DE19625622A1 - Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement - Google Patents

Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement

Info

Publication number
DE19625622A1
DE19625622A1 DE19625622A DE19625622A DE19625622A1 DE 19625622 A1 DE19625622 A1 DE 19625622A1 DE 19625622 A DE19625622 A DE 19625622A DE 19625622 A DE19625622 A DE 19625622A DE 19625622 A1 DE19625622 A1 DE 19625622A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
luminescence conversion
radiation
conversion element
semiconductor body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE19625622A
Other languages
English (en)
Inventor
Ulrike Reeh
Klaus Dr Hoehn
Norbert Dr Stath
Guenter Ing Grad Waitl
Juergen Dr Schneider
Rolf Schmidt
Peter Schlotter
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=7798103&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=DE19625622(A1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19625622A priority Critical patent/DE19625622A1/de
Priority to EP97931666A priority patent/EP0907969B1/de
Priority to KR1020057009020A priority patent/KR100629544B1/ko
Priority to CNB2006101016500A priority patent/CN100435369C/zh
Priority to EP04008348.7A priority patent/EP1439586B1/de
Priority to EP10184980.0A priority patent/EP2282354B1/de
Priority to KR20047019071A priority patent/KR20040111701A/ko
Priority to CNB2006100999783A priority patent/CN100557833C/zh
Priority to KR1020047019067A priority patent/KR100643442B1/ko
Priority to CN2003101181792A priority patent/CN1534803B/zh
Priority to CN2003101181788A priority patent/CN1534802B/zh
Priority to CNB2006101016572A priority patent/CN100502066C/zh
Priority to EP10184425.6A priority patent/EP2284912B1/de
Priority to DE59711671T priority patent/DE59711671D1/de
Priority to KR1020067012234A priority patent/KR100808749B1/ko
Priority to CNB2005100917280A priority patent/CN100565945C/zh
Priority to CNB2005100917295A priority patent/CN100442555C/zh
Priority to EP04009016A priority patent/EP1441395B9/de
Priority to KR1020057009021A priority patent/KR20050053798A/ko
Priority to BRPI9709998-8A priority patent/BR9709998B1/pt
Priority to EP04009018.5A priority patent/EP1441397B1/de
Priority to EP10184358.9A priority patent/EP2267801B1/de
Priority to JP50211798A priority patent/JP3773541B2/ja
Priority to KR1020047019068A priority patent/KR100662955B1/ko
Priority to DE29724543U priority patent/DE29724543U1/de
Priority to DE29724847U priority patent/DE29724847U1/de
Priority to PCT/DE1997/001337 priority patent/WO1997050132A1/de
Priority to KR1020047019066A priority patent/KR100662956B1/ko
Priority to EP04008349A priority patent/EP1434279B1/de
Priority to EP10184975.0A priority patent/EP2270877B1/de
Priority to EP08163321.6A priority patent/EP1993152B1/de
Priority to CNB2006100999800A priority patent/CN100514684C/zh
Priority to KR1020067012235A priority patent/KR100751692B1/ko
Priority to KR1020047019069A priority patent/KR100734122B1/ko
Priority to KR1019980710985A priority patent/KR100537349B1/ko
Priority to DE59713024T priority patent/DE59713024D1/de
Priority to CNB971974020A priority patent/CN1264228C/zh
Priority to CNB2005100917308A priority patent/CN100433382C/zh
Priority to CN200610101860XA priority patent/CN1917240B/zh
Priority to EP04009017A priority patent/EP1441396B1/de
Priority to DE29724848U priority patent/DE29724848U1/de
Priority to KR1020047019070A priority patent/KR100702740B1/ko
Priority to DE29724582U priority patent/DE29724582U1/de
Priority to CN200610101629.0A priority patent/CN1893136B/zh
Priority to BRPI9715293A priority patent/BRPI9715293B1/pt
Priority to EP10184973.5A priority patent/EP2270876B1/de
Publication of DE19625622A1 publication Critical patent/DE19625622A1/de
Priority to US09/221,789 priority patent/US7078732B1/en
Priority to HK00101386A priority patent/HK1022564A1/xx
Priority to US09/731,220 priority patent/US6812500B2/en
Priority to US09/731,452 priority patent/US6576930B2/en
Priority to US09/828,727 priority patent/US20010030326A1/en
Priority to JP2003355315A priority patent/JP4286104B2/ja
Priority to JP2003355316A priority patent/JP4280598B2/ja
Priority to JP2003355317A priority patent/JP4308620B2/ja
Priority to JP2003355314A priority patent/JP4278479B2/ja
Priority to US10/979,778 priority patent/US7151283B2/en
Priority to US11/080,786 priority patent/US7126162B2/en
Priority to JP2005112809A priority patent/JP4334497B2/ja
Priority to JP2005112811A priority patent/JP4001893B2/ja
Priority to JP2005112810A priority patent/JP4001892B2/ja
Priority to US11/150,916 priority patent/US7345317B2/en
Priority to JP2006268658A priority patent/JP4388940B2/ja
Priority to US11/828,450 priority patent/US7629621B2/en
Priority to JP2007264556A priority patent/JP5260018B2/ja
Priority to JP2008289894A priority patent/JP5630952B6/ja
Priority to US12/610,560 priority patent/US9196800B2/en
Priority to US13/462,952 priority patent/US20120241779A1/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/32257—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Licht abstrahlendes Halb­ leiterbauelement mit einem Strahlung aussendenden Halbleiter­ körper, mit mindestens einem ersten und einem zweiten mit dem Halbleiterkörper elektrisch leitend verbundenen elektrischen Anschluß und mit einem Lumineszenzkonversionselement.
Ein derartiges Halbleiterbauelement ist beispielsweise aus der Offenlegungsschrift DE 38 04 293 bekannt. Darin ist eine Anord­ nung mit einer Elektrolumineszenz- oder Laserdiode beschrieben, bei der das gesamte von der Diode abgestrahlte Emmissi­ onsspektrum mittels eines mit einem fluoreszierenden, lichtwan­ delnden organischen Farbstoff versetzten Elements aus Kunst­ stoff zu größeren Wellenlängen hin verschoben wird. Das von der Anordnung abgestrahlte Licht weist dadurch eine andere Farbe auf als das von der Leuchtdiode ausgesandte. Abhängig von der Art des dem Kunststoff beigefügten Farbstoffes lassen sich mit ein und demselben Leuchtdiodentyp Leuchtdiodenanordnungen her­ stellen, die in unterschiedlichen Farben leuchten.
In vielen potentiellen Anwendungsgebieten für Leuchtdioden, wie zum Beispiel bei Anzeigeelementen im Kfz-Armaturenbrett, Be­ leuchtung in Flugzeugen und Autos und bei vollfarbtauglichen LED-Displays, tritt jedoch verstärkt die Forderung nach Leucht­ diodenanordnungen auf, mit denen sich mischfarbiges Licht, ins­ besondere weißes Licht erzeugen läßt. Bisher läßt sich weißes "LED"-Licht nur mit sogenannten Multi-LEDs erzeugen, bei denen drei verschiedenfarbige Leuchtdioden (i.a. eine rote, eine grüne und eine blaue) oder zwei komplementärfarbige Leuchtdi­ oden (z. B. eine blaue und eine gelbe) verwendet werden. Neben einem erhöhten Montageaufwand sind für solche Multi-LEDs auch aufwendige Ansteuerelektroniken erforderlich, da die verschie­ denen Diodentypen unterschiedliche Ansteuerspannungen benöti­ gen. Außerdem wird die Langzeitstabilität hinsichtlich Wellen­ länge und Intensistät durch unterschiedliche Alterungserschei­ nungen der verschiedenen Leuchtdioden und auch aufgrund der un­ terschiedlichen Ansteuerspannungen und den daraus resultierden­ den Betriebsströmen beeinträchtigt. Ein zusätzlicher Nachteil der Multi-LEDs besteht darin, daß die Bauteilminiaturisierung stark begrenzt ist.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Halb­ leiterbauelement der eingangs genannten Art zu entwickeln, mit dem mischfarbiges Licht, insbesondere weißes Licht erzeugt wer­ den kann.
Diese Aufgabe wird durch ein Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Ge­ genstand der Unteransprüche 2 bis 14. Der Unteranspruch 15 gibt eine bevorzugte Verwendungsmöglichkeit des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements an.
Erfindungsgemäß ist vorgesehen, daß der Halbleiterkörper eine Schichtenfolge, insbesondere eine Schichtenfolge mit einer ak­ tiven Schicht aus GaxIn1-xN oder GaxAl1-xN aufweist, die eine elektromagnetische Strahlung der Wellenlänge λ 520 nm aus sen­ det und daß das Lumineszenzkonversionselement Strahlung eines ersten spektralen Teilbereiches der von dem Halbleiterkörper ausgesandten, aus einem ersten Wellenlängenbereich stammenden Strahlung in Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereiches um­ wandelt, derart, daß das Halbleiterbauelement Strahlung aus mindestens einem zweiten spektralen Teilbereich des ersten Wel­ lenlängenbereiches und Strahlung des zweiten Wellenlängenberei­ ches aussendet. Das heißt zum Beispiel, daß das Lumineszenzkon­ versionselement eine vom Halbleiterkörper ausgesandte Strahlung spektral selektiv absorbiert und im längerwelligen Bereich (im zweiten Wellenlängenbereich) emittiert. Idealerweise weist die von dem Halbleiterkörper ausgesandte Strahlung bei einer Wel­ lenlänge λ 520 nm ein Strahlungsmaximum auf.
Ebenso kann vorteilhafterweise mit der Erfindung auch eine An­ zahl (einer oder mehrere) von aus dem ersten Wellenlängenbe­ reich stammenden ersten spektralen Teilbereichen in mehrere zweite Wellenlängenbereiche umgewandelt werden. Dadurch ist es vorteilhafterweise möglich, vielfältige Farbmischungen und Farbtemperaturen zu erzeugen.
Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement hat den besonderen Vorteil, daß das über Lumineszenkonversion erzeugte Wellenlän­ genspektrum und damit die Farbe des abgestrahlten Lichtes nicht von der Höhe der Betriebsstromstärke durch den Halbleiterkörper abhängt. Dies hat insbesondere dann große Bedeutung, wenn die Umgebungstemperatur des Halbleiterbauelementes und damit be­ kanntermaßen auch die Betriebsstromstärke stark schwankt. Be­ sonders Leuchtdioden mit einem Halbleiterkörper auf der Basis von GaN sind diesbezüglich sehr empfindlich.
Außerdem benötigt das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement nur eine einzige Ansteuerspannung und damit auch nur eine einzige Ansteuerschaltungsanordnung, wodurch der Bauteileaufwand sehr gering gehalten werden kann.
Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist als Lumineszenzkonversionselement über oder auf dem Halb­ leiterkörper eine teiltransparente, d. h. eine für die von dem Strahlung aussendenden Halbleiterkörper ausgesandte Strahlung teilweise transparente Lumineszenzkonversionsschicht vorgese­ hen. Um eine einheitliche Farbe des abstrahlten Lichtes sicher­ zustellen, kann die vorteilhafterweise die Lumineszenzkonversi­ onsschicht derart ausgebildet sein, daß sie durchweg eine kon­ stante Dicke aufweist. Dies hat den besonderen Vorteil, daß die Weglänge des von dem Halbleiterkörper abgestrahlten Lichtes durch die Lumineszenzkonversionsschicht hindurch für alle Strahlungsrichtungen nahezu konstant ist. Dadurch kann erreicht werden, daß das Halbleiterbauelement in alle Richtungen Licht derselben Farbe abstrahlt. Ein weiterer besonderer Vorteil ei­ nes erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements gemäß dieser Wei­ terbildung besteht darin, daß auf einfache Weise eine hohe Re­ produzierbarkeit erzielt werden kann, was für eine effiziente Massenfertigung von wesentlicher Bedeutung ist. Als Lumines­ zenzkonversionsschicht kann beispielsweise eine mit Lumines­ zenzfarbstoff versetzte Lack- oder Harzschicht vorgesehen sein.
Eine andere bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes weist als Lumineszenzkonversionselement eine teiltransparente Lumineszenzkonversionsumhüllung auf, die zumindest einen Teil des Halbleiterkörpers (und evtl. Teilbe­ reiche der elektrischen Anschlüsse) umschließt und gleichzeitig als Bauteilumhüllung (Gehäuse) genutzt sein kann. Der Vorteil eines Halbleiterbauelements gemäß dieser Ausführungsform be­ steht im wesentlichen darin, daß zu seiner Herstellung konven­ tionelle, für die Herstellung von herkömmlichen Leuchtdioden (z. B. Radial-Leuchtdioden) eingesetzte Produktionslinien ge­ nutzt werden können. Für die Bauteilumhüllung ist anstelle des bei herkömmlichen Leuchtdioden dafür verwendeten transparenten Kunststoffes das Material der Lumineszenzkonversionsumhüllung verwendet.
Bei weiteren vorteilhaften Ausführungsformen des erfindungsge­ mäßen Halbleiterbauelements und der beiden oben genannten be­ vorzugten Ausführungsformen besteht die Lumineszenzkonversions­ schicht bzw. die Lumineszenzkonversionsumhüllung aus einem transparenten Material (z. B. Kunststoff), das mit einem Lumi­ neszenzfarbstoff versehen ist (Beispiele für geeignete Kunst­ stoffe und Lumineszenzfarbstoffe finden sich weiter unten). Auf diese Weise lassen sich Lumineszenzkonversionselemente beson­ ders kostengünstig herstellen. Die dazu notwendigen Verfahrens­ schritte sind nämlich ohne großen Aufwand in herkömmliche Pro­ duktionslinien für Leuchtdioden integrierbar.
Bei einer besonders bevorzugten Weiterbildung der Erfindung bzw. der o.g. Ausführungsformen ist vorgesehen, daß der oder die zweiten Wellenlängenbereiche zumindest teilweise größere Wellenlängen aufweisen als der erste Wellenlängenbereich.
Insbesondere ist vorgesehen, daß ein zweiter spektraler Teilbe­ reich des ersten Wellenlängenbereiches und ein zweiter Wellen­ längenbereich zueinander komplementär sind. Auf diese Weise kann aus einer einzigen farbigen Lichtquelle, insbesondere ei­ ner Leuchtdiode mit einem einzigen blaues Licht abstrahlenden Halbleiterkörper, mischfarbiges, insbesondere weißes Licht er­ zeugt werden. Um z. B. mit einem blaues Licht aussendenden Halbleiterkörper weißes Licht zu erzeugen, wird ein Teil des von dem Halbleiterkörper ausgesandten Spektralbereiches in den gelben Spektralbereich konvertiert. Die Farbtemperatur des wei­ ßen Lichtes kann dabei durch geeignete Wahl des Lumineszenzkon­ versionselementes, insbesondere durch eine geeignete Wahl des Lumineszenzfarbstoffes und dessen Konzentration, variiert wer­ den. Darüberhinaus bieten diese Anordnungen vorteilhafterweise auch die Möglichkeit, Lumineszenzfarbstoffmischungen einzuset­ zen, wodurch sich vorteilhafterweise der gewünschte Farbton sehr genau einstellen läßt. Ebenso können Lumineszenzkonversi­ onselemente inhomogen ausgestaltet sein, z. B. mittels einer inhomogenen Lumineszenzfarbstoffverteilung. Unterschiedliche Weglängen des Lichtes durch das Lumineszenzkonversionselement können dadurch vorteilhafterweise kompensiert werden.
Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform des erfindungs­ gemäßen Halbleiterbauelements weist das Lumineszenzkonversion­ selement oder ein anderer Bestandteil einer Bauteilumhüllung zur Farbanpassung einen oder mehrere Farbstoffe auf, die keine Wellenlängenkonversion bewirken. Hierzu können die für die Her­ stellung von herkömmlichen Leuchtdioden verwendeten Farbstoffe wie z. B. Azo-, Anthrachinon- oder Perinon-Farbstoffe einge­ setzt werden.
Zum Schutz des Lumineszenzkonversionselements vor einer zu ho­ hen Strahlenbelastung ist bei einer vorteilhaften Weiterbildung bzw. bei den o. g. bevorzugten Ausführungsformen des erfin­ dungsgemäßen Halbleiterbauelements zumindest ein Teil der Ober­ fläche des Halbleiterkörpers von einer ersten, z. B. aus einem Kunststoff bestehenden transparenten Hülle umgeben, auf der die Lumineszenzkonversionsschicht aufgebracht ist. Dadurch wird die Strahlungsdichte im Lumineszenzkonversionselement und somit dessen Strahlungsbelastung verringert, was sich je nach verwen­ deten Materialien positiv auf die Lebensdauer des Lumineszenz­ konversionselementes auswirkt.
Bei einer besonders bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung so­ wie der oben genannten Ausführungsformen ist ein Halblei­ terkörper verwendet, bei dem das ausgesandte Strahlungsspektrum bei einer Wellenlänge zwischen 420 nm und 460 nm, insbesondere bei 430 nm (z. B. Halbleiterkörper auf der Basis von GaxAl1-xN) oder 450 nm (z. B. Halbleiterkörper auf der Basis von GaxIn1-xN) ein Lumineszenz-Maximum aufweist. Mit einem derartigen erfin­ dungsgemäßen Halbleiterbauelement lassen sich vorteilhafterwei­ se nahezu sämtliche Farben und Mischfarben der Farbtafel erzeu­ gen.
Bei einer weiteren besonders bevorzugten Weiterbildung der Er­ findung und deren Ausführungsformen besteht die Lumineszenzkon­ versionsumhüllung bzw. die Lumineszenzkonversionsschicht aus einem Lack oder aus einem Kunststoff, wie beispielsweise die für die Umhüllung optoelektronischer Bauelemente eingesetzten Silikon-, Thermoplast- oder Duroplastmaterialien (Epoxid- u. Acrylatharze). Desweiteren können z. B. aus Thermoplastmateria­ lien gefertigte Abdeckelemente als Lumineszenzkonversionsumhül­ lung eingesetzt sein. Sämtliche oben genannten Materialien las­ sen sich auf einfache Weise mit einem oder mehreren Lumines­ zenzfarbstoffen versetzen.
Besonders einfach läßt sich ein erfindungsgemäßes Halbleiter­ bauelement dann realisieren, wenn der Halbleiterkörper in einer Ausnehmung eines gegebenenfalls vorgefertigten Gehäuses ange­ ordnet ist und die Ausnehmung mit einem die Lumineszenzkonver­ sionsschicht aufweisenden Abdeckelement versehen ist. Ein der­ artiges Halbleiterbauelement läßt sich in großer Stückzahl in herkömmlichen Produktionslinien herstellen. Hierzu muß ledig­ lich nach der Montage des Halbleiterkörpers in das Gehäuse das Abdeckelement, beispielsweise eine Lack- oder Gießharzschicht oder eine vorgefertigtes Abdeckplatte aus Thermoplastmaterial, auf das Gehäuse aufgebracht werden. Optional kann die Ausneh­ mung des Gehäuses mit einem transparenten Material, beispiels­ weise einem transparenten Kunststoff, gefüllt sein, das insbe­ sondere die Wellenlänge des von dem Halbleiterkörper ausgesand­ ten Lichtes nicht verändert oder aber, falls gewünscht, bereits lumineszenzkonvertierend ausgebildet sein kann.
Um die Durchmischung der von dem Halbleiterkörper ausgesandten Strahlung des ersten Wellenlängenbereiches mit der lumineszenz­ konvertierten Strahlung des zweiten Wellenlängenbereiches und damit die Farbkonstanz des abstrahlten Lichtes zu verbessern, kann der Lumineszenzumhüllung bzw. der Lumineszenzkon­ versionsschicht und oder einer anderen Komponente der Bautei­ lumhüllung vorteilhafterweise zusätzlich ein im Blauen lumines­ zierender Farbstoff hinzugefügt werden, der eine sogenannte Richtcharakteristik der von dem Halbleiterkörper abgestrahlten Strahlung abschwächt. Unter Richtcharakteristik ist zu verste­ hen, daß die von dem Halbleiterkörper ausgesandte Strahlung ei­ ne bevorzugte Abstrahlrichtung aufweist.
Ein vorteilhaftes Material zur Herstellung der o.g. Lumines­ zenzkonversionsschicht bzw. Lumineszenzkonversionsumhüllung ist Polymethylmetacrylat (PMMA) dem ein oder mehrere Lumineszenz­ farbstoffe zugesetzt sind. PMMA läßt sich auf einfache Weise mit organischen Farbstoffmolekülen versetzen. Zur Herstellung von grün-, gelb- und rotleuchtenden erfindungsgemäßen Halblei­ terbauelementen können z. B. Farbstoffmoleküle auf Perylen-Ba­ sis verwendet sein. Im UV, im Sichtbaren oder im Infraroten leuchtende Halbleiterbauelemente können auch durch Beimischung von 4f-metallorganischen Verbindungen hergestellt werden. Ins­ besondere können rotleuchtende erfindungsgemäße Halbleiterbau­ elemente z. B. durch Beimischung von auf Eu3+ basierenden me­ tallorganischen Chelaten (λ ≈ 620 nm) realisiert werden. Infra­ rot strahlende erfindungsgemäße Halbleiterbauelemente, insbe­ sondere mit blaues Licht aussendenden Halbleiterkörpern, können mittels Beimischung von 4f-Chelaten oder von Ti3+-dotiertem Sa­ phir hergestellt werden.
Ein weißes Licht abstrahlendes erfindungsgemäßes Halbleiterbau­ element läßt sich vorteilhafterweise dadurch herstellen, daß der Lumineszenzfarbstoff so gewählt wird, daß eine von dem Halbleiterkörper ausgesandte blaue Strahlung in komplementäre Wellenlängenbereiche, insbesondere Blau und Gelb, oder zu addi­ tiven Farbtripeln, z. B. Blau, Grün und Rot umgewandelt wird. Hierbei wird das gelbe bzw. das grüne und rote Licht über die Lumineszenzfarbstoffe erzeugt. Der Farbton (Farbort in der CIE- Farbtafel) des weißen Lichts kann dabei durch geeignete Wahl des Farbstoffes hinsichtlich Mischung und Konzentration vari­ iert werden.
Geeignete Lumineszenzfarbstoffe für ein weißes Licht abstrah­ lendes erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement sind Perylen- Lumineszenzfarbstoffe wie z. B. BASF Lumogen F 083 für grüne Lumineszenz, BASF Lumogen F 240 für gelbe Lumineszenz und BASF Lumogen F 300 für rote Lumineszenz. Diese Farbstoffe lassen sich auf einfache Weise z. B. transparentem Epoxidharz zuset­ zen.
Eine bevorzugte Methode, mit einem blaues Licht abstrahlenden Halbleiterkörper ein grün leuchtendes Halbleiterbauelement her­ zustellen, besteht darin, für das Lumineszenzkonversionselement UO₂⁺⁺-substituiertes Borsilikatglas zu verwenden.
Bei einer weiteren bevorzugten Weiterbildung eines erfindungs­ gemäßen Halbleiterbauelements bzw. der oben angegebenen vor­ teilhaften Ausführungsformen sind dem Lumineszenzkonversionse­ lement oder einer anderen strahlungsdurchlässigen Komponente der Bauteilumhüllung zusätzlich lichtstreuende Partikel, soge­ nannte Diffusoren zugesetzt. Hierdurch läßt sich vorteilhafter­ weise der Farbeindruck und die Abstrahlcharakteristik des Halb­ leiterbauelements optimieren.
Von besonderem Vorteil ist, daß die Leuchteffizienz von weiß­ leuchtenden erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementen bzw. deren o.g. Ausführungsformen mit einem im wesentlichen auf der Basis von GaN hergestellten blau leuchtenden Halbleiterkörper gegen­ über der Leuchteffizienz einer Glühbirne erheblich erhöht ist. Der Grund dafür besteht darin, daß zum einen die externe Quan­ tenausbeute derartiger Halbleiterkörper bei einigen Prozent liegt und andererseits die Lumineszenzausbeute von organischen Farbstoff-Molekülen oft bei über 90% angesiedelt ist. Darüber hinaus zeichnet sich das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement im Vergleich zur Glühbirne durch eine extrem lange Lebensdauer, größere Robustheit und eine kleinere Betriebsspannung aus.
Vorteilhaft ist weiterhin, daß die für das menschliche Auge wahrnehmbare Helligkeit des erfindungsgemäßen Halbleiterbau­ elements gegenüber einem ohne Lumineszenzkonversionselement ausgestatteten, aber sonst identischen Halbleiterbauelement deutlich erhöht werden kann, da die Augenempfindlichkeit zu hö­ herer Wellenlänge hin zunimmt. Es kann darüberhinaus auch ul­ traviolettes Licht in sichtbares Licht umgewandelt werden.
Das hier vorgestellte Konzept der Lumineszenzkonversion mit blauem Licht eines Halbleiterkörpers läßt sich vorteilhafter­ weise auch auf mehrstufige Lumineszenzkonversionselemente er­ weitern, nach dem Schema ultraviolett → blau → grün → gelb → rot. Hierbei werden eine Mehrzahl von spektral selektiv emit­ tierenden Lumineszenzkonversionselementen relativ zum Halblei­ terkörper hintereinander angeordnet.
Ebenso können vorteilhafterweise mehrere unterschiedlich spek­ tral selektiv emittierende Farbstoffmoleküle gemeinsam in einen transparenten Kunststoff eines Lumineszenzkonversionselements eingebettet sein. Hierdurch ist ein sehr breites Farbenspektrum erzeugbar.
Besonders vorteilhaft können erfindungsgemäße Halbleiterbauele­ mente gemäß der vorliegenden Erfindung in vollfarbtauglichen LED-Anzeigevorrichtungen (Displays) eingesetzt werden.
Weitere Merkmale, Vorteile und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von 5 Ausfüh­ rungsbeispielen in Verbindung mit den Fig. 1 bis 9. Es zei­ gen:
Fig. 1 eine schematische Schnittansicht durch ein erstes Aus­ führungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements;
Fig. 2 eine schematische Schnittansicht eines zweiten Ausfüh­ rungsbeispieles eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes;
Fig. 3 eine schematische Schnittansicht durch ein drittes Aus­ führungsbeispiel eines erfindungsgemäße Halbleiterbauelementes;
Fig. 4 eine schematische Schnittansicht eines vierten Ausfüh­ rungsbeispieles eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements;
Fig. 5 eine schematische Schnittansicht eines fünften Ausfüh­ rungsbeispieles eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes;
Fig. 6 eine schematische Schnittansicht eines sechsten Ausfüh­ rungsbeispieles eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes;
Fig. 7 eine schematische Darstellung eines Emissionsspektrums eines blaues Licht abstrahlenden Halbleiterkörpers mit einer Schichtenfolge auf der Basis von GaN;
Fig. 8 eine schematische Darstellung eines Emissionsspektrums zweier erfindungsgemäßer Halbleiterbauelemente, die weißes Licht abstrahlen;
Fig. 9 eine schematische Schnittdarstellung durch einen Halb­ leiterkörper, der blaues Licht aussendet;
Fig. 10 eine schematische Schnittansicht eines siebten Ausfüh­ rungsbeispieles eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes; und
Fig. 11 eine schematische Darstellung eines Emissionsspektrums eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes, das mischfarbi­ ges rotes Licht abstrahlt.
Bei den verschiedenen Figuren sind gleiche bzw. gleichwirkende Teile immer mit denselben Bezugszeichen bezeichnet.
Bei dem in Fig. 1 dargestellten Licht aussendenden Halblei­ terbauelement weist ein Halbleiterkörper 1 einen Unterseiten­ kontakt 11, einen Oberseitenkontakt 12 und eine sich aus einer Anzahl von unterschiedlichen Schichten zusammensetzende Schich­ tenfolge 7 auf, die mindestens eine eine Strahlung (z. B. ul­ traviolett, blau oder grün) aussendende aktive Zone besitzt.
Ein Beispiel für eine geeignete Schichtenfolge 7 für dieses und für sämtliche im folgenden beschriebenen Ausführungsbeispiele ist in Fig. 9 gezeigt. Hierbei ist auf einem Substrat 18, das z. B. aus SiC besteht, eine Schichtenfolge aus einer AlN- oder GaN-Schicht 19, einer n-leitenden GaN-Schicht 20, einer n- leitenden GaxAl1-xN- oder GaxIn1-xN-Schicht 21, einer weiteren n- leitenden GaN- oder einer GaxIn1-xN-Schicht 22, einer p- leitenden GaxAl1-xN- oder GaxIn1-xN-Schicht 23 und einer p- leitenden GaN-Schicht 24 aufgebracht. Auf einer Oberseite 25 der p-leitenden GaN-Schicht 24 und einer Unterseite 26 des Substrats 18 ist jeweils eine Kontaktmetallisierung 27, 28 auf­ gebracht.
Es kann jedoch auch jeder andere dem Fachmann für das erfin­ dungsgemäße Halbleiterbauelement als geeignet erscheinende Halbleiterkörper verwendet werden. Dies gilt ebenso für sämt­ liche nachfolgend beschriebenen Ausführungsbeispiele.
Im Ausführungsbeispiel von Fig. 1 ist der Halbleiterkörper 1 mittels eines elektrisch leitenden Verbindungsmittels, z. B. ein metallisches Lot oder ein Klebstoff, mit seinem Untersei­ tenkontakt 11 auf einem ersten elektrischen Anschluß 2 befe­ stigt. Der Oberseitenkontakt 12 ist mittels eines Bonddrahtes 14 mit einem zweiten elektrischen Anschluß 3 verbunden.
Die freien Oberflächen des Halbleiterkörpers 1 und Teilbereiche der elektrischen Anschlüsse 2 und 3 sind unmittelbar von einer Lumineszenzkonversionsumhüllung 5 umschlossen. Diese besteht beispielsweise aus einem für transparente Leuchtdiodenumhüllun­ gen verwendbaren transparenten Kunststoff (z. B. Epoxidharz oder Polymethylmetaacrylat), der mit Lumineszenzfarbstoff 6 versetzt ist. Die hierzu geeigneten Farbstoffe sind bereits weiter oben im allgemeinen Teil der Beschreibung genannt und werden daher an dieser Stelle nicht eigens angeführt.
Das in Fig. 2 dargestellte Ausführungsbeispiel eines erfin­ dungsgemäßen Halbleiterbauelements unterscheidet sich von dem der Fig. 1 dadurch, daß der Halbleiterkörper 1 und Teilberei­ che der elektrischen Anschlüsse 2 und 3 anstatt von einer Lumi­ neszenzkonversionsumhüllung von einer transparenten Umhüllung 15 umschlossen sind. Diese transparente Umhüllung 15 bewirkt keine Wellenlängenänderung der von dem Halbleiterkörper 1 aus­ gesandten Strahlung und besteht beispielsweise aus einem in der Leuchtdiodentechnik herkömmlich verwendeten Epoxid-, Silikon- oder Acrylatharz oder aus einem anderen geeigneten Material.
Auf diese transparente Umhüllung 15 ist eine Lumineszenzkonver­ sionsschicht 4 aufgebracht, die, wie in der Fig. 2 darge­ stellt, die gesamte Oberfläche der Umhüllung 15 bedeckt. Ebenso denkbar ist, daß die Lumineszenzkonversionsschicht 4 nur einen Teilbereich dieser Oberfläche bedeckt. Die Lumineszenzkonversi­ onsschicht 4 besteht beispielsweise wiederum aus einem transpa­ renten Kunststoff (z. B. Epoxidharz, Lack oder Polymethylme­ taacrylat), der mit einem Lumineszenzfarbstoff 6 versetzt ist.
Dieses Ausführungsbeispiel hat, wie weiter oben bereits er­ wähnt, den besonderen Vorteil, daß für die gesamte von dem Halbleiterkörper ausgesandte Strahlung die Weglänge durch das Lumineszenzkonverionselement nahezu gleich groß ist. Dies spielt insbesondere dann eine bedeutende Rolle, wenn, wie es oftmals der Fall ist, der genaue Farbton des von dem Halblei­ terbauelement abgestrahlten Lichtes von dieser Weglänge ab­ hängt.
Zur besseren Auskopplung des Lichtes aus der Lumineszenzkonver­ sionsschicht 4 von Fig. 2 kann auf einer Seitenfläche des Bau­ elements eine linsenförmige Abdeckung 29 (gestrichelt einge­ zeichnet) vorgesehen sein, die eine Totalreflexion der Strah­ lung innerhalb der Lumineszenzkonversionsschicht 4 reduziert. Diese linsenförmige Abdeckung 29 kann aus transparentem Kunst­ stoff bestehen und auf die Lumineszenzkonversionsschicht 4 bei­ spielsweise aufgeklebt oder direkt als Bestandteil der Lumines­ zenzkonversionsschicht 4 ausgebildet sein.
Bei dem in Fig. 3 dargestellten Ausführungsbeispiel sind der erste und zweite elektrische Anschluß 2, 3 in ein lichtundurch­ lässiges evtl. vorgefertigtes Grundgehäuse 8 mit einer Ausneh­ mung 9 eingebettet. Unter "vorgefertigt" ist zu verstehen, daß das Grundgehäuse 8 bereits an den Anschlüssen 2, 3 beispielswei­ se mittels Spritzguß fertig ausgebildet ist, bevor der Halblei­ terkörper auf den Anschluß 2 montiert wird. Das Grundgehäuse 8 besteht beispielsweise aus Kunststoff und die Ausnehmung 9 ist als Reflektor 17 (ggf. durch geeignete Beschichtung der Innen­ wände der Ausnehmung 9) ausgebildet. Solche Grundgehäuse 8 wer­ den seit langem insbesondere bei oberflächenmontierbaren Leuchtdioden (SMD-TOPLEDs) verwendet und werden daher an dieser Stelle nicht mehr näher erläutert. Sie werden vor der Montage der Halbleiterkörper auf ein die elektrischen Anschlüsse 2, 3 aufweisendes Leiterband (Leadframe) aufgebracht.
Die Ausnehmung 9 ist von einer Lumineszenzkonversionsschicht 4, beispielsweise eine separat hergestellte und auf dem Grundge­ häuse 8 befestigte Abdeckplatte 17 aus Kunststoff abgedeckt. Als geeignete Materialien für die Lumineszenzkonversionsschicht 4 kommen wiederum die weiter oben im allgemeinen Teil der Be­ schreibung genannten Kunststoffe in Verbindung mit den dort ge­ nannten Farbstoffen in Frage. Die Ausnehmung 9 kann sowohl mit einem transparenten Kunststoff oder mit Gas gefüllt als auch mit einem Vakuum versehen sein.
Ebenso ist es möglich, daß die Ausnehmung 9, wie in Fig. 10 gezeigt, mit einem mit Lumineszenzfarbstoff versehenen Kunst­ stoff o. ä., d. h. mit einer Lumineszenzumhüllung 5 gefüllt ist, die das Lumineszenzkonversionselement bildet. Eine Abdeck­ platte 17 und/oder eine linsenförmige Abdeckung 29 kann dann auch weggelassen sein.
Wie bei dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 kann auch hier zur besseren Auskopplung des Lichtes aus der Lumineszenzkonversi­ onsschicht 4 auf dieser eine linsenförmige Abdeckung 29 (gestrichelt eingezeichnet) vorgesehen sein, die eine Totalre­ flexion der Strahlung innerhalb der Lumineszenzkonversions­ schicht 4 reduziert. Diese Abdeckung 29 kann aus transparentem Kunststoff bestehen und auf die Lumineszenzkonversionsschicht 4 beispielsweise aufgeklebt oder zusammen mit der Lumineszenzkon­ versionsschicht 4 einstückig ausgebildet sein.
In Fig. 4 ist als weiteres Ausführungsbeispiel eine sogenannte Radialdiode dargestellt. Hierbei ist der Halbleiterkörper 1 in einem als Reflektor ausgebildeten Teil 16 des ersten elektri­ schen Anschlusses 2 beispielsweise mittels Löten oder Kleben be­ festigt. Auch derartige Gehäusebauformen sind aus der Leuchtdi­ odentechnik wohlbekannt und bedürfen von daher keiner näheren Erläuterung.
Bei dem Ausführungsbeispiel von Fig. 4 ist der Halbleiterkör­ per 1 von einer transparenten Umhüllung 15 umgeben, die wie beim zweitgenannten Ausführungsbeispiel (Fig. 2) keine Wellen­ längenänderung der von dem Halbleiterkörper 1 ausgesandten Strahlung bewirkt und beispielsweise aus einem herkömmlich in der Leuchtdiodentechnik verwendeten transparenten Epoxidharz bestehen kann.
Auf dieser transparenten Umhüllung 15 ist eine Lumineszenzkon­ versionsschicht 4 aufgebracht. Als Material hierfür kommen bei­ spielsweise wiederum die im Zusammenhang mit den vorgenannten Ausführungsbeispielen angeführten Kunststoffe in Verbindung mit den dort genannten Farbstoffen in Frage.
Der gesamte Aufbau, bestehend aus Halbleiterkörper 1, Teilbe­ reiche der elektrischen Anschlüsse 2, 3, transparente Umhüllung 15 und Lumineszenzkonversionsschicht 4, ist unmittelbar von ei­ ner weiteren transparenten Umhüllung 10 umschlossen, die keine Wellenlängenänderung der durch die Lumineszenzkonversions­ schicht 4 hindurchgetretenen Strahlung bewirkt. Sie besteht beispielsweise wiederum aus einem herkömmlich in der Leuchtdi­ odentechnik verwendeten transparenten Epoxidharz.
Das in Fig. 5 gezeigte Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem von Fig. 4 im wesentlichen dadurch, daß die freien Oberflächen des Halbleiterkörpers 1 unmittelbar von einer Lumi­ neszenzkonversionsumhüllung 5 bedeckt sind, die wiederum von einer weiteren transparenten Umhüllung 10 umgeben ist. In Fig. 5 ist weiterhin beispielhaft ein Halbleiterkörper 1 darge­ stellt, bei dem anstelle des Unterseitenkontaktes ein weiterer Kontakt auf der Halbleiterschichtenfolge 7 angebracht ist, der mittels eines zweiten Bonddrahtes 14 mit dem zugehörigen elek­ trischen Anschluß 2 oder 3 verbunden ist. Selbstverständlich sind derartige Halbleiterkörper 1 auch bei allen anderen hierin beschriebenen Ausführungsbeispielen einsetzbar. Umgekehrt ist natürlich auch bei dem Ausführungsbeispiel von Fig. 5 ein Halbleiterkörper 1 gemäß den vorgenannten Ausführungsbeispielen verwendbar.
Der Vollständigkeit halber sei an dieser Stelle angemerkt, daß selbstverständlich auch bei der Bauform nach Fig. 5 analog zu dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 eine einstückige Lumines­ zenzkonversionsumhüllung 5, die dann an die Stelle der Kombina­ tion aus Lumineszenzkonversionsumhüllung 5 und weiterer trans­ parenter Umhüllung 10 tritt, verwendet sein kann.
Bei dem Ausführungsbeispiel von Fig. 6 ist eine Lumineszenz­ konversionsschicht 4 (mögliche Materialien wie oben angegeben) direkt auf den Halbleiterkörper 1 aufgebracht. Dieser und Teil­ bereiche der elektrischen Anschlüsse 2, 3 sind von einer weite­ ren transparenten Umhüllung 10 umschlossen, die keine Wellen­ längenänderung der durch die Lumineszenzkonversionsschicht 4 hindurchgetretenen Strahlung bewirkt und beispielsweise aus ei­ nem in der Leuchtdiodentechnik verwendbaren transparenten Epoxidharz gefertigt ist.
Solche, mit einer Lumineszenzkonversionsschicht 4 versehenen Halbleiterkörper 1 ohne Umhüllung können natürlich vorteilhaf­ terweise in sämtlichen aus der Leuchtdiodentechnik bekannten Gehäusebauformen (z. B. SMD-Gehäuse, Radial-Gehäuse (man ver­ gleiche Fig. 5)) verwendet sein.
Bei sämtlichen der oben beschriebenen Ausführungsbeispielen kann zur Optimierung des Farbeindrucks des abstrahlten Lichts sowie zur Anpassung der Abstrahlcharakteristik das Lumineszenz­ konversionselement (Lumineszenzkonversionsumhüllung 5 oder Lu­ mineszenzkonversionsschicht 4), ggf. die transparente Umhüllung 15, und/oder ggf. die weitere transparente Umhüllung 10 lichtstreuende Partikel, sogenannte Diffusoren aufweisen. Bei­ spiele für derartige Diffusoren sind mineralische Füllstoffe, insbesondere CaF₂, TiO₂, SiO₂, CaCO₃ oder BaSO₄ oder auch orga­ nische Pigmente. Diese Materialien können auf einfache Weise den o.g. Kunststoffen zugesetzt werden.
In den Fig. 7 und 8 sind abschließend Emissionsspektren ei­ nes blaues Licht abstrahlenden Halbleiterkörpers (Fig. 8) (Lumineszenzmaximum bei λ ∼ 430 nm) bzw. eines mittels eines solchen Halbleiterkörpers hergestellten weiß leuchtenden erfin­ dungsgemäßen Halbleiterbauelements (Fig. 9) gezeigt. An der Abszisse ist jeweils die Wellenlänge λ in nm und auf der Ordina­ te ist jeweils eine relative Elektrolumineszenz (EL) -Intensität aufgetragen.
Von der vom Halbeiterkörper ausgesandten Strahlung nach Fig. 7 wird nur ein Teil in einen längerwelligen Wellenlängenbereich konvertiert, so daß als Mischfarbe weißes Licht entsteht. Die gestrichelte Linie 30 in Fig. 8 stellt ein Emissionsspektrum von einem erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement dar, das Strahlung aus zwei komplementären Wellenlängenbereichen (Blau und Gelb) und damit weißes Licht aussendet. Das Emissionsspek­ trum weist hier bei Wellenlängen zwischen ca. 400 und ca. 430 nm (Blau) und zwischen ca. 550 und ca. 580 nm (Gelb) je ein Ma­ ximum auf. Die durchgezogene Linie 31 repräsentiert das Emissi­ onsspektrum eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements, das die Farbe Weiß aus drei Wellenlängenbereichen (additives Farb­ tripel aus Blau, Grün und Rot) mischt. Das Emissionsspektrum weist hier beispielsweise bei den Wellenlängen von ca. 430 nm (Blau), ca. 500 nm (Grün) und ca. 615 nm (Rot) je ein Maximum auf.
Desweiteren ist in Fig. 11 ein Emissionsspektrum eines erfin­ dungsgemäßen Halbleiterbauelements dargestellt, das mischfarbi­ ges Licht aus blauem Licht (Maximum bei einer Wellenlänge von ca. 470 nm) und rotem Licht (Maximum bei einer Wellenlänge von ca. 620 nm) abstrahlt. Der Gesamtfarbeindruck des abgestrahlten Lichtes für das menschliche Auge ist Magenta. Das vom Halblei­ terkörper abgestrahlte Emissionsspektrum entspricht hier wie­ derum dem von Fig. 7.

Claims (25)

1. Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit einem Strahlung aussendenden Halbleiterkörper (1), mit mindestens einem ersten und einem zweiten elektrischen Anschluß (2, 3), die mit dem Halbleiterkörper (1) elektrisch leitend verbunden sind, und mit einem Lumineszenzkonversionselement, dadurch gekennzeichnet,
daß der Halbleiterkörper (1) eine Halbleiterschichtenfolge (7), die eine elektromagnetische Strahlung der Wellenlänge λ von 520 nm aus sendet und
daß das Lumineszenzkonversionselement Strahlung eines er­ sten spektralen Teilbereiches der von dem Halbleiterkörper (1) ausgesandten, aus einem ersten Wellenlängenbereich stammenden Strahlung in Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereiches um­ wandelt, derart, daß das Halbleiterbauelement Strahlung aus ei­ nem zweiten spektralen Teilbereich des ersten Wellenlängenbe­ reiches und Strahlung des zweiten Wellenlängenbereiches aussen­ det.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß das Lumineszenzkonversionselement Strahlung eines er­ sten spektralen Teilbereiches der von dem Halbleiterkörper (1) ausgesandten, aus einem ersten Wellenlängenbereich stammenden Strahlung in Strahlung mehrerer zweiter Wellenlängenbereiche um­ wandelt, derart, daß das Halbleiterbauelement Strahlung aus ei­ nem zweiten spektralen Teilbereich des ersten Wellenlängenbe­ reiches und Strahlung der zweiten Wellenlängenbereiche aus sen­ det.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das Lumineszenzkonversionselement Strahlung mehrerer erster spektraler Teilbereiche der von dem Halbleiter­ körper (1) ausgesandten, aus einem ersten Wellenlängenbereich stammenden Strahlung in Strahlung mehrerer zweiter Wellenlängen­ bereiche umwandelt, derart, daß das Halbleiterbauelement Strah­ lung aus mehreren zweiten spektralen Teilbereichen des ersten Wellenlängenbereiches und Strahlung der zweiten Wellenlängenbe­ reiche aussendet.
4. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, da­ durch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (1) eine aktive Schicht aus GaxIn1-xN oder GaxAl1-xN aufweist.
5. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, da­ durch gekennzeichnet, daß als Lumineszenzkonversionselement über oder auf dem Halbleiterkörper (1) mindestens eine Lumines­ zenzkonversionsschicht (4) vorgesehen ist.
6. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, da­ durch gekennzeichnet, daß als Lumineszenzkonversionselement ei­ ne Lumineszenzkonversionsumhüllung (5) vorgesehen ist, die zu­ mindest einen Teil des Halbleiterkörpers (1) und Teilbereiche der elektrischen Anschlüsse (2, 3) umschließt.
7. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, da­ durch gekennzeichnet, daß das Lumineszenzkonversionselement mit einem oder mehreren Lumineszenzfarbstoffen (6) versehen ist.
8. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, da­ durch gekennzeichnet, daß der bzw. die zweiten Wellenlängenbe­ reiche zumindest teilweise größere Wellenlängen λ aufweist als der bzw. die ersten Wellenlängenbereiche.
9. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 oder 4 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite spektrale Teilbereich des ersten Wellenlängenbereiches und der zweite Wellenlängenbe­ reich zumindest teilweise zueinander komplementär sind, so daß mischfarbiges, insbesondere weißes Licht erzeugt wird.
10. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 2 bis 8, da­ durch gekennzeichnet, daß ein zweiter spektraler Teilbereich dem ersten Wellenlängenbereiches und zwei zweite Wellenlängen­ bereiche ein additives Farbtripel ergeben.
11. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 10, da­ durch gekennzeichnet, daß die vom Halbleiterkörper (1) ausge­ sandte Strahlung bei λ = 430 nm oder bei λ = 450 nm ein Lumi­ neszenz-Maximum aufweist.
12. Halbleiterbauelement nach Anspruch 5 und einem der Ansprü­ che 7 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest ein Teil der Oberfläche des Halbleiterkörpers (1) von einer transparen­ ten Umhüllung (15) umgeben ist und daß auf der transparenten Umhüllung (15) eine Lumineszenzkonversionsschicht (4) aufge­ bracht ist.
13. Halbleiterbauelement nach Anspruch 5 und einem der Ansprü­ che 7 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest auf einem Teil der Oberfläche des Halbleiterkörpers (1) eine Lumineszenz­ konversionsschicht (4) aufgebracht ist.
14. Halbleiterbauelement nach Anspruch 5 und einem der Ansprü­ che 7 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (1) in einer Ausnehmung (9) eines Grundgehäuses (8) angeordnet ist und daß die Ausnehmung (9) mit einer eine Lumineszenzkon­ versionsschicht (4) aufweisenden Abdeckschicht versehen ist.
15. Halbleiterbauelement einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (1) in einer Ausneh­ mung (9) eines Grundgehäuses (8) angeordnet ist und daß die Ausnehmung (9) zumindest teilweise mit dem Lumineszenzkonversi­ onselement gefüllt ist.
16. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 15, da­ durch gekennzeichnet, daß das Lumineszenzkonversionselement mehrere Schichten mit unterschiedlichen Wellenlängenkonversi­ onseigenschaften aufweist.
17. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 16, da­ durch gekennzeichnet, daß das Lumineszenzkonversionselement or­ ganische Farbstoffmoleküle in einer Kunststoff-Matrix aufweist, die insbesondere aus Silikon-, Thermoplast- oder Duroplastmate­ rial besteht.
18. Halbleiterbauelement nach Anspruch 17, dadurch gekennzeich­ net, daß das Lumineszenzkonversionselement organische Farb­ stoffmoleküle in einer Epoxidharz-Matrix aufweist.
19. Halbleiterbauelement nach Anspruch 17, dadurch gekennzeich­ net, daß das Lumineszenzkonversionselement organische Farb­ stoffmoleküle in einer Polymethylmetacrylat-Matrix aufweist.
20. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 19, da­ durch gekennzeichnet, daß das Lumineszenzkonversionselement or­ ganische Farbstoffmoleküle mit und ohne Wellenlängenkonversi­ onswirkung aufweist.
21. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 20, da­ durch gekennzeichnet, daß das Lumineszenzkonversionselement und oder eine transparente Umhüllung (10, 15) lichtstreuende Parti­ kel aufweist.
22. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 21, da­ durch gekennzeichnet, daß das Lumineszenzkonversionselement mit einem oder mehreren lumineszierenden 4f-metallorganischen Ver­ bindungen versehen ist.
23. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 22, da­ durch gekennzeichnet, daß das Lumineszenzkonversionselement und oder eine transparente Umhüllung (10, 15) mit mindestens einem im Blauen lumineszierenden Lumineszenzfarbstoff versehen ist.
24. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 23, da­ durch gekennzeichnet, daß nur ein einziger Halbleiterkörper (1) vorgesehen ist.
25. Verwendung einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 24 in einer vollfarbtauglichen LED- Anzeigevorrichtung.
DE19625622A 1996-06-26 1996-06-26 Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement Ceased DE19625622A1 (de)

Priority Applications (67)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19625622A DE19625622A1 (de) 1996-06-26 1996-06-26 Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
EP97931666A EP0907969B1 (de) 1996-06-26 1997-06-26 Lichtabstrahlendes halbleiterbauelement mit lumineszenzkonversionselement
KR1020057009020A KR100629544B1 (ko) 1996-06-26 1997-06-26 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
CNB2006101016500A CN100435369C (zh) 1996-06-26 1997-06-26 具有发光变换元件的发光半导体器件
EP04008348.7A EP1439586B1 (de) 1996-06-26 1997-06-26 Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
EP10184980.0A EP2282354B1 (de) 1996-06-26 1997-06-26 Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
KR20047019071A KR20040111701A (ko) 1996-06-26 1997-06-26 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
CNB2006100999783A CN100557833C (zh) 1996-06-26 1997-06-26 发光半导体器件和含有该发光半导体器件的装置
KR1020047019067A KR100643442B1 (ko) 1996-06-26 1997-06-26 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
CN2003101181792A CN1534803B (zh) 1996-06-26 1997-06-26 具有发光变换元件的发光半导体器件
CN2003101181788A CN1534802B (zh) 1996-06-26 1997-06-26 具有发光变换元件的发光半导体器件
CNB2006101016572A CN100502066C (zh) 1996-06-26 1997-06-26 具有发光变换元件的发光半导体器件
EP10184425.6A EP2284912B1 (de) 1996-06-26 1997-06-26 Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE59711671T DE59711671D1 (de) 1996-06-26 1997-06-26 Lichtabstrahlendes halbleiterbauelement mit lumineszenzkonversionselement
KR1020067012234A KR100808749B1 (ko) 1996-06-26 1997-06-26 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
CNB2005100917280A CN100565945C (zh) 1996-06-26 1997-06-26 发射射线的半导体芯片及包含该半导体芯片的装置
CNB2005100917295A CN100442555C (zh) 1996-06-26 1997-06-26 发射射线的半导体器件及包含该半导体器件的装置
EP04009016A EP1441395B9 (de) 1996-06-26 1997-06-26 Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
KR1020057009021A KR20050053798A (ko) 1996-06-26 1997-06-26 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
BRPI9709998-8A BR9709998B1 (pt) 1996-06-26 1997-06-26 elemento de construção semicondutor, irradiador de luz, com elemento de conversão de luminescência
EP04009018.5A EP1441397B1 (de) 1996-06-26 1997-06-26 Strahlungskonvertierendes Abdeckelement für ein Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und Licht abstrahlendes halbleiterbauelement
EP10184358.9A EP2267801B1 (de) 1996-06-26 1997-06-26 Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JP50211798A JP3773541B2 (ja) 1996-06-26 1997-06-26 ルミネセンス変換エレメントを有する半導体発光素子
KR1020047019068A KR100662955B1 (ko) 1996-06-26 1997-06-26 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
DE29724543U DE29724543U1 (de) 1996-06-26 1997-06-26 Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE29724847U DE29724847U1 (de) 1996-06-26 1997-06-26 Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
PCT/DE1997/001337 WO1997050132A1 (de) 1996-06-26 1997-06-26 Lichtabstrahlendes halbleiterbauelement mit lumineszenzkonversionselement
KR1020047019066A KR100662956B1 (ko) 1996-06-26 1997-06-26 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
EP04008349A EP1434279B1 (de) 1996-06-26 1997-06-26 Lichtabstrahlender Halbleiterchip und Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
EP10184975.0A EP2270877B1 (de) 1996-06-26 1997-06-26 Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
EP08163321.6A EP1993152B1 (de) 1996-06-26 1997-06-26 Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
CNB2006100999800A CN100514684C (zh) 1996-06-26 1997-06-26 发光半导体器件和含有该发光半导体器件的装置
KR1020067012235A KR100751692B1 (ko) 1996-06-26 1997-06-26 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
KR1020047019069A KR100734122B1 (ko) 1996-06-26 1997-06-26 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
KR1019980710985A KR100537349B1 (ko) 1996-06-26 1997-06-26 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
DE59713024T DE59713024D1 (de) 1996-06-26 1997-06-26 Lichtabstrahlender Halbleiterchip und Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
CNB971974020A CN1264228C (zh) 1996-06-26 1997-06-26 发光半导体器件、全色发光二极管显示装置及其应用
CNB2005100917308A CN100433382C (zh) 1996-06-26 1997-06-26 半导体器件外壳用的单独覆盖元件和含有覆盖元件的装置
CN200610101860XA CN1917240B (zh) 1996-06-26 1997-06-26 具有发光变换元件的发光半导体器件
EP04009017A EP1441396B1 (de) 1996-06-26 1997-06-26 Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE29724848U DE29724848U1 (de) 1996-06-26 1997-06-26 Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
KR1020047019070A KR100702740B1 (ko) 1996-06-26 1997-06-26 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
DE29724582U DE29724582U1 (de) 1996-06-26 1997-06-26 Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
CN200610101629.0A CN1893136B (zh) 1996-06-26 1997-06-26 发光半导体器件和含有该发光半导体器件的装置
BRPI9715293A BRPI9715293B1 (pt) 1996-06-26 1997-06-26 elemento de cobertura para um elemento de construção optoeletrônico
EP10184973.5A EP2270876B1 (de) 1996-06-26 1997-06-26 Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US09/221,789 US7078732B1 (en) 1996-06-26 1998-12-28 Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element
HK00101386A HK1022564A1 (en) 1996-06-26 2000-03-03 A light-radiating semiconductor component, a full-color light emitting diode display device, and theusage thereof
US09/731,220 US6812500B2 (en) 1996-06-26 2000-12-06 Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element
US09/731,452 US6576930B2 (en) 1996-06-26 2000-12-07 Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element
US09/828,727 US20010030326A1 (en) 1996-06-26 2001-04-09 Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element
JP2003355315A JP4286104B2 (ja) 1996-06-26 2003-10-15 半導体発光素子及び半導体発光素子の使用
JP2003355316A JP4280598B2 (ja) 1996-06-26 2003-10-15 発光半導体チップ
JP2003355317A JP4308620B2 (ja) 1996-06-26 2003-10-15 半導体発光素子のケーシング上に載着される別個に製造された被膜板
JP2003355314A JP4278479B2 (ja) 1996-06-26 2003-10-15 半導体発光素子
US10/979,778 US7151283B2 (en) 1996-06-26 2004-11-02 Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element
US11/080,786 US7126162B2 (en) 1996-06-26 2005-03-15 Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element
JP2005112809A JP4334497B2 (ja) 1996-06-26 2005-04-08 半導体発光素子
JP2005112811A JP4001893B2 (ja) 1996-06-26 2005-04-08 半導体発光素子
JP2005112810A JP4001892B2 (ja) 1996-06-26 2005-04-08 半導体発光素子、ｌｅｄ表示装置、照明装置および液晶表示部の照明装置
US11/150,916 US7345317B2 (en) 1996-06-26 2005-06-13 Light-radiating semiconductor component with a luminescene conversion element
JP2006268658A JP4388940B2 (ja) 1996-06-26 2006-09-29 発光半導体チップ
US11/828,450 US7629621B2 (en) 1996-06-26 2007-07-26 Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element
JP2007264556A JP5260018B2 (ja) 1996-06-26 2007-10-10 半導体素子
JP2008289894A JP5630952B6 (ja) 1996-09-20 2008-11-12 半導体発光素子
US12/610,560 US9196800B2 (en) 1996-06-26 2009-11-02 Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element
US13/462,952 US20120241779A1 (en) 1996-06-26 2012-05-03 Light-Radiating Semiconductor Component with a Luminescence Conversion Element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19625622A DE19625622A1 (de) 1996-06-26 1996-06-26 Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE19625622A1 true DE19625622A1 (de) 1998-01-02

Family

ID=7798103

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19625622A Ceased DE19625622A1 (de) 1996-06-26 1996-06-26 Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement

Country Status (2)

Country Link
CN (9) CN100514684C (de)
DE (1) DE19625622A1 (de)

Cited By (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19829197A1 (de) * 1998-06-30 2000-01-13 Siemens Ag Strahlungsaussendendes und/oder empfangendes Halbleiter-Bauelement
DE19836943A1 (de) * 1998-08-17 2000-04-13 Univ Dresden Tech Wellenlängen-Konversionsschicht im optischen und angrenzenden Spektralbereichen
DE19934126A1 (de) * 1999-07-23 2001-01-25 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Leuchtstoff für Lichtquellen und zugehörige Lichtquelle
WO2001062868A1 (de) * 2000-02-23 2001-08-30 Technische Universität Dresden Photolumineszenzschicht in optischen und angrenzenden spektralbereichen
DE10032453A1 (de) * 2000-07-04 2002-01-24 Vishay Semiconductor Gmbh Strahlung emittierendes Bauelement
EP1187228A1 (de) * 2000-02-09 2002-03-13 Nippon Leiz Corporation Lichtquelle
DE10109349A1 (de) * 2001-02-27 2002-09-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
US6590235B2 (en) 1998-11-06 2003-07-08 Lumileds Lighting, U.S., Llc High stability optical encapsulation and packaging for light-emitting diodes in the green, blue, and near UV range
DE10305093A1 (de) * 2003-02-07 2004-08-19 BSH Bosch und Siemens Hausgeräte GmbH Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung und Überwachung von Verunreinigungszuständen unterschiedlicher Flüssigkeiten
DE102005020695B4 (de) * 2004-04-30 2006-06-22 Optotransmitter-Umweltschutz-Technologie E.V. Vorrichtung zur Emission von Strahlung mit einstellbarer Spektraleigenschaft
US7157745B2 (en) 2004-04-09 2007-01-02 Blonder Greg E Illumination devices comprising white light emitting diodes and diode arrays and method and apparatus for making them
DE102006015115A1 (de) * 2006-03-31 2007-10-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Modul und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Moduls
DE102007002003A1 (de) * 2007-01-08 2008-07-10 Johnson Controls Automotive Electronics Gmbh Anzeigeinstrument, insbesondere für ein Kraftfahrzeug und Verfahren zur Herstellung eines Anzeigeinstruments
DE102007057710A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement mit Konversionselement
US7528421B2 (en) 2003-05-05 2009-05-05 Lamina Lighting, Inc. Surface mountable light emitting diode assemblies packaged for high temperature operation
DE102008006988A1 (de) * 2008-01-31 2009-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102008026841A1 (de) * 2008-02-22 2009-08-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
DE102008020882A1 (de) * 2008-04-25 2009-10-29 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh Lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zur Bereitstellung einer lichtemittierenden Vorrichtung mit vordefinierten optischen Eigenschaften des emittierten Lichts
DE102008025756A1 (de) * 2008-05-29 2009-12-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiteranordnung
US7633093B2 (en) 2003-05-05 2009-12-15 Lighting Science Group Corporation Method of making optical light engines with elevated LEDs and resulting product
DE102008045882A1 (de) * 2008-09-04 2010-03-11 Esw Gmbh Explosionskörperattrappe
US7696690B2 (en) 2002-12-25 2010-04-13 Japan Science And Technolgoy Agency Short-wavelength light-emitting element arranged in a container with a window having a window board formed of a calcium fluoride crystals
US7709852B2 (en) 1996-09-20 2010-05-04 Osram Gmbh Wavelength-converting casting composition and light-emitting semiconductor component
DE102008057720A1 (de) * 2008-11-17 2010-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
US7777235B2 (en) 2003-05-05 2010-08-17 Lighting Science Group Corporation Light emitting diodes with improved light collimation
US7781961B2 (en) 2004-08-31 2010-08-24 Novaled Ag Top emitting, electroluminescent component with frequency conversion centres
DE10261908B4 (de) * 2002-12-27 2010-12-30 Osa Opto Light Gmbh Verfahren zur Herstellung eines konversionslichtemittierenden Elementes auf der Basis von Halbleiterlichtquellen
US7868340B2 (en) 2008-05-30 2011-01-11 Bridgelux, Inc. Method and apparatus for generating white light from solid state light emitting devices
US8039855B2 (en) * 2001-03-15 2011-10-18 Osram Gmbh Radiation-emitting optical component
EP2390927A1 (de) * 2010-05-24 2011-11-30 LG Innotek Co., Ltd. Licht emittierende Bauteilanordnung, Verfahren zur Herstellung der Licht emittierenden Bauteilanordnung und eingehaustes Licht emittierendes Bauteil
US8084766B2 (en) 2006-01-11 2011-12-27 Novaled Ag Organic optoelectronic component
DE102010026343A1 (de) * 2010-07-07 2012-03-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
DE102010047156A1 (de) * 2010-09-30 2012-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
EP2287925A3 (de) * 1998-01-30 2012-04-18 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Ausdehnungskompensiertes optoelektronisches Halbleiter-Bauelement, insbesondere UV-emittierende Leuchtdiode und Verfahren zu seiner Herstellung
US8207552B2 (en) 2002-06-26 2012-06-26 Lg Electronics Inc. Thin film light emitting diode
DE102011003969A1 (de) * 2011-02-11 2012-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102011001928A1 (de) * 2011-04-08 2012-10-11 Lumitech Produktion Und Entwicklung Gmbh Farbkonversionselement sowie Lampe
DE102011101052A1 (de) 2011-05-09 2012-11-15 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg Substrat mit elektrisch neutralem Bereich
DE102011078906A1 (de) * 2011-07-11 2013-01-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen halbleiterbauteils mittels spritzpressens
EP2400566B1 (de) * 2003-11-04 2014-02-26 Panasonic Corporation Licht emittierende Halbleitervorrichtung, Beleuchtungsmodul und Beleuchtungsvorrichtung
US9196800B2 (en) 1996-06-26 2015-11-24 Osram Gmbh Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element
EP1234140B2 (de) † 1999-11-18 2015-11-25 Philips Lighting North America Corporation Systeme und verfahren zur erzeugung und modulierung von beleuchtungsbedingungen
DE102014117764A1 (de) * 2014-12-03 2016-06-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102018121324A1 (de) * 2018-08-31 2020-03-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Sol-Gele als Bindemittel für die Herstellung von Konversionselementen
DE102020206897A1 (de) 2020-06-03 2021-12-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
DE10349038B4 (de) 2002-10-22 2022-02-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Lichtquelle mit einer LED und einem Lumineszenzkonversionskörper und Verfahren zum Herstellen des Lumineszenzkonversionskörpers

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6178789B2 (ja) * 2011-08-04 2017-08-09 フィリップス ライティング ホールディング ビー ヴィ 光コンバータ及び該光コンバータを有する照明ユニット
CN103511995B (zh) * 2012-06-29 2016-04-20 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管灯条
TWI626395B (zh) * 2013-06-11 2018-06-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置
JP6323650B2 (ja) * 2013-12-20 2018-05-16 セイコーエプソン株式会社 面発光レーザーおよび原子発振器
WO2016124312A1 (en) * 2015-02-04 2016-08-11 Merck Patent Gmbh Electro-optical switching element and display device
CN111312881A (zh) * 2020-02-27 2020-06-19 盐城东山精密制造有限公司 一种一体成型led器件及其制作方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2347289A1 (de) * 1972-09-25 1974-04-18 Gen Electric Festkoerperlampe fuer sichtbares-infrarot
DE3804293A1 (de) * 1988-02-12 1989-08-24 Philips Patentverwaltung Anordnung mit einer elektrolumineszenz- oder laserdiode
EP0486052A1 (de) * 1990-11-16 1992-05-20 Daido Tokushuko Kabushiki Kaisha Lichtemittierende Diode zur simultanen Ausstrahlung von Lichtern verschiedener Wellenlängen

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3316109A (en) * 1963-03-11 1967-04-25 Westinghouse Electric Corp Coating composition
US3440471A (en) * 1966-03-16 1969-04-22 Gen Telephone & Elect Electroluminescent cell matrix material of improved stability
JPS48102585A (de) * 1972-04-04 1973-12-22
US4599537A (en) * 1982-04-30 1986-07-08 Shigeaki Yamashita IR light emitting apparatus with visible detection means
US4479886A (en) * 1983-08-08 1984-10-30 Gte Products Corporation Method of making cerium activated yttrium aluminate phosphor
IT1183061B (it) * 1984-07-31 1987-10-05 Zambon Spa Composti dotati di attivita'antiallergica
DE9013615U1 (de) * 1990-09-28 1990-12-06 AEG Niederspannungstechnik GmbH & Co KG, 24534 Neumünster Elektrolumineszenz- oder Laserdiode
JP2666228B2 (ja) * 1991-10-30 1997-10-22 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JPH05152609A (ja) * 1991-11-25 1993-06-18 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
US5379186A (en) * 1993-07-06 1995-01-03 Motorola, Inc. Encapsulated electronic component having a heat diffusing layer
JPH0738150A (ja) * 1993-07-22 1995-02-07 Toshiba Corp 半導体発光装置
JPH0799345A (ja) * 1993-09-28 1995-04-11 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JPH07176794A (ja) * 1993-12-17 1995-07-14 Nichia Chem Ind Ltd 面状光源
CN2184257Y (zh) * 1994-02-21 1994-11-30 中国科学院半导体研究所 半导体光发射与探测耦合组件
JP3116727B2 (ja) * 1994-06-17 2000-12-11 日亜化学工業株式会社 面状光源
CN1108819A (zh) * 1994-10-26 1995-09-20 欧姆龙株式会社 半导体发光器件及使用半导体发光器件的光学装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2347289A1 (de) * 1972-09-25 1974-04-18 Gen Electric Festkoerperlampe fuer sichtbares-infrarot
DE3804293A1 (de) * 1988-02-12 1989-08-24 Philips Patentverwaltung Anordnung mit einer elektrolumineszenz- oder laserdiode
EP0486052A1 (de) * 1990-11-16 1992-05-20 Daido Tokushuko Kabushiki Kaisha Lichtemittierende Diode zur simultanen Ausstrahlung von Lichtern verschiedener Wellenlängen

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Proc. of the IEEE" 83 (1995) 1306-1355 *
"Siemens Forsch.- u. Entwickl.-Ber." Bd. 6 (1977, Nr. 3) S. 162 *

Cited By (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9196800B2 (en) 1996-06-26 2015-11-24 Osram Gmbh Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element
US8071996B2 (en) 1996-09-20 2011-12-06 Osram Gmbh Wavelength-converting casting composition and light-emitting semiconductor component
US7709852B2 (en) 1996-09-20 2010-05-04 Osram Gmbh Wavelength-converting casting composition and light-emitting semiconductor component
EP2287925A3 (de) * 1998-01-30 2012-04-18 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Ausdehnungskompensiertes optoelektronisches Halbleiter-Bauelement, insbesondere UV-emittierende Leuchtdiode und Verfahren zu seiner Herstellung
US7696590B2 (en) 1998-06-30 2010-04-13 Osram Gmbh Diode housing
US7105862B2 (en) 1998-06-30 2006-09-12 Osram Gmbh Diode housing
DE19829197C2 (de) * 1998-06-30 2002-06-20 Siemens Ag Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement
US7368329B2 (en) 1998-06-30 2008-05-06 Osram Gmbh Diode housing
DE19829197A1 (de) * 1998-06-30 2000-01-13 Siemens Ag Strahlungsaussendendes und/oder empfangendes Halbleiter-Bauelement
US7138301B2 (en) 1998-06-30 2006-11-21 Osram Gmbh Diode housing
DE19836943B9 (de) * 1998-08-17 2008-01-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Photolumineszenzschicht im optischen und angrenzenden Spektralbereichen
DE19836943A1 (de) * 1998-08-17 2000-04-13 Univ Dresden Tech Wellenlängen-Konversionsschicht im optischen und angrenzenden Spektralbereichen
DE19836943B4 (de) * 1998-08-17 2005-02-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Photolumineszenzschicht im optischen und angrenzenden Spektralbereichen
DE19836943B8 (de) * 1998-08-17 2007-10-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Photolumineszenzschicht im optischen und angrenzenden Spektralbereichen
US6590235B2 (en) 1998-11-06 2003-07-08 Lumileds Lighting, U.S., Llc High stability optical encapsulation and packaging for light-emitting diodes in the green, blue, and near UV range
DE19938053B4 (de) * 1998-11-06 2007-05-16 Lumileds Lighting Us Hochstabile optische Einkapselung und Packung für lichtemittierende Dioden
DE19934126A1 (de) * 1999-07-23 2001-01-25 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Leuchtstoff für Lichtquellen und zugehörige Lichtquelle
EP1234140B2 (de) † 1999-11-18 2015-11-25 Philips Lighting North America Corporation Systeme und verfahren zur erzeugung und modulierung von beleuchtungsbedingungen
EP1187228A1 (de) * 2000-02-09 2002-03-13 Nippon Leiz Corporation Lichtquelle
EP1187228A4 (de) * 2000-02-09 2007-03-07 Nippon Leiz Corp Lichtquelle
WO2001062868A1 (de) * 2000-02-23 2001-08-30 Technische Universität Dresden Photolumineszenzschicht in optischen und angrenzenden spektralbereichen
US7101626B1 (en) 2000-02-23 2006-09-05 Osram Gmbh Photo-luminescence layer in the optical spectral region and in adjacent spectral regions
DE10032453A1 (de) * 2000-07-04 2002-01-24 Vishay Semiconductor Gmbh Strahlung emittierendes Bauelement
DE10109349A1 (de) * 2001-02-27 2002-09-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
DE10109349B4 (de) * 2001-02-27 2012-04-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
US8039855B2 (en) * 2001-03-15 2011-10-18 Osram Gmbh Radiation-emitting optical component
US8288787B2 (en) 2002-06-26 2012-10-16 Lg Electronics, Inc. Thin film light emitting diode
US8384091B2 (en) 2002-06-26 2013-02-26 Lg Electronics Inc. Thin film light emitting diode
US8207552B2 (en) 2002-06-26 2012-06-26 Lg Electronics Inc. Thin film light emitting diode
US8445921B2 (en) 2002-06-26 2013-05-21 Lg Electronics, Inc. Thin film light emitting diode
US9281454B2 (en) 2002-06-26 2016-03-08 Lg Innotek Co., Ltd. Thin film light emitting diode
US9716213B2 (en) 2002-06-26 2017-07-25 Lg Innotek Co., Ltd. Thin film light emitting diode
US10326059B2 (en) 2002-06-26 2019-06-18 Lg Innotek Co., Ltd. Thin film light emitting diode
US10825962B2 (en) 2002-06-26 2020-11-03 Lg Innotek Co., Ltd. Thin film light emitting diode
DE10349038B4 (de) 2002-10-22 2022-02-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Lichtquelle mit einer LED und einem Lumineszenzkonversionskörper und Verfahren zum Herstellen des Lumineszenzkonversionskörpers
US7696690B2 (en) 2002-12-25 2010-04-13 Japan Science And Technolgoy Agency Short-wavelength light-emitting element arranged in a container with a window having a window board formed of a calcium fluoride crystals
DE10261908B4 (de) * 2002-12-27 2010-12-30 Osa Opto Light Gmbh Verfahren zur Herstellung eines konversionslichtemittierenden Elementes auf der Basis von Halbleiterlichtquellen
DE10305093A1 (de) * 2003-02-07 2004-08-19 BSH Bosch und Siemens Hausgeräte GmbH Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung und Überwachung von Verunreinigungszuständen unterschiedlicher Flüssigkeiten
US7777235B2 (en) 2003-05-05 2010-08-17 Lighting Science Group Corporation Light emitting diodes with improved light collimation
US7528421B2 (en) 2003-05-05 2009-05-05 Lamina Lighting, Inc. Surface mountable light emitting diode assemblies packaged for high temperature operation
US7633093B2 (en) 2003-05-05 2009-12-15 Lighting Science Group Corporation Method of making optical light engines with elevated LEDs and resulting product
EP2400566B1 (de) * 2003-11-04 2014-02-26 Panasonic Corporation Licht emittierende Halbleitervorrichtung, Beleuchtungsmodul und Beleuchtungsvorrichtung
US7157745B2 (en) 2004-04-09 2007-01-02 Blonder Greg E Illumination devices comprising white light emitting diodes and diode arrays and method and apparatus for making them
DE102005020695B4 (de) * 2004-04-30 2006-06-22 Optotransmitter-Umweltschutz-Technologie E.V. Vorrichtung zur Emission von Strahlung mit einstellbarer Spektraleigenschaft
US7781961B2 (en) 2004-08-31 2010-08-24 Novaled Ag Top emitting, electroluminescent component with frequency conversion centres
US8084766B2 (en) 2006-01-11 2011-12-27 Novaled Ag Organic optoelectronic component
DE102006015115A1 (de) * 2006-03-31 2007-10-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Modul und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Moduls
DE102007002003A1 (de) * 2007-01-08 2008-07-10 Johnson Controls Automotive Electronics Gmbh Anzeigeinstrument, insbesondere für ein Kraftfahrzeug und Verfahren zur Herstellung eines Anzeigeinstruments
DE102007002003B4 (de) * 2007-01-08 2013-11-21 Johnson Controls Automotive Electronics Gmbh Anzeigeinstrument, insbesondere für ein Kraftfahrzeug und Verfahren zur Herstellung eines Anzeigeinstruments
DE102007057710B4 (de) 2007-09-28 2024-03-14 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierendes Bauelement mit Konversionselement
DE102007057710A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement mit Konversionselement
US8686451B2 (en) 2008-01-31 2014-04-01 Osram Opto Semiconductor Gmbh Optical-electronic component and method for production thereof
DE102008006988A1 (de) * 2008-01-31 2009-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102008026841A1 (de) * 2008-02-22 2009-08-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
DE102008020882A1 (de) * 2008-04-25 2009-10-29 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh Lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zur Bereitstellung einer lichtemittierenden Vorrichtung mit vordefinierten optischen Eigenschaften des emittierten Lichts
DE102008025756B4 (de) 2008-05-29 2023-02-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiteranordnung
US8461616B2 (en) 2008-05-29 2013-06-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor arrangement
DE102008025756A1 (de) * 2008-05-29 2009-12-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiteranordnung
US7868340B2 (en) 2008-05-30 2011-01-11 Bridgelux, Inc. Method and apparatus for generating white light from solid state light emitting devices
US10263163B2 (en) 2008-05-30 2019-04-16 Bridgelux, Inc. Method and apparatus for generating white light from solid state light emitting devices
DE102008045882A1 (de) * 2008-09-04 2010-03-11 Esw Gmbh Explosionskörperattrappe
DE102008057720A1 (de) * 2008-11-17 2010-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
EP2390927A1 (de) * 2010-05-24 2011-11-30 LG Innotek Co., Ltd. Licht emittierende Bauteilanordnung, Verfahren zur Herstellung der Licht emittierenden Bauteilanordnung und eingehaustes Licht emittierendes Bauteil
US8362498B2 (en) 2010-05-24 2013-01-29 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device array, method for fabricating light emitting device array and light emitting device
DE102010026343A1 (de) * 2010-07-07 2012-03-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
DE102010047156A1 (de) * 2010-09-30 2012-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
US9018661B2 (en) 2011-02-11 2015-04-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
DE102011003969A1 (de) * 2011-02-11 2012-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102011003969B4 (de) 2011-02-11 2023-03-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102011001928A1 (de) * 2011-04-08 2012-10-11 Lumitech Produktion Und Entwicklung Gmbh Farbkonversionselement sowie Lampe
WO2012152364A1 (de) 2011-05-09 2012-11-15 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg Substrat mit elektrisch neutralem bereich
DE102011101052A1 (de) 2011-05-09 2012-11-15 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg Substrat mit elektrisch neutralem Bereich
DE102011078906A1 (de) * 2011-07-11 2013-01-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen halbleiterbauteils mittels spritzpressens
DE102014117764A1 (de) * 2014-12-03 2016-06-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102018121324A1 (de) * 2018-08-31 2020-03-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Sol-Gele als Bindemittel für die Herstellung von Konversionselementen
DE102020206897A1 (de) 2020-06-03 2021-12-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements

Also Published As

Publication number Publication date
CN1917240B (zh) 2012-05-23
CN1722485A (zh) 2006-01-18
CN1893136A (zh) 2007-01-10
CN1722486A (zh) 2006-01-18
CN100565945C (zh) 2009-12-02
CN1913183A (zh) 2007-02-14
CN100514684C (zh) 2009-07-15
CN100435369C (zh) 2008-11-19
CN1905226A (zh) 2007-01-31
CN100442555C (zh) 2008-12-10
CN1738067A (zh) 2006-02-22
CN100557833C (zh) 2009-11-04
CN100502066C (zh) 2009-06-17
CN1893136B (zh) 2014-03-12
CN1983651A (zh) 2007-06-20
CN100433382C (zh) 2008-11-12
CN1881637A (zh) 2006-12-20
CN1917240A (zh) 2007-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19625622A1 (de) Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
EP1439586B1 (de) Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE19638667C2 (de) Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE102008021572B4 (de) Festkörperlampe und Leuchte damit
DE102005046418B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterleuchtvorrichtung
DE102004052902B4 (de) Aufbau zur Unterbringung eines lichtemittierenden Elements, lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
WO2009079990A1 (de) Beleuchtungseinrichtung
DE10065381A1 (de) Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE102014110087A1 (de) Licht emittierendes Modul, Beleuchtungsvorrichtung und Beleuchtungsausstattung
WO2018146084A1 (de) Led-einheit
WO2009152908A2 (de) Leuchtchip und leuchtvorrichtung mit einem solchen
DE19655185B9 (de) Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE19655445B3 (de) Weißes Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionsschicht und Verwendung solcher Halbleiterbauelemente
DE112017001192B4 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102016114277A1 (de) Lichtemittierendes Bauteil
EP1898467A2 (de) Halbleiter-Leuchtmittel und Leuchtenpaneel mit solchen

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8131 Rejection