DE1958175A1 - Elektronische Baugruppe - Google Patents

Elektronische Baugruppe

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DE1958175A1 DE19691958175 DE1958175A DE1958175A1 DE 1958175 A1 DE1958175 A1 DE 1958175A1 DE 19691958175 DE19691958175 DE 19691958175 DE 1958175 A DE1958175 A DE 1958175A DE 1958175 A1 DE1958175 A1 DE 1958175A1
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Description

DR. ING. E. HOFFMANN · DIPL. ING. W. ΕΙΊΧΕ · DR. RER. NAT. K. HOFFMANN
PATEIfTANWlLTE D-8000 MÜNCHEN 81 · ARABELLASTRASSE 4 - TELEFON (0811) 911087
NORTH AMERICAN ROCKWELL CORPORATION, El Segundo, Ca.A-St.A1.
Elektronische Baugruppe
Die vorliegende Erfindung betrifft eine elektronische Baugruppe mit einer Vielzahl von elektrischen Leitern, die mit einem elektronischen Halbleiterkreis verbunden sind, bestehend aus einem flachen Rahmen, von welchem sich eine Mehrzahl von elektrischen Leitern in Richtung der Mitte erstrecken, und einem im wesentl"' chen im Mittelpunkt des Rahmens angeordneten Gehäuse, das mit elektrischen Leitern versehen ist, welche von den an dem Rahmen befestigten Seiten bis zu einem innerhalb des Gehäuses angeordneten Halbleiterkreis führen.
Das kontinuierliche Wachstum der Elektronik sowohl im Hinblick auf Qualität als auch auf Quantität hat nennenswerte Veränderungen auf dem Gebiet der mikroelektronischen Baugruppen bewirkt. Hermetisch abgedichtete Baugruppen bestehen im wesentlichen aus im allgemeinen metallischen Leitern und entweder aus Glas oder Keramik bestehenden Isolierkörpern. Bei der Ab-
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dichtung von Glas gegenüber Metall treten immer irgendwelche Spannungen auf, unabhängig davon, wie gut auch die thermischen Ausdehnungskoeffizienten aneinander angeglichen werden. Wenn die gesamten austretenden Spannungen die Festigkeitswerte von Glas überschreiten, treten innerhalb des Glases Sprünge auf, so daß die elektronischen Baugruppen unbrauchbar werden. Mit zunehmenden Preisen für Halbleiterschaltkreise wird der Hersteller von elektronischen Baugruppen gezwungen, die Beanspruchbarkeit und die elektrische Zuverlässigkeit derselben zu erhöhen«
Sin anderer Paktor bei der Festlegung des Preises einer bestiminten Baugruppe wird, durch die Arbeit bestimmt, die für Bearbeitung und Prüfung der Baugruppen notwendig ist, bevor sie dem Kunden zugeschickt werden können. Zur Lösung der dabei auftretenden Probleme sind bereits verschiedene Vorschläge gemacht worden (siehe beispielsweise US-Patentschrift 3 271 625). Bei der Baugruppe entsprechend dieser Patentschrift wird ein Kovarrnetallblech gestanzt, wodurch sich eine Mehrzahl von parallelen Streifen ergibt, die in räumlicher Zuordnung zueinander mithilfe eines Rahmens gehalten werden, der sich um den gesamten umfang der Baugruppe erstreckt. Die parallelen,, nebeneinander angeordneten Streifen v/erden daraufhin in einem Isoliermaterial, beispielsweise Glas, eingebettet. Ein mittlerer Teil der parallelen Streifen wird weggeätzt, und ein Halbleiterelektronikkreis mit seinen Anschlußstellen mit den entsprechenden parallelen Streifen verbunden. Der elektronische Kreis wird dann mithilfe einer Abdeckungsglasseheibe abgedichtet. Der die einzelnen parallelen Streifen haltende äußere Rahmen wird dann weggeschnitten, worauf die Baugruppe elektrisch geprüft und zur Einfügung in ein größeres System bereitgemacht wird. Ein gewisser Nachteil einer derartigen Baugruppe besteht jedoch darin, daß die parallelen Elektroden mit einem gemeinsamen Rahmen verbunden
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BAD ORIGINAL
sind, der verhindert, daß die Baugruppe geprüft werden kann, bevor die Anschlußelektroden von dem Rahmen abgetrennt worden sind. Sobald die Anschlußelektroden jedoch von dem Rahmen abgetrennt sind, ist keine Halterung bzw. kein Schutz für die Anschlußelektroden mehr gegeben. Demzufolge ist es notwendig, für jede Baugruppe einen Traghalter vorzusehen, sobald die Abtrennung der Baugruppe von dem Rahmen vorgenommen wird. Die Kosten der Halterungsanordnung sind jedoch relativ hoch und, was noch wichtiger ist, zusätzliche Arbeitsschritte sind notwendig, um die Baugruppe innerhalb dieses Tragrahmens einzusetzen.
Demzufolge ist es Ziel der vorliegenden Erfindung, eine elektronische Baugruppe zu schaffen, die die oben genannten Nachteile nicht aufweist und die mit geringerer Anzahl von Arbeitsschritten hergestellt und geprüft v/erden kann.
Erfindungsgemäß wird dieses Ziel dadurch erreicht, daß der Rahmen mit zusätzlichen Ansätzen versehen ist, die auch nach dem Abtrennen der Leiter von dem Rahmen eine Verbindung mit dem Gehäuse ergeben.
Aufgrund einer derartigen Ausbildung besteht die Möglichkeit, zur Durchführung von elektrischen Prüfungen die Elektroden von dem Rahmen elektrisch abzutrennen, während die Baugruppe selbst weiterhin innerhalb, des äißeren Rahmens gehalten wird. Dadurch wird eine automatische Bearbeitung und Prüfung der Baugruppe während des ganzen Herstellungsprozesses erleichtert. Der während der ganzen Herstellung beibehaltene Rahmen ergibt zusätzlich Schutz für die parallelen Elektroden.
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•Ein weiterer Vorteil besteht darin, daß an dem äußeren Rahmen Fährungsmarkierungen angebracht werden können, die während des ganzen Herstellungsprozesses in unveränderlicher Zuordnung gegenüber der Baugruppe selbst verbleiben. Dadurch ergibt sich die Möglichkeit, äußerst genau positionierte Baugruppen herzustellen. Es ist hingegen einleuchtend, daß gemäß dem bisher bekannten Verfahren nach dem Abtrennen des äußeren Rahmens von der Baugruppe eine neue Führung gefunden werden muß, wobei jedoch Versetzungen gegenüber der-ursprünglichen Führung eintreten können.
fe Weitere Einzelheiten der Erfindung sollen im folgenden anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert und beschrieben werden, wobei auf die beigefügte Zeichnung Bezug genommen ist* Es, zeigen:
Fig. 1 eine Draufsicht, teilweise im Schnitt, einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung.
Fig. 2 eine Schnittansicht entlang der Linie 2-2 von Fig. 1.
Fig. 3 eine perspektivische Ansicht einer Mehrzahl von Rahmen,· die mit mikroelektronischen Kreisen verbunden sind.
Fig. 4a und 4b perspektivische Ansichten zweier Ausführungsbeispiele für die Abtrennung der elektrischen Leiter von dem Rahmen.
Fig. f>a ^nd 5b perspektivische Ansichten der vollkommen abgetrennten Baugruppe gemäß,Fig. 4a und 4b mit abgebogenen Leitungen vor dem Einfügen in einem Schaltkreis. ;
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Im folgenden soll auf Pig. 1 Bezug genommen werden, in welcher eine Elektrodenstruktur Io dargestellt ist, die aus einem geeigneten leitenden Materialj wegen seiner thermischen Ausdehnungseigensehaften vorzugsweise- Kovar, besteht. Das Kovarblech wird wie dargestellt ausgestanztj wodurch sich eine Mehrzahl von parallelen, im Abstand voneinander angeordneten Leitern 12 ergibt, die durch einen äußeren Rahmen Ik gehalten werden,welcher sich um den gesamten äußeren Umfang der elektronischen Baugruppe erstreckt. Zusätzlich sind seitlich an dem Rahmen Ik nach einwärts ragende Ansätze l6 vorgesehen., die im wesentlichen senkrecht zu den Leitern 12 verlaufen. Innerhalb des Rahmens Ik sind ferner Bohrungen 18 angeordnet, die eine Fixierung des Rahmens in bezug auf die später einzubauenden Schaltelemente ermöglichen. Eine zusätzliche Führungsbohrung
19 ergibt die Möglichkeit, daß die Baugruppe mit ursprünglicher Winkellage erneut eingesetzt werden kann, wenn dieselbe aus irgendwelchen Gründen während des Herstellungsprozesses herausgenommen werden muß. Es sei jedoch erwähnt, daß anstelle der Bohrungen 18, 19 verschiedene andere Führungselemente, beispielsweise Farben, Linien, Ansätze usw., vorgesehen werden können.
Innerhalb der Elektrodenanordnung Io ist ein aus elektrischem Isoliermaterial, vorzugsweise Keramik, bestehendes Plättchen
20 vorgesehen, in welchem eine kreisförmige Öffnung 21 angeordnet ist. Die Öffnung 21 kann beliebiger Form sein, Es hat sich jedoch, herausgestellt, daß eine kreisförmige ö.ffnung 21 bei weitem am günstigsten ist, da keine Ecken auftreten, durch welche die Beanspruchungen des Halbleitermaterials erhöht werden, was zu Undichtigkeiten und anderen Störungen der Bagruppe führen könnte. Auf einer Oberfläche des Plättchens 2o ist eine Mehrzahl von Dünnschichtleitern 22 angeordnet, die sich auf der einen Oberfläche des Plättchens 2o von der Umfangslinie der
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öffnung 21 bis zur äußeren Peripherie des Plättchens 2o erstrekken. Die Dünnschichtleiter 22 werden in bekannter Weise, beispielsweise durch Aufdampfen, aufgebracht. Gleichzeitig mit der Aufbringung der Dünnschichtleiter 22 werden zwei zusätzliche Leiterbereiche 23 aufgebracht, wodurch sich eine Verbindungsstelle mit den Ansätzen 16 ergibt. Die metallischen Bereiche 23 sind elektrisch von allen anderen leitenden Teilen des Plättchens 2o isoliert. Die Dünnschichtleiter 22 enden an der äußeren Oberfläche des Plättchens 2o in verbreiterten Leiterbereichen 24, wodurch das Befestigen an den parallelen Leitern 12 erleich■--tert wird. Auf den Dünnschichtleitern 22 des Plättchens 2o ist eine aus keramischem Material bestehende rechteckige Platte 26 aufgebracht und in geeigneter Weise befestigt. Die obere Oberfläche der Platte 26 weist einen metallischen Bereich 3o auf, der in Form eines Ringes un die innerhalb der Platte 26 vorhandene öffnung jj2 verläuft» Ein vorzugsweise aus Kovarmaterial bestehender Veröindungsring 27 ist auf dem metallischen Bereich 3o befestigt. Auf dem Plättehen 2o ist eine kreisförmige Scheibe 33 aus einem eine hohe thermische Leitfähigkeit aufweisenden Material, beispielsweise Kovar, befestigt, wodurch die Öffnung 21 abgedichtet wird, Sin mikroelektronischer Kreis 4o wird dann durch bekannte Verfahren in die öffnung 21 eingesetzt, wobei die elektrischen Anschlußleitungen 35 entlang der Peripherie der öffnung 21 mit den entsprechenden DunnschichtMtem 22 in Verbindung gelangen. Anschließend daran wird eine Kappe 37 unter Erzielung einer hermetischen Abdichtung auf dem Kovarring aufgebracht.
Im folgenden soll auf Fig. 3 Bezug genommen werden, in welcher zvd. elektronische Baugruppen Io dargestellt sind, die über ihre entsprechenden Hahmen 14 miteinander verbunden sind. Während
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der Herstellung können die dadurch, gebildeten Bänder 6 oder miteinander verbundene Rahmen 14 enthalten; es kann jedoch auch ein kontinuierliches Band mit einer Vielzahl von Rahmen 14 verwendet werden. In diesem Zustand wird die Baugruppe sowohl von den elektrischen Leitern 12 als auch von den Ansätzen l6 gehalten. Die Bohrungen 18, 19 können zu diesem Zeitpunkt ii einer geeigneten Halterung eingesetzt sein oder nicht.
Fig. 4a zeigt die Abtrennung der elektrischen Leiter 12 von dem Rahmen 14. Die Baugruppe wird dann einzig und allein durch die Ansätze l6 gehalten. Beim Abtrennen der elektrischen Leiter kann es ebenfalls wünschenswert sein, die einzelnen Elektrodenanordnungen Io voneinander zu trennen. Das elektrische Prüfen kann nun vorgenommen werden, indem automatische Maschinen verwendet werden, die entweder die" Oberoder Unterseite der elektrischen Leiter 12 berühren, wodurch der Zustand des mikroelektronischen.Kreises 4o festgestellt werden kann. Gemäß Fig. 4a können die elektrischen Leiter auf dieselbe Länge geschnitten werden, während gemäß Fig. 4b jeder zweite Leiter kürzer als die danebenliegenden Leiter geschnitten sind.
uJ Fig. 5a wird daraufhin die elektronische Baugruppe vollkommen von dem Rahmen l4 abgetrennt, wobei die gemäß Fig. 4a auf dieselbe Länge geschnittenen Leiter entlang einer Linie umgebogen werden, so daß eine Einfügung in einen Schaltkreis möglich ist.'Gemäß Fig. 5b werden die entsprechend Fig. 4b verschieden lang abgeschnittenen Leiter 12 derart gebogen, daß sich eine zweireihige Verbindung ergibt. In manchen Anwendungs fällen kann dies wünschenswert sein, damit einerseits ein größerer Abstand zwischen den Befestigungspunkten innerhalb des Schaltkreises auftritt, andererseits eine höhere Festigkeit der Befestigung erzielt wird,
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Aus dem Vorhergehenden kann man erkennen, daß die erfindungsgemäße elektronische Baugruppe sehr vielfältig verwendbar und zuverlässig ist, wobei die Herstellung praktisch ausschließlich mlthilfe von mechanischen Gerätschaften erfolgen kann. PUr die Zusendung zum Endverbraucher können die elektronischen Baugruppen mit dem Rahmen 14 versehen sein, der einen Schutz für die Leiter 12 ergibt. Die .elektronischen Baugruppen können mit ihren Rahmen 14 vollkommen elektrisch geprüft werden, worauf eine Abtrennung der Rahmen 14 mithilfe von angelernten Arbeitskräften erfolgen kann. Die abgewandelte Ausführungsform mit gestuften Längen der Leiter 12 ergibt eine sehr vielfach verwendbare Baugruppe. Die' flache Bauweise der Baugruppe erleichtert ihre Herstellbarkeit mittels Maschinen. Durch die Verwendung von temperaturstabilen Materialien, wie Keramik und Kovar, ergibt sich eine sehr störunanfällige Anordnung. Durch die zweite Isolierplatte 26, durch welche die Leiter, mit Ausnahme der Stellen, an welchen die mit dem mikroelektronischen Kreis 4o oder den Leitern 12 verbunden sind, abgedeckt werden, ergibt sich eine mechanisch sehr feste Anordnung *
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Claims (6)

  1. Patentansprüche
    \1·/ Elektronische Baugruppe mit einer Vielzahl von elektrischen Leitern, die mit einem elektronischen Halbleiterkreis verbunden sind, bestehend aus einem flachen Rahmen, von welchem sich eine Mehrzahl von elektrischen Leitern in Richtung der Mitte erstrecken, und einem im wesentlichen im Mittelpunkt des Rahmens angeordneten Gehäuse, das mit elektrischen Leitern versehen ist, welche von den an dem Rahmen befestigten Seiten bis zu einem innerhalb des Gehäuses angeordneten Halbleiterkreis führen, dadurch g e k e η n- zeichnet, daß der Rahmen mit zusätzlichen Ansätzen (l6) versehen ist, die auch nach dem Abtrennen der Leiter (12) von dem Rahmen (17) eine Verbindung mit dem Gehäuse (2o, 26, 27, 33, 37) ergeben.
  2. 2. Baugruppe nach Anspruch 1, dadurch g e k e η η zeichnet, daß die Ansätze (.16) senkrecht zu dem parallel zueinander verlaufenden Leitern (12) angeordnet sind.
  3. 3. Baugruppe nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge kennze i chne t, daß das Gehäuse aus folgenden Elementen besteht:
    a) einem flachen Plättthen (2o) mit einer darin angebrachten öffnung (21) und entlang der Oberfläche bis zu einer mittigen Öffnung (21) verlaufenden Dünnschichtleitern (22);
    b) einem zweiten rechteckigen isolierten Plättchen (26) mit ebenfalls einer darin angebrachten mittigen öffnung (32), welche größer als die innerhalb des Plättchens* (2o) angebrachte öffnung (21) ist und oberhalb derselben liegt, wo-
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    durch die Dünnschiehtleiter (22) mit Ausnahme der Peripherie entlang der öffnung (21) und der ersten äußeren Kanten des Plättchens (2o) abgedeckt sind;
    c) einem mit dem ersten Plättchen (2o) in Verbindung stehenden Verbindungsring (27) aus thermish leitfähigem Material zur Abdichtung der Öffnung (21);
    d) einem auf dem zweiten Plättchen (26) angeordneten metallischen Bereich (23); und
    e) einer auf dem metallischen Ring (33) aufgesetztekn Kappe (37) zur hermetischen Abdichtung der öffnung (32).
  4. 4. Baugruppe nach Anspruch 3j dadurch g e k e η η zeichnet, daß die öffnung (21) kreisförmig ist,
  5. 5· Baugruppe nach Anspruch 3 oder 4, dadurch ge kennzeichnet, daß die Isolierplättchen (21, 26) aus keramischem Material und der metallische Ring (33)j der Rahmen (l4) und die Kappe (37) aus Kovarmaterial bestehen.
  6. 6. Baugruppe nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Abtrennung des Rahmens (14) von dem Gehäuse die Leiter (12) stufenweise mit verschiedenen Längen abgeschnitten sind (Fig. 4b und 5b).
    009837/1240
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE2252830A1 (de) * 1971-10-30 1973-05-30 Nippon Electric Co Halbleiterbaugruppe und verfahren zu ihrer herstellung
DE2334427A1 (de) * 1972-07-10 1974-01-31 Amdahl Corp Baugruppe fuer ein lsi-plaettchen und herstellungsverfahren

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2252830A1 (de) * 1971-10-30 1973-05-30 Nippon Electric Co Halbleiterbaugruppe und verfahren zu ihrer herstellung
DE2334427A1 (de) * 1972-07-10 1974-01-31 Amdahl Corp Baugruppe fuer ein lsi-plaettchen und herstellungsverfahren

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