DE19914905A1 - Elektrochemische Ätzanlage und Verfahren zur Ätzung eines Ätzkörpers - Google Patents

Elektrochemische Ätzanlage und Verfahren zur Ätzung eines Ätzkörpers

Info

Publication number
DE19914905A1
DE19914905A1 DE19914905A DE19914905A DE19914905A1 DE 19914905 A1 DE19914905 A1 DE 19914905A1 DE 19914905 A DE19914905 A DE 19914905A DE 19914905 A DE19914905 A DE 19914905A DE 19914905 A1 DE19914905 A1 DE 19914905A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
etching
electrode
chamber
electrolyte
cell according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE19914905A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Hans Artmann
Franz Laermer
Wilhelm Frey
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE19914905A priority Critical patent/DE19914905A1/de
Priority to PCT/DE2000/000857 priority patent/WO2000060143A1/de
Priority to DE50014121T priority patent/DE50014121D1/de
Priority to EP00922440A priority patent/EP1181400B1/de
Priority to US09/937,926 priority patent/US6726815B1/en
Priority to JP2000609630A priority patent/JP4511741B2/ja
Priority to ES00922440T priority patent/ES2282103T3/es
Priority to KR1020017012317A priority patent/KR100698798B1/ko
Publication of DE19914905A1 publication Critical patent/DE19914905A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F7/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic removal of material from objects; Servicing or operating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S204/00—Chemistry: electrical and wave energy
    • Y10S204/12—Electrochemical machining

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Weting (AREA)
DE19914905A 1999-04-01 1999-04-01 Elektrochemische Ätzanlage und Verfahren zur Ätzung eines Ätzkörpers Ceased DE19914905A1 (de)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19914905A DE19914905A1 (de) 1999-04-01 1999-04-01 Elektrochemische Ätzanlage und Verfahren zur Ätzung eines Ätzkörpers
PCT/DE2000/000857 WO2000060143A1 (de) 1999-04-01 2000-03-17 Elektrochemische ätzanlage und verfahren zur ätzung eines ätzkörpers
DE50014121T DE50014121D1 (de) 1999-04-01 2000-03-17 Elektrochemische ätzanlage und verfahren zur ätzung eines ätzkörpers
EP00922440A EP1181400B1 (de) 1999-04-01 2000-03-17 Elektrochemische ätzanlage und verfahren zur ätzung eines ätzkörpers
US09/937,926 US6726815B1 (en) 1999-04-01 2000-03-17 Electrochemical etching cell
JP2000609630A JP4511741B2 (ja) 1999-04-01 2000-03-17 電気化学的エッチング装置及びエッチングボデーのエッチングのための方法
ES00922440T ES2282103T3 (es) 1999-04-01 2000-03-17 Instalacion de grabado electroquimico y procedimiento para el grabado de un cuerpo que va a grabarse.
KR1020017012317A KR100698798B1 (ko) 1999-04-01 2000-03-17 전기 화학적 에칭 셀

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19914905A DE19914905A1 (de) 1999-04-01 1999-04-01 Elektrochemische Ätzanlage und Verfahren zur Ätzung eines Ätzkörpers

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE19914905A1 true DE19914905A1 (de) 2000-10-05

Family

ID=7903273

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19914905A Ceased DE19914905A1 (de) 1999-04-01 1999-04-01 Elektrochemische Ätzanlage und Verfahren zur Ätzung eines Ätzkörpers
DE50014121T Expired - Lifetime DE50014121D1 (de) 1999-04-01 2000-03-17 Elektrochemische ätzanlage und verfahren zur ätzung eines ätzkörpers

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE50014121T Expired - Lifetime DE50014121D1 (de) 1999-04-01 2000-03-17 Elektrochemische ätzanlage und verfahren zur ätzung eines ätzkörpers

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6726815B1 (https=)
EP (1) EP1181400B1 (https=)
JP (1) JP4511741B2 (https=)
KR (1) KR100698798B1 (https=)
DE (2) DE19914905A1 (https=)
ES (1) ES2282103T3 (https=)
WO (1) WO2000060143A1 (https=)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007024199A1 (de) 2007-05-24 2008-11-27 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches Bauelement mit porösifizierter Membran sowie Herstellungsverfahren

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100451132B1 (ko) * 2001-11-08 2004-10-02 홍석인 다공성 실리콘을 이용한 효소고정화 전극 제작 방법
US7998335B2 (en) * 2005-06-13 2011-08-16 Cabot Microelectronics Corporation Controlled electrochemical polishing method
RU2308786C1 (ru) * 2006-05-26 2007-10-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Брянская государственная инженерно-технологическая академия" Раствор для электрохимического растворения кремния
US7935230B2 (en) * 2006-06-29 2011-05-03 Semitool, Inc. Electro-chemical processor
US7927469B2 (en) * 2006-08-25 2011-04-19 Semitool, Inc. Electro-chemical processor
US7909967B2 (en) * 2006-07-13 2011-03-22 Semitool, Inc. Electro-chemical processor
KR101374932B1 (ko) * 2007-09-28 2014-03-17 재단법인서울대학교산학협력재단 확산 제한 식각과정에 의한 수평 변환 다공성 실리콘 광학필터의 제조방법 및 그에 의한 필터구조
US8906218B2 (en) 2010-05-05 2014-12-09 Solexel, Inc. Apparatus and methods for uniformly forming porous semiconductor on a substrate
US9076642B2 (en) 2009-01-15 2015-07-07 Solexel, Inc. High-Throughput batch porous silicon manufacturing equipment design and processing methods
CN102422370A (zh) * 2009-05-12 2012-04-18 日本轻金属株式会社 电解电容器用铝电极板的制造方法
JP2011026638A (ja) * 2009-07-22 2011-02-10 Shin Etsu Handotai Co Ltd 陽極酸化装置
CN102844883B (zh) 2010-02-12 2016-01-20 速力斯公司 用于制造光电池和微电子器件的半导体衬底的双面可重复使用的模板
KR101347681B1 (ko) 2010-09-24 2014-01-06 솔렉셀, 인크. 고생산성 배치 다공성 실리콘 제조 장치 디자인 및 가공 방법
WO2013126033A2 (en) * 2010-11-03 2013-08-29 Solexel, Inc. Apparatus and methods for uniformly forming porous semiconductor on a substrate
JP6009268B2 (ja) * 2012-08-09 2016-10-19 芝浦メカトロニクス株式会社 洗浄液生成装置、洗浄液生成方法、基板洗浄装置及び基板洗浄方法
RU2537488C2 (ru) * 2012-08-22 2015-01-10 Закрытое акционерное общество "Инструменты нанотехнологии" Устройство травления поверхности для металлографического анализа
US9217206B2 (en) * 2013-09-27 2015-12-22 Sunpower Corporation Enhanced porosification
CN112820828B (zh) * 2019-11-15 2023-08-04 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 半导体装置及其制造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1994021845A1 (en) * 1993-03-17 1994-09-29 Hermann Georg Grimmeiss Device for electrolytic oxidation of silicon wafers
US5458755A (en) * 1992-11-09 1995-10-17 Canon Kabushiki Kaisha Anodization apparatus with supporting device for substrate to be treated

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5462929A (en) * 1977-10-28 1979-05-21 Sumitomo Electric Ind Ltd Surface treating method for aluminum and aluminum alloy
JP3149060B2 (ja) * 1992-01-23 2001-03-26 キヤノン株式会社 陽極化成装置、陽極化成方法及びシリコン基板の製造方法
JP3416190B2 (ja) * 1993-03-23 2003-06-16 キヤノン株式会社 陽極化成装置及び陽極化成方法
DE69724269T2 (de) * 1996-09-06 2004-06-09 Obducat Ab Verfahren für das anisotrope ätzen von strukturen in leitende materialien
JPH11243076A (ja) * 1998-02-26 1999-09-07 Canon Inc 陽極化成方法及び陽極化成装置並びに半導体基板の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5458755A (en) * 1992-11-09 1995-10-17 Canon Kabushiki Kaisha Anodization apparatus with supporting device for substrate to be treated
WO1994021845A1 (en) * 1993-03-17 1994-09-29 Hermann Georg Grimmeiss Device for electrolytic oxidation of silicon wafers

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007024199A1 (de) 2007-05-24 2008-11-27 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches Bauelement mit porösifizierter Membran sowie Herstellungsverfahren

Also Published As

Publication number Publication date
JP4511741B2 (ja) 2010-07-28
US6726815B1 (en) 2004-04-27
DE50014121D1 (de) 2007-04-12
KR20010112373A (ko) 2001-12-20
ES2282103T3 (es) 2007-10-16
WO2000060143A1 (de) 2000-10-12
EP1181400A1 (de) 2002-02-27
EP1181400B1 (de) 2007-02-28
JP2002541324A (ja) 2002-12-03
KR100698798B1 (ko) 2007-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1181400B1 (de) Elektrochemische ätzanlage und verfahren zur ätzung eines ätzkörpers
DE60025695T2 (de) Elektrolysezelle mit einer bipolaren Elektrode
DE3602124C2 (https=)
DE19820878A1 (de) Verfahren zum Abscheiden einer Materialschicht auf einem Substrat und Plattierungssystem
DE102018202513B4 (de) Verfahren zur Metallisierung eines Bauelements
DE2263149C3 (de) Isolierschicht-Feldeffekttransistor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102007031958A1 (de) Kontakt-Struktur für ein Halbleiter-Bauelement sowie Verfahren zur Herstellung desselben
DE112014004401T5 (de) Verbesserte Porosierung
DE102013219886A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung poröser Siliciumschichten
DE19501557A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE2438831C3 (de) Elektrochemische Zelle mit Fließbettelektrode und deren Verwendung zur elektrochemischen Gewinnung von Metallen
DE1521625A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstueckchen kleiner raeumlicher Abmessungen
DE102009010816A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements
DE102014222749B3 (de) Verfahren zur Herstellung einer Kontaktstruktur zwischen einem Kantenabschnitt eines 2D-Materials und einem Metall
DE112005002629T5 (de) Ultraleichte Photovoltaik-Einrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE102009051688A1 (de) Verfahren zur lichtinduzierten galvanischen Pulsabscheidung zur Ausbildung einer Saatschicht für einen Metallkontakt einer Solarzelle und zur nachfolgenden Verstärkung dieser Saatschicht bzw. dieses Metallkontakts sowie Anordnung zur Durchführung des Verfahrens
DE19638433B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
DE102017130683A1 (de) Kontaktloch
DE102016215666A1 (de) Elektrodenanordnung für Lithium-basierte galvanische Zellen und Verfahren zu deren Herstellung
WO2015044022A1 (de) Verfahren zur strukturierung von schichten oxidierbarer materialien mittels oxidation sowie substrat mit strukturierter beschichtung
EP1500159B1 (de) Schmelzkarbonatbrennstoffzelle und verfahren zur herstellung einer solchen
EP3983575B1 (de) Elektrolysevorrichtung mit zwei bor dotierten diamantschichten
EP0996147A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterchips durch anodischer Oxidation
DE2750596C3 (de) Elektroden für Bleiakkumulatoren und Verfahren zu deren Herstellung
EP2028686B1 (de) Verfahren zum galvanischen Aufbringen eines Metalls, insbesondere von Kupfer, und Verwendung dieses Verfahrens

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8131 Rejection