JP2001033274A - 物理/化学二次元分布測定装置 - Google Patents
物理/化学二次元分布測定装置Info
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- JP2001033274A JP2001033274A JP11209039A JP20903999A JP2001033274A JP 2001033274 A JP2001033274 A JP 2001033274A JP 11209039 A JP11209039 A JP 11209039A JP 20903999 A JP20903999 A JP 20903999A JP 2001033274 A JP2001033274 A JP 2001033274A
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Abstract
とのできる物理/化学二次元分布測定装置を提供するこ
と。 【解決手段】 物理的または化学的な量の大きさに対応
して深さを変化するように構成されたポテンシャル井戸
に電荷を注入して、前記物理的または化学的な量をこの
ポテンシャル井戸の大きさに応じた電荷に変換する単位
センサ2を二次元的に複数配置するとともに、これら複
数の単位センサ2のそれぞれからの電荷を順次転送する
複数のCCD4Cからなる物理/化学二次元分布測定装
置において、複数のCCD4Cを一列に配置してなる一
つのCCD列4Vの両側にそれぞれ、複数の単位センサ
2からなるセンサ列3を一列ずつ配置し、前記一列のC
CD列4Vによってその両側に設けられるセンサ列3に
おける単位センサ2の電荷を順次転送するようにした。
Description
または化学現象を定量化する物理/化学二次元分布測定
装置に関する。
化学現象と表記する)には、濃度、温度、磁気、圧力、
加速度、速度、音波、超音波、酸化還元電位、反応速度
など様々な現象があり、従来においては、前記物理/化
学現象の大きさを、電流、電圧、抵抗値、容量値、電位
など種々の電気信号を用いて定量化していた。しかしな
がら、このような従来の定量化手法では、複数点の情報
を同時に取り込むことができなかったり、物理/化学現
象を画像化するのが困難であった。
のとして、本願出願人は、前記物理/化学現象における
物理的/化学的な量を電荷に変換することにより、電荷
特有の取扱いを行い、電荷特有の定量化を行うようにし
た技術を開発し、これを「物理現象または化学現象の測
定方法および装置」として特許出願している〔特願平9
−157716号(特開平10−332423号)〕。
測定方法および装置」においては、センサとして、物理
/化学現象に感応する複数の物理/化学センサ(単位セ
ンサ)とこれらの複数の単位センサで生じた信号電荷を
転送する複数のCCD(電荷結合素子)とからなる半導
体センサを用いている。
置における半導体センサの上面の構成を概略的に示す図
である。この図において、1は半導体センサで、物理/
化学現象に感応する複数の単位センサ2からなる。各単
位センサ2の上面は、測定対象である物理/化学現象に
対して感応する膜で覆われており、物理/化学現象の量
に応じた膜電位を感応膜と半導体との界面に生じ、この
電位の変化を利用して前記物理/化学現象の大きさを電
荷信号に変換するもので、矢印Vで示す方向に、例えば
10個の単位センサ2を設けて、センサ列3を構成し、
このセンサ列3を前記矢印Vと直交する矢印Hで示す方
向に例えば5列配置してなるものである。
信号を転送するための電荷転送部で、複数のCCD4C
からそれぞれ構成される複数の垂直CCD4Vおよび一
つの水平CCD4Hとからなる。6は水平CCD4Hか
らの信号を出力する出力部である。
造を示すもので、この図において、7は例えばp型Si
(シリコン)よりなる半導体基板で、厚さ500μm程
度である。
パ8、電荷供給部9、電荷注入調節部10、電荷変換部
としてのセンシング部11、障壁部12、電荷転送部4
を構成するCCD4C、フローティングディフュージョ
ン13、リセットゲート14、リセットドレイン15、
MOS構造の出力トランジスタ16が形成されている。
0、センシング部11および障壁部12の各部材によっ
て一つの単位センサ2が形成されており、センシング部
11は、後に詳しく説明するように、物理的または化学
的な量の大きさに対応して深さを変化するように構成さ
れたポテンシャル井戸からなる。また、フローティング
ディフュージョン13、リセットゲート14、リセット
ドレイン15および出力トランジスタ16の各部材によ
って出力部6が形成されている。
ように、X,Y方向に二次元的に配置してアレイ化する
ことにより、複数点の情報を同時に取り込み、電荷転送
部4および出力部13によって、複数点の信号を秩序よ
く処理することができる。
いて、図9に示した電位図を参照しながら説明する。測
定に際しては、電荷供給部9、障壁部12およびリセッ
トゲート14にパルス電圧を印加する一方、フローティ
ングディフュージョン13を除く他の電極に直流電圧を
印加する。
S構造においては、金属電極に正の電圧を加えることに
よって、その電圧に応じて絶縁膜と半導体の界面に空乏
層が形成されることが知られている。そこで、この現象
を用いて、図9に示すように、半導体−絶縁膜界面近傍
での電位状態を作るのである。
に、電荷供給部9の電位は高く(矢印方向が高い)設定
されており、センシング部11には電荷17は注入され
ていない。
に、電荷供給部9の電位を下げることによって、センシ
ング部11に電荷17を注入する。
に、電荷供給部9の電位を上げることによって、電荷注
入調節部10によってすりきられた電荷17がセンシン
グ部11に蓄積される。
に、障壁部12の電位を上げることによって、センシン
グ部11に蓄積された電荷17をフローティングディフ
ュージョン13に転送する。
に、センシング部11の電荷17が全てフローティング
ディフュージョン13に転送されてから障壁部12を閉
じ、電荷の流入を止める。この段階で、フローティング
ディフュージョン13の電位は転送されてきた電荷17
の量で決まるので、この電位をMOS構造の出力トラン
ジスタ16のゲート部に入力し、この出力トランジスタ
16のドレイン電流をソースフォロア回路で測定する。
に、フローティングディフュージョン13の電位を読み
取った後、リセットゲート14をオンし、リセットドレ
イン15の電位にリセットする。このリセットにより、
再び状態1と同じ状態に戻る。つまり、状態1〜状態6
の動作を繰り返すことにより、電荷を外に出力すること
ができる。
によれば、異なる複数の位置における現象を同時に測定
することができる。物理的/化学的な量を電荷に変換し
ているので、複数のCCD4Cからなる電荷転送部4を
用いることにより物理的または化学的な現象の一次元分
布または二次元分布を容易に画像化することができる。
さらに、複数点の情報を表す電荷を蓄積することにより
微弱な信号の増幅が可能であるから、現象の微小な変化
をも確実に把握することができる。
造の物理/化学二次元分布測定装置においては、図7に
例示したように、一つのセンサ列3に対して一つの垂直
CCD4Vを対応させるように設けているので、物理/
化学現象のセンシングに直接寄与しないCCD4C部分
の面積が大きくならざるを得ず、これが高密度でセンシ
ングを行う上で大きな障害となっていた。
たもので、その目的は、物理/化学現象を高密度でセン
シングすることのできる物理/化学二次元分布測定装置
を提供することである。
め、この発明では、物理的または化学的な量の大きさに
対応して深さを変化するように構成されたポテンシャル
井戸に電荷を注入して、前記物理的または化学的な量を
このポテンシャル井戸の大きさに応じた電荷に変換する
単位センサを二次元的に複数配置するとともに、これら
複数の単位センサのそれぞれからの電荷を順次転送する
複数のCCDからなる物理/化学二次元分布測定装置に
おいて、複数のCCDを一列に配置してなる一つのCC
D列の両側にそれぞれ、複数の単位センサからなるセン
サ列を一列ずつ配置し、前記一列のCCD列によってそ
の両側に設けられるセンサ列における単位センサの電荷
を順次転送するようにしている。
においては、物理/化学現象のセンシングに直接寄与し
ないCCDの占める面積を減ずることができ、複数の単
位センサを高密度で集積して配置できるので、物理/化
学現象を高密度でセンシングすることができる。
ながら説明する。まず、図1は、この発明の物理/化学
現象を測定する装置における半導体センサ18の平面的
な構成を示すもので、例えば、pHの二次元分布を測定
するpH二次元分布装置装置である。この図に示す半導
体センサ18が図7に示した半導体センサ1と大きく異
なる点は、複数のCCD4Cを一列に配置してなる一つ
のCCD列4Vの両側にそれぞれ、複数の単位センサ2
からなるセンサ列3を一列ずつ配置し、前記一列のCC
D列4Vによってその両側に設けられるセンサ列3にお
ける単位センサ2の電荷を順次転送するようにしたこと
である。以下、図2〜図6を参照しながら詳細に説明す
る。
部を示す縦断面図で、p型シリコン基板7の中央に形成
されるCCD4Cを中心にして対称的に、pHに感応す
る単位センサ2A,2Bが形成されており、図3におい
ては単位センサ2A,2Bの主たる構成部材であるセン
シング部も左右対称11A,11Bに形成されている。
そして、図3に示すように、電荷供給部、電荷注入調節
部、障壁部なども前記CCD4Cを中心にして対称的に
形成されている。すなわち、同図において、符号9A,
9Bは電荷供給部、10A,10Bは電荷注入調節部、
12A,12Bは障壁部である。なお、図2において、
10a,10bは電荷注入調節部電極、12a,12b
は障壁部電極である。これらの電極10a,10b,1
2a,12bは、ポリシリコンよりなり、これを酸化し
た後、Si3 N4 やTa2 O5 などを用いてpHに感応
するセンシング部2A,2Bを形成するのである。
する。今、CCD4Cの左右のセンシング部11A,1
1Bが同時にセンシングを行うものとする。この場合、
CCD4Cの左右に設けられる障壁部12A,12Bの
開閉のタイミングがポイントになる。つまり、左右の障
壁部12A,12Bが同じタイミングで開くと、左右の
センシング部11A,11Bの出力が混じり合ってしま
う。これを防ぐには、例えば、左のセンシング部11A
の信号をCCD4Cで読み取る場合、右の障壁部12B
は閉じ、逆に、右のセンシング部11Bの信号をCCD
4Cで読み取る場合には、左の障壁部12Aは閉じるよ
うにするのである。これを、図3に示した電位図を用い
て説明する。
に、電荷供給部9A,9Bにそれぞれプラスの電圧(矢
印方向がプラス)を印加する。このとき、センシング部
11A,11Bには電荷17A,17Bは供給されてい
ない。
に、電荷供給部9A,9Bの電位を0近くまで下げるこ
とによって、センシング部11A,11Bに電荷17
A,17Bを注入する。
に、電荷供給部9A,9Bの電位を電荷注入調節部10
A,10Bの電位以上にして、電荷注入調節部10A,
10Bによって電荷をすりきらせ、すりきられた電荷1
7a,17bがセンシング部11A,11Bに蓄積され
る。
に、左側のセンシング部11Aの信号を読み取るため、
左側の障壁部12Aのみ電位をプラスにし、センシング
部11Aに蓄積されている電荷17aをCCD4Cに転
送する。
に、左側の障壁部12Aの電位を下げ、CCD4Cに送
られた電荷17aを出力アンプに転送する。
に、右側のセンシング部11Bの信号を読み取るため、
右側の障壁部12Bのみ電位をプラスにし、センシング
部11Bに蓄積されている電荷17bをCCD4Cに転
送する。
に、右側の障壁部12Bの電位を下げ、CCD4Cに送
られた電荷17bを出力アンプに転送する。
により、CCD4Cの左右にそれぞれ設けられたセンシ
ング部11A,11Bの信号を混じり合わせることな
く、出力アンプに転送することができる。
A,11Bが同時にセンシングを行い、このセンシング
によって各センシング部11A,11Bに蓄積された電
荷を順次転送するようにしていたが、これに代えて、い
ずれか一方のセンシング部、例えば左側のセンシング部
11Aによってセンシングを行い、これによって蓄積さ
れた電荷をCCD4Cによって転送し、さらに出力アン
プに転送し、その後、右側のセンシング部11Bによっ
てセンシングを行い、これによって蓄積された電荷をC
CD4Cによって転送し、さらに出力アンプに転送する
ようにしてもよい。このようにした場合、センシング部
11A,11Bに電荷が蓄積される時間が短いので、蓄
積されている時間内の信号のロスが少なくなり、より精
度の高いセンシングを行うことができる。
相駆動、3相駆動、2相駆動、1相駆動など各種の方式
があるが、このいずれを用いてもよい。
ば、溶液の異なる複数の位置におけるpHを同時に測定
することができる。そして、同時に測定したpHを電荷
に変換しているので、この電荷信号をCCDなどの技術
を用いることにより、pHの二次元分布を容易に画像化
することができる。
を、図4〜図6を参照しながら説明する。このプロセス
はあくまでも一例であり、また、このプロセスで製作し
たデバイスは、surface channel(表面
チャンネル)の電荷転送方式を用いるものである。
型Siウェーハ21を、酸化炉を用いて1100℃で4
5分程度酸化を行い、上面に1000Å程度の酸化膜
(フィールド酸化膜)22を形成する(図4(A)参
照)。
成する(図4(B)参照)。このチャンネルストッパ8
の形成方法は、前記酸化膜22の上面にSi3 N4 膜2
3を堆積する。次に、Si3 N4 膜23の上面にレジス
トを塗布し、チャンネルストッパ8を形成する部分のレ
ジストのみを除去し、その部分のSi3 N4 膜23およ
び酸化膜22をエッチングによって除去し、その箇所に
ボロン(B)を1×1013/cm2 イオン注入して、拡
散させる。このボロンの拡散方法は、例えば固体の拡散
源をウェーハ21とともに1100℃で15分プレデポ
ジションし、その後、ボロンガラスを除去した後、11
40℃で1時間程度ドライブイン酸化し、10分程度窒
素ガス雰囲気中でアニールする。
た状態で、1100℃で200分間ウェット酸化を行う
ことにより、チャンネルストッパ8のみ選択的に酸化さ
れ、酸化膜24が形成される。このウェット酸化の後、
Si3 N4 膜23をエッチングにより除去する(図4
(C)参照)。
をエッチングし、1000℃で80分間ドライ酸化を行
い、ゲート酸化膜25を形成する(図4(D)参照)。
シリコン26を3000Åの厚みに堆積し、Pドープを
施す(1000℃、20分、ドライブイン20分)(図
5(A)参照)。
ングを行い、1000℃、45分でドライ酸化を施す
(図5(B)参照)。27は導電部である。
4000Åの厚みに堆積し、Pドープを施す(1000
℃、20分、ドライブイン20分)(図5(C)参
照)。
行い、1000℃、45分でドライ酸化を施す(図5
(D)参照)。29は導電部である。
ことにより、選択的にイオン注入(100keV、5×
1015/cm2 )を行って、ソース、ドレインなどのn
拡散層31を形成する(図6(A)参照)。
よりなるpH感応膜32を堆積する(図6(B)参
照)。
H感応膜32や酸化膜25にコンタクトホール33を形
成する(図6(C)参照)。
て、コンタクトホール33を導体化するとともに、パタ
ーニングを行う(図6(D)参照)。34は導電部であ
る。
ば、溶液の異なる複数の位置におけるpHを同時に測定
することができる。そして、同時に測定したpHを電荷
に変換しているので、この電荷信号をCCDなどの技術
を用いることにより、pHの二次元分布を容易に画像化
することができる。
置においては、物理/化学現象のセンシングに直接寄与
しないCCDの占める面積を減ずるようにして、複数の
単位センサを高密度で集積して配置しているので、物理
/化学現象を高密度でセンシングすることができる。
ける半導体センサの平面構成を概略的に示す図である。
る。
ための図である。
5および図6とともに示す図である。
4および図6とともに示す図である。
4および図5とともに示す図である。
半導体センサの平面構成を概略的に示す図である。
ための図である。
CCD列。
Claims (1)
- 【請求項1】 物理的または化学的な量の大きさに対応
して深さを変化するように構成されたポテンシャル井戸
に電荷を注入して、前記物理的または化学的な量をこの
ポテンシャル井戸の大きさに応じた電荷に変換する単位
センサを二次元的に複数配置するとともに、これら複数
の単位センサのそれぞれからの電荷を順次転送する複数
のCCDからなる物理/化学二次元分布測定装置におい
て、複数のCCDを一列に配置してなる一つのCCD列
の両側にそれぞれ、複数の単位センサからなるセンサ列
を一列ずつ配置し、前記一列のCCD列によってその両
側に設けられるセンサ列における単位センサの電荷を順
次転送するようにしたことを特徴とする物理/化学二次
元分布測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20903999A JP4308374B2 (ja) | 1999-07-23 | 1999-07-23 | 化学量の二次元分布測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20903999A JP4308374B2 (ja) | 1999-07-23 | 1999-07-23 | 化学量の二次元分布測定装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001033274A true JP2001033274A (ja) | 2001-02-09 |
JP4308374B2 JP4308374B2 (ja) | 2009-08-05 |
Family
ID=16566253
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20903999A Expired - Fee Related JP4308374B2 (ja) | 1999-07-23 | 1999-07-23 | 化学量の二次元分布測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4308374B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1278060A1 (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-22 | Horiba, Ltd. | CCD sensor |
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-
1999
- 1999-07-23 JP JP20903999A patent/JP4308374B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JPWO2014109314A1 (ja) * | 2013-01-11 | 2017-01-19 | 国立大学法人豊橋技術科学大学 | pHを特定する方法及びその装置並びにイオン濃度を特定する方法 |
US9915629B2 (en) | 2013-01-11 | 2018-03-13 | National University Corporation Toyohashi University Of Technology | Method for identifying pH, device for same, and method for identifying ion concentration |
Also Published As
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