DE19545160C2 - Bezugsspannungs-Generatorschaltung - Google Patents

Bezugsspannungs-Generatorschaltung

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Description

Die Erfindung betrifft eine Bezugsspannungs-Generatorschaltung.
Ladevorrichtungen zum Laden von Batterien umfassen im allgemeinen einen intern angeordneten Bezugsspannungs­ generator zum Vergleichen der Batteriespannung mit der durch die Bezugsspannungs-Generatorschaltung ausgegebe­ nen Bezugsspannung und zum Steuern des Batterie-Lade­ vorgangs in Übereinstimmung mit dem erfaßten Spannungs­ unterschied. Da die optimale Ladespannung in Abhängig­ keit von der Temperatur schwankt, wird die Bezugsspan­ nungs-Generatorschaltung mit einer Ausgangs-Temperatur­ charakteristik versehen, welche mit der Batterie-Cha­ rakteristik übereinstimmt, um eine optimale Steuerung in Ladevorrichtungen zu erzielen, die eine konstante Korrelation zwischen der Umgebungstemperatur und der Batterie aufrecht erhalten.
Die DE 43 34 918 A1 offenbart eine Be­ zugsspannungs-Generatorschaltung, die eine sich bezogen auf die Temperatur linear ändernde Bezugsspannung erzeugt. Die Bezugsspannungs-Generatorschaltung gemäß dieser Offenlegungs­ schrift eine Konstantstromquelle und einen Widerstand auf, die zwischen den Ausgangsanschlüssen einer Spannungsversor­ gung in Reihe geschaltet sind. Die Bezugsspannung wird dabei von dem Teilerknoten zwischen dem Widerstand und der Kon­ stantstromquelle abgegeben.
Ein weiteres Beispiel einer bekannten Bezugsspannungs-Generator­ schaltung ist in Fig. 6 gezeigt. Diese Bezugsspannungs- Generatorschaltung umfaßt Widerstände R51 und R52, n Dioden D1 - Dn (worin n eine Ganzzahl ist), und Wider­ stände R53, die in dieser Reihenfolge seriell zwischen der Konstantspannungsversorgung 1, die eine Spannung mit kleiner temperaturabhängiger Schwankung abgibt, und der Masse verschaltet sind, und gibt die zwischen der Masse und dem mit dem Knotenpunkt zwischen dem Wider­ stand R51 und dem Widerstand R52 verbundenen Ausgangs­ anschluß 3 entstehende Bezugsspannung VO ab.
Die Bezugsspannung VO kann durch Gleichung (1) ausge­ drückt werden, in welcher die Spannung der Konstant­ spannungsversorgung 1 durch VCC, die Vorwärtsspannung der Dioden D1 - Dn durch VF und der durch die Wider­ stände R51 und R53, die n Dioden D1 - Dn (n ist eine Ganzzahl) und den Widerstand R51 fließende Strom durch I50 angegeben sind.
VO = VCC - I50 × R51
= (R52 + R53)VCC/(R51 + R52 + R53
+ nR51VF/(R51 + R52 + R53) [V] (1)
Die Temperaturcharakteristik ∂VO/∂T der Bezugsspannung VO bezogen auf die absolute Temperatur T kann durch die von der Gleichung (1) abgeleitete Gleichung (2) ausge­ drückt werden, wenn angenommen wird, daß die Spannung VCC der Konstantspannungsversorgung 1 keine Temperatur­ abhängigkeit zeigt.
∂VO/∂T = nR51/(R51 + R52 +R53) × ∂VF/∂T [V/°C] (2)
Aus Gleichung (2) ist bekannt, daß die Temperaturcha­ rakteristik (∂VO/∂T) der Bezugsspannung VO durch die n Dioden D1 - Dn, die Widerstände R51, R52 und R53 sowie (∂VO/∂T) bestimmt wird. Es ist daher möglich, aus der Gleichung (2) verschiedene Kombinationen der n Dioden D1 - Dn und Widerstände R51, R52 und R53 zu erhalten, wenn die Spannung VCC fest und der Wert der Bezugsspan­ nung VO festgelegt ist, und die Temperaturcharakteri­ stik (∂VO/∂T) kann für diese Anzahl von Kombinationen erhalten werden.
Die Anzahl n von Dioden D1 - Dn jedoch ist ein diskre­ ter Ganzzahlen- bzw. Integerwert. Es ist daher nicht möglich, mittels der vorstehend beschriebenen Bezugs­ spannungs-Generatorschaltung eine beliebige Tempera­ turcharakteristik einzustellen.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Bezugsspannungs-Generatorschaltung zum Erzeugen einer Bezugsspannung bereitzustellen, welche sich bezo­ gen auf die Temperatur linear ändert.
Darüberhinaus soll die Bezugsspannung einen negativen oder einen positiven Temperaturkoeffizienten aufweisen.
Weiterhin sollen eine Vielzahl von Bezugsspannungen erzeugt werden, wobei jede sich bezogen auf die Temperatur linear än­ dert.
Überdies soll zusätzlich zu einer Bezugsspannung mit einer gewünschten Temperaturcharakteristik und einer auf die Tempe­ ratur bezogenen linearen Änderung eine Normspannung erzeugt werden, deren Temperaturcharakteristik gleich Null ist.
Schließlich soll durch Kombination mit einem Operationsver­ stärker eine Vielzahl von Bezugsspannungen mit gewünschten Temperaturcharakteristiken erzeugt werden.
Die vorstehend genannte Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine in Patentanspruch 1 dargelegte Bezugsspannungs- Generatorschaltung gelöst. Weitere Ausgestaltungen sind in den Unteransprüchen angegeben. Eine Bezugsspannungs-Generatorschaltung zum Erzeugen einer Bezugsspannung mit negativen Temperaturkoeffizienten ist in dem nebengeordneten Anspruch 4 angegeben.
Somit ist in einer erfindungsgemäßen Bezugsspannungs- Generatorschaltung eine Konstantstromquelle, bei wel­ cher sich der in einen Spannungsteilerknoten hinein oder aus diesem heraus fließende Strom linear mit einem gewünschten Temperaturkoeffizienten ändert, mit dem Spannungsteilerknoten der Spannungsteilerschaltung ver­ bunden, die zwischen den Ausgangsanschlüssen einer eine konstante Spannung abgebenden Konstantspannungsversor­ gung verschaltet ist, so daß die Bezugsspannung an dem Spannungsteilerknoten abgegeben wird.
Bevorzugt wird die Bezugsspannung derart gesteuert, daß sie sich mit der Temperatur mit einem negativen Tempe­ raturkoeffizienten ändert.
Bevorzugt wird die Konstantstromquelle als integrierte Schaltung ausgeführt.
Bevorzugt umfaßt diese ferner einen Stromspiegelschalt­ kreis, welcher den durch den ersten Strompfad fließen­ den Strom und den durch den zweiten Strompfad fließen­ den Strom auf einen gleichen Wert steuert, einen ersten Transistor und einen zweiten Transistor, die mit dem ersten Strompfad bzw. dem zweiten Strompfad des Strom­ spiegelschaltkreises verbunden sind, und es wird ein Strom von dem Spannungsteilerknoten des Spannungstei­ lerschaltkreises abgegeben, der umgekehrt proportional zu dem Wert des mit dem Emitter des ersten Transistors verbundenen Widerstands und proportional zu der Tempe­ ratur ist.
Bevorzugt wird die Bezugsspannung derart gesteuert, daß sie sich mit der Temperatur mit einem positiven Tempe­ raturkoeffizienten ändert.
Bevorzugt ist ferner ein Stromspiegelschaltkreis vorge­ sehen, welcher den durch den ersten Strompfad fließen­ den Strom und den durch den zweiten Strompfad fließen­ den Strom auf einen gleichen Wert steuert, einen ersten Transistor und einen zweiten Transistor, die mit dem ersten Strompfad bzw. dem zweiten Strompfad des Strom­ spiegelschaltkreises verbunden sind, und es wird ein Strom in den Spannungsteilerknoten des Spannungsteiler­ schaltkreises eingeleitet, der umgekehrt proportional zu dem Wert des mit dem Emitter des zweiten Transistors verbundenen Widerstands und proportional zu der Tempe­ ratur ist.
Eine erfindungsgemäße Bezugsspannungs-Generatorschal­ tung kann ferner umfassen (Anspruch 4): eine Vielzahl von Spannungs­ teilerschaltkreisen; einen Stromspiegelschaltkreis, der den durch den ersten Strompfad fließenden Strom und den durch den zweiten Strompfad fließenden Strom auf einen gleichen Wert steuert; einen ersten Transistor, dessen Emitter mit dem anderen Ausgangsanschluß der Konstant­ spannungsversorgung verbunden ist; einen zweiten Tran­ sistor, dessen Basis mit der Basis und dem Kollektor des ersten Transistors verbunden ist; einen ersten, zwischen dem Emitter des zweiten Transistors und dem anderen Ausgangsanschluß der Konstantspannungsversor­ gung verbundenen Widerstand; einen dritten und einen vierten Transistor; einen fünften Transistor, dessen Basis mit dem Kollektor des vierten Transistors verbun­ den ist, dessen Emitter mit der Basis des dritten Tran­ sistors verbunden ist, und dessen Kollektor mit einem der Ausgangsanschlüsse der Konstantspannungsversorgung verbunden ist; und Stromentnahmetransistoren, deren Ba­ sis jeweils mit dem Emitter des fünften Transistors und deren Kollektor jeweils mit jedem Spannungsteilerknoten der Spannungsteilerschaltkreise verbunden ist; so daß ein zu dem Wert des ersten Widerstands umgekehrt pro­ portionaler und zu der Temperatur proportionaler aus dem Spannungsteilerknoten erhalten wird.
Bevorzugt kann die Bezugsspannungs-Generatorschaltung darüber hinaus eine Normspannung aus dem Emitter des fünften Transistors erzeugen, deren Temperaturcharakte­ ristik Null ist.
Bevorzugt kann die Bezugsspannungs-Generatorschaltung darüber hinaus die Konstantstromquelle und die Vielzahl von Spannungsteilerschaltkeis-Gruppen mit dem Ausgang eines Operationsverstärkers verbinden und den Normspan­ nungsversorgungsausgang der Konstantstromquelle mit dem Operationsverstärker verbinden.
Bevorzugt wird die Bezugsspannungs-Generatorschaltung als integrierte Schaltung ausgeführt.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungs­ beispielen unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeich­ nung näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 eine Darstellung einer Bezugsspannungs-Genera­ torschaltung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel;
Fig. 2 ein Schaltbild einer Bezugsspannungs-Generator­ schaltung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel, wel­ che eine Bezugsspannung mit einer negativen Tempera­ turcharakteristik erzeugt;
Fig. 3 ein Schaltbild einer Bezugsspannungs-Generator­ schaltung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel, wel­ che eine Bezugsspannung mit einer positiven bzw. nega­ tiven Temperaturcharakteristik erzeugt;
Fig. 4 ein Schaltbild der in einer Bezugsspannungs- Generatorschaltung gemäß einem vierten Ausführungsbei­ spiel verwendeten Konstantstromquelle; und
Fig. 5 ein Schaltbild der Bezugsspannungs-Generator­ schaltung gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel, welche die in Fig. 3 gezeigte Konstantstromquelle umfaßt zum Erzeugen einer Vielzahl von Bezugsspannungen.
Fig. 6 ein Schaltbild einer herkömmlichen Bezugsspan­ nungs-Generatorschaltung;
Fig. 1 zeigt eine Bezugsspannungs-Generatorschaltung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel. Wie in Fig. 1 gezeigt, sind Widerstände R1 und R2 die einen Span­ nungsteilerschaltkreis bilden, seriell zwischen der Masse und einer eine konstante Spannung VCC abgebenden Konstantspannungsversorgung 1 verschaltet. Eine Kon­ stantstromquelle 2 ist zwischen der Masse und dem Span­ nungsteilerknoten, welcher die Verbindung zwischen den Widerständen R1 und R2 bildet, verschaltet. Die Kon­ stantstromquelle 2 ändert mit einer gewünschten Tempe­ raturcharakteristik linear den Pegel eines aus dem Spannungsteilerknoten fließenden Stroms I1. Ein Aus­ gangsanschluß 3 ist ebenfalls mit dem Spannungsteiler­ knoten verbunden, und eine Bezugsspannung VO wird zwi­ schen dem Ausgangsanschluß 3 und der Masse abgegeben.
Ist VCC die Spannung der Konstantspannungsversorgung 1, IR1 der durch den Widerstand R1 fließende Strom, I1 der durch die Konstantstromquelle 2 in den Spannungsteiler­ knoten eingeleitete oder aus diesem herausfließende Strom, IR2 der durch den Widerstand R2 fließende Strom, und VO die an bzw. zwischen dem Ausgangsanschluß 3 und der Masse abgegebene Bezugsspannung, dann gilt:
IR1 = I1 + IR2, VCC = IR1R1 + IR2R2 und VO = IR2R2.
Werden IR1 und IR2 aus diesen drei Gleichungen elimi­ niert, wird die nachstehende Gleichung (3) erhalten:
VO = R2VCC/(R1 + R2) - R1R2I1/(R1 + R2) (3)
Die durch Gleichung (4) ausgedrückte Temperaturcharak­ teristik (∂VO/∂T) wird aus der Gleichung (3) erhalten:
(∂VO/∂T) = -R1R2/(R2 + R3) × (∂I1/∂T) (4)
Wie vorstehend beschrieben wurde kann, da die Konstant­ stromquelle 2 mit einem bestimmten Wert die Tempera­ turcharakteristik (∂I1/∂T) des zu dem Spannungsteiler­ knoten hin oder von diesem weg fließenden Stroms I1 va­ riiert, der Temperaturkoeffizient der an dem Ausgangs­ anschluß 3 abgegebenen Bezugsspannung VO ebenfalls li­ near mit einem gewünschten Temperaturkoeffizienten va­ riiert werden, wie durch Gleichung (4) gezeigt.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel einer Bezugsspannungs- Generatorschaltung ist in Fig. 2 gezeigt. Es sei ange­ merkt, daß gleiche Teile in den Fig. 1 und 2 mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind und daher deren erneute Beschreibung im folgenden entfällt. In der in Fig. 2 gezeigten Bezugsspannungs-Generatorschaltung ist die Konstantstromquelle 2 eine integrierte Schaltung, welche Widerstände R3 bis R8 sowie Bipolar-Transistoren (zur Vereinfachung nachstehend in Kurzform als "Tran­ sistoren" bezeichnet) Q1 bis Q9 umfaßt. Darüber hinaus bilden die Widerstände R7 und R8 und die pnp-Transisto­ ren Q4 bis Q7 eine Stromspiegelschaltung, welche derart angeordnet ist, daß der zu dem Kollektor des pnp-Tran­ sistors Q6 (erster Strompfad) fließende Strom I2 und der zu dem Kollektor des pnp-Transistors Q7 (zweiter Strompfad) fließende Strom I3 immer gleich sind (I2 = I3), auch wenn sich die Spannung VCC der Kon­ stantspannungsversorgung 1 ändert.
Der Widerstand R7 ist zwischen dem Emitter des Transi­ stors Q4 und der Konstantspannungsversorgung 1 ver­ schaltet. Der Kollektor des Transistors Q4 ist mit dem Emitter des Transistors Q6 verbunden, und der Kollektor des Transistors Q6 ist mit dem Kollektor des Transi­ stors Q2 verbunden.
Der Widerstand R8 ist zwischen dem Emitter des Transi­ stors Q5 und der Konstantspannungsversorgung 1 ver­ schaltet. Der Kollektor des Transistors Q5 ist mit dem Emitter des Transistors Q7 verbunden, und der Kollektor des Transistors Q7 ist mit dem Kollektor des Transi­ stors Q3 verbunden.
Der Kollektor des Transistors Q4 ist ebenfalls mit der Basis des Transistors Q4 und der Basis des Transistors Q5 verbunden, und der Kollektor des Transistors Q7 ist ebenfalls mit der Basis des Transistors Q6 und der Ba­ sis des Transistors Q7 verbunden.
Der Emitter des Transistors Q2 ist direkt mit der Masse verbunden. Der Widerstand R4 ist zwischen dem Emitter des Transistors Q3 und der Masse verschaltet. Die Basen der Transistoren Q2, Q3 und Q9 sind alle mit dem Emit­ ter des Transistors Q1 verbunden. Der Widerstand R5 ist zwischen dem Emitter des Transistors Q1 und der Masse verschaltet. Der Transistor Q1 kompensiert den Basiss­ trom der Transistoren Q2 und Q3, um die Genauigkeit der Konstantstromerzeugung durch diese Transistoren Q2 und Q3 zu verbessern.
Die Basis des Transistors Q8 ist ebenfalls mit dem Kol­ lektor des Transistors Q3 verbunden. Der Transistor Q8 bildet eine Schaltung zum Aktivieren der Konstantstrom­ quelle 2, wobei der Kollektor des Transistors Q8 mit der Konstantspannungsversorgung 1 verbunden ist und ein Wi­ derstand R6 zwischen dem Emitter desselben und der Mas­ se verschaltet ist. Ein Widerstand R3 ist zwischen dem Emitter des Transistors Q9 und der Masse verschaltet, und der Kollektor des Transistors Q9 ist mit dem Knoten (Spannungsteilerknoten) zwischen dem Widerstand R1 und dem Widerstand R2 verschaltet. Der Transistor Q9 und der Widerstand R3 sind Teil der integrierten Schaltung und besitzen dieselbe Transistorgröße bzw. -Dimension und denselben Widerstand wie der Transistor Q3 und der Widerstand R4.
Bei der in Fig. 2 gezeigten Bezugsspannungs-Generator­ schaltung kann die zwischen der Masse und dem Ausgangs­ anschluß 3 abgegebene Bezugsspannung VO wie folgt er­ halten werden. Die nachstehend gezeigte Gleichung (5) wird aufgestellt, worin VBE2 die Spannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors Q2, VBE3 die Spannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transi­ stors Q4 und VR4 der Spannungsabfall im Widerstand R4 sind.
VBE2 = VBE3 + VR4 (5)
Wenn das Emittergrößenverhältnis der Transistoren Q2 und Q3 1 : N beträgt, der Sättigungsstrom des Transistors Q2 gleich IS ist und VT = kT/q gilt (worin q die Elek­ tronenladung, k die Boltzmann-Konstante und T die abso­ lute Temperatur sind), so wird die Basis-Emitter- Spannung VBE2 des Transistors Q2 auf der Grundlage der Gleichung von Shockley als VBE2 = VTln(I2/IS) ausge­ drückt, und die Basis-Emitter-Spannung VBE3 des Transi­ stors Q3 wird VBE3 = VTln(I3/NIS) ausgedrückt. Durch Substituieren dieser Werte in Gleichung (5) folgt auf­ grund von I2 = I3 die nachstehende Gleichung (6).
VR4 = VTln(N) (6)
Ausgehend von Gleichung (6) kann I2 = I3 durch die nachstehende Gleichung (7) ausgedrückt werden.
I2 = I3 = VR4/R4
= (VT/R4)ln(N) (7)
Aufgrund von VT = kT/q ist VT proportional zu der abso­ luten Temperatur T, und die Ströme I2 und I3 sind auf der Grundlage der Gleichung (7) demzufolge ebenfalls proportional zu der absoluten Temperatur T. Da der Transistor Q9 und der Widerstand R3 in der integrierten Schaltung dieselbe Transistorgröße und denselben Wider­ stand besitzen wir der Transistor Q3 und der Widerstand R4, folgt der Kollektorstrom I1 des Transistors Q9 dem Zusammenhang I1 = I2 = I3, ist proportional zu der ab­ soluten Temperatur T und wird durch die nachstehende Gleichung (8) ausgedrückt.
I1 = VR4/R4
= (VT/R4)ln(N)
= (kT/qR4)ln(N) (8)
Ausgehend von Gleichung (8) kann die an dem Ausgangsan­ schluß 3 der in Fig. 2 gezeigten Bezugsspannungs- Generatorschaltung abgegebene Bezugsspannung VO durch die nachstehende Gleichung (9) ausgedrückt werden.
VO = R2VCC/(R1 + R2) - R1R2I1/(R1 + R2)
= R2VCC/(R1 + R2) - (kT/qR4)ln(N)R1R2/(R1 + R2) (9)
Infolgedessen kann die Temperaturcharakteristik (∂VO/∂T) der an dem Ausgangsanschluß 3 abgegebenen Be­ zugsspannung VO durch die nachstehende Gleichung (10) ausgedrückt werden.
(∂VO/∂T) = -(k/qR4)ln(N)R1R2/(R1 + R2) (=konstant) (10)
Wie durch Gleichung (10) gezeigt, ist die Temperatur­ charakteristik (∂VO/∂T) der Bezugsspannung VO umgekehrt proportional zu dem Widerstand R4, und die Bezugsspan­ nung VO ändert sich mit der absoluten Temperatur T li­ near mit einem negativen Temperaturkoeffizienten. Somit kann die Bezugsspannung VO durch Auswahl des Wider­ stands R4 bezüglich der Temperatur mit einem gewünsch­ ten negativen Temperaturkoeffizienten variiert werden.
Es sei angemerkt, daß in dem vorstehenden Ausführungs­ beispiel eine auf identische Art und Weise wie die vor­ stehend beschriebene Bezugsspannungs-Generatorschaltung arbeitende Bezugsspannungs-Generatorschaltung durch Kurzschließen des in Fig. 1 zwischen der Masse und dem Emitter des Transistors Q9 verschalteten Widerstands R3 und durch Dimensionieren des Transistors Q9 auf die Größe des Transistors Q2 erhalten werden kann.
Ein drittes Ausführungsbeispiel einer Bezugsspannungs- Generatorschaltung ist in Fig. 3 gezeigt. Es sei ange­ merkt, daß gleiche Teile in den Fig. 1 und 3 mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind und daher deren erneute Beschreibung im folgenden entfällt.
In der Bezugsspannungs-Generatorschaltung ist die Kon­ stantstromquelle 2 eine integrierte Schaltung, welche Widerstände R9 und R10, npn-Transistoren Q10, Q11 und Q12 sowie pnp-Transistoren Q13, Q14 und Q15 umfaßt. Die Transistoren Q13, Q14, und Q15 bilden eine Stromspiegel­ schaltung derart, daß der zu dem Kollektor des Transi­ stor Q10 fließende Strom I4 und der zu dem Kollektor des Transistor Q11 fließende Strom I5 immer gleich sind (I4 = I5), auch wenn sich die Spannung VCC der Kon­ stantspannungsversorgung 1 ändert. Darüber hinaus bil­ den der Widerstand R10 und der Transistor Q12 eine Starterschaltung zum Aktivieren der Stromspiegelschal­ tung. Der Emitter des Transistors Q13 ist mit der Kon­ stantspannungsversorgung 1 verbunden, und der Kollektor desselben ist mit dem Kollektor des Transistors Q10 verbunden. Der Emitter des Transistors Q13 ist mit der Konstantspannungsversorgung 1 verbunden, und der Kol­ lektor desselben ist mit dem Kollektor des Transistors Q11, verbunden. Die Basis des Transistors Q14 und die Basis des Transistors Q14 sind gegenseitig verbunden, und der Kollektor des Transistors Q10 ist mit der Basis des Transistors Q10 und der Basis des Transistors Q11 verbunden. Der Emitter des Transistors Q15 ist mit der Basis beider der Transistoren Q13 und Q14 verbunden, die Basis des Transistors Q15 ist mit dem Kollektor des Transistors Q14 verbunden, und der Kollektor des Tran­ sistors Q15 ist mit der Masse verbunden. Darüber hinaus ist der Widerstand R10 zwischen der Masse und dem Emit­ ter des Transistors Q12 verschaltet, die Basis des Transistors Q12 ist mit dem Emitter des Transistors Q15 verbunden, und der Kollektor des Transistors Q12 ist mit der Konstantspannungsversorgung 1 verbunden.
Der Emitter des Transistors Q10 ist mit dem Spannungs­ teilerknoten der Widerstände R1 und R2 verbunden, die die Spannungsteilerschaltung bilden. Der Widerstand R9 ist ebenfalls zwischen dem Spannungsteilerknoten und dem Emitter des Transistors Q11 verschaltet.
Bei der in Fig. 3 gezeigten Bezugsspannungs-Generator­ schaltung kann die zwischen der Masse und dem Ausgangs­ anschluß 3 abgegebene Bezugsspannung VO wie folgt er­ halten werden. Die nachstehend gezeigte Gleichung (11) wird aufgestellt, worin VBE10 die Spannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors Q10, VBE11 die Spannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transi­ stors Q11 und VR9 der Spannungsabfall im Widerstand R9 sind.
VBE10 = VBE11 + VR9 (11)
Wenn das Emittergrößenverhältnis der Transistoren Q10 und Q11 1 : N beträgt, der Sättigungsstrom des Transi­ stors Q10 gleich IS ist und VT = kT/q gilt (worin q die Elektronenladung, k die Boltzmann-Konstante und T die absolute Temperatur sind), so wird die Basis-Emitter- Spannung VBE10 des Transistors Q10 auf der Grundlage der Gleichung von Shockley als VBE10 = Vtln(I4/IS) aus­ gedrückt, und die Basis-Emitter-Spannung VBE11 des Transistors Q11 wird als VBE11 = Vtln(I11/NIS) ausge­ drückt. Durch Substituieren dieser Werte in Gleichung (11) folgt aufgrund von I4 = I5 die nachstehende Glei­ chung (12).
VR9 = VTln(N) (12)
Ausgehend von Gleichung (12) kann I4 = I5 durch die nachstehende Gleichung (13) ausgedrückt werden.
I4 = I5 = VR9/R9
= (VT/R9)ln(N) (13)
Da jedoch der an dem Spannungsteilerknoten der Wider­ stände R1 und R2 zugeführte Strom I1 die Summe der Ströme I4 und I5 ist, I1 = -(I4 + I5), kann der Strom I1 auf der Grundlage der Gleichung (13) durch die Glei­ chung (14) ausgedrückt werden.
I1 = -2(VT/R9)ln(N) (14)
Ausgehend von Gleichung (14) kann die an dem Ausgangs­ anschluß 3 der Bezugsspannungs-Generatorschaltung gemäß Fig. 3 abgegebene Bezugsspannung VO durch die nachste­ hende Gleichung (15) ausgedrückt werden.
VO = R2VCC/(R1 + R2) - R1R2I1/(R1 + R2)
= R2VCC/(R1 + R2) + 2(kT/QR4)ln(N)R1R2/(R1 + R2) (15)
Daher kann die Temperaturcharakteristik (∂VO/∂T) der an dem Ausgangsanschluß 3 abgegebenen Bezugsspannung VO durch die nachstehende Gleichung (16) ausgedrückt wer­ den.
(∂VO/∂T) = 2(k/qR4)ln(N)R1R2/(R1 + R2) (=konstant) (16)
Wie durch Gleichung (16) gezeigt, ist die Temperatur­ charakteristik (∂VO/∂T) der Bezugsspannung VO umgekehrt proportional zu dem Widerstand R4 und die Bezugsspan­ nung VO ändert sich mit der absoluten Temperatur T li­ near mit einem positiven Temperaturkoeffizienten. Somit kann die Bezugsspannung VO durch Auswahl des Wider­ stands R4 bezüglich der Temperatur mit einem gewünsch­ ten positiven Temperaturkoeffizienten variiert werden.
Ein viertes Ausführungsbeispiel einer Bezugsspannungs- Generatorschaltung ist in den Fig. 4 und 5 gezeigt. Dieses Ausführungsbeispiel ist eine Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer Vielzahl von Bezugsspannungen. Fig. 4 zeigt die integrierte Konstantstromversorgungsschal­ tung 6 zum Erzeugen konstanter Ströme I41 bis I4m, und Fig. 5 zeigt im einzelnen die Schaltungsanordnung einer die Konstantstromversorgungsschaltung 6 umfassenden Be­ zugsspannungs-Generatorschaltung. Die Konstantstromver­ sorgungsschaltung 6 gemäß Fig. 4 umfaßt Widerstände R20 bis R26, Widerstände R31 bis R3m, Transistoren Q20 bis Q28 und Transistoren Q31 bis Q3m. Die Transistoren Q23 und Q24 und die Widerstände R21 und R22 bilden eine Stromspiegelschaltung derart, daß der Kollektorstrom des Transistors Q22 und der Kollektorstrom des Transi­ stors Q28 immer gleich sind, auch wenn sich die Span­ nung VCC der Konstantspannungsversorgung 1 ändert. Dar­ über hinaus behalten die Widerstände R24 und R25 ein konstantes Verhältnis zwischen Kollektorströmen der Transistoren Q26 und Q27 bei. Der Widerstand R21 ist zwischen dem Emitter des Transistors Q23 und der Kon­ stantspannungsversorgung 1 verschaltet. Der Kollektor des Transistors Q23 und der Kollektor des Transistors Q22 sind gegenseitig verbunden, und der Widerstand R23 ist zwischen der Masse und dem Emitter des Transistors Q22 verschaltet. Der Widerstand R22 ist zwischen dem Emitter des Transistors Q24 und der Konstantspannungs­ versorgung 1 verschaltet. Der Kollektor des Transistors Q24 und der Kollektor des Transistors Q28 sind gegen­ seitig verbunden, und der Emitter des Transistors Q28 ist mit der Masse verbunden. Der Kollektor des Transi­ stors Q22 ist mit der Basis des Transistors Q23 und mit der Basis des Transistors Q24 verbunden.
Die Basis des Transistors Q25 ist mit dem Kollektor des Transistors Q24 verbunden, und der Kollektor des Tran­ sistors Q25 ist mit der Konstantspannungsversorgung 1 verbunden. Der Emitter des Transistors Q25 ist mit der Basis des Transistors Q22 und mit den Basen der Transi­ storen Q31 bis Q3m verbunden. Der Emitter des Transi­ stors Q26 ist mit der Masse verbunden, und der Wider­ stand R24 ist zwischen dem Kollektor des Transistors Q26 und dem Emitter des Transistors Q25 verschaltet. Der Widerstand R26 ist zwischen der Masse und dem Emit­ ter des Transistors Q27 verschaltet, und der Widerstand R25 ist zwischen dem Kollektor des Transistors Q27 und dem Emitter des Transistors Q26 verschaltet. Der Kol­ lektor und der Emitter des Transistors Q26 sind mitein­ ander verbunden. Die Basis des Transistors Q20 und die Basis des Transistors Q21 sind miteinander verbunden. Die Basis und der Kollektor des Transistors Q20 sind miteinander verbunden, der Emitter desselben ist mit der Masse verbunden, und der Widerstand R20 ist zwi­ schen dem Kollektor des Transistors Q20 und der Kon­ stantspannungsversorgung 1 verschaltet. Der Emitter des Transistors Q21 ist mit dem Emitter des Transistors Q22 verbunden, und der Kollektor desselben ist mit dem Kol­ lektor des Transistors Q22 verbunden.
Die Basis jedes der Transistoren Q31 bis Q3m ist mit dem Emitter des Transistors Q25 verbunden, und die Wi­ derstände R31 bis R3m sind jeweils zwischen der Masse und dem Emitter jedes der Transistoren Q31 bis Q3m ver­ schaltet. Der Bezugsspannungs-Ausgangsanschluß 7, an welchem die Bezugsspannung VREF ausgegeben wird, ist mit dem Emitter des Transistors Q25 verbunden.
Bei der Bezugsspannungs-Generatorschaltung gemäß Fig. 4 können die zu den entsprechenden Kollektoren der Tran­ sistoren Q31 bis Q3m fließenden Ströme I41 bis I4m wie nachstehend beschrieben erhalten werden. Da das Kollek­ torstromverhältnis der Transistoren Q26 und Q27 wie be­ reits beschrieben durch die Widerstände R24 und R25 be­ stimmt wird, werden der Kollektorstrom I6 des Transi­ stors Q26 und der Kollektorstrom I7 des Transistors Q27 gleich, falls der Basisstrom des Transistors Q28 igno­ riert wird, wenn die Werte der Widerstände R24 und R25 gleich sind.
Es ergibt sich die nachstehend gezeigte Gleichung (17), in welcher VBE26 die Spannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors Q27 und VR26 der Spannungs­ abfall an dem Widerstand R26 der Schaltung gemäß Fig. 4 ist.
VBE26 = VBE27 + VR26 (17)
Wenn das Emittergrößenverhältnis der Transistoren Q26 und Q27 1 : N beträgt, der Sättigungsstrom des Transi­ stors Q26 gleich IS ist und VT = kT/q gilt (worin q die Elektronenladung, k die Boltzmann-Konstante und T die absolute Temperatur sind), so wird die Basis-Emitter- Spannung VBE26 des Transistors Q26 auf der Grundlage der Gleichung von Shockley als VBE26 = Vtln(I6/IS) aus­ gedrückt, und die Basis-Emitter-Spannung VBE27 des Transistors Q27 wird VBE27 = Vtln(I7/NIS) ausgedrückt. Durch Substituieren dieser Werte in Gleichung (17) folgt aufgrund von I6 = I7 die nachstehende Gleichung (18).
VR26 = VTln(N) (18)
Ausgehend von Gleichung (18) kann I6 = I7 durch die nachstehende Gleichung (19) ausgedrückt werden.
I6 = I7 = VR26/R26
= (VT/R26)ln(N) (19)
Aufgrund von VT = kT/q ist VT proportional zu der abso­ luten Temperatur T, und die Ströme I6 und I7 sind auf der Grundlage der Gleichung (18) demzufolge ebenfalls proportional zu der absoluten Temperatur T. Falls der Transistor Q22 und der Widerstand R23, gleich wie der Transistor Q26 und der Widerstand R24 ausgebildet wer­ den, wird die Stromzufuhr in den Transistor Q22 gleich dem vorstehend beschriebenen Strom I6 werden. Falls hierzu vergleichbar die Transistoren Q31 bis Q3m und die Widerstände R31 bis R3m ebenfalls gleich ausgebil­ det werden wie der Transistor Q26 und der Widerstand R24, wird I41 = ... I4m = I6. Es ist daher bekannt, daß die Ströme I41 bis I4m ebenfalls proportional zu der absoluten Temperatur T variieren.
Die an dem Bezugsspannungs-Ausgangsanschluß 7 abgegebe­ ne Bezugsspannung VREF (in Form von VBG ausgedrückt) ist die Summe des Basis-Emitter-Vorwärtsspannungsab­ falls V des Transistors Q28 und dem Spannungsabfall an dem Widerstand R25, und wird durch die nachstehende Gleichung (20) erhalten.
VBE = VBE28 + R25I7
= VBE28 + (R25VT/R26)ln(N) (20)
Die Temperaturcharakteristik von VBG wird Null (0), wenn die Kreiskonstante so eingestellt wird, daß sich die Temperaturcharakteristik der Basis-Emitter-Vor­ wärtsspannungsabfall VBE28 des Transistors Q28 und die Temperaturcharakteristik von (R25VT/R26)ln(N) gegensei­ tig aufheben. In diesem Fall kann eine Bezugsspannung VREF mit einer Temperaturcharakteristik von Null an dem Bezugsspannungs-Ausgangsanschluß 7 abgegriffen werden. Anzumerken ist, daß dann, wenn die Temperaturcharakte­ ristik von VBG in der Schaltung gemäß Fig. 4 Null (0) ist, VBG als Bandlückenspannung bezeichnet wird und üb­ licherweise 1,25 V beträgt.
Wie in Fig. 5 gezeigt, sind die vorstehend beschriebene Konstantstromversorgungsschaltung 6 und die Widerstände R31 und R32 zwischen der Masse und dem Ausgangsanschluß des Operationsverstärkers 5, der die Konstantspannungs­ versorgung 1 bildet, welche die nicht stabilisierte Versorgungsspannung der Spannungsversorgung 4 stabili­ siert und ausgibt, verschaltet. Die durch die Konstant­ stromversorgungsschaltung 6 erzeugte Bezugsspannung VREF wird dem nicht invertierenden Eingang des Operati­ onsverstärkers 5 zugeführt und mit dem Spannungsteiler­ knoten der seriell zwischen der Masse und dem Ausgangs­ anschluß des Operationsverstärkers 5 verschalteten Spannungsteiler-Widerstände R31 und R23 verbunden. Die Kollektoren (vgl. Fig. 4) der Transistoren Q31 bis Q3m der Konstantstromversorgungsschaltung 6 sind jeweils mit dem Spannungsteilerknoten von Spannungsteiler- Widerständen R1 - 1 und R2 - 1 sowie R1 - m und R2, die seri­ ell zwischen der Masse und dem Ausgangsanschluß des Operationsverstärkers 5 verschaltet sind, verbunden. Dadurch, daß die Konstantstromversorgungsschaltung 6 gemäß Fig. 4 auf diese Art und Weise verwendet wird, ist es möglich, eine Vielzahl von Bezugsspannungen zu generieren, deren jede eine mit der Temperatur linear variierende Temperaturcharakteristik aufweist, indem der Operationsverstärker 5 mit der Konstantstromversor­ gungsschaltung 6 kombiniert wird, und ohne daß Zener- Dioden oder andere, die Bezugsspannung VREF erzeugende Vorrichtungen verwendet werden. Es ist mittels der Schaltkreise der Konstantstromversorgungsschaltung 6 darüber hinaus möglich, den an den den Konstantstrom­ wert festlegenden Widerständen R31 bis R3m erzeugten Spannungsabfall zu vergrößern, wobei diese Schaltkreise insbesondere dazu geeignet sind, eine Vielzahl von Kon­ stantstromversorgungen auszubilden, da ein durch einen verschlechterten Zusammenhang bzw. Verwandtschaftsgrad zwischen dem Transistor Q22 und den npn-Transistoren Q31 bis Q3m verursachter Fehler in dem Konstantstrom­ wert verringert werden kann.
Vorteilhaft in Zusammenhang mit der Bezugsspannungs- Generatorschaltung gemäß den Ausführungsbeispielen ist, daß eine linear mit einem gewünschten Temperaturkoeffi­ zienten variierende Bezugsspannung an dem Spannungstei­ lerknoten der Spannungsteilerschaltung abgegriffen wer­ den kann, da die Konstantstromquelle den in den Span­ nungsteilerknoten der Spannungsteilerschaltung hinein oder aus diesem heraus fließenden Strompegel linear mit einem gewünschten Temperaturkoeffizienten variiert.
Ein weiterer Vorteil der Bezugsspannungs-Generator­ schaltung gemäß den Ausführungsbeispielen ist, daß eine linear mit einem gewünschten negativen Temperaturkoef­ fizienten variierende Bezugsspannung an dem Spannungs­ teilerknoten der Spannungsteilerschaltung abgegriffen werden kann, da die Konstantstromquelle den durch den Spannungsteilerknoten der Spannungsteilerschaltung ab­ gegebenen Strom bezüglich der Temperatur mit einem ge­ wünschten Temperaturkoeffizienten linear variiert.
Ein weiterer Vorteil der Bezugsspannungs-Generator­ schaltung gemäß den Ausführungsbeispielen ist, daß eine linear mit einem gewünschten negativen Temperaturkoef­ fizienten variierende Bezugsspannung an dem Spannungs­ teilerknoten der Spannungsteilerschaltung abgegriffen werden kann, indem der Wert des mit dem Emitter des zweiten Transistors verbundenen Widerstands ausgewählt wird, da der aus dem Spannungsteilerknoten des Span­ nungsteilerschaltung fließende Strom proportional zu der Temperatur und umgekehrt proportional zu dem Wert des mit dem Emitter des zweiten Transistors verbundenen Widerstands ist.
Ein nochmals weiterer Vorteil der Erfindung ist, daß eine sich linear mit einem positiven Temperaturkoeffi­ zienten ändernde Bezugsspannung aus dem Spannungstei­ lerknoten der Spannungsteilerschaltung erhalten werden kann, da die Konstantstromquelle den in den Spannungs­ teilerknoten eingeleiteten Strom bezogen auf die Tempe­ ratur linear mit einem gewünschten Temperaturkoeffizi­ enten variiert.
Ein nochmals weiterer Vorteil der Bezugsspannungs-Gene­ ratorschaltung gemäß den Ausführungsbeispielen ist, daß eine linear mit einem gewünschten positiven Temperatur­ koeffizienten variierende Bezugsspannung an dem Span­ nungsteilerknoten der Spannungsteilerschaltung durch Auswählen des Werts des mit dem Emitter des zweiten Transistors verbundenen Widerstands abgegriffen werden kann, da der Stromentnahmetransistor derart arbeitet, daß er dem Spannungsteilerknoten der Widerstands- Spannungsteilerschaltung einen Strom proportional zu der Temperatur und umgekehrt proportional zu dem Wert des mit dem Emitter des zweiten, mit dem zweiten Strompfad der ersten und zweiten Strompfade der Strom­ spiegelschaltung verbundenen Transistors verbundenen Widerstands zuführt.
Ein nochmals weiterer Vorteil der Bezugsspannungs- Generatorschaltung gemäß den Ausführungsbeispielen ist, daß durch Auswählen des ersten Widerstands aus dem Spannungsteilerknoten jeder Spannungsteilerschaltung eine Vielzahl von Bezugsspannungen erhalten wird, deren jede mit einem gewünschten negativen Temperaturkoeffi­ zienten variiert, da der Stromentnahmetransistor derart arbeitet, daß er jedem Spannungsteilerknoten der Wider­ stands-Spannungsteilerschaltung einen Strom proportio­ nal zu der Temperatur und umgekehrt proportional zu dem Wert des ersten Widerstands, der zwischen dem anderen Ausgangsanschluß der Konstantspannungsversorgung und dem Emitter des zweiten Transistors, dessen Basis mit der Basis und dem Kollektor eines ersten Transistors, dessen Emitter mit dem anderen Ausgangsanschluß der Konstantspannungsversorgung verbunden ist, verbunden ist, verschaltet ist.
Da eine Normspannung mit einer Temperaturcharakteristik von Null durch den Emitter eines fünften Transistors abgegeben wird, kann diese Normspannung als die Norm- bzw. Standardspannung der Konstantspannungsversorgung verwendet werden.
Da ein Operationsverstärker seine Ausgangsspannung so steuert, daß eine konstante Differenz zwischen der Aus­ gangsspannung und der Normspannung eingehalten wird, dient der Operationsverstärker als Konstantspannungs­ versorgung zum Anschluß der der Konstantstromquelle, und die Bezugsspannungs-Generatorschaltung kann einfach aufgebaut werden.
Da die thermische Kopplung zwischen Komponenten verbes­ sert und auch die thermische Übertragungsfunktion ver­ bessert wird, indem die Konstantstromquelle in Form ei­ ner integrierten Schaltung aufgebaut wird, kann durch deren Berücksichtigung bzw. Einbezug in eine Batterie- Ladevorrichtung ein hinsichtlich der Temperatur opti­ mierter Batterie-Ladevorgang erzielt werden.
Obwohl die Erfindung unter Bezugnahme auf bevorzugte Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, werden sich dem Fachmann weitere Anwendungsbereich erschließen. Die Er­ findung soll daher nicht als auf die hierin beschriebe­ ne spezielle Offenbarung beschränkt betrachtet und le­ diglich anhand der beigefügten Patentansprüche ausge­ legt werden.
Wie vorstehend beschrieben wurde, soll eine gewünschte Bezugsspannung erzeugt werden, die in Übereinstimmung mit der Temperatur linear variiert. Hierzu ist eine Spannungsteilerschaltung R1, R2 zwischen den Ausgangs­ anschlüssen einer eine konstante Spannung abgebenden Konstantspannungsversorgung 1 verschaltet. Die Kon­ stantstromquelle 2 variiert den in einen Spannungstei­ lerknoten der Spannungsteilerschaltung hinein oder aus diesem heraus fließenden Strompegel I1 in Abhängigkeit von der Temperatur. Die Konstantstromquelle 2 umfaßt einen ersten Transistor Q2 und einen zweiten Transistor Q3, die mit einer Stromspiegelschaltung verbunden sind, sowie einen zwischen der Masse und dem Emitter des zweiten Transistors Q3 verschalteten Widerstand R4. Die Basis des Stromentnahmetransistors Q9 ist mit der Basis des ersten Transistors Q2 und der Basis des zweiten Transistors Q3 verbunden, während der Kollektor sowie der Emitter zwischen dem Spannungsteilerknoten bzw. der Masse verschaltet sind, um einen Strom aus dem Span­ nungsteilerknoten zu erhalten. Ein zu der Temperatur proportionaler und zu dem Wert des Widerstands R4 umge­ kehrt proportionaler Strom kann dadurch dem Spannungs­ teilerknoten entnommen werden.

Claims (7)

1. Bezugsspannungs-Generatorschaltung zum Erzeugen einer sich bezogen auf die Temperatur linear ändernden Bezugsspan­ nung, mit
einer Konstantspannungsversorgung (1) zum Ausgeben einer Konstantspannung,
einem zwischen den Ausgangsanschlüssen der Konstantspan­ nungsversorgung gekoppelten, ausschließlich Widerstände auf­ weisenden Spannungsteilerschaltkreis (R1, R2) und
einer Konstantstromquelle (2), die mit einem Spannungs­ teilerknoten des Spannungsteilerschaltkreises verbunden ist, um den in den Teilerknoten hinein oder aus diesem heraus fließenden Strompegel mit einem gewünschten Temperaturkoeffi­ zienten linear zu ändern, wobei die Bezugsspannung von dem Teilerknoten abgegeben wird.
2. Bezugsspannungs-Generatorschaltung nach Anspruch 1, wo­ bei die Konstantstromquelle umfaßt:
eine Stromspiegelschaltung (Q2, Q3), umfassend einen er­ sten Strompfad und einen zweiten Strompfad, welche durch eine Verbindung mit einem der Konstantspannungsversorgungs- Ausgangsanschlüsse gebildet werden, um den durch den ersten Strompfad fließenden Strom und den durch den zweiten Strompfad fließenden Strom auf Gleichheit zu steuern,
einen ersten Transistor (Q2), der zwischen dem ersten Strompfad der Stromspiegelschaltung und dem anderen Ausgangs­ anschluß der Konstantspannungsversorgung verschaltet ist,
einen zweiten Transistor (Q3), dessen Kollektor mit dem zweiten Strompfad verbunden ist,
einen Widerstand (R4), der zwischen dem Emitter des zweiten Transistors und dem anderen Ausgangsanschluß ver­ schaltet ist und
einen Stromentnahmetransistor (Q9), dessen Basis mit der Basis des ersten Transistors und der Basis des zweiten Tran­ sistor verbunden ist und dessen Kollektor mit dem Spannungs­ teilerknoten verbunden ist, um einen Strom aus dem Spannungs­ teilerknoten zu entnehmen,
wobei ein zu dem Wert des Widerstands umgekehrt propor­ tionaler und zu der Temperatur proportionaler Strom aus dem Spannungsteilerknoten entnommen wird, und
die Bezugsspannung bezogen auf die Temperatur einen ne­ gativen Temperaturkoeffizienten aufweist.
3. Bezugsspannungs-Generatorschaltung nach Anspruch 1, wo­ bei die Konstantstromquelle (2) umfaßt:
eine Stromspiegelschaltung (Q13, Q14, Q15), umfassend einen ersten Strompfad und einen zweiten Strompfad, welche durch eine Verbindung mit einem der Konstantspannungsversor­ gungs-Ausgangsanschlüsse gebildet werden, um den durch den ersten Strompfad fließenden Strom und den durch den zweiten Strompfad fließenden Strom auf Gleichheit zu steuern,
einen ersten Transistor (Q10), der zwischen dem ersten Strompfad der Stromspiegelschaltung und dem Spannungsteiler­ knoten verschaltet ist,
einen zweiten Transistor (Q11), dessen Kollektor mit dem zweiten Strompfad verbunden ist, und einen Widerstand (R9), der zwischen dem Emitter des zweiten Transistors und dem Spannungsteilerknoten verschaltet ist,
wobei ein zu dem Wert des Widerstands umgekehrt propor­ tionaler und zu dem Temperaturfluß proportionaler Strom in den Spannungsteilerknoten hineinfließt, und
die Bezugsspannung bezogen auf die Temperatur einen po­ sitiven Temperaturkoeffizienten aufweist.
4. Bezugsspannungs-Generatorschaltung zum Erzeugen einer Bezugsspannung mit negativem Temperaturkoeffizienten bezogen auf die Temperatur mit
einer Konstantspannungsversorgung (1) zum Ausgeben einer konstanten Spannung,
einer Vielzahl von Spannungsteilerschaltungen (R1 - 1 bis R1 - m, R2 - 1 bis R2 - m), die zwischen den Ausgangsspannungsan­ schlüssen der Konstantspannungsversorgung verschaltet sind, und
einer Konstantstromquelle (6), wobei die Konstantstrom­ quelle umfaßt:
eine Stromspiegelschaltung (Q23, Q24, R21, R22), umfas­ send einen ersten Strompfad und einen zweiten Strompfad, wel­ che durch eine Verbindung mit einem der Konstantspannungsver­ sorgungs-Ausgangsanschlüsse gebildet werden, um den durch den ersten Strompfad fließenden Strom und den durch den zweiten Strompfad fließenden Strom auf Gleichheit zu steuern,
einen ersten Transistor (Q20), dessen Emitter mit dem anderen Ausgangsanschluß der Konstantspannungsversorgung verschaltet ist,
einen zweiten Transistor (Q21), dessen Basis mit der Basis und dem Kollektor des ersten Transistors verbunden ist,
einen ersten Widerstand (R23), der zwischen dem Emitter des zweiten Transistors und dem anderen Ausgangs­ anschluß verschaltet ist, einen dritten Transistor (Q22), dessen Kollektor mit dem ersten Strompfad verbunden ist und bei dem ein zwei­ ter Widerstand (R24) zwischen dem Emitter und dem anderen Ausgangsanschluß verschaltet ist,
einen vierten Transistor (Q28), dessen Kollektor mit dem zweiten Strompfad und dessen Emitter mit dem anderen Ausgangsanschluß verbunden ist,
einen fünften Transistor (Q25), dessen Basis mit dem Kollektor des vierten Transistors, dessen Emitter mit der Basis des dritten Transistors und dessen Kollektor mit einem der Ausgangsanschlüsse verbunden ist,
einen dritten Widerstand, der zwischen dem Emitter des fünften Transistors und dem Kollektor des ersten Transistors verschaltet ist,
einen vierten Widerstand, der zwischen dem Emitter des fünften Transistors und dem Kollektor des zweiten Transistors verschaltet ist, und
sechste Transistoren (Q31 bis Q3m), deren Basen je­ weils mit dem Emitter des fünften Transistors, deren Emitter mit dem anderen Ausgangsanschluß und deren Kol­ lektoren mit jedem Spannungsteilerknoten der Widerstands- Spannungsteilerknoten verbunden sind,
wobei ein zu dem Wert des ersten Widerstands umge­ kehrt proportionaler und zu der Temperatur proportionaler Strom aus dem Spannungsteilerknoten entnommen wird.
5. Bezugsspannungs-Generatorschaltung nach Anspruch 4, wobei der Emitter des fünften Transistors eine Normspan­ nung bereitstellt, deren Temperaturcharakteristik Null ist.
6. Bezugsspannungs-Generatorschaltung nach Anspruch 5, bei der die Konstantspannungsversorgung (1) umfaßt:
einen Operationsverstärker (5) und
einen Rückkopplungswiderstand (R31), der mit dem Ausgang des Operationsverstärkers verbunden ist, um die Änderung an diesem Ausgang zu der Eingangsseite des Ope­ rationsverstärkers zurückzukoppeln,
wobei die Konstantstromquelle und die Spannungstei­ lerschaltungen mit dem Ausgang des Operationsverstärkers verbunden sind, und
die durch die Konstantstromquelle abgegebene Norm­ spannung mit dem Eingang des Operationsverstärkers ver­ bunden wird.
7. Bezugsspannungs-Generatorschaltung nach Anspruch 1 oder 6, wobei die Konstantstromquelle als integrierte Schaltung ausgeführt ist.
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