DE19732671A1 - Hysterese-Eingangspuffer - Google Patents

Hysterese-Eingangspuffer

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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Eingangspuffer einer Halbleitervorrichtung und insbesondere einen Differenzverstär­ kertyp-Eingangspuffer mit Hystereseeigenschaft
Im allgemeinen wird ein Invertertyp-Eingangspuffer verwendet, um ein externes Signal so anzulegen, daß es als ein internes Signal in einer Halbleitervorrichtung dient.
Anstelle eines derartigen Inverter-Eingangspuffers ist auch ein Differenzverstärkertyp-Eingangspuffer vorgesehen, der einen Ver­ gleicher umfaßt, um ein externes Signal mit einer internen Stan­ dardspannung zu vergleichen. Verglichen mit einem Invertertyp-Ein­ gangspuffer hat der Differenzverstärkertyp-Eingangspuffer eine bevorzugte Rauschspanne. Auch kann der Differenzverstärkertyp-Ein­ gangspuffer die Schwankung der Standardspannung verwenden, um einfach eine Hystereseeigenschaft zu gewinnen.
Wie in Fig. 1 gezeigt ist, umfaßt ein herkömmlicher Invertertyp-Ein­ gangspuffer einen PMOS-Transistor MP1, an dessen Gate ein Eingangssignal VIN liegt und dessen Source mit einer Versorgungs­ spannung VCC beaufschlagt ist, einen NMOS-Transistor MN1, an dessen Gate ein Freigabesignal EN liegt und dessen Drain mit Drain des PMOS-Transistors MP1 verbunden ist, einen NMOS-Tran­ sistor MN2, an dessen Gate das Eingangssignal VIN liegt, dessen Drain mit Source des NMOS-Transistors MN1 verbunden ist und des­ sen Source mit einer Massespannung VSS beaufschlagt ist, und ein NAND-Gatter NAND1 zum NAND-Verknüpfen des Freigabesignales EN und des Drainsignales des PMOS-Transistors MP1 und zum anschließenden Erzeugen eines Ausgangssignales VOUT.
Wenn hier das Eingangssignal VIN immer an dem Innern des Inver­ ters liegt, erfordert der Eingangspuffer nicht den NMOS-Tran­ sistor MN1 und das Freigabesignal EN, so daß das NAND-Gatter NAND1 durch einen Inverter ersetzt werden kann.
Der Betrieb des so aufgebauten herkömmlichen Invertertyp-Eingangs­ puffers wird nunmehr anhand der Fig. 1 erläutert.
Wenn zunächst das Freigabesignal EN auf einem niedrigen Pegel ist, d. h., wenn es abgeschaltet ist, wird der PMOS-Transistor MP1 eingeschaltet, und der NMOS-Transistor MN2 wird abgeschaltet in einem Fall, in welchem das Eingangssignal VIN auf einem niedri­ gen Pegel ist. Daher verläuft die Versorgungsspannung VCC durch den PMOS-Transistor MP1 und liegt an einem Eingang des NAND- Gatters NAND1. Zu dieser Zeit ist der NMOS-Transistor MN1 ausge­ schaltet, so daß ein Strompfad zwischen der Versorgungsspannung VCC und der Massespannung VSS gesperrt ist. Als ein Ergebnis liegt an einem anderen Eingang des NAND-Gatters NAND1 ein Nieder­ pegel-Freigabesignal EN. Demgemäß ist das Ausgangssignal VOUT des NAND-Gatters NAND1 auf einen hohen Pegel geschaltet. Auch wenn das Eingangssignal VIN auf einem hohen Pegel in einem Zustand ist, in welchem das Freigabesignal EN abgeschaltet ist, ist der PMOS-Transistor MP1 ausgeschaltet, so daß der Strompfad der Ver­ sorgungsspannung VCC unterbrochen ist, und der NMOS-Transistor MN2 wird eingeschaltet. Da der NMOS-Transistor MN1 ausgeschaltet ist, ist der Eingangsanschluß des NAND-Gatters NAND1, der mit einem Drainknoten des PMOS-Transistors MP1 verbunden ist, erdfrei bzw. "schwimmend". Das Freigabesignal eines niedrigen Pegels liegt an dem Anschluß des NAND-Gatters NAND1, so daß das Ausgangs­ signal VOUT auf einen hohen Pegel geschaltet ist. Wenn folglich das Freigabesignal EN auf einem niedrigen Pegel ist, da ein Hochpegel-Ausgangssignal VOUT unabhängig von der Schwankung des Eingangssignales VIN ausgegeben wird, wird die Schaltung in Fig. 1 nicht als ein Invertertyp-Eingangspuffer betrieben.
Wenn inzwischen das Freigabesignal EN auf einem hohen Pegel ist, d. h., wenn es eingeschaltet ist, wird der PMOS-Transistor MP1 eingeschaltet, und der NMOS-Transistor MN1 wird in einem Fall ausgeschaltet, in welchem das Eingangssignal VIN auf einem nied­ rigen Pegel ist. Daher verläuft die Versorgungsspannung VCC durch den PMOS-Transistor MP1 und liegt an einem Eingang des NAND- Gatters NAND1. Zu dieser Zeit ist der NMOS-Transistor MN2 ausge­ schaltet, so daß der andere Eingangsanschluß der Eingangsan­ schlüsse des NAND-Gatters NAND1 mit einem Hochpegelsignal beauf­ schlagt ist, und demgemäß wird das Ausgangssignal VOUT des NAND- Gatters NAND1 auf einen niedrigen Pegel geschaltet. Sodann wird in einem Zustand, in welchem das Freigabesignal EN eingeschaltet ist und falls das Eingangssignal VIN auf einem hohen Pegel ist, der PMOS-Transistor MP1 ausgeschaltet, und der Strompfad wird gestoppt, während der NMOS-Transistor MN1 eingeschaltet wird, so daß der Strompfad mit der Massespannung VSS verbunden ist und an einem Eingangsanschluß hiervon ein Hochpegel-Freigabesignal EN liegt. Als ein Ergebnis wird das Ausgangssignal VOUT des NAND- Gatters NAND1 auf einen hohen Pegel geschaltet.
Gemäß einem Spannungspegel der jeweiligen Drains des PMOS-Tran­ sistors MP1 und des NMOS-Transistors MN1, die mit einem Eingangs­ anschluß des NAND-Gatters NAND1 verbunden sind, wird der Pegel des Signales VOUT bestimmt, das von dem NAND-Gatter NAND1 ausge­ geben ist. Da der Drainspannungspegel gemäß der Versorgungsspan­ nung, der Temperatur und einem Masseprellen veränderlich ist, kann ein Fehlbetrieb des NAND-Gatters NAND1 auftreten. Auch wird proportional zu einem Größenverhältnis eines PMOS-Transistors P1 zu NMOS-Transistoren MN1, MN2 der Drainspannungspegel bestimmt. Da der vorbestimmte Pegel einem Eingangsspannenbereich des NAND- Gatters NAND1 entweichen kann, kann ein Fehlerausgangssignal VOUT auftreten.
Das Problem eines in Fig. 1 gezeigten Invertertyp-Eingangspuf­ fers liegt darin, daß eine geringe Rauschspanne vorliegt. Auch sind Ansprechkennlinien merklich abhängig von Temperatur und Masseprellen-Zustand veränderlich. Insbesondere liegt eine Auslegungsschwierigkeit aufgrund einer beträchtlichen Änderung der Versorgungsspannung VCC vor, die merklich darauf einwirkt. Da eine Vorrichtung mit niedriger Spannung und hoher Geschwindigkeit auf dem Weg der Entwicklung ist, wird die herkömmliche Schaltung gegenwärtig nicht eingesetzt.
Wie in Fig. 2 gezeigt ist, umfaßt ein herkömmlicher Differenz­ verstärker-Eingangspuffer zum Verbessern des Nachteils eines derartigen Invertertyp-Eingangspuffers gemäß der US-A-5 319 265 einen Differenzverstärker 10 zum Erzeugen eines Ausgangssignales VOUT gemäß einem Eingangssignal VIN über einen veränderlichen Widerstand RA und einer Standardspannung VREF über einen verän­ derlichen Widerstand RB, einen Schalter SWO, der mit den verän­ derlichen Widerständen RB verbunden ist und gemäß dem Ausgangs­ signal VOUT gesteuert ist, und eine Stromquelle IB, von der ein Anschluß mit dem Schalter SWO verbunden ist und deren anderer Anschluß an Masse liegt. Hier wird der Schalter SWO durch einen Ausgangspegel des Differenzverstärkers 10 geschaltet, und ent­ sprechend hiermit wird ein Stromwert der Stromquelle IB gesteu­ ert. Die Hysteresespannung wird durch wahlweises Absenken der der Standardspannung VREF zugeführten Spannung festgelegt.
Wie in Fig. 2 gezeigt ist, verändert ein herkömmlicher Verglei­ cher mit Hystereseeigenschaft einen Spannungspegel eines Anschlusses zu der Standardspannung VREF, damit der Betrieb des Vergleichers die Hystereseeigenschaft-aufweist. D. h., das Ein­ gangssignal VIN ist höher als die Standardspannung VREF, das Aus­ gangssignal VOUT ist auf einen hohen Pegel gesetzt und schaltet gleichzeitig den Schalter SWO ein, so daß ein Signal niedriger als das Signal der Standardspannung VREF an einem positiven An­ schluß des Differenzverstärkers 10 liegt.
Folglich tritt eine Spannungsabnahme auf, wenn die Standardspan­ nung VREF durch den Widerstand RB verläuft, und entsprechend wird der Pegel VREF' der Standardspannung niedriger als die Standard­ spannung. Die abgesenkte Standardspannung VREF' kann wie folgt ausgedrückt werden:
VREF' = VREF - IB *RB
wobei IB *RB einen abgesenkten Spannungsbetrag bedeutet, der er­ zeugt wird, während ein Durchgang durch den Widerstand RB er­ folgt. D.h., wenn das Eingangssignal VIN von einem hohen auf einen niedrigen Pegel übergeht, wird es mit der Standardspannung VREF verglichen, und wenn es von einem niedrigen auf einen hohen Pegel übergeht, wird ein Ausgangssignal VOUT ausgegeben, das mit der Standardspannung VREF verglichen ist, wodurch eine Hysterese­ eigenschaft erhalten werden kann.
Fig. 3 ist eine Darstellung, die den Differenzverstärker 10 in dem Differenzverstärker-Eingangspuffer von Fig. 2 veranschau­ licht, wobei der Differenzverstärker 10 aufweist: einen PMOS-Tran­ sistor MP1, an dessen Gate ein Freigabesignal EN liegt, des­ sen Source mit einer Versorgungsspannung VCC beaufschlagt ist und dessen Drain mit einem gemeinsamen Knoten ND1 verbunden ist, einen PMOS-Transistor MP2, dessen Source mit einer Versorgungs­ spannung VCC beaufschlagt ist, an dessen Gate ein gemeinsamer Knoten ND2 angeschlossen ist und dessen Drain mit dem gemeinsamen Knoten ND1 verbunden ist, einen PMOS-Transistor MP3, dessen Gate mit Gate des PMOS-Transistors MP2 und dem gemeinsamen Knoten ND2 verbunden ist, dessen Source mit der Versorgungsspannung VCC beaufschlagt ist und an dessen Drain der gemeinsame Knoten ND2 angeschlossen ist, einen PMOS-Transistor MP4, an dessen Gate der gemeinsame Knoten ND2 angeschlossen ist, dessen Source mit der Versorgungsspannung VCC beaufschlagt ist und an dessen Drain der gemeinsame Knoten ND2 angeschlossen ist, einen NMOS-Transistor MN1, an dessen Gate das Eingangssignal VIN liegt und dessen Drain mit dem gemeinsamen Knoten ND1 verbunden ist, einen NMOS-Tran­ sistor MN2, an dessen Gate die Standardspannung liegt und dessen Drain mit dem gemeinsamen Knoten ND2 verbunden ist, einen NMOS-Tran­ sistor MN3, dessen Drain gemeinsam an die Drains des NMOS-Tran­ sistors MN2 und des NMOS-Transistors MN1 angeschlossen ist, dessen Gate mit dem Freigabesignal beaufschlagt ist und an dessen Source Masse angelegt ist, und einen Inverter INV, der ein Signal invertiert, das an dem gemeinsamen Knoten ND1 liegt, und der ein Ausgangssignal VOUT erzeugt.
Anhand der Fig. 3 wird nunmehr der Betrieb des so aufgebauten Differenzverstärkertyp-Eingangspuffers näher beschrieben.
Zunächst ist das Freigabesignal EN auf einem niedrigen Pegel, d. h. , wenn Abschaltung vorliegt, werden die PMOS-Transistoren MP1, MP4 eingeschaltet, und der NMOS-Transistor MN3 wird ausgeschal­ tet. Obwohl demgemäß die Versorgungsspannung VCC über die PMOS- Transistoren MP1, MP4 an den gemeinsamen Knoten ND1, ND2 anliegt, wird der NMOS-Transistor MN3 ausgeschaltet, und der Strompfad wird unterbrochen. Der Eingangsanschluß des Inverters INVI emp­ fängt ein Signal, das auf einen hohen Pegel gemäß dem PMOS-Tran­ sistor MP1 vorgeladen ist, anstelle eines Signales, das das Ein­ gangssigal VIN mit der Standardspannung VREF verglichen hat. Als ein Ergebnis bleibt das Ausgangssignal VOUT immer auf einem nied­ rigen Pegel. Daher ist der Differenzverstärker 10 nicht in der Lage, das Eingangssignal VIN mit der Standardspannung VREF zu vergleichen.
Inzwischen ist das Freigabesignal EN auf einem hohen Pegel, d. h. , wenn Freigabe vorliegt, so wird der NMOS-Transistor MN3 ein­ geschaltet, und die PMOS-Transistoren MP1, MP4 werden ausge­ schaltet, so daß der Strompfad der Spannung VCC unterbrochen wird. Da auch der Strom durch den NMOS-Transistor MN3 ausgelöst ist, können das Eingangssignal VIN und die Standardspannung VREF miteinander verglichen werden.
Demgemäß setzt der Differenzverstärker 10 den Wert, der durch Vergleichen des Eingangssignales VIN mit der Standardspannung VREF erhalten ist, über den Inverter INV in einen Binärwert um, der als ein interner logischer Pegel dient. Zu dieser Zeit ist das Eingangssignal VIN größer als die Standardspannung VREF, das Ausgangssignal VOUT wird auf einen hohen Pegel geschaltet, wäh­ rend dann, wenn das Eingangssignal VIN niedriger als die Stan­ dardspannung VREF ist, das Ausgangssignal VOUT auf einen nied­ rigen Pegel rückgesetzt wird. Hier dient der NMOS-Transistor MN3 als eine Stromsenke, und die PMOS-Transistoren MP2, MP3 wirken jeweils als eine Hochziehlast in der Form des Stromspiegels.
Die NMOS-Transistoren MN1, MN2 verstärken das Eingangssignal und die Standardspannung VREF, und der sich ergebende Wert wird in der Form einer Stromdifferenz beobachtet, um so den Pegel des Eingangssignales zu dem Inverter INV zu übertragen. Wenn hier die Spannung durch einen Knoten A mit VA bezeichnet wird, ist die Gate-Source-Spannung des NMOS-Transistors NM1 in VGS = VREF-VA enthalten, und die Gate-Source-Spannung des NMOS-Transistors NM2 wird zu VGS = VREF-VA. Gegebenenfalls wird die Differenz des Ein­ gangssignales VIN und der Standardspannung VREF (VIN-VREF) in eine Stromdifferenz des NMOS-Transistors MN1 und des NMOS-Tran­ sistors MN2 umgesetzt. Der Strom IDS der NMOS-Transistoren MN1, MN2 ist proportional zu der Gate-Source-Spannung VGS der NMOS- Transistoren MN1, MN2 oder zu einem Spannungsquadrat VGS2 der Gate-Source-Spannung.
Das Freigabesignal EN steuert den NMOS-Transistor MN3, um den Bereitschaftsstrom in einem inaktiven Modus des Differenzver­ stärkers 10 zu vermindern, und die PMOS-Transistoren MP1, MP4 führen ein Vorladen des NAND-Gatters ND1, ND2 aus.
Jedoch ist der so arbeitende herkömmliche Differenzverstärker­ typ-Eingangspuffer ganz empfindlich für ein Signalrauschen und ein Masseprellen, da bei Empfang eines LVTTL-(Niederspannung- TTL-Pegel-)Signales nicht ausreichend Spanne zu VIH (Spannungs­ eingang hoch) (2,0) und VIL (Spannungseingang niedrig) (0,8) hinsichtlich einer Rauschunempfindlichkeit hiervon besteht.
In dem Fall eines Speicheradresspuffers liegt die Standardspan­ nung VREF bei 1,4V, was ungefähr ein Mittelwert zwischen VIL (2,0) und VIH (0,8) ist, und wenn das Rauschen eines Adress­ signales durch einen benachbarten Wert der Standardspannung VREF beeinträchtigt wird, wird das Ausgangssignal verstärkt, um so in einem Betriebsfehler in der internen Schaltung zu resultieren.
Weiterhin nimmt der Differenzverstärkertyp-Eingangspuffer hin­ sichtlich einer Halbleitervorrichtung eines Speichers eine externe Leistung an, um eine interne Leistung, wie beispielsweise eine Standardspannung VREF) zu erzeugen. In dem Fall der Spei­ chervorrichtung ist VREF mit zahlreichen Differenztyp-Eingangs­ puffern verbunden. Infolge eines Schaltens von VREF gemäß dem Ausgangssignal VOUT wird die Gesamtstromquelle IB durch die VOUT-Zustände verändert. Dies macht die Rauschunempfindlichkeit schwach.
Bei einem Vergleich der Fig. 2 und 3 wird durch den Schalter SWO ein zu der Stromquelle IB gleichwertiger Strom in der Stan­ dardspannung VREF verbraucht, und die Standardspannung VREF liegt in Fig. 2 an dem Gate des NMOS-Transistors MN2, und demgemäß liegt keine, den Strom verbrauchende Strecke vor. Insbesondere beeinflußt eine derartige Leistungsaufnahme die Halbleitervor­ richtung selbst in einem inaktiven Modus, so daß die in Fig. 2 veranschaulichte Schaltung auch für eine Vorrichtung ungeeignet ist, die eine niedrigere Leistungsaufnahme erfordert.
Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Hysterese-Ein­ gangspuffer zu schaffen, um eine Hysteresekennlinie zu erhal­ ten, die stark ein Rauschen aushält, um so einen stabilen Betrieb einer Halbleitervorrichtung sicherzustellen; außerdem soll ein Hysterese-Eingangspuffer angegeben werden, um eine Leistungsauf­ nahme durch Verändern einer Standardspannung eines Vergleichers zu vermindern; schließlich soll ein Hysterese-Eingangspuffer ange­ geben werden, um eine Fläche einer Halbleitervorrichtung durch Verändern einer Standardspannung eines Vergleichers herabzuset­ zen.
Zur Lösung dieser Aufgabe sieht die vorliegende Erfindung einen Hysterese-Eingangspuffer mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 bzw. 10 vor.
Bevorzugte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Der erfindungsgemäße Hysterese-Eingangspuffer umfaßt also einen Differenzverstärker zum Vergleichen eines Eingangssignales mit einer Standardspannung gemäß einem Freigabesignal und einen Multi­ plexer zum Multiplexen der Standardspannung zu einer ersten, einer zweiten und einer dritten Standardspannung gemäß einem Ausgangssignal des Differenzverstärkers.
Der Puffer ist gegen Rauschen widerstandsfähig und zeigt Hyste­ reseeigenschaften.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher er­ läutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein schematisches Diagramm eines herkömmlichen Inverter­ typ-Eingangspuffers,
Fig. 2 ein schematisches Schaltungsdiagramm eines herkömmlichen Differenzverstärkertyp-Eingangspuffers,
Fig. 3 ein Schaltungsdiagramm eines Differenzverstärkers in Fig. 2 in Einzelheiten,
Fig. 4 ein schematisches Schaltungsdiagramm eines Hysterese-Ein­ gangspuffers gemäß der vorliegenden Erfindung,
Fig. 5 einen Graphen, der Eigenschaften bzw. Kennlinien eines Hysterese-Eingangspuffers in Fig. 4 veranschaulicht,
Fig. 6 ein Schaltungsdiagramm des Hysterese-Eingangspuffers von Fig. 4 in Einzelheiten, und
Fig. 7 ein Schaltungsdiagramm eines bevorzugten Ausführungs­ beispiels, das gegenüber der Schaltung von Fig. 6 weiter verein­ facht ist.
Wie in Fig. 4 gezeigt ist, umfaßt ein Hysterese-Eingangspuffer gemäß der vorliegenden Erfindung einen Differenzverstärker 10 zum Vergleichen einer Eingangsspannung VIN mit einer Standardspannung VREF und einen Multiplexer zum Multiplexen der Standardspannung VREF zu einer ersten Standardspannung VREF+V', einer zweiten Stan­ dardspannung VREF und einer dritten Standardspannung VREF-V' gemäß einem Ausgangssignal VOUT des Differenzverstärkers 10.
Fig. 5 ist ein Graph, der eine Ansprechkennlinie des Ausgangs­ signales VOUT abhängig von einer Änderung des Eingangssignales VIN des Hysteresepuffers gemäß der vorliegenden Erfindung veran­ schaulicht, wobei gemäß dem Ausgangssignal VOUT die Standardspan­ nung zu der ersten, der zweiten und der dritten Standardspannung VREF+V', VREF bzw. VREF-V' verändert wird.
Zunächst wird in einem Anfangszustand das Eingangssignal VIN zu Null gemacht. Wenn der Differenzverstärker 10 nicht freigegeben ist, liegt die zweite Standardspannung VREF an einem negativen Anschluß des Differenzverstärkers 10. Wenn eine Halbleitervor­ richtung den Verstärker 10 freigibt, um das Eingangssignal VIN zu empfangen, werden das Eingangssignal VIN und die zweite Standard­ spannung VREF verglichen, und der verglichene bzw. Vergleichswert wird in der Form eines Ausgangssignales VOUT übertragen. Zu die­ ser Zeit ist das Eingangssignal VIN größer als die zweite Stan­ dardspannung, das Ausgangssignal wird auf einen hohen Pegel ge­ schaltet, und der Multiplexer 20 legt die dritte Standardspannung VREF-V' an den negativen Anschluß des Differenzverstärkers.
Obwohl das Eingangssignal VIN durch Rauschen beeinträchtigt wird, sollte der Pegel des Ausgangssignales VOUT höher als derjenige nicht der zweiten Standardspannung VREF, sondern der dritten Standardspannung VREF-V' sein, und die Rauschunempfindlichkeit wird viel stärker.
Wenn das Eingangssignal VIN auf einen niedrigen Pegel übertragen ist und wenn das Ausgangssignal VIN kleiner als die dritte Stan­ dardspannung VREF-V' wird, so wird das Ausgangssignal VOUT zu einem niedrigen Pegel geschaltet, und der Multiplexer 20 legt die erste Standardspannung VREF+V' an einen positiven Anschluß des Differenzverstärkers 10.
Gegebenenfalls wird der Standardspannungsanschluß (VREF+V', VREF, VREF-V': negativer Anschluß) gemäß dem Status oder Zustand des Ausgangssignales VOUT veränderlich, wodurch eine Hysterese-Kenn­ linie auftritt.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird die zweite Standardspannung VREF als wesentlich wie beim Stand der Technik angesehen, so daß die zweiten und dritten Standardspannungen VREF+V', VREF-V' zu­ sätzlich aus der zweiten Standspannung ohne Verbrauch eines zu­ sätzlichen Stromes erzeugt werden können. Auch können die ersten und dritten Standardspannungen VREF+V', VREF-V' gemäß einer Ein­ stellung für die zweite Standardspannung VREF stabilisiert wer­ den. Da insbesondere keine Stromstrecke hinsichtlich einer Ver­ bindung der ersten, zweiten und dritten Standardspannungen VREF+V', VREF, VREF-V' zu den entsprechenden Gates der Transi­ storen auftritt, kann ein zusätzlicher Stromverbrauch vernach­ lässigt werden.
Fig. 6 zeigt einen Hysterese-Eingangspuffer von Fig. 4 und ist identisch zu Fig. 4, mit Ausnahme davon, daß das Ausgangssignal VOUT eine identische Phase zu dem Eingangssignal VIN hat.
Wie in Fig. 6 gezeigt ist, umfaßt der Hysterese-Eingangspuffer gemäß der vorliegenden Erfindung einen Differenzverstärker 10 zum Empfangen des Eingangssignales und einen Multiplexer 20 zum Multi­ plexen einer Standardspannung VREF zu einer ersten, einer zweiten und einer dritten Standardspannung VREF+V', VREF bzw. VREF-V'. Der Differenzverstärker 10 ist identisch zu demjenigen in Fig. 4, und demgemäß haben die Transistoren, die identische Funk­ tionen ausführen, die gleichen Bezugszeichen.
Der Multiplexer 20 umfaßt eine Schaltereinheit 40 aus ersten, zweiten und dritten Schaltern SW1, SW2, SW3, die jeweils mit dem Gate eines NMOS-Transistors MN5 des Differenzverstärkers 10 ver­ bunden sind, und einen Wähler 30 zum Wählen eines Schalters unter den ersten, zweiten und dritten Schaltern SW1, SW2, SW3 und zum Anlegen der sich ergebenden Standardspannung an den Differenz­ verstärker 10. Hier führen die ersten, zweiten und dritten Schal­ ter SW1, SW2 bzw. SW3 eine entsprechende erste, zweite bzw. dritte Spannung VREF+V', VREF bzw. VREF-V' zu dem Differenzver­ stärker 10.
Anhand der Fig. 6 wird der Betrieb des Hysterese-Eingangspuffers gemäß der vorliegenden Erfindung nunmehr näher erläutert.
Wenn zunächst der Hysterese-Eingangspuffer in einem Bereitschafts­ modus ist, d. h., wenn das Freigabesignal EN auf einem niedrigen Pegel ist, wird der NMOS-Transistor MN3 des Differenzverstär­ kers 10 ausgeschaltet, und die PMOS-Transistoren MP1, MP4 werden eingeschaltet, so daß der Differenzverstärker initialisiert wird. Gemäß dem Freigabesignal EN, das auf einem niedrigen Pegel ist, wird das Ausgangssignal des Inverters INV3 im Multiplexer 20 auf einen hohen Pegel geschaltet, und demgemäß wird der Schalter SW2 eingeschaltet.
Auch liegt das Niederpegel-Freigabesignal EN über die NAND-Gatter NAND2, NAND3 und die Inverter INV4, INV5 an den jeweiligen Schal­ tern SW3, SW4, wodurch die Schalter SW3, SW4 ausgeschaltet werden.
Demgemäß wird erreicht, daß lediglich die zweite Standardspannung VREF über den Schalter SW2 an dem NMOS-Transistor NM2 des Diffe­ renzverstärkers 10 anliegt.
Wenn der Hysterese-Eingangspuffer gemäß der vorliegenden Erfin­ dung einen Betrieb beginnt und wenn das Freigabesignal auf einen hohen Pegel übergeht, so wird der NMOS-Transistor MN3 eingeschal­ tet, und die PMOS-Transistoren MP1, MP4 werden ausgeschaltet, und demgemäß wird der Differenzverstärker 10 initialisiert. Zu dieser Zeit hat das Eingangssignal VIN, das an Gate des NMOS-Transistors MN1 anliegt, einen VIH-Zustand, der größer als die zweite Stan­ dardspannung VREF ist, die zuvor an dem NMOS-Transistor MN2 an­ lag, so daß der Knoten B einen niedrigen Pegel annimmt und das Ausgangssignal VOUT auf einen hohen Pegel übergeht.
Gemäß dem Hochpegel-Freigabesignal EN wird das Ausgangssignal des Invertes INV3 des Multiplexers 20 auf einen niedrigen Pegel ge­ schaltet, und demgemäß wird der Schalter SW2 ausgeschaltet.
Auch liegt an einem Eingangsanschluß des NAND-Gatters NAND2 ein Freigabesignal EN, das auf einem hohen Pegel ist, und an dem an­ deren Eingangsanschluß des NAND-Gatters NAND2 liegt ein Nieder­ pegelsignal des Knotens B, wodurch das NAND-Gatter NAND2 ein Hochpegelsignal ausgibt, das seinerseits über den Inverter INV4 dem Schalter SW3 zugeführt ist und so den Schalter SW3 ausschaltet.
Inzwischen liegt an einem Eingangsanschluß des NAND-Gatters NAND3 ein Hochpegel-Freigabesignal EN, und an einem anderen Anschluß des NAND-Gatters NAND3 ist ein Hochpegelsignal über den Inverter INV2 zugeführt. Demgemäß liefert das NAND-Gatter NAND3 ein Nieder­ pegelsignal, das über den Inverter INV5 dem Schalter SW4 zuge­ führt ist, um so den Schalter SW4 einzuschalten, wodurch ledig­ lich die dritte Standardspannung VREF-V' über den Schalter SW4 dem NMOS-Transistor MN8 zugeführt wird.
Wenn sodann das Eingangssignal VIN auf einen niedrigen Pegel ge­ schaltet wird, nimmt der Gatepegel des NMOS-Transistors MN2, der als ein Eingangsanschluß für eine Standardspannung des Differenz­ verstärkers dient, einen Pegel der dritten Standardspannung VREF-V' an. Wenn nämlich das Freigabesignal EN auf einen hohen Pegel geschaltet wird, war der Gatepegel des NMOS-Transistors MN2 der Pegel der dritten Standardspannung VREF-V'.
Zu dieser Zeit wird das Eingangssignal VIN niedriger als die dritte Standardspannung VREF-V', der Knoten B nimmt einen hohen Pegel an, und das Ausgangssignal VOUT geht auf einen niedrigen Pegel über.
Gemäß dem Hochpegel-Freigabesignal EN wird das Ausgangssignal des Inverters INV3 im Multiplexer 20 auf einen niedrigen Pegel ge­ schaltet, und demgemäß wird der Schalter SW2 ausgeschaltet.
Auch liegt an einem Eingangsanschluß des NAND-Gatters NAND 2 ein Hochpegelsignal des Knotens B, und an einem anderen Eingangsan­ schluß hiervon ist ein Hochpegel-Freigabesignal EN zugeführt.
Demgemäß liefert das NAND-Gatter NAND2 ein Niederpegelsignal. Das Niederpegelsignal ist über den Inverter INV4 dem Schalter SW3 zugeführt, und der Schalter SW3 wird eingeschaltet.
Inzwischen liegt an einem Eingangsanschluß des NAND-Gatters NAND3 ein Niederpegelsignal über den Inverter INV2, und ein anderer Eingangsanschluß hiervon ist mit einem Hochpegel-Freigabesignal EN beaufschlagt. Demgemäß liefert das NAND-Gatter NAND3 ein Hoch­ pegelsignal. Das Hochpegelsignal ist über den Inverter INV5 dem Schalter SW4 zugeführt, und der Schalter SW4 wird ausgeschaltet.
Daher liegt die erste Standardspannung VREF+V' über den Schalter SW3 an Gate des NMOS-Transistors MN8.
Wenn das Eingangssignal VIN auf einen hohen Pegel geschaltet wird, wird der Gatepegel des NMOS-Transistors MN2 auf einen Pegel der ersten Standardspannung VREF+V' geschaltet, wobei das Gate als ein Eingangsanschluß einer Standardspannung des Differenz­ verstärkers dient. Wenn nämlich das Eingangssignal VIN auf einen niedrigen Pegel übergeht, war der Gatepegel des NMOS-Transistors MN2 derjenige der ersten Standardspannung VREF+V'.
Wenn zu dieser Zeit das Eingangssignal VIN größer als die erste Standardspannung VREF+V' wird, nimmt der Knoten B einen niedrigen Pegel an, und das Ausgangssignal VOUT geht auf einen hohen Pegel über.
Gemäß dem Hochpegel-Freigabesignal EN wird das Ausgangssignal des Inverters INV3 des Multiplexers 20 auf einen niedrigen Pegel geschaltet, und demgemäß wird der Schalter SW2 ausgeschaltet.
Auch liegt an einem Eingangsanschluß des NAND-Gatters NAND2 ein Niederpegelsignal des Knotens B, und ein anderer Eingangsanschluß ist mit einem Hochpegel-Freigabesignal EN beaufschlagt, so daß das NAND-Gatter NAND3 ein Hochpegelsignal ausgibt. Das Hochpegel­ signal ist über den Inverter INV4 dem Schalter SW3 zugeführt, so daß der Schalter SW3 ausgeschaltet wird.
Inzwischen liegt an einem Einganganschluß des NAND-Gatters NAND 3 ein Hochpegelsigal über den Inverter INV2, und ein anderer Ein­ gangsanschluß hiervon ist mit einem Hochpegel-Freigabesignal beaufschlagt. Demgemäß liefert das NAND-Gatter NAND3 ein Nieder­ pegelsignal. Das Niederpegelsignal ist über den Inverter INV5 dem Schalter SW4 zugeführt, so daß der Schalter SW4 eingeschaltet wird.
Gegebenenfalls wird lediglich die erste Standardspannung VREF+V' über den Schalter SW4 dem Gate des NMOS-Transistors MN8 zugeführt.
Die Standardspannung des Eingangspuffers wird zu den ersten, zweiten und dritten Standardspannungen VREF+V', VREF, VREF-V' gemäß einem vorherigen Zustand des Eingangssignales VIN verän­ dert, um so eine Hysteresekennlinie gemäß der vorliegenden Erfin­ dung zu erzielen.
Fig. 7 veranschaulicht einen gegenüber zu der Fig. 6 weiter vereinfachten Hysterese-Eingangspuffer gemäß einem anderen Aus­ führungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Wenn, wie in Fig. 7 gezeigt ist, ein Eingangspuffer nicht initia­ lisiert zu werden braucht, kann der Hysterese-Eingangspuffer gemäß der vorliegenden Erfindung verwirklicht werden, indem ledig­ lich die ersten und dritten Standardspannungen VREF+V', VREF-V' ohne die zweite Standardspannung VREF verwendet werden. D. h., da das Eingangssignal VIN mit einem VIL- oder einem VIN-Zustand be­ ginnt, ist der negative Anschluß des Differenzverstärkers DFF3 bereits gemäß den ersten und dritten Standardspannungen VREF+V', VREF-V' bestimmt.
Wie oben beschrieben ist, verändert der Hysterese-Eingangspuffer gemäß der vorliegenden Erfindung die Standardspannung entspre­ chend dem Pegel eines Eingangssignales, wenn Eingangssignale ver­ glichen werden, um so eine gegen Rauschen widerstandsfähige Kenn­ linie zu erzielen und einen Prozeß hoher Geschwindigkeit einer Halbleitervorrichtung und einen stabilisierten Betrieb hiervon zu sichern. Auch sind die Standardspannungen VREF, VREF-V', VREF+V' stabiler als diejenigen von herkömmlichen Schaltungen.
Weiterhin verbraucht der erfindungsgemäße Hysterese-Eingangs puffer nicht Strom an einer Quelle der Standardspannung, was verschieden vom Stand der Technik ist, um so eine Leistungs­ aufnahme zu vermindern.
Schließlich benötigt der erfindungsgemäße Hysterese-Eingangs­ puffer nicht einen Eingangsanschluß für eine Standardspannung an jedem Eingangspuffer durch Voreinstellen der Standardspannung als eine Vielzahl von Standardspannungen, um so merklich die Abmes­ sung einer Halbleitervorrichtung zu vermindern.

Claims (11)

1. Hysterese-Eingangspuffer, umfassend:
einen Differenzverstärker (10) zum Vergleichen eines Eingangs­ signales (VIN) mit einer Standardspannung gemäß einem Freigabe­ signal, und
einen Multiplexer (20) zum Multiplexen der Standardspannung zu einer ersten, einer zweiten und einer dritten Standardspannung (VREF+V', VREF, VREF-V') gemäß einem Ausgangssignal des Diffe­ renzverstärkers (10).
2. Hysterese-Eingangspuffer nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die ersten, zweiten und dritten Spannungen jeweils durch VREF+V', VREF und VREF-V' gegeben sind.
3. Hysterese-Eingangspuffer nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Multiplexer (20) eine Schaltereinheit (40) und einen Wähler (30) umfaßt.
4. Hysterese-Eingangspuffer nach Anspruch 3, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Schaltereinheit (40) eine Vielzahl von Schal­ tern (SW2, SW3, SW4) umfaßt.
5. Hysterese-Eingangspuffer nach Anspruch 3, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Wähler (30) einen Schalter (SW2, SW3, SW4) von der Schaltereinheit (40) gemäß einem Ausgangssignal wählt, das durch Vergleichen des Freigabesignales, des Eingangssignales und der Standardspannung erhalten ist.
6. Hysterese-Eingangspuffer nach Anspruch 3, dadurch gekenn­ zeichnet, daß jeder der Vielzahl von Schaltern (SW2, SW3, SW4) einer jeweiligen Standardspannung entspricht.
7. Hysterese-Eingangspuffer nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Freigabesignal eine Stromquelle und eine Stromsenke steuert.
8. Hysterese-Eingangspuffer nach Anspruch 7, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Freigabesignal die Schalter (SW2, SW3, SW4) steuert.
9. Hysterese-Eingangspuffer nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Standardspannung zu einer Viel­ zahl von Standardspannungen gemäß einem früheren Zustand eines Eingangssignales veränderbar ist.
10. Hysterese-Eingangspuffer, umfassend:
einen Differenzverstärker (10) zum Vergleichen eines Eingangs­ signales mit einer Standardspannung gemäß einem Freigabesignal, und
einen Multiplexer (20) zum Multiplexen der Standardspannung zu einer ersten und einer zweiten Standardspannung gemäß einem Aus­ gangssignal des Differenzverstärkers (10) (Fig. 7).
11. Hysterese-Eingangspuffer nach Anspruch 10, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die erste Standardspannung durch VREF+V' und die zweite Standardspannung durch VREF-V' gegeben sind.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000072028A1 (en) * 1999-05-21 2000-11-30 Micrel Incorporated Voltage monitor circuit with adjustable hysteresis using a single comparator
EP1081675A2 (de) * 1999-08-30 2001-03-07 Rohm Co., Ltd. Leistungsschaltung für eine Flüssigkristallanzeige
WO2003054560A1 (en) * 2001-12-10 2003-07-03 Micron Technology, Inc. Input buffer and method for voltage level detection
ITTO20091027A1 (it) * 2009-12-22 2011-06-23 St Microelectronics Srl Comparatore a soglia con isteresi e metodo per effettuare una comparazione a soglia con isteresi
CN110289839A (zh) * 2019-07-10 2019-09-27 长沙景美集成电路设计有限公司 一种阈值可编程的迟滞比较器

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1166133B1 (de) * 2000-01-19 2005-12-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Spannungspegel-detektorschaltung
KR100437760B1 (ko) * 2001-04-03 2004-06-26 엘지전자 주식회사 수광 소자의 안정화 회로
KR100484257B1 (ko) 2002-09-12 2005-04-22 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 차동증폭형 입력 버퍼
KR100891322B1 (ko) * 2002-09-25 2009-03-31 삼성전자주식회사 데이터 입력 마진을 개선할 수 있는 동시 양방향 입출력회로
DE10252031A1 (de) * 2002-11-06 2004-05-27 Micronas Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Erfassen einer Winkelposition eines rotierenden Gegenstandes
JP2006303923A (ja) * 2005-04-20 2006-11-02 Sharp Corp 回路装置およびこれを備えた電子機器
JP2007088748A (ja) * 2005-09-21 2007-04-05 Sony Corp 波形整形回路及びそれを備えた半導体集積回路
JP4844345B2 (ja) * 2006-10-19 2011-12-28 株式会社デンソー ヒステリシス付きコンパレータ回路
JP5729254B2 (ja) * 2010-10-19 2015-06-03 ヤマハ株式会社 ヒシテリシス装置
JP6150255B2 (ja) * 2013-09-30 2017-06-21 セイコーNpc株式会社 ヒステリシスコンパレータ回路
JP2019009525A (ja) * 2017-06-21 2019-01-17 株式会社デンソー ヒステリシス付きコンパレータ
CN113507198B (zh) * 2021-09-09 2021-12-10 武汉市聚芯微电子有限责任公司 一种电源驱动装置、方法及设备

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5155386A (en) * 1991-06-03 1992-10-13 Motorola, Inc. Programmable hysteresis comparator
DE59107736D1 (de) * 1991-08-24 1996-05-30 Itt Ind Gmbh Deutsche Monolithisch integrierter Differenzverstärker mit digitaler Verstärkungseinstellung
KR930008554A (ko) * 1991-10-25 1993-05-21 김광호 콤페레이터

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000072028A1 (en) * 1999-05-21 2000-11-30 Micrel Incorporated Voltage monitor circuit with adjustable hysteresis using a single comparator
US6304088B1 (en) 1999-05-21 2001-10-16 Micrel Incorporated Voltage monitor circuit with adjustable hysteresis using a single comparator
EP1081675A2 (de) * 1999-08-30 2001-03-07 Rohm Co., Ltd. Leistungsschaltung für eine Flüssigkristallanzeige
EP1081675A3 (de) * 1999-08-30 2002-01-02 Rohm Co., Ltd. Leistungsschaltung für eine Flüssigkristallanzeige
US6426670B1 (en) 1999-08-30 2002-07-30 Rohm Co., Ltd. Power circuit with comparators and hysteresis
WO2003054560A1 (en) * 2001-12-10 2003-07-03 Micron Technology, Inc. Input buffer and method for voltage level detection
ITTO20091027A1 (it) * 2009-12-22 2011-06-23 St Microelectronics Srl Comparatore a soglia con isteresi e metodo per effettuare una comparazione a soglia con isteresi
US8552766B2 (en) 2009-12-22 2013-10-08 Stmicroelectronics S.R.L. Threshold comparator with hysteresis and method for performing threshold comparison with hysteresis
CN110289839A (zh) * 2019-07-10 2019-09-27 长沙景美集成电路设计有限公司 一种阈值可编程的迟滞比较器

Also Published As

Publication number Publication date
KR100186344B1 (ko) 1999-04-15
JPH10154925A (ja) 1998-06-09
DE19732671C2 (de) 2000-01-05
KR19980027763A (ko) 1998-07-15

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