DE19857851A1 - Detektionsgerät für physikalische und/oder chemische Größen - Google Patents
Detektionsgerät für physikalische und/oder chemische GrößenInfo
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- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 69
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 108090000862 Ion Channels Proteins 0.000 description 1
- 102000004310 Ion Channels Human genes 0.000 description 1
- 241001465754 Metazoa Species 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
- G01K7/015—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions using microstructures, e.g. made of silicon
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/34—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors
-
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K1/00—Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
- G01K1/02—Means for indicating or recording specially adapted for thermometers
- G01K1/04—Scales
- G01K1/045—Scales temperature indication combined with the indication of another variable
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
- H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
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- H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/03529—Shape of the potential jump barrier or surface barrier
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier
- H01L31/103—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier the potential barrier being of the PN homojunction type
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/112—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor
- H01L31/1124—Devices with PN homojunction gate
- H01L31/1126—Devices with PN homojunction gate the device being a field-effect phototransistor
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Detektionsgerät für physikalische
und/oder chemische Größen (Erscheinungen), das insbesondere mehrere
physikalische und/oder chemische Größen nahezu gleichzeitig zu erfassen
vermag.
Die physikalischen und chemischen Größen umfassen Temperatur, Licht im
allgemeinen Sinn der Bedeutung (sichtbares Licht, Ultraviolettstrahlung, Infra
rotstrahlung, Röntgenstrahlung, elektromagnetische Wellen usw.), Konzen
tration, Magnetismus, Druck, Beschleunigung, Geschwindigkeit, Schallwellen,
Ultraschallwellen, Oxidations-Reduktionspotential, Reaktionsrate und andere
verschiedene Größen bzw. Erscheinungen.
Diese physikalischen oder chemischen Größen werden bisher einzeln mittels
Elementen, wie beispielsweise eines Temperatursensors, eines Photosensors,
eines physikalischen Sensors und eines chemischen Sensors, und Umsetzen in
verschiedene elektrische Signale (Strom, Spannung, Widerstand, Kapazität,
Potential) beobachtet.
Wenn beispielsweise in dem Fall eines als typischer thermischer Sensor bekann
ten pyroelektrischen Sensors sich die Temperatur ändert, wird eine elektrische
Ladung in dem pyroelektrischen Element erzeugt, und dessen Potentialänderung
wird durch einen FET (Feldeffekttransistor) verstärkt und gelesen. In dem Fall
einer als beispielhaftem Photosensor bekannten Photodiode wird die durch Licht
erzeugte elektrische Ladung als ein elektrischer Strom abgegriffen. Bei einem
Drucksensor, der den piezoelektrischen Effekt ausnützt und als Beispiel eines
physikalischen Sensors bekannt ist, wird die Widerstandsänderung durch Druck
ausgelesen. Bei der Messung von pH mittels eines ISFET (ionensensitiver
Feldeffekttransistor), der als ein repräsentativer chemischer Sensor üblich ist,
ändert sich, da Wasserstoffionen auf einer Ansprechmembran absorbiert
werden, der Kanalleitwert, und durch Messen des in dem FET fließenden
Stromes wird der pH-Wert der Lösung gemessen.
Weiterhin wurde eine Abbildung versucht, indem diese verschiedenen Sensoren
parallel in zweidimensionaler Richtung angeordnet werden und gleichzeitig die
Ausgangsverteilung gewonnen wird. Ein repräsentatives Beispiel hiervon ist eine
Festkörper-Abbildungsvorrichtung. Bei dieser Vorrichtung ist eine Vielzahl von
Photodioden zweidimensional angeordnet, die elektrische Ladung, die in den
Photodioden abhängig von der Intensitätsverteilung des einfallenden Lichtes
erzeugt wird, wird in der internen Kapazität für eine spezifische Zeit an
gesammelt, und die Signale werden nach außen zeitseriell in spezifischen
Zeitintervallen mittels einer Ladungsübertragungsvorrichtung oder einer MOS-
Transistoranordnung ausgegeben.
Jedoch werden in keinem dieser Sensoren und Vorrichtungen Signale oder
Verteilungen von mehreren physikalischen und/oder chemischen Größen gleichzeitig
und an gleicher Stelle beobachtet.
Ausgehend von dieser Tatsache ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein
Detektionsgerät für physikalische und/oder chemische Größen bzw. Erschei
nungen (im folgenden auch Größendetektionsgerät genannt) anzugeben, das in
der Lage ist, mehrere physikalische und/oder chemische Größen bzw. Erschei
nungen, die zur gleichen oder nahezu zur gleichen Zeit und am gleichen oder
nahezu gleichen Ort auftreten, zu beobachten.
Zur Lösung dieser Aufgabe sieht die vorliegende Erfindung ein Detektionsgerät
vor, wie dieses im Patentanspruch 1 angegeben ist. Vorteilhafte Weiterbildungen
der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Das erfindungsgemäße Größendetektionsgerät umfaßt Größendetektions
einheiten zum Detektieren physikalischer und/oder chemischer Größen zum
Einschließen elektrischer Signale von zwei oder mehr physikalischen und/oder
chemischen Größen wenigstens nahezu gleichzeitig, wobei die Einheiten auf
einer Seite eines Halbleitersubstrates vorgesehen sind.
Gemäß dem so aufgebauten Größendetektionsgerät können elektrische Aus
gangssignale (Strom, Spannung, Ladung, usw.) von mehreren physikalischen
und/oder chemischen Größen, die zu einer gleichen oder nahezu gleichen Zeit
und an einem gleichen oder nahezu gleichen Ort auftreten, erhalten werden, so
daß die wechselseitigen Wirkungen von bisher unbekannten physikalischen
und/oder chemischen Größen ermittelt werden können. Durch gleichzeitige
Kenntnisnahme von zwei oder mehr physikalischen und/oder chemischen
Größen können Erscheinungen oder Größen, die mit den bestehenden einzigen
Detektionsvorrichtungen nicht gefunden sind, aufgedeckt werden.
Durch eindimensionales oder zweidimensionales Anordnen der Größendetek
tionseinheiten kann eine Verteilung von mehreren physikalischen und/oder
chemischen Größen ermittelt werden. Da weiterhin Ausgangssignale dieser
Größendetektionseinheiten elektrische Ausgangssignale, wie beispielsweise
Strom, Spannung und Ladung, sind, können durch Ansammeln der Ausgangs
signale für eine spezifische Zeit die Ausgangssignale der einzelnen Größendetek
tionseinheiten zeitseriell herausgenommen werden. Als ein Ergebnis ist es ein
facher, die Ausgangssignale in dem Fernsehschirm oder einem Computer abzu
arbeiten, so daß die zweidimensionale Verteilung der physikalischen und/oder
chemischen Erscheinungen mit hoher Empfindlichkeit und hoher Auflösung
beobachtet werden kann.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert.
Fig. 1 ist ein Diagramm, das ein erstes Beispiel eines Größendetek
tionsgerätes in einem ersten Ausführungsbeispiel zeigt.
Fig. 2 ist ein Beispiel einer Zeitkurvendarstellung zum Erläutern des
Betriebs des Gerätes.
Fig. 3 ist ein Diagramm, das ein Anwendungsbeispiel des Gerätes
veranschaulicht.
Fig. 4 ist ein Diagramm, das ein Beispiel eines Größendetektions
gerätes in einem zweiten Ausführungsbeispiel veranschaulicht.
Fig. 5 ist ein Zeitdiagramm zum Erläutern des Betriebes des Gerätes.
Fig. 6 ist ein Diagramm, das ein Beispiel eines Größendetektions
gerätes in einem dritten Ausführungsbeispiel veranschaulicht.
Fig. 7 ist ein Zeitdiagramm zum Erläutern des Betriebes des Gerätes.
Fig. 8 ist ein Diagramm, das ein Anwendungsbeispiel des Gerätes zeigt.
Fig. 9 ist ein Diagramm, das ein Beispiel eines Größendetektions
gerätes in einem vierten Ausführungsbeispiel zeigt.
Fig. 10 ist ein Zeitdiagramm zum Erläutern des Betriebes des Gerätes.
Fig. 11 ist ein Diagramm, das ein Beispiel des Größendetektionsgerätes
in einem fünften Ausführungsbeispiel veranschaulicht.
Fig. 12 ist ein Zeitdiagramm zum Erläutern des Betriebes des Gerätes.
Anhand der Zeichnungen werden nunmehr bevorzugte Ausführungsbeispiele der
Erfindung im folgenden in Einzelheiten erläutert.
Die Fig. 1 und 2 zeigen ein erstes Ausführungsbeispiel. Das Größendetektions
gerät in diesem Ausführungsbeispiel ist in der Lage, gleichzeitig eine Lichtstärke
(physikalische Erscheinung bzw. Größe) und eine Ionenkonzentration (chemi
sche Erscheinung oder Größe) an gleicher Stelle zu erfassen.
Fig. 1 zeigt einen Größendetektionsgerät-Hauptkörper 1, der wie folgt aufgebaut
ist. Ein Halbleitersubstrat 2 besteht beispielsweise aus einem p-Typ-Silizium
substrat. Auf einer Seite (Oberseite in dem veranschaulichten Beispiel) dieses
Siliziumsubstrates 2 sind drei n-Typ-Diffusionsregionen 3, 4, 5 in geeigneten In
tervallen gebildet. Zwischen den Diffusionsregionen 3 und 4 sind über einen
Dünnoxidfilm eine Barriere 6, eine Sensoreinheit 7 als Größendetektionseinheit
zum Erfassen physikalischer und/oder chemischer Größen und eine Leseelek
trode 8 ausgestaltet. Zwischen den Diffusionsregionen 4 und 5 ist über einen
Dünnoxidfilm ein Rücksetzgatter 90 gebildet.
Die Sensoreinheit 7 ist mit einem Siliziumnitridfilm überzogen, um in der Lage
zu sein, Wasserstoffionen zu erfassen. Diese Sensoreinheit 7, die aufgebaut ist,
um auch Lichtstärke zu erfassen, kann daher auch als eine pH-Sensoreinheit
(Detektor einer chemischen Größe) bezeichnet werden, die mit einer Licht
sensoreinheit (Detektor einer physikalischen Größe) kombiniert ist.
Die Diffusionsregion 3 arbeitet als eine Eingangsdiode und ist unter einem posi
tiven Potential vorgespannt, da eine positive Eingangsspannung (Veingang (ver
gleiche Fig. 2 (A))) immer angelegt ist. Die Diffusionsregion 4 ist eine elektrisch
schwimmende bzw. floatende Region und ist aufgebaut, um die Ionensignalladung
oder eine Lichtsignalladung zu leiten, die in der Sensoreinheit 7 erhalten
ist, indem ein Potential Vlese (vergleiche Fig. 2(B)) der Leseelektrode 8 ange
hoben wird.
Das Anfangspotential der Diffusionsregion 4 wird durch die an die Diffusions
region 5 angelegte Spannung und die an das Rücksetzgatter 9 angelegte Span
nung Vrest (vergleiche Fig. 2(C)) bestimmt. Die Ladung in der Diffusionsregion 4
kann mittels einer Sourcefolgerschaltung 10 eines MOS-Transistors von dessen
Ausgangsanschluß 11 abgegriffen werden. Die Sourcefolgerschaltung 10 des
MOS-Transistors besteht aus einer Drainregion 12 und einer Sourceregion 13,
die n-Typ-Diffusionsregionen sind, an die eine angemessene Spannung
(beispielsweise etwa 5 V) angelegt ist, und einer Gateelektrode 14 sowie einem
Widerstand 15, der elektrisch mit der Diffusionsregion 4 verbunden ist.
In Fig. 1 ist eine Bezugselektrode 16 mit einer geeigneten Strom- bzw.
Spannungsquelle verbunden. Außerdem sind Anschlüsse 17 bis 22 zum Anlegen
von Spannung vorgesehen.
In dem so aufgebauten Größendetektionsgerät wird der Betrieb im folgenden
anhand eines Zeitdiagrammes in Fig. 2 erläutert. Der Größendetektionsgerät-
Hauptkörper 1 wird in eine (nicht gezeigte) Lösung gebracht. In diese Lösung
wird die Bezugselektrode 16 eingetaucht, um deren Potential zu bestimmen. Das
Siliziumsubstrat 2 wird geerdet. In diesem Zustand breitet sich unter der Sen
soreinheit 7 des Siliziumsubstrates 2 eine Verarmungsschicht 23 abhängig von
der an der Bezugselektrode 16 anliegenden Spannung und der pH-Konzentration
In der Lösung aus.
Zunächst soll zur Erläuterung der Erfassung einer Lichtstärke angenommen
werden, daß Licht in die obere Fläche des Siliziumsubstrates 2 eintritt. Wenn
Licht in die Verarmungsschicht 23 eintritt, werden Elektronen-Loch-Paare gebil
det und Löcher werden nach außen von dem Siliziumsubstrat 2 entladen,
während Elektronen in der Verarmungsschicht 23 angesammelt werden. Die
Diffusionsregion 4 ist bei einem Anfangspotential festgelegt, welches eine posi
tive Spannung an dem Rücksetzgatter 9 anlegt, bevor die in der Verarmungs
schicht 23 angesammelten Elektronen einfließen. Durch Anlegen einer positiven
Spannung an die Leseelektrode 8 in einer Rechteck- bzw. Quadratwelle beginnen
Elektronen in die Diffusionsregion 4 zu fließen, die vorläufig bei einem spezifi
schen Potential festgelegt ist, und das Potential in dieser Diffusionsregion 4 wird
verändert. Durch Lesen dieser Potentialänderung in der Sourcefolgerschaltung
10 kann die Intensität des Lichtes erfaßt werden.
Im folgenden wir die Erfassung des pH-Wertes der Lösung erläutert, wobei das
Potential der Bezugselektrode 16 festgelegt ist, während das Potential der Verar
mungsschicht 23 unter der Sensoreinheit 7 abhängig von der pH-Konzentration
der Lösung schwankt. Die Eingangsdiode 3 ist immer bei einer positiven Span
nung vorgespannt, und wenn dieses Potential niedriger als das Potential der
Barriere 6 ist, springen Elektronen über die Barriere 6 und gelangen in die Ver
armungsschicht 23 unter der Sensoreinheit 7. Wenn das Potential der Eingangs
diode 3 wieder höher als das Potential der Barriere 6 angehoben wird (Rückkehr
zum Potential in dem Anfangszustand), wird die elektrische Ladung abhängig
von der pH-Konzentration der Lösung unter der Sensoreinheit 7 übriggelassen.
Folglich werden, wie in Fig. 2(B) gezeigt ist, durch Anlegen einer positiven Span
nung an die Leseelektrode 8 in einer Rechteck- bzw. Quadratwelle die Elektro
nen rückgesetzt und fließen in die Diffusionsregion 4, die zuvor auf ein höheres
Potential gesetzt ist, um dadurch das Potential in dieser Diffusionsregion 4 zu
verändern. Durch Lesen dieser Potentialänderung in der Sourcefolgerschaltung
10 kann der pH-Wert der Lösung erfaßt werden.
Somit können gemäß dem Größendetektionsgerät von diesem Aufbau die Licht
stärke und die pH-Konzentration nahezu gleichzeitig und an gleicher Stelle
ermittelt werden. Bei diesem Größendetektionsgerät, das in Fig. 2(D) gezeigt ist,
können ein Spannungssignal S1 bezüglich der Lichtstärke und ein Spannungs
signal S2 bezüglich des pH-Wertes von dem gleichen Ausgangsanschluß 11
erhalten werden.
Fig. 3 zeigt ein Anwendungsbeispiel des Größendetektionsgerätes, und in dem in
Fig. 3 dargestellten Aufbau sind mehrere Sensoreinheiten 7 in Linien und
Reihen zweidimensional angeordnet, wobei die elektrische Ladung, die in der
Leseelektrode 8 fließt, durch eine CCD (ladungsgekoppelte Vorrichtung) oder
dergleichen übertragen und an den Ausgangsanschluß 11 durch die Source
folgerschaltung 10 ausgelesen wird, so daß die zweidimensionale Information
zeitseriell abgegriffen werden kann. Fig. 3 zeigt außerdem eine Horizontal-CCD
23 und eine Vertikal-CCD 24.
Obwohl dies nicht gezeigt ist, können mehrere Sensoreinheiten 7 ebenfalls ein
dimensional angeordnet werden.
Die Fig. 4 und 5 beziehen sich auf ein zweites Ausführungsbeispiel. Das Größen
detektionsgerät gemäß diesem Ausführungsbeispiel kann die Lichtstärke (physi
kalische Größe) und die Ionenkonzentration (chemische Größe) an der gleichen
Stelle zur gleichen Zeit erfassen.
In dem Größendetektionsgerät des Ausführungsbeispiels wird anstelle des Sili
ziumsubstrates 2 ein SOI-(Silizium-auf-Isolator-)Substrat als ein Halbleiter
substrat verwendet, und ein Spannungssignal bezüglich einer Lichtstärke sowie
ein Spannungssignal bezüglich eines pH-Wertes werden von verschiedenen Aus
gangsanschlüssen erhalten.
Das heißt, in Fig. 4 bezeichnet ein Bezugszeichen 25 ein SOI-Substrat, in
welchem eine SiO2-Schicht 27 als ein Isolator und ein einkristallines n-Typ-Sili
ziumsubstrat 28 auf der Oberseite eines Siliziumsubstrates 26 gebildet sind. In
diesen SOI-Substrat 25 ist eine p-Typ-Region 28P in der oberen Hälfte des n-Typ-Silizium
substrates 28 vorgesehen, und notwendige Teile einschließlich der
Sensoreinheiten 7, die die gleichen wie in dem ersten Ausführungsbeispiel sind,
sind in dieser p-Typ-Region 28P vorgesehen. Eine n-Typ-Region 28N ist in der
unteren Hälfte des n-Typ-Siliziumsubstrates angeordnet.
Weiterhin ist in Fig. 4 ein Signalausgangsanschluß 29 als eine Bauteilkompo
nente der Sourcefolgerschaltung 10 vorgesehen, und ein Spannungssignal
bezüglich des pH-Wertes wird zu diesem Anschluß 29 ausgegeben. Ein Signal
ausgangsanschluß 30 ist mit der p-Typ-Region 28P verbunden, und ein Span
nungssignal bezüglich der Lichtstärke wird zu diesem Anschluß 30 ausgegeben.
Eine Vorspannungsquelle 31 legt eine Vorspannung an die p-Typ-Region 28P
und die n-Typ-Region, wie in Fig. 4 gezeigt ist, und deren Kathodenseite ist mit
der Masseseite des Widerstandes 15 der Sourcefolgerschaltung 10 verbunden,
während deren Anodenseite an den Signalausgangsanschluß 30 angeschlossen
ist.
Der Betrieb des so aufgebauten Größendetektionsgerätes wird anhand des Zeit
diagrammes in Fig. 5 beschrieben. Der Größendetektionsgerät-Hauptkörper 1
und die Bezugselektrode 16 sind in einem Zustand installiert, in welchem sie in
eine in dem Diagramm nicht gezeigte Lösung eingetaucht sind.
Wenn zunächst bei der Erläuterung der Erfassung der Lichtstärke das Licht in
die Verarmungsschicht 23 unter der Sensoreinheit 7 eintritt, werden Elektro
nen-Loch-Paare gebildet, und Löcher werden nach außen von dem Silizium
substrat 2 entladen, während Elektronen in der Verarmungsschicht 23 ange
sammelt werden. Nachdem die Signale für eine spezifische Zeit angesammelt
sind, kann durch Erhöhen der Vorspannung Vsub für das Substrat 28 durch die
Vorspannungsquelle 31 (vergleiche Fig. 5(D)) die elektrische Ladung in der Ver
armungsschicht 23 in die n-Typ-Region 28N fließen, und ein Spannungssignal
(vergleiche Fig. 5(F)) bezüglich der Lichtstärke wird von dem Ausgangsanschluß
30 erhalten. Dies beruht darauf, daß durch Erhöhen der Spannung Vsub an dem
Substrat 28 das Barrierepotential zwischen der Sensoreinheit 7 und der Region
28P abgesenkt und ein Potentialgradient gebildet wird.
Sodann ist eine Erfassung des pH-Wertes der Lösung die gleiche wie in dem
ersten Ausführungsbeispiel, und ein Ausgangssignal, wie dieses in Fig. 5(E)
gezeigt ist, wird von dem Ausgangsanschluß 29 ausgegeben. Nebenbei zeigt Fig.
5(A) eine Eingangsspannung Veingang für die Eingangsdiode 3, Fig. 5(B) zeigt
eine an der Leseelektrode liegende Spannung Vlese, und Fig. 5(C) gibt eine an
dem Rücksetzgatter 9 liegende Rücksetzspannung Vrest an.
In dem Größendetektionsgerät des zweiten Ausführungsbeispiels können wie in
dem ersten Ausführungsbeispiel mehrere Sensoreinheiten 7 entweder ein
dimensional oder zweidimensional angeordnet sein.
In diesen Ausführungsbeispielen ist eine Sensoreinheit 7 ausgelegt, um den pH-Wert
und Licht beide zu erfassen; jedoch kann sie auch gestaltet sein, um den
pH-Wert und Licht durch verschiedene Sensoreinheiten zu ermitteln, wie dies
unten an einem dritten Ausführungsbeispiel erläutert wird.
Die Fig. 6 und 7 zeigen das dritte Ausführungsbeispiel, und in Fig. 6 sind n-Typ-
Diffusionsregionen 34, 33 gezeigt, die in einem p-Typ-Siliziumsubstrat 2 unter
einem geeigneten Intervall gebildet sind. Hier hat die Diffusionsregion 33 eine
Photodiodenstruktur, und deren Oberseite ist eine Sensoreinheit für sichtbares
Licht. Durch die Diffusionsregionen 4, 33 und die Leseelektrode 31 wird eine
Lichtstärke-Detektionseinheit 34 gebildet. Der Teil 35 zwischen den Diffusions
regionen 3, 4 wird als eine auf pH ansprechende pH-Sensoreinheit gestaltet. Der
Aufbau der Sensoreinheit 35 ist der gleiche wie derjenige der Sensoreinheit in
dem ersten Ausführungsbeispiel. Durch die pH-Sensoreinheit 35 und die
Diffusionsregionen 3, 4 wird die pH-Detektionseinheit 36 gebildet.
In Fig. 6 liegt ein gewöhnlich offener Schalter 37 zwischen der Diffusionsregion
3 und Massepotential, eine Strom- bzw. Spannungsquelle 38 ist mit einem
Widerstand 15 verbunden, und außerdem ist ein Signalausgangsanschluß 39
vorgesehen.
Der Betrieb des so aufgebauten Größendetektionsgerätes wird im folgenden
anhand des Zeitdiagrammes in Fig. 7 beschrieben. Der Größendetektionsgerät-
Hauptkörper 1 und die Bezugselektrode 16 sind in einem Zustand installiert, in
welchem sie in eine in dem Diagramm nicht gezeigte Lösung eingetaucht sind.
Um zunächst die Lichtstärke zu erfassen, liegt eine positive Spannung VG (ver
gleiche Fig. 7(B)), die gleich wie oder größer als die Schwellenwertspannung ist,
an der Leseelektrode 9 über einen Anschluß 21, und sodann liegt eine inverse
bzw. umgekehrte Vorspannung, die nahezu gleich zu der Spannung VD ist, die
den Anschluß 38 beaufschlagt, an der Sensoreinheit 33 für sichtbare Strahlung,
und wenn daher die Spannung der Leseelektrode 90 zu dem Massepotential
zurückkehrt, bleibt die inverse Vorspannung, die nahezu gleich zu der
Spannung VD ist, an der Sensoreinheit 33 für sichtbare Strahlung liegen,
welche so in einem elektrisch floatenden Zustand ist.
Wenn in diesem Zustand Licht in die Sensoreinheit 33 für sichtbares Licht ein
tritt, werden in der Verarmungsschicht Elektronen-Loch-Paare gebildet, die in
der Sensoreinheit 33 für sichtbares Licht streuen, und elektrische Ladungen
werden in der Kapazität angesammelt, die durch den pn-Übergang gebildet ist,
der in der Sensoreinheit 33 für sichtbares Licht besteht, und die an der
Sensoreinheit 33 für sichtbares Licht liegende inverse Vorspannung wird
kleiner. Nach Ansammeln dieser Ladungen für eine spezifische Zeit fließt, wenn
die Spannung VG wieder an der Leseelektrode 9 anliegt, die gesammelte Ladung
durch den Widerstand 15 heraus, und ein Spannungsabfall entsprechend dem
Lichtsignal tritt an dem Ausgangsanschluß 39 (S1 in Fig. 7(C)) auf. Zu dieser
Zeit wird die Spannung der Sensoreinheit 33 für sichtbare Strahlung in den
Anfangszustand nahezu gleich zu der Spannung VD wieder rückgesetzt, wenn
der Strom fließt. Somit wird die Lichtintensität bzw. -stärke als ein Spannungs
wert gewonnen.
Im folgenden wird die Erfassung eines pH-Wertes der Lösung erläutert, wobei
diese pH-Erfassung realisiert wird, während Lichtsignale angesammelt werden,
d. h., während die Spannung VG nicht an der Leseelektrode 9 anliegt, kann
durch Einschalten des Schalters 37 das pH-Signal ausgelesen werden (S2 in Fig.
7(C)). Das heißt, der Leitwert des Kanales der in der Zwischenfläche des
Siliziums unter der pH-Sensoreinheit 35 und des Oxidfilmes auftritt, hängt von
der pH-Konzentration in der Lösung ab, und damit entspricht der in der
Zwischenfläche fließende Strom der pH-Konzentration. Daher hängt die an dem
Ausgangsanschluß 39 beobachtete Spannung von der pH-Konzentration der
Lösung ab.
In dem Größendetektionsgerät des dritten Ausführungsbeispiels treten Signale
der Lichtstärke und der pH-Konzentration abwechselnd an dem Ausgangs
anschluß 39 auf, wie dies in Fig. 7(C) gezeigt ist, und sie können abwechselnd
beobachtet werden. Durch Stoppen von entweder dem Schaltbetrieb des
Schalters 37 oder der Spannungsanlegeoperation an die Leseelektrode 9 kann
lediglich entweder die Lichtstärke oder die pH-Konzentration beobachtet werden.
Fig. 8 zeigt ein Anwendungsbeispiel des Größendetektionsgerätes in dem dritten
Ausführungsbeispiel, und bei dem in Fig. 8 dargestellten Aufbau sind mehrere
Lichtstärke-Detektionseinheiten 34 und pH-Detektionseinheiten 36 in Linien
und Reihen zweidimensional angeordnet, und sie werden sequentiell durch
Schieberegister 40, 41 angesteuert, so daß das optische Bild und das pH-Kon
zentrationsverteilungsbild in der nahezu gleichen Region und zu der nahezu
gleichen Zeit beobachtet werden können.
Obwohl dies in dem Diagramm nicht gezeigt ist, können die mehreren Licht
stärke-Detektionseinheiten 34 und pH-Detektionseinheiten 36 auch eindimen
sional vorgesehen werden.
In den vorangehenden Ausführungsbeispielen ist die pH-Konzentration als das
Beispiel einer chemischen Erscheinung gezeigt jedoch können auch andere
Ionenkonzentrationen erfaßt werden.
Die Fig. 9 und 10 beziehen sich auf ein viertes Ausführungsbeispiel, und das
Größendetektionsgerät in diesem Ausführungsbeispiel ist ausgelegt, um Tem
peratur und Druck zu erfassen. Das heißt, Fig. 9 zeigt ein SOI-Substrat 42, in
welchem eine SIO2-Schicht 44 als ein Isolator und ein monokristallines n-Typ-Sili
ziumsubstrat 45 auf der Oberseite eines Siliziumsubstrates 43 gebildet sind.
Auf der Oberseite des SOI-Substrates 42 sind gewöhnlich n-Kanal-Transistoren
46, 47, 48 vorgesehen. Für eine Anpassung an die Kanäle der n-Kanal-Tran
sistoren 46, 47, 48 wird das Substrat 43 durch Ätzen entfernt, und eine
Membran 49 wird als eine Größendetektionseinheit gebildet. Weiterhin ist auf
der Oberseite eines Gatters 50 der n-Kanal-Transistoren 46, 47, 48 ein pyro
elektrisches Element 53 mit oberen und unteren Elektroden 51, 52 als eine
Größendetektionseinheit vorgesehen. Dieses pyroelektrische Element 53 besteht
beispielsweise aus PZT- oder PZLT-Keramiken oder PVDF (Polyvinyliden-Fluorid),
oder dergleichen.
Fig. 9 zeigt eine Sourcefolgerschaltung 54, einen Ausgangsanschluß 55 und
einen Widerstand 56. Außerdem ist ein Spannungsanlegeanschluß 57 vorge
sehen.
Für das so aufgebaute Größendetektionsgerät wird der Betrieb im folgenden
anhand des Zeitdiagrammes von Fig. 10 beschrieben. Wenn zuerst die Erfassung
von Druck erläutert wird, so kann der Druck ermittelt werden, indem die Änderung
des Kanalleitwertes der n-Kanal-Transistoren 46, 47, 48 abhängig vom
Druck erfaßt wird. Das heißt, das pyroelektrische Element 53 erzeugt keine
Spannung im stationären Zustand, und die Gatespannung ist nahezu Null, und
das Ausgangssignal aufgrund des Druckes kann erhalten werden, indem der in
den n-Kanal-Transistoren 46, 47, 48 fließende Strom beobachtet wird, und
dieser Strom wird von der Sourcefolgerschaltung 54 gewonnen. In Fig. 10
bedeutet SP ein Drucksignal.
Hinsichtlich der Temperatur wird durch Zerhacken der Wärme (Infrarot
strahlung), die in das pyroelektrische Element 53 eintritt, durch einen (nicht ge
zeigten) Zerhacker eine Spannung entsprechend der Wärme bei dem pyroelektri
schen Element 53 induziert, und die Gatespannung von n-Kanal-Transistoren
46, 47, 48 ändert sich, so daß sich der in den n-Kanal-Transistoren 46, 47, 48
fließende Strom verändert. Daher ist durch Messen des Stromes vor einem
Zerhacken und Lesen der Differenz die Temperaturverteilung bekannt. In Fig. 10
bedeutet SP + Sir ein Drucksignal plus Temperatursignal.
Gemäß dem Größendetektionsgerät in diesem Ausführungsbeispiel ist bei einer
Druckdetektion eine Temperaturkorrektur möglich.
Darüber hinaus kann durch eine eindimensionale oder zweidimensionale
Konfiguration der Größendetektionsgerät-Hauptkörper in dem Ausführungsbeispiel
eine räumliche Verteilung von Druck und Temperatur detektiert werden.
In den vorangehenden Ausführungsbeispielen sind die physikalischen Erschei
nungen und/oder chemischen Erscheinungen als Objekte einer Erfassung
jeweils zwei Erscheinungen; jedoch ist die Erfindung hierauf nicht begrenzt, und
es können drei oder mehr Erscheinungen bzw. Größen detektiert werden. Ein
Größendetektionsgerät zum Erfassen von drei Erscheinungen bzw. Größen wird
im folgenden beschrieben.
Die Fig. 11 und 12 beziehen sich auf ein fünftes Ausführungsbeispiel, und das
Größendetektionsgerät in diesem Ausführungsbeispiel kann drei Größen oder
Erscheinungen, d. h., Temperatur, Druck und sichtbares Licht, erfassen. Mit an
deren Worten, das in Fig. 11 gezeigte Größendetektionsgerät hat Regionen 58,
59, die dem in Fig. 9 gezeigten Aufbau beigefügt sind, wobei insbesondere die
Region 59 eine Photodiode ist, die für sichtbare Strahlung empfindlich ist, und
eine Detektionseinheit 60 für sichtbare Strahlung aus Bereichen 48, 58, 59 ist
beigefügt. Sourcefolgerschaltungen 54A, 55A haben den gleichen Aufbau wie die
Sourcefolgerschaltung 54 in dem vierten Ausführungsbeispiel, und ein Drucksi
gnal sowie ein Temperatursignal werden an einem Ausgangsanschluß 55A von
einer Sourcefolgerschaltung 54A ausgegeben, während ein Signal für sichtbare
Strahlung zu einem Ausgangsanschluß 55B der anderen Sourcefolgerschaltung
54B abgegeben ist. Außerdem sind ein Spannungsanlegeanschluß 61 und eine
mit einem Widerstand 56B der Sourcefolgerschaltung 54B verbundene Strom-
bzw. Spannungsquelle 62 gezeigt.
Der Betrieb des so aufgebauten Größendetektionsgerätes wird im folgenden
anhand des Zeitdiagrammes von Fig. 12 beschrieben. Zunächst ist eine
Erfassung von Druck und Temperatur die gleiche wie in dem Größendetektions
gerät in dem vierten Ausführungsbeispiel, und in diesem Ausführungsbeispiel
wird wie in Fig. 12(C) gezeigt ist, ein Drucksignal Sp oder ein Drucksignal Sp +
ein Temperatursignal Sir zu dem Ausgangsanschluß 55A der Sourcefolger
schaltung 54A ausgegeben.
Für das Signal für sichtbare Strahlung wird dieses durch Anlegen einer positi
ven Spannung Vg (vergleiche Fig. 12(B)) an die Region 48, die als Leseelektrode
wirkt, bei Eingabe von sichtbarer Strahlung erzeugt, und die in der Sensorein
heit für sichtbare Strahlung angesammelte elektrische Ladung kann ausgelesen
werden. Deren Ausgangssignal Sk wird zu dem Ausgangsanschluß 55B der
Sourcefolgerschaltung 54B ausgegeben, wie dies in Fig. 12(D) gezeigt ist.
Darüber hinaus kann durch eindimensionale oder zweidimensionale Konfigurati
on der Größendetektionsgerät-Hauptkörper in dem Ausführungsbeispiel eine
räumliche Verteilung von Druck, Temperatur und sichtbarer Strahlung detek
tiert werden.
Bei dem erfindungsgemäßen Größendetektionsgerät können elektrische Ausgangssignale
von mehreren physikalischen und/oder chemischen Erscheinungen
bzw. Größen, die zur gleichen oder nahezu zur gleichen Zeit am gleichen oder
nahezu am gleichen Ort auftreten, erhalten werden, und die Wechselwirkung
von bisher unbekannten physikalischen und/oder chemischen Erscheinungen
kann ermittelt werden. Indem so zwei oder mehr physikalische und/oder chemi
sche Erscheinungen gleichzeitig detektiert werden, können Erscheinungen ent
deckt werden, die mit bestehenden Einzel-Detektionselementen nicht zu ermit
teln sind.
Durch Integrieren solcher Größendetektionsvorrichtungen mit hoher Dichte
durch Verwenden der integrierten Schaltungstechnologie und Ansammeln in der
Zeit wird ein Gerät hoher Auflösung und großer Empfindlichkeit erhalten, und
eine zweidimensionale Verteilung von physikalischen Erscheinungen und/oder
chemischen Erscheinungen kann mit hoher Empfindlichkeit und großer
Genauigkeit beobachtet werden.
Claims (7)
1. Detektionsgerät für physikalische Erscheinung bzw. Größe und/oder
chemische Erscheinung bzw. Größe, umfassend:
Größendetektionseinheiten zum Erfassen physikalischer Erscheinungen und/oder chemischer Erscheinungen zum Liefern elektrischer Signale von zwei oder mehr physikalischen Erscheinungen und/oder chemischen Erscheinungen wenigstens nahezu gleichzeitig, wobei die Größendetektionseinheiten auf einer Seite eines Halbleitersubstrates (1) vorgesehen sind.
Größendetektionseinheiten zum Erfassen physikalischer Erscheinungen und/oder chemischer Erscheinungen zum Liefern elektrischer Signale von zwei oder mehr physikalischen Erscheinungen und/oder chemischen Erscheinungen wenigstens nahezu gleichzeitig, wobei die Größendetektionseinheiten auf einer Seite eines Halbleitersubstrates (1) vorgesehen sind.
2. Detektionsgerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Größendetektionseinheiten eindimensional angeordnet sind.
3. Detektionsgerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Größendetektionseinheiten zweidimensional angeordnet sind.
4. Detektionsgerät nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Halbleitersubstrat (1) ein SOI-Substrat ist.
5. Detektionsgerät nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekenn
zeichnet, daß dem Halbleitersubstrat (1) eine Sourcefolgerschaltung nach
geschaltet ist.
6. Detektionsgerät nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekenn
zeichnet, daß die physikalischen und/oder chemischen Erscheinungen Größen
wie Temperatur, Druck, pH-Wert. usw. sind.
7. Detektionsgerät nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Größendetektionseinheiten (7) in das Halbleitersubstrat (1)
eingebettet sind.
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8364 | No opposition during term of opposition | ||
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