DE10065381A1 - Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement - Google Patents

Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement

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Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement (8). Dabei ist einem Halbleiterkörper (3) ein Reflektor (7) nachgeordnet, der mit einem Lumineszenzkonversionselement (8) beschichtet ist oder ein Lumineszenzkonversionselement (8) enthält. DOLLAR A Das Lumineszenzkonversionselement (8) wandelt einen Teil der von dem Halbleiterkörper (3) in Betrieb generierten Strahlung (6) in einem ersten Wellenlängenbereich in Strahlung (9) in einem zweiten Wellenlängenbereich um. Vorzugsweise sind Halbleiterkörper (3) und Lumineszenzkonversionselement (8) so aufeinander abgestimmt, daß mischfarbig weißes Licht emittiert wird.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Strahlungsemittierende Halbleiterbauelemente mit einem Lumi­ neszenzkonversionselement sind beispielsweise aus WO 97/50132 bekannt. Diese Anordnungen enthalten einen Halbleiterkörper, der im Betrieb Licht emittiert (Primärlicht), und ein Lumi­ neszenzkonversionselement, das einen Teil dieses Lichts in einen anderen Wellenlängenbereich konvertiert (Fluoreszenz­ licht). Der Farbeindruck des von einem solchen Halbleiterbau­ element emittierten Mischlichts ergibt sich durch additive Farbmischung von Primärlicht und Fluoreszenzlicht.
Das Lumineszenzkonversionselement kann in verschiedener Weise dem Halbleiterkörper nachgeordnet sein. In vielen Ausfüh­ rungsformen besteht das Lumineszenzkonversionselement aus Leuchtstoffen, die in einer den Halbleiterkörper umgebenden Vergußmasse eingebettet sind.
Zur Festlegung des Farborts des abgestrahlten Mischlichts ist eine genaue Anpassung des Lumineszenzkonversionselements, insbesondere dessen Konversionsgrad, an die Strahlungscharak­ teristik des Halbleiterkörpers erforderlich.
Da bei einer Vergußmasse mit eingebetteten Leuchtstoffen der Konversionsgrad von der Weglänge der einzelnen Strahlungsan­ teile in der Vergußmasse abhängt, muß bei der Herstellung die Vergußhöhe sehr genau eingestellt und laufend überwacht wer­ den. Andernfalls erzeugen die Bauelemente farblich inhomoge­ nes Mischlicht und weisen bezüglich des Farborts eine hohe Exemplarstreuung auf.
Insbesondere bei weißem Mischlicht ist präzise Einstellung der Vergußhöhe erforderlich, da sich bei Weißlicht Farbort­ schwankungen als Farbstiche sehr leicht bemerkbar machen und besonders unerwünscht sind.
Ein weiterer Nachteil von Vergußmassen mit darin dispergier­ ten Leuchtstoffen besteht in der Gefahr einer beschleunigten Alterung der Vergußmasse aufgrund der großen Zahl von Grenz­ flächen zwischen den Leuchtstoffpartikeln und der umhüllenden Vergußmasse.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement zu schaffen, das zur Erzeugung von Mischlicht mit einem mög­ lichst homogenen Farbeindruck geeignet ist und das zugleich technisch einfach herstellbar ist.
Diese Aufgabe wird durch ein Halbleiterbauelement nach Pa­ tentanspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Er­ findung sind Gegenstand der Unteransprüche 2 bis 25.
Erfindungsgemäß ist vorgesehen, einem strahlungsemittierenden Halbleiterkörper einen Reflektor zuzuordnen und diesen mit dem Lumineszenzkonversionselement zu beschichten. Alternativ oder zusätzlich kann das Lumineszenzkonversionsmaterial auch in den Reflektor eingebracht sein. Unter einer Beschichtung ist dabei die Aufbringung einer dünnen Schicht des Lumines­ zenzkonverionselements zu verstehen, wobei die Schichtdicke deutlich geringer ist als der Durchmesser des Reflektors. Diese Schicht ist daher zumindest teilweise dem Reflektor entsprechend geformt.
Das von dem Halbleiterkörper abgestrahlte Primärlicht wird von dem Reflektor reflektiert und dabei mittels des Lumines­ zenzkonversionselements teilweise in Fluoreszenzlicht umge­ wandelt. Mit Vorteil ist so der Farbort des abgestrahlten Mischlichts von einer gegebenenfalls aufgebrachten Vergußmasse und deren Abmessungen unabhängig. Folglich kann sogar auf einen Verguß ganz verzichtet werden. Ein zusätzlicher Vorteil der Erfindung besteht darin, daß durch Vermeidung von Beimengungen im Verguß der Verguß selbst alterungsbeständiger ist.
Bei vergossenen Bauelementen erfolgt die Beschichtung des Re­ flektors mit dem Lumineszenzkonversionselement vorzugsweise in einem eigenen Arbeitsschritt vor dem Vergießen. Damit ist mit Vorteil eine genaue Einstellung der Schichtdicke und die Ausb­ ildung einer homogenen Schicht möglich.
Bei einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung ist dem Halbleiterkörper in Abstrahlungsrichtung des Bauelements eine Deckschicht nachgeordnet, die für das Primärlicht nur teil­ weise durchlässig ist oder als Reflektor wirkt. Dadurch wird verhindert, daß ein zu großer Anteil des Primärlichts direkt, das heißt ohne Reflexion und dabei stattfindender Konversion an dem Reflektor abgestrahlt wird und so der Farbeindruck des abgestrahlten Mischlichts inhomogen ist. Vorzugsweise ist die Deckschicht auf dem Halbleiterkörper aufgebracht. Die Deck­ schicht kann dabei als metallische Reflektorschicht ausgebil­ det sein.
Alternativ kann die Deckschicht ebenfalls als Lumineszenzkon­ versionselement ausgeführt sein, so daß bei Transmission durch die Deckschicht ein Teil des Primärlichts in Fluores­ zenzlicht umgewandelt wird. Bevorzugt konvertiert das Deck­ schicht-Lumineszenzkonversionselement das eingestrahlte Pri­ märlicht in derselben Weise wie das auf dem Reflektor aufge­ brachte Lumineszenzkonversionselement. Weitergehend können für beide Lumineszenzkonversionselemente dieselben Materia­ lien, insbesondere dieselben Leuchtstoffe, verwendet werden.
Bei einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist der Halbleiterkörper in einem Gehäuse mit einem Basiselement und einer darauf befindlichen, den Halbleiterkörper umfassenden Wand angeordnet, wobei die Innenseite dieser Wand den Reflek­ tor bildet. Diese Weiterbildung erlaubt sehr kompakte, klein­ volumige Bauelemente. Bevorzugt sind dabei Wand und Basisele­ ment einstückig aus einem Werkstoff, beispielsweise einem Kunststoff, gebildet. Solche Gehäuse können kostengünstig mittels eines Spritzgußverfahrens hergestellt werden.
Bei einer weiter bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist in dem Gehäuse ein Leiterrahmen mit mindestens einem Chipanschlußbereich und mindestens einem Drahtanschlußbereich mit nach außen geführten Anschlüssen angeordnet. Der Halblei­ terkörper ist dabei auf dem Chipanschlußbereich befestigt und mittels einer Drahtverbindung mit dem Drahtanschlußbereich elektrisch leitend verbunden. Das Gehäuse kann in diesem Fall ebenfalls kostengünstig in einem Spritzgußverfahren, bei­ spielsweise durch Umspritzen des Leiterrahmens mit einer Preßmasse, hergestellt werden.
Vorzugsweise sind die externen Anschlüsse des Leiterrahmens an der Gehäuseaußenwand entlang und unter das Basiselement geführt, so daß ein kompaktes, oberflächenmontierbares Bau­ element geschaffen wird. Durch die kompakte Bauform ist eine dichte Aneinanderreihung von erfindungsgemäßen Bauelementen zur Ausbildung lichtstarker Beleuchtungseinheiten möglich.
Alternativ kann der Reflektor auch als Teil des Leiterrahmens in Form einer Vertiefung, in der der Halbleiterchip angeord­ net ist, ausgebildet sein. Vorzugsweise sind bei dieser Aus­ führungsform Halbleiterchip und Leiterrahmen von einer trans­ parenten Vergußmasse umgeben. Diese Ausführungsform eignet sich besonders für sogenannte Radial-LEDs.
Bei einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung liegt die von dem Halbleiterkörper emittierte Primärstrahlung im ultravioletten, blauen oder grünen Spektralbereich. Bevor­ zugt wird hierfür ein Halbleiterkörper auf GaN-Basis verwendet. Unter GaN-basierten Materialien sind dabei neben GaN selbst von GaN abgeleitete oder damit verwandte Materialien, insbesondere ternäre oder quaternäre Mischkristallsysteme wie AlGaN (Al1-xGaxN, 0 ≦ x ≦ 1), InGaN (In1-xGaxN, 0 ≦ x ≦ 1), InAlN (In1-xAlxN, 0 ≦ x ≦ 1) und AlInGaN (Al1-x-yInxGayN, 0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1) zu verstehen.
Mit Vorteil ist ein im blauen oder blaugrünen Spektralbereich emittierender Halbleiterkörper in Verbindung mit einem gelb­ orange-emittierenden Lumineszenzkonversionselement zur Erzeu­ gung von Weißlicht geeignet. Bevorzugt werden hierfür Halb­ leiterkörper mit einer Zentralwellenlänge zwischen 430 nm und 480 nm, besonders bevorzugt zwischen 450 nm und 470 nm, ver­ wendet, die beispielsweise auf der Basis von AlGaN oder InGaN gebildet sein können.
Unter der Zentralwellenlänge ist dabei die Wellenlänge zu verstehen, bei der das Spektrum der von dem Halbleiterkörper emittierten Strahlung ein Maximum aufweist. Vorzugsweise wer­ den Halbleiterkörper verwendet, deren Strahlungsspektrum im wesentlichen aus einer einzige Emissionslinie besteht, deren Zentralwellenlänge in dem genannten Wellenlängenbereich liegt. Weiter bevorzugt sind Halbleiterkörper, deren Emissi­ onsspektrum mehrere Maxima aufweist, wobei zumindest ein Ma­ ximum in den genannten Wellenlängenbereich fällt. Diese Wel­ lenlängenbereiche sind selbstverständlich nicht als Beschrän­ kung der Erfindung zu verstehen.
Eine vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung besteht darin, das Lumineszenzkonversionselement mit einem oder mehreren Leuchtstoffen zu bilden. Geeignet sind hierfür organische Leuchtstoffe wie Azo-, Anthrachinon-, Perinon- und Perylen­ farbstoffe wie beispielsweise die Farbstoffe BASF Lumogen 083, 240 und 300.
Bevorzugt werden als Leuchtstoff anorganische Phosphore wie mit Seltenen Erden, insbesondere Ce, dotierten Granate, Erdalkalisulfide, Thiogallate, Aluminate und Orthosilikate ver­ wendet. Effiziente Leuchtstoffe sind hierbei Verbindungen, die der Formel A3B5O12:M genügen (sofern sie nicht unter den üblichen Herstellungs- und Betriebsbedingungen instabil sind). Darin bezeichnet A mindesten ein Element der Gruppe Y, Lu, Sc, La, Gd, Tb und Sm, B mindestens ein Element der Gruppe Al, Ga und In und M mindestens ein Element der Gruppe Ce und Pr, vorzugsweise Ce. Als besonders effiziente Leucht­ stoffe haben sich die Verbindungen YAG:Ce (Y3Al5O12:Ce3+), TbYAG:Ce ((TbxY1-x)3Al5O12:Ce3+, 0 < x < 1) und GdYAG:Ce ((GdxY1- x)3Al5O12:Ce3+, 0 < x < 1) sowie daraus gebildete Mischkristalle erwiesen. Dabei kann Al zumindest teilweise durch Ga oder In ersetzt sein. Weiter geeignet sind die Verbindungen SrS:Ce3+,Na, SrS:Ce3+,Cl, SrS:CeCl3, CaS:Ce3+ und SrSe:Ce3+.
Bei einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung wird ein im gelben, gelbgrünen oder gelborangen Bereich emit­ tierender Leuchtstoff verwendet, der in Verbindung mit einem blau-emittierenden Halbleiterkörper eine Halbleiter-Weiß­ lichtquelle bildet. Besonders bevorzugt sind hierfür die Leuchtstoffe YAG:Ce und TbYAG:Ce bei einer Anregung zwischen 430 nm und 480 nm, insbesondere zwischen 450 nm und 470 nm. Bei geeignetem Abgleich von Leuchtstoff und Halbleiterkörper wird so eine rein weißes Mischlicht emittierende Lichtquelle geschaffen.
Vorzugsweise sind bei der Erfindung der Halbleiterchip und der Reflektor mit einem auf einem Reaktionsharz basierenden Verguß abgedeckt. Hierfür eignen sich insbesondere Epoxid­ harze, Silikonharze und Acrylharze wie zum Beispiel PMMA (Po­ lymethylmethacrylat) sowie Mischungen hiervon. Mit Vorteil ist die Überschichtung mit einem leuchtstofffreien Reaktions­ harz gegenüber dem Stand der Technik technisch deutlich ein­ facher, da die Dicke der Abdeckung die Abstrahlcharakteristik und den Farbeindruck nur unmaßgeblich beeinflußt, so daß da­ mit größere Toleranzen bei der Herstellung zulässig und die Anforderungen an die Vergußhöhenkontrolle vorteilhaft redu­ ziert sind.
Weitere Merkmale, Vorteile und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von drei Aus­ führungsbeispielen in Verbindung mit den Fig. 1 bis 3.
Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Schnittdarstellung eines ersten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Halb­ leiterbauelements,
Fig. 2 eine schematische Schnittdarstellung eines zweiten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Halb­ leiterbauelements und
Fig. 3 eine schematische Schnittdarstellung eines dritten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Halb­ leiterbauelements.
Als Gehäuse 1 dient dem in Fig. 1 dargestellten Ausführungs­ beispiel ein Duroplast-Spritzgußgehäuse. Das Gehäuse 1 ist wannenförmig gestaltet, wobei auf dem Wannengrund ein Leiter­ rahmen 2 in das Gehäuse 1 integriert ist. Dieser Leiterrahmen 2 weist einen Chipanschlußbereich auf, auf den der Halblei­ terkörper 3 aufgebracht ist. Vorzugsweise ist der Halbleiter­ körper 3 aufgelötet oder mit einem elektrisch leitfähigen Klebstoff aufgeklebt. Der Halbleiterkörper 3 wird umgeben von einer umlaufenden Gehäusewand 5, die integral mit dem Boden­ teil 4 des Gehäuses 1 verbunden ist.
Als Halbleiterkörper 3 wird ein Halbleiterchip mit einer ak­ tiven Schicht auf GaN-Basis verwendet, der Primärlicht 6 im blauen Spektralbereich mit einer Zentralwellenlänge von etwa 460 nm emittiert, wobei auch Halbleiterkörper mit einer kürzeren oder längeren Zentralwellenlänge verwendet werden kön­ nen.
Die Innenwand des Gehäuses 1 dient als Reflektor 7 für das emittierte Primärlicht 6. Dieser Reflektor 7 ist mit einem Lumineszenzkonversionselement 8 in Form einer dünnen Leucht­ stoffschicht bedeckt. Der eigentliche Leuchtstoff 13 besteht dabei aus YAG:Ce-Partikeln mit einer mittleren Korngröße d50 unter 5 µm, vorzugsweise zwischen 1 µm und 2 µm. Mit Vorteil ist die Korngröße des Leuchtstoffs bei der Erfindung nach oben hin nicht dadurch begrenzt, daß der Leuchtstoff in einer etwaigen Vergußmasse unerwünscht sedimentieren könnte.
Zur Beschichtung des Reflektors wird der Leuchtstoff 13 in einen Haftvermittler suspendiert und diese Suspension schichtartig auf den Reflektor 7 aufgebracht. Dies kann bei­ spielsweise in einem Druckverfahren oder einem Aufsprühver­ fahren erfolgen, wobei der Halbleiterchip vorzugsweise nach der Aufbringung der Konverterschicht montiert wird.
Als Haftvermittler können hierbei geeignete Lacksysteme oder Reaktionsharze wie beispielsweise Epoxidharze, Silikonharze, Acrylharze oder Mischungen dieser Harze verwendet werden. Auch Suspensionen auf Azetat-, Alkohol-, Ester- oder Wasser­ basis sind möglich.
Eine weitere Variante zur Beschichtung des Reflektors besteht darin, den Leuchtstoff 13 sowie gegebenenfalls einen Binder in ein übliches, flüchtiges Lösungsmittel wie zum Beispiel einen Alkohol, Tetrachlorkohlenstoff, Dimethylsulfoxid oder Toluol einzubringen und diese Mischung auf dem Reflektor zu verteilen. Nachdem sich das Lösungsmittel verflüchtigt hat, verbleibt im wesentlichen der Leuchtstoff 13 auf dem Reflek­ tor. Lösungsmittel auf Wasserbasis oder Kombinationen organi­ scher und anorganischer Lösungsmittel sind ebenfalls verwend­ bar.
Alternativ kann der Leuchtstoff je nach Konsistenz auch auf den Reflektor aufgestäubt, aufgesputtert, aufgedampft oder elektrostatisch aufgebracht werden.
Bei einer anderen Methode zur Aufbringung der Reflektor­ schicht wird der Leuchtstoff 13 in einer geeigneten Folie, beispielsweise einer Polymerfolie, verteilt, die dann auf den Reflektor aufgezogen wird. Mit Vorteil kann diese Alternative auch bei Reflektoroberflächen mit eingeschränkten Haftungsei­ genschaften für Leuchtstoffpartikel oder -suspensionen ange­ wandt werden.
Je nach Erforderlichkeit kann die Haftung des Lumineszenzkon­ versionselements 8 auf dem Reflektor 7 gegebenenfalls durch eine Wärmebehandlung gesteigert werden.
Bei der Reflexion an dem mit dem Lumineszenzkonversionsele­ ment 8 beschichteten Reflektor 7 wird ein Teil des Primär­ lichts 6 in Fluoreszenzlicht 9 umgewandelt (die gezeigten Strahlengänge dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht als Abstrahlcharakteristik zu verstehen).
Oberseitig, das heißt in Hauptabstrahlungsrichtung des Bau­ elements, ist der Halbleiterkörper 3 mit einer metallischen Reflektorschicht 10 versehen. Dies verhindert, daß ein maß­ geblicher Teil des Primärlichts 6 direkt und unkonvertiert das Bauelement verläßt. Hierdurch würden im Kernbereich der emittierten Strahlungskeule starke Farbfehler auftreten. Durch die Reflektorschicht 10 werden auch die zunächst nach oben emittierten Anteile der Primärstrahlung 6 auf den Re­ flektor 7 gerichtet und dort teilweise in Fluoreszenzlicht 9 konvertiert.
Der wannenförmige Innenbereich des Bauelements ist mit einer transparenten Vergußmasse 11 gefüllt. Als Vergußmaterial eig­ nen sich besonders Epoxidharz oder Silikon. Der Verguß des Bauelements erfolgt wie beschrieben vorzugsweise nach der Be­ schichtung des Reflektors.
Das in Fig. 2 gezeigte Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem vorigen Ausführungsbeispiel darin, daß die Leuchtstoffpartikel 13 in das Gehäusematerial suspendiert sind. Wiederum bildet die Innenseite der umlaufenden Gehäuse­ wand 5 den Reflektor 7. Dabei bewirken die oberflächennah verteilten Leuchtstoffpartikel 13 die Konversion des abge­ strahlten Primärlichts 6 in Fluoreszenzlicht 9. Dem Lumines­ zenzkonversionselement 8 entspricht in diesem Fall der innen­ flächennahe Bereich der den Reflektor 7 bildenden Gehäusewand 5. Ein Teil der Primärstrahlung 6 dringt in diesen oberflä­ chennahen Bereich ein und wird entsprechend in Fluoreszenz­ licht 9 konvertiert.
Der Halbleiterkörper 3 weist bei diesem Ausführungsbeispiel ein elektrisch isolierendes Substrat auf. Typischerweise trifft dies für GaN-basierende Halbleiter mit einem Saphir­ substrat zu. Auf der Chipoberseite sind zwei Kontaktflächen gebildet, die mit je einer Drahtverbindung mit dem Leiterrah­ men 2 elektrisch verbunden sind. Entspechend ist auch die Re­ flektorschicht 10 zweigeteilt.
Bei dem in Fig. 3 dargestellten Ausführungsbeispiel ist das erfindungsgemäße Halbleiterbaulelement in Form einer Radial- LED ausgebildet. Der Leiterrahmen 2 besteht aus zwei Teilen 2a, 2b, wobei ein Teil 2a einen wannenförmigen Chipträgerteil beinhaltet. Hierin ist der Halbleiterchip 3 angeordnet. Die Innenflächen der Chipträgerwanne bilden den Reflektor 7, der wiederum schichtartig mit dem Lumineszenzkonversionselement 8 bedeckt ist.
Auf dem Halbleiterkörper 3 ist eine Leuchtstoff enthaltende Lumineszenzkonversionschicht als Deckschicht 12 aufgebracht. Die Kontaktfläche des Halbleiterkörpers ist dabei von der Deckschicht freigehalten, um eine dauerhafte und elektrisch gut leitende Drahtverbindung zu dem anderen Teil 2b des Lei­ terrahmens zu ermöglichen. Die Konverterdeckschicht 12 wan­ delt einen Teil des nach oben abgestrahlten Primärlichts 6 in Fluoreszenzlicht um, so daß weitestgehend allseitig Misch­ licht abgestrahlt wird.
Diese Anordnung ist von einer transparenten Vergußmasse 11 aus Epoxidharz umhüllt. Die Form dieser Umhüllung ist keinen prinzipiellen Beschränkungen unterworfen. Beispielsweise kann die Umhüllung wie dargestellt in Hauptabstrahlungsrichtung zur Erzielung einer Linsenwirkung in Form einer Kuppel ausge­ bildet sein.
Die Erläuterung der Erfindung anhand der beschriebenen Aus­ führungsbeispiele ist selbstverständlich nicht als Beschrän­ kung der Erfindung zu verstehen. Insbesondere können die im Rahmen der verschiedenen Ausführungsbeispiele beschriebenen Halbleiterkörper auch bei den anderen gezeigten Bauformen verwendet werden. Ebenso umfaßt die Erfindung alle Bauformen, die sich aus Kombinationen der Merkmale der einzelnen Ausfüh­ rungsbeispiele ergeben.

Claims (25)

1. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper (3), der im Betrieb Strahlung (6) in einem ersten Wellenlängenbereich erzeugt, und einem Lumineszenzkon­ versionselement (8), das zumindest einen Teil der erzeugten Strahlung (6) in einen zweiten Wellenlängenbereich konver­ tiert, und einem Reflektor (7), dadurch gekennzeichnet, daß der Reflek­ tor (7) mit dem Lumineszenzkonversionselement (8) beschichtet oder/und das Lumineszenzkonversionselement (8) in den Reflek­ tor (7) eingebracht ist.
2. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach An­ spruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in Hauptabstrahlungsrichtung des Bauelements dem Halbleiter­ körper (3) eine Deckschicht (10) nachgeordnet ist, die für Strahlung (6) im ersten Wellenlängenbereich zumindest nur teilweise durchlässig ist oder für Strahlung (6) im ersten Wellenlängenbereich zumindest teilweise als Reflektor wirkt.
3. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach An­ spruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Deckschicht (10) auf den Halbleiterkörper (3) aufgebracht ist.
4. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach An­ spruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Deckschicht (10) als metallische Reflektorschicht gebil­ det ist.
5. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach An­ spruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Deckschicht (10) ein Lumineszenzkonversionselement ent­ hält.
6. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (3) in einem Gehäuse (1) mit einem Basiselement (4) und einer darauf angeordneten, den Halblei­ terkörper (3) umfassenden Wand (5) angebracht ist, wobei die Innenseite der Wand (5) den Reflektor (7) bildet.
7. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach An­ spruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Basiselement (4) und die Wand (5) einstückig ausgebildet sind.
8. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach An­ spruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse (1) aus Kunststoff besteht.
9. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse (1) oberflächenmontierbar ausgebildet ist.
10. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Basiselement (4) ein Leiterrahmen (2) mit mindestens einem Chipanschlußbereich und mit mindestens einem Drahtan­ schlußbereich angeordnet ist und der Halbleiterkörper (3) auf den Chipanschlußbereich aufgebracht und mit dem Drahtan­ schlußbereich elektrisch leitend verbunden ist.
11. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterbauelement einen Leiterrahmen (2) mit einer Vertiefung enthält, wobei der Halbleiterkörper (3) in der Vertiefung angeordnet ist und die Innenwände der Vertiefung zumindest einen Teil des Reflektors (7) bilden.
12. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (3) Halbleiterschichten auf GaN-Basis enthält.
13. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die von dem Halbleiterkörper (3) emittierte Strahlung im ul­ travioletten, blauen oder blaugrünen Spektralbereich liegt.
14. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Zentralwellenlänge der emittierten Strahlung (6) zwischen 430 nm und 470 nm liegt.
15. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß das Lumineszenzkonversionselement (8) mindestens einen Leuchtstoff enthält.
16. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach An­ spruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß das Lumineszenzkonversionselement (8) einen Haftvermittler enthält, in den der mindestens eine Leuchtstoff suspendiert ist.
17. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach An­ spruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, daß als Leuchtstoff organische Farbstoffe verwendet werden.
18. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 15 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß als Leuchtstoff anorganische Phosphore verwendet werden.
19. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach An­ spruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß der Leuchtstoff YAG:Ce, TbYAG:Ce, GdYaG:Ce oder hieraus ge­ bildete Mischkristalle enthält, wobei Al zumindest teilweise durch Ga oder In ersetzt sein kann.
20. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß der Leuchtstoff bei Anregung im blauen oder blaugrünen Spek­ tralbereich Licht im gelben oder orangen Spektralbereich emittiert.
21. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement einem der Ansprüche 15 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß der Leuchtstoff bei Anregung zwischen 430 nm und 480 nm Licht mit einer Zentralwellenlänge zwischen 550 nm und 600 nm emit­ tiert.
22. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 21, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Wellenlängenbereich so aufeinander abgestimmt sind, daß mischfarbig weißes Licht emittiert wird.
23. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 22, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper von einer Vergußmasse (11) umgeben ist.
24. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach An­ spruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß als Vergußmasse (11) ein Reaktionsharz verwendet wird.
25. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach An­ spruch 23 oder 24, dadurch gekennzeichnet, daß die Vergußmasse (11) Epoxidharz, Acrylharz, Silikonharz oder eine Mischung dieser Harze enthält.
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