DE1963980B2 - Verfahren und einrichtung zur elektrofotografischen aufnahme von durchleuchtungsbildern - Google Patents
Verfahren und einrichtung zur elektrofotografischen aufnahme von durchleuchtungsbildernInfo
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/054—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern using X-rays, e.g. electroradiography
- G03G15/0545—Ionography, i.e. X-rays induced liquid or gas discharge
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Einrichtung zur elektrofotografischen Aufnahme von
Durchleuchtungsbildern nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1, wie es bereits ζ B. bekannt ist aus der
DT-AS 19 06 329.
Bei dem bekannten Verfahren wird ein Ladungsbild auf einer isolierenden Oberfläche unter Verwendung
eines elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials, das eine Elektrodenschicht, eine fotoleitfähige Schicht,
in der eine persistente innere Polarisation herstellbar ist, und eine auf der fotoleitfähigen Schicht angeordnete
isolierende Deckschicht aufweist, bei dem dem Auf-Zeichnungsmaterial unter gleichförmiger Aufladung der
isolierenden Deckschicht mit einer ersten Polarität ein erstes elektrisches Feld einer ersten Richtung und
anschließend unter gleichzeitiger bildmäßiger Belichtung der fotoleitfähigen Schicht ein zweites elektrisches
Feld mit entgegengesetzter Richtung aufgeprägt wird. Dabei ist es notwendig, daß ein Aufzeichnungsmaterial
verwendet wird, das eine mindestens durch die fotoleitfähige Schicht von der Deckschicht getrennte an
sich bekannte Fluoreszenzschicht aufweist, daß, während das erste elektrische Feld aufgeprägt ist, die
fotoleitfähige Schicht durch die isolierende Deckschicht mit sichtbarem Licht totalbelichtet wird und die
bildmäßige Belichtung mit Röntgenstrahlen von der der Deckschicht abgewendeten Seite her srfolgt und daß
die ii-oliesende Deckschicht durch das erste elektrische
Feld bei Verwendung einer p- und n-leitenden fotoleitfähigen Schicht positiv bzw. negativ aufgeladen
wird. Bei diesem Verfahren wird das Ladungsbild an der Oberfläche der isolierenden Deckschicht gebildet und
gespeichert, so daß die fotoleitfähige Schicht selbst nur einen so hohen Dunkelwiderstand haben muß, daß die
beim ersten Schritt erzeugte persistente innere Polarisationsladung während der Zeit, in der das zweite Feld
angelegt ist, erhalten bleibt. Im Gegensatz zu früheren elektrofotografischen Verfahren wurde es dadurch
möglich, Materialien mit geringem Dunkelwiderstand und damit hoher Helleitfähigkeit zu verwenden.
Trotzdem muß aber eine große Anzahl komplizierter Verfahi-ensschritte und Bauteile miteinander Kombiniert
werden, um das bekannte Verfahren durchzuführen.
Nach dem vorbekannten Verfahren sind überdies auf Dauer keine vergleichbaren Bilder erhaltbar, weil die
Spannung der Aufladung der Isolierschichi; vom Erlöschen der Koronaentladung abhängen würde. Dies
ist aber keine einheitliche und auf Dauer festliegende Größe. Eine Veränderung der Abstände und der
Oberflächenstruktur, wie sie etwa schon durch Gebrauch und Alterung der Einrichtung eintritt, gibt Anlaß
zu unkontrollierbaren Veränderungen. Es bilden sich Stellen heraus, an denen die Entladung langer brennt als
an anderen. Außerdem verändert sich das Material ohnehin noch während der Gebrauchsdauer.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, bei Verfahren und Einrichtungen zur elektrofotografischen
Aufnahme von Durchleuchtungsbildern gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 eine einfache und
sicher reproduzierbare Durchführung des Verfahrens sowie einen günstigen Aufbau der Einrichtung zu
erreichen. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1
angegebenen Maßnahmen gelöst.
Durch die erfindungsgemäße Anwendung eines Sieuergitters, das an einem bestimmten Potential liegt,
wird erreicht, daß man zu reproduzierbarer Aufladung kommt, ohne daß es einer Umladung oder Umdrehung
der Aufnahmeschichtung bedarf. Man kommt auch ohne Totalbelichtung und durchsichtige Elektrode aus, sowie
ohn? Fluoreszenzschicht und ohne Fotoleiter hoher Polarisationspersistenz. Weil man ohne Totalbelichtung
auskommt, kann auch ein röntgenempfindlicher Halbleiter benutzt werden, der nicht lichtempfindlich ist und für
den keine Leuchtschicht nötig ist. Durch Vermeidung der Fluoreszenzschicht wird dann aber wie bei den
bekannten Anordnungen zur Aufnahme von Röntger· bildern mit Fotofilm eine Erhöhung der Auflösung
erreicht.
Das Bild entsteht nach der Erfindung, indem bei der Aufladung der freien Seite der Isolierschicht und
Bestrahlung der Sch*chtiing mit dem abzubildenden Durchleuchtungsbild an der anderen Seite, die am
Fotoleiter liegt, ein Ladungsbild entsprechend dem eingestrahlten Bild aufgebaut wird. Nach Beendigung
des Aufnahmevorgangs wird das Ladungsbild von der Grenzfläche auf die freie Oberfläche der Isolierschicht
übertragen. Dies erfolgt dadurch, daß die Ladung von der Oberfläche an den Stellen in dem Umfang
abgegeben wird, in dem sie nicht durch gegenüberstehende Gegenladung festgehalten wird. An der Grenzfläche
ergibt sich dabei ein Ladungsausgleich.
Die am Gitter der Anordnung angelegte Spannung wird so gewählt, daß sie einerseits ausreicht, um
einwandfreien Transport von Ladungen im Halbleiter zu garantieren. Andererseits darf der maximal für sie
einsetzbare Wert nicht denjenigen erreichen oder übersteigen, der einen Durchschlag hervorrufen kann.
In dem in der F i g. 1 dargestellten Beispiel liegt die Steuerspannung zwischen 0,5 und 1,5 kV. Unter den dort
gegebenen Bedingungen liegt die Durchbruchsfeldstärke bei 1,5 kV. Die untere Grenze liegt bei 0,5 kV. Die
Wirkung der Steuerspannung ist einfach abzusehen; sie begrenzt die Aufladung der freien Oberfläche der
Isolierschicht auf die am Gitter angelegte Spannung, so daß das Aufnahmematerial immer die gleiche Ladungsbelegung erhält; dadurch wird die Bilderzeugung
reproduzierbar.
Wie bei dem Verfahren braucht der Halbleiter über die Belichtungszeit hinaus im Gegensatz zum Xeroxverfahren
nicht speicherfähig zu sein. Nach der Erfindung führt vielmehr eine Nachbelichtung des Halbleiters, die
mittels Strahlung längerer Wellenlänge entsprechend der optischen Absorptionsbande vorgenommen v/erden
kann, zu einer Biidverbesserung (höherer Kontrast-, größerer Objektumfang), da hierbei die bei der oben
beschriebenen Entstehung des Ladungsbildes abzubauenden Restladungen im Halbleiter verschwinden, die
sich der Oberflächenladung der Isolierschicht ungünstig überlagern.
Als Halbleiter ist für die erfindungsgemäße Lösung etwa Quecksilberjodid (HgJj), welches einen spez.
Widerstand von einigen 10'2i2cm erreicht, geeignet.
Auch Bleioxid (PbO) und Cadmiumselenic! (QlSe) sind z. B. brauchbar. Die zugehörige Isolatorschicht kann aus
einem Kunststoff, wie etwa Siliconharz, bestehen.
Das Verhältnis der Schichtdicken von Isolator (dj)
und Halbleiter (Um) sowie deren Dielektrizitätskonstante
(em Ej) beeinflussen die Bildqualität, desgleichen der
Widerstand der Gasstrecke (Rk). Hierfür gilt, daß das Verhältnis Bj · (JnItn ■ dj größer zwei und kleiner fünf
und daß RkIRd S 0,1 (Rd = Dunkelwiderstand des Halbleiters) sein sollten. Di° Halbleitereigenschaften
(HEl definiert durch den Ausdruck μ · τ · μ*/επ
(μ = Beweglichkeit der Ladungsträger und τ = deren Lebensdauer μ* = Massenschwächungskoeffizient für
Röntgenstrahlung), beträgt bei einer Patientendosis von ι mR und einer Aufladung der Isolatoroberfläche auf
10-8 As/cm2 etwa 10-5cm/V (Xerox) bzw. 10-4cm/V
(erfindungsgemäßes Verfahren), was einer Ladungsträgerausbeute von 3000 Elektronen/Quant (EUQa.)
beim Xeroxverfahren und 6000 El/Qu. beim erfindungsgemäßen
Verfahren entspricht. Die Forderung an die HE ist demnach beim erfindungsgemäßen Verfahren
doppelt so hoch wie beim Xeroxverfahren. Es existieren jedoch Halbleiter, die bei 1012Qcm Dunkelwiderstand
die erforderliche HE von 10-4cm/V erfüllen (Hgh,
ίο CdSe, Cs], CdS) andererseits fehlen Halbleiter für das
Xeroxverfahren, die bei 10ι5Ω cm die HE 10-5cm/V
besitzen (z.B. Se mit HE < 10-bcm/V).
Das erfindungsgemäße Verfahren kommt somit hinsichtlich der Gesamtforderung an die Halbleiterschichten
dem Xeroxverfahren zumindest gleich. Die größere Speicherfähigkeil und die Möglichkeit, auch
Halbleiter verwenden zu können, deren spezifischer Dunkelwiderstand um drei Zehnerpotenzen geringer ist
als bei denjenigen Halbleitern, die beim Xeroxvenahren
verwendet werden müssen, stellt einen großen Vorteil der Erfindung dar.
Zum Unterschied von dem genannten Verfahren, bei dem die Ladungen eine Gasverstärkung mit einer der
Strahlung proportionalen Entladung auf die Bildschicht gesammelt werden, wird beim erfindungsgemäßen
Verfahren im Sättigungsgebiet der Gasentladung gearbeitet. Dadurch lassen sich hohe Genauigkeitsforderungen
an den Aufbau, wie sie im Proportionalbereich der Gasverstärkung eingehalten werden müssen,
vermeiden. Die erforderliche Gleichmäßigkeit der Aufladung der Isolierschicht wird ohne besondere
Vorkehrungen an der Gasstrecke erzielt, weil die Stromdichte von der Feldstärke unabhängig ist. Auch in
diesem Punkt ist das neue Verfahren somit vorteilhafter.
Die Merkmale und Vorteile der Erfindung werden nachfolgend im Zusammenhang mit dem in der
Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiel der Erfindung abgehandelt.
Das allseitig geschlossene Gehäuse 1 besitzt einen mit einem Hahn verschließbaren Anschlußstutzen 2 zur
Zuführung des ionisierbaren Gases, welches das Gehäuse 1 durchspült und bei dem Stutzen 3 wieder
austritt. Die obere große Fläche des Gehäuses 1 ist mit eine;· 1 mm starken Aluminiumplatte 4 als erster
Elektrode strahlendurchlässig abgedeckt. Dem Gehäuseinneren zugewandt befindet sich an dieser Platte 4 die
Halbleiterschicht 5, die aus Cäsiumjodid besteht und etwa 120 μ stark ist. Im definierten Abstand, d. h. 4 mm
von der Isolatorschicht 6 entfernt befindet sich im Innern des Gehäuses 1 ein Gitter aus 0,1 mm starkem
Nickeldraht als zweite Elektrode 7 mit einer lichten Maschenweite von 1 mm und in weiterem Abstand von
15 mm liegt als zusätzliche Elektrode 8 noch ein Gitter
aus dem gleichen Material zur Erzeugung der erforderlichen Koronaentladung. Die Maschen des
Gitters 8 haben eine Wehe von 4 mm. Die Drähte des Gitters 7 kreuzen diejenigen des Gitters 8 unter einem
Winkel von 45°.
Die Elektrode 7 ist mit dem positiven Pol der 0,5 bis 1,5 kV liefernden Gleichstromquelle 9 verbunden, deren
negativer Pol an der Aluminiumplatte 4 liegt, die über die Leitung 11 geerdet ist. Die weitere Gleichstromquelle
10, die 5 bis 8 kV liefert, liegt mit ihrem positiven Pol der Elektrode 8 und mit ihrem negativen Pol ebenfalls
an der Aluminiumplatte 4. Die Elektrode 8 ist außerdem mit dem den Boden des Gehäuses 1 als leitenden Belag
8' abdeckenden J mm starken Aluminiumblech verbunden, welches vom Gitter der Elektrode 8 einen Abstand
von 3 mm hat.
Die Abbildung des Objektes im dargestellten Fall der Bleistückchen 12 erfolgt durch Bestrahlung mittels der
Röntgenröhre 13, die in bekannter Weise betrieben wird. Dabei wird einerseits in der Halbleiterschicht 5 die
Leitfähigkeit in Abhängigkeit von der Strahleneinwirkung verändert, derart, daß sie an den Stellen, in denen
die Bleistücke 12 abschatten, geringer sind als an den übrigen bestrahlen Stellen. Andererseits wird durch die
angelegten Spannungen an den Elektroden 7 und 8 eine Ionisierung des durch den Stutzen 2 eingeführten Gases
erzeugt, die unabhängig von der Strahleneinwirkung ist. Als Gas ist im dargestellten Beispiel Kohlendioxyd
eingefüllt Es sind aber auch andere bekannte selbstlöschende Gasgemische verwendbar.
Die positiven und negativen ionisierten Teilchen, geführt durch das angelegte elektrische Feld, ergeben
auf der Isolatorschicht 6 aufgrund der strahlenabhängigen Leitfähigkeit des Halbleiters ein Ladungsmuster.
Dies ist durch die Verteilung der +-Zeichen an der Schicht 6 symbolisiert.
Das Ladungsbild kann in der bei der Xerografie üblichen Weise etwa durch Bestäuben mit einem durch
Erhitzen fixierbaren Farbpulver sichtbar gemacht werden. Das Pulverbild kann dann z. B. mittels einer
durchsichtigen Klebefolie abgelöst werden.
In A b b. 2 sind die speziell für die Röntgenstrahlung
berechneten Aufladekurven dargestellt. Aufgetragen ist die relative Oberflächenladung in Abhängigkeit von der
eingestrahlten Dosis in der Einheit mR. Als Parameter fungieren das Kapazitätsverhältnis C/G, = 2 und die
Zeitkonstante RK ■ CH = 0,1. Das Verhältnis RkIRd
wurde 0,01 gesetzt. Mit diesen Größen arbeitet das Verfahren nahezu optimal. Die zu den einzelnen Kurven
gehörenden Wertpaare stellen dar die HE in μ · τ ■ μ*/ε und die hierzu in Beziehung stehende
Elekironenausbeute/Quant (El/Qu). Die genannte Forderung
nach 1 mR Dosisleistung für die Patientenaufnahme bedingt hiernach, wie schon erwähnt, eine
HE=IO-4 cm/V und eine Elektronenausbeute von
6000 El/Qu. Da maximal etwa 10 000 El/Qu bei 50 keV Röntgenstrahlung (ICRU-Strahlung) erwartet werden
dürfen, ist die Anwendung des Verfahrens in dei Röntgendiagnostik auch aus physikalischer Sicht mög
lieh.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (8)
1. Verfahren zur elektrofotografischen Aufnahme von Durchleuchtungsbildern, insbesondere Röntgenbildern,
auf einer isolierenden Oberfläche unter Verwendung eines elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials,
das eine Elektrodenschicht, eine fotoleitfähige Schicht und eine auf der fotoleitfähigen
Schicht angeordnete isolierende Deckschicht aufweist, bei dem unter gleichzeitiger bildmäßiger
Belichtung der fotoleitfähigen Schicht ein elektrisches Feld aufgeprägt wird, dadurch gekennzeichnet,
daß das elektrische Feld aufgeprägt wird, indem die freie Oberfläche der isolierschicht
während der Einstrahlung des Durchleuchtungsbildes mittels einer im Sättigungsgebiet arbeitenden
Gasentladung auf ein Potential aufgeladen wird, das an ein vor der Isolierschicht angeordnetes Gitter
angelegt ist.
2. Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Halbleiterschicht aus Cäsiumjodid (Cs]) besteht und 120 μπι dick ist, daß der Oberfläche der aus
Siliconharz bestehenden 25 μίτι dicken Isolierschicht
des elektrofotografischen Aufnahmematerials in einigen Millimetern, insbesondere 4 mm, Abstand
das Gitter vorgeschaltet ist, daß in einem weiteren Abstand von 10 bis 20, insbesondere 15 mm, die
Elektrode zur Erzeugung der Entladung, die im Sättigungsgebiet betrieben wird, folgt und daß in
Abstand auf diese und parallel zu ihr in 3 mm Abstand eine weitere Elektrode folgt, die elektrisch
mit der vorhergehenden verbunden ist, und daß zwischen der ersten Elektrodunschicht, die geerdet
ist, und der Gitterelektrode eine Spannung von 0,5 bis 1,5 kV liegt, während die Elektrode zur
Erzeugung der Entladung an einer Spannung von 5 bis 8 kV liegt -und der Entladungsraum mit
Kohlendioxid von 1 Atmosphäre Druck gefüllt ist.
3. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens die zweite Elektrode (7)
aus einem leitenden Gitter besteht.
4. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das Verhältnis von Isolator- und Halbleiterschichtkapazität größer als 2 und kleiner
als 5 ist.
5. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis des Widerstandes der
ionisierten Gasstrecke zum Dunkelwiderstand des Halbleiters kleiner als 0,1 ist.
6. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerplatte (4) aus Aluminium
besteht.
7. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschicht (6) aus den
Verbindungen PbO, CdSe, Hg] besteht.
8. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterschicht eine Quelle von
im Vergleich zur Quelle der durchdringenden Strahlen längerer der Absorptionsbande des Halbleiters
angepaßter Wellenlänge zugeordnet ist, mit welcher eine Nachbelichtung erfolgen kann.
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
DE19691963980 DE1963980C3 (de) | 1969-12-20 | 1969-12-20 | Verfahren und Einrichtung zur elektrofotografischen Aufnahme von Durchleuchtungsbildern |
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DE19691963980 DE1963980C3 (de) | 1969-12-20 | 1969-12-20 | Verfahren und Einrichtung zur elektrofotografischen Aufnahme von Durchleuchtungsbildern |
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DE1963980A1 DE1963980A1 (de) | 1971-06-24 |
DE1963980B2 true DE1963980B2 (de) | 1977-11-03 |
DE1963980C3 DE1963980C3 (de) | 1978-07-06 |
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ID=5754509
Family Applications (1)
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Country | Link |
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DE (1) | DE1963980C3 (de) |
Families Citing this family (1)
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US3932750A (en) * | 1974-01-02 | 1976-01-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Ray converter |
-
1969
- 1969-12-20 DE DE19691963980 patent/DE1963980C3/de not_active Expired
Also Published As
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DE1963980C3 (de) | 1978-07-06 |
DE1963980A1 (de) | 1971-06-24 |
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