontaktiert sind.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß einzelne Kontaktstellen (14) einzeln vergossen werden.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Kontaktstellen (14) gemeinsam vergossen werden.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die thixotrope Einbettungsmasse (15) ein mit einem Thixotropiermittel versetztes Gel auf Silikonbasis, insbeson­ dere thixotropiertes Silgel ist.
9. Schaltungsaufbau, mit
  • - einer Grundplatte (2),
  • - einer elektrischen Schaltung (4), die ein auf der Grund­ platte (2) angebrachtes, mit elektrischen Bauelementen (6) bestücktes Substrat (5) umfaßt, und
  • - einer über der Grundplatte (2) zu dem Substrat (5) hinge­ führten flexiblen Leiterplatte (3), welche die elektrische Schaltung (4) mittels Leitungsdrähte (7) elektrisch kontak­ tiert, bei welchem
über dem Substrat (2) eine erste Vergußstruktur bestehend aus thixotroper Einbettungsmasse (15) und über den Kontaktstellen (14) der Leitungsdrähte (7) an der flexiblen Leiterplatte (3) eine gesondert von der ersten Vergußstruktur aufgebrachte zweite Vergußstruktur ebenfalls bestehend aus thixotroper Einbettungsmasse (15) vorgesehen ist.
10. Schaltungsaufbau nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (5) in einer Vertiefungszone (18) der Grund­ platte (2) angeordnet ist.
11. Schaltungsaufbau nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Grundplatte (2) mit einer das Substrat (5) umlaufen­ den Grabenstruktur (19) ausgeführt ist.
12. Steuergerät für den Einbau in ein Kfz-Getriebe oder einen Kfz-Motor, das einen Schaltungsaufbau gemäß einem der Ansprü­ che 8 bis 10 aufweist.
13. Steuergerät nach Anspruch 12, bei dem die flexible Lei­ terplatte (3) zwischen der Grundplatte (2) und einem mit der Grundplatte (2) öldicht gekoppelten Gehäusedeckel (8) durch­ geführt ist.
DE19929754A 1999-06-29 1999-06-29 Verguß einer bestückten Baugruppe mit vibrationsdämpfender Gießmasse Expired - Fee Related DE19929754C2 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19929754A DE19929754C2 (de) 1999-06-29 1999-06-29 Verguß einer bestückten Baugruppe mit vibrationsdämpfender Gießmasse
FR0007632A FR2795908A1 (fr) 1999-06-29 2000-06-15 Encapsulage d'un groupe structurel garni, au moyen d'une masse coulee amortissant les vibrations, groupe structurel garni ainsi obtenu et appareil de commande comportant un tel groupe structurel
IT2000MI001335A IT1318001B1 (it) 1999-06-29 2000-06-15 Procedimento per annegare per colata un gruppo equipaggiato con massacolata antivibrazioni
US09/606,592 US6350953B1 (en) 1999-06-29 2000-06-29 Method for potting a populated assembly using an anti-vibration potting compound, populated assembly and controller having a populated assembly

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19929754A DE19929754C2 (de) 1999-06-29 1999-06-29 Verguß einer bestückten Baugruppe mit vibrationsdämpfender Gießmasse

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19929754A1 true DE19929754A1 (de) 2001-01-18
DE19929754C2 DE19929754C2 (de) 2001-08-16

Family

ID=7912925

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19929754A Expired - Fee Related DE19929754C2 (de) 1999-06-29 1999-06-29 Verguß einer bestückten Baugruppe mit vibrationsdämpfender Gießmasse

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6350953B1 (de)
DE (1) DE19929754C2 (de)
FR (1) FR2795908A1 (de)
IT (1) IT1318001B1 (de)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002034024A1 (de) * 2000-10-19 2002-04-25 Siemens Aktiengesellschaft Dichte aufnahmekammer für kfz-elektronikbauteil und verfahren zur herstellung derselben
EP1356997A2 (de) * 2002-04-25 2003-10-29 Siemens VDO Automotive Inc. Fahrzeugkomponent die einen klebenden elektrischen Leiter beinhaltet
WO2004057857A1 (de) * 2002-12-19 2004-07-08 Siemens Aktiengesellschaft Bilderzeugungsvorrichtung, insbesondere zum einbau im dachbereich oder im aussenspiegel eines kraftfahrzeuges
US8004849B2 (en) 2005-05-17 2011-08-23 Siemens Vdo Automotive Ag Control unit with flexible circuit board
DE102016224671B4 (de) 2016-12-12 2021-07-29 Vitesco Technologies Germany Gmbh Getriebesteuergerät in einem Kraftfahrzeug

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10038508A1 (de) * 2000-08-08 2002-02-21 Bosch Gmbh Robert Elektrische Baugruppe und Verfahren zur Herstellung der elektrischen Baugruppe
JP2003229517A (ja) * 2002-01-31 2003-08-15 Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd 半導体チップ実装基板及びフラットディスプレイ
US20040211582A1 (en) * 2003-04-23 2004-10-28 Siemens Vdo Automotive, Inc. Vehicle component having an electrical conductor adhesively secured into the component
DE10233296A1 (de) * 2002-07-22 2004-02-12 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses für einen gekapselten Sensor und entsprechendes Gehäuse
JP2005080370A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk 回路構成体及び防水処理された回路構成体の製造方法
US9476911B2 (en) 2004-05-21 2016-10-25 Microprobe, Inc. Probes with high current carrying capability and laser machining methods
US8988091B2 (en) 2004-05-21 2015-03-24 Microprobe, Inc. Multiple contact probes
US7812358B2 (en) * 2005-09-13 2010-10-12 Showa Denko K.K. Light-emitting device
US7345492B2 (en) * 2005-12-14 2008-03-18 Microprobe, Inc. Probe cards employing probes having retaining portions for potting in a retention arrangement
DE102006033269B4 (de) * 2006-07-18 2010-10-28 Continental Automotive Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Anordnung mit einem flexiblen Leiterträger, einer Basisplatte und einem Dichtkörper
DE102006033477B3 (de) * 2006-07-19 2008-01-24 Siemens Ag Leiterträger und Anordnung mit Leiterträger
JP4453711B2 (ja) * 2007-03-30 2010-04-21 Tdk株式会社 薄膜部品及び製造方法
DE102007032594B4 (de) * 2007-07-12 2009-04-09 Continental Automotive Gmbh Steuervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Steuervorrichtung
US20090120916A1 (en) * 2007-11-12 2009-05-14 L3 Communications Corporation Through-Via Laser Reflow Systems And Methods For Surface Mount Components
US8245575B2 (en) * 2009-12-08 2012-08-21 Jen-Huang Albert Chiou Pressure sensor device with breakwater to reduce protective gel vibration
CN102945837B (zh) * 2012-10-24 2015-08-19 西安永电电气有限责任公司 一种半导体模块结构以及该结构中键合线的连接固定方法
DE102015212616A1 (de) 2015-07-06 2017-01-12 Zf Friedrichshafen Ag Schutzgehäuse zur flexiblen Bauteilfixierung und Leiterplatte mit Schutzgehäuse
CN108347820B (zh) * 2017-01-25 2020-09-15 奥特斯(中国)有限公司 容纳部件的基底结构上的高导热涂层

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19515187A1 (de) * 1995-04-25 1996-11-07 Siemens Ag Chip-Abdeckung
DE4407810C2 (de) * 1994-03-09 1998-02-26 Semikron Elektronik Gmbh Schaltungsanordnung (Modul)
DE19712842C1 (de) * 1997-03-26 1998-08-13 Siemens Ag Steuergerät für ein Kraftfahrzeug

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5018005A (en) * 1989-12-27 1991-05-21 Motorola Inc. Thin, molded, surface mount electronic device
JP3280394B2 (ja) * 1990-04-05 2002-05-13 ロックヒード マーティン コーポレーション 電子装置
JPH06334279A (ja) * 1993-05-20 1994-12-02 Minolta Camera Co Ltd 多層フレキシブル電装基板

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4407810C2 (de) * 1994-03-09 1998-02-26 Semikron Elektronik Gmbh Schaltungsanordnung (Modul)
DE19515187A1 (de) * 1995-04-25 1996-11-07 Siemens Ag Chip-Abdeckung
DE19712842C1 (de) * 1997-03-26 1998-08-13 Siemens Ag Steuergerät für ein Kraftfahrzeug

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
SCHWARZ, G.: Kapselung von Hybridschaltungen. In: EPP Juli/August 1984, S.419-421 *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002034024A1 (de) * 2000-10-19 2002-04-25 Siemens Aktiengesellschaft Dichte aufnahmekammer für kfz-elektronikbauteil und verfahren zur herstellung derselben
FR2815812A1 (fr) * 2000-10-19 2002-04-26 Siemens Ag Dispositif et procede de mise en place etanche d'un composant electronique pour vehicule automobile
EP1356997A2 (de) * 2002-04-25 2003-10-29 Siemens VDO Automotive Inc. Fahrzeugkomponent die einen klebenden elektrischen Leiter beinhaltet
EP1356997A3 (de) * 2002-04-25 2004-12-15 Siemens VDO Automotive Inc. Fahrzeugkomponent die einen klebenden elektrischen Leiter beinhaltet
WO2004057857A1 (de) * 2002-12-19 2004-07-08 Siemens Aktiengesellschaft Bilderzeugungsvorrichtung, insbesondere zum einbau im dachbereich oder im aussenspiegel eines kraftfahrzeuges
US7208716B2 (en) 2002-12-19 2007-04-24 Siemens Aktiengesellschaft Image-generation device, in particular for installation in the roof area or exterior rearview mirror of a motor vehicle
US8004849B2 (en) 2005-05-17 2011-08-23 Siemens Vdo Automotive Ag Control unit with flexible circuit board
DE102016224671B4 (de) 2016-12-12 2021-07-29 Vitesco Technologies Germany Gmbh Getriebesteuergerät in einem Kraftfahrzeug

Also Published As

Publication number Publication date
DE19929754C2 (de) 2001-08-16
US6350953B1 (en) 2002-02-26
ITMI20001335A1 (it) 2001-12-15
FR2795908A1 (fr) 2001-01-05
IT1318001B1 (it) 2003-07-21
ITMI20001335A0 (it) 2000-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19929754C2 (de) Verguß einer bestückten Baugruppe mit vibrationsdämpfender Gießmasse
DE69525697T2 (de) Halbleiteranordnung vom Filmträgertyp mit Anschlusshöcher
DE69834702T2 (de) Packung für eine Halbleiteranordnung, Verfahren zu ihrer Herstellung und Leiterplatte dafür
DE102005032489B3 (de) Leiterplatten-Mehrschichtaufbau mit integriertem elektrischem Bauteil und Herstellungsverfahren
EP2422367B1 (de) Gekapselte schaltungsvorrichtung für substrate mit absorptionsschicht sowie verfahren zu herstellung derselben
DE69225896T2 (de) Träger für Halbleitergehäuse
DE10045043B4 (de) Halbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
DE68920469T2 (de) Elektronische Packung.
DE19640225A1 (de) Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102009006826A1 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE3538933A1 (de) Leistungshalbleitermodul
DE102006033222B4 (de) Modul mit flachem Aufbau und Verfahren zur Bestückung
DE102006003137A1 (de) Elektronikpackung und Packungsverfahren
DE112007003208T5 (de) Ein Halbleitergehäuse
DE10232788B4 (de) Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip auf einem Systemträger, Systemträger und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils
DE102004050792A1 (de) Bauelemente-Modul für Hochtemperaturanwendungen und Verfahren zum Herstellen eines derartigen Bauelemente-Moduls
DE19819217A1 (de) Befestigungsgrundplatte für eine elektronische Komponente
DE102016124270A1 (de) Halbleiter-package und verfahren zum fertigen eines halbleiter-package
DE10124970B4 (de) Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip auf einer Halbleiterchip-Anschlußplatte, Systemträger und Verfahren zu deren Herstellung
DE10161936A1 (de) Elektroniksteuereinheit
DE102006024147B3 (de) Elektronisches Modul mit Halbleiterbauteilgehäuse und einem Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung desselben
DE112012001049B4 (de) Getriebesteuervorrichtung und elektronische Schaltungsvorrichtung
DE19821916C2 (de) Halbleitereinrichtung mit einem BGA-Substrat
DE4223371A1 (de) Verfahren und Platine zur Montage von Bauelementen
DE112006004098B4 (de) Halbleiter-Baugruppe mit einer Lead-Frame-Anordnung mit mindestens zwei Halbleiterchips und Verfahren zu deren Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee