DE19903572A1 - Monolithischer Kondensator - Google Patents

Monolithischer Kondensator

Info

Publication number
DE19903572A1
DE19903572A1 DE19903572A DE19903572A DE19903572A1 DE 19903572 A1 DE19903572 A1 DE 19903572A1 DE 19903572 A DE19903572 A DE 19903572A DE 19903572 A DE19903572 A DE 19903572A DE 19903572 A1 DE19903572 A1 DE 19903572A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
ceramic
sintered ceramic
capacitor
monolithic
sintered
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE19903572A
Other languages
English (en)
Inventor
Yutaka Shimahara
Shozo Takeuchi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of DE19903572A1 publication Critical patent/DE19903572A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30Stacked capacitors

Abstract

Ein monolithischer Kondensator, der einen gesinterten Keramikkörper aufweist, umfaßt eine gesinterte Keramikmatrix, eine Mehrzahl von inneren Elektroden, die in der Dickenrichtung in dem gesinterten Keramikkörper aufgebracht und durch die gesinterte Keramikmatrix getrennt sind und sich wechselnd zu gegenüberliegenden zwei Seitenflächen des gesinterten Keramikkörpers erstrecken, und eine obere und eine untere Keramikschicht, die oberhalb und unterhalb der gesinterten Keramikmatrix vorgesehen sind. Die gesinterte Keramikmatrix ist aus einer Reduktions-resistenten BaTiO¶3¶-Keramik zusammengesetzt. Die obere und die untere Keramikschicht sind aus einer Reduktions-resistenten CaZrO¶3¶-Keramik zusammengesetzt. Die inneren Elektroden sind aus einem unedlen Metall zusammengesetzt. Der monolithische Kondensator ist für die Mittel- bis Hochspannungsanwendung, die eine hohe Spannungsfestigkeit erfordert, geeignet.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf monolithische Kondensatoren, die innere Elektroden umfassen, die aus un­ edlen Metallen zusammengesetzt sind, die für eine Mittel- bis Hochspannungsanwendung, die eine höhere Spannungsfestig­ keit erfordert, geeignet sind.
In jüngster Zeit wurde eine Oberflächenbefestigung von elek­ tronischen Einheiten entwickelt, um die Miniaturisierung von elektronischen Bauelementen zu befriedigen, und daher wurden kompaktere elektronische Einheiten verwendet. Ein derartiger Trend erfordert kompaktere monolithische Kondensatoren mit einer höheren Kapazität.
Auf der anderen Seite wurden Mittel- bis Hochspannungs-Kon­ densatoren mit einer hohen Spannungsfestigkeit, beispiels­ weise bei Rücklichtern und beim Schalten von Leistungsquel­ len von Flüssigkristallanzeigen, verwendet. Die Erforder­ nisse für derartige Mittel- bis Hochspannungs-Kondensatoren sind eine hohe Spannungsfestigkeit, eine weitere Miniaturi­ sierung und eine Kostengünstigkeit.
Bei herkömmlichen Mittel- bis Hochspannungs-Kondensatoren ist die Unterdrückung einer Entladung durch äußere Oberflä­ chen ein wesentlicher Faktor zum Erreichen einer hohen Span­ nungsfestigkeit. Verschiedene Typen von monolithischen Kon­ densatoren mit einer hohen Spannungsfestigkeit wurden bei­ spielsweise in der offengelegten Japanischen Gebrauchs­ musteranmeldungen Nr. 60-76028, 62-120333 und 58-56431 und in der offengelegten Japanischen Patentanmeldung Nr. 62-210612 offenbart.
Beispielsweise sind bei einem vorgeschlagenen Mittel- bis Hochspannungs-Kondensator mit einer hohen Spannungsfestig­ keit dicke Keramikschichten oberhalb und unterhalb des Kapa­ zitätsextraktionsabschnitts vorgesehen, der aus einer Mehr­ zahl von überlappenden inneren Elektroden zusammengesetzt ist, um eine Entladung von der oberen und der unteren Fläche eines gesinterten Keramikkörpers zu unterdrücken.
Die offengelegte Japanische Patentanmeldung Nr. 62-210612 offenbart einen monolithischen Kondensator mit einer hohen Spannungsfestigkeit, bei dem Keramikschichten mit einer relativ niedrigen Dielektrizitätskonstante oberhalb und unterhalb des Kapazitätsextraktionsabschnittes vorgesehen sind, der überlappende innere Elektroden umfaßt. Die Keramikschichten unterdrücken einen Überschlag oberhalb und unterhalb des gesinterten Körpers.
Bei diesen herkömmlichen monolithischen Mittel- bis Hoch­ spannungs-Kondensatoren sind dicke Keramikschichten oberhalb und unterhalb des Kapazitätsextraktionsabschnittes angeord­ net. Daher weisen die monolithischen Kondensatoren unver­ meidbar große Abmessungen auf, und dieselben erfüllen nicht die Erfordernis für eine Miniaturisierung und insbesondere für niedrigere Höhen.
Da diese monolithischen Kondensatoren und ein Mittel-bis-Hoch­ spannungs-Kondensator, die in der offengelegten Japani­ schen Patentanmeldung Nr. 62-210612 offenbart sind, innere Elektroden aufweisen, die aus edlen Metallen, wie z. B. Sil­ ber und Silber-Palladium, zusammengesetzt sind, sind dies Nachteile bezüglich der Materialkosten.
Auf der anderen Seite verwenden herkömmliche monolithische Kondensatorkonfigurationen, die die Materialkosten reduzie­ ren können, unedle Metalle, wie z. B. Nickel und Kupfer, als innere Elektrodenmaterialien. Da unedle Metalle ohne wei­ teres oxidierbar sind, muß ein Keramikmaterial mit guten Reduktions-resistenten Charakteristika bei der Erzeugung von monolithischen Kondensatoren durch eine Brenntechnologie für monolithische Keramik verwendet werden. Alle herkömmlichen monolithischen Kondensatoren sind nicht für eine Mittel- bis Hochspannungsanwendung geeignet, und die bei diesen mono­ lithischen Kondensatoren verwendeten Keramikmaterialien weisen keine hohen Reduktions-resistenten Charakteristika auf, die die Spannungsfestigkeit verbessern können.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, einen verbesserten kompakten und kostengünstigen monolithischen Kondensator mit einer hohen Spannungsfestigkeit zu schaffen.
Diese Aufgabe wird durch einen monolithischen Kondensator gemäß Anspruch 1 gelöst.
Ein monolithischer Kondensator gemäß der vorliegenden Erfin­ dung weist einen gesinterten Keramikkörper auf, der eine gesinterte Keramikmatrix, eine Mehrzahl von inneren Elektro­ den, die in der Dickenrichtung in dem gesinterten Keramik­ körper aufgebracht und durch die gesinterte Keramikmatrix getrennt sind und sich wechselnd zu gegenüberliegenden ersten und zweiten Seitenflächen des gesinterten Keramikkör­ pers erstrecken, und obere und untere Keramikschichten auf­ weist, die oberhalb und unterhalb der gesinterten Keramik­ matrix vorgesehen sind, wobei die gesinterte Keramikmatrix eine Reduktions-resistente Keramik aufweist, die BaTiO3 auf­ weist, wobei die obere und die untere Keramikschicht eine Reduktions-resistente Keramik aufweisen, die CaZrO3 auf­ weist, und wobei die Mehrzahl von inneren Elektroden ein unedles Metall aufweist.
Da die Reduktions-resistenten Keramikschichten, die CaZrO3 aufweisen, eine niedrige Dielektrizitätskonstante im Ver­ gleich zu der Reduktions-resistenten Keramikmatrix auf­ weisen, die BaTiO3 aufweist, werden diese Schichten geeignet zur Bildung von Schichten mit einer niedrigen Dielektrizi­ tätskonstante bei einem Mittel- bis Hochspannungs-Kondensa­ tor verwendet. Wenn diese Keramikelemente in einer Reduk­ tions-resistenten Atmosphäre gebrannt werden, werden die­ selben aufgrund der Zwischendiffusion zwischen denselben fest miteinander verbunden. Dementsprechend ermöglicht eine derartige Konfiguration die Verwendung von inneren Elek­ troden, die aus einem kostengünstigen unedlen Metall zusam­ mengesetzt sind.
Bei dem monolithischen Kondensator gemäß der vorliegenden Erfindung sind die Seitenflächen der gesinterten Keramik­ matrix vorzugsweise mit einer Reduktions-resistenten Keramik abgedeckt, die CaZrO3 aufweist.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Querschnittsansicht eines monolithischen Kon­ densators gemäß einem Ausführungsbeispiel der vor­ liegenden Erfindung;
Fig. 2 eine schematische Querschnittsansicht zum Darstel­ len eines Entladephänomens bei einem herkömmlichen monolithischen Kondensator;
Fig. 3 eine schematische Querschnittsansicht zum Darstel­ len einer elektrischen Feldverteilung, die durch ein Finite-Elemente-Verfahren analysiert ist, während der Erregung in einem Teil des monoli­ thischen Kondensators, der in Fig. 2 gezeigt ist; und
Fig. 4 eine Querschnittsansicht eines herkömmlichen mono­ lithischen Kondensators zum Vergleich.
Die vorliegende Erfindung wird nun detailliert unter Bezug­ nahme auf die folgenden nicht begrenzenden Ausführungsbei­ spiele beschrieben.
Fig. 1 ist eine Querschnittsansicht eines monolithischen Kondensators gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegen­ den Erfindung. Der monolithische Kondensator 1 ist aus einem rechteckigen parallelepipedförmigen gesinterten Keramikkör­ per 2 zusammengesetzt. Der gesinterte Keramikkörper 2 weist gegenüberliegende erste und zweite Endflächen 2a und 2b als äußere Elektroden auf. Das Innere des gesinterten Keramik­ körpers 2 umfaßt eine Mehrzahl von inneren Elektroden 3 bis 6, die in einer gesinterten Keramikmatrix 2g in der Dicken­ richtung des gesinterten Keramikkörpers 2 aufgebracht sind. Die inneren Elektroden 3 und 5 erstrecken sich zu der ersten Endfläche 2a, während sich die inneren Elektroden 4 und 6 zu der zweiten Endfläche 2b erstrecken.
Diese inneren Elektroden 3 bis 6 sind aus einem unedlen Metall zusammengesetzt. Beispiele von verwendbaren unedlen Metallen umfassen Nickel, Kupfer, Eisen, Kobalt, Mangan, Molybdän, Wolfram, Titan und Zirkon. Die Verwendung von derartigen unedlen Metallen erlaubt eine Kostenreduktion des monolithischen Kondensators 1.
Die erste und die zweite Endfläche 2a und 2b des gesinterten Keramikkörpers 2 sind mit einer ersten und einer zweiten äußeren Elektrode 7 bzw. 8 bedeckt. Bei diesem Ausführungs­ beispiel bedeckt die erste äußere Elektrode 7 die erste Endfläche 2a, während die zweite äußere Elektrode 8 die zweite Endfläche 2b bedeckt. Die erste und die zweite äußere Elektrode 7 und 8 erstrecken sich hin zu der oberen Fläche 2c, der unteren Fläche 2b und den zwei Seitenflächen.
Die äußeren Elektroden 7 und 8 können beispielsweise durch Anwenden und Brennen einer Silber-Palladium-Paste, einer Silberpaste, einer Nickelpaste oder einer Kupferpaste gebil­ det sein. Alternativ können die äußeren Elektroden 7 und 8 durch Aufbringen eines gewünschten leitfähigen Materials durch einen Dünnfilmaufbringungsprozeß, wie z. B. Plattie­ ren, Verdampfen oder Sputtern (Zerstäuben), gebildet sein. Die äußeren Elektroden 7 und 8 können aus einer Mehrzahl von leitfähigen Materialschichten zusammengesetzt sein.
Bei dem monolithischen Kondensator 1 ist die gesinterte Ke­ ramikmatrix als ein Kondensatorextraktionsabschnitt 2g aus einer Reduktions-resistenten Keramik zusammengesetzt, die BaTiO3 und eine hohe Dielektrizitätskonstante aufweist. Ferner sind die obere und die untere Keramikschicht 2e und 2f (auf die hierin als Schichten mit niedriger Dielek­ trizitätskonstante Bezug genommen wird), die aus einer Reduktions-resistenten Keramik zusammengesetzt sind, die CaZrO3 mit einer relativ niedrigen Dielektrizitätskonstante aufweist, oberhalb und unterhalb des Kondensatorextraktions­ abschnittes vorgesehen. Die Schichten mit niedriger Dielek­ trizitätskonstante 2e und 2f, die oberhalb und unterhalb des Kondensatorextraktionsabschnitts 2g gebildet sind, unter­ drücken einen Überschlag an der oberen Fläche 2a und der un­ teren Fläche 2d des gesinterten Keramikkörpers 2 und tragen zu einer höheren Spannungsfestigkeit des monolithischen Kon­ densators 1 bei.
Das Phänomen wird nun unter Bezugnahme auf die Fig. 2 und 3 beschrieben. Fig. 2 ist eine vergrößerte schematische Quer­ schnittsansicht des oberen Abschnitts des monolithischen Kondensators 1. Die obere Fläche 2c des monolithischen Kon­ densators 1 ist durch atmosphärische Luft 9 umgeben. Die äußeren Elektroden 7 und 8 erstrecken sich hin zu der oberen Fläche 2c. Die oberste innere Elektrode 3 in dem gesinterten Keramikkörper 2 ist mit der äußeren Elektrode 7 verbunden und weist ein Potential auf, das sich von demselben der äußeren Elektrode 8 unterscheidet.
Das obere Ende 8a der äußeren Elektrode 8, das an der oberen Fläche 2c des gesinterten Keramikkörpers 2 liegt, ist nahe dem Ende 3a der inneren Elektrode 3 auf der linken Seite der Zeichnung, und folglich ist ein großes elektrisches Feld zwischen denselben angelegt. Die elektrische Feldverteilung des monolithischen Kondensators bei der praktischen Anwen­ dung wird durch ein Finite-Elemente-Verfahren analysiert, und die erhaltenen Resultate sind in Fig. 3 gezeigt.
Wie klar in Fig. 3 gezeigt, ist ein großes elektrisches Feld zwischen dem linken Ende 3a der inneren Elektrode 3 und dem oberen Ende 8a der äußeren Elektrode 8 angelegt, und das elektrische Feld verteilt sich in das äußere des gesinterten Keramikkörpers 2. Ein derartiges elektrisches Feld und ins­ besondere ein elektrisches Feld, das hin zu dem Äußeren der oberen Fläche 2c des gesinterten Keramikkörpers 2 leckt, löst das Entladen aus. Ein größeres elektrisches Leckfeld bewirkt eine Entladung bei einer niedrigeren Spannung.
Folglich umfassen mögliche Verfahren zum Reduzieren des elektrischen Leckfelds einen erhöhten Abstand zwischen dem oberen Ende 8a der äußeren Elektrode 8 und dem linken Ende 3a der inneren Elektrode 3 und eine erhöhte Dicke lediglich der oberen Keramikschicht oberhalb der inneren Elektrode 3. Die Dicke des monolithischen Kondensators ist jedoch im wesentlichen in Richtlinien definiert. Je größer daher die Dicke der oberen und unteren Keramikschicht ist, desto klei­ ner muß die Dicke der inneren Keramikschichten innerhalb der Einschränkung einer konstanten Gesamtgröße sein, was zu ei­ ner Abnahme der elektrostatischen Kapazität führt.
Auf der anderen Seite weist BaTiO3 eine Dielektrizitätskon­ stante von 2000 bis 8000 auf, und CaZrO3 weist eine Dielek­ trizitätskonstante von etwa 20 bis 100 auf.
Wenn die Dicke der oberen und der unteren Keramikschichten oberhalb und unterhalb des Kapazitätsextraktionsabschnittes 2g, der die geschichteten inneren Elektroden 3 bis 6 umfaßt, gleich derselben eines herkömmlichen Kondensators ist, wobei die obere und die untere Schicht aus dem gleichen dielek­ trischen Material wie der Kondensatorextraktionsabschnitt 2g zusammengesetzt sind, weist der monolithische Kondensator 1 dieses Ausführungsbeispiels eine Startspannung des Ober­ flächenleckens auf, die etwa 20 bis 30% höher als dieselbe des herkömmlichen Kondensators ist. Folglich wird ein Über­ schlag unterdrückt und die Spannungsfestigkeit desselben wird ohne eine erhöhte Dicke des gesinterten Keramikkörpers verbessert. Dementsprechend werden gleichzeitig eine Minia­ turisierung und eine höhere Kapazität erreicht.
Bei den monolithischen Kondensatoren wurde eine Verwendung von unedlen Metallen, wie z. B. Nickel und Kupfer, als innere Elektroden versucht, um eine Kostenreduktion zu erreichen. Da diese unedlen Metalle stark oxidierbar sind, müssen der gesinterte Keramikkörper 2 und die inneren Elektroden 3 bis 6 in einer neutralen oder reduzierenden Atmosphäre gebrannt werden.
Wenn die inneren Elektroden 3 bis 6 aus einem unedlen Metall zusammengesetzt sind, muß das verwendete dielektrische Kera­ mikmaterial hohe Reduktions-resistente Charakteristika auf­ weisen. Die dielektrische Keramik, die BaTiO3 aufweist, und die dielektrische Keramik, die CaZrO3 aufweist, die bei diesem Ausführungsbeispiel verwendet werden, sind Reduk­ tions-resistente dielektrische Materialien. Wenn folglich der monolithische Kondensator 1 bei diesem Ausführungsbei­ spiel, bei dem die inneren Elektroden 3 bis 6 aus einem unedlen Metall zusammengesetzt sind, in einer reduzierenden Atmosphäre gebrannt wird, können der Kondensatorextrak­ tionsabschnitt 2g, der BaTiO3 aufweist und in der Mitte liegt, und die Schichten mit niedriger Dielektrizitäts­ konstante 2e und 2f, die CaZrO3 aufweisen, sicher in der reduzierenden Atmosphäre gebrannt werden.
Ein monolithischer Kondensator ist allgemein aus einem gesinterten Keramikkörper, der durch Brennen einer geschich­ teten Verbindung von Keramikgrünlagen, die durch innere Elektroden zwischen denselben getrennt sind, hergestellt wird, zusammengesetzt. Wenn der gesinterte Keramikkörper aus unterschiedlichen Keramikmaterialtypen zusammengesetzt ist, wie z. B. bei dem monolithischen Kondensator der vorliegen­ den Erfindung, sind die wesentlichen Bedingungen für den mo­ nolithischen Kondensator, (1) daß die Sintertemperaturen dieser Materialien nahe zueinander liegen; (2) daß eine adäquate Zwischendiffusion an den Übergängen auftritt, um eine enge Verbindung zwischen den unterschiedlichen Materia­ lien sicherzustellen; (3) daß eine übermäßige Diffusion, die ungünstig das innere dielektrische Keramikmaterial beein­ flußt, nicht auftritt; und (4) daß Spannungen aufgrund eines Schrumpfens und einer Keramikausdehnung keinen Bruch verur­ lachen. Sowohl BaTiO3 als auch CaZrO3 erfüllen diese Bedin­ gungen. Als ein Resultat weist der monolithische Kondensator 1 eine hohe Spannungsfestigkeit auf und kann folglich eine Miniaturisierung und eine höhere Kapazität erreichen.
Ein Beispiel des monolithischen Kondensators gemäß der vor­ liegenden Erfindung wird nun beschrieben.
Ein Keramikschlamm für einen Kondensatorextraktionsabschnitt 2g wird wie folgt vorbereitet. Pulverisiertes BaTiO3 als eine Hauptkomponente, ein pulverisiertes Seltenerdoxid, ein pulverisiertes erdalkalisches Oxid werden gemischt, und die­ selben werden mit einem Vinylacetatbinder, einer Dispergens, einem Weichmacher und Wasser als Lösungsmittel gemischt. Un­ ter Verwendung des Keramikschlamms werden erste Keramikgrün­ lagen für einen Kondensatorextraktionsabschnitt gebildet.
Ein weiterer Keramikschlamm für eine Schicht mit niedriger Dielektrizitätskonstante wird wie folgt vorbereitet. CaZrO3 als Hauptkomponente, drei Gewichtsprozent pulverisiertes Glas, das aus Silikat aus mindestens einem Oxid zusammenge­ setzt ist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus al­ kalischen Zinntypen, erdalkalischen Zinntypen und Aluminium­ typen als Brennförderer besteht, und ein Molprozent MnO2 als ein Akzeptor gegenüber der CaZrO3-Hauptkomponente werden vermischt. Ein organischer Vinylacetatbinder, eine Disper­ gens, ein Weichmacher und Wasser als Lösungsmittel werden dazu hinzugefügt und gemischt, um einen Keramikschlamm vor­ zubereiten. Unter Verwendung des Keramikschlamms werden zweite Keramikgrünlagen für die obere und untere Schicht mit niedriger Dielektrizitätskonstante gebildet.
Eine leitfähige Nickelpaste wird auf die ersten Keramik­ grünlagen gedruckt, um innere Elektroden zu bilden. Eine vorbestimmte Anzahl von zweiten Keramikgrünlagen wird über­ einandergelegt, um eine untere Schicht mit niedriger Di­ elektrizitätskonstante zu bilden, wobei die ersten Keramik­ grünlagen mit inneren Elektroden gemäß der Anzahl der in­ neren Elektroden 4 in dem monolithischen Kondensator 1 übereinandergelegt sind, und dann eine vorbestimmte Anzahl von zweiten Keramikgrünlagen übereinandergelegt wird, um die obersten Schichten niedriger Dielektrizitätskonstante zu bilden.
Der Schichtkörper wird in der Dickenrichtung unter Druck ge­ setzt, um einen Grünling zu bilden. Der Grünling wird bei etwa 400°C in einem gemischten Sauerstoff-Stickstoff-Gas­ strom entfettet, und dann bei etwa 1300°C in einem gemisch­ ten Stickstoff-Wasserstoff-Gasstrom gebrannt. Ein gesinter­ ter Keramikkörper 2 mit einer Länge von 3,2 mm, einer Breite von 1,6 mm und einer Dicke von 1,0 mm wird auf eine derarti­ ge Art und Weise erhalten. Bei diesem gesinteren Keramikkör­ per 2 ist die Dicke der Keramikschicht zwischen den zwei be­ nachbarten inneren Elektroden, die in der Dickenrichtung liegen, 0,1 mm, und die Dicke der oberen und unteren Schicht mit niedriger Dielektrizitätskonstante 2e und 2f ist 0,155 mm.
Eine Silber- oder Kupfer-Metallelektrodenpaste wird an die erste und die zweite Endfläche 2a und 2b des resultierenden gesinterten Keramikkörpers angebracht und dann gebacken. Nickel und Zinn oder Nickel und Lot werden an die äußeren Flächen plattiert, um die äußeren Elektroden 7 und 8 zu bil­ den. Ein monolithischer Kondensator 1 wird dadurch erhalten.
Ein monolithischer Kondensator wird zum Vergleich wie bei dem obigen Verfahren hergestellt, ausgenommen, daß die ersten Keramikgrünlagen anstelle der zweiten Keramikgrün­ lagen ferner verwendet wurden, um die oberste und die un­ terste Keramikschicht zu bilden. Fig. 4 zeigt zum Vergleich eine Konfiguration des resultierenden monolithischen Konden­ sators. Wie in Fig. 4 gezeigt, weist der gesinterte Keramik­ körper 12 in dem monolithischen Kondensator 11 zum Vergleich eine gleichmäßige Zusammensetzung auf, die BaTiO3 aufweist.
Ein Gleichstrom wird an den monolithischen Kondensator 1 ge­ mäß der vorliegenden Erfindung und den monolithischen Kon­ densator 11 zum Vergleich angelegt, um die Entladestartspan­ nungen an den Oberflächen derselben zu messen. Die Entlade­ startspannung des monolithischen Kondensators 11 ist zum Vergleich 2000 Volt, während dieselbe des monolithischen Kondensators 1 gemäß der vorliegenden Erfindung 2600 Volt ist. Folglich ermöglicht das Vorsehen der oberen und der unteren Schicht mit niedriger Dielektrizitätskonstante 2e und 2f, die CaZrO3 aufweisen, eine höhere Entladestart­ spannung an der Oberfläche ohne die Größe des monolithischen Kondensators zu erhöhen.
Die obere und die untere Schicht mit niedriger Dielektrizi­ tätskonstante 2e und 2f sind oberhalb und unterhalb des Kon­ densatorextraktionsabschnitts 2g gebildet, der bei diesem Beispiel die geschichteten inneren Elektroden 3 bis 6 um­ faßt. Die Seitenflächen des Kondensatorextraktionsabschnitts 2g können mit einer Reduktions-resistenten dielektrischen Keramik bedeckt sein, die CaZrO3 aufweist, um weiter die Entladestartspannung an der Oberfläche zu erhöhen.
Bei dem monolithischen Kondensator gemäß der vorliegenden Erfindung weist der Kondensatorextraktionsabschnitt, der zwischen der Mehrzahl der inneren Elektroden angeordnet ist, eine Reduktions-resistente BaTiO3-Keramik auf, die eine re­ lative hohe Dielektrizitätskonstante aufweist, während die obere und die untere Fläche des Kondensatorextraktionsab­ schnitts eine Reduktions-resistente CaZrO3-Keramik mit einer relativ niedrigen Dielektrizitätskonstante aufweisen. Folg­ lich kann die Entladung von der oberen und der unteren Flä­ che unterdrückt werden, um die Spannungsfestigkeit zu er­ höhen. Das heißt, daß das obere und das untere Ende des Kon­ densatorextraktionsabschnitts aus einer Reduktions-resisten­ ten Keramik zusammengesetzt sind, die CaZrO3 aufweist. Daher kann die Spannungsfestigkeit ohne eine erhöhte Dicke ver­ bessert werden.
Sowohl die Reduktions-resistente BaTiO3-Keramik als auch die Reduktions-resistente CaZrO3-Keramik können in einer re­ duzierenden Atmosphäre gebrannt und fest miteinander ver­ bunden werden. Folglich können die inneren Elektroden aus einem stark oxidierbaren unedlen Metall gebildet sein, und daher können die Materialkosten des monolithischen Kondensa­ tors reduziert werden. Dementsprechend kann ein kompakter und kostengünstiger monolithischer Kondensator mit einer hohen Spannungsfestigkeit, der für die Mittel- bis Hoch­ spannungsanwendung geeignet ist, vorgesehen werden.
Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel des gesinterten Keramikkörpers sind die Seitenflächen des Kondensatorextrak­ tionsabschnitts oder das gesinterte Keramikmaterial mit ei­ ner Reduktions-resistenten CaZrO3-Keramik bedeckt. Folglich kann der Überschlag an den Seitenoberflächen des gesinterten Keramikkörpers 2 wirkungsvoll unterdrückt werden. Dement­ sprechend kann ein monolithischer Kondensator mit einer wei­ ter verbesserten Spannungsfestigkeit vorgesehen werden.

Claims (2)

1. Monolithischer Kondensator (1), der einen gesinterten Keramikkörper (2) aufweist, mit folgenden Merkmalen:
einer gesinterten Keramikmatrix;
einer Mehrzahl von inneren Elektroden (3, 4, 5, 6), die in der Dickenrichtung in dem gesinterten Keramikkörper (2) angeordnet sind, und die durch die gesinterte Keramikmatrix getrennt sind und sich wechselnd zu ge­ genüberliegenden ersten und zweiten Seitenflächen des gesinterten Keramikkörpers (2) erstrecken; und
einer oberen (2e) und einer unteren (2f) Keramik­ schicht, die oberhalb und unterhalb der gesinterten Keramikmatrix vorgesehen sind;
wobei die gesinterte Keramikmatrix eine Reduktions-re­ sistente Keramik aufweist, die BaTiO3 aufweist;
wobei die obere (2e) und die untere (2f) Keramikschicht eine Reduktions-resistente Keramik aufweisen, die CaZrO3 aufweist; und
wobei die Mehrzahl von inneren Elektroden (3, 4, 5, 6) ein unedles Metall aufweist.
2. Monolithischer Kondensator (1) gemäß Anspruch 1, bei dem die Seitenflächen der gesinterten Keramikmatrix mit einer Reduktions-resistenten Keramik bedeckt sind, die CrZrO3 aufweist.
DE19903572A 1998-02-12 1999-01-29 Monolithischer Kondensator Ceased DE19903572A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP02971898A JP3275818B2 (ja) 1998-02-12 1998-02-12 積層コンデンサ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE19903572A1 true DE19903572A1 (de) 1999-09-23

Family

ID=12283901

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19903572A Ceased DE19903572A1 (de) 1998-02-12 1999-01-29 Monolithischer Kondensator

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6229686B1 (de)
JP (1) JP3275818B2 (de)
DE (1) DE19903572A1 (de)
GB (1) GB2334377B (de)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3376963B2 (ja) * 1999-06-30 2003-02-17 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法
JP3734662B2 (ja) * 2000-02-16 2006-01-11 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサとその製造方法
DE10147898A1 (de) * 2001-09-28 2003-04-30 Epcos Ag Elektrochemisches Bauelement mit mehreren Kontaktflächen
US7463474B2 (en) 2002-04-15 2008-12-09 Avx Corporation System and method of plating ball grid array and isolation features for electronic components
US7152291B2 (en) 2002-04-15 2006-12-26 Avx Corporation Method for forming plated terminations
US6982863B2 (en) 2002-04-15 2006-01-03 Avx Corporation Component formation via plating technology
US7177137B2 (en) 2002-04-15 2007-02-13 Avx Corporation Plated terminations
US6960366B2 (en) 2002-04-15 2005-11-01 Avx Corporation Plated terminations
US7576968B2 (en) 2002-04-15 2009-08-18 Avx Corporation Plated terminations and method of forming using electrolytic plating
TWI260657B (en) 2002-04-15 2006-08-21 Avx Corp Plated terminations
US6873916B2 (en) * 2002-10-18 2005-03-29 Symyx Technologies, Inc. Application specific integrated circuitry for controlling analysis of a fluid
KR101108958B1 (ko) * 2003-02-25 2012-01-31 쿄세라 코포레이션 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조방법
GB2406714B (en) * 2003-04-08 2005-11-09 Avx Corp Plated terminations
JP4497247B2 (ja) * 2008-02-19 2010-07-07 株式会社村田製作所 積層型セラミック電子部品の製造方法
JP5428315B2 (ja) * 2008-12-11 2014-02-26 株式会社村田製作所 電子部品
JP4983873B2 (ja) * 2009-07-31 2012-07-25 Tdk株式会社 積層電子部品
CN106158367A (zh) * 2011-03-03 2016-11-23 株式会社村田制作所 陶瓷电容器组件的制造方法
JP5313289B2 (ja) * 2011-04-15 2013-10-09 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ
KR102064008B1 (ko) * 2013-01-15 2020-02-17 삼성전기주식회사 적층 커패시터, 적층 커패시터가 실장된 기판
JP5652487B2 (ja) * 2013-03-04 2015-01-14 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
WO2014148133A1 (ja) * 2013-03-19 2014-09-25 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
JP5897661B2 (ja) * 2013-08-30 2016-03-30 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ
KR102089700B1 (ko) * 2014-05-28 2020-04-14 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터, 적층 세라믹 커패시터의 제조 방법 및 적층 세라믹 커패시터의 실장 기판
JP6377957B2 (ja) * 2014-05-29 2018-08-22 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ
JP2015008312A (ja) * 2014-08-13 2015-01-15 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ、これを含む積層セラミックコンデンサ連、および、積層セラミックコンデンサの実装体
JP6616929B2 (ja) * 2018-02-15 2019-12-04 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ
JP6527612B2 (ja) * 2018-02-15 2019-06-05 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ
KR20190116142A (ko) * 2019-07-24 2019-10-14 삼성전기주식회사 적층형 커패시터 및 그 실장 기판
JP2023051426A (ja) * 2021-09-30 2023-04-11 Tdk株式会社 薄膜キャパシタ、電源モジュールおよび電子機器

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB193059A (de) * 1922-02-10 1924-06-12 Emil Pfiffner
GB743700A (en) * 1952-10-04 1956-01-18 Steatit Magnesia Ag Improvements in or relating to electric condensers
JPS5856431A (ja) 1981-09-30 1983-04-04 Adamando Kogyo Kk キヤピラリ−チツプ
JPS6076028A (ja) 1983-09-30 1985-04-30 Toshiba Corp 光学的情報記録再生装置
JPS61147404A (ja) * 1984-12-18 1986-07-05 太陽誘電株式会社 誘電体磁器組成物
JPH0669978B2 (ja) 1985-11-19 1994-09-07 住友化学工業株式会社 シクロアルカノ−ルの製造方法
JPS62210612A (ja) 1986-03-11 1987-09-16 株式会社村田製作所 積層コンデンサ
JPH0648666B2 (ja) * 1987-09-29 1994-06-22 三菱マテリアル株式会社 積層セラミックコンデンサ及びその製法
JP2800017B2 (ja) * 1989-04-05 1998-09-21 株式会社村田製作所 積層セラミックスコンデンサ
US5600533A (en) * 1994-06-23 1997-02-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer ceramic capacitor having an anti-reducing agent
US5879812A (en) * 1995-06-06 1999-03-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Monolithic ceramic capacitor and method of producing the same

Also Published As

Publication number Publication date
GB2334377A8 (en) 2001-10-17
US6229686B1 (en) 2001-05-08
GB2334377B (en) 2001-01-24
JP3275818B2 (ja) 2002-04-22
JPH11233363A (ja) 1999-08-27
GB2334377A (en) 1999-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19903572A1 (de) Monolithischer Kondensator
DE69732065T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines monolithischen keramischen Kondensators
DE69913284T2 (de) Dielektrische keramische Zusammensetzung und monolithischer keramischer Kondensator
DE69728457T2 (de) Dielektrische keramische Zusammensetzung und diese verwendender keramischer Kondensator
DE69835044T2 (de) Dielektrische Keramik und monolitischer keramischer Kondensator diese enthaltend
DE19906582B4 (de) Dielektrische keramische Zusammensetzung, laminierter Keramikkondensator und Verfahren zur Herstellung des laminierten Keramikkondensators
DE4008507A1 (de) Laminiertes lc-filter
EP0958620A1 (de) Piezoaktor mit neuartiger kontaktierung und herstellverfahren
WO2004077583A1 (de) Elektrisches vielschichtbauelement und schichtstapel
DE102004001241B4 (de) Dielektrische Keramiken und deren Verwendung in einem Monolithischen Kramikkondensator
KR100320135B1 (ko) 모놀리식 세라믹 커패시터
DE4005184C2 (de)
DE4005505C2 (de) Monolithischer keramischer Kondensator
EP1425762B1 (de) Elektrisches vielschichtbauelement
DE19903500A1 (de) Dünnschichtschaltkreis mit Bauteil
DE10006352A1 (de) Piezoelektrischer Keramikkörper mit silberhaltigen Innenelektroden
DE102006015723A1 (de) Mehrschichtiger Chipvaristor
EP1369881B1 (de) Elektrisches Vielschichtbauelement
DE4233403C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Mehrlagen-Hybriden
EP2054951B1 (de) Piezoelektrisches bauelement
DE10039649A1 (de) Monolithische keramische Elektronikkomponente und Verfahren zum Herstellen einer monolithischen keramischen Elektronikkomponente
DE102020118857B4 (de) Vielschichtkondensator
DE102004029411B4 (de) Keramischer Mehrschichtkondensator
DE10134751C1 (de) Elektrokeramisches Bauelement
DE4410753C2 (de) Kondensator-Array

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8131 Rejection