DE19549554C2 - Halbleitervorrichtung mit einer Doppelschicht-Verbindungsschicht - Google Patents

Halbleitervorrichtung mit einer Doppelschicht-Verbindungsschicht

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Abstract

Eine erste Leitungsschicht (15a) und eine zweite Leitungsschicht (15b) sind voneinander entfernt auf einer Oberfläche von einem Halbleitersubstrat (13) gebildet. Ein erstes Kontaktloch (10) zum Freilegen einer Oberfläche der ersten Leitungsschicht (15a) ist in einem Zwischenisolationsfilm (23) gebildet. Eine erste Verbindungsschicht (4) ist so in das erste Kontaktloch (10) eingebettet, daß sie in Kontakt mit der ersten Leitungsschicht (15a) ist. Die Position von der Oberfläche von der ersten Verbindungsschicht (4) ist dieselbe oder niedriger als die Oberfläche von dem Zwischenisolationsfilm (23). Die Oberfläche von der ersten Verbindungsschicht (4) ist mit einem Isolationsfilm (5) bedeckt. Ein zweites Kontaktloch (9) zum Freilegen einer Oberfläche der zweiten Leitungsschicht (15b) ist in dem Zwischenisolationsfilm (23) geschaffen. Eine zweite Leitungsschicht (6) ist mit der zweiten Leitungsschicht (15b) durch das zweite Kontaktloch (9) verbunden.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung nach dem Oberbegriff des Anspruches 1 oder 3.
In einer Halbleitervorrichtung mit einer Mehrschichtverbindungs­ struktur sind die Verbindungsschichten auf unterschiedlichen Isolationsschichten gebildet. Diese Verbindungen sind mit Leitungsschichten, die auf dem Halbleitersubstrat gebildet sind, durch Kontaktlöcher, die in den Isolationsschichten geschaffen sind, verbunden.
Fig. 15 ist eine Draufsicht, die ein Beispiel einer solchen Halbleitervorrichtung mit einer Mehrschichtverbindugsstruktur zeigt. Fig. 15 basiert auf der US 5 012 309, die den Oberbegriff des Anspruches 1 bzw. 3 bildet. Fig. 16 ist eine Querschnitts­ ansicht des bekannten dynamischen Direktzugriffsspeichers entlang der Linie A-A in Fig. 15.
Wie in diesen Figuren gezeigt, beinhaltet der dynamische wahl­ freie Zugriffspeicher (DRAM) ein Halbleitersubstrat 13. Ein Feldoxidfilm 12 zur elektrischen Isolierung eines aktiven Bereiches 11 von den anderen aktiven Bereichen ist in einer Hauptoberfläche von einem Halbleitersubstrat 13 geschaffen. Eine Gateelektrode 1 ist auf einem Halbleitersubstrat 13 mit einem Gateisolationsfilm 14 dazwischen geschaffen. Ein Paar von Source-/Drainschichten 15a, 15b sind in der Hauptoberfläche von dem Halbleitersubstrat 13 auf beiden Seiten von der Gateelektrode 1 geschaffen. Ein erster Zwischenisolationsfilm 2, der die Gateelektrode 1 bedeckt, ist auf dem Halbleitersubstrat 13 geschaffen. Ein erstes Kontaktloch 10 zum Freilegen einer Oberfläche von einer Source-/Drainschicht 15a ist in dem ersten Zwischenisolationsfilm 2 geschaffen. Eine vergrabene Bit- Verbindungsschicht 4 ist so auf dem ersten Zwischenisolationsfilm 2 bzw. Zwischenschichtisolationsfilm 2 geschaffen, daß sie elektrisch mit einer Source-/Drainschicht 15a durch das erste Kontaktloch 10 verbunden ist. Der obere Teil der vergrabenen Bit-Verbindungsschicht 4 erstreckt sich horizontal auf der Oberfläche von dem ersten Zwischenisolationsfilm 2. Ein zweiter Zwischenisolationsfilm 51, der die vergrabene Bit-Verbindungsschicht 4 bedeckt, ist auf dem ersten Zwischenisolationsfilm 2 geschaffen. Ein zweites Kontakt­ loch 9 zum Freilegen einer Oberfläche von der anderen Source- /Drainschicht 15b, das den ersten Zwischenisolationsfilm 2 und den zweiten Zwischenisolationsfilm 51 durchdringt, ist geschaf­ fen. Eine Speicherknotenverbindung 6 ist auf dem zweiten Zwischenisolationsfilm 51 so geschaffen, daß sie mit der anderen Source-/Drainschicht 15b durch das zweite Kontaktloch 9 verbunden ist. Ein Kondensatorisolationsfilm 16 bedeckt eine Oberfläche von der Speicherknotenverbindung 6. Eine Zellplattenelektrode 17 bedeckt die Oberfläche der Speicherknotenverbindung 6 mit einem Kondensatorisolationsfilm 16 dazwischen.
Ein Verfahren zur Herstellung des DRAM, der in Fig. 16 gezeigt ist, wird nun beschrieben.
Wie in Fig. 17 gezeigt, wird der Feldoxidfilm 12 zur Isolierung eines aktiven Bereiches 11 von den anderen aktiven Bereichen in der Hauptoberfläche von einem Halbleitersubstrat 13 gebildet. Eine Gateelektrode 1 wird auf einem Halbleitersubstrat 13 mit einem Gateisolationsfilm 14 dazwischen gebildet. Ein Paar von Source-/Drainschichten 15a, 15b werden in der Hauptoberfläche von dem Halbleitersubstrat 13 auf beiden Seiten von der Gate­ elektrode 1 durch die Mittel der Implantierung einer Dotierung gebildet. Ein erster Zwischenisolationsfilm 2 wird auf dem Halb­ leitersubstrat 13 so gebildet, daß er die Gateelektrode 1 be­ deckt.
Wie in Fig. 18 gezeigt, wird ein Photoresist 3 auf dem ersten Zwischenisolationsfilm 2 gebildet. Der Photoresist 3 ist so strukturiert, daß eine Öffnung 3a über einer Source- /Drainschicht 15a gebildet werden kann.
Wie in Fig. 18 und 19 gezeigt, wird der erste Zwischenisola­ tionsfilm 2 unter Verwendung des Photoresists 3 als Maske ge­ ätzt, und ein erstes Kontaktloch 10 zur Freilegung einer Ober­ fläche von einer Source-/Drainschicht 15a ist in einem ersten Zwischenisolationsfilm 2. Der Photoresist 3 wird entfernt.
Wie in Fig. 20 gezeigt, wird eine Leitungsschicht 18 zur Bildung einer vergrabenen Bit-Verbindung, die elektrisch mit einer Source-/Drainschicht 15a durch ein erstes Kontaktloch 10 verbun­ den wird, gebildet. Ein Photoresist 19 mit einer Form entspre­ chend zu der Form von der vergrabenen Bit-Verbindung wird auf der Leitungsschicht 18 gebildet.
Wie in Fig. 20 und 21 gezeigt, wird eine Leitungsschicht 18 un­ ter Verwendung des Photoresists 19 als Maske strukturiert, und eine vergrabene Bit-Verbindungsschicht 4 wird gebildet. Der Photoresist 19 wird entfernt. Wie in Fig. 22 gezeigt, wird ein zweiter Zwischenisolationsfilm 51, der die vergrabene Bit-Ver­ bindungsschicht 4 bedeckt, auf einem ersten Zwischenisolations­ film 2 gebildet. Ein positiver Photoresist 20 wird auf einem zweiten Zwischenisolationsfilm 51 gebildet. Eine Photomaske 21 wird auf einen Photoresist 20 plaziert. Die Photomaske 21 hat einen Bereich 21a zum Durchlassen von Licht in Richtung der an­ deren Source-/Drainschicht 15b. Unter Verwendung der Photomaske 21 wird das Licht 22 selektiv auf den Photoresist 20 gerichtet. Wie in Fig. 23 gezeigt, wird der Teil des Resist 20, der mit Licht belichtet wurde, durch die Mittel der Entwicklung ent­ fernt.
Wie in Fig. 23 und 24 gezeigt, wird unter der Verwendung des Photoresists 20 als Maske ein zweiter Zwischenisolationsfilm 51 und ein erster Zwischenisolationsfilm 2 geätzt, und ein zweites Kontaktloch 9 zum Freilegen einer Oberfläche von der anderen Source-/Drainschicht 15b wird gebildet. Der Photoresist 20 wird dann entfernt.
Wie in Fig. 25 gezeigt, wird die Speicherknotenverbindung 6 auf dem zweiten Zwischenisolationsfilm 51 so gebildet, daß sie mit der anderen Source-/Drainschicht 15b durch das zweite Kontakt­ loch 9 verbunden ist. Eine Oberfläche von der Speicherknotenver­ bindung 6 wird mit dem Kondensatorisolationsfilm 16 bedeckt. Das Bedecken der Speicherknotenverbindung 6 mit einer Zellplatten­ elektrode 17 mit einem Kondensatorisolationsfilm 16 dazwischen vervollständigt das der Anwenderin bekannte DRAM.
Die so hergestellten, der Anmelderin bekannten Halbleitervor­ richtungen mit Mehrschichtverbindungsstruktur sind mit den fol­ genden Nachteilen verbunden.
Genauer, wie im Vergleich von Fig. 22 und 26 gezeigt, wird es ein Problem geben, wenn eine fehlerhafte Überdeckung der Photo­ maske 21 während der Bildung eines zweiten Kontaktloches auf­ tritt.
Fehlerhafte Überdeckung bzw. Fehlausrichtung der Photomaske 21 bildet eine im Photoresist 20 verschobene Öffnung. Ätzen eines ersten Zwischenisolationsfilms 2 und eines zweiten Zwischenisolationsfilms 51 zur Bildung eines zweiten Kontaktlo­ ches 9 in diesem Zustand, legt einen Teil von der Oberfläche von einer Gateelektrode 1 und einen Teil von der Oberfläche von ei­ ner vergrabenen Bit-Verbindungsschicht 4 frei, und entfernt teilweise einen Feldoxidfilm 12. Wie in Fig. 27 und 28 gezeigt, kann, wenn das zweite Kontaktloch 9 verschoben von der geplanten Stelle gebildet ist, und die Speicherknotenverbindung 6 mit der anderen Source-/Drainschicht 15b verbunden ist, die Speicherknotenverbindung 6 elektrisch mit der Gateelektrode 1 und auch der vergrabenen Bit-Verbindungsschicht 4 verbunden sein, oder der Feldoxidfilm 12 ist teilweise entfernt, was zu einem Leckstrom führt. Die Zuverlässigkeit von dem DRAM nimmt somit ab. Deshalb verlangt das beschriebene Verfahren streng eine hohe Überdeckungsgenauigkeit.
Wie in Fig. 16 gezeigt, sind, da sich die vergrabene Bit-Verbin­ dungsschicht 4 auf dem ersten Zwischenisolationsfilm 2 er­ streckt, gestufte Bereiche gebildet, die die nachfolgenden Strukturierungen der Verbindungen schwierig machen.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Halbleitervor­ richtung zur Verfügung zu stellen, die die Reduzierung von der Dicke der Zwischenisolationsfilme und damit die Reduzierung der gestuften Bereiche in der Vorrichtung und eine Verbesserung des Kontaktes zwischen einer Verbindungsschicht und einer Leitungs­ schicht in einem Kontaktloch erlaubt.
Die Aufgabe wird durch die Halbleitervorrichtung des Anspruches 1 oder 3 gelöst.
Bei der Halbleitervorrichtung des Anspruches 1 ist die Position von der Oberfläche von der ersten Verbindungsschicht dieselbe wie die Oberfläche von dem Zwischenisolationsfilm oder niedriger und daher sind die gestuften Bereiche in der Vorrichtung reduziert.
Bei der Halbleitervorrichtung des Anspruches 3 ist die Position von der Oberfläche von der vergrabenen Bit-Verbindungsschicht dieselbe wie die Position von der Oberfläche von dem Zwischen­ isolationsfilm oder niedriger, wobei gestufte Bereiche in der Vorrichtung reduziert werden können.
Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen ange­ geben.
Es folgt die Beschreibung von Ausführungsformen anhand der Figuren.
Von den Figuren zeigen:
Fig. 1 eine Querschnittsansicht eines DRAM entsprechend der ersten Ausführungsform;
Fig. 2 bis 13 Querschnittsansichten von dem ersten bis zwölften Schritt in der Reihenfolge von einem Verfahren zur Herstellung des DRAM entsprechend der ersten Ausführungsform;
Fig. 14 eine Querschnittsansicht einer Halbleitervorrich­ tung entsprechend zu der zweiten Ausführungsform;
Fig. 15 eine Draufsicht eines der Anwenderin bekannten DRAMs;
Fig. 16 eine Querschnittsansicht entlang der Linie A-A in Fig. 15;
Fig. 17 bis 24 Querschnittansichten des ersten bis achten Schrit­ tes in der Reihenfolge von einem Verfahren zur Herstellung eines der Anmelderin bekannten DRAMs;
Fig. 25 eine erste Ansicht, um ein Problem, das mit einem Verfahren zur Herstellung eines der Anmelderin bekannten DRAMs verbunden ist, zu illustrieren;
Fig. 26 eine zweite Ansicht, um ein Problem, das mit einem Verfahren zur Herstellung des der Anwenderin be­ kannten DRAMs verbunden ist, zu illustrieren;
Fig. 27 eine dritte Ansicht, um ein Problem, das mit dem Verfahren zur Herstellung des der Anmelderin be­ kannten DRAMs verbunden ist, zu illustrieren; und
Fig. 28 eine Ansicht mit der Struktur in Fig. 27 mit den Zwischenschichten.
Es werden nun Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung be­ schrieben.
Ausführungsform 1
Fig. 1 ist eine Querschnittsansicht, die einen DRAM entsprechend zu der ersten Ausführungsform zeigt. Wie in Fig. 1 gezeigt, be­ inhaltet der DRAM entsprechend zu der ersten Ausführungsform ein Halbleitersubstrat 13. Ein Feldoxidfilm 12 zur Isolierung eines aktiven Bereiches 11 von den anderen aktiven Bereichen ist in einer Oberfläche von einem Halbleitersubstrat 13 geschaffen.
Eine Gateelektrode 1 ist auf dem Halbleitersubstrat 13 mit einem Gateisolationsfilm 14 dazwischen gebildet. Leitungsschichten, ein Paar von Source-/Drainschichten 15a, 15b sind in der Ober­ fläche von dem Halbleitersubstrat 13 auf beiden Seiten von der Gateelektrode 1 geschaffen. Ein Zwischenisolationsfilm 23, der die Gateelektrode 1 bedeckt, ist auf dem Halbleitersubstrat 13 geschaffen. Ein Kontaktloch 10 zum Freilegen einer Oberfläche von einer Source-/Drainschicht 15a ist in einem Zwischenisola­ tionsfilm 23 geschaffen. Eine vergrabene Bit-Verbindungs­ schicht 4 ist in ein erstes Kontaktloch 10 eingebettet, um in Kontakt mit einer Source-/Drainschicht 15a zu sein. Die Position von der Oberfläche von der vergrabenen Bit-Verbindungsschicht 4 ist dieselbe wie die Oberfläche von dem Zwischenisolations­ film 23. Die Position von der Oberfläche von der vergrabenen Bit-Verbindungsschicht 4 kann niedriger sein als die Oberfläche des Zwischenisolationsfilms 23.
Die vergrabene Bit-Verbindungsschicht 4 ist aus einem TiN- Film 8, der geschaffen ist, um die Seitenwandoberfläche und die Bodenoberfläche von dem ersten Kontaktloch 10 zu bedecken, und aus einem Polysiliziumfilm oder Wolframsilizidfilm 38, der auf dem TiN-Film 8 geschaffen ist, gebildet.
Die vergrabene Bit-Verbindungsschicht 4 weist eine Oberfläche, die mit einem Isolationsfilm 5 bedeckt ist, auf. Die Dicke des Isolationsfilms 5 ist mindestens 0,05 µm. Bei einer Dicke von 0,05 µm oder kleiner kann eine ausreichende elektrische Isolie­ rung nicht erreicht werden. Ein zweites Kontaktloch 9 zum Frei­ legen einer Oberfläche von der anderen Source-/Drainschicht 15b ist in dem Zwischenisolationsfilm 23 geschaffen. Eine Speicher­ knoten-verbindung 6 ist auf dem Zwischenisolationsfilm 23 so ge­ schaffen, daß sie mit der anderen Source-/Drainschicht 15b durch das zweite Kontaktloch 9 verbunden ist. Ein Kondensatorisolati­ onsfilm 16 bedeckt eine Oberfläche von der Speicherknotenver­ bindung 6. Eine Zellplattenelektrode 17 ist auf dem Halbleiter­ substrat 13 geschaffen, um die Speicherknotenverbindung 6 mit dem Kondensatorisolationsfilm 16 dazwischen zu bedecken.
In dem DRAM entsprechend zu der ersten Ausführungsform sind die gestuften Bereiche, da die Position von der Oberfläche von der vergrabenen Bit-Verbindungsschicht 4 dieselbe ist oder niedriger als die Position von der Oberfläche des Zwischenisolationsfilms 23, in der Vorrichtung verringert.
Ein Verfahren zur Herstellung des DRAMs, wie in Fig. 1 gezeigt, wird nun beschrieben.
Wie in Fig. 2 gezeigt, wird ein Feldoxidfilm 12 zur Isolierung des aktiven Bereiches 11 von den anderen aktiven Bereichen auf der Oberfläche von dem Halbleitersubstrat 13 gebildet. Eine Ga­ teelektrode 1 wird auf dem Halbleitersubstrat 13 mit einem Gate­ isolationsfilm 14 dazwischen gebildet. Ein Paar von Source- /Drainschichten 15a, 15b werden in der Oberfläche von dem Halb­ leitersubstrat 13 auf beiden Seiten von der Gateelektrode 1 ge­ bildet. Ein Zwischenisolationsfilm 23, der die Gateelektrode 1 bedeckt, wird auf dem Halbleitersubstrat 13 gebildet.
Wie in Fig. 3 gezeigt, wird ein Photoresist 24 auf dem Zwischen­ isolationsfilm 23 gebildet. Öffnungen 9a, 10a werden in dem Pho­ toresist 24 über einer Source-/Drainschicht 15a und über der an­ deren Source-/Drainschicht 15b gebildet.
Wie in Fig. 3 und 4 gezeigt, wird unter Verwendung des Photore­ sists 24 als Maske ein Zwischenisolationsfilm 23 geätzt, um gleichzeitig ein erstes Kontaktloch 10 zum Freilegen einer Ober­ fläche von einer Source-/Drainschicht 15a und ein zweites Kon­ taktloch 9 zum Freilegen einer Oberfläche von der anderen Source-/Drainschicht 15b zu bilden. Der Resist 24 wird dann ent­ fernt.
Wie in Fig. 5 gezeigt, wird ein Isolationsfilm mit einer höheren Ätzrate als der Zwischenisolationsfilm 23, wie z. B. ein schleu­ derbeschichtbarer Beschichtungsoxidfilm (Spin-on-Glas) 7, auf dem Halbleitersubstrat 13 gebildet, um das erste Kontaktloch 10 und das zweite Kontaktloch 9 zu füllen. Dann wird der Isola­ tionsfilm 7 zurückgeätzt bis die Position von der Oberfläche von dem Isolationsfilm 7 niedriger ist, als die Position von der Oberfläche des Zwischenisolationsfilms 23.
Wie in Fig. 6 gezeigt, wird ein Photoresist 25 auf dem Zwischen­ isolationsfilm 23 gebildet. Der Bereich des Photoresists 25 über dem ersten Kontaktloch 10 wird strukturiert, um eine Öffnung 25a zu bilden.
Wie in Fig. 6 und 7 gezeigt, wird unter Verwendung des Photore­ sists 25 als Maske ein Isolationsfilm 7 mittels anisotropen oder isotropen Ätzens oder beidem weggeätzt.
Wie in Fig. 8 gezeigt, wird TiN mittels Kollimationssputtern ge­ sputtert, um einen TiN-Film 8 auf dem Zwischenisolationsfilm 23 so zu bilden, daß er die Seitenwandoberfläche und die Bodenober­ fläche von dem ersten Kontaktloch 10 bedeckt. Dann wird ein Po­ lysiliziumfilm oder Wolframsilizidfilm 48 auf dem TiN-Film 8 mittels chemischen Abscheidens aus der Gasphase so gebildet, daß er das erste Kontaktloch 10 füllt.
Wie in Fig. 8 und 9 gezeigt, werden der Polysiliziumfilm oder der Wolframsilizidfilm 48 und der TiN-Film 8 zurückgeätzt oder geschliffen durch chemische/mechanische Schleifverfahren, und eine vergrabene Bit-Verbindungsschicht 4, die in das erste Kon­ taktloch 10 eingebettet ist, wird gebildet. Das Zurückätzen oder Schleifen durch chemische/mechanische Schleifverfahren oder ähn­ lichem wird unter solchen Bedingungen durchgeführt, daß die Po­ sition von der Oberfläche der vergrabenen Bit-Verbindungsschicht 4 dieselbe ist, wie die Oberfläche von dem Zwischenisolations­ film 23 oder niedriger.
Wie in Fig. 10 gezeigt, wird ein zweiter Isolationsfilm 27 auf dem Halbleitersubstrat so gebildet, daß er in Kontakt mit der Oberfläche von der vergrabenen Verbindungsschicht 4 ist.
Wie in Fig. 11 gezeigt, wird ein Resist 28 auf einem zweiten Isolationsfilm 27 nur über der vergrabenen Bit-Verbindungs­ schicht 4 gebildet. Wie in Fig. 11 und 12 gezeigt, wird ein zweiter Isolationsfilm 27 unter Verwendung des Resists 28 als Maske strukturiert, und der Isolationsfilm 7 wird entfernt. Die Ätzrate des Isolationsfilms 7 ist höher als die von dem Isola­ tionsfilm 23, und daher wird der Zwischenisolationsfilm 23 nicht gleichzeitig geätzt. Die Entfernung des Isolationsfilms 7 legt eine Oberfläche von dem anderen Source-/Drainbereich 15b frei.
Wie in Fig. 13 gezeigt, wird ein Polysiliziumfilm auf einem Halbleitersubstrat so gebildet, daß er das zweite Kontaktloch 9 füllt, und der Polysiliziumfilm wird strukturiert, um eine Spei­ cherknotenverbindung 6 zu bilden. Dann wird die Oberfläche von der Speicherknotenverbindung 6 mit einem Kondensatorisolations­ film 16 bedeckt. Bilden der Zellplattenelektrode 17 über der Speicherknotenverbindung 6 mit dem Kondensatorisolationsfilm 16 dazwischen stellt den DRAM fertig.
In dieser Ausführungsform, wie in Fig. 3 und 4 gezeigt, werden die Öffnung 10a zur Bildung des ersten Kontaktloches 10 und die Öffnung 9a zur Bildung des zweiten Kontaktloches in dem Resist­ film 24 gleichzeitig gebildet, und daher werden das erste Kon­ taktloch und das zweite Kontaktloch nicht von ihren ursprünglich geplanten Positionen verschoben sein. Ein Schritt der Überdec­ kung einer Photomaske auf einem Resist ist reduziert, und die gesamte Überdeckungsgenauigkeit ist verbessert, im Vergleich zu dem der Anmelderin bekannten Verfahren. Als ein Ergebnis ist der Spielraum in der Mikrolithographie erhöht. Wie in Fig. 4 ge­ zeigt, muß nur ein einzelner Zwischenisolationsfilm gebildet werden, da das erste Kontaktloch 10 und das zweite Kontaktloch 9 gleichzeitig gebildet werden. Entsprechend kann die Dicke der gesamten Zwischenisolationsfilme im Vergleich zu den der Anmel­ derin bekannten Fällen reduziert werden, und damit können die gestuften Bereiche in der Vorrichtung reduziert werden.
Ausführungsform 2
In der Ausführungsform 1 ist der DRAM als Beispiel beschrieben, aber die Erfindung ist nicht auf solche Vorrichtungen be­ schränkt, und ist anwendbar auf einen Bipolartransistor, wie in Fig. 14 gezeigt.
Wie in Fig. 1 und 14 im Vergleich gezeigt, entspricht eine Spei­ cherknotenverbindung 6 einer Kollektorelektrode, entspricht eine vergrabene Bit-Verbindungsschicht 4 einer Basiselektrode 30, und die andere Speicherverbindung 6 entspricht einer Emitterelek­ trode 31. Anwendung von der vorliegenden Erfindung auf einen solchen Bipolartransistor kann die Dicke von dem Zwischenisola­ tionsfilm und daher die gestuften Bereiche in der Vorrichtung reduzieren.
Der Bipolartransistor, wie in Fig. 14 gezeigt, kann entsprechend zu dem Verfahren, das in Fig. 2 bis 13 gezeigt ist, gebildet werden. Als ein Ergebnis kann die gesamte Überdeckungsgenauig­ keit im Vergleich zu dem der Anmelderin bekannten Verfahren ver­ bessert werden, da ein Kontaktloch 29a zur Bildung einer Kollek­ torelektrode 29, ein Kontaktloch 30a zur Bildung einer Basis­ elektrode 30 und ein Kontaktloch 31a zur Bildung einer Emitter­ elektrode 31 gleichzeitig gebildet sind.
Wie in dem Vorhergehenden ist in der Halbleitervorrichtung ent­ sprechend zu dem ersten Aspekt von der Erfindung die Position von der Oberfläche von der ersten Verbindungsschicht dieselbe oder niedriger, wie die Oberfläche von dem Zwischenisolations­ film, und daher können die gestuften Bereiche in der Vorrichtung reduziert werden.
In der Halbleitervorrichtung entsprechend zu dem zweiten Aspekt von der Erfindung ist die Position von der Oberfläche von der vergrabenen Bit-Verbindungsschicht dieselbe oder niedriger, wie die Oberfläche von dem Zwischenisolationsfilm, und daher wird ein DRAM mit reduzierten gestuften Bereichen erhalten.
Durch das Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung entsprechend zu dem dritten Aspekt von der Erfindung sind das erste Kontaktloch zum Freilegen der Oberfläche von der ersten Leitungsschicht und das zweite Kontaktloch zum Freilegen der Oberfläche von der zweiten Leitungsschicht gleichzeitig gebil­ det, und daher werden die Positionen von dem ersten Kontaktloch und dem zweiten Kontaktloch nicht verschoben sein. Zusätzlich ist ein Schritt der Überdeckung einer Photomaske auf einem Resist reduziert, und daher kann die gesamte Überdeckungsgenauig­ keit verbessert werden, im Vergleich zu den der Anmelderin be­ kannten Methoden. Als ein Ergebnis kann der Spielraum in einer Mikrolithographie erhöht werden.

Claims (4)

1. Halbleitervorrichtung mit
einem Halbleitersubstrat (13),
einer ersten Leitungsschicht (15a) und einer zweiten Leitungs­ schicht (15b), die voneinander entfernt in einer Oberfläche des Halbleitersubstrats (13) gebildet sind,
einem Zwischenisolationsfilm (23), der auf dem Halbleitersub­ strat (13) gebildet ist,
einem ersten Kontaktloch (10) zum Freilegen einer Oberfläche der ersten Leitungsschicht (15a), das in dem Zwischenisolationsfilm (23) gebildet ist,
einer ersten Verbindungsschicht (4), die das erste Kontaktloch (10) so füllt, daß sie in Kontakt mit der ersten Leitungsschicht (15a) ist,
wobei die Position der Oberfläche der ersten Verbindungsschicht (4) dieselbe oder niedriger als die Oberfläche des Zwischeniso­ lationsfilms (23) ist,
einem Isolationsfilm (5), der die Oberfläche der ersten Ver­ bindungsschicht (4) bedeckt,
einem zweiten Kontaktloch (9), das in dem Zwischenisolationsfilm (23) zum Freilegen einer Oberfläche der zweiten Leitungsschicht (15b) gebildet ist, und
einer zweiten Verbindungsschicht (6), die so auf dem Zwischen­ isolationsfilm (23) gebildet ist, daß sie in Kontakt mit der zweiten Leitungsschicht (15b) durch das zweite Kontaktloch (9) ist,
dadurch gekennzeichnet, daß
die erste Verbindungsschicht (4) ein Doppelschichtfilm ist, der aus einem unterliegenden Leitungsfilm (8), der so vorgesehen ist, daß eine Seitenwandoberfläche und eine Bodenoberfläche des ersten Kontaktloches (10) bedeckt sind,
und aus einem vergrabenen Leitungsfilm (38), der auf dem Lei­ tungsfilm (8) vorgesehen ist, besteht.
2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß die Dicke des Isolationsfilms (5) mindestens 0,05 µm ist.
3. Halbleitervorrichtung mit
einem Halbleitersubstrat (13),
einer Gateelektrode (1), die auf dem Halbleitersubstrat (13) ge­ bildet ist,
einem Paar von Source-/Drainschichten (15a, 15b), die in einer Oberfläche des Halbleitersubstrats (13) auf beiden Seiten der Gateelektrode (1) vorgesehen sind,
einem auf dem Halbleitersubstrat (13) geschaffenen Zwischeniso­ lationsfilm (23), der die Gateelektrode (1) bedeckt,
einem in dem Zwischenisolationsfilm (23) geschaffenen ersten Kontaktloch (10) zum Freilegen einer Oberfläche von einer von den Source-/Drainschichten (15b),
einer vergrabenen Bit-Verbindungsschicht (4), die so in das erste Kontaktloch (10) eingebettet ist, daß sie elektrisch mit einer der Source-/Drainschicht (15a) verbunden ist,
wobei die Position der Oberfläche der vergrabenen Bit-Verbin­ dungsschicht (49) dieselbe oder niedriger ist, als die Position der Oberfläche des Zwischenisolationsfilms (23),
einem Isolationsfilm (5), der eine Oberfläche der vergrabenen Bit-Verbindungsschicht (4) bedeckt,
mit einem zweiten in dem Zwischenisolationsfilm (23) geschaffe­ nen Kontaktloch (9) zum Freilegen einer Oberfläche der anderen der Source-/Drainschicht (15b),
einer Speicherknotenverbindung (6), die so auf dem Zwischeniso­ lationsfilm (23) geschaffen ist, daß sie mit der anderen Source- /Drainschicht (15b) durch das zweite Kontaktloch (9) verbunden ist,
einem Kondensatorisolationsfilm (16), der eine Oberfläche der Speicherknotenverbindung (6) bedeckt, und
einer Zellplattenelektrode (17), die die Speicherknotenverbin­ dung (6) mit dem Kondensatorisolationsfilm (16) dazwischen be­ deckt,
dadurch gekennzeichnet, daß
die vergrabene Bit-Verbindungsschicht (4) ein Doppelschichtfilm ist, der aus einem unterliegenden Leitungsfilm (8) der so vor­ gesehen ist, daß eine Seitenwandoberfläche und eine Bodenober­ fläche des ersten Kontaktloches (10) bedeckt sind, und aus ei­ nem vergrabenen Leitungsfilm (38), der auf dem Leitungsfilm (8) vorgesehen ist, besteht.
4. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1-3 da­ durch gekennzeichnet, daß die Oberfläche der ersten Verbindungsschicht bzw. der vergrabe­ nen Bit-Verbindungsschicht im wesentlichen eben ist.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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