JP4641444B2 - 物理現象または化学現象に係るポテンシャル測定装置 - Google Patents
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Description
図1(A)および(B)は、この発明に係る物理現象または化学現象のポテンシャル測定装置の基本的な構成(第1構成例)を例示する。
制御調整部22においては、後段にて詳述するセンサデバイス25の対する印加電圧の制御を行うとともに、センサデバイス25の出力特性の修正を行う。修正方法およびそのときのセンサデバイスの出力特性については、後述するが、こうした修正処理を所定のシーケンスによって自動的に行うことが可能である。特に、定時測定を行う装置の場合には自動的に測定前に修正処理・調整することによって、高い測定精度を確保することができる。むろん手動あるいは外部信号による随時の修正処理も可能とすることが好ましい。
図3は、この発明に係る物理現象または化学現象の測定するセンサデバイス25の基本的な構成を例示する。
(1)p型Si基板Bを熱酸化し、酸化膜(SiO2)を形成し、その上に窒化膜(Si3N4)を形成する。
(2)その一部分をエッチングし、その部分を選択的に酸化する。その後、その選択的に酸化された部分のSiO2をエッチングし、さらに熱酸化することによりゲート酸化膜Pを形成する。このゲート酸化膜の膜厚は約500Åである。
(3)その上面の電荷供給調節部2や障壁部4にそれぞれ対応する部分にリンドープされた低抵抗のポリシリコンを堆積させて電極を形成する。この電極の膜厚は約3000Åで、堆積させた後、約1000Å程度熱酸化する。
(4)その後、Si3N4(Ta2O5またはAl2O3でもよい)を700Å程度堆積してセンシング部3を形成する。
(1)初期電位状態
当初は、電荷供給部1の電位は高く(矢印方向が高い)設定されており、センシング部3には電荷は供給されていない。
(2)電荷の供給
電荷供給部1の電位を下げることによって、センシング部3に電荷を供給する。
(3)電荷の蓄積
電荷供給部1の電位を上げることによって、供給された電荷の一部がオーバーフローし電荷供給調節部2によって制限された量の電荷がセンシング部3に蓄積される。
(4)電荷の転送
障壁部4の電位を上げることによって、センシング部3に蓄積された電荷をフローティングディフュージョン5に転送する。
(5)電荷の測定
障壁部4の電位を下げて閉じ、電荷の流入を止める。この電位をMOS構造の出力トランジスタなどによって測定する。
(6)リセット
フローティングディフュージョン5の電位を読み取った後、リセットゲート6をオンにしてリセットドレイン7から電荷を供出し、フローティングディフュージョン5の電位をリセットドレイン7の電位にリセットする。
(7)検出サイクル
上記のリセットにより、再び(1)と同じ状態に戻ることになる。つまり、検出サイクルとは、このように、(1)〜(6)の動作を繰り返すことをいい、これによって、センシング部3での電位の状態に対応した電荷量を順次出力することができる。
n[回] :蓄積回数
CFD[F] :フローティングディフュージョンの電荷容量
ΔVs :センシング部の電位変化
次に、上記図1のような出力特性のセンサを有する装置について、センサの出力特性の修正方法を図5、図6および表1に基づき説明する。
(3−1)立ち上がりREF電圧を合致させる。つまり、図5の特性B(Eb0、ΔV1)のようにΔE=Eb0−Eb1分シフトさせる。具体的には、後述するケミカルCCDのようなセンサデバイス25については、センシング部3に供給する電荷量を制御して「立ち上がりREF電圧」を調整することができる。このときのセンサデバイス25の各構成部位の電位は、図6(B)および表1の状態(B)に例示する状態になる。
(3−2)REF電圧の立ち上がり傾斜度を合致させる。つまり、図5の特性C(Eb1、ΔV0)のように傾きΔV0を傾きΔV1にシフトさせる。具体的には、後述するケミカルCCDのようなセンサデバイス25については、電荷供給部1の電位をΔSシフトするように制御して「REF電圧の立ち上がり傾斜度」を調整することができる。このときのセンサデバイス25の各構成部位の電位は、図6(C)および表1の状態(C)に例示する状態になる。
(3−3)以上の(3−1)と(3−2)をその順番にあるいは逆に、さらには同時に実施することによって目標とするセンサの出力特性の修正を行うことができる。
図7(A)および(B)は、デュアルタイプのセンサデバイスを有する物理現象または化学現象のポテンシャル測定装置の構成(第2構成例)を例示する。
(1)初期条件設定開始コマンドを開始する。
(2)同じ測定条件で、比較電極の電位をスキャニングし、2つのセンサデバイスCH1およびCH2の比較電極電位−出力電圧特性を取得する。
(3)2点以上比較電極電位、出力電圧がCH1とCH2とで一致する点が出るまで、電荷供給調整部(CON)のレベル、電荷供給部(SOR)のLOWレベルを自動的に調整し、最適条件を見つける。
その際できる限り比較電極電位が0に近づくよう調整することが好ましい。電位が高くなりすぎると、電気分解を生じる可能性があるためである。
(4)一致した時点での測定条件設定をメモリする。
(5)サンプルを測定する。この時にそのメモリされた設定条件を自動的に設定し、測定を開始する。
このときの各電極の設定を表2のとおりとする。
(3)出力電圧が、例えば4Vと6VのときのCH1とCH2の比較電極の電圧差を比較し、出力電圧が4V、6Vのいずれかで比較電極電位が一致するまで、CH2のCON電圧を減少させる(「立ち上がりREF電圧」の調整完了)。
(4)CH1とCH2の出力電圧が4Vで一致した場合、次に、SORのLOWレベルを10mV単位で減少させる。
(5)出力電圧が6Vのときに一致した場合、SORのLOWレベルを10mV単位で上昇させる(「REF電圧の立ち上がり傾斜度」の調整)。
(6)SORのLOWレベルを変化させると、出力電圧が一致点から再びずれていく。このとき、再び(3)〜(5)の工程を行い徐々に近づけていく。
(7)出力電圧が4Vと6Vで、CH1とCH2の比較電極電位の差がともに10mV未満になった時点で調整を終了する。「初期設定終了」と表示する。
(8)実際に調整後の各電極の測定条件を以下に示す。
(10)次のサンプルを測定する際には、その条件を使用するか、もしくは再度測定初期設定を行う。
本発明に係る測定装置は、実際に図9に例示するような計測装置あるいは評価装置として利用することができる。上記のようなセンサデバイス25を含む測定手段31、本体32、本体からの各種信号・指令を表示するとともに、データおよび画像をソフト画面として表示するパソコン33から構成される。本体32においては、測定手段31からの出力を演算処理することによって出力データおよび画像データを作成するとともに、センサデバイス25の電位などを制御するとともに、センサの出力特性の修正を自動的に行う。作成されたデータは、ULBを介して例えば反応評価を行う評価装置としてパソコン33に入力し、画像としてソフト画面に表示することによって、試料の物理現象あるいは化学現象を定量的に把握することができる。また、パソコン33においては、外部との信号・指令のやりとりを行う。
(1)ケミカルCCD動作および装置の駆動に必要な電源をすべて含むことが好ましい。ケミカルCCDはセンサの駆動電力が小さく、小容量の電源の仕様が可能であり、可搬型装置としての利用も可能となる。
(2)ケミカルCCDのデータを、経時変化、比較電極電位スキャンモード、CON電位スキャンモードで観察できるようにすることが好ましい。装置の機能は自動化が好ましいが、測定装置の主要部、特にセンサの特性に関する情報の把握は、試料からの正確な情報入手に有用である。直接センサデバイスの状態を知ることによって、デバイスを構成する各部位の状態を把握することができ、接液部の汚れや破損の有無など保守の必要性を判断することができるとともに、センサの出力特性は修正機能が適切に働く状態か否かの判断を行うことができる。
(3)ケミカルCCDにおいては動作スピードを変更することができることが好ましい。後述するように、試料の二次元測定において特定の部位を高精度に測定したい場合には、そのセンサ部の検出サイクルを増加したり、使用するセンサ部を増加することがある。こうした場合、転送効率にあった動作スピードに変更することによって、より精緻な測定が可能となる。試料の部分的な測定精度あるいは試料の全体の把握など測定目的に合った機能の調整が有用である。
(4)CDS回路(Correlated Double Sampling回路)を内蔵することが好ましい。リセット時と信号読み出し時の2つのタイミングの信号の差を読み取る、といった機能を有することによって、リセットノイズ低減効果を得ることができる。ワンプッシュあるいは自動的にセンサの出力特性の調整が可能となる。
(5)データを平均化する時間の設定をすることができることが好ましい。本発明は、試料中の低濃度の特定成分を測定対象とすることがある。こうした場合、検出出力に含まれるいわゆるランダムノイズを低減するためにデータを平均化することが好ましい。一方、測定の迅速化の面からは平均化する時間は短い方が好ましく、高濃度測定の場合は長い平均化する時間は必要がない。従って、任意に平均化する時間を設定することによって、特定成分の濃度あるいは測定範囲あるいは精度・仕様に対応した測定装置を提供することが可能となる。データの繰り返し平均あるいは平均化するデータの数量を変更可能とすることによって、測定目的に合った測定精度あるいは試料の全体の把握など機能の調整が可能である。特に、データの移動平均を行う場合には有用である。
さらに、1つのフローティングディフュージョンに対し電荷転送部を介して複数のセンサ部からの電荷を順次移動させるCCD機能を有することによって、物理的または化学的な現象の一次元分布または二次元分布を容易に画像化することができる。具体的には、図10に例示するような第3構成例が可能である。
(1)各センサ部10(a,a)、10(a,b)、・・・の「立ち上がりREF電圧」および「REF電圧の立ち上がり傾斜度」を把握し、
(2)そのうちの特定のセンサ部(例えばセンサ部10(a,a))の出力特性を基準として、センサ部10(a,a)の出力特性と他のセンサ部10(a,b)、10(a,c)・・・が合致するように、センサ部10(a,b)、10(a,c)・・・の荷供給調整部(CON)のレベル、電荷供給部(SOR)のLOWレベルを自動的に修正することによって、デバイス間の出力特性のバラツキあるいは経時変化を補正することができる。
(1)化学顕微鏡としての応用分野・化学;イオン濃度計測・電気化学的分野、ガス分布計測分野・滴定の二次元的動的観察および解析
(2)環境計測・環境;バイオリメディエーションへの適用
(3)食品検査・食品、微生物
(4)ME分野・医学・生態組織;組織細胞の表面イオン濃度計測、細胞表面電位計測、DNA計測
(5)バイオ分野
(6)動植物分野・植物;カルスの表面電位分布計測・生物・正面図動物
(7)腐蝕計測分野・金属;金属腐蝕と塗装・コーティング
(8)ゼータ電位等表面解析・粉体、セラミックスのゼータ電位。
2 電荷供給調整部
3 センシング部
4 障壁部
5 フローティングディフュージョン
6 リセットゲート
7 リセットドレイン
8 入出力処理部
21 センサユニット(検出系)
22 制御調整部
23 試料液
24 試料導入部
25 センサデバイス
26 比較電極(基準電位設定部)
Claims (4)
- 電荷をセンシング部に供給する電荷供給部、物理的または化学的な量の大きさに対応して電位が変化するセンシング部、該センシング部に供給された電荷を取出すフローティングディフュージョン、を有する少なくとも1つの検出系と、
前記センシング部が当接する試料導入部に設けて前記検出系の測定電位を規定する基準電位設定部と、を有する測定装置であって、
該基準電位設定部の電位をスキャンして前記検出系の出力特性を取得し、
前記センシング部に供給する電荷量の制御によって該出力特性の立ち上がりREF電圧の調整を行い、
前記出力特性を自動的に修正する、制御調整部を有することを特徴とする物理現象または化学現象に係るポテンシャル測定装置。 - 電荷をセンシング部に供給する電荷供給部、物理的または化学的な量の大きさに対応して電位が変化するセンシング部、該センシング部に供給された電荷を取出すフローティングディフュージョン、を有する少なくとも1つの検出系と、
前記センシング部が当接する試料導入部に設けて前記検出系の測定電位を規定する基準電位設定部と、を有する測定装置であって、
該基準電位設定部の電位をスキャンして前記検出系の出力特性を取得し、
前記電荷供給部の電位の制御によって該出力特性のREF電圧の立ち上がり傾斜度の調整を行い、
前記出力特性を自動的に修正する、制御調整部を有することを特徴とする物理現象または化学現象に係るポテンシャル測定装置。 - 同一の構造の電荷をセンシング部に供給する電荷供給部、物理的または化学的な量の大きさに対応して電位が変化するセンシング部、該センシング部に供給された電荷を取出すフローティングディフュージョン、を有する少なくとも一対の検出系と、
前記一対のセンシング部がともに当接する試料導入部に設けて前記検出系の測定電位を規定する基準電位設定部と、を有する測定装置であって、
前記一対の検出系の一方が物理的または化学的な量の大きさに対応して電位が変化するセンシング部を有する前記機能を有する検出系Aと、他方が物理的または化学的な量の変化に感応しないセンシング部を有しセンシング部以外の機能を同じくする検出系Bによって構成されるとともに、
該基準電位設定部の電位をスキャンして前記両検出系の出力特性を取得し、
いずれか一方の検出系の出力特性を基準として、
該他方のセンシング部に供給する電荷量の制御によって他方の出力特性の立ち上がりREF電圧の調整を行い、
該他方の電荷供給部の電位の制御によって他方の出力特性のREF電圧の立ち上がり傾斜度の調整を行い、
両出力特性が略合致するように自動的に修正する、制御調整部を有することを特徴とする物理現象または化学現象に係るポテンシャル測定装置。 - 電荷をセンシング部に供給する電荷供給部、物理的または化学的な量の大きさに対応して電位が変化するセンシング部、該センシング部から転送された電荷を蓄積するセンシング電荷蓄積部、を有する複数の検出系と、
該センシング電荷蓄積部に供給された電荷を取り出す少なくとも1のフローティングディフュージョンと、前記検出系とフローティングディフュージョンの中間に配設された電荷転送手段と、
前記センシング部が当接する試料導入部に設けて前記検出系の測定電位を規定する基準電位設定部と、を有する測定装置であって、
前記電荷転送手段が電荷結合素子であり、複数のセンシング電荷蓄積部の電荷を1つのフローティングディフュージョンに転送するとともに、
特定の検出系の出力特性を基準に、各センシング部に供給する電荷量の制御によって前記特定の検出系を除く他の検出系の出力特性の立ち上がりREF電圧の調整を行い、
各電荷供給部の電位の制御によって特定の検出系を除く他の検出系の出力特性のREF電圧の立ち上がり傾斜度の調整を行い、
特定の検出系の出力特性と、特定の検出系を除く他の検出系の各出力特性が略合致するように自動的に修正する、制御調整部を有することを特徴とする物理現象または化学現象に係るポテンシャル測定装置。
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JP5474020B2 (ja) * | 2011-09-29 | 2014-04-16 | 富士フイルム株式会社 | 撮影装置、撮影プログラム、及び撮影方法 |
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Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000065786A (ja) * | 1998-08-20 | 2000-03-03 | Horiba Ltd | 電解液のpH分布測定装置 |
JP2001033274A (ja) * | 1999-07-23 | 2001-02-09 | Horiba Ltd | 物理/化学二次元分布測定装置 |
JP2001050897A (ja) * | 1999-08-10 | 2001-02-23 | Horiba Ltd | 化学二次元分布測定装置 |
JP2001244454A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Horiba Ltd | 分子認識型化学ccdデバイス |
JP2002009274A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-11 | Horiba Ltd | 化学ccdセンサ |
JP2002098667A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-05 | Japan Science & Technology Corp | 累積型化学・物理現象検出装置 |
JP2002221510A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Japan Science & Technology Corp | 蓄積型化学・物理現象検出装置 |
JP2002221435A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Japan Science & Technology Corp | 累積型化学・物理現象検出装置のリセット雑音除去回路 |
JP2002261249A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-13 | Makoto Ishida | 半導体記憶素子 |
JP2003014691A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-15 | Horiba Ltd | Ccdセンサ |
WO2003042683A1 (en) * | 2001-11-16 | 2003-05-22 | Bio-X Inc. | Fet type sensor, ion density detecting method comprising this sensor, and base sequence detecting method |
Family Cites Families (2)
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---|---|---|---|---|
JP4231560B2 (ja) * | 1997-05-29 | 2009-03-04 | 株式会社堀場製作所 | 化学量の分布の電気化学的測定方法および装置 |
JP4183789B2 (ja) * | 1998-01-14 | 2008-11-19 | 株式会社堀場製作所 | 物理現象および/または化学現象の検出装置 |
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Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000065786A (ja) * | 1998-08-20 | 2000-03-03 | Horiba Ltd | 電解液のpH分布測定装置 |
JP2001033274A (ja) * | 1999-07-23 | 2001-02-09 | Horiba Ltd | 物理/化学二次元分布測定装置 |
JP2001050897A (ja) * | 1999-08-10 | 2001-02-23 | Horiba Ltd | 化学二次元分布測定装置 |
JP2001244454A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Horiba Ltd | 分子認識型化学ccdデバイス |
JP2002009274A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-11 | Horiba Ltd | 化学ccdセンサ |
JP2002098667A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-05 | Japan Science & Technology Corp | 累積型化学・物理現象検出装置 |
JP2002221510A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Japan Science & Technology Corp | 蓄積型化学・物理現象検出装置 |
JP2002221435A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Japan Science & Technology Corp | 累積型化学・物理現象検出装置のリセット雑音除去回路 |
JP2002261249A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-13 | Makoto Ishida | 半導体記憶素子 |
JP2003014691A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-15 | Horiba Ltd | Ccdセンサ |
WO2003042683A1 (en) * | 2001-11-16 | 2003-05-22 | Bio-X Inc. | Fet type sensor, ion density detecting method comprising this sensor, and base sequence detecting method |
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