DE19824400A1 - Leiterbahn-Kontaktierungsanordnung und -verfahren - Google Patents

Leiterbahn-Kontaktierungsanordnung und -verfahren

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Abstract

Die vorliegende Erfindung schafft eine Leiterbahn-Kontaktierungsanordnung zum Kontaktieren einer ersten Leiterbahn (40), welche auf einem Substrat (10) aufgebracht und mit einer ersten Isolatorschicht (50) überzogen ist, über ein Kontaktloch (L') in der ersten Isolatorschicht (50) mit einer zweiten Leiterbahn (60). Das Kontaktloch (L') überdeckt einen Bereich über dem ersten Leiter (40) und einen daran angrenzenden Bereich über dem Substrat (10); und die zweite Leiterbahn (60) ist innerhalb des Kontaktlochs (L') vom Kontaktbereich (70) mit der ersten Leiterbahn (40) zum darunterliegenden Substrat (10) hinweisend abgestuft. Dies ermöglicht eine bessere Beherrschbarkeit des Kontaktlochübergangswiderstandes.

Description

STAND DER TECHNIK
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Leiterbahn-Kontak­ tierungsanordnung zum Kontaktieren einer ersten Lei­ terbahn, welche auf einem Substrat aufgebracht und mit ei­ ner ersten Isolatorschicht überzogen ist, über ein Kontakt­ loch in der ersten Isolatorschicht mit einer zweiten Lei­ terbahn, sowie ein entsprechendes Leiterbahn-Kontak­ tierungsverfahren.
Obwohl auf die Kontaktierung beliebiger Leiterbahnen an­ wendbar, werden die vorliegende Erfindung sowie die ihr zu­ grundeliegende Problematik in bezug auf die Kontaktierung einer auf einem Siliziumsubstrat aufgebrachten Platin-Leiter­ bahn und einer Aluminium-Bondlandleiterbahn erläu­ tert.
Fig. 4a-4c sind eine schematische Darstellung einer üblichen Kontaktierungsanordnung, und zwar Fig. 4a in Draufsicht, Fig. 4b in Querschnittsansicht bei positiver Ätzflanke der Isolatorschicht und Fig. 4c in Querschnittsansicht bei ne­ gativer Ätzflanke der Isolatorschicht.
In Fig. 4a-4c bezeichnen Bezugszeichen 10 ein Si-Substrat, 40 eine Platin-Leiterbahn, 50 ein CVD-Oxid, 53 eine positi­ ve Ätzflanke, 55 eine negative Ätzflanke, 60 eine Alumini­ um-Bondlandleiterbahn, 61 einen Stegbereich, 62 einen Land­ bereich, 65 Aluminium-Abschnürungen, 67 eine Abrißkante, L ein Kontaktloch und Rc einen Kontaktlochübergangswider­ stand.
Die in Fig. 4a-4c gezeigte Anordnung dient der Überleitung der länglichen Platin-Leiterbahn 40 über einen schmaleren Stegbereich 61 der Aluminium-Bondlandleiterbahn 60 in einen breiteren Landbereich 62 der Aluminium-Bondlandleiterbahn 60.
Die auf dem Substrat 10 laufende Platin-Leiterbahn 40 wird zunächst vollständig mit der Isolatorschicht aus CVD-Oxid 50 bedeckt. Dann wird im Endbereich der Platin-Leiterbahn 40 das Kontaktloch L im CVD-Oxid 50 durch einen üblichen photolithographischen Ätzprozeß geöffnet. Dabei ist das Kon­ taktloch L von den Rändern des Endbereichs der Platin-Leiter­ bahn 40 beabstandet. Anschließend erfolgen eine Ab­ scheidung und eine Maskierung der Aluminium-Bondlandleiter­ bahn 60, um die in Fig. 4a gezeigte Anordnung zu erhalten.
Zur Beurteilung der Qualität der so erstellten Kontaktie­ rung wird der Kontaktlochübergangswiderstand Rc zwischen dem im CVD-Oxid 50 befindlichen Kontaktloch L und dem zuge­ hörigen Landbereich 62 der Aluminium-Bondlandleiterbahn 60 gemessen.
Insbesondere dient die Messung dieses Kontaktlochübergangs­ widerstands Rc der Charakterisierung des Bedeckungsgrades der Kontaktlochflanken mit Aluminium, wie nachstehend mit Bezug auf Fig. 4b und 4c näher erläutert wird.
Bei einer naßchemischen Öffnung des Kontaktlochs L erhält man üblicherweise gewünschte positive Ätzflanken 53 des CVD-Oxids, welche einen guten Bedeckungsgrad der Kontakt­ lockflanke mit Aluminium und somit einen geringen Kontakt­ lochübergangswiderstand Rc sicherstellen (Fig. 4b).
Bei diesem Standardprozeß kann es jedoch lokal auf einem Wafer zu unerwünschten negativen Ätzflanken 55 des CVD-Oxids und somit zu hohen Kontaktlochübergangswiderständen Rc kommen (Fig. 4c). Deren Ursache kann in in einer inhomo­ gen aufgewachsenen CVD-Oxidschicht 50 und/oder in Verunrei­ nigungen an der Grenzfläche zwischen CVD-Oxidschicht 50 und Platin-Leiterbahn 40 liegen. Insbesondere führen solche ne­ gativen Ätzflanken an den Kontaktlochrändern zu Abschnürun­ gen 65 und Kantenabrissen 67, was zu dem erhöhten Kontakt­ lochübergangswiderstand Rc und im schlimmsten Fall zu einer Unterbrechung der Aluminium-Bondlandleiterbahn 60 und damit zu einem Ausfall des betreffenden Bauelements führen kann.
Als nachteilhaft bei dem obigen bekannten Ansatz hat sich also die Tatsache herausgestellt, daß ein gewisser Anteil (typischerweise einige %) der Bauelemente beim Standardpro­ zeß einen erhöhten Kontaktlochübergangswiderstand Rc auf­ weisen.
VORTEILE DER ERFINDUNG
Die erfindungsgemäße Leiterbahn-Kontaktierungsanordnung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 und das entsprechende Leiter­ bahn-Kontaktierungsverfahren gemäß Anspruch 8 weisen gegen­ über dem bekannten Lösungsansatz den Vorteil auf, daß das Problem des erhöhten Kontaktlochübergangswiderstands durch das spezielle Kontaktlochdesign nicht mehr auftritt. Es wird eine sichere, von den Kontaktlochflanken unabhängige Kontaktierung erreicht, was eine hohe Fertigungsqualität und -ausbeute gewährleistet.
Die der vorliegenden Erfindung zugrundeliegende Idee be­ steht darin, daß das Kontaktloch einen Bereich über dem er­ sten Leiter und einen daran angrenzenden Bereich des Substrates überdeckt; und die zweite Leiterbahn innerhalb des Kontaktlochs vom Kontaktbereich mit der ersten Leiter­ bahn zum darunterliegenden Substrat hin abgestuft ist. Mit anderen Worten weist die zweite Leiterbahn eine Abwärtsstu­ fe auf, und nicht nur eine Aufwärtsstufe auf die Isolier­ schicht wie beim Stand der Technik. Insbesondere ist für die Abwärtsstufe eine kleinere Stufenhöhe und damit eine bessere Stufenüberdeckung möglich. Daher wird man im Ver­ gleich zum Standardprozeß unabhängig von der Dicke der Iso­ latorschicht und von der Flankensteilheit des Kontakt­ lochrandes.
In den Unteransprüchen finden sich vorteilhafte Weiterbil­ dungen und Verbesserungen der in Anspruch 1 angegebenen An­ ordnung bzw. des in Anspruch 11 angegebenen Verfahrens.
Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung liegt die zweite Lei­ terbahn im wesentlichen innerhalb des Kontaktlochs und liegt vorzugsweise nur ihr Randbereich auf der Isolator­ schicht.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist die zweite Leiterbahn eine Bondland-Leiterbahn mit einem auf der ersten Leiterbahn kontaktierten schmaleren Stegbereich und einem sich daran anschließenden breiteren Landbereich.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die erste Leiterbahn einen ösenförmigen Bereich auf, bei dem der Rand des Kontaktlochs auf dem ösenförmigen Bereich liegt. Dies ist insbesondere bei Verwendung eines Naßätz­ verfahrens vorteilhaft, da hierbei entlang von Kanten zwi­ schen der ersten Leiterbahn und der ersten Isolatorschicht Ätzspikes auftreten können, welche zu einer undefinierten Entfernung von der ersten Isolatorschicht unter einer zweckmäßigerweise verwendeten Lackmaske führen.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung liegt der Rand des Kontaktlochs im wesentlichen zentrisch auf dem ösenförmigen Bereich. Dies hilft beim Ausgleich von Prozeß­ toleranzen.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist auf dem Substrat eine zweite Isolatorschicht als elektrische Isola­ tion und/oder Haftschicht für die erste und zweite Leiter­ bahn vorgesehen.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist auf dem Substrat oder auf der zweiten Isolatorschicht eine dritte Isolatorschicht oder leitende Schicht als Haftschicht für die erste Leiterbahn vorgesehen.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung besteht die erste und/oder zweite Isolatorschicht aus mehreren Isola­ torschichten.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung besteht die erste und/oder zweite Isolatorschicht aus einer Kombination elektrisch leitfähiger und nicht-leitfähiger Schichten.
ZEICHNUNGEN
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher er­ läutert.
Es zeigen:
Fig. 1a-1c eine schematische Darstellung einer ersten Aus­ führungsform der Kontaktierungsanordnung gemäß der vorliegenden Erfindung, und zwar Fig. 1a in Draufsicht, Fig. 1b in Querschnittsansicht bei positiver Ätzflanke der Isolatorschicht und Fig. 1c in Querschnittsansicht bei negativer Ätzflanke der Isolatorschicht;
Fig. 2 eine schematische Darstellung zur Erläuterung der Ätzspikeprobleme, welche bei der ersten Ausfüh­ rungsform im Falle eines naßchemischen Ätzverfah­ rens auftreten können;
Fig. 3a-3c eine schematische Darstellung einer zweiten Aus­ führungsform der Kontaktierungsanordnung gemäß der vorliegenden Erfindung, und zwar Fig. 3a in Draufsicht, Fig. 3b in Querschnittsansicht bei positiver Ätzflanke der Isolatorschicht und Fig. 3c in Querschnittsansicht bei negativer Ätzflanke der Isolatorschicht; und
Fig. 4a-4c eine schematische Darstellung einer üblichen Kon­ taktierungsanordnung, und zwar Fig. 4a in Drauf­ sicht, Fig. 4b in Querschnittsansicht bei positi­ ver Ätzflanke der Isolatorschicht und Fig. 4c in Querschnittsansicht bei negativer Ätzflanke der Isolatorschicht.
BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Elemente.
Fig. 1a-1c sind eine schematische Darstellung einer ersten Ausführungsform der Kontaktierungsanordnung gemäß der vor­ liegenden Erfindung, und zwar Fig. 1a in Draufsicht,
Fig. 1b in Querschnittsansicht bei positiver Ätzflanke der Iso­ latorschicht und Fig. 1c in Querschnittsansicht bei negati­ ver Ätzflanke der Isolatorschicht.
In Fig. 1a-1c bezeichnen zusätzlich zu den bereits einge­ führten Bezugszeichen L' ein Kontaktloch, L'1 einen Steg-Kontaktlochbereich, L'2 einen Land-Kontaktlochbereich, R einen Randbereich von der Aluminium-Bondlandleiterbahn 60, 70 einen Kontaktbereich zwischen der Platin-Leiterbahn 40 und der Aluminium-Bondlandleiterbahn 60, 20 eine Nitrid­ schicht, 30 eine Haftschicht aus Reox (= reoxidiertes Sili­ ziumnitrid) und 100 Ätzspikes.
Wie in Fig. 1a-1c illustriert, weist bei dieser ersten Aus­ führungsform das Kontaktloch L' einen Bereich über der Pla­ tin-Leiterbahn 40 und einen daran angrenzenden Bereich über der Nitridschicht 20 auf. Die Aluminium-Bondlandleiterbahn 60 ist innerhalb des Kontaktlochs L' vom Kontaktbereich 70 mit der Platin-Leiterbahn 40 auf die Nitridschicht 20, also zum Substrat 10 hinweisend, abgestuft. Die Aluminium-Bond­ landleiterbahn 60 mit dem auf-der Platin-Leiterbahn 40 im Kontaktbereich 70 kontaktierten schmaleren Stegbereich 61 und dem sich daran anschließenden breiteren Landbereich 62 liegt im wesentlichen innerhalb des Kontaktlochs L' und nur ihr Randbereich R liegt auf der CVD-Oxidschicht 50.
Bei dieser ersten Ausführungsform ist die Aluminium-Bond­ landleiterbahn 60 nicht mehr auf dem CVD-Oxid 50 abgelegt, sondern auf der Nitridschicht 20, wodurch sich eine kleine­ re Stufenhöhe zur Platin-Leiterbahn 40 und ein besserer Überdeckungsgrad der betreffenden Stufe mit Aluminium er­ gibt.
Sowohl der in Fig. 1b gezeigte Fall einer positiven Ätz­ flanke 53 als auch der in Fig. 1c gezeigte Fall einer nega­ tiven Ätzflanke 55 führen zu guten Resultaten des Kon­ taktübergangswiderstandes Rc, da kein Abriß des Aluminium mehr erfolgen kann. Über die Größe des Bereichs 70 am Ende der Platin-Leiterbahn 40 läßt sich die Größe des Kontaktwi­ derstandes einstellen. Durch die Lage des Landbereichs 62 und schmaleren Stegbereichs 61 auf der Nitridschicht 20 wird zudem eine gute Haftung des Aluminiums auf dem Substrat 10 sichergestellt.
Die Platzierung des Landbereichs 62 und schmaleren Stegbe­ reichs 61 auf der Nitridschicht 20 bedingt ein Kontaktloch L', das über die Platin-Leiterbahn 40 hinausragt. Öffnet man das Kontaktloch L' per Plasma- oder Ionenstrahlätzver­ fahren, sind keine weiteren Maßnahmen zu ergreifen.
Öffnet man das Kontaktloch L' jedoch per Naßätzverfahren, können sich Probleme aufgrund von Ätzspikes 100, deren Aus­ breitungsrichtung in Fig. 1a mit Pfeilen dargestellt ist, einstellen.
Fig. 2 ist eine schematische Darstellung zur Erläuterung von solchen Ätzspikeproblemen, welche bei der ersten Aus­ führungsform im Falle eines naßchemischen Ätzverfahrens auftreten können.
In Fig. 2 bezeichnen zusätzlich zu den bereits eingeführten Bezugszeichen 80 einen Fotolack auf dem CVD-Oxid 50 und 90 ein Kontaktlochfenster. Deutlich erkennbar ist, daß entlang von Kanten zwischen der Platin-Leiterbahn und dem CVD-Oxid Ätzspikes 100 auftreten können, welche zu einer undefinier­ ten Entfernung von dem CVD-Oxid unter der Maske aus Foto­ lack 80 führen.
Fig. 3a-3c sind eine schematische Darstellung einer zweiten Ausführungsform der Kontaktierungsanordnung gemäß der vor­ liegenden Erfindung, und zwar Fig. 3a in Draufsicht, Fig. 3b in Querschnittsansicht bei positiver Ätzflanke der Iso­ latorschicht und Fig. 3c in Querschnittsansicht bei negati­ ver Ätzflanke der Isolatorschicht.
Um im Falle der Verwendung eines Naßätzverfahrens den Ätz­ spikes 100 zu begegnen, weist bei dieser zweiten Ausfüh­ rungsform die Platin-Leiterbahn 40 einen ösenförmigen Be­ reich auf, der konturumlaufend um die Aluminium-Bond­ landleiterbahn 60 angeordnet ist. Der Rand des Kontakt­ lochs L' liegt dabei im wesentlichen zentrisch auf dem ösenförmigen Bereich. Auch hier liegt nur der Randbereich R der Aluminium-Bondlandleiterbahn 60 auf dem CVD-Oxid 50.
Die Überätzzeit des Kontaktloches L' im CVD-Oxid 50 sollte möglichst knapp gewählt werden, da sich die Platin-Leiter­ bahn 40 auf einer typischerweise einige 10 nm dicken Reox-Schicht befindet und es innerhalb des Kontaktlochs L' zwangsläufig zu einer geringen Unterätzung der Platin­ schicht kommt. Durch den hohen Überdeckungsgrad der Pla­ tin/Reox-Stufe mit Aluminium (Dickenverhältnis ca. 1 : 6) entstehen wie bei der ersten Ausführungsform sowohl im Fall einer positiven Ätzflanke 53 (Fig. 3b) als auch im Fall ei­ ner negativen Ätzflanke 55 (Fig. 3c) keine Kantenabrisse im Aluminium.
Zusätzlich lassen sich Hohlräume, welche durch das Aufbrin­ gen des Aluminiums innerhalb des ösenförmigen Bereichs zwi­ schen der Platin-Leiterbahn 40 und der Nitridschicht 20 entstehen können, bei einer nachfolgenden Aluminiumtempe­ rung durch die Bildung einer intermetallischen Phase zwi­ schen Pt und Al wieder verschließen.
Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Weise mo­ difizierbar.
Insbesondere sind die Materialien der metallischen Leiter­ bahnen, der Haftschicht und der Isolatormaterialien nur beispielhaft angeführt und können durch entsprechend geeig­ nete Materialien ersetzt werden. Auch kann ein anderes Substrat als Silizium verwendet werden.
Schließlich ist die Geometrie des Kontaktfensters nicht auf die gezeigte Geometrie beschränkt und kann auf andere For­ men modifiziert werden.
Bezugszeichenliste
L Kontaktloch
Rc Kontaktlochübergangswiderstand
10
Si-Substrat
40
Platin-Leiterbahn
50
CVD-Oxid
53
positive Ätzflanke
55
negative Ätzflanke
60
Aluminium-Bondlandleiterbahn
61
Stegbereich
62
Landbereich
65
Aluminium-Abschnürungen
67
Abrißkante
R Randbereich von
60
L' Kontaktloch
L'1 Steg-Kontaktlochbereich
L'2 Land-Kontaktlochbereich
70
Kontaktbereich
20
Nitridschicht
30
Haftschicht aus Reox
100
Ätzspikes
80
Fotolack
90
Kontaktlochfenster

Claims (11)

1. Leiterbahn-Kontaktierungsanordnung zum Kontaktieren einer ersten Leiterbahn (40), welche auf einem Substrat (10) aufgebracht und mit einer ersten Isolatorschicht (50) überzogen ist, über ein Kontaktloch (L') in der ersten Iso­ latorschicht (50) mit einer zweiten Leiterbahn (60),
dadurch gekennzeichnet, daß
das Kontaktloch (L') einen Bereich über dem ersten Leiter (40) und einen daran angrenzenden Bereich über dem Substrat (10) überdeckt; und
die zweite Leiterbahn (60) innerhalb des Kontaktlochs (L') vom Kontaktbereich (70) mit der ersten Leiterbahn (40) zum darunterliegenden Substrat (10) hinweisend abgestuft ist.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Leiterbahn (60) im wesentlichen innerhalb des Kontaktlochs (L') liegt und vorzugsweise nur ihr Randbe­ reich (R) auf der Isolatorschicht (50) liegt.
3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich­ net, daß die zweite Leiterbahn (60) eine Bondland-Leiter­ bahn mit einem auf der ersten Leiterbahn (40) kontaktierten schmaleren Stegbereich (61) und einem sich daran anschlie­ ßenden breiteren Landbereich (62) ist.
4. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, daß die erste Leiterbahn (40) einen ösenförmigen Bereich aufweist und daß der Rand des Kontakt­ lochs (L') auf dem ösenförmigen Bereich liegt.
5. Anordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Rand des Kontaktlochs (L') im wesentlichen zentrisch auf dem ösenförmigen Bereich liegt.
6. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, daß auf dem Substrat (10) eine zweite Isolatorschicht (20) als elektrische Isolation und/oder Haftschicht für die erste und zweite Leiterbahn vorgesehen ist.
7. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, daß auf dem Substrat (10) oder auf der zweiten Isolatorschicht (20) eine dritte Isolator­ schicht (30) oder leitende Schicht als Haftschicht für die zweite Leiterbahn (60) vorgesehen ist.
8. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, daß die erste und/oder zweite Isola­ torschicht (20, 50) aus mehreren Isolatorschichten besteht.
9. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und/oder zweite Isolator­ schicht (20, 50) aus einer Kombination elektrisch leitfähi­ ger und nicht-leitfähiger Schichten besteht.
10. Anordnung nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Haftschicht (30) auch unter der Bondland-Leiterbahn (60) befindet.
11. Leiterbahn-Kontaktierungsverfahren zum Kontaktieren einer ersten Leiterbahn (40), welche auf einem Substrat (10) aufgebracht und mit einer ersten Isolatorschicht (50) überzogen ist, über ein Kontaktloch (L') in der ersten Iso­ latorschicht (50) mit einer zweiten Leiterbahn (60),
gekennzeichnet durch die Schritte
Bilden des Kontaktlochs (L') mit einem Bereich über dem er­ sten Leiter (40) und einem daran angrenzenden Bereich über dem Substrat (10); und
Vorsehen der zweiten Leiterbahn (60) innerhalb des Kontakt­ lochs (L'), so daß sie vom Kontaktbereich (70) mit der er­ sten Leiterbahn (40) zum darunterliegenden Substrat (10) hinweisend abgestuft ist.
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