DE19545160C2

DE19545160C2 - Bezugsspannungs-Generatorschaltung

Info

Publication number: DE19545160C2
Application number: DE19545160A
Authority: DE
Inventors: Yukio Yasuda
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1995-03-29
Filing date: 1995-12-04
Publication date: 1998-06-18
Anticipated expiration: 2015-12-05
Also published as: US6201381B1; DE19545160A1; JPH08272468A

Description

Die Erfindung betrifft eine Bezugsspannungs-Generatorschaltung.

Ladevorrichtungen zum Laden von Batterien umfassen im allgemeinen einen intern angeordneten Bezugsspannungs generator zum Vergleichen der Batteriespannung mit der durch die Bezugsspannungs-Generatorschaltung ausgegebe nen Bezugsspannung und zum Steuern des Batterie-Lade vorgangs in Übereinstimmung mit dem erfaßten Spannungs unterschied. Da die optimale Ladespannung in Abhängig keit von der Temperatur schwankt, wird die Bezugsspan nungs-Generatorschaltung mit einer Ausgangs-Temperatur charakteristik versehen, welche mit der Batterie-Cha rakteristik übereinstimmt, um eine optimale Steuerung in Ladevorrichtungen zu erzielen, die eine konstante Korrelation zwischen der Umgebungstemperatur und der Batterie aufrecht erhalten.

Die DE 43 34 918 A1 offenbart eine Be zugsspannungs-Generatorschaltung, die eine sich bezogen auf die Temperatur linear ändernde Bezugsspannung erzeugt. Die Bezugsspannungs-Generatorschaltung gemäß dieser Offenlegungs schrift eine Konstantstromquelle und einen Widerstand auf, die zwischen den Ausgangsanschlüssen einer Spannungsversor gung in Reihe geschaltet sind. Die Bezugsspannung wird dabei von dem Teilerknoten zwischen dem Widerstand und der Kon stantstromquelle abgegeben.

Ein weiteres Beispiel einer bekannten Bezugsspannungs-Generator schaltung ist in Fig. 6 gezeigt. Diese Bezugsspannungs- Generatorschaltung umfaßt Widerstände R₅₁ und R₅₂, n Dioden D₁ - D_n (worin n eine Ganzzahl ist), und Wider stände R₅₃, die in dieser Reihenfolge seriell zwischen der Konstantspannungsversorgung 1, die eine Spannung mit kleiner temperaturabhängiger Schwankung abgibt, und der Masse verschaltet sind, und gibt die zwischen der Masse und dem mit dem Knotenpunkt zwischen dem Wider stand R₅₁ und dem Widerstand R₅₂ verbundenen Ausgangs anschluß 3 entstehende Bezugsspannung V_O ab.

Die Bezugsspannung V_O kann durch Gleichung (1) ausge drückt werden, in welcher die Spannung der Konstant spannungsversorgung 1 durch V_CC, die Vorwärtsspannung der Dioden D₁ - D_n durch V_F und der durch die Wider stände R₅₁ und R₅₃, die n Dioden D₁ - D_n (n ist eine Ganzzahl) und den Widerstand R₅₁ fließende Strom durch I₅₀ angegeben sind.

V_O = V_CC - I₅₀ × R₅₁
= (R₅₂ + R₅₃)V_CC/(R₅₁ + R₅₂ + R₅₃
+ nR₅₁V_F/(R₅₁ + R₅₂ + R₅₃) [V] (1)

Die Temperaturcharakteristik ∂V_O/∂T der Bezugsspannung V_O bezogen auf die absolute Temperatur T kann durch die von der Gleichung (1) abgeleitete Gleichung (2) ausge drückt werden, wenn angenommen wird, daß die Spannung V_CC der Konstantspannungsversorgung 1 keine Temperatur abhängigkeit zeigt.

∂V_O/∂T = nR₅₁/(R₅₁ + R₅₂ +R₅₃) × ∂V_F/∂T [V/°C] (2)

Aus Gleichung (2) ist bekannt, daß die Temperaturcha rakteristik (∂V_O/∂T) der Bezugsspannung V_O durch die n Dioden D₁ - D_n, die Widerstände R₅₁, R₅₂ und R₅₃ sowie (∂V_O/∂T) bestimmt wird. Es ist daher möglich, aus der Gleichung (2) verschiedene Kombinationen der n Dioden D₁ - D_n und Widerstände R₅₁, R₅₂ und R₅₃ zu erhalten, wenn die Spannung V_CC fest und der Wert der Bezugsspan nung V_O festgelegt ist, und die Temperaturcharakteri stik (∂V_O/∂T) kann für diese Anzahl von Kombinationen erhalten werden.

Die Anzahl n von Dioden D₁ - D_n jedoch ist ein diskre ter Ganzzahlen- bzw. Integerwert. Es ist daher nicht möglich, mittels der vorstehend beschriebenen Bezugs spannungs-Generatorschaltung eine beliebige Tempera turcharakteristik einzustellen.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Bezugsspannungs-Generatorschaltung zum Erzeugen einer Bezugsspannung bereitzustellen, welche sich bezo gen auf die Temperatur linear ändert.

Darüberhinaus soll die Bezugsspannung einen negativen oder einen positiven Temperaturkoeffizienten aufweisen.

Weiterhin sollen eine Vielzahl von Bezugsspannungen erzeugt werden, wobei jede sich bezogen auf die Temperatur linear än dert.

Überdies soll zusätzlich zu einer Bezugsspannung mit einer gewünschten Temperaturcharakteristik und einer auf die Tempe ratur bezogenen linearen Änderung eine Normspannung erzeugt werden, deren Temperaturcharakteristik gleich Null ist.

Schließlich soll durch Kombination mit einem Operationsver stärker eine Vielzahl von Bezugsspannungen mit gewünschten Temperaturcharakteristiken erzeugt werden.

Die vorstehend genannte Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine in Patentanspruch 1 dargelegte Bezugsspannungs- Generatorschaltung gelöst. Weitere Ausgestaltungen sind in den Unteransprüchen angegeben. Eine Bezugsspannungs-Generatorschaltung zum Erzeugen einer Bezugsspannung mit negativen Temperaturkoeffizienten ist in dem nebengeordneten Anspruch 4 angegeben.

Somit ist in einer erfindungsgemäßen Bezugsspannungs- Generatorschaltung eine Konstantstromquelle, bei wel cher sich der in einen Spannungsteilerknoten hinein oder aus diesem heraus fließende Strom linear mit einem gewünschten Temperaturkoeffizienten ändert, mit dem Spannungsteilerknoten der Spannungsteilerschaltung ver bunden, die zwischen den Ausgangsanschlüssen einer eine konstante Spannung abgebenden Konstantspannungsversor gung verschaltet ist, so daß die Bezugsspannung an dem Spannungsteilerknoten abgegeben wird.

Bevorzugt wird die Bezugsspannung derart gesteuert, daß sie sich mit der Temperatur mit einem negativen Tempe raturkoeffizienten ändert.

Bevorzugt wird die Konstantstromquelle als integrierte Schaltung ausgeführt.

Bevorzugt umfaßt diese ferner einen Stromspiegelschalt kreis, welcher den durch den ersten Strompfad fließen den Strom und den durch den zweiten Strompfad fließen den Strom auf einen gleichen Wert steuert, einen ersten Transistor und einen zweiten Transistor, die mit dem ersten Strompfad bzw. dem zweiten Strompfad des Strom spiegelschaltkreises verbunden sind, und es wird ein Strom von dem Spannungsteilerknoten des Spannungstei lerschaltkreises abgegeben, der umgekehrt proportional zu dem Wert des mit dem Emitter des ersten Transistors verbundenen Widerstands und proportional zu der Tempe ratur ist.

Bevorzugt wird die Bezugsspannung derart gesteuert, daß sie sich mit der Temperatur mit einem positiven Tempe raturkoeffizienten ändert.

Bevorzugt ist ferner ein Stromspiegelschaltkreis vorge sehen, welcher den durch den ersten Strompfad fließen den Strom und den durch den zweiten Strompfad fließen den Strom auf einen gleichen Wert steuert, einen ersten Transistor und einen zweiten Transistor, die mit dem ersten Strompfad bzw. dem zweiten Strompfad des Strom spiegelschaltkreises verbunden sind, und es wird ein Strom in den Spannungsteilerknoten des Spannungsteiler schaltkreises eingeleitet, der umgekehrt proportional zu dem Wert des mit dem Emitter des zweiten Transistors verbundenen Widerstands und proportional zu der Tempe ratur ist.

Eine erfindungsgemäße Bezugsspannungs-Generatorschal tung kann ferner umfassen (Anspruch 4): eine Vielzahl von Spannungs teilerschaltkreisen; einen Stromspiegelschaltkreis, der den durch den ersten Strompfad fließenden Strom und den durch den zweiten Strompfad fließenden Strom auf einen gleichen Wert steuert; einen ersten Transistor, dessen Emitter mit dem anderen Ausgangsanschluß der Konstant spannungsversorgung verbunden ist; einen zweiten Tran sistor, dessen Basis mit der Basis und dem Kollektor des ersten Transistors verbunden ist; einen ersten, zwischen dem Emitter des zweiten Transistors und dem anderen Ausgangsanschluß der Konstantspannungsversor gung verbundenen Widerstand; einen dritten und einen vierten Transistor; einen fünften Transistor, dessen Basis mit dem Kollektor des vierten Transistors verbun den ist, dessen Emitter mit der Basis des dritten Tran sistors verbunden ist, und dessen Kollektor mit einem der Ausgangsanschlüsse der Konstantspannungsversorgung verbunden ist; und Stromentnahmetransistoren, deren Ba sis jeweils mit dem Emitter des fünften Transistors und deren Kollektor jeweils mit jedem Spannungsteilerknoten der Spannungsteilerschaltkreise verbunden ist; so daß ein zu dem Wert des ersten Widerstands umgekehrt pro portionaler und zu der Temperatur proportionaler aus dem Spannungsteilerknoten erhalten wird.

Bevorzugt kann die Bezugsspannungs-Generatorschaltung darüber hinaus eine Normspannung aus dem Emitter des fünften Transistors erzeugen, deren Temperaturcharakte ristik Null ist.

Bevorzugt kann die Bezugsspannungs-Generatorschaltung darüber hinaus die Konstantstromquelle und die Vielzahl von Spannungsteilerschaltkeis-Gruppen mit dem Ausgang eines Operationsverstärkers verbinden und den Normspan nungsversorgungsausgang der Konstantstromquelle mit dem Operationsverstärker verbinden.

Bevorzugt wird die Bezugsspannungs-Generatorschaltung als integrierte Schaltung ausgeführt.

Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungs beispielen unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeich nung näher beschrieben. Es zeigen:

Fig. 1 eine Darstellung einer Bezugsspannungs-Genera torschaltung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel;

Fig. 2 ein Schaltbild einer Bezugsspannungs-Generator schaltung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel, wel che eine Bezugsspannung mit einer negativen Tempera turcharakteristik erzeugt;

Fig. 3 ein Schaltbild einer Bezugsspannungs-Generator schaltung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel, wel che eine Bezugsspannung mit einer positiven bzw. nega tiven Temperaturcharakteristik erzeugt;

Fig. 4 ein Schaltbild der in einer Bezugsspannungs- Generatorschaltung gemäß einem vierten Ausführungsbei spiel verwendeten Konstantstromquelle; und

Fig. 5 ein Schaltbild der Bezugsspannungs-Generator schaltung gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel, welche die in Fig. 3 gezeigte Konstantstromquelle umfaßt zum Erzeugen einer Vielzahl von Bezugsspannungen.

Fig. 6 ein Schaltbild einer herkömmlichen Bezugsspan nungs-Generatorschaltung;

Fig. 1 zeigt eine Bezugsspannungs-Generatorschaltung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel. Wie in Fig. 1 gezeigt, sind Widerstände R₁ und R₂ die einen Span nungsteilerschaltkreis bilden, seriell zwischen der Masse und einer eine konstante Spannung V_CC abgebenden Konstantspannungsversorgung 1 verschaltet. Eine Kon stantstromquelle 2 ist zwischen der Masse und dem Span nungsteilerknoten, welcher die Verbindung zwischen den Widerständen R₁ und R₂ bildet, verschaltet. Die Kon stantstromquelle 2 ändert mit einer gewünschten Tempe raturcharakteristik linear den Pegel eines aus dem Spannungsteilerknoten fließenden Stroms I₁. Ein Aus gangsanschluß 3 ist ebenfalls mit dem Spannungsteiler knoten verbunden, und eine Bezugsspannung V_O wird zwi schen dem Ausgangsanschluß 3 und der Masse abgegeben.

Ist V_CC die Spannung der Konstantspannungsversorgung 1, I_R1 der durch den Widerstand R₁ fließende Strom, I₁ der durch die Konstantstromquelle 2 in den Spannungsteiler knoten eingeleitete oder aus diesem herausfließende Strom, I_R2 der durch den Widerstand R₂ fließende Strom, und V_O die an bzw. zwischen dem Ausgangsanschluß 3 und der Masse abgegebene Bezugsspannung, dann gilt:

I_R1 = I₁ + I_R2, V_CC = I_R1R₁ + I_R2R₂ und V_O = I_R2R₂.

Werden I_R1 und I_R2 aus diesen drei Gleichungen elimi niert, wird die nachstehende Gleichung (3) erhalten:

V_O = R₂V_CC/(R₁ + R₂) - R₁R₂I₁/(R₁ + R₂) (3)

Die durch Gleichung (4) ausgedrückte Temperaturcharak teristik (∂V_O/∂T) wird aus der Gleichung (3) erhalten:

(∂V_O/∂T) = -R₁R₂/(R₂ + R₃) × (∂I₁/∂T) (4)

Wie vorstehend beschrieben wurde kann, da die Konstant stromquelle 2 mit einem bestimmten Wert die Tempera turcharakteristik (∂I₁/∂T) des zu dem Spannungsteiler knoten hin oder von diesem weg fließenden Stroms I₁ va riiert, der Temperaturkoeffizient der an dem Ausgangs anschluß 3 abgegebenen Bezugsspannung V_O ebenfalls li near mit einem gewünschten Temperaturkoeffizienten va riiert werden, wie durch Gleichung (4) gezeigt.

Ein weiteres Ausführungsbeispiel einer Bezugsspannungs- Generatorschaltung ist in Fig. 2 gezeigt. Es sei ange merkt, daß gleiche Teile in den Fig. 1 und 2 mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind und daher deren erneute Beschreibung im folgenden entfällt. In der in Fig. 2 gezeigten Bezugsspannungs-Generatorschaltung ist die Konstantstromquelle 2 eine integrierte Schaltung, welche Widerstände R₃ bis R₈ sowie Bipolar-Transistoren (zur Vereinfachung nachstehend in Kurzform als "Tran sistoren" bezeichnet) Q₁ bis Q₉ umfaßt. Darüber hinaus bilden die Widerstände R₇ und R₈ und die pnp-Transisto ren Q₄ bis Q₇ eine Stromspiegelschaltung, welche derart angeordnet ist, daß der zu dem Kollektor des pnp-Tran sistors Q₆ (erster Strompfad) fließende Strom I₂ und der zu dem Kollektor des pnp-Transistors Q₇ (zweiter Strompfad) fließende Strom I₃ immer gleich sind (I₂ = I₃), auch wenn sich die Spannung V_CC der Kon stantspannungsversorgung 1 ändert.

Der Widerstand R₇ ist zwischen dem Emitter des Transi stors Q₄ und der Konstantspannungsversorgung 1 ver schaltet. Der Kollektor des Transistors Q₄ ist mit dem Emitter des Transistors Q₆ verbunden, und der Kollektor des Transistors Q₆ ist mit dem Kollektor des Transi stors Q₂ verbunden.

Der Widerstand R₈ ist zwischen dem Emitter des Transi stors Q₅ und der Konstantspannungsversorgung 1 ver schaltet. Der Kollektor des Transistors Q₅ ist mit dem Emitter des Transistors Q₇ verbunden, und der Kollektor des Transistors Q₇ ist mit dem Kollektor des Transi stors Q₃ verbunden.

Der Kollektor des Transistors Q₄ ist ebenfalls mit der Basis des Transistors Q₄ und der Basis des Transistors Q₅ verbunden, und der Kollektor des Transistors Q₇ ist ebenfalls mit der Basis des Transistors Q₆ und der Ba sis des Transistors Q₇ verbunden.

Der Emitter des Transistors Q₂ ist direkt mit der Masse verbunden. Der Widerstand R₄ ist zwischen dem Emitter des Transistors Q₃ und der Masse verschaltet. Die Basen der Transistoren Q₂, Q₃ und Q₉ sind alle mit dem Emit ter des Transistors Q₁ verbunden. Der Widerstand R₅ist zwischen dem Emitter des Transistors Q₁ und der Masse verschaltet. Der Transistor Q₁ kompensiert den Basiss trom der Transistoren Q₂ und Q₃, um die Genauigkeit der Konstantstromerzeugung durch diese Transistoren Q₂ und Q₃ zu verbessern.

Die Basis des Transistors Q₈ ist ebenfalls mit dem Kol lektor des Transistors Q₃ verbunden. Der Transistor Q₈ bildet eine Schaltung zum Aktivieren der Konstantstrom quelle 2, wobei der Kollektor des Transistors Q₈ mit der Konstantspannungsversorgung 1 verbunden ist und ein Wi derstand R₆ zwischen dem Emitter desselben und der Mas se verschaltet ist. Ein Widerstand R₃ ist zwischen dem Emitter des Transistors Q₉ und der Masse verschaltet, und der Kollektor des Transistors Q₉ ist mit dem Knoten (Spannungsteilerknoten) zwischen dem Widerstand R₁ und dem Widerstand R₂ verschaltet. Der Transistor Q₉ und der Widerstand R₃ sind Teil der integrierten Schaltung und besitzen dieselbe Transistorgröße bzw. -Dimension und denselben Widerstand wie der Transistor Q₃ und der Widerstand R₄.

Bei der in Fig. 2 gezeigten Bezugsspannungs-Generator schaltung kann die zwischen der Masse und dem Ausgangs anschluß 3 abgegebene Bezugsspannung V_O wie folgt er halten werden. Die nachstehend gezeigte Gleichung (5) wird aufgestellt, worin V_BE2 die Spannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors Q₂, V_BE3 die Spannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transi stors Q₄und V_R4der Spannungsabfall im Widerstand R₄ sind.

V_BE2 = V_BE3 + V_R4 (5)

Wenn das Emittergrößenverhältnis der Transistoren Q₂ und Q₃ 1 : N beträgt, der Sättigungsstrom des Transistors Q₂ gleich I_S ist und V_T = kT/q gilt (worin q die Elek tronenladung, k die Boltzmann-Konstante und T die abso lute Temperatur sind), so wird die Basis-Emitter- Spannung V_BE2 des Transistors Q₂ auf der Grundlage der Gleichung von Shockley als V_BE2 = V_Tln(I₂/I_S) ausge drückt, und die Basis-Emitter-Spannung V_BE3 des Transi stors Q₃ wird V_BE3 = V_Tln(I₃/NI_S) ausgedrückt. Durch Substituieren dieser Werte in Gleichung (5) folgt auf grund von I₂ = I₃ die nachstehende Gleichung (6).

V_R4 = V_Tln(N) (6)

Ausgehend von Gleichung (6) kann I₂ = I₃ durch die nachstehende Gleichung (7) ausgedrückt werden.

I₂ = I₃ = V_R4/R₄
= (V_T/R₄)ln(N) (7)

Aufgrund von V_T = kT/q ist V_T proportional zu der abso luten Temperatur T, und die Ströme I₂ und I₃ sind auf der Grundlage der Gleichung (7) demzufolge ebenfalls proportional zu der absoluten Temperatur T. Da der Transistor Q₉ und der Widerstand R₃ in der integrierten Schaltung dieselbe Transistorgröße und denselben Wider stand besitzen wir der Transistor Q₃ und der Widerstand R₄, folgt der Kollektorstrom I₁ des Transistors Q₉ dem Zusammenhang I₁ = I₂ = I₃, ist proportional zu der ab soluten Temperatur T und wird durch die nachstehende Gleichung (8) ausgedrückt.

I₁ = V_R4/R₄
= (V_T/R₄)ln(N)
= (kT/qR₄)ln(N) (8)

Ausgehend von Gleichung (8) kann die an dem Ausgangsan schluß 3 der in Fig. 2 gezeigten Bezugsspannungs- Generatorschaltung abgegebene Bezugsspannung V_O durch die nachstehende Gleichung (9) ausgedrückt werden.

V_O = R₂V_CC/(R₁ + R₂) - R₁R₂I₁/(R₁ + R₂)
= R₂V_CC/(R₁ + R₂) - (kT/qR₄)ln(N)R₁R₂/(R₁ + R₂) (9)

Infolgedessen kann die Temperaturcharakteristik (∂V_O/∂T) der an dem Ausgangsanschluß 3 abgegebenen Be zugsspannung V_O durch die nachstehende Gleichung (10) ausgedrückt werden.

(∂V_O/∂T) = -(k/qR₄)ln(N)R₁R₂/(R₁ + R₂) (=konstant) (10)

Wie durch Gleichung (10) gezeigt, ist die Temperatur charakteristik (∂V_O/∂T) der Bezugsspannung V_O umgekehrt proportional zu dem Widerstand R₄, und die Bezugsspan nung V_O ändert sich mit der absoluten Temperatur T li near mit einem negativen Temperaturkoeffizienten. Somit kann die Bezugsspannung V_O durch Auswahl des Wider stands R₄ bezüglich der Temperatur mit einem gewünsch ten negativen Temperaturkoeffizienten variiert werden.

Es sei angemerkt, daß in dem vorstehenden Ausführungs beispiel eine auf identische Art und Weise wie die vor stehend beschriebene Bezugsspannungs-Generatorschaltung arbeitende Bezugsspannungs-Generatorschaltung durch Kurzschließen des in Fig. 1 zwischen der Masse und dem Emitter des Transistors Q₉ verschalteten Widerstands R₃ und durch Dimensionieren des Transistors Q₉ auf die Größe des Transistors Q₂ erhalten werden kann.

Ein drittes Ausführungsbeispiel einer Bezugsspannungs- Generatorschaltung ist in Fig. 3 gezeigt. Es sei ange merkt, daß gleiche Teile in den Fig. 1 und 3 mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind und daher deren erneute Beschreibung im folgenden entfällt.

In der Bezugsspannungs-Generatorschaltung ist die Kon stantstromquelle 2 eine integrierte Schaltung, welche Widerstände R₉ und R₁₀, npn-Transistoren Q₁₀, Q₁₁ und Q₁₂ sowie pnp-Transistoren Q₁₃, Q₁₄ und Q₁₅ umfaßt. Die Transistoren Q₁₃, Q₁₄, und Q₁₅ bilden eine Stromspiegel schaltung derart, daß der zu dem Kollektor des Transi stor Q₁₀ fließende Strom I₄ und der zu dem Kollektor des Transistor Q₁₁ fließende Strom I₅ immer gleich sind (I₄ = I₅), auch wenn sich die Spannung V_CC der Kon stantspannungsversorgung 1 ändert. Darüber hinaus bil den der Widerstand R₁₀ und der Transistor Q₁₂ eine Starterschaltung zum Aktivieren der Stromspiegelschal tung. Der Emitter des Transistors Q₁₃ ist mit der Kon stantspannungsversorgung 1 verbunden, und der Kollektor desselben ist mit dem Kollektor des Transistors Q₁₀ verbunden. Der Emitter des Transistors Q₁₃ ist mit der Konstantspannungsversorgung 1 verbunden, und der Kol lektor desselben ist mit dem Kollektor des Transistors Q₁₁, verbunden. Die Basis des Transistors Q₁₄ und die Basis des Transistors Q₁₄ sind gegenseitig verbunden, und der Kollektor des Transistors Q₁₀ ist mit der Basis des Transistors Q₁₀ und der Basis des Transistors Q₁₁ verbunden. Der Emitter des Transistors Q₁₅ ist mit der Basis beider der Transistoren Q₁₃ und Q₁₄ verbunden, die Basis des Transistors Q₁₅ ist mit dem Kollektor des Transistors Q₁₄ verbunden, und der Kollektor des Tran sistors Q₁₅ ist mit der Masse verbunden. Darüber hinaus ist der Widerstand R₁₀ zwischen der Masse und dem Emit ter des Transistors Q₁₂ verschaltet, die Basis des Transistors Q₁₂ ist mit dem Emitter des Transistors Q₁₅ verbunden, und der Kollektor des Transistors Q₁₂ ist mit der Konstantspannungsversorgung 1 verbunden.

Der Emitter des Transistors Q₁₀ ist mit dem Spannungs teilerknoten der Widerstände R₁ und R₂ verbunden, die die Spannungsteilerschaltung bilden. Der Widerstand R₉ ist ebenfalls zwischen dem Spannungsteilerknoten und dem Emitter des Transistors Q₁₁ verschaltet.

Bei der in Fig. 3 gezeigten Bezugsspannungs-Generator schaltung kann die zwischen der Masse und dem Ausgangs anschluß 3 abgegebene Bezugsspannung V_O wie folgt er halten werden. Die nachstehend gezeigte Gleichung (11) wird aufgestellt, worin V_BE10 die Spannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors Q₁₀, V_BE11 die Spannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transi stors Q₁₁ und V_R9der Spannungsabfall im Widerstand R₉ sind.

V_BE10 = V_BE11 + V_R9 (11)

Wenn das Emittergrößenverhältnis der Transistoren Q₁₀ und Q₁₁ 1 : N beträgt, der Sättigungsstrom des Transi stors Q₁₀ gleich I_S ist und V_T = kT/q gilt (worin q die Elektronenladung, k die Boltzmann-Konstante und T die absolute Temperatur sind), so wird die Basis-Emitter- Spannung V_BE10 des Transistors Q₁₀ auf der Grundlage der Gleichung von Shockley als V_BE10 = V_tln(I₄/I_S) aus gedrückt, und die Basis-Emitter-Spannung V_BE11 des Transistors Q₁₁ wird als V_BE11 = V_tln(I₁₁/NI_S) ausge drückt. Durch Substituieren dieser Werte in Gleichung (11) folgt aufgrund von I₄ = I₅ die nachstehende Glei chung (12).

V_R9= V_Tln(N) (12)

Ausgehend von Gleichung (12) kann I₄ = I₅ durch die nachstehende Gleichung (13) ausgedrückt werden.

I₄ = I₅ = V_R9/R₉
= (V_T/R₉)ln(N) (13)

Da jedoch der an dem Spannungsteilerknoten der Wider stände R₁ und R₂ zugeführte Strom I₁ die Summe der Ströme I₄ und I₅ ist, I₁ = -(I₄ + I₅), kann der Strom I₁ auf der Grundlage der Gleichung (13) durch die Glei chung (14) ausgedrückt werden.

I₁ = -2(V_T/R₉)ln(N) (14)

Ausgehend von Gleichung (14) kann die an dem Ausgangs anschluß 3 der Bezugsspannungs-Generatorschaltung gemäß Fig. 3 abgegebene Bezugsspannung V_O durch die nachste hende Gleichung (15) ausgedrückt werden.

V_O = R₂V_CC/(R₁ + R₂) - R₁R₂I₁/(R₁ + R₂)
= R₂V_CC/(R₁ + R₂) + 2(kT/QR₄)ln(N)R₁R₂/(R₁ + R₂) (15)

Daher kann die Temperaturcharakteristik (∂V_O/∂T) der an dem Ausgangsanschluß 3 abgegebenen Bezugsspannung V_O durch die nachstehende Gleichung (16) ausgedrückt wer den.

(∂V_O/∂T) = 2(k/qR₄)ln(N)R₁R₂/(R₁ + R₂) (=konstant) (16)

Wie durch Gleichung (16) gezeigt, ist die Temperatur charakteristik (∂V_O/∂T) der Bezugsspannung V_O umgekehrt proportional zu dem Widerstand R₄ und die Bezugsspan nung V_O ändert sich mit der absoluten Temperatur T li near mit einem positiven Temperaturkoeffizienten. Somit kann die Bezugsspannung V_O durch Auswahl des Wider stands R₄ bezüglich der Temperatur mit einem gewünsch ten positiven Temperaturkoeffizienten variiert werden.

Ein viertes Ausführungsbeispiel einer Bezugsspannungs- Generatorschaltung ist in den Fig. 4 und 5 gezeigt. Dieses Ausführungsbeispiel ist eine Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer Vielzahl von Bezugsspannungen. Fig. 4 zeigt die integrierte Konstantstromversorgungsschal tung 6 zum Erzeugen konstanter Ströme I₄₁ bis I_4m, und Fig. 5 zeigt im einzelnen die Schaltungsanordnung einer die Konstantstromversorgungsschaltung 6 umfassenden Be zugsspannungs-Generatorschaltung. Die Konstantstromver sorgungsschaltung 6 gemäß Fig. 4 umfaßt Widerstände R₂₀ bis R₂₆, Widerstände R₃₁ bis R_3m, Transistoren Q₂₀ bis Q₂₈ und Transistoren Q₃₁ bis Q_3m. Die Transistoren Q₂₃ und Q₂₄ und die Widerstände R₂₁ und R₂₂ bilden eine Stromspiegelschaltung derart, daß der Kollektorstrom des Transistors Q₂₂ und der Kollektorstrom des Transi stors Q₂₈ immer gleich sind, auch wenn sich die Span nung V_CC der Konstantspannungsversorgung 1 ändert. Dar über hinaus behalten die Widerstände R₂₄ und R₂₅ ein konstantes Verhältnis zwischen Kollektorströmen der Transistoren Q₂₆ und Q₂₇ bei. Der Widerstand R₂₁ ist zwischen dem Emitter des Transistors Q₂₃ und der Kon stantspannungsversorgung 1 verschaltet. Der Kollektor des Transistors Q₂₃ und der Kollektor des Transistors Q₂₂ sind gegenseitig verbunden, und der Widerstand R₂₃ ist zwischen der Masse und dem Emitter des Transistors Q₂₂ verschaltet. Der Widerstand R₂₂ ist zwischen dem Emitter des Transistors Q₂₄ und der Konstantspannungs versorgung 1 verschaltet. Der Kollektor des Transistors Q₂₄ und der Kollektor des Transistors Q₂₈ sind gegen seitig verbunden, und der Emitter des Transistors Q₂₈ ist mit der Masse verbunden. Der Kollektor des Transi stors Q₂₂ ist mit der Basis des Transistors Q₂₃ und mit der Basis des Transistors Q₂₄ verbunden.

Die Basis des Transistors Q₂₅ ist mit dem Kollektor des Transistors Q₂₄ verbunden, und der Kollektor des Tran sistors Q₂₅ ist mit der Konstantspannungsversorgung 1 verbunden. Der Emitter des Transistors Q₂₅ ist mit der Basis des Transistors Q₂₂ und mit den Basen der Transi storen Q₃₁ bis Q_3m verbunden. Der Emitter des Transi stors Q₂₆ ist mit der Masse verbunden, und der Wider stand R₂₄ ist zwischen dem Kollektor des Transistors Q₂₆ und dem Emitter des Transistors Q₂₅ verschaltet. Der Widerstand R₂₆ ist zwischen der Masse und dem Emit ter des Transistors Q₂₇ verschaltet, und der Widerstand R₂₅ ist zwischen dem Kollektor des Transistors Q₂₇ und dem Emitter des Transistors Q₂₆ verschaltet. Der Kol lektor und der Emitter des Transistors Q₂₆ sind mitein ander verbunden. Die Basis des Transistors Q₂₀ und die Basis des Transistors Q₂₁ sind miteinander verbunden. Die Basis und der Kollektor des Transistors Q₂₀ sind miteinander verbunden, der Emitter desselben ist mit der Masse verbunden, und der Widerstand R₂₀ ist zwi schen dem Kollektor des Transistors Q₂₀ und der Kon stantspannungsversorgung 1 verschaltet. Der Emitter des Transistors Q₂₁ ist mit dem Emitter des Transistors Q₂₂ verbunden, und der Kollektor desselben ist mit dem Kol lektor des Transistors Q₂₂ verbunden.

Die Basis jedes der Transistoren Q₃₁ bis Q_3m ist mit dem Emitter des Transistors Q₂₅ verbunden, und die Wi derstände R₃₁ bis R_3m sind jeweils zwischen der Masse und dem Emitter jedes der Transistoren Q₃₁ bis Q_3m ver schaltet. Der Bezugsspannungs-Ausgangsanschluß 7, an welchem die Bezugsspannung V_REF ausgegeben wird, ist mit dem Emitter des Transistors Q₂₅ verbunden.

Bei der Bezugsspannungs-Generatorschaltung gemäß Fig. 4 können die zu den entsprechenden Kollektoren der Tran sistoren Q₃₁ bis Q_3m fließenden Ströme I₄₁ bis I_4m wie nachstehend beschrieben erhalten werden. Da das Kollek torstromverhältnis der Transistoren Q₂₆ und Q₂₇ wie be reits beschrieben durch die Widerstände R₂₄ und R₂₅ be stimmt wird, werden der Kollektorstrom I₆ des Transi stors Q₂₆ und der Kollektorstrom I₇ des Transistors Q₂₇ gleich, falls der Basisstrom des Transistors Q₂₈ igno riert wird, wenn die Werte der Widerstände R₂₄ und R₂₅ gleich sind.

Es ergibt sich die nachstehend gezeigte Gleichung (17), in welcher V_BE26 die Spannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors Q₂₇ und V_R26 der Spannungs abfall an dem Widerstand R₂₆ der Schaltung gemäß Fig. 4 ist.

V_BE26 = V_BE27 + V_R26 (17)

Wenn das Emittergrößenverhältnis der Transistoren Q₂₆ und Q₂₇ 1 : N beträgt, der Sättigungsstrom des Transi stors Q₂₆ gleich I_S ist und V_T = kT/q gilt (worin q die Elektronenladung, k die Boltzmann-Konstante und T die absolute Temperatur sind), so wird die Basis-Emitter- Spannung V_BE26 des Transistors Q₂₆ auf der Grundlage der Gleichung von Shockley als V_BE26 = V_tln(I₆/I_S) aus gedrückt, und die Basis-Emitter-Spannung V_BE27 des Transistors Q₂₇ wird V_BE27 = V_tln(I₇/NI_S) ausgedrückt. Durch Substituieren dieser Werte in Gleichung (17) folgt aufgrund von I₆ = I₇ die nachstehende Gleichung (18).

V_R26 = V_Tln(N) (18)

Ausgehend von Gleichung (18) kann I₆ = I₇ durch die nachstehende Gleichung (19) ausgedrückt werden.

I₆ = I₇ = V_R26/R₂₆
= (V_T/R₂₆)ln(N) (19)

Aufgrund von V_T = kT/q ist V_T proportional zu der abso luten Temperatur T, und die Ströme I₆ und I₇ sind auf der Grundlage der Gleichung (18) demzufolge ebenfalls proportional zu der absoluten Temperatur T. Falls der Transistor Q₂₂ und der Widerstand R₂₃, gleich wie der Transistor Q₂₆ und der Widerstand R₂₄ ausgebildet wer den, wird die Stromzufuhr in den Transistor Q₂₂ gleich dem vorstehend beschriebenen Strom I₆ werden. Falls hierzu vergleichbar die Transistoren Q₃₁ bis Q_3m und die Widerstände R₃₁ bis R_3m ebenfalls gleich ausgebil det werden wie der Transistor Q₂₆ und der Widerstand R₂₄, wird I₄₁ = ... I_4m = I₆. Es ist daher bekannt, daß die Ströme I₄₁ bis I_4m ebenfalls proportional zu der absoluten Temperatur T variieren.

Die an dem Bezugsspannungs-Ausgangsanschluß 7 abgegebe ne Bezugsspannung V_REF (in Form von V_BG ausgedrückt) ist die Summe des Basis-Emitter-Vorwärtsspannungsab falls V des Transistors Q₂₈ und dem Spannungsabfall an dem Widerstand R₂₅, und wird durch die nachstehende Gleichung (20) erhalten.

V_BE = V_BE28 + R₂₅I₇
= V_BE28 + (R₂₅V_T/R₂₆)ln(N) (20)

Die Temperaturcharakteristik von V_BG wird Null (0), wenn die Kreiskonstante so eingestellt wird, daß sich die Temperaturcharakteristik der Basis-Emitter-Vor wärtsspannungsabfall V_BE28 des Transistors Q₂₈ und die Temperaturcharakteristik von (R₂₅V_T/R₂₆)ln(N) gegensei tig aufheben. In diesem Fall kann eine Bezugsspannung V_REF mit einer Temperaturcharakteristik von Null an dem Bezugsspannungs-Ausgangsanschluß 7 abgegriffen werden. Anzumerken ist, daß dann, wenn die Temperaturcharakte ristik von V_BG in der Schaltung gemäß Fig. 4 Null (0) ist, V_BG als Bandlückenspannung bezeichnet wird und üb licherweise 1,25 V beträgt.

Wie in Fig. 5 gezeigt, sind die vorstehend beschriebene Konstantstromversorgungsschaltung 6 und die Widerstände R₃₁ und R₃₂ zwischen der Masse und dem Ausgangsanschluß des Operationsverstärkers 5, der die Konstantspannungs versorgung 1 bildet, welche die nicht stabilisierte Versorgungsspannung der Spannungsversorgung 4 stabili siert und ausgibt, verschaltet. Die durch die Konstant stromversorgungsschaltung 6 erzeugte Bezugsspannung V_REF wird dem nicht invertierenden Eingang des Operati onsverstärkers 5 zugeführt und mit dem Spannungsteiler knoten der seriell zwischen der Masse und dem Ausgangs anschluß des Operationsverstärkers 5 verschalteten Spannungsteiler-Widerstände R₃₁ und R₂₃ verbunden. Die Kollektoren (vgl. Fig. 4) der Transistoren Q₃₁ bis Q_3m der Konstantstromversorgungsschaltung 6 sind jeweils mit dem Spannungsteilerknoten von Spannungsteiler- Widerständen R_{1 - 1} und R_{2 - 1} sowie R_{1 - m} und R₂, die seri ell zwischen der Masse und dem Ausgangsanschluß des Operationsverstärkers 5 verschaltet sind, verbunden. Dadurch, daß die Konstantstromversorgungsschaltung 6 gemäß Fig. 4 auf diese Art und Weise verwendet wird, ist es möglich, eine Vielzahl von Bezugsspannungen zu generieren, deren jede eine mit der Temperatur linear variierende Temperaturcharakteristik aufweist, indem der Operationsverstärker 5 mit der Konstantstromversor gungsschaltung 6 kombiniert wird, und ohne daß Zener- Dioden oder andere, die Bezugsspannung V_REF erzeugende Vorrichtungen verwendet werden. Es ist mittels der Schaltkreise der Konstantstromversorgungsschaltung 6 darüber hinaus möglich, den an den den Konstantstrom wert festlegenden Widerständen R₃₁ bis R_3m erzeugten Spannungsabfall zu vergrößern, wobei diese Schaltkreise insbesondere dazu geeignet sind, eine Vielzahl von Kon stantstromversorgungen auszubilden, da ein durch einen verschlechterten Zusammenhang bzw. Verwandtschaftsgrad zwischen dem Transistor Q₂₂ und den npn-Transistoren Q₃₁ bis Q_3m verursachter Fehler in dem Konstantstrom wert verringert werden kann.

Vorteilhaft in Zusammenhang mit der Bezugsspannungs- Generatorschaltung gemäß den Ausführungsbeispielen ist, daß eine linear mit einem gewünschten Temperaturkoeffi zienten variierende Bezugsspannung an dem Spannungstei lerknoten der Spannungsteilerschaltung abgegriffen wer den kann, da die Konstantstromquelle den in den Span nungsteilerknoten der Spannungsteilerschaltung hinein oder aus diesem heraus fließenden Strompegel linear mit einem gewünschten Temperaturkoeffizienten variiert.

Ein weiterer Vorteil der Bezugsspannungs-Generator schaltung gemäß den Ausführungsbeispielen ist, daß eine linear mit einem gewünschten negativen Temperaturkoef fizienten variierende Bezugsspannung an dem Spannungs teilerknoten der Spannungsteilerschaltung abgegriffen werden kann, da die Konstantstromquelle den durch den Spannungsteilerknoten der Spannungsteilerschaltung ab gegebenen Strom bezüglich der Temperatur mit einem ge wünschten Temperaturkoeffizienten linear variiert.

Ein weiterer Vorteil der Bezugsspannungs-Generator schaltung gemäß den Ausführungsbeispielen ist, daß eine linear mit einem gewünschten negativen Temperaturkoef fizienten variierende Bezugsspannung an dem Spannungs teilerknoten der Spannungsteilerschaltung abgegriffen werden kann, indem der Wert des mit dem Emitter des zweiten Transistors verbundenen Widerstands ausgewählt wird, da der aus dem Spannungsteilerknoten des Span nungsteilerschaltung fließende Strom proportional zu der Temperatur und umgekehrt proportional zu dem Wert des mit dem Emitter des zweiten Transistors verbundenen Widerstands ist.

Ein nochmals weiterer Vorteil der Erfindung ist, daß eine sich linear mit einem positiven Temperaturkoeffi zienten ändernde Bezugsspannung aus dem Spannungstei lerknoten der Spannungsteilerschaltung erhalten werden kann, da die Konstantstromquelle den in den Spannungs teilerknoten eingeleiteten Strom bezogen auf die Tempe ratur linear mit einem gewünschten Temperaturkoeffizi enten variiert.

Ein nochmals weiterer Vorteil der Bezugsspannungs-Gene ratorschaltung gemäß den Ausführungsbeispielen ist, daß eine linear mit einem gewünschten positiven Temperatur koeffizienten variierende Bezugsspannung an dem Span nungsteilerknoten der Spannungsteilerschaltung durch Auswählen des Werts des mit dem Emitter des zweiten Transistors verbundenen Widerstands abgegriffen werden kann, da der Stromentnahmetransistor derart arbeitet, daß er dem Spannungsteilerknoten der Widerstands- Spannungsteilerschaltung einen Strom proportional zu der Temperatur und umgekehrt proportional zu dem Wert des mit dem Emitter des zweiten, mit dem zweiten Strompfad der ersten und zweiten Strompfade der Strom spiegelschaltung verbundenen Transistors verbundenen Widerstands zuführt.

Ein nochmals weiterer Vorteil der Bezugsspannungs- Generatorschaltung gemäß den Ausführungsbeispielen ist, daß durch Auswählen des ersten Widerstands aus dem Spannungsteilerknoten jeder Spannungsteilerschaltung eine Vielzahl von Bezugsspannungen erhalten wird, deren jede mit einem gewünschten negativen Temperaturkoeffi zienten variiert, da der Stromentnahmetransistor derart arbeitet, daß er jedem Spannungsteilerknoten der Wider stands-Spannungsteilerschaltung einen Strom proportio nal zu der Temperatur und umgekehrt proportional zu dem Wert des ersten Widerstands, der zwischen dem anderen Ausgangsanschluß der Konstantspannungsversorgung und dem Emitter des zweiten Transistors, dessen Basis mit der Basis und dem Kollektor eines ersten Transistors, dessen Emitter mit dem anderen Ausgangsanschluß der Konstantspannungsversorgung verbunden ist, verbunden ist, verschaltet ist.

Da eine Normspannung mit einer Temperaturcharakteristik von Null durch den Emitter eines fünften Transistors abgegeben wird, kann diese Normspannung als die Norm- bzw. Standardspannung der Konstantspannungsversorgung verwendet werden.

Da ein Operationsverstärker seine Ausgangsspannung so steuert, daß eine konstante Differenz zwischen der Aus gangsspannung und der Normspannung eingehalten wird, dient der Operationsverstärker als Konstantspannungs versorgung zum Anschluß der der Konstantstromquelle, und die Bezugsspannungs-Generatorschaltung kann einfach aufgebaut werden.

Da die thermische Kopplung zwischen Komponenten verbes sert und auch die thermische Übertragungsfunktion ver bessert wird, indem die Konstantstromquelle in Form ei ner integrierten Schaltung aufgebaut wird, kann durch deren Berücksichtigung bzw. Einbezug in eine Batterie- Ladevorrichtung ein hinsichtlich der Temperatur opti mierter Batterie-Ladevorgang erzielt werden.

Obwohl die Erfindung unter Bezugnahme auf bevorzugte Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, werden sich dem Fachmann weitere Anwendungsbereich erschließen. Die Er findung soll daher nicht als auf die hierin beschriebe ne spezielle Offenbarung beschränkt betrachtet und le diglich anhand der beigefügten Patentansprüche ausge legt werden.

Wie vorstehend beschrieben wurde, soll eine gewünschte Bezugsspannung erzeugt werden, die in Übereinstimmung mit der Temperatur linear variiert. Hierzu ist eine Spannungsteilerschaltung R₁, R₂ zwischen den Ausgangs anschlüssen einer eine konstante Spannung abgebenden Konstantspannungsversorgung 1 verschaltet. Die Kon stantstromquelle 2 variiert den in einen Spannungstei lerknoten der Spannungsteilerschaltung hinein oder aus diesem heraus fließenden Strompegel I₁ in Abhängigkeit von der Temperatur. Die Konstantstromquelle 2 umfaßt einen ersten Transistor Q₂ und einen zweiten Transistor Q₃, die mit einer Stromspiegelschaltung verbunden sind, sowie einen zwischen der Masse und dem Emitter des zweiten Transistors Q₃ verschalteten Widerstand R₄. Die Basis des Stromentnahmetransistors Q₉ ist mit der Basis des ersten Transistors Q₂ und der Basis des zweiten Transistors Q₃ verbunden, während der Kollektor sowie der Emitter zwischen dem Spannungsteilerknoten bzw. der Masse verschaltet sind, um einen Strom aus dem Span nungsteilerknoten zu erhalten. Ein zu der Temperatur proportionaler und zu dem Wert des Widerstands R₄ umge kehrt proportionaler Strom kann dadurch dem Spannungs teilerknoten entnommen werden.

Claims

1. Bezugsspannungs-Generatorschaltung zum Erzeugen einer sich bezogen auf die Temperatur linear ändernden Bezugsspan nung, mit
einer Konstantspannungsversorgung (1) zum Ausgeben einer Konstantspannung,
einem zwischen den Ausgangsanschlüssen der Konstantspan nungsversorgung gekoppelten, ausschließlich Widerstände auf weisenden Spannungsteilerschaltkreis (R₁, R₂) und
einer Konstantstromquelle (2), die mit einem Spannungs teilerknoten des Spannungsteilerschaltkreises verbunden ist, um den in den Teilerknoten hinein oder aus diesem heraus fließenden Strompegel mit einem gewünschten Temperaturkoeffi zienten linear zu ändern, wobei die Bezugsspannung von dem Teilerknoten abgegeben wird.

2. Bezugsspannungs-Generatorschaltung nach Anspruch 1, wo bei die Konstantstromquelle umfaßt:
eine Stromspiegelschaltung (Q₂, Q₃), umfassend einen er sten Strompfad und einen zweiten Strompfad, welche durch eine Verbindung mit einem der Konstantspannungsversorgungs- Ausgangsanschlüsse gebildet werden, um den durch den ersten Strompfad fließenden Strom und den durch den zweiten Strompfad fließenden Strom auf Gleichheit zu steuern,
einen ersten Transistor (Q₂), der zwischen dem ersten Strompfad der Stromspiegelschaltung und dem anderen Ausgangs anschluß der Konstantspannungsversorgung verschaltet ist,
einen zweiten Transistor (Q₃), dessen Kollektor mit dem zweiten Strompfad verbunden ist,
einen Widerstand (R₄), der zwischen dem Emitter des zweiten Transistors und dem anderen Ausgangsanschluß ver schaltet ist und
einen Stromentnahmetransistor (Q₉), dessen Basis mit der Basis des ersten Transistors und der Basis des zweiten Tran sistor verbunden ist und dessen Kollektor mit dem Spannungs teilerknoten verbunden ist, um einen Strom aus dem Spannungs teilerknoten zu entnehmen,
wobei ein zu dem Wert des Widerstands umgekehrt propor tionaler und zu der Temperatur proportionaler Strom aus dem Spannungsteilerknoten entnommen wird, und
die Bezugsspannung bezogen auf die Temperatur einen ne gativen Temperaturkoeffizienten aufweist.

3. Bezugsspannungs-Generatorschaltung nach Anspruch 1, wo bei die Konstantstromquelle (2) umfaßt:
eine Stromspiegelschaltung (Q₁₃, Q₁₄, Q₁₅), umfassend einen ersten Strompfad und einen zweiten Strompfad, welche durch eine Verbindung mit einem der Konstantspannungsversor gungs-Ausgangsanschlüsse gebildet werden, um den durch den ersten Strompfad fließenden Strom und den durch den zweiten Strompfad fließenden Strom auf Gleichheit zu steuern,
einen ersten Transistor (Q₁₀), der zwischen dem ersten Strompfad der Stromspiegelschaltung und dem Spannungsteiler knoten verschaltet ist,
einen zweiten Transistor (Q₁₁), dessen Kollektor mit dem zweiten Strompfad verbunden ist, und einen Widerstand (R₉), der zwischen dem Emitter des zweiten Transistors und dem Spannungsteilerknoten verschaltet ist,
wobei ein zu dem Wert des Widerstands umgekehrt propor tionaler und zu dem Temperaturfluß proportionaler Strom in den Spannungsteilerknoten hineinfließt, und
die Bezugsspannung bezogen auf die Temperatur einen po sitiven Temperaturkoeffizienten aufweist.

4. Bezugsspannungs-Generatorschaltung zum Erzeugen einer Bezugsspannung mit negativem Temperaturkoeffizienten bezogen auf die Temperatur mit
einer Konstantspannungsversorgung (1) zum Ausgeben einer konstanten Spannung,
einer Vielzahl von Spannungsteilerschaltungen (R_{1 - 1} bis R_{1 - m}, R_{2 - 1} bis R_{2 - m}), die zwischen den Ausgangsspannungsan schlüssen der Konstantspannungsversorgung verschaltet sind, und
einer Konstantstromquelle (6), wobei die Konstantstrom quelle umfaßt:
eine Stromspiegelschaltung (Q₂₃, Q₂₄, R₂₁, R₂₂), umfas send einen ersten Strompfad und einen zweiten Strompfad, wel che durch eine Verbindung mit einem der Konstantspannungsver sorgungs-Ausgangsanschlüsse gebildet werden, um den durch den ersten Strompfad fließenden Strom und den durch den zweiten Strompfad fließenden Strom auf Gleichheit zu steuern,
einen ersten Transistor (Q₂₀), dessen Emitter mit dem anderen Ausgangsanschluß der Konstantspannungsversorgung verschaltet ist,
einen zweiten Transistor (Q₂₁), dessen Basis mit der Basis und dem Kollektor des ersten Transistors verbunden ist,
einen ersten Widerstand (R₂₃), der zwischen dem Emitter des zweiten Transistors und dem anderen Ausgangs anschluß verschaltet ist, einen dritten Transistor (Q₂₂), dessen Kollektor mit dem ersten Strompfad verbunden ist und bei dem ein zwei ter Widerstand (R₂₄) zwischen dem Emitter und dem anderen Ausgangsanschluß verschaltet ist,
einen vierten Transistor (Q₂₈), dessen Kollektor mit dem zweiten Strompfad und dessen Emitter mit dem anderen Ausgangsanschluß verbunden ist,
einen fünften Transistor (Q₂₅), dessen Basis mit dem Kollektor des vierten Transistors, dessen Emitter mit der Basis des dritten Transistors und dessen Kollektor mit einem der Ausgangsanschlüsse verbunden ist,
einen dritten Widerstand, der zwischen dem Emitter des fünften Transistors und dem Kollektor des ersten Transistors verschaltet ist,
einen vierten Widerstand, der zwischen dem Emitter des fünften Transistors und dem Kollektor des zweiten Transistors verschaltet ist, und
sechste Transistoren (Q₃₁ bis Q_3m), deren Basen je weils mit dem Emitter des fünften Transistors, deren Emitter mit dem anderen Ausgangsanschluß und deren Kol lektoren mit jedem Spannungsteilerknoten der Widerstands- Spannungsteilerknoten verbunden sind,
wobei ein zu dem Wert des ersten Widerstands umge kehrt proportionaler und zu der Temperatur proportionaler Strom aus dem Spannungsteilerknoten entnommen wird.

5. Bezugsspannungs-Generatorschaltung nach Anspruch 4, wobei der Emitter des fünften Transistors eine Normspan nung bereitstellt, deren Temperaturcharakteristik Null ist.

6. Bezugsspannungs-Generatorschaltung nach Anspruch 5, bei der die Konstantspannungsversorgung (1) umfaßt:
einen Operationsverstärker (5) und
einen Rückkopplungswiderstand (R₃₁), der mit dem Ausgang des Operationsverstärkers verbunden ist, um die Änderung an diesem Ausgang zu der Eingangsseite des Ope rationsverstärkers zurückzukoppeln,
wobei die Konstantstromquelle und die Spannungstei lerschaltungen mit dem Ausgang des Operationsverstärkers verbunden sind, und
die durch die Konstantstromquelle abgegebene Norm spannung mit dem Eingang des Operationsverstärkers ver bunden wird.

7. Bezugsspannungs-Generatorschaltung nach Anspruch 1 oder 6, wobei die Konstantstromquelle als integrierte Schaltung ausgeführt ist.