DE19824225A1 - Gedruckte Schaltungsplatte - Google Patents

Gedruckte Schaltungsplatte

Info

Publication number
DE19824225A1
DE19824225A1 DE19824225A DE19824225A DE19824225A1 DE 19824225 A1 DE19824225 A1 DE 19824225A1 DE 19824225 A DE19824225 A DE 19824225A DE 19824225 A DE19824225 A DE 19824225A DE 19824225 A1 DE19824225 A1 DE 19824225A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
openings
circuit board
substrate
laser
printed circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19824225A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19824225B4 (de
Inventor
Hirokazu Yoshioka
Norio Yoshida
Kenichiro Tanaka
Jun Tatsuta
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Publication of DE19824225A1 publication Critical patent/DE19824225A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19824225B4 publication Critical patent/DE19824225B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49855Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers for flat-cards, e.g. credit cards
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/38Removing material by boring or cutting
    • B23K26/382Removing material by boring or cutting by boring
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/40Removing material taking account of the properties of the material involved
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4846Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/486Via connections through the substrate with or without pins
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017Etching of the substrate by chemical or physical means
    • H05K3/0026Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation
    • H05K3/0032Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation of organic insulating material
    • H05K3/0035Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation of organic insulating material of blind holes, i.e. having a metal layer at the bottom
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/16Composite materials, e.g. fibre reinforced
    • B23K2103/166Multilayered materials
    • B23K2103/172Multilayered materials wherein at least one of the layers is non-metallic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/30Organic material
    • B23K2103/42Plastics
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H01L2224/48228Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad being disposed in a recess of the surface of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/82Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H01L2224/82009Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8203Reshaping, e.g. forming vias
    • H01L2224/82047Reshaping, e.g. forming vias by mechanical means, e.g. severing, pressing, stamping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9212Sequential connecting processes
    • H01L2224/92142Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92144Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a build-up interconnect
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01068Erbium [Er]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0266Marks, test patterns or identification means
    • H05K1/0269Marks, test patterns or identification means for visual or optical inspection
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03Conductive materials
    • H05K2201/0332Structure of the conductor
    • H05K2201/0388Other aspects of conductors
    • H05K2201/0394Conductor crossing over a hole in the substrate or a gap between two separate substrate parts
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/02Details related to mechanical or acoustic processing, e.g. drilling, punching, cutting, using ultrasound
    • H05K2203/025Abrading, e.g. grinding or sand blasting
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/04Soldering or other types of metallurgic bonding
    • H05K2203/049Wire bonding
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0548Masks
    • H05K2203/0554Metal used as mask for etching vias, e.g. by laser ablation
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0779Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
    • H05K2203/0786Using an aqueous solution, e.g. for cleaning or during drilling of holes
    • H05K2203/0796Oxidant in aqueous solution, e.g. permanganate
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/09Treatments involving charged particles
    • H05K2203/095Plasma, e.g. for treating a substrate to improve adhesion with a conductor or for cleaning holes
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/10Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
    • H05K2203/107Using laser light
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/11Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
    • H05K2203/1121Cooling, e.g. specific areas of a PCB being cooled during reflow soldering
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/16Inspection; Monitoring; Aligning
    • H05K2203/163Monitoring a manufacturing process
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0055After-treatment, e.g. cleaning or desmearing of holes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine gedruckte Schaltungsplatte, eine IC-Karte oder CSP (Packung von Chip­ größe), bei welchen die gedruckte Schaltungsplatte verwendet wird, sowie auf ein Verfahren zur Herstellung der gedruckten Schaltungsplatte.
Bei der Herstellung einer gedruckten Schaltungsplatte wird, wie in Fig. 24(a) gezeigt, zunächst ein Haftmittel 8 auf eine Oberfläche des Substrats 1 aufgetragen und das Substrat wie in Fig. 24(b) gezeigt gestanzt, um dadurch eine Öffnung 3a zum Einbringen eines Teils sowie eine Vielzahl von Öffnungen 4 zur Einführung von Verbindungsdrähten zu bilden. Danach wird wie in Fig. 24(c) gezeigt eine Metallfolie 9, wie eine Kupferfolie oder dergleichen, an einer Oberfläche des Sub­ strats 1 mit dem Haftmittel 8 befestigt. Anschließend wird die Metallfolie 9 mittels Ätzen oder dergleichen zur Konfigu­ ration einer Schaltung bearbeitet, mit dem Ergebnis, daß wie in Fig. 24(d) gezeigt Kontaktanschlüsse 2 ausgebildet werden, durch welche äußere Kontakte mit nach außen hin freigelegten Oberflächen bereitgestellt werden. Nebenbei werden die Bo­ denoberfläche der Teileinbringungsöffnung 3a ebenso wie die entsprechenden Bodenoberflächen der Vielzahl von Verbindungs­ drahtöffnungen 4 von diesen Kontaktanschlüssen 2 gebildet, wobei jeder der auf der Bodenoberfläche der Teileinbringungs­ öffnung 3a gebildeten Kontaktanschlüsse 2 ebenfalls die Funk­ tion besitzt, das elektronische Teil 5 festzuhalten. Nach der derartigen Konfiguration der Schaltung werden, wie in Fig. 24(e) gezeigt, die Abschnitte der Schaltung, welche den äuße­ ren Oberflächen der Kontaktanschlüsse 2 entsprechen, ebenso wie die Abschnitte, welche den Bodenoberflächen der Öffnungen 3a und 4 gegenüberliegen, jeweils mit Ni und Au plattiert, um dadurch zwei Arten von Deckplattierschichten 10a und 10b her­ zustellen.
Allerdings ist jeder der Kontaktanschlüsse 2, wie vorstehend beschrieben, aus der Metallfolie 9 gebildet, welche mittels des Haftmittels 8 an dem Substrat 1 haftet, und daher kann der Kontaktanschluß 2 abblättern, wenn eine Beeinträchtigung des Haftmittels 8 aufgrund der Einwirkung hoher Temperaturen hervorgerufen wird; das bedeutet, daß der Kontaktanschluß 2 hinsichtlich der Hitzebeständigkeit ein Problem darstellt. Zudem ist die Dicke der gedruckten Schaltungsplatte durch die dem Haftmittel 8 entsprechende Menge erhöht, was die Verrin­ gerung der Dicke der gedruckten Schaltungsplatte erschwert.
Da zudem die Öffnungen 3a und 4 mittels Ausstanzen gebildet werden, gibt es für die Verringerung der Durchmesser der Öff­ nungen 3a und 4 eine Grenze und ist es zudem schwierig, den Abstand zwischen den Öffnungen 3a und 4 zu verringern. Daß heißt, daß es hinsichtlich der Verringerung der Größe der ge­ druckten Schaltungsplatte eine Grenze gibt.
Bei der jeweiligen Bildung der zwei Arten von Deckplattier­ schichten 10a und 10b auf dem Abschnitt, welcher den äußeren Oberflächen der Kontaktanschlüsse 2 entspricht, und dem Ab­ schnitt, welcher den Bodenoberflächen der Öffnungen 3a und 4 gegenüberliegt, werden derartige Plattiervorgänge im gleichen Verfahrensschritt durchgeführt. Allerdings ist es in der Wirklichkeit schwierig, derartig verschiedene Arten von Plat­ tierungen im gleichen Verfahrensschritt durchzuführen: daß heißt, daß der den äußeren Oberflächen der Kontaktanschlüsse 2 entsprechende Abschnitt mit Ni und glänzendem Au plattiert werden muß, um dadurch die Deckplattierschicht 10a herzustel­ len, wohingegen der den Bodenoberflächen der Öffnungen 3a und 4 gegenüberliegende Abschnitt mit Ni und nicht glänzendem Au plattiert werden muß, um dadurch die Deckplattierschicht 10b herzustellen.
Andererseits ist das Herstellungsverfahren für eine Schal­ tungsplatte für eine CSP in der nicht geprüften japanischen Patentveröffentlichungsschrift Hei 4-3676 beschrieben.
Diese Technik weist allerdings ein derartiges Problem auf, daß bei der Bildung einer Öffnung (wobei der Begriff "Öff­ nung" dem erfindungsgemäß verwendeten entspricht), welche sich bis zur Oberfläche eines Schaltmusters wie eines Verbin­ dungsanschlusses erstreckt, ein Kohlendioxid-Laser verwendet wird. Aufgrund der Verwendung des Kohlendioxid-Lasers kann jedoch das das Substrat bildende Harz nicht vollständig ent­ fernt werden. Wenn zudem ein plattierter Leiter auf der Ober­ fläche des Schaltmusters gebildet wird oder der plattierte Leiter mit der Oberfläche des Schaltmusters mittels Löten oder Bonden verbunden wird, besitzt eine derartige Verbindung nur eine geringe Zuverlässigkeit.
Wie vorstehend beschrieben ist es die Aufgabe der vorliegen­ den Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Schaltungsplatte mit einer hohen Verbindungszuverlässigkeit einer Golddrahtverbindung oder einer Lötverbindung und hohen Verbindungsstärke an der Oberfläche einer Metallfolie an der Öffnungsseite bereitzustellen.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 gelöst.
Im einzelnen läßt man einen Ultraviolett-Laser auf die Ober­ fläche der Metallfolie an der Öffnungsseite einwirken, um so verbliebenen Ausschuß, wie ein Harz oder dergleichen, welcher auf der Oberfläche der Folie zurückgeblieben ist, zu entfer­ nen und somit eine Oberflächenschicht mit einem unebenen Bin­ dungsabschnitt auszuschließen. Als Ergebnis konnte eine glat­ te Oberfläche erhalten werden. Aufgrund des Erhalts der glat­ ten Oberfläche konnte bei Verwendung dieser Schaltungsplatte für eine IC-Karte eine hohe Draht-(Golddraht-)Bindungsstärke erhalten werden, und bei Verwendung dieser Schaltungsplatte für eine CSP konnte eine hohe Verbindungsstärke einer Lötku­ gel erhalten werden. Als Ergebnis wird eine gedruckte Schal­ tungsplatte mit hoher Verbindungszuverlässigkeit bereitge­ stellt.
Wenn die vorliegende gedruckte Schaltungsplatte als gedruckte Schaltungsplatte für eine IC-Karte verwendet wird, ist sie außerordentlich hitzebeständig und von kompakter Größe sowie ebenfalls hinsichtlich der Freiheit der Plattierung an den Kontaktanschlüssen verbessert.
Gemäß einer ersten erfindungsgemäßen Ausgestaltung wird ein Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Schaltungsplatte bereitgestellt, welche ein durch direktes und enges Anbringen einer Metallfolie auf mindestens einer Oberfläche der Schal­ tungsplatte gebildetes Schaltmuster und jeweils von der ande­ ren Oberfläche der Schaltungsplatte gebildete Öffnungen zur elektrischen Verbindung des Schaltmusters dadurch ein­ schließt, wobei das Verfahren die Schritte umfaßt:
Bildung der Öffnungen von der anderen Oberflächenseite der Schaltungsplatte; und
Glätten einer Oberfläche der Metallfolie an der Öffnungsseite durch einen Ultraviolett-Laser.
Gemäß einer zweiten erfindungsgemäßen Ausgestaltung dient die Öffnung zur Einführung eines Verbindungsdrahts.
Gemäß einer dritten erfindungsgemäßen Ausgestaltung wird die Öffnung mit einem Lötmittel gefüllt, um eine Lötkugel aus zu­ bilden.
Gemäß einer vierten erfindungsgemaßen Ausgestaltung werden die Öffnungen durch einen optischen Strahl einschließlich ei­ nes CO2-Lasers gebildet.
Gemäß einer fünften erfindungsgemäßen Ausgestaltung wird ein Substrat verwendet, dessen beide Oberflächen mit Metallfolien beschichtet sind, und nach dem Ätzen der Metallfolie unter Bildung einer Öffnung wird ein CO2-Laser mit einem Strahl mit einem größeren Durchmesser als die Öffnung auf den Öffnungs­ abschnitt gerichtet, um dadurch Öffnungen im Substrat zu bil­ den.
Gemäß einer sechsten erfindungsgemäßen Ausgestaltung wird ein Substrat verwendet, das mit einer Metallfolie, deren anlie­ gende Oberfläche oxidationsbehandelt wurde, oder mit einer oxidationsbehandelten Metallfolie, deren anliegende Kontakt­ oberfläche einer Aufrauhbehandlung unterzogen wurde, be­ schichtet ist.
Gemäß einer siebten erfindungsgemäßen Ausgestaltung schließt die Oberfläche einer Metallfolie auf der anderen Oberfläche des Substrats zur Ausbildung der Öffnungen mittels Bestrah­ lung einer Oberfläche des Substrats mit einem CO2-Laser min­ destens ein Wärmeschild oder ein Kühlrohr ein.
Gemäß einer achten erfindungsgemäßen Ausgestaltung wird bei der Bestrahlung des Substrats mit einem CO2-Laser unter Bil­ dung der Öffnungen ein Strahlabschwächungsfilter im Zentrum des optischen Strahlengangs angeordnet.
Gemäß einer neunten erfindungsgemäßen Ausgestaltung wird der Excimer-Laser auf die Öffnungen gerichtet, während dessen re­ flektiertes Licht überwacht wird.
Gemäß einer zehnten erfindungsgemäßen Ausgestaltung werden die Öffnungen mit Plasma behandelt.
Gemäß einer elften erfindungsgemäßen Ausgestaltung werden die Öffnungen mittels Sandstrahlen behandelt.
Gemäß einer zwölften erfindungsgemäßen Ausgestaltung wird ein Substrat mit darauf beschichteten Metallfolien verwendet, werden ein oder mehrere Laser von SHG-YAG-Laser, THG-YAG- Laser, SHG-YLF-Laser und THG-YLF-Laser auf das Substrat ge­ richtet, um dadurch Öffnungen zu bilden, und die Metallfolien zur Konfiguration einer Schaltung bearbeitet, um dadurch Kon­ taktanschlüsse zu bilden.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von bevorzugten Ausfüh­ rungsformen unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen genauer erläutert. Es zeigen:
Fig. 1(a) und (b) eine Ausführungsform einer gedruckten Schaltungsplatte für eine IC-Karte; insbesondere stellen die Fig. 1(a) und (b) jeweils Schnittansichten davon dar;
Fig. 1(c) und (d) eine Ausführungsform einer gedruckten Schaltungsplatte für eine CSP; insbesondere stellen die Fig. 1(c) und (d) jeweils Schnittansichten davon dar;
Fig. 2(a) bis (e) eine Ausführungsform eines erfindungsgemä­ ßen Verfahrens zur Herstellung einer gedruckten Schaltungs­ platte; insbesondere stellen die Fig. 2(a) bis (e) jeweils Schnittansichten der gedruckten Schaltungsplatte der jeweils bei der vorliegenden Ausführungsform durchgeführten Schritte dar;
Fig. 3(a) bis (b) Schritte zur Ausbildung von Öffnungen, wel­ che beim vorstehend genannten Herstellungsverfahren für eine gedruckte Schaltungsplatte eingesetzt werden; insbesondere stellen die Fig. 3(a) bis (b) jeweils Schnittansichten davon dar;
Fig. 4(a) bis (b) Schritte zur Ausbildung von Öffnungen, wel­ che beim vorstehend genannten Herstellungsverfahren für eine gedruckte Schaltungsplatte eingesetzt werden; insbesondere stellen die Fig. 4(a) bis (b) jeweils Schnittansichten davon dar;
Fig. 5(a) bis (c) Schritte zur Ausbildung von Öffnungen im vorstehend genannten Herstellungsverfahren für eine gedruckte Schaltungsplatte; insbesondere ist Fig. 5(a) eine Schnittan­ sicht davon, Fig. 5(b) eine Draufsicht davon und Fig. 5(c) eine graphische Darstellung einer Beziehung zwischen einem Strahlendurchmesser und der Energie;
Fig. 6 eine Schnittansicht eines Schritts des Waschens einer Öffnung, welcher beim vorstehend genannten Herstellungsver­ fahren für eine gedruckte Schaltungsplatte eingesetzt wird;
Fig. 7 eine Schnittansicht eines Schritts des Waschens einer Öffnung, welcher bei der zweiten Ausführungsform eines Her­ stellungsverfahrens für eine gedruckte Schaltungsplatte ein­ gesetzt wird;
Fig. 8 eine Schnittansicht eines Schritts des Waschens einer Öffnung, welcher bei der zweiten Ausführungsform eines Her­ stellungsverfahrens für eine gedruckte Schaltungsplatte ein­ gesetzt wird;
Fig. 9 eine Schnittansicht eines Schritts des Waschens einer Öffnung, welcher bei der zweiten Ausführungsform eines Her­ stellungsverfahrens für eine gedruckte Schaltungsplatte ein­ gesetzt wird;
Fig. 10 eine Schnittansicht eines Schritts des Waschens einer Öffnung, welcher bei der zweiten Ausführungsform eines Her­ stellungsverfahrens für eine gedruckte Schaltungsplatte ein­ gesetzt wird;
Fig. 11 eine Schnittansicht eines Schritts des Waschens einer Öffnung, welcher bei der zweiten Ausführungsform eines Her­ stellungsverfahrens für eine gedruckte Schaltungsplatte ein­ gesetzt wird;
Fig. 12 eine Schnittansicht eines Schritts des Waschens einer Öffnung, welcher bei der zweiten Ausführungsform eines Her­ stellungsverfahrens für eine gedruckte Schaltungsplatte ein­ gesetzt wird;
Fig. 13(a) bis (d) die jeweiligen Schritte, welche bei der dritten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Herstellungs­ verfahrens für eine gedruckte Schaltungsplatte eingesetzt werden; insbesondere sind die Fig. 13(a), (b), (c) und (d) jeweils Schnittansichten davon;
Fig. 14 (a) und (b) jeweils SEM-Bilder, die durch Fotografie­ ren der Bodenoberfläche einer in Fig. 13(a) gezeigten Öffnung erhalten wurden;
Fig. 15(a) ein SEM-Bild, das durch Fotografieren der Bo­ denoberfläche einer in Fig. 13(b) gezeigten Öffnung erhalten wurde;
Fig. 15(b) ein SEM-Bild, das durch Fotografieren der Bo­ denoberfläche einer in Fig. 13(c) gezeigten Öffnung erhalten wurde;
Fig. 15(c) ein SEM-Bild, das durch Fotografieren der Bo­ denoberfläche einer in Fig. 13(d) gezeigten Öffnung erhalten wurde;
Fig. 16 ein SEM-Bild, das durch Fotografieren der Bodenober­ fläche einer im Substrat gebildeten Öffnung erhalten wurde, nachdem die Öffnung durch Bestrahlen mit einem Excimer-Laser behandelt wurde;
Fig. 17 ein SEM-Bild, das durch Fotografieren der Bodenober­ fläche einer im Substrat gebildeten Öffnung erhalten wurde, nachdem die Öffnung durch Bestrahlen mit einem Excimer-Laser behandelt wurde;
Fig. 18 ein SEM-Bild, das nach Behandlung einer im Substrat gebildeten Öffnung durch Bestrahlung mit einem Excimer-Laser sowie Versehen einer Kupferfolie auf der Bodenoberfläche der Öffnung mit einer Deckplattierschicht durch Fotografieren des Abschnitts der Kupferfolie erhalten wurde;
Fig. 19 ein SEM-Bild, das nach Behandlung einer im Substrat gebildeten Öffnung durch Bestrahlung mit einem Excimer-Laser sowie Versehen einer Kupferfolie auf der Bodenoberfläche der Öffnung mit einer Deckplattierschicht durch Fotografieren des Abschnitts der Kupferfolie erhalten wurde;
Fig. 20(a) bis (c) eine vierte Ausführungsform eines erfin­ dungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung einer gedruckten Schaltungsplatte; insbesondere stellen die Fig. 20(a) bis (c) jeweils Schnittansichten der jeweiligen Schritte dar, welche bei der vierten Ausführungsform des Herstellungsverfahrens für eine gedruckte Schaltungsplatte eingesetzt werden;
Fig. 21 eine Schnittansicht eines Schritts zur Ausbildung ei­ ner Öffnung, welcher bei der vierten Ausführungsform des Her­ stellungsverfahrens für eine gedruckte Schaltungsplatte ein­ gesetzt wird;
Fig. 22(a) bis (e) eine sechste Ausführungsform eines erfin­ dungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung einer gedruckten Schaltungsplatte; insbesondere stellen die Fig. 22(a) bis (e) jeweils Schnittansichten der jeweiligen Schritte dar, welche bei der vierten Ausführungsform des Herstellungsverfahrens für eine gedruckte Schaltungsplatte eingesetzt werden;
Fig. 23 eine Schnittansicht eines Schritts zur Ausbildung ei­ ner Öffnung, welcher bei der sechsten Ausführungsform des Herstellungsverfahrens für eine gedruckte Schaltungsplatte eingesetzt wird; und
Fig. 24(a) bis (e) ein herkömmliches Verfahren zur Herstel­ lung einer gedruckten Schaltungsplatte; insbesondere stellen die Fig. 24(a) bis (e) jeweils Schnittansichten der Schritte dar, welche beim herkömmlichen Verfahren eingesetzt werden.
Als gedruckte Schaltungsplatte zur Verwendung in einer klei­ nen Verpackung, einer CSP (Verpackung von Chip-Größe) und dergleichen mit im wesentlichen dergleichen Größe wie ein Halbleiterchip 105, wie ein IC oder dergleichen, ist eine ge­ druckte Schaltungsplatte mit einer derartigen Struktur wie in Fig. 1(c) gezeigt bekannt. Bei dieser Struktur sind Anschlüs­ se 102 auf einer Oberfläche des Substrats 101 sowie Öffnungen 104 in dem Substrat 101 auf eine derartige Weise ausgebildet, daß die Anschlüsse 102 die Bodenoberflächen der Öffnungen 104 bilden.
Zusätzlich werden jeweils Lötmittel 116 in die Öffnungen 104 und dadurch in nahen Kontakt mit den Anschlüssen 102 auf den Bodenoberflächen der Öffnungen 104 gebracht, und gleichzeitig ragen die Lötmittel 116 teilweise als Kugeln 117 durch die Öffnungsabschnitte der Öffnungen 104 aus der Oberfläche des Substrats 101 heraus, wodurch eine derartige CSP 138, wie in Fig. 1(d) gezeigt, gebildet werden kann. Wenn danach die Er­ hebungen 139 des Halbleiterchips 105, wie einem IC oder der­ gleichen, mit den entsprechenden Anschlüssen 102 durch Löten oder eine entsprechende Verbindungsmaßnahme verbunden werden, kann der Halbleiterchip 105 in die CSP eingebaut werden.
Als gedruckte Schaltungsplatte zur Verwendung in einer IC- Karte oder dergleichen ist eine gedruckte Schaltungsplatte mit einer derartigen Struktur wie in Fig. 1(a) gezeigt vorge­ schlagen. Bei dieser gedruckten Schaltungsplatte ist eine Vielzahl von Kontaktanschlüssen 2 auf einer Oberfläche des Substrats 1 bereitgestellt; Teileinbringungsöffnungen 3a und Verbindungsdrahtöffnungen 4 sind in dem Substrat 1 auf eine derartige Weise gebildet, daß die Kontaktanschlüsse 2 jeweils die Bodenoberflächen dieser Öffnungen 3a und 4 bilden; ein elektronisches Teil 5, wie ein IC oder dergleichen, ist in die Teileinbringungsöffnung 3a eingebracht; und das elektro­ nische Teil 5 ist mit den Kontaktanschlüssen 2 über Verbin­ dungsdrähte 6 durch die Verbindungsdrahtöffnungen 4 verbun­ den. Weiterhin ist ein versiegelndes Harz aufgetragen, um da­ durch das Substrat 1 zu versiegeln, so daß die so hergestell­ te gedruckte Schaltungsplatte als Modul für eine IC-Karte verwendet werden kann.
Erfindungsgemäß wird als Substrat 1, wie in Fig. 2(a) ge­ zeigt, eine Platte 1a mit aufgebrachter Harzschicht verwen­ det, deren beide Oberflächen mit Metallfolien 9, wie Kupfer­ folien oder dergleichen, beschichtet sind. Die Platte 1a mit aufgebrachter Harzschicht, welche auf beiden Seiten mit Me­ tall beschichtet ist, kann auf folgende Weise hergestellt werden: Beispielsweise wird ein Substrat aus Glasfaser, wie Glaswolle oder dergleichen, mit einem heißhärtenden Harzlack wie Epoxidharz oder dergleichen imprägniert, um dadurch ein mit Harz imprägniertes Substrat herzustellen, werden zwei oder mehr Stücke derartiger mit Harz imprägnierter Substrate von Fall zu Fall aufeinander gelagert und beide Seiten davon sandwichartig zwischen den Metallfolien 9 angeordnet, unter Erhitzen zur Härtung des Harzes des mit Harz imprägnierten Substrats durch Walzen bewegt (eine Druckausübung durch die Walzen ist nicht notwendig), mit dem Ergebnis, daß die Me­ tallfolien 9 aufgeschichtet und mittels des gehärteten Harzes einstückig mit dem mit Harz imprägnierten Substrat verbunden werden. Daß heißt, daß die Platte 1a mit aufgebrachter Harz­ schicht auf eine derartige Weise hergestellt werden kann, daß die Metallfolien 9 einstückig auf beiden Oberflächen des Substrats 1, das aus dem mit Harz imprägnierten Substrat ge­ bildet ist, ausgebildet werden. Beispielsweise kann die Plat­ te 1a mit aufgebrachter Harzschicht auf eine derartige Weise hergestellt werden, daß die Metallfolien (Kupferfolien) 9 mit einer Dicke von 8 µm einstückig auf beiden Oberflächen eines Glasepoxidsubstrats 1 mit einer Dicke von 100 µm ausgebildet werden, um dadurch eine beschichtete Platte zu erzeugen. Die Platte 1a mit aufgebrachter Harzschicht, welche auf beiden Seiten mit Metall beschichtet ist, kann als Substrat 1 ver­ wendet werden, welches eine höhere Oberflächenglattheit und eine einheitlichere Dicke als eine ohne Aufbringen der Me­ tallfolien 9 auf beide Oberflächen hergestellte beschichtete Platte aufweist. Es sollte zudem hier bemerkt werden, daß die Metallfolien 9 nicht unter Verwendung eines Haftmittels an dem Substrat 1 gebunden sind, sondern direkt und eng an dem Substrat 1 aufgrund der selbsthaftenden Wirkung des im Substrat 1 enthaltenen Harzes angebracht sind.
Hierbei besitzt das Substrat 1, welches wie vorstehend be­ schrieben Glasfasern wie Glaswolle oder dergleichen enthält, eine ausgezeichnete Festigkeit, elektrische Isolierfähigkeit sowie Feuchtigkeitsbeständigkeit. Daher kann unter Verwendung des Substrats 1, welches derartige Glasfasern enthält, eine gedruckte Schaltungsplatte mit hoher Festigkeit, elektrischer Isolierfähigkeit sowie Feuchtigkeitsbeständigkeit hergestellt werden.
Anschließend wird ein Ätzresist an die an eine Oberfläche (beispielsweise die untere Oberfläche) des Substrats 1 aufge­ brachte Metallfolie 9 gebunden, wohingegen kein Ätzresist an die auf die andere Oberfläche (beispielsweise die obere Ober­ fläche) des Substrats 1 aufgebrachte Metallfolie gebunden wird. Nach der Belichtung und Entwicklung des Ätzresists wer­ den die zwei Metallfolien 9 jeweils geätzt, so daß wie in Fig. 2(b) gezeigt die Metallfolie 9 auf einer Oberfläche des Substrats 1 für die Konfiguration einer Schaltung unter Bil­ dung von Kontaktanschlüssen 1 bearbeitet wird, und gleichzei­ tig die Metallfolie 9 auf der anderen Oberfläche des Sub­ strats 1 unter Freilegung der Oberfläche des Substrats 1 ent­ fernt wird.
Da bei der vorliegenden Ausführungsform, wie vorstehend be­ schrieben, die Platte 1a mit aufgebrachter Harzschicht, wel­ che auf beiden Oberflächen mit Metall beschichtet ist, als Substrat 1 verwendet wird, besitzt das Substrat 1 im Ver­ gleich zu einem Fall, bei dem eine beschichtete Platte ohne Aufbringen der Metallfolien 9 auf ihre Oberflächen herge­ stellt wird, eine höhere Oberflächenglattheit ebenso wie eine einheitlichere Dicke, wodurch die Herstellung einer gedruck­ ten Schaltungsplatte von hoher Qualität- möglich wird. Zudem werden die Kontaktanschlüsse 2 aus der zuvor auf das Substrat 1 aufgebrachten Metallfolie 9 hergestellt, wodurch die Not­ wendigkeit der Ausführung eines herkömmlich verwendeten kom­ plizierten Vorgangs umgangen wird, bei welchem nach dem Ent­ fernen der zuvor auf beide Oberflächen des Substrats 1 aufge­ brachten Metallfolien 9 vor der Bildung der Öffnungen 3a und 4 die zur Bildung der Kontaktanschlüsse 2 verwendete Metall­ folie 9 erneut an das Substrat 1 angebracht wird. Dadurch wird die Möglichkeit einer Verlängerung des Herstellungsver­ fahrens sowie einer Erhöhung des Materialverlustes ausge­ schlossen. Weiterhin werden die Metallfolien 9 nicht unter Verwendung eines Haftmittels an das Substrat 1 gebunden, son­ dern direkt aufgrund der selbsthaftenden Wirkung des im Substrat 1 enthaltenen Harzes eng an das Substrat 1 ange­ bracht, wodurch die aus einer derartigen Metallfolie 9 gebil­ deten Kontaktanschlüsse 2 ebenfalls direkt und eng in Kontakt mit dem Substrat 1 gebracht werden, wodurch das bei einem Fall, bei welchem die Metallfolien 9 unter Verwendung eines Haftmittels angebunden werden, entstehende Problem einer Be­ einträchtigung der Kontaktanschlüsse 2 hinsichtlich der Hit­ zebeständigkeit vermieden wird. Aufgrund dessen ist die Her­ stellung einer gedruckten Schaltungsplatte mit hoher Bestän­ digkeit gegen Hitze möglich. Da zudem die Verwendung eines Haftmittels nicht notwendig ist, kann die Dicke der gedruck­ ten Schaltungsplatte verringert werden.
Nachdem die Metallfolie 9 zur Konfiguration einer Schaltung bearbeitet ist und dadurch die Kontaktanschlüsse 2 auf einer Oberfläche des Substrats 1 auf die vorstehend beschriebene Weise ausgebildet sind, werden zwei oder mehr Stücke einer Deckplattierschicht 10a jeweils auf den freigelegten Oberflä­ chen der Kontaktanschlüsse 2 auf eine in Fig. 2(c) gezeigte Weise gebildet. Die Deckplattierschicht 10a kann durch Plat­ tieren des entsprechenden Kontaktanschlusses 2 mit Ni und an­ schließendem weiteren Plattieren des so Ni-plattierten Kon­ taktanschlusses 2 mit glänzendem Au erhalten werden.
Anschließend wird das Substrat 1 zur Ausbildung der Öffnungen 3a und 4 darin bearbeitet. Die Bearbeitung oder Bildung der Öffnungen 3a und 4 kann durch Aufbringen eines optischen Strahls auf das Substrat 1, von dessen Oberfläche die Metall­ folie 9 entfernt worden ist, erreicht werden, wodurch der mit dem optischen Strahl behandelte Abschnitt des Substrats 1 entfernt wird. Somit können, wie in Fig. 2(d) gezeigt, die Öffnungen 3a und 4 auf eine derartige Weise gebildet werden, daß die auf einer Oberfläche des Substrats 1 gebildeten Kon­ taktanschlüsse 2 jeweils die Bodenoberflächen der Öffnungen 3a und 4 bilden. Da der Durchmesser des optischen Strahlen­ bündels verringert werden kann, können die Öffnungen 3a und 4 unter Verwendung des kleineren Durchmessers des optischen Bündels bearbeitet werden und gleichzeitig auf eine derartige Weise bearbeitet werden, daß der Abstand zwischen ihnen auf einen kleinen Wert eingestellt wird. Daher können die Öffnun­ gen 3a und 4 von geringer Größe in dem Substrat 1 so ausge­ bildet werden, daß sie in hoher Dichte angeordnet sind, wo­ durch die gedruckte Schaltungsplatte kompakt gemacht werden kann.
In diesem Fall kann als optischer Strahl ein CO2-Laser ver­ wendet werden. Da jedoch allein durch die Behandlung unter Verwendung des CO2-Lasers die Oberfläche der Metallfolie 9 nicht vollständig freigelegt werden kann, kann im letzten Schritt der Behandlung durch Bestrahlung mit einem Excimer- Laser anstatt des CO2-Lasers die Behandlung zur Entfernung von auf der Oberfläche verbliebenen Staub in einem perfekten Maß durchgeführt werden. Natürlich kann eine Behandlung unter Verwendung eines Excimer-Lasers von Beginn an durchgeführt werden, um dadurch die Öffnungen 3a und 4 zu bilden. Für eine schnelle Ausbildung der Öffnungen 3a und 4 kann jedoch vor­ zugsweise zunächst der CO2-Laser verwendet werden.
Nebenbei bemerkt, können anstelle des Schritts der Ausbildung der Öffnungen unter Verwendung eines CO2-Lasers ebenfalls an­ dere verschiedene Schritte, wie ein mechanischer Schritt un­ ter Verwendung von Sandstrahlen oder Stanzen und dergleichen, eingesetzt werden.
In einem derartigen Fall dient die zur Befestigung elektri­ scher Teile 5 verwendete Öffnung 3a als später beschriebener Teileinbringungsabschnitt (Hohlraum) 3, und die zur Hindurch­ führung eines Verbindungsdrahts verwendete Öffnung 4a dient als Verbindungsdrahtöffnung 4. Eine Vielzahl von Verbindungs­ drahtöffnungen 4 ist derart ausgebildet, daß die Verbindungs­ drahtöffnungen 4 den Teileinbringungsabschnitt 3a umgeben. Die Öffnungen 3a und 4 sind derart gebildet, daß die durch den Teileinbringungsabschnitt 3a und die Verbindungsdrahtöff­ nungen 4 definierte Lücke am peripheren Abschnitt dazwischen nicht größer als der Durchmesser der Verbindungsdrahtöffnun­ gen 4 ist. Als Ergebnis besitzt die Anordnung der Öffnungen 3a und 4 eine hohe Dichte, wodurch die gedruckte Schaltungs­ platte verkleinert wird.
Da zudem der Teileinbringungsabschnitt 3 (Hohlraum), in wel­ chen das elektronische Teil 5 eingebracht werden kann, als Öffnung 3a auf diese Weise ausgebildet und zudem zur gleichen Zeit bearbeitet und ausgebildet wird, wenn die Verbindungs­ drahtöffnungen 4 bearbeitet und ausgebildet werden, kann nicht nur die Zahl der Bearbeitungsvorgänge verringert wer­ den, sondern zudem, wenn das elektronische Teil 5 in den Teileinbringungsabschnitt 3 auf die vorstehend beschriebene Weise eingebracht wird, das elektronische Teil 5 in der Öff­ nung 3a aufbewahrt werden, wodurch das Herausragen des elek­ tronischen Teils 5 auf der Oberfläche des Substrats 1 verrin­ gert werden kann, wodurch wiederum die Größe der gedruckten Schaltungsplatte für eine IC-Karte, in der das elektronische Teil 5 angebracht ist, verringert werden kann.
Als vorstehend genannter optischer Strahl kann ein CO2-Laser verwendet werden. Der CO2-Laser ist hinsichtlich seiner Strahlungsenergie leicht steuerbar, kann die Steuerung der Tiefen der Öffnungen 3a und 4 bei deren Bearbeitung erleich­ tern, kann leicht von einem isolierendem Material wie einem Epoxidharz oder dergleichen absorbiert werden und wirkt nur wenig auf die Metallfolien 9 wie Kupferfolien oder derglei­ chen ein. Daß heißt, er durchdringt die Metallfolien 9 schlecht und verursacht kaum Risse darin. Aufgrund dieser Ei­ genschaften des CO2-Lasers können unter Verwendung des CO2- Lasers die Öffnungen 3a und 4 bearbeitet werden, ohne daß sie viel Schaden dabei erleiden. Wenn beispielsweise der Strahl eines CO2-Lasers mit einer Ausgangsleistung von 1500 W, 300 mJ/Puls mit einer Energiedichte von etwa 4 J/mm2 auf die zu bearbeitende Oberfläche gestrahlt wird, können die Öffnungen 3a und 4 bearbeitet werden.
Wie vorstehend beschrieben wirkt der CO2-Laser nur wenig auf die Metallfolien 9 ein. Wenn es jedoch keine Austrittsmög­ lichkeiten gibt, besteht die Gefahr, daß durch den CO2-Laser die Metallfolien 9 beschädigt werden können. Angesichts des­ sen wird bei der in den Fig. 3(a) und (b) gezeigten Ausfüh­ rungsform, wie in Fig. 3(a) gezeigt, an dem Substratab­ schnitt, in dem die Öffnungen 3a und 4 bearbeitet werden sol­ len, eine Hitzestrahlplatte 42 derart bereitgestellt, daß sie mit der Oberfläche der Metallfolie 9 in Kontakt steht, und wie in Fig. 3(b) gezeigt ein CO2-Laser L auf das Substrat aufgebracht, um dadurch die Öffnungen 3a und 4 zu bilden. Als Hitzestrahlplatte 42 kann eine extrem wärmeleitende Metall­ platte und dergleichen verwendet werden. Durch die Verwendung einer derartigen Hitzestrahlplatte kann eine aufgrund der An­ wendung des CO2-Lasers L entstehende Hitze auf derartige Wei­ se wie durch die Pfeile in Fig. 3(b) gezeigt abgestrahlt wer­ den, wodurch die Hitzebeschädigung der Metallfolie 9 verrin­ gert werden kann.
Bei einer in den Fig. 4(a) und(b) gezeigten Ausführungsform wird ein Wasserkühlungsrohr 44 verwendet, welches so aufge­ baut ist, daß es in Zusammenarbeit mit einem damit verbunde­ nen Kühlwasserzuführrohr 43 die Zirkulation von Kühlwasser gestattet. Insbesondere ist das Wasserkühlungsrohr 44 an den Abschnitten des Substrats 1, in denen die Öffnungen 3a und 4 bearbeitet werden sollen, auf derartige Weise angeordnet, daß sich das Wasserkühlungsrohr 44 in Kontakt mit der Oberfläche der Metallfolie 9 befindet, und danach wird, wie in Fig. 9(b) gezeigt, ein CO2-Laser L auf das Substrat 1 gerichtet, um da­ durch die Öffnungen 3a und 4 zu bearbeiten oder auszubilden. Gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann aufgrund der An­ wendung des CO2-Lasers L entstehende Hitze mittels des Was­ serkühlungsrohrs 44 abgeführt werden, wodurch der Hitzescha­ den der Metallfolien 9 verringert werden kann.
Bei der Bearbeitung des Substrats 1 zur Bildung der Öffnungen 3a und 4 unter Verwendung der Strahlung des CO2-Lasers, wie vorstehend beschrieben, weist der Zentralabschnitt des Strah­ lendurchmessers eine starke Energie auf, wenn der Strahlenmo­ dus des Kohlendioxids, wie in Fig. 5(c) gezeigt, ein Einfach­ modus ist, wodurch sich die Gefahr erhöht, daß sich in den Zentralabschnitten der Öffnungen 3a und 4 die Hitze auf den Abschnitten der Metallfolien 9, welche sich auf den Boden­ oberflächen der Öffnungen 3a und 4 befinden, konzentrieren und somit diese Abschnitte beschädigen kann. Angesichts des­ sen wird bei einer in den Fig. 5(a) bis (c) gezeigten Ausfüh­ rungsform ein Strahlabschwächungsfilter 45 im Zentrum des op­ tischen Strahlengangs des CO2-Lasers L angeordnet. Der Strah­ lenabschwächungsfilter 45 kann aus synthetischem Quarz oder dergleichen mit einem Lichttransmissionskoeffizienten von 70 bis 90% gebildet sein. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist ein Strahlenabschwächungsfilter 45 mit einem kleineren Durchmesser als der Strahlendurchmesser des CO2-Lasers L, wie in den Fig. 5(a) und (b) gezeigt, durch eine Vielzahl von Metalldrähten 46 derart befestigt, daß er im Zentrum des op­ tischen Strahlengangs des CO2-Lasers L angeordnet ist (in Fig. 5(b) ist der Strahlenbereich des CO2-Lasers L durch eine gepunktete Linie dargestellt). Das bedeutet, daß bei Anwen­ dung des CO2-Lasers L zur Bearbeitung des Substrats 1 unter Bildung der Öffnungen 3a und 4 und gleichzeitiger Anordnung des Strahlenabschwächungsfilters 45 im Zentrum des optischen Strahlengangs des CO2-Lasers L die starke Energie des zentra­ len Teils des Strahlendurchmessers abgeschwächt werden kann, wodurch es möglich wird, die Hitze vor dem Auftreffen auf die Abschnitte der Metallfolie 9 zurückzuhalten, welche in den Zentralabschnitten der Öffnungen 3a und 4 angeordnet sind, wodurch eine Beschädigung der Metallfolie 9 aufgrund einer derartigen Hitzekonzentration verhindert werden kann.
Als die beiden Seiten des Substrats 1 überlagerten Metallfo­ lien 9 wird vorzugsweise eine Metallfolie verwendet, deren in Berührung mit dem Substrat 1 tretende Kontaktoberfläche oxi­ dationsbehandelt ist. Insbesondere wenn die Oberfläche der Metallfolie 9, wie einer Kupferfolie oder dergleichen, oxida­ tionsbehandelt wird, kann die Oberfläche der Metallfolie 9 nicht nur dunkel gefärbt, sondern auch aufgerauht werden. Da­ her ist die Oberfläche des in engen Kontakt mit dem Substrat 1 befindlichen Kontaktanschlusses 2, der aus einer derartigen oxidationsbehandelten Metallfolie 9 gebildet ist, gefärbt und aufgerauht.
Daher wird bei einer derartigen Einwirkung des CO2-Lasers L auf das Substrat 1, wie in Fig. 6 gezeigt, zur Bearbeitung oder Ausbildung der Öffnungen 3a und 4 die Reflexion des CO2- Lasers L auf der Oberfläche des Kontaktanschlusses 2 verrin­ gert, wodurch die Temperaturen der in der Nähe der Kontaktan­ schlüsse 2 angeordneten Abschnitte des Substrats 1 erhöht werden können, wodurch sich die Möglichkeit verringern kann, daß ein nicht durch den CO2-Laser L entferntes Harz in den Bodenabschnitten der Öffnungen 3a und 4 zurückbleiben kann.
Neben der Metallfolie 9, deren in engem Kontakt mit dem Substrat 1 befindliche Oberfläche oxidationsbehandelt ist, kann auch ein anderer Typ von Metallfolien 9 verwendet wer­ den, dessen in engem Kontakt mit dem Substrat 1 befindliche Oberfläche aufgerauht ist. Die Aufrauhbehandlung kann bei­ spielsweise durch Verwendung einer wäßrigen Ätzlösung aus 2% Kupferchlorid und 7% Salzsäure bei einer Temperatur von 30°C und Eintauchen der Metallfolie 9 in die wäßrige Ätzlösung für 30 Minuten erreicht werden. Das bedeutet im Fall des Kon­ taktanschlusses 2, der aus der so behandelten Metallfolie 9 gebildet ist, daß dessen in engem Kontakt mit dem Substrat 1 befindliche Oberfläche aufgerauht ist. Entsprechend zum vor­ stehenden Fall ist bei der Einwirkung des CO2-Lasers L auf das Substrat 1 zur Bearbeitung desselben und Ausbildung der Öffnungen 3a und 4 darin die Reflexion des CO2-Lasers L auf der Oberfläche des Kontaktanschlusses 2 gering, wodurch die Temperaturen der in der Nähe der Kontaktanschlüsse 2 angeord­ neten Abschnitte des Substrats 1 erhöht werden, was zu einer Verringerung der Möglichkeit führen kann, daß durch den CO2- Laser L nicht entferntes Harz in den Bodenabschnitten der Öffnungen 3a und 4 zurückbleiben kann.
Wenn, wie vorstehend beschrieben, die Öffnungen 3a und 4 mit­ tels einer Bestrahlung durch einen optischen Strahl gebildet werden, besteht die Gefahr, daß die Harzschicht in den Öff­ nungen 3a und 4 zurückbleiben kann. Insbesondere wenn der CO2-Laser L als optischer Strahl verwendet wird, verbleibt eine Harzschicht mit einer Dicke in der Größenordnung von 1 µm aufgrund des Einflusses der Laserwellenlänge leicht zu­ rück. Angesichts dessen werden nach der Bearbeitung des Substrats 1 durch Bestrahlung mit dem optischen Strahl unter Bildung der Öffnungen 3a und 4, welche jeweils aus den Kon­ taktanschlüssen 2 gebildete Bodenoberflächen einschließen, die Seitenoberflächen und Bodenabschnitte der Öffnungen 3a und 3 gewaschen, um dadurch nicht nur das auf den Oberflächen der Kontaktanschlüsse 2, welche die Bodenoberflächen der Öff­ nungen 3a und 4 bilden, sondern auch das auf den Seitenober­ flächen der Öffnungen 3a und 4 ebenso wie in der Peripherie der Öffnungen 3a und 4 verbliebene Harz zu entfernen. Dadurch kann die Verbindungszuverlässigkeit erhöht werden, wenn wie später diskutiert die Verbindungsdrähte 6 mit den Kontaktan­ schlüssen 2 durch die Öffnungen 4 verbunden werden, und gleichzeitig kann die Einbringzuverlässigkeit erhöht werden, wenn das elektronische Teil in die als Teileinbringungs­ abschnitt 3 verwendete Öffnung 3a eingebracht wird.
Das vorstehend genannte Waschen zur Entfernung des verbliebe­ nen Harzes auf den Seitenoberflächen und Bodenoberflächen der Öffnungen 3a und 4 kann durch Behandlung der Öffnungen 3a und 4 mit einer Kaliumpermanganat-Lösung erreicht werden. Insbe­ sondere kann zur Durchführung des Waschvorgangs das Substrat 1 mit den darin gebildeten Öffnungen 3a und 4, wie in Fig. 7 gezeigt, in einen Eimer 20 oder dergleichen gebracht und an­ schließend in eine Kaliumpermanganat-Lösung 21 eingetaucht werden, welche in einem Behandlungsgefäß 19 aufbewahrt wird. Beispielsweise wird zunächst das Substrat 1 in die MLB 211- Lösung, welche von Sipray Inc. hergestellt und auf eine Tem­ peratur von 80°C eingestellt ist, für fünf Minuten einge­ taucht und dadurch aufgequollen. Danach wird das Substrat 1 in eine Kaliumpermanganat enthaltende Lösung eingetaucht, insbesondere die ebenfalls von Sipray Inc. hergestellte MLB 213-Lösung, und auf eine Temperatur von 80°C für 5 Minuten erhitzt und dadurch oxidiert und zersetzt. Nach Waschen mit Wasser wird das Substrat I anschließend in eine 10%- Sulfatlösung für 5 Minuten eingetaucht, um dadurch den Be­ handlungsrückstand zu neutralisieren. Danach wird in einem weiteren Waschvorgang für das Substrat 1 das Substrat 1 mit einer Kaliumpermanganat-Lösung behandelt.
Auch das Verfahren zur Entfernung des auf den Seiten- und Bo­ denoberflächen der Öffnungen 3a und 4 verbliebenen Harzes kann durch Bestrahlung der Öffnungen 3a und 4 mit einem Exci­ mer-Laser auf durchgeführt werden. Beispielsweise kann das Waschen, wie in Fig. 8 gezeigt, durch Richten eines Excimer- Lasers E auf die Öffnungen 3a und 4 unter den folgenden Be­ dingungen durchgeführt werden: eine Bearbeitungsenergiedichte von 3,0 mJ/cm2/Puls, eine Wiederholfrequenz von 100 Hz und 10 Schüsse. Bei diesem Verfahren zum Waschen der Seitenoberflä­ chen und Bodenabschnitte der Öffnungen 3a und 4 unter Be­ strahlung mit einem Excimer-Laser können durch Auswahl der mit dem Excimer-Laser zu bestrahlenden Abschnitte die Ab­ schnitte, welche dem Verfahren unterworfen werden sollen, be­ liebig ausgewählt werden.
Das Reflexionsvermögen des Excimer-Lasers bezüglich der Me­ tallfolie 9, wie einer Kupferfolie, liegt im allgemeinen im Bereich von 20 bis 30%, und wenn der Excimer-Laser von der Metallfolie 9 auf den Bodenoberflächen der Öffnungen 3a und 4 reflektiert wird, verringert sich die Effizienz der Entfer­ nung des Harzes. Deshalb werden, wie in Fig. 9 gezeigt, re­ flektierende Platten 41 in den Peripherien der mit dem Exci­ mer-Laser E zu bestrahlenden Abschnitte angeordnet; das be­ deutet, daß der von der Metallfolie 9 reflektierte Excimer- Laser E von den reflektierenden Platten 41 reflektiert wird, wodurch die erneute Einwirkung des Excimer-Lasers auf die Öffnungen 3a und 4 und somit eine Steigerung der Entfernungs­ effizienz von verbliebenem Ausschuß möglich wird. Zudem kann durch eine derartige Anordnung der reflektierenden Platten 41, daß sie mit dem Excimer-Laser E zu bestrahlenden Ab­ schnitte umgeben, ein Austritt des Excimer-Lasers einge­ schränkt und somit die Sicherheit erhöht werden.
Wenn hierbei als Metallfolie (Kupferfolie) 9 eine Metallfolie verwendet wird, welche eine in engem Kontakt mit dem Substrat 1 befindliche aufgerauhte Oberfläche einschließt, liegt die aufgerauhte Oberfläche des aus der Metallfolie 9 gebildeten Kontaktanschlusses den Bodenoberflächen der Öffnungen 3a und 4 gegenüber, wodurch sich die Gefahr einer Verringerung der Verbindungszuverlässigkeit bei Verbindung und Anschluß des Verbindungsdrahtes 6 an den Kontaktanschluß 2 durch die Öff­ nung 4 erhöht. Da andererseits der Excimer-Laser bei kurzer Wellenlänge im Ultraviolett-Bereich arbeitet, stellt er nicht nur bezüglich des Harzes, sondern auch des Metalls, wie Kup­ fer, einen hohen Absorptionsfaktor zur Verfügung. Daher kann bei der Durchführung des Waschvorgangs zur Entfernung des verbliebenen Ausschusses innerhalb der Öffnungen 3a und 4 mittels Bestrahlung der Öffnungen 3a und 4 mit dem Excimer- Lasers, wie im vorstehend genannten Fall, gleichzeitig mit der Entfernung des verbliebenen Ausschusses die extreme Ober­ flächenschicht (mit einer Dicke in der Größenordnung von 1 µm) der Metallfolie 9 jeder der Bodenoberflächen der Öffnun­ gen 3a und 4 geschmolzen werden, wodurch die aufgerauhte Oberfläche der Metallfolie 9 jeder der Öffnungen 3a und 4 ge­ glättet werden kann. Zudem kann zusätzlich zur Glättung der aufgerauhten Oberfläche der Metallfolie 9 die Oberfläche der Metallfolie 9 gereinigt werden. Da zudem der Excimer-Laser nicht nur bei kurzer Wellenlänge arbeitet, sondern auch auf eine Bearbeitungsrate in der Größenordnung von µm gesteuert werden kann, kann durch die Verwendung des Excimer-Lasers ei­ ne mögliche Beschädigung der Metallfolien 9 verringert wer­ den. Daß heißt, die Möglichkeit der Verursachung eines Durch­ gangsloches oder eines Risses in der Metallfolie 9 kann ver­ ringert werden.
Bei der Durchführung nicht nur der Entfernung des verbliebe­ nen Harzes in den Öffnungen 3a und 4, sondern auch der Glät­ tung und Reinigung der Metallfolie 9 auf den Bodenoberflächen der Öffnungen 3a und 4 mittels Bestrahlung mit dem Excimer- Laser, wie im vorstehenden Fall, können die Excimer-Laser- Bestrahlungsbedingungen vorzugsweise aus dem Bereich von 3 bis 10 J/cm2 und 10 bis 30 Schüssen eingestellt werden. Wenn die Energie der Excimer-Laserbestrahlung unterhalb dieses Be­ reichs liegt, also dessen Stärke weniger als 3 J/cm2 und die Zahl der Schüsse weniger als 10 beträgt, kann die Glättung und Reinigung der Metallfolie 9 auf den Bodenoberflächen der Öffnungen 3a und 4 nicht befriedigend erreicht werden; und wenn andererseits die Energie der Excimer-Laserbestrahlung über diesem Bereich liegt, also dessen Stärke weniger als 10 J/cm2 und die Anzahl der Schüsse mehr als 30 beträgt, kann die Glättung der Metallfolie 9 erreicht werden, aber es be­ steht die Gefahr, daß aufgrund des Einflusses der Schockwel­ len eines derartigen Hochenergie-Excimer-Lasers neue unebene Abschnitte in den Metallfolien 9 ausgebildet werden können.
Auch bei der Durchführung nicht nur der Entfernung des ver­ bliebenen Harzes in den Öffnungen 3a und 4, sondern auch der Glättung und Reinigung der Metallfolien 9 auf den Bodenober­ flächen der Öffnungen 3a und 4 mittels Bestrahlung mit dem Excimer-Laser, wie im vorstehenden Fall, kann der Excimer- Laser vorzugsweise unter Aufzeichnung des reflektierten Lichts des Excimer-Lasers eingesetzt werden. Die Aufzeichnung des reflektierten Lichts des Excimer-Lasers kann durch Ver­ wendung eines Energiemeßgerätes 58 erreicht werden. Wie in Fig. 10 gezeigt ist das Energiemeßgerät 58 in Nachbarschaft zum Strahlenabschnitt des Excimer-Lasers E angeordnet und vorzugsweise kann das Energiemeßgerät 58 an einer derartigen Position angeordnet werden, an der sich das reflektierte Licht nicht in den Schatten der Wandoberflächen der Öffnungen 3a und 4 befindet; und zudem kann das Energiemeßgerät 58 vor­ zugsweise an einer derartigen Position angeordnet werden, die bezüglich zur Oberfläche im rechten Winkel zur Bestrahlungs­ oberfläche des Excimer-Lasers E einen großen Winkel aufweist. Im frühen Stadium der Bestrahlung mit dem Excimer-Laser ist, da an den Oberflächen der Metallfolien 9 an den Bodenoberflä­ chen der Öffnungen 3a und 4 immer noch unebene Abschnitte vorhanden sind, die Diffusionsreflexion des Excimer-Lasers groß und somit die Menge an in das Energiemeßgerät 58 einge­ henden reflektiertem Licht hoch. Wenn jedoch die Bestrahlung mit dem Excimer-Laser kontinuierlich durchgeführt wird, wer­ den die Oberflächen der Metallfolien 9 auf den Bodenoberflä­ chen der Öffnungen 3a und 4 aufgrund der geschmolzenen Ober­ flächenschichten der Metallfolien 9 geglättet, so daß die Diffusionsreflexion des Excimer-Lasers verringert und somit die Menge an in das Energiemeßgerät 58 eingehendem Licht ver­ ringert wird. Daß heißt, wenn die Bestrahlung mit dem Exci­ mer-Laser unter Überwachung des reflektierten Lichts des Excimer-Lasers durch das Energiemeßgerät 58 durchgeführt wird, kann nicht nur der Grad der Glattheit der Oberflächen der Metallfolien 9 auf den Bodenoberflächen der Öffnungen 3a und 4 gesteuert werden, sondern können auch die Veränderungen des Grades der Glattheit der Oberflächen der Metallfolien 9 auf den Bodenoberflächen 3a und 4 verringert werden.
Wenn nicht nur das verbliebene Harz in den Öffnungen 3a und 4 entfernt, sondern auch die Metallfolien 9 auf den Bodenober­ flächen der Öffnungen 3a und 4 geglättet und gereinigt wer­ den, kann vorzugsweise auch ein Kurzpuls-Infrarotlaser ver­ wendet werden. Da ein Laser im allgemeinen Infrarotbereich mit einer Pulsbreite in der Größenordnung von µs einen großen Absorptionskoeffizienten bezüglich der Metallfolien 9, wie einer Kupferfolie, bei der thermischen Bearbeitung zeigt, wird selbst bei Ausrichtung des derartigen Lasers auf die Oberfläche der Metallfolie 9 dessen Laserstrahl größtenteils reflektiert und die verbliebenen Teile des Laserstrahls eben­ falls innerhalb der Metallfolie 9 thermisch diffundiert, wo­ durch die Glättung der Oberfläche der Metallfolie 9 erschwert wird. Wenn andererseits ein Kurzpuls-Infrarotlaser im Infra­ rotbereich, aber mit einer Pulsbreite von 10-15 bis 10-12 (daß heißt 1 bis 1000 femto-)s verwendet wird, stellt der Laser nicht nur eine hohe Spitzenenergie zur Verfügung, sondern än­ dert sich auch der Arbeitszustand von thermischer Bearbeitung zur Abriebbearbeitung, wodurch eine Bearbeitung der Metallfo­ lie 9, wie einer Kupferfolie, möglich wird und dadurch die Metallfolien 9 auf den Bodenoberflächen der Öffnungen 3a und 4 geglättet und gereinigt werden können. Als Bestrahlungsbe­ dingungen des Kurzpuls-Infrarotlasers können vorzugsweise 10 bis 50 J/cm2 und 10 bis 50 Schüsse und eine Pulsbreite vor­ zugsweise in der Größenordnung von 10 bis 50 fs ausgewählt werden.
Das Waschen zur Entfernung des verbliebenen Harzes auf den Seitenoberflächen der Öffnungen 3a und 4 ebenso wie auf den Bodenabschnitten der Öffnungen 3a und 4 kann ebenfalls durch Behandlung der Öffnungen 3a und 4 mit Plasma erreicht werden. Beispielsweise wird nach Evakuierung eines Vakuumbehälters 22 auf 0,0001 Torr ein aus Ar-Gas (Strömungsgeschwindigkeit: 50 cm3/min) und Sauerstoffgas (Strömungsgeschwindigkeit: 50 cm3/min) bestehendes Gasgemisch in den Vakuumbehälter 22 ein­ geleitet oder nach Bedarf CF4 (Strömungsgeschwindigkeit: 50 cm3/min) zusätzlich in den Vakuumbehälter 22 eingeleitet, wo­ durch der Druck des Innenteils des Vakuumbehälters 22 auf 0,1 Torr eingestellt wird. Danach wird das Substrat 1 mit den darin gebildeten Öffnungen 3a und 4 in den Vakuumbehälter 22 auf die in Fig. 11 gezeigte Weise gegeben und für einige Mi­ nuten eine Plasmaanwendungsleistung von 60 W (mit einer Hoch­ frequenz von 13,56 MHz) zur Erzeugung von Plasma 23 angelegt, so daß die Seitenoberflächen und Bodenabschnitte der Öffnun­ gen 3a und 4 mit dem so erzeugten Plasma gewaschen werden können.
Weiterhin kann das Waschen zur Entfernung des verbliebenen Harzes auf den Seitenoberflächen der Öffnungen 3a und 4 eben­ so wie auf den Bodenabschnitten der Öffnungen 3a und 4 auch durch Sandstrahlen der Öffnungen 3a und 4 erreicht werden. Beispielsweise wird Aluminiumoxidpulver mit einem Teilchen­ durchmesser von 5 µm als Abriebmittel 24 verwendet, und die Abriebmittel 24 werden auf das Substrat 1 von der Seite, auf der sich die Öffnungen der Öffnungen 3a und 4 befinden, für mehrere Minuten bei einem Luftdruck von 5 kg/cm2 mittels ei­ ner Sandstrahlvorrichtung gegeben, wie in Fig. 12 gezeigt, wodurch die Sandstrahlbehandlung der Öffnungen 3a und 4 er­ reicht wird. Da das Sandstrahlen eine anisotrope Bearbeitung darstellt, bei der nur die Oberflächen der mit den Abriebmit­ teln 24 kollidierenden Öffnungen 3a und 4 behandelt oder sandgestrahlt werden, kann das Harz der inneren peripheren Oberflächen der Öffnungen 3a und 4 vor Schaden bewahrt wer­ den.
Durch die vorstehend beschriebenen Schritte wird die erfin­ dungsgemäße gedruckte Schaltungsplatte A hergestellt. Die elektrischen Teile 5, wie ein IC oder dergleichen, werden in die als Teileinbringungsabschnitt dienende Öffnung 3a einge­ bracht und an dem Kontaktanschluß 2 befestigt (als Ergebnis besitzt der Kontaktanschluß eine Haltefunktion für die elek­ trischen Teile 5). Danach werden die elektrischen Teile 5 und der Kontaktanschluß 2 durch das Verbindungsdraht 6 durch die Verbindungsdrahtöffnung 4 verbunden. Anschließend wird, wie in Fig. 1(a) gezeigt, das Versiegelungsharz 7 aufgegossen, um das IC-Kartenmodul herzustellen. Bei dieser Ausführungsform sind die Öffnungen 3a für den Teileinbringungsabschnitt 3a im Substrat 1 gebildet. Es ist möglich, daß die Oberfläche des Substrats 1 als Teilaufbringungsabschnitt 3 dient, so daß die elektrischen Teile, wie in Fig. 1(b) gezeigt, anstatt in der Öffnung 3a darauf befestigt werden.
Nebenbei bemerkt ist in Fig. 13(a) ein Zustand gezeigt, bei dem das Substrat 1 unter Verwendung eines CO2-Lasers als op­ tischer Strahl und unter den Bedingungen einer Bearbeitungs­ energie von 16,7 mJ/P, einem Oszillationsstromwert von 13,0 A, einer Pulsbreite von 16 µs und 3 Schüssen zur Ausbildung der Öffnungen 3a und 4 des Substrats 1 bearbeitet wird, wobei das Harz 67 in den Bodenabschnitten der Öffnungen 3a und 4 zurückbleibt. Hierbei ist das Substrat 1 aus einer Glasplatte 1a mit aufgebrachter Epoxidschicht mit einer Dicke von 70 µm gebildet, während die Metallfolie 9 aus einer Kupferfolie mit einer Dicke von 18 µm gebildet ist. In Fig. 14(a) ist ein mittels eines Rasterelektronenmikroskopes (SEM) aufgenommenes Bild gezeigt, bei welchem die in Fig. 13(a) gezeigten Öffnun­ gen 3a und 4 fotografiert sind, und in Fig. 14(b) ist ein weiteres SEM-Bild gezeigt, bei welchem die Öffnungen 3a und 4 auf weiter vergrößerte Weise fotografiert sind. In Fig. 13(b) ist ein Zustand gezeigt, bei welchem das auf den Bodenober­ flächen der Öffnungen 3a und 4 verbliebene Harz 67 durch Be­ strahlen der Öffnungen 3a und 4 mit dem Excimer-Laser ent­ fernt ist, während Fig. 15(a) ein SEM-Bild darstellt, bei welchem die Bodenoberflächen der laserbestrahlten Öffnungen 3a und 4 fotografiert sind. In Fig. 13(c) ist ein Zustand ge­ zeigt, bei welchem die Oberfläche der Metallfolie 9 auf jeder der Bodenoberflächen der Öffnungen 3a und 4 durch Waschen der Öffnungen 3a und 4 mit Salzsäure geglättet ist, während Fig. 15(b) ein SEM-Bild darstellt, bei welchem die Bodenoberflä­ chen der mit Säure gewaschenen Öffnungen 3a und 4 fotogra­ fiert sind. In Fig. 13(d) ist ein Zustand gezeigt, bei wel­ chem die Oberfläche der Metallfolie 9 jeder der Bodenoberflä­ chen der Öffnungen 3a und 4 mit einer Deckplattierschicht 10b, welche aus einer Kombination einer Ni-Plattierung mit einer Dicke von 1 µm und einer Au-Plattierung mit einer Dicke von 0,3 um besteht, versehen ist, während Fig. 15(c) ein SEM- Bild darstellt, bei welchem die Bodenoberflächen der derart oberflächenplattierten Öffnungen 3a und 4 fotografiert sind. Wie aus den in den Fig. 15(a) bis (c) gezeigten SEM-Bildern ersichtlich ist, kann bestätigt werden, daß das verbliebene Harz 67 auf den Bodenoberflächen der Öffnungen 3a und 4 durch Bestrahlung mit dem Excimer-Laser entfernt werden kann, und aufgrund des Waschens mit Säure nicht nur die Oberflächen der Metallfolien 9 auf den Bodenoberflächen der Öffnungen 3a und 4 geglättet, sondern auch der Zustand der Deckplattierschicht 10b verbessert werden kann.
Auch die Fig. 16 und 17 sind jeweils SEM-Bilder, bei welchen die Oberflächenzustände der Metallfolien 9 auf den Bodenober­ flächen der Öffnungen 3a und 4 fotografiert sind, wobei die Öffnungen 3a und 4 des Substrats 1 mit einem Excimer-Laser auf die in Fig. 8 gezeigte Weise unter Änderung der Excimer- Laserstrahlungsbedingungen bestrahlt wurden. Insbesondere zeigen die Bilder auf der linken Seite von Fig. 16 jeweils die Oberflächenzustände der Metallfolie 9 bei Bestrahlung mit dem Excimer-Laser mit 5 Schüssen unter den Bedingungen von 1,1 J/cm2, 1,8 J/cm2, 2,5 J/cm2, 3,2 J/cm2, 3,9 J/cm2, 4,6 J/cm2 und 5,3 J/cm2 in abnehmender Reihenfolge; während die Bilder auf der rechten Seite von Fig. 16 jeweils die Oberflä­ chenzustände der Metallfolie 9 bei Bestrahlung mit dem Exci­ mer-Laser mit 10 Schüssen unter den Bedingungen von 1,1 J/cm2, 1,8 J/cm2, 2,5 J/cm2, 3,2 J/cm2, 3,9 J/cm2, 4,6 J/cm2 und 5,3 J/cm2 in abnehmender Reihenfolge darstellen. Zudem zeigen die Bilder auf der linken Seite von Fig. 17 jeweils die Oberflächenzustände der Metallfolie 9 bei Bestrahlung mit dem Excimer-Laser mit 15 Schüssen unter den Bedingungen von 1,1 J/cm2, 1,8 J/cm2, 2,5 J/cm2, 3,2 J/cm2, 3,9 J/cm2, 4,6 J/cm2 und 5,3 J/cm2 in abnehmender Reihenfolge; während die Bilder auf der rechten Seite von Fig. 17 jeweils die Oberflä­ chenzustände der Metallfolie 9 bei Bestrahlung mit dem Exci­ mer-Laser mit 20 Schüssen unter den Bedingungen von 1,1 J/cm2, 1,8 J/cm2, 2,5 J/cm2, 3,2 J/cm2, 3,9 J/cm2, 4,6 J/cm2 und 5,3 J/cm2 in abnehmender Reihenfolge darstellen.
Weiterhin sind die Fig. 18 und 19 jeweils SEM-Bilder, bei de­ nen die Zustände des Abschnitts der Metallfolie 9 auf jeder der Bodenoberflächen der Öffnungen 3a und 4 fotografiert sind, wobei die Öffnungen 3a und 4 des Substrats 1 mit einem Excimer-Laser auf die in Fig. 8 gezeigte Weise unter Änderung der Excimer-Laserstrahlungsbedingungen bestrahlt wurden, und danach die Oberfläche der Metallfolie 9 auf jeder der Bo­ denoberflächen der Öffnungen 3a und 4 mit der aus einer Ni- Plattierung und einer Au-Plattierung bestehenden Deckplat­ tierschicht 10b versehen wurde. Insbesondere zeigen die Bil­ der auf der linken Seite von Fig. 18 jeweils die Zustände des Abschnitts der Metallfolie 9 bei Bestrahlung mit dem Excimer- Laser mit 5 Schüssen unter den Bedingungen von 1,1 J/cm2, 1,8 J/cm2, 2,5 J/cm2, 3,2 J/cm2, 3,9 J/cm2, 4,6 J/cm2 und 5,3 J/cm2 in abnehmender Reihenfolge; während die Bilder auf der rechten Seite von Fig. 18 jeweils die Zustände des Abschnitts der Metallfolie 9 bei Bestrahlung mit dem Excimer-Laser mit 10 Schüssen unter den Bedingungen von 1,1 J/cm2, 1,8 J/cm2, 2,5 J/cm2, 3,2 J/cm2, 3,9 J/cm2, 4,6 J/cm2 und 5,3 J/cm2 in abnehmender Reihenfolge darstellen. Die Bilder auf der linken Seite in Fig. 19 zeigen jeweils die Zustände des Abschnitts der Metallfolie 9 bei Bestrahlung mit dem Excimer-Laser mit 15 Schüssen unter den Bedingungen von 1,1 J/cm2, 1,8 J/cm2, 2,5 J/cm2, 3,2 J/cm2, 3,9 J/cm2, 4,6 J/cm2 und 5,3 J/cm2 in abnehmender Reihenfolge; während die Bilder auf der rechten Seite in Fig. 19 jeweils die Zustände des Abschnitts der Me­ tallfolie 9 bei Bestrahlung mit dem Excimer-Laser mit 20 Schüssen unter den Bedingungen von 1,1 J/cm2, 1,8 J/cm2, 2,5 J/cm2, 3,2 J/cm2, 3,9 J/cm2, 4,6 J/cm2 und 5,3 J/cm2 in ab­ nehmender Reihenfolge darstellen.
Wie aus den Fig. 16, 17, 18 und 19 ersichtlich ist, kann be­ stätigt werden, daß durch Bestrahlung mit dem Excimer-Laser unter den Bedingungen von 3 bis 10 J/cm2 und 10 bis 30 Schüs­ sen das verbliebene Harz in den Öffnungen 3a und 4 entfernt werden kann, die Oberflächen der Metallfolien 9 auf den Bo­ denoberflächen der Öffnungen 3a und 4 geglättet werden können und der Zustand der Deckplattierschicht 10b verbessert werden kann.
In der in Fig. 2 gezeigten vorstehend beschriebenen Ausfüh­ rungsform wird nach Bearbeitung der Metallfolie 9 auf einer Oberfläche des Substrats 1 zur Konfiguration einer Schaltung unter Bildung der Kontaktanschlüsse 2 darin gleichzeitig die auf der anderen Oberfläche des Substrats 1 befindliche Me­ tallfolie 9 durch Atzen entfernt, und werden in der Oberflä­ che des Substrats 1, von der die Metallfolie 9 durch Ätzen entfernt wurde, die Öffnungen 3a und 4 gebildet. Auf der an­ deren Seite wird bei einer in den Fig. 20(a) bis (c) darge­ stellten Ausführungsform, wie in Fig. 20(a) gezeigt, ein Substrat 1 verwendet, dessen beide Oberflächen mit Metallfo­ lien 9 beschichtet sind; Ätzresists werden an den beiden Me­ tallfolien 9 jeweils gebunden, die beiden Metallfolien 9 wer­ den anschließend belichtet und entwickelt und danach jeweils geätzt' wobei, wie in Fig. 20(b) gezeigt, die Metallfolie 9 auf einer Oberfläche des Substrats 1 zur Konfiguration einer Schaltung und Bildung von Kontaktanschlüssen 2 darin bearbei­ tet wird und gleichzeitig in der auf der anderen Oberfläche des Substrats 1 aufgetragenen Metallfolie 9 durch das Ätzen Öffnungen 14 gebildet werden. Die Öffnungen 14 werden derart an den Positionen gebildet, an denen die Öffnungen 3a und 4 im Substrat 1 gebildet werden sollen, daß die Öffnungen 14 jeweils einen Öffnungsdurchmesser besitzen, welcher dem Durchmesser der Öffnungen 3a und 4 entspricht. Durch Bestrah­ lung des aufgrund der derart ausgebildeten Öffnungen 14 frei­ gelegten Substrats 1 mit einem CO2-Laser können, wie in Fig. 20(c) gezeigt, die Öffnungen 3a und 4 im Substrat 1 gebildet werden.
Hierbei wird als CO2-Laser ein CO2-Laser L verwendet, dessen Strahlenbündel einen Durchmesser D2 besitzt, welcher größer als der Durchmesser D1 der Öffnungen 3a und 4 ist (der Durch­ messer der Öffnung 14 ist ebenfalls D1). Wie in Fig. 21 ge­ zeigt, werden selbst bei Bestrahlung mit einem CO2-Laser L, dessen Strahlenbündel einen Durchmesser D2 besitzt, der grö­ ßer als der Durchmesser D1 der Öffnungen 3a und 4 ist, die peripheren Abschnitte des CO2-Lasers L blockiert, da die Me­ tallfolien 9 als Masken dienen und somit nur der CO2-Laser L, der durch die Öffnungen 14 fällt, auf das Substrat 1 ge­ strahlt wird, wodurch die Öffnungen 3a und 4 derart gebildet werden können, daß sie den gleichen Durchmesser wie der Durchmesser D2 der Öffnungen 14 haben. Daher können gemäß der vorliegenden Ausführungsform unter Ausschaltung nicht nur der Notwendigkeit, als CO2-Laser L einen CO2-Laser L mit dem gleichen Strahlenbündeldurchmesser wie dem Durchmesser der Öffnungen 3a und 4 zu verwenden, sondern auch der Notwendig­ keit, die Strahlungsposition des CO2-Lasers L genau einzu­ stellen, die Hochpräzisionsöffnungen 3a und 4 an den Positio­ nen der in der Metallfolie 9 gebildeten Öffnungen 14 mit gleichem Durchmesser wie die Öffnungen 14 gebildet werden.
Bei der vorstehend genannten Ausführungsform wird als opti­ scher Strahl ein Hochfrequenz-YAG-Laser verwendet. Bei der Verwendung des hochfrequenten YAG-Lasers wird die Isolier­ schicht des Substrats 1 unter Bildung der Öffnungen 3a und 4 sowie der in den Öffnungen 3a und 4 abgelagerte Restausschuß eliminiert sowie die Oberfläche der Metallfolie 9 an den Bö­ den der Öffnungen 3a und 4 gleichzeitig geglättet. Insbeson­ dere bei der dritten harmonischen Welle des Hochfrequenz-YAG (Frequenz bei 355 nm) ist die Absorptionsfähigkeit der Isola­ tionsschicht des Substrats 1 oder der Kupferfolie der Metall­ folie 9 hervorragend und die Oszillationskraft relativ hoch, so daß sie für die erfindungsgemäße Behandlung geeignet ist. Weiterhin ist der Strahl gut konzentriert, so daß er für die Behandlung bei kleinem Durchmesser verwendbar ist. Die bevor­ zugte Bestrahlungsbedingung beträgt 10 bis 50 J/cm2 und 10 bis 15 Schüsse.
Weiterhin wird bei den vorstehend genannten Ausführungsformen als optischer Laser ein CO2-Laser und dergleichen verwendet. Allerdings kann als optischer Strahl auch ein anderer Laser wie ein SHG(zweite harmonische Generation)-YAG-Laser, ein THG(dritte harmonische Generation)-YAG-Laser, ein SHG-YLF- Laser und ein THG-YLF-Laser verwendet werden. Bei Bestrahlung können der SHG-YAG-Laser, der THG-YAG-Laser, der SHG-YLF- Laser und der THG-YLF-Laser auf die Metallfolie 9, wie eine Kupferfolie oder dergleichen, einwirken. Aufgrund dessen kön­ nen unter Verwendung eines oder mehrerer dieser Laser die Öffnungen 3a und 4 im Substrat 1 von oberhalb der Metallfolie 9 her ausgebildet werden, ohne daß die Metallfolie 9 vom Substrat 1 entfernt werden muß. Zudem kann ohne die Notwen­ digkeit eines Ätzens oder dergleichen durch Bestrahlung mit einem oder mehreren der vorstehend genannten SHG-YAG-Laser, THG-YAG-Laser, SHG-YLF-Laser und THG-YLF-Laser die Metallfo­ lie 9 zur Konfiguration einer Schaltung und Bildung von Kon­ taktanschlüssen 2 darin bearbeitet werden.
Anschließend werden, wie in Fig. 23 gezeigt, beide Oberflä­ chen des Substrats 1 sandgestrahlt. Beispielsweise wird Alu­ miniumoxid-Pulver mit einem Teilchendurchmesser von 5 µm als Abriebmittel 24 verwendet, daß heißt, daß das Sandstrahlen durch Aufbringen des Abriebmittels 24 bei einem Luftdruck von 5 kg/cm2 für mehrere Minuten mittels einer Sandstrahlvorrich­ tung durchgeführt werden kann. Wenn die Abriebmittel 24 unter Sandstrahlung auf die Oberflächen des Substrats 1 auf diese Weise aufgebracht werden, wird, wie in Fig. 22(c) gezeigt, nicht nur eine Einwirkung des Abriebmittels 24 durch die Öff­ nungen 31b auf die Abschnitte des Substrats 1, welche nicht mit den Strahlresists 30 bedeckt sind, unter Bildung der Öff­ nungen 3a und 4 im Substrat 1 veranlaßt, sondern auch eine Einwirkung der Abriebmittel 24 durch die Öffnungen 31b auf die Abschnitte der Metallfolie 9, welche den Abschnitten des Substrats 1 entsprechen, die nicht mit den Strahlresists 30 bedeckt sind, wodurch die Metallfolie 9 zur Konfiguration ei­ ner Schaltung und Bildung der Kontaktanschlüsse 2 darin bear­ beitet wird. Da das Sandstrahlen ein anisotroper Bearbei­ tungsschritt ist, bei welchem nur die mit den Abriebmitteln 24 kollidierenden Oberflächen bearbeitet werden, kann das in den inneren peripheren Oberflächen der Öffnungen 3a und 4 verwendete Harz vor Schaden bewahrt werden.
Nach der Durchführung des Sandstrahlens unter Bildung der Kontaktanschlüsse 2 und der Öffnungen 3a und 4 im Substrat 1 auf vorstehende Weise werden, wie in Fig. 22(d) gezeigt, die freigelegten äußeren Oberflächen der Kontaktanschlüsse 2 je­ weils mit Ni und glänzendem Au unter Bildung von Deckplat­ tierschichten 10a darauf plattiert, anschließend die Plat­ tierresists jeweils an die freigelegten äußeren Oberflächen der Kontaktanschlüsse 2 gebunden und die den Bodenabschnitten der Öffnungen 3a und 4 gegenüberliegenden Oberflächen der Kontaktanschlüsse 2 jeweils mit Ni und nicht glänzendem Au unter Bildung der in Fig. 22(e) gezeigten Deckplattierschicht 10b plattiert, und anschließend werden die Plattierresists entfernt, wodurch ein gedrucktes Schaltungsplatte A vervoll­ ständigt ist.
Gemäß einer ersten erfindungsgemäßen Ausgestaltung wird ein Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Schaltungsplatte bereitgestellt, welche ein durch direktes und enges Anbringen einer Metallfolie auf mindestens einer Oberfläche der Schal­ tungsplatte gebildetes Schaltmuster und jeweils von der ande­ ren Oberfläche der Schaltungsplatte gebildete Öffnungen zur elektrischen Verbindung des Schaltmusters dadurch ein­ schließt, wobei das Verfahren die Schritte umfaßt:
Bildung der Öffnungen von der anderen Oberflächenseite der Schaltungsplatte; und
Glätten einer Oberfläche der Metallfolie an der Öffnungsseite durch einen Ultraviolett-Laser.
Gemäß einer zweiten erfindungsgemäßen Ausgestaltung dient die Öffnung zur Einführung eines Verbindungsdrahts.
Gemäß einer dritten erfindungsgemäßen Ausgestaltung wird die Öffnung mit einem Lötmittel gefüllt, um eine Lötkugel aus zu­ bilden.
Gemäß einer vierten erfindungsgemäßen Ausgestaltung werden die Öffnungen durch einen optischen Strahl einschließlich ei­ nes CO2-Lasers gebildet.
Gemäß einer fünften erfindungsgemäßen Ausgestaltung wird ein Substrat verwendet, dessen beide Oberflächen mit Metallfolien beschichtet sind, und nach dem Ätzen der Metallfolie unter Bildung einer Öffnung wird ein CO2-Laser mit einem Strahl mit einem größeren Durchmesser als die Öffnung auf den Öffnungs­ abschnitt gerichtet, um dadurch Öffnungen im Substrat zu bil­ den.
Gemäß einer sechsten erfindungsgemäßen Ausgestaltung wird ein Substrat verwendet, das mit einer Metallfolie, deren anlie­ gende Oberfläche oxidationsbehandelt wurde, oder mit einer oxidationsbehandelten Metallfolie, deren anliegende Kontakt­ oberfläche einer Aufrauhbehandlung unterzogen wurde, be­ schichtet ist.
Gemäß einer siebten erfindungsgemäßen Ausgestaltung schließt die Oberfläche einer Metallfolie auf der anderen Oberfläche des Substrats zur Ausbildung der Öffnungen mittels Bestrah­ lung einer Oberfläche des Substrats mit einem CO2-Laser min­ destens ein Wärmeschild oder ein Kühlrohr ein.
Gemäß einer achten erfindungsgemäßen Ausgestaltung wird bei der Bestrahlung des Substrats mit einem CO2-Laser unter Bil­ dung der Öffnungen ein Strahlabschwächungsfilter im Zentrum des optischen Strahlengangs angeordnet.
Gemäß einer neunten erfindungsgemäßen Ausgestaltung wird der Excimer-Laser auf die Öffnungen gerichtet, während dessen re­ flektiertes Licht überwacht wird.
Gemäß einer zehnten erfindungsgemäßen Ausgestaltung werden die Öffnungen mit Plasma behandelt.
Gemäß einer elften erfindungsgemäßen Ausgestaltung werden die Öffnungen mittels Sandstrahlen behandelt.
Gemäß einer zwölften erfindungsgemäßen Ausgestaltung wird ein Substrat mit darauf beschichteten Metallfolien verwendet, werden ein oder mehrere Laser von SHG-YAG-Laser, THG-YAG- Laser, SHG-YLF-Laser und THG-YLF-Laser auf das Substrat ge­ richtet, um dadurch Öffnungen zu bilden, und die Metallfolien zur Konfiguration einer Schaltung bearbeitet, um dadurch Kon­ taktanschlüsse zu bilden.
Wie vorstehend beschrieben umfaßt eine gedruckte Schaltungs­ platte ein Substrat 1 einschließlich eines Teileinbringungs­ abschnitts 3, in dem ein elektrisches Teil 5 eingebracht wer­ den kann, eine Vielzahl von Kontaktanschlüssen 2, die jeweils auf einer Oberfläche des Substrats 1 ausgebildet sind und de­ ren Oberflächen nach außen unter Bereitstellung externer Kon­ takte freigelegt sind, sowie jeweils in der anderen Oberflä­ che des Substrats 1 ausgebildeten Öffnungen 4 zur Einfügung von Verbindungsdrähten 6, die zur Verbindung des in den Teil­ einbringungsabschnitt 3 des Substrats einzubringenden elek­ tronischen Teils 5 mit den verbundenen Kontaktanschlüssen 2 verwendet werden. Bei der gedruckten Schaltungsplatte ist je­ der Kontaktanschluß 2 aus einer Metallfolie 9 gebildet, die direkt und eng an dem Substrat 1 angebracht ist. Dadurch kann eine Verringerung der Hitzebeständigkeit eines gedruckten Schaltungsplattes verhindert werden, welche auftritt, wenn die zur Bildung der Kontaktanschlüsse 2 verwendete Metallfo­ lie unter Verwendung eines Haftmittels mit dem Substrat 1 verbunden ist.

Claims (12)

1. Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Schaltungs­ platte, welche ein durch direktes und enges Anbringen einer Metallfolie (9) auf mindestens einer Oberfläche der Schal­ tungsplatte gebildetes Schaltmuster und jeweils von der ande­ ren Oberfläche der Schaltungsplatte gebildete Öffnungen (3a, 4, 104) zur elektrischen Verbindung des Schaltmusters dadurch einschließt, wobei das Verfahren die Schritte umfaßt:
Bildung der Öffnungen (3a, 4, 104) von der anderen Oberflä­ chenseite der Schaltungsplatte; und
Glätten einer Oberfläche der Metallfolie (9) an der Öffnungs­ seite durch einen Ultraviolett-Laser.
2. Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Schaltungs­ platte nach Anspruch 1, wobei die Öffnung (4) zur Einführung eines Verbindungsdrahts (6) dient.
3. Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Schaltungs­ platte nach Anspruch 1, wobei die Öffnung (104) mit einem Lötmittel (116) gefüllt wird, um eine Lötkugel (117) auszu­ bilden.
4. Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Schaltungs­ platte nach Anspruch 1, wobei die Öffnungen (3a, 4, 104) durch einen optischen Strahl einschließlich eines CO2-Lasers gebildet werden.
5. Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Schaltungs­ platte nach Anspruch 1, wobei beide Oberflächen des Substrats (1, 101) mit Metallfolien (9) beschichtet sind, weiterhin um­ fassend:
Ätzen einer Metallfolie (9) unter Bildung einer Öffnung (14); und
Richten eines CO2-Lasers mit einem Strahl mit einem größeren Durchmesser als die Öffnung (14) auf den Öffnungsabschnitt, um dadurch Öffnungen (3a, 4, 104) im Substrat zu bilden.
6. Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Schaltungs­ platte nach Anspruch 1, wobei das Substrat (1, 101) eine Kon­ taktoberfläche einschließt, die mit einer oxidationsbehandel­ ten Metallfolie (9) beschichtet ist, deren Kontaktoberfläche einer Aufrauhbehandlung unterzogen wurde.
7. Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Schaltungs­ platte nach Anspruch 1, weiterhin umfassend:
ein Kühlelement, welches auf der Oberfläche der Metallfolie (9) auf der anderen Substratoberfläche angeordnet ist und mindestens ein Wärmeschild (42) oder ein Kühlrohr (44) ein­ schließt.
8. Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Schaltungs­ platte nach Anspruch 1, weiterhin umfassend:
einen Strahlabschwächungsfilter (45), der im Zentrum des op­ tischen Strahlengangs angeordnet ist.
9. Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Schaltungs­ platte nach Anspruch 1, wobei der Excimer-Laser auf die Öff­ nungen (3a, 4, 104) gerichtet wird, während sein reflektier­ tes Licht überwacht wird.
10. Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Schaltungs­ platte nach Anspruch 1, wobei die Öffnungen (3a, 4, 104) mit Plasma behandelt werden.
11. Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Schaltungs­ platte nach Anspruch 1, wobei die Öffnungen (3a, 4, 104) mittels Sandstrahlen behandelt werden.
12. Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Schaltungs­ platte nach Anspruch 1, wobei ein Substrat (1, 101) mit Me­ tallfolien (9) beschichtet und zumindest einer der Laser von SHG-YAG-Laser, THG-YAG-Laser, SHG-YLF-Laser und THG-YLF-Laser auf das Substrat (1, 101) gerichtet wird, um dadurch Öffnun­ gen (3a, 4, 104) zu bilden, und das Verfahren weiterhin die Schritte umfaßt:
Bildung einer Konfiguration einer Schaltung auf den Metallfo­ lien (9), um dadurch Kontaktanschlüsse (2) zu bilden.
DE19824225A 1997-07-28 1998-05-29 Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Schaltungsplatte Expired - Fee Related DE19824225B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9-218272 1997-07-28
JP21827297 1997-07-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19824225A1 true DE19824225A1 (de) 1999-02-04
DE19824225B4 DE19824225B4 (de) 2008-08-21

Family

ID=16717274

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19824225A Expired - Fee Related DE19824225B4 (de) 1997-07-28 1998-05-29 Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Schaltungsplatte

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE19824225B4 (de)
FR (1) FR2766654B1 (de)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001026436A1 (de) * 1999-09-30 2001-04-12 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren und einrichtung zum laserbohren von organischen materialien
WO2001026435A1 (de) * 1999-09-30 2001-04-12 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren und einrichtung zum laserbohren von laminaten
WO2001065595A2 (en) * 2000-02-28 2001-09-07 Sts Atl Corporation A method of forming an opening or cavity in a substrate for receiving an electronic component
DE10048424A1 (de) * 2000-09-29 2002-04-18 Bsh Bosch Siemens Hausgeraete Heizelement und Verfahren zur Herstellung eines Heizelements
US6956182B2 (en) * 2000-05-26 2005-10-18 Sts Atl Corporation Method of forming an opening or cavity in a substrate for receiving an electronic component
EP1707315A1 (de) * 2004-01-14 2006-10-04 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Herstellungsverfahren für gemustertes poröses formteil oder vliesstoff und stromkreiskomponenten
US7288739B2 (en) 2001-02-26 2007-10-30 Sts Atl Corporation Method of forming an opening or cavity in a substrate for receiving an electronic component
DE102007015415A1 (de) * 2007-03-30 2008-10-02 Daimler Ag Sonnenblende für ein Kraftfahrzeug

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112312659B (zh) * 2019-07-29 2021-09-21 庆鼎精密电子(淮安)有限公司 电路板的除胶方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0164564A1 (de) * 1984-05-18 1985-12-18 Siemens Aktiengesellschaft Anordnung zur Sacklocherzeugung in einem laminierten Aufbau
US4839497A (en) * 1987-09-03 1989-06-13 Digital Equipment Corporation Drilling apparatus and method
US5126532A (en) * 1989-01-10 1992-06-30 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus and method of boring using laser
US5194713A (en) * 1991-10-17 1993-03-16 International Business Machines Corporation Removal of excimer laser debris using carbon dioxide laser
US5302547A (en) * 1993-02-08 1994-04-12 General Electric Company Systems for patterning dielectrics by laser ablation
JPH06277863A (ja) * 1993-03-29 1994-10-04 Toshiba Corp 積層基板の加工方法
US5361268A (en) * 1993-05-18 1994-11-01 Electro Scientific Industries, Inc. Switchable two-wavelength frequency-converting laser system and power control therefor
US5593606A (en) * 1994-07-18 1997-01-14 Electro Scientific Industries, Inc. Ultraviolet laser system and method for forming vias in multi-layered targets
JPH08323488A (ja) * 1995-05-31 1996-12-10 Shinozaki Seisakusho:Kk レーザ光によるプリント配線板の孔あけ加工方法
JP3112059B2 (ja) * 1995-07-05 2000-11-27 株式会社日立製作所 薄膜多層配線基板及びその製法
JP2773710B2 (ja) * 1995-10-09 1998-07-09 日立エーアイシー株式会社 多層プリント配線板の製造方法
JP2710608B2 (ja) * 1996-03-01 1998-02-10 日本電気株式会社 有機フィルム加工方法
JP3080579B2 (ja) * 1996-03-06 2000-08-28 富士機工電子株式会社 エアリア・グリッド・アレイ・パッケージの製造方法
US5910255A (en) * 1996-11-08 1999-06-08 W. L. Gore & Associates, Inc. Method of sequential laser processing to efficiently manufacture modules requiring large volumetric density material removal for micro-via formation

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6713719B1 (en) 1999-09-30 2004-03-30 Siemens Aktiengesellschaft Method and device for laser drilling laminates
WO2001026435A1 (de) * 1999-09-30 2001-04-12 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren und einrichtung zum laserbohren von laminaten
KR100752831B1 (ko) * 1999-09-30 2007-08-29 히다치 비아 메카닉스 가부시키가이샤 유기 재료의 레이저 드릴링을 위한 방법 및 장치
WO2001026436A1 (de) * 1999-09-30 2001-04-12 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren und einrichtung zum laserbohren von organischen materialien
US6861008B1 (en) 1999-09-30 2005-03-01 Siemens Aktiengesellschaft Method and device for laser drilling organic materials
WO2001065595A3 (en) * 2000-02-28 2002-01-03 Sts Atl Corp A method of forming an opening or cavity in a substrate for receiving an electronic component
WO2001065595A2 (en) * 2000-02-28 2001-09-07 Sts Atl Corporation A method of forming an opening or cavity in a substrate for receiving an electronic component
US6956182B2 (en) * 2000-05-26 2005-10-18 Sts Atl Corporation Method of forming an opening or cavity in a substrate for receiving an electronic component
DE10048424A1 (de) * 2000-09-29 2002-04-18 Bsh Bosch Siemens Hausgeraete Heizelement und Verfahren zur Herstellung eines Heizelements
US7288739B2 (en) 2001-02-26 2007-10-30 Sts Atl Corporation Method of forming an opening or cavity in a substrate for receiving an electronic component
EP1707315A1 (de) * 2004-01-14 2006-10-04 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Herstellungsverfahren für gemustertes poröses formteil oder vliesstoff und stromkreiskomponenten
EP1707315A4 (de) * 2004-01-14 2007-05-30 Sumitomo Electric Industries Herstellungsverfahren für gemustertes poröses formteil oder vliesstoff und stromkreiskomponenten
US7586047B2 (en) 2004-01-14 2009-09-08 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method for manufacturing patterned porous molded product or nonwoven fabric, and electric circuit component
DE102007015415A1 (de) * 2007-03-30 2008-10-02 Daimler Ag Sonnenblende für ein Kraftfahrzeug

Also Published As

Publication number Publication date
DE19824225B4 (de) 2008-08-21
FR2766654B1 (fr) 2005-05-20
FR2766654A1 (fr) 1999-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19544929C2 (de) Vorrichtung zum flußmittelfreien Aufbringen eines Lötmittels auf ein Substrat oder einen Chip
DE60006127T2 (de) Schaltungsvereinzelungssystem und verfahren
DE3330068C2 (de)
DE10036900C2 (de) Verfahren zur Kontaktierung einer flexiblen Leiterplatte mit einem Kontaktpartner und Anordnung aus flexibler Leiterplatte und Kontaktpartner
DE3423172C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Solarbatterie
DE4207197A1 (de) Vorrichtung zum oertlichen beschichten oder galvanisieren
DE69911963T2 (de) Verfahren und vorrichtung zum bohren von mikrosacklöchern in elektrischen schaltungspackungen
US6117706A (en) Print circuit board
EP2299496B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Kontaktbereichs eines elektronischen Bauteils
DE19606074C2 (de) Verfahren zum Bilden einer Goldplattierungselektrode
DE2810054A1 (de) Elektronische schaltungsvorrichtung und verfahren zu deren herstellung
DE10043172A1 (de) Halbleiter-Baustein und Verfahren zur Herstellung desselben
EP0687009A2 (de) Mehrschichtpackung eines elektronischen Schaltkreises mit dielektrischen Polymerschichten unterschiedlichen optischen Absorptionsvermögens und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE3824008A1 (de) Elektronische schaltung sowie verfahren zu deren herstellung
DE19925652C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Lötverbindungen zwieschen Elektronischen Bauteilen und einer Leiterplatte
DE19824225A1 (de) Gedruckte Schaltungsplatte
DE102005018108A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einer Lötschicht
EP1680949B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Lötstoppbarriere
DE4433535C2 (de) Programmierbares Halbleiter-Bauelement mit Verbindungsherstellstruktur und Verfahren zum Herstellen eines solchen
DE102020104582A1 (de) Halbleitergehäuse einschliesslich aufrauhungsmerkmalen
DE4010899C2 (de)
WO1991009984A1 (de) Beschichtungsverfahren
DE4019915A1 (de) Verfahren und einrichtung zur herstellung einer verbindung zwischen einem bonddraht und einer metallischen kontaktflaeche
DE10124047A1 (de) Elektronische Bauteile mit Halbleiterchips und Systemträger und Verfahren zur Herstellung derselben
DE3390451C2 (de) Verfahren zum Laser-L¦ten

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8364 No opposition during term of opposition
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20131203