DE2531208C2 - Gegentaktverstärker - Google Patents
GegentaktverstärkerInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen Gegentaktverstärker mit einem ersten und einem zweiten Transistor
entgegengesetzter Leitfähigkeitstypen, deren Kollektor-Emitter-Strecken
gegensinnig in Reihe zwischen den Anschlußpunkten einer Speisequelle angeordnet sind, während weiter vorgesehen sind: ein Ausgangsanschlußpunkt,
der mit den einander zugekehrten Kollektoren des ersten und des zweiten Transistors
verbunden ist, ein erster Widerstand, der die Basis-Elektroden des ersten und des zweiten Transistors
miteinander verbindet, und eine Ruhestromeinstellschaltung, die einen Ruhestrom durch den ersten
Widerstand schickt, durch den der Ruhestrom durch den ersten und den zweiten Transistor bestimmt wird. Ein
derartiger Gegentaktverstärker ist aus der US-PS 35 48 330 bekannt. Solche Verstärker werden u. a. als
Endverstärker in Hörgeräten verwendet. Ein Problem dabei besteht darin, daß die Spannung der Batterien zur
Speisung des Verstärkers lange Zeit, bevor die Batterien erschöpft sind, abnimmt.
Bei den bekannten Gegentaktverstärkern erfolgt die Ruhestromeinstellung u. a. dadurch, daß der genannte
Widerstand einerseits über eine Stromquelle oder einen Widerstand mit dem einen Anschlußpunkt der Speisequelle
und andererseits über eine zweite Stromquelle, die einen gleichen Strom führt, oder einen gleichen
Widerstand mit dem anderen Anschlußpunkt der Speisequelle verbunden ist. Dies hat zur Folge, daß die
Basis-Emitter-Spannung des ersten und des zweiten Transistors der Speisespannung proportional ist. Da der
Strom, der durch die Kollektor-Emitter-Strecke eines Transistors fließt, exponentiell mit der Basis-Emitter-Spannung
zunimmt, ist die Ruhestromeinstellung der genannten bekannten Schaltungen stark speisespannungsabhängig
und wegen der Temperaturabhängigkeit der Basis-Emitter-Spannung außerdem temperaturabhängig.
Um zu vermeiden, daß der Ruhestrom durch den ersten und den zweiten Transistor bei maximaler
Batteriespannung und maximaler Temperatur unzulässig groß wird, sollen diese Schaltungen derart bemessen
werden, daß bei der Nennbatteriespannung nur ein geringer Ruhestrom fließt, der nicht zu hohen
Verzerrungen des zu verstärkenden Signals führen kann. Die exponentiell Zunahme des Ruhestroms bei
zunehmender Batteriespannung hat außerdem zur Folge, daß die höchstzulässige Batteriespannung nur
etwas größer als die Nennbatteriespannung ist.
Die Erfindung bezweckt, einen Gegentaktverstärker ohne die genannten Nachteile zu schaffen.
Die Erfindung ist dazu dadurch gekennzeichnet, daß die genannte Ruhestromeinstellschaltung aus einer
ersten und einer zweiten Stromspiegelschaltung mit je mindestens einem Eingangs- und einem Ausgangs-Stromkreis
besteht, wobei der in dem Ausgangskreis fließende Strom in einem festen Verhältnis zu dem in
dem Eingangsstromkreis fließenden Strom steht, indem mindestens ein Halbleiterübergang im Ausgangsstrom-
3 4
kreis von mindestens einem Halbleiterübergang im Transistoren T1 bzw. T2. Der Eingangsstrom I2 beider
• Eingangsstromkreis überbrückt wird, wobei diesen Stromspiegelschaltungen J und 2 wird durch den
< Eingangsstromkreisen ein sich mit der Speisespannung Widerstand R2 und den Spannungsabfa'l über diesem
, ändernder Einstellstrom mit Hilfe eines zwischen den Widerstand bestimmt, der gleich der Speisespannung E
SpeisungsanschSußpunkten eingeschalteten Stromzwei- 5 abzüglich des Spannungsabfalls 2 V, über den beiden
ges zugeführt wird, der mindestens einen zweiten Eingangskreisen ist Die Summe der Basis-Emitter-
Widerstand und die Halbleiterübergängo der Eingangs- Spannung der Transistoren 71 und T2 ist gleich der
Stromkreise der Stromspiegelschaltungen enthält, deren Speisespannung E abzüglich des Spannungsabfalls I\ R\
Ausgangsstromkreise über den ersten Widerstand über dem Widerstand R\, wobei die Basisströme der
* miteinander verbunden sind, wodurch der Ruhestrom io Transistoren Ti und T2 in bezug auf uen Strom h
j durch den ersten Widerstand sich auf gleiche Weise wie vernachlässigt werden. Unter Berücksichtigung des
der Strom durch den genannten Stromzweig mit der Verhältnisses π zwischen den Ausgangs- und den
ι Speisespannung ändert, wobei der Wert des ersten Eingangsströmen der Stromspiegelschaltungen 1 und 2
« Widerstandes in Abhängigkeit von den in den ist die Summe der Basis-Emitter-Spannungen der
'■ genannten Stromzweig aufgenommenen Elementen 15 Transistoren Ti und T2 gleich:
derart gewählt ist, daß die Ruheströme durch den ersten I (R R) + 2V (1)
und den zweiten Transistor sich in geringerem Maße mit 2(2-Ui K)-
der Speisespannung ändern. Dieser Ausdruck ist unabhängig von der Speisespan-
Die Erfindung gründet sich auf die Erkenntnis, daß nung E wenn die erste Ableitung des Ausdruckes (1) als
durch Anwendung der erfindungsgemäßen Schaltung 20 Funktion der Speisespannung gleich Null ist Dadurch
« die Basis-Emitter-Vorspannung des ersten und des wird für die Widerstände R\ und R2 die Bedingung
zweiten Transistors nicht oder nahezu nicht von der gefunden, daß:
Speisespannung abhängig sind, während außerdem r—Ba-IR (7\
diese Vorspannungen eine gleiche Temperaturabhän- ηκ\-Κ2 + ζκ<ι I λ
gigkeit wie die für einen konstanten Emitterstrom 25 wobei Rd die Differentialeingangsimpedanz jeder der
erforderlichen Basis-Emitter-Spannungen des ersten Stromspiegelschaltungen 1 und 2 ist. Durch passende
und des zweiten Transistors aufweisen. Wahl der Stromspiegelschaltungen und der Widerstän-
j Die Erfindung wird nachstehend beispielsweise an de R\ und R2, unter Berücksichtigung der Bedingung (2),
Hand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt kann ein derartiger Spannungsabfall über dem Wider-
Fig. 1 schematisch einen Gegentaktverstärker nach 30 stand R\ erhalten werden, daß der Ruhestrom durch die
der Erfindung, Transistoren Ti und T2 den gewünschten Wert aufweist.
Fig. 2 eine erste Ausführungsform eines Gegentakt- Sowohl eine »Klasse B«- als auch eine »Klasse
Verstärkers nach der Erfindung, und AB«-Einstellung ist dabei möglich.
F i g. 3 eine zweite Ausführungsform eines Gegen- Da im Ausdruck (2) die Differentialeingangsimpedanz
taktverstärkers nach der Erfindung. 35 Rd in geringerem Maße mit der Speisespannung variiert,
F i g. 1 zeigt schematisch einen Gegentaktverstärker kann mit einem festen Wert der Widerstände R\ und R2
nach der Erfindung. Zwischen den Anschlußpunkten 8 nie eine vollständig speisespannungsunabhängige Ruhe-
und 9 einer Speisequelle mit Klemmenspannung E ist Stromeinstellung erreicht werden. In der Praxis soll
die Reihenschaltung der Kollektor-Emitter-Strecken daher für Rd derjenige Wert gewählt werden, der zu der
zweier Transistoren Ti und T2 entgegengesetzter 40 mittleren Batteriespannung gehört. Für η = 1 stellt sich
Leitfähigkeitstypen angeordnet. Der Emitter des pnp- heraus, daß eine optimale Wahl gefunden wird, wenn R\
Transistors Ti ist mit dem positiven Anschlußpunkt 8 etwa 20% größer als R2 ist.
und der Emitter des npn-Transistors T2 ist mit dem F i g. 2 zeigt eine erste Ausführungsform eines
negativen Anschlußpunkt 9 verbunden. Die Kollektoren Gegentaktverstärker nach der Erfindung. Dabei ist von
der Transistoren Ti und T2 sind mit einer Ausgangsklem- 45 der F ig. 1 ausgegangen und die verschiedenen entspreme
7 verbunden, der zu einer Belastung, z. B. einem chenden Teile sind daher mit den gleichen Bezugszei-Ohrhörer
führt. Zwischen den Basis-Elektroden der dien versehen. In den Ausgangsstromkreisen der
\ Transistoren T, und T2 ist ein erster Widerstand Rt Stromspiegelschaltungen 1 und 2 sind die Kollektorangeordnet
Der Verstärker enthält weiter zwei Emitter-Strecken der pnp-Transistors T3 bzw. des
Stromspiegelschaltungen 1 und 2, deren Eingangsklem- 50 npn-Transistors Ti, angeordnet, deren Kollektoren mit
' men 3 bzw. 5 über einen zweiten Widerstand A2 den Ausgangsanschlußpunkten 4 bzw. 6 und deren
miteinander verbunden sind. Die Ausgangsklemme 4 Emitter mit den Anschlußpunkten 8 bzw. 9 verbunden
der Stromspiegelschaltung 1 ist mit der Basis des sind. Die Basis-Emitter-Übergänge der Transistoren T3
Transistors Ti und die Ausgangsklemme 6 der Strom- und T4 sind von den Dioden D\ bzw. D2 überbrückt, die in
spiegelschaltung 2 ist mit der Basis des Transistors T2 55 integrierten Schaltungen meist Transistoren sind, deren
verbunden. Die Ausgangsstromkreise der Stromspiegel- Kollektor- und Basis-Elektroden miteinander verbun-
^ schaltungen 1 und 2 verbinden die Ausgangsklemmen 4 den sind. Die Dioden D\ und Lh verbinden die
bzw. 6 mit den Anschlußpunkten 8 bzw. 9 und ebenso Speisespannungsanschlußpunkte 8 bzw. 9 mit den
verbinden die Eingangsstromkreise die Eingangsklem- Eingangsanschlußpunkten 3 bzw. 5 und bilden auf diese
men 3 bzw. 5 mit den Anschlußpunkten 8 bzw. 9. 60 Weise die Eingangsstromkreise der Stromspiegelschal-Die
Ausgangsströme /1 der Stromspiegelschaltungen tung 1 bzw. 2. Eine Signalschlußklemme 10 ist mit der
1 und 2 stehen in einem festen Verhältnis η zu den Mittelanzapfung des Widerstandes R\ verbunden.
Eingangsströmen I2. Wenn beide Stromspiegelschaltun- In bezug auf die Speisespannungsunabhängigkeit der gen 1 und 2 identisch sind, ist der Spannungsabfall über Ruhectromeinstellung sollen die Widerstände R\ und R2 dem Eingangsstromkreis jeder der Stromspiegelschal- 65 der Bedingung (2) entsprechen. Der Differentialwidertungen gleich K,. Der Spannungsabfall über den ■ stand Rd ist dabei gleich dem Differentialwiderstand Ausgangsstromkreisen der Stromspiegelschaltungen 1 einer Diode, die einen Strom /1 führt Wenn für die und 2 ist gleich der Basis-Emitter-Spannung der Dioden D\ und D2 als Diode geschaltete Transistoren
Eingangsströmen I2. Wenn beide Stromspiegelschaltun- In bezug auf die Speisespannungsunabhängigkeit der gen 1 und 2 identisch sind, ist der Spannungsabfall über Ruhectromeinstellung sollen die Widerstände R\ und R2 dem Eingangsstromkreis jeder der Stromspiegelschal- 65 der Bedingung (2) entsprechen. Der Differentialwidertungen gleich K,. Der Spannungsabfall über den ■ stand Rd ist dabei gleich dem Differentialwiderstand Ausgangsstromkreisen der Stromspiegelschaltungen 1 einer Diode, die einen Strom /1 führt Wenn für die und 2 ist gleich der Basis-Emitter-Spannung der Dioden D\ und D2 als Diode geschaltete Transistoren
gewählt werden, die mit den Transistoren Tj bzw. Ti
identisch sind, ist das Verhältnis η der Ausgangs- und Eingangsströme der Stromspiegelschaltungen gleich 1.
Wenn außerdem gilt, daß die Differentialwiderstände der Dioden D\ und D2 in bezug auf den Widerstand R2
klein sind, wird beim Fehlen eines Eingangssignals am Eingangsanschlußpunkt 10 die Basis-Emitter-Spannung
des Transistors Ti bzw. des Transistors T2 nur etwas
kleiner als der Spannungsabfall über der Diode D\ bzw. der Diode D2 sein. Durch passende Wahl des Stromes I2,
der durch die Eingangsstromkreise der Stromspiegelschaltungen 1 und 2 fließt, wird die gewünschte
Einstellung der Ruheströme durch die Transistoren 71 und Tierreicht.
Wenn dem Eingangsanschlußpunkt 10 ein Eingangs- is
signalstrom zugeführt wird, verteilt sich dieser Signalstrom über die Basis-Elektroden der Transistoren Ti und
Ti, weil die Eingangsimpedanzen der Transistoren Ti
und T2 klein in bezug auf die Eingangsimpedanzen der
Ausgangsstromkreise der Stromspiegelschaltungen 1 und 2 sind. Der durch den Ausgangsanschlußpunkt 7
fließende verstärkte Signalstrom kann dabei viele Male größer als der Ruhestrom durch die Transistoren ΤΊ und
Ti, z. B. bei einer AB-Einstellung, sein.
Grundsätzlich ist es möglich, das Eingangssignal einer Mittelanzapfung des Widerstandes R2 zuzuführen. Der
Eingangssignalstrom verteilt sich dann über die Eingangsstromkreise der Stromspiegelschaltungen 1
und 2. Infolge des festen Verhältnisses zwischen den Eingangs- und Ausgangsströmen der Stromspiegelschaltungen 1 und 2 führen die Ausgangsstromkreise
beider Stromspiegelschaltungen 1 und 2 ebenfalls die Signalströme, die sich auf die Basis-Elektroden der
Transistoren T\ und T2 verteilen. Ein Nachteil dabei
besteht darin, daß die Eingangsimpedanz an der Mittelanzapfung des Widerstandes R2 infolge der
niedrigen Eingangsimpedanzen der Stromspiegelschaltungen 1 und 2 erheblich niedriger als die Eingangsimpedanz an der Mittelanzapfung des Widerstandes R\ ist.
Bei gewissen Anwendungen kann es jedoch vorteilhaft sein, daß die Stromspiegelschaltungen 1 und 2
Signalströme führen, wodurch durch die Erweiterung der Stromspiegelschaltungen 1 und 2 mit einem zweiten
Ausgangsstromkreis ein zusätzliches Ausgangssignal erhalten werden kann.
Bei Gegentaktverstärkern wird nahezu immer Gegenkopplung angewandt. Wenn als Gegenkopplungssignal eine Spannung gewünscht wird, die der
Ausgangsspannung proportional ist, kann das Gegenkopplungssignal dem Ausgangsanschlußpunkt 7 ent-
nommen werden. Wenn ein Gegenkopplungssignal verlangt wird, das dem Strom durch die Transistoren Ti
und Ti proportional ist, wie es z. B. bei freqaenzabhangjgen Belastungen erforderlich sein kann, kann ein
zusätzlicher Ausgang nach F i g. 2 verwendet werden.
Um diesen zusätzlichen Ausgang zu erhalten, ist die
Basis des Transistors Ti mit der Basis eines pnp-Transistors 7s und die Basis des Transistors Ti mit der Basis
eines npn-Transistors Te verbunden. Die Emitter der
Transistoren T5 und Te sind mit den Speisungsanschlußpunkten 8 bzw. 9 und die Kollektoren sind mit einem
zweiten Ausgangsanschlußpunkt 11 verbunden, der zugleich über die Reihenschaltung eines Entkopplungskondensators C und eines einstellbaren Widerstandes
R3 mit dem negativen Speisungsanschlußpunkt 9 verbunden ist. Durch den Ausgangsanschlußpunkt 11
fließt nun ein Strom, der dem Strom proportional ist, der
durch den Ausgangsanschlußpunkt 7 fließt Dieser
Strom ruft eine Spannung über dem Widerstand Ri
hervor, die ebenfalls dem Strom proportional ist, der durch den Ausgangsanschlußpunkt 7 fließt. Diese
Spannung wird einer ersten Eingangsklemme 12 eines Vorverstärkers V zugeführt, dessen Ausgangsklemme
14 mit der Eingangsklemme 10 verbunden ist, während einer zweiten Eingangsklemme 13 des Vorverstärkers V
ein Eingangssignal zugeführt werden kann. Die auf den Vorverstärker V rückzukoppelnde Signalspannung an
der Ausgangsklemme 11 kann mit Hilfe des einstellbaren Widerstandes Λ3 eingestellt werden, wodurch eine
Lautstärkeregelung erhalten ist. Die Transistoren Ts und
Τέ sind dabei im allgemeinen derart bemessen, daß sie
nur einen Bruchteil des durch die Transistoren Ti und T2
fließenden Stromes führen. Dies kann dadurch erfolgen, daß die Basis-Emitter-Oberflächen der Transistoren T5
und Ti viel kleiner als die Basis-Emitter-Oberflächen der
Transistoren Tt und T2 gewählt werden.
Ein zusätzlicher Vorteil der erfindungsgemäßen Anwendung zweier Stromspiegelschaltungen für die
Ruhestromeinstellung ist die Herabsetzung der Temperaturabhängigkeit der Ruhestromeinstellung. Wenn die
Temperatur zunimmt, wird der Strom /1 durch die
Eingangsstromkreise der Stromspiegelschaltungen 1 und 2 infolge der Temperaturabhängigkeit der Diodenkennlinien der Dioden D\ und D2 zunehmen. Eine
gleiche Temperaturabhängigkeit weisen die Basis-Emitter-Übergänge der Transistoren Ti, Ti, Tj und Te auf,
wodurch die Zunahme der Ruheströme durch diese Transistoren mehr oder weniger durch die Abnahme
der Basis-Emitter-Spannungen dieser Transistoren infolge der mit der Temperatur zunehmenden Spannung
über den Widerstand R\ ausgeglichen wird.
In der Ausführungsform nach Fig.2 sind die Eingangsstromkreise der Stromspiegelschaltungen 1
und 2 direkt über einen Widerstand R2 miteinander
gekoppelt Es sei bemerkt daß grundsätzlich eine verwickeitere Ausführung möglich ist So kann z. B. der
Eingangsanschlußpunkt 3 der Stromspiegelschaltung 1 über den Widerstand R2 und den Eingangsstromkreis
einer dritten Stromspiegelschaltung mit dem Speisungsanschlußpunkt 9 verbunden werden. Der Ausgangsstromkreis dieser dritten Stromspiegelschaltung wird
dann über den Eingangsstromkreis einer vierten Stromspiegelschaltung mit dem Speisungsanschlußpunkt 8 verbunden, wobei der Ausgangsstromkreis
dieser vierten Stromspiegelschaltung mit dem Eingangsanschlußpunkt 5 der Stromspiegelschaltung 2
verbunden ist
Die Ruhestromeinstellung nach der Erfindung kann auch bei Ausgangsverstärkern in Hörgeräten mit
Ohrhörern mit Mittelanzapfung benutzt werden, die in Hörgeräter, mit einer verhältnismäßig großen Ausgangsleistung Anwendung finden.
Fig.3 zeigt einen solchen Ausgangsverstärker.
Dieser Verstärker enthält den Verstärker nach F i g. 2, mit Ausnahme der Transistoren Ti und T2. Die Basis des
Transistors 7s ist mit der Basis eines pnp-Transistors Tj
verbunden, dessen Emitter mit dem positiven Anschlußpunkt 8 und dessen Kollektor über eine Diode Eh mit
dem negativen Anschlußpunkt 9 verbunden ist Die Diode Di wird von dem Basis-Emitter-Obergang des
npn-Transistors T^ überbrückt Der Basis-Emitter-Übergang des Transistors T6 wird von dem Basis-Emitter-Übergang des npn-Transistors 7J überbrückt Die
Kollektoren der Transistoren T8 und T^ sind durch die
Erregerspule 15 eines Ohrhörers miteinander verbunden, wobei eine Mittelanzapfung dieser Erregerspule
mit dem positiven Speisungsanschlußpunkt 8 verbunden ist.
Dadurch, daß die Basis-Emitter-Übergänge der Transistoren Ts und T7, gleich wie die der Transistoren
Tt, und Tg, parallel geschaltet sind, durchfließen die
Kollektor-Emitter-Strecken der Transistoren Τη und T8
Ströme, die den Strömen proportional sind, die die Kollektor-Emitter-Strecken der Transistoren Tsbzw. Tb
durchfließen. Der Kollektorstrom des Transistors T7
durchfließt dabei die Diode Di. Dies hat zur Folge, daß
der die Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors T9 durchfließende Strom dem die Kollektor-Emitter-Strekke
des Transistors Ts durchfließenden Strom proportional
ist. Bei einem richtigen Verhältnis der Basis-Emitter-Oberflächen der Transistoren Ts, Tt, Ti, T8 und T9 und
der Diode Eh, die als ein als Diode geschalteter Transistor ausgebildet werden kann, wird erreicht, daß
der Unterschied der Kollektorströme der Transistoren Tg und T) dem den Ausgangsanschlußpunkt 11 durchfließenden
Strom proportional ist. Die Kollektorströme der Transistoren Te und Ta können dabei viele Male größer
als die Kollektorströme der Transistoren Te und Ts sein.
Dadurch, daß die die Kolleklor-Emitter-Strecke der Transistoren Tg und T9 durchfließenden Ströme den die
Kollektor-Emitter-Strecken der Transistoren T5 und T6
durchfließenden Strömen proportional sind, ist erreicht, daß durch Anwendung der Schaltung nach der
Erfindung die Ruhestromeinstellung der Transistoren Ts
und Ta ebenfalls in geringerem Maße von der Speisespannung und der Temperatur abhängig ist.
Durch die Anwendung von Stromspiegelschaltungen für die Ruhestromeinstellung, wobei bei niedrigen
Speisepannungen die Widerstände R\ und Rz verhältnismäßig
niedrige Widerstandswerte aufweisen können, eignet sich der Verstärker nach der Erfindung dazu,
einen Teil einer monolithisch integrierten Schaltung zu bilden. Dabei soll der Rückkopplungsausgangskreis, der
aus dem Kondensator C und dem einstellbaren Widerstand R3 besteht, extern angebracht werden.
Erwünschtenfalls können auch die Widerstände /?i und/oder /?2 extern angebracht werden.
Die Erfindung beschränkt sich nicht auf die dargestellten Ausführungsformen. Wie aus der Be-Schreibung
hervorgeht, ist eine Vielzahl von Ausführungsformen möglich, die alle auf erfindungsgemäße
Weise die Ruhestromeinstellung der Endtransistoren des Gegentaktverstärkers mehr oder weniger von der
Speisespannung unabhängig machen.
Hierzu 2 Blatt Zeichnuneen
230 242/241
Claims (4)
1. Gegentaktverstärker mit einem ersten und einem zweiten Transistor entgegengesetzter Leitfähigkeitstypen,
deren Kollektor-Emitter-Strecken gegensinnig in Reihe zwischen den Anschlußpunkten
einer Speisequelle angeordnet sind, während weiter vorgesehen sind: ein Ausgangsanschlußpunkt,
der mit den einander zugekehrten Kollektoren des ersten und des zweiten Transistors
verbunden ist, ein erster Widerstand, der die Basis-Elektroden des ersten und des zweiten
Transistors miteinander verbindet, und eine Ruhestromeinstellschaltung,
die einen Ruhestrom durch den ersten Widerstand schickt, durch den der
Ruhestrom durch den ersten und den zweiten Transistor bestimmt wird, dadurch gekennzeichnet,
daß die Ruhestromeinstellschaltung aus einer ersten und einer zweiten Stromspiegelschaltung
(I, 2) mit je mindestens einem Eingangsund einem Ausgangsstromkreis besteht, wobei der
Strom (l\), der in dem Ausgangsstromkreis fließt, in einem festen Verhältnis zu dem in dem Eingangsstromkreis fließenden Strom (/2) besteht, indem
mindestens ein Halbleiterübergang (T3 bzw. Γ<) im
Ausgangsstromkreis von mindestens einem Halbleiterübergang (Di bzw. D4) im Eingangsstromkreis
überbrückt wird, wobei diesen Eingangsstromkreisen ein sich mit der Speisespannung ändernder
Einstellstrom mit Hilfe eines zwischen den Anschlußpunkten der Speisespannungsquelle angeordneten
Stromzweiges zugeführt wird, der mindestens einen zweiten Widerstand (R2) und die Halbleiterübergänge
(D\, Di) der Eingangsstromkreise der Stromspiegelschaltungen enthält, deren Ausgangsstromkreise
über den ersten Widerstand (R\) miteinander verbunden sind, wobei der Wert des
ersten Widerstandes in Abhängigkeit von den in den genannten Stromzweig aufgenommenen Elementen
derart gewählt ist, daß sich die Ruheströme durch den ersten und den zweiten Transistor in geringerem
Masse mit der Speisespannung ändern.
2. Gegentaktverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Wert des ersten Widerstandes
(R\) gleich dem Quotienten der Summe des Wertes des zweiten Widerstandes (7?2) und der
Differentialeingangsimpedanzen (Rd) der Eingangsstromkreise der Stromspiegelschaltungen und des
Stromspiegelverhältnisses (n) zwischen den Aus- und Eingangsströmen der Stromspiegelschaltungen
(1,2) ist.
3. Gegentaktverstärker nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und die
zweite Stromspiegelschaltung dadurch gebildet werden, daß der Basis-Emitter-Übergang eines
dritten bzw. eines vierten Transistors (Ti bzw. Ti)
entgegengesetzter Leitfähigkeitstypen von einem ersten bzw. einem zweiten Halbleiterübergang (Dy
bzw. D4) überbrückt wird, wobei die Strombahnen, die durch diese miteinander über den zweiten
Widerstand (R2) verbundenen Halbleiterübergänge gebildet werden, die Eingangsstromkreise der
Stromspiegelschaltungen sind, während die Strombahnen, die durch die Kollektor-Emitter-Strecken
des dritten und des vierten Transistors gebildet werden, die Ausgangsstromkreise sind, wobei der
Kollektor des dritten Transistors mit der Basis des ersten Transistors und der Kollektor des vierten
Transistors mit der Basis des zweiten Transistors verbunden ist.
4. Gegentaktverstärker nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß er
wenigstens zum größten Teil einen Teil einer monolithisch integrierten Schaltung bildet
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