DE19717500A1 - Heterostruktur-Feldeffekttransistoren (HFETs) mit hoher Modulationseffektivität - Google Patents

Heterostruktur-Feldeffekttransistoren (HFETs) mit hoher Modulationseffektivität

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Description

Die Erfindung betrifft Heterostruktur-Feldeffekttransistoren mit hoher Modulationseffektivität nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Die neuen Anwendungsgebiete der modernen Kommunikationselektronik erfordern die Ausnutzung immer höherer Frequenzbereiche. Hieraus erwachsen ständig neue Anforderungen an integrierte Schaltkreise, die die Grundelemente moderner Systeme sind. Als Folge resultiert die Forderung zur Entwicklung neuartiger Transistoren mit geringem Rauschen und verbesserter Leistungsverstärkung bei immer höheren Arbeitsfrequenzen. Mit der Entwicklung eines AlGaAs/GaAs Heterostruktur-Feldeffekttransistors (HFET) stellten Mimura et al. (A new field-effect transistor with selectively doped GaAs/n-Al(x)Ga(1-x)As heterojunctions.-Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 19(5), pp.225-­ 27, 1980) erstmalig einen völlig neuen Transistortyp vor. Dabei wird ein von Dingle et al. (Electron mobilities in modulation-doped semiconductor heterojunction superlaffices.- Appl. Phys. Lett., Vol. 33(7), pp. 665-67, 1987) experimentell vorgestelltes Konzept eines HFET's mit Modulationsdotierung - in diesem Falle ist auch die Bezeichnung MODFET gebräuchlich- zur Herstellung neuartiger, schneller Transistoren verwendet. Darin ist eine gezielte Ausnutzung eines an einem Heteroübergang auftretenden Quanteneffekts im aktiven Kanalgebiet für den Ladungsträgertransport in einem sogenannten zweidimensionalen Elektronengas (2DEG) und die auf Grund der räumlichen Trennung freier Ladungsträger im Kanalgebiet und ortsfester, ionisierter Störstellenrümpfe im Dotierbereich einer Versorgungsschicht reduzierten Coulomb-Streuprozesse gegenüber dem reinen Halbleiterkristall erheblich verbesserten Transporteigenschaften, insbesondere die sehr hohen Beweglichkeitswerte bei gleichzeitig hoher Ladungsträgerkonzentrationen von Bedeutung.
Dieser Transistortyp auf der Grundlage der Halbleitermaterialien Silicium (Si) und Silicium-Germanium Legierungen (Si/Ge) ist als p-leitender Typ aus einer Veröffentlichung bekannt (T.P. Pearsall et al.: GexSi1-x modulation doped p­ channel field-effect transistor.- Proc. 1st Intern. Symp. on Silicon MBE, Vol. 85-7, pp. 400-405, May 1985, Toronto, Canada; Ed. J.C. Bean, Electrochem. Soc., Pennington, N.J.). Der dort angegebene MODFET enthält eine Halbleiter- Schichtenfolge, bestehend aus Wechsellagen aus Silicium und Silicium- Germanium Legierungen, die den Aufbau eines p-MODFET's mit einem p­ leitenden Kanal ermöglichen. Dieser Kanal ist durch eine gezielte Beeinflussung der Bandstruktur im Halbleitermaterial ebenfalls räumlich eng begrenzt und wird als sogenanntes zweidimensionales Löchergas (2DHG) bezeichnet.
Außerdem bekannt sind n-leitende MODFET's, die auf derselben Grundlage von Si und Si/Ge Halbleitermaterial basieren (US 47 10 788; EP 02 28 516 B1; DE 37 31 000 C2 und DE 41 01 167 A1). In den Schriften US 47 10 788 und EP 02 28 516 B1 wird durch einen Heteroübergang einer SixGe1-x/Si- Halbleiterschichtfolge ein zweidimensionales Elektronengas (2DEG) erzeugt. Dabei werden Elektronen im wesentlichen innerhalb der Si-Halbleiterschicht geführt.
Die Schriften DE 37 31 000 C2, DE 41 01 167 A1 und EP 06 83 522 A2 zeigen Verwendungsmöglichkeiten und Varianten integrierter Halbleiteranordnungen, die aus p-Kanal und n-Kanal HFET's aufgebaut sind, einschließlich der Abfolge der einzelnen Halbleiterschichten.
Ebenfalls in der Schrift US 4710788 sind Heteroschichtfolgen mit mehreren 2DEG Kanälen enthalten, die jedoch zwischen benachbarten Kanälen immer einen hochdotierten Bereich aufweisen. Genau diese übereinanderliegenden hochdotierten Bereiche schirmen sich gegenseitig ab, so daß ein Steuern der leitenden Kanäle durch das Gate nur noch eingeschränkt möglich ist.
Bei der Ausführung eines Transistors mit nur einem Kanal tritt dieser Abschirmeffekt nicht auf, jedoch ist die Leitung lediglich auf eine Zone des zweidimensionalen Ladungsträgergases beschränkt. Zudem ist der Anzahl der in einem Kanal befindlichen Ladungsträger ns und damit auch einer Verbesserung der Transistoreigenschaften eine natürliche Grenze gesetzt. Eine die Transistor­ eigenschaften bestimmende Größe ist die sogenannte Modulationseffektivität (Foisy, M.C. et al., IEEE Trans. Electr. Dev., Vol. 35, No. 7, pp. 871-77, 1988), die ein Maß für die im zweidimensionalen Ladungsträgergas mit hoher Beweglichkeit vorhandenen Ladungsträger ist. Wichtige Transistoreigenschaften wie Grenzfrequenz, Steilheit und Transitfrequenz werden durch eine Erhöhung der Modulationseffektivität positiv beeinflußt.
Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, einen gattungsgemäßen Heterostruktur-Feldeffekttransistor (n-HFET oder p-HFET) mit einer Heterostruktur-Schichtenfolge anzugeben der gegenüber dem Stand der Technik insgesamt eine Verbesserung der Transistoreigenschaften bewirkt.
Die Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. Die Unteransprüche stellen vorteilhafte Weiterbildungen dar.
In der Heterostruktur-Schichtenfolge sind im n-HFET mehrere Zonen mit ausgebildetem 2DEG oder im p-HFET mehrere Zonen mit ausgebildetem 2DHG enthalten, die durch ein Transistorgate oder auch mehrere Transistorgates ansteuerbar sind, ohne sich gegenseitig abzuschirmen. Gleichzeitig stehen durch mehrere Kanäle auch mehr Ladungsträger ns mit hoher Beweglichkeit zur Verfügung.
Damit hat die Erfindung den Vorteil, daß über den Stand der Technik hinaus bedeutend höhere Transistorsteilheiten erzielt werden, die besonders in integrierten Schaltungen kürzere Schaltzeiten erwarten lassen. Zudem lassen sich auch weitere für die Hochfrequenztechnik besonders wichtige Eigenschaften wie Transitfrequenz und die Grenzfrequenz steigern.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die schematischen Zeichnungen der folgenden Figuren näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 schematisch einen Querschnitt durch einen Zweikanal HFET zur Erläuterung der Schichtenfolge,
Fig. 2 schematisch einen Querschnitt durch einen HFET, der als Zweikanal n-MODFET ausgebildet ist,
Fig. 3 eine Simulationsrechnung des Bandstrukturverlaufs und der Elek­ tronenkonzentration des Zweikanal n-MODFET gemäß Fig. 2,
Fig. 4 schematisch einen Querschnitt durch einen HFET, der als Zweikanal p-MODFET ausgebildet ist.
Im Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 1 ist eine Schichtfolge eines HFET's dargestellt. Als Substrat I wird in der Halbleiterherstellung gebräuchliches einkristallines Silicium der Orientierung (100) verwendet, das einen spezifischen Widerstand von beispielsweise 103 Ωcm besitzt. Damit werden störende parasitäre Kapazitäten und Leckströme im Substratmaterial verhindert. Auf dem Si-Substrat wird z. B. mit Hilfe der Molekularstrahlepitaxie (MBE) die Schichtenfolge ganzflächig aufgewachsen. Zur Einstellung der elektrischen und/oder mechanischen Eigenschaften der leitenden Kanäle folgt auf dem Substrat zunächst eine Pufferschicht 2, beispielsweise bestehend aus undotiertem Si0,7Ge0,3. Die gesamte Pufferschicht 2 besitzt eine Dicke von ungefähr 1 µm. Sie bewirkt, daß Kristalldefekte bevorzugt an der vom Substrat 1 zum Puffer 2 gebildeten Grenzschicht lokalisiert sind und eine durch die Zusammensetzung der SixGe1-x-Legierung genau mechanische Spannungsverteilung für die nachfolgenden Halbleiterschichten entsteht. Darauf folgt eine erste Versorgungsschicht 3, die beispielsweise bis 10 nm unter die Schichtoberfläche mittels Bor p-dotiert ist. Diese Schicht dient zur Schwellspannungseinstellung des Transistors.
Auf die erste Versorgungsschicht 3 folgt das Schichtpaket 4, bestehend aus einer ungefähr 5 nm dicken undotierten Si-Schicht 41, in der sich der gewünschte zweidimensionale Elektronenkanal ausbildet, sowie eine darauf aufgebrachte ungefähr 3 mm dicke Si0,7Ge0,3 Schicht 42, die ebenfalls undotiert ist. Durch Wiederholung der zwei Schichten 41 und 42 werden weitere Elektronenkanäle zur Leitung bereitgestellt. Die Schichten 41 und 42 sind in ihrer Dicke und Zusammensetzung unterhalb der sogenannten kritischen Schichtdicke für die verwendeten Wachstumsparameter. Auf das Schichtpaket 4 wird eine zweite Versorgungsschicht 5, beispielsweise der Zusammensetzung Si0,7Ge0,3 aufgebracht. Diese zweite Versorgungsschicht 5 könnte auch aus einer SixGe1-x- Legierung aufgebaut sein, deren Ge-Gehalt sich fortlaufend verringert. Der Ge- Gehalt ist dann an der Grenzfläche zur zweiten Versorgungsschicht 5 mit 30 Atomprozent am höchsten und verringert sich mit zunehmender Schichtdicke bis zu ungefähr Null Atomprozent. Durch eine kontinuierliche Verringerung des Ge- Gehaltes wird ein Leitungsbandsprung im Übergang zur Abdeckschicht 6 vermieden.
Eine Abdeckschicht 6 aus undotiertem Silicium, die eine Dicke von ungefähr 5 nm besitzt, schließt die Heterostruktur-Schichtenfolge ab. Auf der Schicht 6 sind die für einen Feldeffekttransistor erforderlichen Kontakte 11, 12 und 13 aufgebracht. Der Abstand der Steuerelektrode 12 vom obersten n-leitenden Kanal kann durch eine Verringerung der Schichtdicke der Abdeckschicht 6 erreicht werden. Durch einen Ätzvorgang kann dies auch lokal im Bereich der Steuerelektrode 12 sein. Eine Ionenimplantation 10, die im Bereich der Source- und Drainanschlüsse 11 und 13 von der Schicht 2 bis 6 reicht, gewährleistet einen niederohmigen Kontakt der beiden Elektroden.
Im Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 2 ist wiederum auf einem Substrat 1 eine Pufferschicht 2 aufgewachsen. In die darauffolgende erste Versorgungsschicht 3 wird beispielsweise mit Antimon eine dünne (ca. 2 nm) räumlich begrenzte n- Dotierung 8 eingebracht, durch die eine erhöhte Elektronenkonzentration in den Kanälen bewirkt wird. In diesem Fall kann aufgrund der vorhandenen n- Dotierung 8 auf eine p-Dotierung 7 zur Schwellspannungseinstellung in der Versorgungsschicht 3 verzichtet werden. Auf die erste Versorgungsschicht 3 folgt analog zum ersten Beispiel das Schichtpaket mit beispielsweise zwei n­ leitenden Kanälen. Innerhalb einer zweiten Versorgungsschicht 5 befindet sich analog zur ersten Versorgungsschicht 3 eine n-dotierte Zone 9, die sich nahe an der Grenzfläche zur Schicht 4 befindet, diese jedoch nicht berührt. Auch diese Dotierung 9 hat den Zweck in den Kanälen für eine Erhöhung der Elektronenkonzentration zu sorgen. Wiederum folgt analog zum ersten Beispiel eine Abdeckschicht 6, auf die die Steuerelektroden des Transistors aufgebracht sind.
Fig. 3 zeigt eine Simulationsrechnung des Bandstrukturverlaufs und der Elektronenkonzentration des Zweikanal n-MODFET's gemäß Fig. 2. Gezeigt ist der Verlauf des Leitungsbandes Ec und des Valenzbandes Ev in Bezug auf das Ferminiveau EF. Im Leitungsbandverlauf sind die zwei durch die Heterostrukturschichtfolge entstehenden Kanäle des zweidimensionalen DEG, die durch die Schicht 41 und 42 erzeugt werden, zu erkennen. Die am Leitungsband beschrifteten Bezugszeichen entsprechen denjenigen der Fig. 2. Die mit der Heterostrukturschichtfolge erzielte Erhöhung der Modulationseffektivität belegt die Elektronenkonzentration n(x), die in den Kanälen zwei deutliche Maxima 14 und 15 aufweist. Die Ladungsträger die sich innerhalb der Kanäle bewegen weisen eine höhere Ladungsträgerbeweglichkeit gegenüber den Ladungsträgern 16, die im Bereich der Dotierungsschicht 8 fließen. Der nahe der Oberfläche durch den Kontakt der Schichten 5 und 6 erzeugte Leitungsbandsprung ist für die elektrischen Eigenschaften des Transistors ohne Bedeutung, da dort der Bandverlauf hoch über dem Ferminiveau liegt und somit dort nur eine ausgesprochen geringe Elektronenkonzentration vorliegt. Der im Schichtaufbau als Alternative vorgeschlagene abnehmende Ge-Gehalt in der Schicht 5 bewirkt, daß gegebenenfalls der Leitungsbandsprung ganz eliminiert wird. Zudem ergibt sich am Verlauf der dargestellten Elektronenkonzentration, daß die dotierte Zone 9 in Schicht 5 nur gering mit Ladungsträgern besetzt ist und damit in einer Variante auf diese Dotierung 9 auch ganz verzichtet wird. In Fig. 4 ist die Schichtenfolge eines p-MODFET's dargestellt. Als Substrat 1 wird wiederum einkristallines Silicium der Orientierung (100) verwendet, das einen spezifischen Widerstand von beispielsweise 103 Ωcm besitzt. Auf dem Si- Substrat folgt, beispielsweise mit Hilfe der Molekularstrahlepitaxie (MBE) aufgewachsen, zur Einstellung der elektrischen und/oder mechanischen Eigenschaften der leitenden Kanäle auf dem Substrat, zunächst eine Pufferschicht 2, bestehend aus einer undotierten SixGe1-x-Legierung einer Gesamtdicke von beispielsweise 4000 nm, deren Ge-Gehalt beispielsweise fortlaufend ansteigt. Der Ge-Gehalt ist an der Grenzfläche zum Substrat 1 mit ungefähr 5 Atomprozent am geringsten und wächst über die Schicht auf ca. 70 Atomprozent an. Darauf folgt eine erste Versorgungsschicht 3 einer Dicke von ca. 500 nm mit konstantem Ge- Gehalt von 70 Atomprozent. Innerhalb dieser Versorgungsschicht 3 wird beispielsweise mit Bor eine dünne (ca. 2 nm) räumlich begrenzte p-Dotierung 8 eingebracht. Auf die erste Versorgungsschicht 3 folgt das Schichtpaket, bestehend aus einer ungefähr 3 nm dicken undotierten Si0,3Ge0,7 Schicht 41, sowie eine darauf aufgebrachte ungefähr 5 nm dicken Si0,1Ge0,9 Schicht 42, in der sich der gewünschte zweidimensionale Löcherkanal ausbildet, die ebenfalls undotiert ist. Die Schichten 41 und 42 wiederholen sich ein weiteres Mal, so daß sich ein zweiter zweidimensionaler Löcherkanal ausbildet. Durch mehrfache Wiederholung der zwei Schichten 41 und 42 könnten weiter Löcherkanäle zur Leitung bereitgestellt werden. Auf Schicht 42 wird eine zweite Versorgungsschicht der Zusammensetzung Si0,3Ge0,7 aufgebracht, mit einer ungefähren Dicke von 20 nm. Eine Deckschicht 6 aus undotiertem Silicium, die eine Dicke von ungefähr 5 nm besitzt, schließt die Heterostruktur-Schichtenfolge ab. Auf der Schicht 6 sind die für einen Feldeffekttransistor erforderlichen Kontakte 11, 12 und 13 analog zum Beispiel 1 aufgebracht.
Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen Ausführungsbeispiele beschränkt, sondern ist sinngemäß auf weitere anwendbar. Beispielsweise ist es denkbar, auch mit anderen Materialien, wie beispielsweise GaAs/GaAlAs, eine dem Erfindungsgegenstand vergleichbare Heteroschichtstruktur zu bilden.

Claims (17)

1. Heterostruktur-Feldeffekttransistoren mit hoher Modulationseffektivität, bei denen auf einem Halbleitersubstrat (1) eine Heterostruktur-Schichtenfolge (2, 3, 4, 5, 6) aufgebracht ist, dadurch gekennzeichnet, daß ein Schichtpaket (4) der Heterostruktur-Schichtenfolge (2, 3, 4, 5, 6) aus mehreren undotierten Schichten (41, 42) besteht und durch mindestens zwei Heteroübergänge mindestens zwei n-leitende Kanäle (n-HFET) oder p-leitende (p-HFET) Kanäle gebildet werden.
2. Heterostruktur-Feldeffekttransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein hochohmiges Siliciumsubstrat (1) mit einem spezifischen Widerstand von mindestens 102 Ωcm verwendet wird.
3. Heterostruktur-Feldeffekttransistor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Heterostruktur-Schichtenfolge (2, 3, 4, 5, 6) im Falle eines n-HFET's
  • - aus einer auf einem Siliciumsubstrat (1) aufgebrachten Puffer­ schicht (2), aus einer ersten Si/Ge-Legierung besteht,
  • - darauf eine erste Versorgungsschicht (3) aus einer zweiten Si/Ge-Legierung aufgebracht ist
  • - darauf eine undotiertes Schichtpaket (4), bestehend aus mehreren Wechsellagen einer undotierten Siliciumschicht (41) und einer undotierten Schicht aus einer dritten Si/Ge-Legierung (42) aufgebracht ist, so daß mehrere Heteroübergänge entstehen und 50 mehrere n-leitende Kanäle gebildet werden,
  • - darauf eine zweite Versorgungsschicht (5) aus einer vierten Si/Ge-Legierung folgt,
  • - darauf eine undotierte Abdeckschicht (6) aus Silicium die Heterostruktur-Schichtenfolge (2, 3, 4, 5, 6) abschließt,
  • - auf der Abdeckschicht (6) die Steuerelektrode (12), einen Schottkykontakt bildet, oder die Steuerelektrode als MOS-Kontakt, bestehend aus einem Oxid und einer Metallschicht ausgebildet ist.
4. Heterostruktur-Feldeffekttransistor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Versorgungsschicht (3) eine p-Dotierung (7) mit 1014 bis 1016 Atome pro cm3 zur Schwellspannungseinstellung besitzt, die von der Schichtoberfläche 2 bis 10 nm entfernt ist.
5. Heterostruktur-Feldeffekttransistor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Germaniumgehalt der ersten Pufferschicht (2) und der ersten Versorgungsschicht (3) im Bereich von 20 bis 50 Atomprozent liegt und bevorzugt 30 bis 40 Atomprozent beträgt.
6. Heterostruktur-Feldeffekttransistor nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Versorgungsschicht (3) eine erste n-Dotierung (8) enthält, die von der Schichtoberfläche 2 bis 10 nm entfernt ist und dann auf eine p-Dotierung (7) der Pufferschicht verzichtet wird.
7. Heterostruktur-Feldeffekttransistor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Germaniumgehalt der undotierten dritten Si/Ge- Legierung (42) im Bereich von 20 bis 50 Atomprozent liegt.
8. Heterostruktur-Feldeffekttransistor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Germaniumgehalt der zweiten Versorgungsschicht (5) im Bereich von 20 bis 60 Atomprozent liegt und bevorzugt 30 bis 40 Atomprozent beträgt.
9. Heterostruktur-Feldeffekttransistor nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Versorgungsschicht (5) eine zweite n-Dotierung (9) enthält, die von der Schichtunterseite 2 bis 10 nm entfernt ist.
10. Heterostruktur-Feldeffekttransistor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Heterostruktur-Schichtenfolge (2, 3, 4, 5, 6) im Falle eines p-HFET's
  • - aus einer auf einem Siliciumsubstrat (1) aufgebrachten Puffer­ schicht (2), aus einer ersten Si/Ge-Legierung besteht,
  • - darauf eine erste Versorgungsschicht (3) aus einer zweiten Si/Ge-Legierung aufgebracht ist,
  • - darauf eine undotierte Multiheterostruktur, bestehend aus mehreren Wechsellagen einer undotierten Schicht aus einer dritten Si/Ge- Legierung (41) und einer undotierten Schicht aus einer vierten Si/Ge- Legierung (42) mit höherem Ge-Anteil aufgebracht ist, so daß durch mehrere Heteroübergänge mehrere p-leitende Kanäle gebildet werden,
  • - darauf eine zweite Versorgungsschicht (5) aus einer fünften Si/Ge-Legierung folgt,
  • - darauf eine undotierte Abdeckschicht (6) aus Silicium die Heterostruktur-Schichtenfolge (2, 3, 4, 5, 6) abschließt,
  • - auf der Abdeckschicht (6) die Steuerelektrode (12), einen Schottkykontakt bildet, oder die Steuerelektrode als MOS-Kontakt, bestehend aus einem Oxid und einer Metallschicht ausgebildet ist.
11. Heterostruktur-Feldeffekttransistor nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Versorgungsschicht (3) eine n-Dotierung (7) mit 1014 bis 1016 Atome pro cm3 zur Schwellspannungseinstellung besitzt, die von der Schichtoberfläche 2 bis 10 nm entfernt ist.
12. Heterostruktur-Feldeffekttransistor nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Germaniumgehalt der Pufferschicht (2) von 5 bis 100 Atomprozent liegt und kontinuierlich mit zunehmendem Abstand vom Substrat von 5 Atomprozent bis zum Maximalwert ansteigt und die erste Versorgungsschicht (3) einen konstanten Germaniumgehalt des erreichten Maximalwertes der ersten Pufferschicht (2) besitzt.
13. Heterostruktur-Feldeffekttransistor nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Versorgungsschicht (3) eine erste p-Dotierung (8) enthält, die von der Schichtoberfläche 2 bis 10 nm entfernt ist und dann auf eine n-Dotierung der Versorgungsschicht 3 verzichtet wird.
14. Heterostruktur-Feldeffekttransistor nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Germaniumgehalt der undotierten dritten Si/Ge- Legierung (41) im Bereich von 50 bis 90 Atomprozent und der Germaniumgehalt der undotierten vierten Si/Ge-Legierung (42) im Bereich von 60 bis 100 Atomprozent liegt.
15. Heterostruktur-Feldeffekttransistor nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Germaniumgehalt der zweiten Versorgungsschicht (5) im Bereich von 5 bis 100 Atomprozent liegt, wobei der Germaniumgehalt mit zunehmender Schichtdicke abnimmt.
16. Heterostruktur-Feldeffekttransistor nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Versorgungsschicht (5) eine zweite p-Dotierung (9) enthält, die von der Schichtunterseite 2 bis 10 nm entfernt ist.
17. Heterostruktur-Feldeffekttransistor nach Anspruch 3 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand zwischen der Steuerelektrode (12) und dem obersten leitenden Kanal einstellbar ist, indem zumindest die Schichtdicke der Kontaktierungsschicht im Gatebereich verringert wird.
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