DE19543723A1 - Verfahren zur Herstellung einkristalliner Diamantfilme - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einkristalliner DiamantfilmeInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein
neuartiges Verfahren zur Herstellung von einkristallinen
Diamantfilmen durch chemisches Aufdampfen (CVD). Die gemäß
der vorliegenden Erfindung hergestellten Diamantfilme können
für elektronische Vorrichtungen und Sensoren wie
beispielsweise Transistoren und Dioden, Wärmesenken- bzw.
-Abführelemente, akustische Oberflächenwellenvorrichtungen,
Röntgen-Fenster, optische Materialien,
Antiverschleißmaterialien, Dekorationsmaterialien angewendet
werden, wobei alle diese Anwendungen die entsprechenden
Beschichtungen umfassen.
Es ist bekannt, daß Diamant ausgezeichnet beständig
gegenüber hohen Temperaturen ist. Er hat eine große Bandlücke
(5,5 eV) und ist daher in seinem undotierten Zustand ein
guter elektrischer Isolator. Er kann jedoch durch Dotieren
geeigneter Verunreinigungs-Atome halbleitend werden. Darüber
hinaus hat Diamant ausgezeichnete elektrische Eigenschaften,
beispielsweise, daß die Durchbruchsspannung hoch ist, die
Sättigungsgeschwindigkeiten von Ladungsträgern (Elektronen
und Löchern) auch groß sind, und daß die dielektrische
Konstante und daher der dielektrische Verlust klein sind.
Diese Eigenschaften sind am geeignetesten für Anwendungen des
Diamanten bei elektronischen Sensoren und Vorrichtungen, die
bei hoher Temperatur, hoher Frequenz und einem hohen
elektrischen Feld betrieben werden.
Es wird auch erwartet, daß Diamant für zahlreiche
Anwendungen verwendet wird, z. B. optische Sensoren und
Lichtemissionsvorrichtungen im Bereich kurzer Wellenlängen
auf der Grundlage der großen Bandlücke von Diamant;
Wärmesenken bzw. -Abführelemente, die auf seiner hohen
thermischen Leitfähigkeit und seiner kleinen spezifischen
Wärme beruhen, akustische Oberflächenwellenvorrichtungen, die
auf seiner extremen Härte beruhen (Diamant ist das härteste
unter all den Materialien); und Röntgen-Fenster und optische
Materialien, die auf seinem hohen Transmissionsgrad und dem
niedrigen Brechungsindex über einen breiten Bereich der
Wellenlänge von Infrarot bis zum nahen Ultraviolett beruhen.
Darüber hinaus wird Diamant für Anti-Verschleißteile von
vielen Arten von Schneidwerkzeugen verwendet.
Um die ausgezeichneten Eigenschaften von Diamant für
solche Anwendungen vollständig auszunutzen, ist es am
wichtigsten, einkristalline Diamantfilme mit hoher Qualität
zu synthetisieren, in denen die strukturellen Defekte minimal
sind. Ferner ist die Herstellung von einkristallinen
Diamantfilmen auf einer großen Fläche mit niedrigen Kosten
für seine praktische Verwendung notwendig. Wie wohlbekannt
ist, werden Diamant-Volumenkristalle gegenwärtig entweder
durch Abbau von natürlichem Diamant oder durch künstliche
Synthese von Volumenkristallen unter Bedingungen von einem
hohen Druck und einer hohen Temperatur hergestellt. Die
Flächen der Kristall-Facetten bzw. Kristallflächen für solche
Diamanten sind jedoch nur bestenfalls ungefähr 1 cm², und
solch ein Diamant ist extrem teuer. Daher sind industrielle
Anwendungen des Diamanten heutzutage nur auf spezielle
Gebiete beschränkt, beispielsweise auf Schleifpulver und
Schneidwerkzeugspitzen mit hoher Genauigkeit, wo ein Diamant
mit nur kleiner Größe ausreicht.
In Hinblick auf CVD von Diamantfilmen sind die
folgenden Techniken bekannt: Mikrowellen-Plasma-CVD- (zum
Beispiel, siehe japanische Patent-Veröffentlichung Nr. Hei
59-27754 und Hei 61-3320), Radiofrequenz-Plasma-CVD-,
Heizdraht-CVD-, Gleichstrom-Plasma-CVD-, Plasmastrahl-CVD-,
Verbrennungs-CVD- und thermisches CVD-Verfahren. Durch solche
Techniken ist es möglich, kontinuierliche Diamantfilme über
eine große Fläche zu bilden. Die durch diese Verfahren auf
Nicht-Diamantsubstraten wie beispielsweise Silizium
gewachsenen Diamantfilme sind jedoch, wie in Fig. 1 zu sehen,
polykristallin, wobei Diamant-Körner in einer zufälligen
Weise verschmelzen, und daher liegen zahlreiche Korngrenzen
in dem Film vor. Techniken, um hochorientierte Diamantfilme
wie in Fig. 2 gezeigt zu synthetisieren, sind bekannt, aber
diese sind auch polykristallin, wobei sie eine hohe Dichte
von Korngrenzen in dem Film haben.
Aufgrund solcher Korngrenzen ist es weder bei
polykristallinen noch bei hochorientierten Diamantfilmen
möglich, elektrische Eigenschaften zu erzielen, die
ursprünglich bei den Diamant-Volumenkristallen vorhanden
sind, die frei von Korngrenzen sind, da Ladungsträger für die
elektrische Leitfähigkeit an den Korngrenzen in den
polykristallinen Filmen eingefangen oder gestreut werden.
Daher ist das Leistungsvermögen von elektronischen Sensoren
und Vorrichtungen, die entweder aus polykristallinen oder
hochorientierten Diamantfilmen hergestellt sind, wesentlich
schlechter als das Leistungsvermögen derjenigen, die aus
einkristallinem Volumen-Diamant hergestellt sind.
Bei optischen Anwendungen hat polykristalliner
Diamant ein niedrigeres optisches Transmissionsvermögen als
Diamant-Volumenkristalle, aufgrund von Lichtabsorption und
-streuung an den Korngrenzen. In ähnlicher Weise tritt bei
Anti-Verschleißanwendungen unter Verwendung von
polykristallinen Diamantfilmen Absplittern bzw. Abspanen
leichter an den Korngrenzen als im Volumen-Diamant auf.
Es ist bekannt, daß einkristalline Diamantfilme durch
CVD auf Volumen-Diamant und Einkristallen aus kubischem
Bornitrid gewachsen werden können. Unglücklicherweise sind
große Kristall-Facetten bzw. Kristallflächen für beide
Materialien nicht erhältlich, und somit ist es nicht möglich,
einkristalline Diamantfilme auf diesen Substraten mit einer
großen Fläche abzuscheiden.
Es ist auch bekannt, daß Diamant-Körner, die auf
Nickel- (Ni) oder Kupfer- (Cu) Substraten durch CVD gewachsen
sind, in einem bestimmten Grad orientiert sind. In dem Fall
der Verwendung von Ni-Substraten gibt es jedoch Probleme, daß
das Ni-Substrat unter den CVD-Bedingungen für Diamant-
Wachstum zerbrechlich und beeinträchtigt wird, wobei Ni mit
einem Wasserstoff-Plasma bei hoher Temperatur in Kontakt
steht. Darüber hinaus reagiert Ni mit abgeschiedenem Diamant,
wobei dieser in Graphit verwandelt wird [D. N. Belton und
S. J. Schmeig, J. Appl. Phys., Band 66, S. 4223 (1989)].
Andererseits wird bei der Verwendung von Cu-Substraten der
abgeschiedene Diamantfilm von dem Cu-Substrat abgeschält,
nachdem die Probe aus dem CVD-Reaktor herausgezogen worden
ist, aufgrund der Spannung zwischen dem Diamantfilm und dem
Cu-Substrat, die durch den Unterschied zwischen der
Temperatur während des CVD-Verfahrens (höher als 600°C) und
Zimmertemperatur und dem Unterschied der thermischen
Ausdehnungskoeffizienten zwischen Diamant und Cu erzeugt
wird. Der lineare thermische Expansionskoeffizient von Cu ist
ungefähr zehn Mal größer als der von Diamant [J. F. Denatale
et al., J. Mater.Sci., Band 27, S. 553 (1992)].
CVD von Diamant auf Platin (Pt) und weiteren
Übergangsmetallen ist bereits versucht worden, aber es
ergaben sich nur polykristalline Diamantfilme oder
Diamantteilchen, und einkristalline Diamantfilme wurden nicht
erhalten [Sakamoto und Takamatsu, Hyomen Gÿutsu, Band 44,
Nr. 10, S. 47 (1993); M. Kawarada et al., Diamond and Related
Materials, Band 2, S. 1083 (1993); D. N. Belton und
S. J. Schmeig, J. Appl. Phys., Band 69, Nr. 5, S. 3032
(1991); D. N. Belton und S. J. Schmeig, Surface Sci., Band
233, S. 131 (1990); Y. G. Ralchenko et al., Diamond and
Related Materials, Band 2, Seite 904 (1993)].
Für die praktische Verwendung von Diamantfilmen in
der Industrie, insbesondere für Elektronik und Optik, ist es
notwendig, Wachstum von einkristallinen Diamantfilmen bei
niedrigen Kosten zu erzielen, die entweder vollständig frei
von Korngrenzen sind oder eine ausreichend niedrige Dichte
von Korngrenzen auf einer großen Fläche enthalten.
Unglücklicherweise ist solch eine Technologie bis jetzt noch
nicht gefunden worden.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein
neuartiges Verfahren zur Herstellung von einkristallinen
Diamantfilmen durch CVD auf einer großen Fläche bei niedrigen
Kosten bereitzustellen.
Es ist eine weitere Aufgabe der Erfindung, ein
Verfahren zur Herstellung von einkristallinen Diamantfilmen
bereitzustellen, die deutlich verbesserte Qualität und
Eigenschaften haben, und die daher in einer Anzahl von
Gebieten in der Industrie verwendet werden können.
Die vorliegende Erfindung beruht auf einer Entdeckung
durch die Erfinder der vorliegenden Erfindung, daß
einkristalline Diamantfilme mit (111)- und (001)-Oberflächen
durch CVD jeweils auf (111)- und (001)-Oberflächen von Pt und
Pt-Legierungen gewachsen werden. Es wurde auch entdeckt, daß
einkristalline Diamantfilme auch gewachsen werden können,
obwohl die (111)- und (001)-Oberflächen von Pt oder seinen
Legierungen bei Winkeln innerhalb von ± 10° von (111) bzw.
(001) geneigt sind.
Im folgenden wird aus Gründen der Vereinfachung ein
Ausdruck "(111)-Kristalloberflächen von Pt oder seinen
Legierungen" oft verwendet, um nicht nur die (111)-
Kristalloberflächen von Pt oder seinen Legierungen
darzustellen, sondern auch um alle Kristalloberflächen von Pt
und seinen Legierungen mit Winkel-Abweichungen innerhalb von
± 10° von (111) darzustellen. Dasselbe gilt für (001).
Darüber hinaus werden Beschreibungen aus Gründen der
Einfachheit oft nur für Pt gegeben, wenn die Erweiterung auf
Pt-Legierungen offensichtlich ist.
Die für das Wachstum von einkristallinen
Diamantfilmen zu verwendenden Substrate können Volumen-Pt
oder Volumen-Pt-Legierungen sein, mit den vorstehend
definierten Kristalloberflächen. Alternativ können sie Filme
von Pt oder seinen Legierungen sein, die auf geeigneten
Trägermaterialien abgeschieden sind, solange die Filme die
vorstehend definierten Kristalloberflächen haben.
Die Pt-Legierungen umfassen vorzugsweise mindestens
ein Element, das ausgewählt ist aus der Gruppe VIA des
Periodensystems, wie beispielsweise Cr, Mo und W, der Gruppe
VIIA wie beispielsweise Mn, der Gruppe VIIIA wie
beispielsweise Fe, Co, Ir, Ni und Pd, und der Gruppe IB wie
Au, Ag und Cu.
Die Trägermaterialien für die Filme aus Pt und Pt-
Legierungen können Einkristalle aus Lithiumfluorid,
Calciumfluorid, Magnesiumoxid, Nickeloxid, Zirkoniumoxid,
Saphir (Aluminiumoxid), Strontiumtitanat,- Bariumtitanat,
Bleititanat, Kaliumtantalat und Lithiumniobat sein.
Alternativ können die Trägermaterialien einkristallines
Silizium, Quarz und Gläser sein, solange die Pt- oder Pt-
Legierungsfilme die (111)- oder (001)-Kristalloberflächen
besitzen. Die Pt- oder Pt-Legierungsfilme können entweder auf
den gesamten Oberflächen der Trägermaterialien oder
mindestens auf ausgewählten Flächen der Trägermaterialien
abgeschieden sein.
Fig. 1 ist eine Sekundärelektronen- bzw.
Rasterelektronenmikroskop- (SEM) -Fotografie eines
polykristallinen Diamantfilms, in dem Diamant-Körner zufällig
orientiert sind;
Fig. 2 ist eine SEM-Fotografie eines hochorientierten
Diamantfilms, in dem quadratische (001)-Facetten bzw.
-Flächen von Diamant-Körnern regelmäßig in derselben Richtung
orientiert sind. Mikroskopische Analysen haben jedoch
gezeigt, daß es Fehlorientierungen mit Winkeln von ein bis
fünf Grad zwischen benachbarten Diamant-Körnern gibt;
Die Fig. 3(a) und 3(d) veranschaulichen
unterschiedliche Typen von Substraten, die in der
vorliegenden Erfindung verwendet werden;
Fig. 4 ist eine SEM-Fotografie eines einkristallinen
Diamantfilms, der gemäß der vorliegenden Erfindung gewachsen
ist, wobei (111)-Facetten bzw. -Flächen von Diamant
miteinander verschmelzen. Diese Fotografie ist aus der
Richtung senkrecht zur Filmoberfläche aufgenommen;
Fig. 5 ist eine SEM-Fotografie desselben
einkristallinen Diamantfilms wie dem, der in Fig. 4 gezeigt
ist. Diese Fotografie ist von der Richtung, die gegenüber der
Oberflächennormalen geneigt ist, aufgenommen;
Fig. 6 zeigt schematisch die Kristallstruktur von Pt,
die als die kubisch flächenzentrierte (fcc) Struktur bekannt
ist;
Fig. 7 zeigt schematisch die Kristallstruktur von
Diamant, die als die Diamantstruktur bekannt ist;
Fig. 8 ist ein schematisches Diagramm eines Standard-
Mikrowellen-Plasma-CVD-Reaktors;
Fig. 9 ist ein schematisches Diagramm eines
Heizdraht-CVD-Reaktors; und
Fig. 10 ist ein schematisches Diagramm eines
Mikrowellen-Plasma-CVD-Reaktors, bei dem eine Gleichspannung
(DC) an das Substrat angelegt werden kann.
Die vorliegende Erfindung beruht auf einer
unerwarteten Entdeckung der Erfinder der vorliegenden
Erfindung, daß einkristalline Diamantfilme mit (111)- und
(001)-Oberflächen durch CVD jeweils auf (111)- und (001)-
Oberflächen von Pt oder seinen Legierungen gebildet werden.
SEM-Fotografien des Ergebnisses hinsichtlich der (111)-
Oberfläche sind in den Fig. 4 und 5 gezeigt.
Bei der Entdeckung gibt es eine Vielzahl von
Ergebnissen, die durch die vorliegenden Theorien von
heteroepitaxialem Wachstum, d. h. dem Wachstum von
einkristallinen Diamantfilmen auf Substraten, die nicht aus
Diamant bestehen, zu verstehen sind. Das erste ist die
Tatsache, daß die Gitterkonstante von Pt (0,39231 nm
(3,9231 Å)) sich um so viel wie ungefähr 10% von der von
Diamant (0,3566 nm (3,566 Å)) unterscheidet. Man hat
allgemein in, Betracht gezogen, daß Wachstum von
einkristallinen Filmen in solch einem Fall, daß es einen
großen Unterschied der Gitterkonstanten zwischen dem
Substratmaterial und dem abzuscheidenden Material gibt, wie
in dem Fall der vorliegenden Erfindung, nicht möglich ist.
Das zweite ist die Tatsache, daß die Kristallstruktur von Pt
fcc ist (siehe Fig. 6), die von der Diamantstruktur (siehe
Fig. 7) verschieden ist, und somit können das Pt-Substrat und
der abgeschiedene Diamantfilm von der Struktur her nicht
kontinuierlich sein. Aus diesen Gründen ist das Wachstum von
einkristallinen Diamantfilmen auf solch einem Substrat wie Pt
bisher bloße Spekulation gewesen. In der Tat sind bisher nur
zufällig orientierte polykristalline Diamantfilme auf Pt-
Folien durch CVD erhalten worden.
Im Gegensatz wurde von den Erfindern der vorliegenden
Erfindung entdeckt, daß einkristalline Diamantfilme durch CVD
nicht nur auf Pt, sondern auch auf Pt-Legierungen gewachsen
werden können, wenn (111)- oder (001)-Kristalloberflächen an
den Oberflächen der Pt- oder Pt-Legierungs-Substrate
freigelegt sind.
Es wurde in der vorliegenden Erfindung entdeckt, daß
die Keimbildung von Diamant auf Pt- oder Pt-
Legierungssubstraten bei einer hohen Dichte möglich ist,
indem eine Vorspannung an das Substrat in einer Plasma-
Atmosphäre, die Kohlenstoff enthält, zu Beginn von einem CVD-
Verfahren für Diamant angelegt wird. Dieses Verfahren wird
"Vorspannungs-verstärkte Keimbildung (BEN)" genannt.
Alternativ kann die Substratoberfläche mit
Diamantpulver oder Diamantpaste durch Schwabbel- und/oder
Ultraschall-Polieren vor dem CVD-Verfahren für Diamant
gekratzt werden. Es ist allgemein selbstverständlich gewesen,
daß die Substratoberfläche für heteroepitaxiales Wachstum auf
einem atomaren Maßstab glatt sein muß. Dieses herkömmliche
Konzept steht in starkem Widerspruch zu der vorliegenden
experimentellen Entdeckung, da in der vorliegenden Erfindung
die (111)- oder (001)-Kristalloberflächen von Pt oder Pt-
Legierungen beträchtlich durch das Polieren aufgerauht werden
können, und doch können einkristalline Diamantfilme auf
solchen Substraten gewachsen werden. Die vorliegende
Erfindung lehrt nämlich, daß einkristalline Diamantfilme
durch CVD selbst auf solchen aufgerauhten Substraten
gewachsen werden können. Die Vorhersage solch einer Tatsache
durch die vorliegenden Theorien ist unmöglich.
Die Erfinder der vorliegenden Erfindung haben
Kohlenstoff- (C)-Ionenimplantation als eine Substrat-
Vorbehandlung unter Verwendung der folgenden Bedingungen
untersucht: Die Beschleunigungsspannung war 40 bis 120 keV,
und die C-Implantationsdichte war 10¹⁶ bis 1020 cm-2. Es
wurde aus dem Test geschlossen, daß die Diamant-
Keimbildungsdichte durch die C-Ionenimplantation auf das
Substrat signifikant erhöht werden kann.
Der Mechanismus der Diamant-Bildung auf (111)- oder
(001)-Kristalloberflächen von Pt und seinen Legierungen ist
nicht bekannt, wird aber wie folgt angenommen: Da bekannt
ist, daß Pt eine katalytische Wirkung hat, werden auf seiner
Oberfläche adsorbierte Moleküle leicht zersetzt. Daher nimmt
man an, daß die Dichte der chemisch aktiven Kohlenstoff-
Spezies an der Substratoberfläche während des CVD-Verfahrens
hoch ist. Solche Kohlenstoff-Spezies können in das Innere des
Substrats diffundieren. Als ein Ergebnis ist die Pt-
Oberfläche und ebenso die Oberflächenschicht mit
Kohlenstoffatomen übersättigt, die dann unter Bildung von
Diamant-Kernen kristallisieren. Bei der Bildung von Diamant-
Kernen können Nicht-Diamantstrukturen von Kohlenstoff wie
beispielsweise Graphit auch erzeugt werden, aber es ist
bekannt, daß sie leicht durch Reaktionen mit chemisch aktivem
Wasserstoff und Sauerstoff in dem Plasma des Quellengases
während des CVD-Verfahrens geätzt werden. Wenn es die in dem
Substrat gelösten Kohlenstoffatome sind, die die Diamant-
Kerne bilden, wird die Orientierung des einzelnen Diamant-
Kerns nur durch die (111)- oder (001)-Struktur innerhalb des
Substrats bestimmt. Daher hat die Oberflächenrauhigkeit
aufgrund des mechanischen Polierens wenig Effekt auf die
Orientierung der Diamantkerne. Eher hat die
Oberflächenrauhigkeit einen Effekt, die Diffusion von
Kohlenstoffatomen innerhalb des Substrats zu beschleunigen.
Die Verwendung von Pt oder seinen Legierungen für das
Substratmaterial hat die folgenden Gründe: Die katalytische
Wirkung von Ni ist so stark, daß einmal gebildeter Diamant in
Graphit verwandelt wird. Andererseits ist die katalytische
Wirkung von Cu zu schwach, und die Kohlenstoffdichte
innerhalb des Cu-Substrats kann für Diamant-Keimbildung nicht
ausreichend sein, da Cu keine starke Affinität zu Kohlenstoff
hat. Silizium (Si), welches am öftesten als Substrat für CVD-
Verfahren für Diamant verwendet wird, bildet eine stark
kovalente Bildung mit Kohlenstoff, so daß die spontane
Diamant-Keimbildung unterdrückt ist. Im Gegensatz sind,
obwohl Pt katalytische Wirkungen zeigt, diese nicht übermäßig
stark, anders als bei Ni, und Pt läßt zu, daß
Kohlenstoffatome in ihm gelöst werden und in ihm Keime
bilden. Darüber hinaus ist die chemische Affinität von Pt zu
Kohlenstoff gemäßigt. Entsprechend besitzen Pt oder seine
Legierungen anscheinend die geeignetesten Eigenschaften als
Substrat für Diamantfilm-Heteroepitaxie durch CVD-Verfahren.
Im Fall, daß die gemäß der vorliegenden Erfindung
hergestellten Substrate die Filme von Pt oder seinen
Legierungen umfassen, die auf geeigneten Substraten
abgeschieden sind, gibt es im Prinzip keine Beschränkung
hinsichtlich der Fläche der einkristallinen Diamantfilme, und
somit ist eine großflächige Abscheidung von einkristallinen
Diamantfilmen möglich.
Es ist offensichtlich, daß die vorstehend
hauptsächlich auf Pt beschriebenen Effekte auch auf Pt-
Legierungen anwendbar sind. In diesem Fall können die
Minderheits-Komponenten der Pt-Legierungen die VIA-Elemente
wie beispielsweise Cr, Mo und W, die VIIA-Elemente wie
beispielsweise Fe, Co, Ir, Ni und Pd, und die IB-Elemente wie
beispielsweise Au, Ag und Cu umfassen. Es ist bekannt, daß
die VIA- und VIIA-Elemente stabile Carbide bilden, die VIIIA-
Elemente stark mit Kohlenstoff reagieren und die IB-Elemente
gegenüber Kohlenstoff inaktiv sind. Daher ist es durch
Verwendung von Pt-Legierungen, die solche Elemente enthalten,
möglich, die katalytische Wirkung von Pt-Legierungen zu
steuern, und ihnen eine neue chemische Reaktivität
hinzuzufügen. Darüber hinaus ist durch Bildung von
Legierungen eine Feinabstimmung der Gitterkonstanten möglich,
und daher kann die Orientierung des abgeschiedenen
Diamantfilms auch gesteuert werden. Dies sind die
hauptsächlichen Vorteile der Verwendung von Pt-Legierungen
als Substrate für die Abscheidung von einkristallinen
Diamantfilmen.
Gemäß einer Untersuchung der Erfinder sollten solche
Elemente in den Pt-Legierungen 50% nicht überschreiten,
andernfalls werden die katalytische und weitere Wirkungen von
Pt zu schwach.
Platin oder seine Legierungen können durch bekannte
Verfahren wie beispielsweise Sputtern bzw. Zerstäuben und
Elektronenstrahl-Abscheidung abgeschieden werden. Es gibt
keine Beschränkung hinsichtlich der Filmdicke. Wenn die Filme
jedoch zu dünn sind, können sie während oder nach dem CVD-
Verfahren von dem Trägermaterial abgeschält werden.
Andererseits ist eine längere Abscheidungszeit zum Abscheiden
von dicken Filmen aus Pt oder Pt-Legierungen erforderlich.
Daher ist es gegenwärtig bevorzugt, die Filmdicke von Pt oder
seinen Legierungen so zu machen, daß sie mehr als ungefähr
100 nm (1000 Å) und weniger als ungefähr 0,5 mm ist.
Unter den zahlreichen Abscheidungsverfahren ist
Sputtern bzw. Zerstäuben am gebräuchlichsten und einfachsten,
um einkristalline Filme aus Pt oder seinen Legierungen
herzustellen. Für CVD-Verfahren für Diamantfilme kann jedes
der vorstehend erwähnten Verfahren verwendet werden.
Mikrowellen-Plasma-CVD ist jedoch bevorzugt und am
gebräuchlichsten, um die Substrat-Vorbehandlungen und das
CVD-Verfahren für Diamantfilme aufeinanderfolgend
durchzuführen.
Bei dem CVD-Verfahren für Diamant ist es bekannt, daß
die (111)- und (001)-Kristalloberflächen von Diamant am
öftesten unter Standard-CVD-Bedingungen auftreten, und es ist
sehr unwahrscheinlich, daß weitere Kristalloberflächen
erscheinen. Daher sollten die Substratoberflächen von Pt und
Pt-Legierungen auch entweder (111) oder (001) sein, da
einkristalline Diamantfilme mit (111)- oder (001)-
Kristalloberflächen jeweils auf (111)- oder (001)-
Kristalloberflächen von Pt oder seinen Legierungen wachsen
können.
Die Fig. 3(a) und 3(b) veranschaulichen Beispiele
für solche Substratstrukturen. Fig. 3(a) ist der Fall, in dem
das Einkristallsubstrat 1 von Pt oder seinen Legierungen
verwendet wird. Die Oberfläche des Substrats ist (111).
Fig. 3(b) ist der Fall, daß die Domänenstruktur aus mehreren
Einkristallen 2 mit (111)-Oberflächen zusammengesetzt ist.
Die azimutalen Orientierungen der Domänen 2 sind voneinander
verschieden.
Um einen gleichförmigen einkristallinen Diamantfilm
herzustellen, muß die gesamte Oberfläche von Pt oder seinen
Legierungen (111) oder (001) sein, wie in Fig. 3(a) gezeigt.
Selbst, wenn jedoch die Oberfläche aus den Domänen von
entweder (111) oder (001) besteht, wie in Fig. 3(b) gezeigt,
wobei jede Fläche vorzugsweise größer als 2500
Quadratmikrometer ist (1 Mikrometer = 10-6 m) und ihre
Azimutalwinkel voneinander verschieden sind, kann ein
einkristalliner Diamantfilm mit (111)- oder (001)-
Kristalloberfläche auf jeder der Domänen wachsen. Obwohl
solch ein Diamantfilm eine Domänenstruktur hat, sind seine
Eigenschaften im wesentlichen die selben wie diejenigen von
Volumen-Diamant, da jede der Domänen des Diamantfilms
ausreichend groß ist.
Unter Betrachtung der Kristalloberflächen von Pt und
seinen Legierungen ist es bevorzugt, daß sie genau (111) oder
(001) sind. Einkristalline Diamantfilme können jedoch auch
auf Kristalloberflächen außerhalb der Achse gewachsen werden,
wenn die Winkel-Abweichung innerhalb von ± 10° von (Ill) oder
(001) ist, da die Differenz zwischen der geneigten (111)-
Oberfläche und der genauen (111)-Oberfläche nur dem Vorliegen
von Stufenstrukturen im atomaren Maßstab bei der genaueren
(111)-Oberfläche entspricht. Falls die Abweichung über ± 10°
hinausgeht, werden einkristalline Diamantfilme nicht
gewachsen, da die erwünschten Kristalloberflächen nicht
auftreten.
Die (111)- und (001)-Kristalloberflächen von Pt oder
seinen Legierungen können durch Abscheiden der Filme von Pt
oder seinen Legierungen auf jeweils den (111)- und (001)-
Kristalloberflächen der folgenden Trägermaterialien gebildet
werden: Lithiumfluorid, Calciumfluorid, Magnesiumoxid,
Nickeloxid, Zirkoniumoxid, Saphir (Aluminiumoxid),
Strontiumtitanat, Bariumtitanat, Bleititanat, Kaliumtantalat
und Lithiumniobat. In solchen Fällen können die Filme von Pt
oder seinen Legierungen entweder auf den gesamten Oberflächen
der Trägermaterialien oder mindestens auf ausgewählten
Flächen der Trägermaterialien in Abhängigkeit von den
Anwendungszwecken aufgetragen werden.
Alternativ können die Trägermaterialien
einkristallines Silizium, Quarz und Gläser sein, solange die
abgeschiedenen Filme von Pt oder Pt-Legierungen (111)- oder
(001)-Kristalloberflächen besitzen. Zu diesem Zweck können
die Oberflächen dieser Materialien durch bekannte Techniken
modifiziert werden, oder dünne Filme aus verschiedenen
Materialien müssen auf solchen Materialien vor dem CVD-
Verfahren für Diamant abgeschieden werden, anstelle der
Verwendung von den bloßen Materialien. Für den Fall der
bisher beschriebenen Pt- oder Pt-Legierungsfilme sind die
Kosten des Substrats deutlich niedriger als für Volumen-Pt
oder Volumen-Pt-Legierungen. Die vorliegende Erfindung
schließt solche Möglichkeiten nicht aus.
Gewöhnlich sind die Filme aus Pt oder seinen
Legierungen, die durch Sputtern bzw. Zerstäuben oder
Elektronenstrahl-Abscheidung auf den vorstehend beschriebenen
Trägermaterialien abgeschieden werden, keine Einkristalle,
und daher treten genaue (111)- oder (001)-Kristalloberflächen
an den Filmoberflächen nicht auf. Um mit dem Problem
zurechtzukommen, sollten die Filme bei einer Temperatur
oberhalb von 300°C in situ (während der Abscheidung) oder
nach der Abscheidung getempert werden. Die optimale
Temperzeit hängt von der Tempertemperatur und der Filmdicke
ab. Eine Untersuchung der Erfinder der vorliegenden Erfindung
gibt an, daß Tempern oberhalb von 800°C bevorzugt ist. Das
Tempern wird gewöhnlich im Vakuum durchgeführt.
Gemäß den Untersuchungen der Erfinder der
vorliegenden Erfindung erleichtert jedoch das Tempern in
einer Oxidationsatmosphäre das Wachstum von einkristallinen
Diamantfilmen in CVD, vermutlich aufgrund von einigen
Effekten von Sauerstoff, der während dem Tempern adsorbiert
wird. Im Gegensatz wird Tempern in einer Reduktions-Umgebung
wie beispielsweise in Wasserstoff über eine ausgedehnte
Zeitdauer hinweg nicht empfohlen, da Pt und seine Legierungen
in solch einer Umgebung beeinträchtigt werden.
Wie vorstehend erwähnt werden kontinuierliche
einkristalline Diamantfilme auf Substraten aus Pt oder Pt-
Legierung gewachsen, obwohl die Substratoberfläche durch
Kratzen unter Verwendung von Schwabbel- und/oder Ultraschall-
Polieren mit Diamantpulver oder Diamantpaste vor dem Diamant-
CVD-Verfahren aufgerauht worden sind. Das liegt daran, daß
die Orientierungen der Diamant-Kerne durch die (111)- oder
(001)-Kristallstruktur innerhalb des Substrats aus Pt oder
Pt-Legierung bestimmt sind, da Kohlenstoffatome in dem
Volumen-Substrat gelöst werden. Daher beeinflußt das
Aufrauhen der Substratoberfläche die Orientierung der
Diamantkerne wenig. Die aufgerauhten Oberflächen erleichtern
eher, daß Kohlenstoffatome in das Innere des Substrats
diffundieren. Dies ist ein unerwartetes und noch unerklärtes
Phänomen, das durch die Erfinder der vorliegenden Erfindung
entdeckt wurde.
Gewöhnlich werden zahlreiche molekulare und atomare
Arten wie beispielsweise Stickstoff, Sauerstoff, Wasser und
dergleichen in der Luft physikalisch oder chemisch auf der
Substratoberfläche adsorbiert. Wenn Diamant-CVD-Verfahren auf
Substraten aus Pt oder seinen Legierungen bei Anwesenheit
solcher adsorbierten Arten durchgeführt wird, werden die
Orientierungen von Diamantteilchen zufällig, und eine hohe
Defektdichte wird im Diamant erzeugt, wodurch die Bildung von
einkristallinen Diamantfilmen verhindert wird. Um das Problem
zu lösen, werden die Substrate mit einem abgeschiedenen Film
aus Pt oder seiner Legierung in geeigneten Flüssigkeiten wie
beispielsweise Königswasser oder organischen Lösungsmitteln
gespült, nachfolgend in einem Vakuum getrocknet, das besser
als 10-6 Torr (1 Torr = 133 Pa) ist, oberhalb 300°C mehr als
15 Minuten lang getrocknet, um die Arten zu desorbieren, und
dann mit einem Plasma behandelt, das mindestens ein Gas, das
aus Wasserstoff, Sauerstoff, Chlor und Fluor ausgewählt ist,
oder mindestens ein Gas, das aus Helium, Neon und Argon
ausgewählt ist, oder beide Gase enthält. Auf diese Weise kann
die Substratoberfläche gereinigt werden.
Um die Keimbildung von Diamant zu erleichtern, muß
die Substratoberfläche durch ein kohlenstoffhaltiges Plasma
behandelt werden, wobei eine Übersättigung von Kohlenstoff an
der Substratoberfläche erzeugt wird. Bei dieser Behandlung
ist es wahrscheinlich, daß Nicht-Diamant-
Kohlenstoffkomponenten wie beispielsweise amorpher
Kohlenstoff und amorpher Graphit auf der Substratoberfläche
zusammen mit Diamantkernen abgeschieden werden. Da diese
Substanzen keine orientierungsmäßige Beziehung zu der
Substratstruktur haben, behindern sie die Bildung von
einkristallinen Diamantfilmen. Solche Kohlenstoffsubstanzen
können durch Zugabe von mindestens einem Gas, das aus
Wasserstoff, Sauerstoff, Chlor und Fluor ausgewählt ist, oder
mindestens einem Gas, das aus Helium, Neon und Argon
ausgewählt ist oder beiden zu dem kohlenstoffhaltigen Gas
entfernt werden.
Für das Wachstum von Diamant können bekannte CVD-
Verfahren wie beispielsweise Mikrowellen-Plasma-CVD-,
Radiofrequenz-Plasma-CVD-, Heizdraht-CVD-, DC- bzw.
Gleichstrom-Plasma-CVD-Verfahren, Plasmastrahl-,
Verbrennungs-, thermisches CVD-Verfahren und dergleichen
verwendet werden.
In einem frühen Stadium des Diamant-CVD-Verfahrens
tritt die Diamant-Keimbildung nur auf, nachdem die
Substratoberfläche mit Kohlenstoff übersättigt ist. Es ist
jedoch wahrscheinlich, daß Diamantkerne vollständig durch
Kollisionen mit Ionen mit hoher Energie von dem Plasma
geschädigt werden. Daher ist es notwendig, Diamant-Kerne auf
dem Substrat zu bilden und sie zu größeren Diamant-
Kristalliten wachsen zu lassen, sobald das Diamant-CVD-
Verfahren beginnt. Dafür ist das BEN-Verfahren (elektrisches
Vorspannen des Substrats im Plasma für die Keimbildung von
Diamant) sehr wirkungsvoll, da die Substratoberfläche schnell
mit kohlenstoffhaltigen Spezies übersättigt wird, wenn die
Ionen, die Kohlenstoffatome enthalten, an das Substrat durch
das elektrische Feld aufgrund der Vorspannung angezogen
werden, und somit werden Diamantkerne leichter gebildet und
gewachsen. Die Effekte der angelegten elektrischen
Vorspannung sind für positive oder negative Vorspannung
ähnlich. Es scheint jedoch, daß eine negative Spannung
bevorzugt ist.
Einkristalline Diamantfilme können selbst ohne
Verwendung des BEN-Verfahrens gewachsen werden. Eine bessere
Gleichförmigkeit der Filmdicke und -qualität ebenso wie
größere Flächen der einkristallinen Filme werden jedoch
erzielt, wenn das BEN-Verfahren verwendet wird.
Da Pt beeinträchtigt wird, wenn es über eine längere
Zeitdauer hinweg Wasserstoff bei einer hohen Temperatur
ausgesetzt wird, ist es bevorzugt, entweder Vorspannungs
verstärkte Keimbildung von Diamant oder Diamant-CVD-Verfahren
oder beide unter Verwendung von Quellengasen durchzuführen,
die keinen Wasserstoff enthalten, beispielsweise
Kohlenmonoxid (CO) oder eine Kombination aus CO und
Kohlendioxid (CO₂). Im gegenwärtigen Stadium ist jedoch die
Verwendung der bekannten Kombinationen aus Gasen wie
beispielsweise Kohlenwasserstoffe, Wasserstoff und Sauerstoff
als Quellengas vorteilhafter als die von CO im Hinblick auf
Sicherheit und Kosten.
Wenn ein wasserstoffhaltiges Gas für die Diamant-
Keimbildung unter Verwendung des BEN-Verfahrens verwendet
wird, ist es bevorzugt, daß ein kohlenstoffhaltiges Gas, das
mit Wasserstoff auf 0,1 bis 10% verdünnt ist, unter den
Bedingungen verwendet wird, daß der Gasdruck 0,133 bis
13,3 kPa (1 bis 100 Torr) ist, die Substrattemperatur 400 bis
1100°C ist, und eine DC-Spannung von -70 bis -350 V oder +70
bis +350 V an das Substrat 1 bis 90 Minuten lang angelegt
wird.
Unter solchen Bedingungen wird, wenn die
Kohlenwasserstoff-Konzentration nicht größer als 0,1 Vol.-%
ist, die Substratoberfläche nicht mit Kohlenstoff
übersättigt, und somit tritt keine Diamant-Keimbildung auf.
Wenn sie andererseits nicht niedriger als 1 Vol.-% ist, ist
es wahrscheinlich, daß Kohlenstoff-Substrate, die-nicht aus
Diamant bestehen, abgeschieden werden, und daß einkristalline
Diamantfilme nicht länger wachsen. Wenn der Gasdruck nicht
höher als 133 Pa (1 Torr) ist, erreicht die Kohlenstoff-
Konzentration an der Substratoberfläche nicht den
Übersättigungszustand. Die Vorspannung ist nicht länger
wirkungsvoll, wenn der Gasdruck nicht niedriger als 13,3 kPa
(100 Torr) ist. Es ist bekannt, daß der für Diamant-Wachstum
wichtigste Substrattemperaturbereich zwischen 400 und 1100 C
liegt. Wenn der Absolutwert der Vorspannung kleiner als 70 V
ist, wird kein Vorspannungseffekt gesehen, während, wenn er
oberhalb 350 V ist, Diamant-Kerne ernsthaft ionengeschädigt
werden, und somit die Kristallinität von Diamant signifikant
erniedrigt wird. Die Vorspannungszeit sollte nicht kürzer als
eine Minute sein, damit die Vorspannung effektiv gemacht
wird, aber eine Vorspannung über 90 Minuten führt zur
Schädigung der Diamant-Kerne.
Bei dem CVD-Verfahren für Diamant auf Pt oder seinen
Legierungen ergibt die katalytische Wirkung von Pt einen
starken Einfluß auf das CVD-Verfahren für Diamant, im
Gegensatz zu Silizium, welches am öftesten als Substrat für
CVD verwendet wird. Um die optimalen Wachstumsbedingungen für
Diamant-Wachstum zu erkennen, wiederholten die Erfinder der
vorliegenden Erfindung eine Anzahl von Experimenten und
fanden, daß die (111)-Kristallfacetten bzw. -flächen von
Diamant an Diamantfilmoberflächen dominieren, wenn CVD unter
den folgenden CVD-Bedingungen auf Pt- oder Pt-
Legierungssubstraten mit (111) -Kristalloberflächen
unternommen wird. Für das Quellengas wird eine Mischung aus
Methan (CH₄), das mit Wasserstoff verdünnt ist, und
Sauerstoff (O₂) verwendet, wobei die CH₄- und O₂-
Konzentrationen in dem Quellengas, die jeweils als (CH₄] und
[O₂] bezeichnet werden, 0,1% [CH₄] 5% und
0,1% [O₂] 3% sind und die Substrattemperatur oberhalb
750°C ist.
Andererseits wurde gefunden, daß (001)-
Kristallfacetten bzw. -flächen von Diamant an
Diamantfilmoberflächen dominieren, wenn CVD unter den
folgenden CVD-Bedingungen auf Pt- oder Pt-
Legierungssubstraten mit (001)-Kristalloberflächen
unternommen wird: Für das Quellengas wird eine Mischung aus
Methan (CH₄), das mit Wasserstoff verdünnt ist, und
Sauerstoff (O₂) verwendet, wobei die CH₄- und O₂-
Konzentrationen in dem Quellengas jeweils 5% [CH₄] 15%
und 1% [O₂] 7% sind und die Substrattemperatur
unterhalb 850°C ist.
Das Wachstum von einkristallinen Diamantfilmen mit
hoher Qualität wird durch Zugabe von inerten Gasen wie
beispielsweise Helium, Neon, Argon und dergleichen zu dem
Quellengas erreicht, da diese Gase leicht zu Ionen ionisiert
werden und daher das Plasma aktivieren. In ähnlicher Weise
wird das Wachstum von Diamantfilmen mit hoher Qualität mit
einer guten epitaxialen Beziehung zu der Substratstruktur
erzielt, wenn halogenhaltige Gase wie beispielsweise
Tetrachlorkohlenstoff (CCl₄), Chloroform (CHCl₃),
Dichlormethan (CH₂Cl₂), Chlormethan (CH₃Cl),
Tetrafluorkohlenstoff (CF₄) und dergleichen dem Quellengas
hinzugefügt werden, da die durch die Zersetzung von solchen
Gasen in dem Plasma erzeugten Halogenatome vorzugsweise
instabile Kerne, die nicht epitaxial an dem Substrat
anhaften, ätzen.
Platin und seine Legierungen sind teuer, aber ihre
Verwendung als Substrate für CVD wird nicht zu erhöhten
Kosten bei der Herstellung von einkristallinen Diamantfilmen
führen, da sie nach dem CVD-Verfahren leicht von den
Diamantfilmen abgelöst werden. Die Verwendung von
Metallsubstraten ist sehr vorteilhaft, da sie als Elektroden
bei Anwendungen von Diamantfilmen für elektronische Sensoren
und Vorrichtungen verwendet werden können.
Falls die abgeschiedenen einkristallinen Diamantfilme
für optische Fenster und Wärmesenken bzw. -Abführelemente
verwendet werden, sind keine Substrate erforderlich. In
solchen Fällen können die Substratmaterialien mechanisch oder
chemisch entfernt werden. Darüber hinaus ist das Polieren von
einer oder beiden Seiten der freistehenden Diamantfilme für
solche Anwendungen möglich.
Die Dicke der einkristallinen Diamantfilme hängt nur
von der Zeitdauer des CVD-Verfahrens ab. Im allgemeinen kann
sie zwischen 0,1 µm und 1 mm sein. Es ist auch möglich,
einkristalline Diamantfilme auf Substraten durch Mikrowellen-
Plasma-CVD und nachfolgend Plasmastrahl- oder Verbrennungs-
CVD-Verfahren zu bilden, wobei der Film deutlich dicker
gemacht wird.
Halbleitende einkristalline Diamantfilme vom p- und
n-Typ können durch Einleiten von Bor (B)-haltigen Gasen (wie
beispielsweise B₂H₆) bzw. Phosphor-haltigen Gase (wie
beispielsweise PH₃) in das Quellengas während des CVD-
Verfahrens abgeschieden werden.
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist es einfach,
einkristalline Diamantfilme in ausgewählten Gebieten des
Substrats zu wachsen. Dies wird erreicht, indem man unnötige
Bereiche mit Siliziumnitrid- oder Siliziumoxidfilmen vor dem
CVD-Verfahren für Diamant maskiert.
Die vorliegende Erfindung wird genauer durch die
folgenden Beispiele beschrieben.
Fig. 8 zeigt schematisch ein verwendetes Mikrowellen-
Plasma-CVD-Gerät. Mikrowellen werden in dem System, das aus
einer Mikrowellen-Erzeugungseinrichtung 10, einem Isolator
11, einer Abstimmeinrichtung 12 besteht, erzeugt und zu einem
Kurzschlußstempel 17 durch einen Wellenleiter 13 geführt.
Eine Quarzröhre 14 durchdringt den Wellenleiter 13 senkrecht.
Es gibt eine Gas-Einlaßöffnung 16 an dem oberen Teil der
Quarzröhre 14 und eine Gas-Auslaßöffnung 15, die zu einer
Vakuumpumpe führt, an dem unteren Teil der Quarzröhre 14. Ein
Substrathalter 18 befindet sich im Zentrum des Schnittpunktes
zwischen der Quarzröhre 14 und dem Wellenleiter 13 innerhalb
der Quarzröhre 14. Ein Substrat 19 für die Abscheidung von
Diamant wird auf den Substrathalter 18 gelegt. Man beachte,
daß die Position des Substrathalters 18 durch eine
Positionier-Vorrichtung (nicht gezeigt) eingestellt wird.
In diesem Beispiel wurde ein einkristalliner
Diamantfilm auf einem einkristallinen Pt-Substrat
(Durchmesser: 10 mm, Dicke: 2 mm und Reinheit: 99,99%)
gewachsen. Die Substratoberfläche war (111). Das Pt-Substrat
wurde auf den Substrathalter 18 gelegt, und die
Reaktionskammer, d. h. die Quarzröhre, wurde von der Gas-
Auslaßöffnung 15 durch eine Rotationspumpe evakuiert. Darauf
folgend wurde ein Gasgemisch aus Methan/Wasserstoff mit einer
Methan-Konzentration von 0,2 bis 0,8% bei einer Rate von
100 cm³/min bunter Standardbedingungen (SCCM) eingeleitet,
wobei der Kammerdruck bei 3,99 bis 7,98 kPa (30 bis 60 Torr)
gehalten wurde. Die Mikrowelle von der Mikrowellen-
Erzeugungseinrichtung 10 wurde zu der Quarzröhre 14 durch den
Wellenleiter 13 geführt, wobei ein Plasma in der Kammer 14
erzeugt wurde. Die Substrattemperatur wurde bei 800 bis 890°C
gehalten, indem man die Mikrowellenleistung und die
Substratposition einstellte. Die Substrattemperatur wurde von
einer Beobachtungsöffnung an dem oberen Ende der Quarzröhre
14 überwacht.
Nach vier Stunden waren Diamantteilchen mit einer
(111)-Orientierung epitaxial zu der Substratorientierung auf
dem Substrat gewachsen. Nach 20 Stunden verschmolzen
benachbarte Diamantteilchen miteinander, und ein
kontinuierlicher, einkristalliner Diamantfilm war auf dem
Substrat gebildet.
Die Fig. 4 und 5 sind Sekundärelektronenmikroskop-
bzw. Rasterelektronenmikroskop- (SEM)-Fotografien, die von
verschiedenen Winkeln aufgenommen wurden. Es ist deutlich zu
sehen, daß (111)-Facetten bzw. -Flächen unter Bildung eines
kontinuierlichen, einkristallinen Diamantfilms miteinander
verschmelzen.
In diesem Beispiel war das Substrat dasselbe wie in
Beispiel 1, aber die Kristalloberfläche war (001). Das
Wachstumsverfahren war auch ähnlich wie bei Beispiel 1. Die
Synthese wurde vier Stunden lang unter Verwendung eines
Gasgemischs aus Wasserstoff/Methan mit einer Methan-
Konzentration von 0,8 bis 7,0% und einer Substrattemperatur
von 700 bis 850°C durchgeführt. Als Ergebnis waren
Diamantteilchen mit derselben Orientierung auf dem Substrat
gewachsen. Nach zehn Stunden CVD verschmolzen benachbarte
Diamantteilchen miteinander unter Bildung eines
einkristallinen Diamantfilms mit einer (001)-
Kristalloberfläche.
Ein Diagramm des verwendeten Heizdraht-CVD-Geräts ist
in Fig. 9 gezeigt. Innerhalb der Vakuumkammer 20 wird ein
Heizdraht 24 durch ein paar Drahthalter 23 getragen. Ein
Substrathalter 25 ist unterhalb des Drahts 24 angeordnet, und
ein Substrat 25 ist auf dem Halter 25 angebracht. Das
Quellengas wird von einem Gas-Einlaß 21 eingeleitet und von
einer Gas-Absaugöffnung 22, die mit einer Vakuumpumpe (nicht
gezeigt) verbunden ist, abgesaugt. Der Substrathalter 25
enthält eine eingebaute Heizeinrichtung (nicht gezeigt).
Ein Pt-Substrat 26, das dasselbe wie in Beispiel 1
war, wurde auf den Halter 25 gesetzt. Die Kammer 20 wurde
durch die Absaugöffnung 22 durch eine Rotationspumpe
evakuiert. Dann wurde ein Gasgemisch aus Wasserstoff/Methan
mit einer Methan-Konzentration von 0,2 bis 0,8% in die
Kammer bei einer Flußrate von 100 cm³/min unter
Standardbedingungen (SCCM) eingeleitet, und der Kammerdruck
wurde bei einem Niveau zwischen 3,99 bis 7,98 kPa (30 bis
60 Torr) gehalten. Der Heizdraht 24 war 8 mm oberhalb des
Substrats 26 eingestellt und wurde auf 2200°C erhitzt. Die an
die Subtratheizeinrichtung angelegte Leistung war so
eingestellt, daß die Substrattemperatur in einem Bereich
zwischen 800 und 950°C lag. Diese Temperatur wurde 30 bis
060 Minuten lang aufrechterhalten. Darauffolgend wurde die
Substrattemperatur auf ein Niveau zwischen 1300 und 1400°C
erhöht, und 1 bis 5 Minuten lang gehalten. Dann wurde die
Substrattemperatur auf ein Niveau zwischen 800 und 950°C
erniedrigt, wobei Diamantwachstum stattfand. Die
Substrattemperatur wurde durch einen optischen Thermometer
durch eine Beobachtungsöffnung an dem oberen Flansch des
Reaktors (nicht gezeigt) gemessen. Nach vier Stunden waren
Diamantteilchen mit derselben Orientierung auf dem Substrat
gewachsen. Nach zehn Stunden CVD waren benachbarte
Diamantteilchen miteinander unter Bildung eines
einkristallinen Diamantfilms mit (111)-Kristalloberfläche
verschmolzen.
Das verwendete Substrat 26 war dasselbe wie in
Beispiel 1. In diesem Beispiel wurde jedoch das Pt-Substrat
durch Kohlenstoff-Ionenimplantation (die
Beschleunigungsspannung war 60 keV, und die
Kohlenstoffkonzentration war 1016 cm-2) vorbehandelt.
Diamantwachstum wurde mit dem Heizdraht-CVD-Reaktor, der in
Fig. 9 gezeigt ist, unter denselben Bedingungen wie in
Beispiel 3 durchgeführt. Das Substrat wurde in den CVD-
Reaktor gelegt, der durch eine Rotationspumpe bis zum Vakuum
evakuiert war. Für das Quellengas wurde ein Gasgemisch aus
Wasserstoff/Methan mit einer Methankonzentration von 0,2 bis
0,8% bei einer Flußrate von 100 cm³/min unter
Standardbedingungen (SCCM) eingeleitet, während der
Kammerdruck bei 3,99 bis 7,98 kPa (30 bis 60 Torr) gehalten
wurde. Der Heizdraht 24 war bei einer Position eingestellt,
die 8 mm oberhalb des Substrats war, und wurde auf 2200°C
erhitzt. Die Substratheizeinrichtung wurde dann so gesteuert,
daß die Substrattemperatur bei 800 bis 950°C lag, und die
Temperatur wurde 30 bis 60 Minuten lang gehalten. Darauf
folgend wurde die Substrattemperatur auf 1300 bis 1400°C
erhöht und 1 bis 5 Minuten lang aufrechterhalten. Wiederum
wurde die Temperatur auf ein Niveau zwischen 800 und 950°C
erniedrigt. Die Substrattemperatur wurde in derselben Weise
wie in Beispiel 3 gemessen. Nach vier Stunden waren
Diamantteilchen mit derselben Orientierung auf dem Substrat
gewachsen. Nach 20 Stunden CVD waren benachbarte
Diamantteilchen miteinander unter Bildung eines
einkristallinen Diamantfilms mit einer (111)-
Kristalloberfläche verschmolzen.
In diesem Beispiel wurde der Mikrowellen-Plasma-CVD
Reaktor mit Quarzröhre, der vorstehend beschrieben wurde, so
verändert, daß eine DC-Spannung angelegt werden kann, wie in
Fig. 10 gezeigt. Dieser Reaktor wurde jedoch für DC-Plasma-
CVD verwendet, und eine Mikrowelle wurde nicht eingeschaltet.
Dieses Gerät unterscheidet sich von dem von Fig. 8, daß eine
Gegenelektrode 31 oberhalb des Substrathalters 18 innerhalb
der Quarzröhre 14 bereitgestellt ist. Eine DC-Spannungs-
Zufuhr 30 ist mit der Gegenelektrode 31 und dem
Substrathalter 18 verbunden, so daß eine positive und
negative DC-Spannung an die Gegenelektrode 31 bzw. den
Substrathalter angelegt werden kann.
Ein einkristalliner Diamantfilm wurde auf dem Pt
(111)-Substrat, das in Beispiel 1 beschrieben wurde,
synthetisiert. Der Reaktor wurde zuerst auf Vakuum durch eine
Rotationspumpe evakuiert, und ein Gasgemisch aus
Wasserstoff/Methan mit einer Methankonzentration von 1,0%
wurde in die Quarzröhre 14 eingeleitet. Dann wurde ein DC-
Plasma durch Anlegen einer DC-Spannung zwischen dem
Substrathalter und der Gegenelektrode 31 erzeugt. Der
Gasdruck in der Röhre 14 wurde bei 7,98 kPa (60 Torr)
gehalten, und die Substrattemperatur wurde auf 850°C
eingestellt. Nach einer Stunde waren Diamantteilchen mit
derselben Orientierung auf dem Substrat gewachsen. Nach vier
Stunden CVD waren benachbarte Diamantteilchen miteinander
unter Bildung eines einkristallinen Diamantfilms mit einer
(111)-Kristalloberfläche verschmolzen.
Ein Gasgemisch aus Acetylen und Sauerstoff wurde in
einen Schweiß-Gasbrenner bei einer Rate von 2 Litern/Minute
geleitet, so daß die Länge der Verbrennungsflamme ungefähr
25 cm war. Ein einkristallines Pt-Substrat (Reinheit:
99,99%, Durchmesser: 10 mm und Dicke: 1 mm) mit einer (001)-
Kristalloberfläche wurde auf einem wassergekühlten
Substrathalter bei einer Position 10 mm unterhalb der
Brennerspitze befestigt und in die innere Flamme eingetaucht.
Die Substrattemperatur war zwischen 850 und 890°C. Nach
30 Minuten waren Diamantteilchen, die in derselben Richtung
orientiert waren, auf dem Substrat gewachsen. Nach 30
weiteren Minuten verschmolzen unter denselben experimentellen
Bedingungen benachbarte Diamantteilchen unter Bildung eines
einkristallinen Diamantfilms mit einer (001)-
Kristalloberfläche.
Ein einkristallines Platin-Substrat, dasselbe wie in
Beispiel 1, mit einer (111)-Kristalloberfläche wurde in den
in Fig. 8 gezeigten Reaktor gesetzt. Nachdem die
Reaktionskammer evakuiert war, wurde ein Gasgemisch aus
Wasserstoff/Kohlenmonoxid (CO) mit einer CO-Konzentration von
2,0% bei 100 cm³/min unter Standardbedingungen (SCCM)
eingeleitet, wobei der Kammerdruck bei 3,99 bis 7,98 kPa (30
bis 60 Torr) gehalten wurde. Das CVD-Verfahren für Diamant
wurde in derselben Weise wie in Beispiel 1 durchgeführt,
obwohl die Substrattemperatur bei 900 bis 930°C eingestellt
war. Nach drei Stunden wurde gefunden, daß Diamantteilchen
mit einer identischen Kristallorientierung gewachsen waren.
Nach 15 Stunden unter denselben experimentellen Bedingungen
verschmolzen benachbarte Diamantteilchen miteinander unter
Bildung eines einkristallinen Diamantfilms mit einer (111)-
Kristalloberfläche.
Ein Wachstumsexperiment ähnlich wie bei Beispiel 7
wurde unter Verwendung eines einkristallinen Pt-Substrats mit
einer (001) -Kristalloberfläche unternommen. Das Quellengas
war eine Mischung aus 5% Methan und 1% Sauerstoff, verdünnt
mit Wasserstoff. Die Gasflußrate war 100 cm³/min unter
Standardbedingungen (SCCM), der Gasdruck war 3,99 bis
7,98 kPa (30 bis 60 Torr), und die Substrattemperatur war
zwischen 750 und 800°C. Nach drei Stunden waren
Diamantteilchen mit identischer Kristallorientierung
gewachsen. Nach 15 Stunden unter denselben experimentellen
Bedingungen verschmolzen benachbarte Diamantteilchen
miteinander unter Bildung eines einkristallinen Diamantfilms
mit einer (001)-Kristalloberfläche.
Ein einkristallines Platinsubstrat, dasselbe wie in
Beispiel 2, mit einer (001)-Kristalloberfläche wurde in den
in Fig. 8 gezeigten Reaktor gesetzt. Das Quellengas war eine
Mischung aus 3% Methan und 1% Wasserdampf, verdünnt mit
Wasserstoff. Die Gasflußrate war 100 cm³/min unter
Standardbedingungen (SCCM), und der Gasdruck war 3,99 bis
7,98 kPa (30 bis 60 Torr). Der Heizdraht wurde auf 2200°C
erhitzt. Die an die Substratheizeinrichtung angelegte
Leistung wurde gesteuert, wobei die Substrattemperatur bei
780 bis 860°C gehalten wurde. Nach drei Stunden waren
Diamantteilchen mit einer identischen Kristallorientierung
gewachsen. Nach 12 Stunden unter denselben experimentellen
Bedingungen verschmolzen benachbarte Diamantteilchen
miteinander unter Bildung eines einkristallinen Diamantfilms
mit einer (001)-Kristalloberfläche.
Ein Experiment ähnlich wie in Beispiel 9 wurde unter
Verwendung von 1% Ethylalkohol, verdünnt mit Wasserstoff,
als Quellengas durchgeführt. Die Gasflußrate war 100 cm³/min
unter Standardbedingungen (SCCM), der Kammerdruck war
6,65 kPa (50 Torr), und die Substrattemperatur war zwischen
750 und 800°C. Nach fünf Stunden waren Diamantteilchen mit
einer identischen Kristallorientierung gewachsen. Nach
25 Stunden unter denselben experimentellen Bedingungen
verschmolzen benachbarte Diamantteilchen miteinander unter
Bildung eines einkristallinen Diamantfilms mit einer (001)-
Kristalloberfläche.
Eine Reihe von Wachstumsexperimenten wurde in
derselben Weise, wie in Beispiel 2 unter Verwendung von
Platin-Substraten außerhalb der Achse, deren
Kristalloberflächen von (001) zu der [011]-Richtung um 2°,
4°, 6°, 8°, 10°, 12°, 14°, 16°, 18° und 20° geneigt waren,
durchgeführt. Als ein Ergebnis wurden einkristalline
Diamantfilme nur dann erhalten, wenn der Winkel zur Achse 10°
oder weniger war. Die Diamantfilme waren ungeordnet
polykristallin, wenn die Neigungswinkel 12° oder mehr waren.
Dünne Platinfilme mit 0,03 mm Dicke wurden durch
Magnetron- oder RF-Sputtern auf einkristallinen
Strontiumtitanat-Substraten (SrTiO₃) mit einer 111)-
Kristalloberfläche abgeschieden. Während des Sputterns wurde
die Subtrattemperatur zwischen 500°C und 800°C gehalten. Es
wurde durch Röntgenbeugung und Reflexionsbeugung schneller
Elektronen (RHEED) bestätigt, daß die Pt-Filme (111)-
Einkristalle waren, die epitaxial zu der Strontiumtitanat-
Substratoberfläche gewachsen waren. Die Strontiumtitanat-
Substrate mit abgeschiedenem Pt wurden für das CVD-Verfahren
für Diamant in derselben Weise wie in Beispiel 1 verwendet,
und einkristalline Diamantfilme mit einer (111)-
Kristalloberfläche ergaben sich in einer epitaxialen
Beziehung zu den Substraten.
In einer Reihe von Experimenten auf Pt-Dünnfilmen,
die durch Sputtern auf Strontiumtitanat abgeschieden waren,
wurde gefunden, daß die Pt-Filme keine Einkristalle waren,
wenn die Substrattemperatur während des Sputterns niedriger
als 500°C war. Die abgeschiedenen Pt-Filme wurden jedoch
Einkristalle, wenn sie weiter an Luft bei einer Temperatur
höher als 800°C (vorzugsweise höher als 1000°C) mehr als zehn
Stunden lang getempert wurden. Es wurde dann gefunden, daß
einkristalline Diamantfilme durch CVD auf solchen Substraten
gewachsen werden können.
Es ist zu bemerken, daß nur polykristalline
Diamantfilme gewachsen wurden, wenn die Dicke des Pt-Films
weniger als 0,01 mm war, vermutlich aufgrund der Tatsache,
daß Pt spröde wurde, nachdem es dem Wasserstoffplasma bei
hohen Temperaturen über eine lange Zeitdauer ausgesetzt war.
In der Tat schien es, daß Pt während des CVD-Verfahrens von
Diamant beeinträchtigt wurde, bevor die Substratoberfläche
mit dem Diamantfilm bedeckt war, wenn das CVD-Verfahren in
Wasserstoffplasma wie in den vorstehenden Beispielen
beschrieben durchgeführt wurde. Es schien, daß die
einkristalline Natur des Pt-Films in einem sehr frühen
Stadium des CVD-Verfahrens von Diamant verlorengeht, wenn die
Dicke des Pt-Films weniger als 100 nm (1000 Å) ist. Daher
schloß man, daß die Dicke des Pt-Dünnfilms nicht weniger als
100 nm (1000 Å) sein sollte.
Ein Platin-Dünnfilm mit 30 µm Dicke wurde durch
Magnetron- oder RF-Sputtern auf einem einkristallinen
Strontiumtitanat-(SrTiO₃)-Substrat mit einer (001)-
Kristalloberfläche abgeschieden. Die Substrattemperatur wurde
während des Sputterns zwischen 500°C und 800°C gehalten. Es
wurde durch Röntgenbeugung und RHEED bestätigt, daß der Pt-
Film ein (001)-Einkristall war, der epitaxial zu der
Strontiumtitanat-Substratoberfläche gewachsen war. Das
Strontiumtitanat-Substrat mit abgeschiedenem Pt wurde für ein
CVD-Verfahren für Diamant in derselben Weise wie in Beispiel
2 verwendet, und ein einkristalliner Diamantfilm mit einer
(001)-Kristalloberfläche ergab sich in einer epitaxialen
Beziehung mit dem Substrat.
Ein Platin-Dünnfilm mit 30 µm Dicke wurde durch
Magnetron- oder RF-Sputtern auf einem einkristallinen
Magnesiumoxid-Substrat (MgO) mit einer (111)-
Kristalloberfläche abgeschieden. Die Substrattemperatur wurde
während des Sputterns zwischen 500°C und 800°C gehalten. Es
wurde durch Röntgenbeugung und RHEED bestätigt, daß der Pt-
Film ein (111)-Einkristall war, der epitaxial zu der
Strontiumtitanat-Substratoberfläche gewachsen war. Das
Magnesiumoxid-Substrat mit abgeschiedenem Pt wurde für ein
CVD-Verfahren für Diamant in derselben Weise wie in Beispiel
1 verwendet, und ein einkristalliner Diamantfilm mit einer
(111)-Kristalloberfläche ergab sich in einer epitaxialen
Beziehung zu dem Substrat.
Ein Platin-Dünnfilm mit 30 µm Dicke wurde durch
Magnetron- oder RF-Sputtern auf einem einkristallinen
Magnesiumoxid-Substrat (MgO) mit einer (001)-
Kristalloberfläche gewachsen. Die Substrattemperatur wurde
während des Sputterns zwischen 500°C und 800°C gehalten. Es
wurde durch Röntgenbeugung und RHEED bestätigt, daß der Pt-
Film ein (001)-Einkristall war, der epitaxial zu der
Strontiumtitanat-Substratoberfläche gewachsen war. Das
Magnesiumoxid-Substrat mit abgeschiedenem Pt wurde für ein
CVD-Verfahren für Diamant in derselben Weise wie in Beispiel
2 verwendet, und ein einkristalliner Diamantfilm mit einer
(001)-Kristalloberfläche ergab sich in einer epitaxialen
Beziehung zu dem Substrat.
Ein Platin-Dünnfilm mit 30 µm Dicke wurde durch
Magnetron- oder RF-Sputtern auf einem einkristallinen
Magnesiumoxid-Substrat (MgO) mit einer (001)-
Kristalloberfläche abgeschieden. Die Substrattemperatur wurde
zwischen 300°C und 400°C während des Sputterns gehalten. Es
wurde durch Röntgenbeugung und RHEED bestätigt, daß der Pt-
Film ein (111)-Einkristall war, der epitaxial zu der
Strontiumtitanat-Substratoberfläche gewachsen war. Das
Magnesiumoxidsubstrat mit abgeschiedenem Pt wurde für ein
CVD-Verfahren für Diamant in derselben Weise wie in Beispiel
2 verwendet, und ein einkristalliner Diamantfilm mit einer
(111)-Kristalloberfläche ergab sich in einer epitaxialen
Beziehung zu dem Substrat.
Experimente, die ähnlich den Beispielen 12 bis 16
waren, wurden unter Verwendung von verschiedenen
Trägermaterialien für die Pt-Dünnfilmabscheidung
durchgeführt. Die Pt-Dünnfilme wurden durch Röntgenbeugung
und RHEED charakterisiert. Folglich konnten Pt-Filme
Einkristalle mit (111)-Kristalloberflächen sein, wenn
Lithiumfluorid, Calciumfluorid, Magnesiumoxid, Nickeloxid,
Zirkoniumoxid, Saphir (Aluminiumoxid), Strontiumtitanat,
Bariumtitanat, Bleititanat, Kaliumtantalat, Lithiumniobat,
Quarz und Glas verwendet wurden. Auch waren die durch ein
CVD-Verfahren auf solchen Substraten gebildeten Diamantfilme
einkristallin.
Experimente, die ähnlich denen in den Beispielen 12
bis 17 waren, wurden durchgeführt, wobei Pt-Filme entweder
während oder nach der Abscheidung durch Sputtern getempert
wurden. Die Tempertemperatur wurde in einem Bereich von 100°C
bis 1500°C bei einem Abstand von 100°C verändert. Es wurde
gefunden, daß nach dem CVD-Verfahren für Diamant
einkristalline Diamantfilme in einer großen Fläche nur dann
gewachsen waren, wenn die Pt-Dünnfilme oberhalb 300°C
getempert worden waren.
Das Tempern von Beispiel 18 wurde in (1) Inertgas,
(2) Wasserstoff, (3) Sauerstoff und Wasserstoff, (4) Inertgas
und Sauerstoff und (5) Inertgas und Wasserstoff bei 1000°C
20 Stunden lang durchgeführt. Für die Fälle (1), (3) und (4)
entwickelten sich Pt-Domänen deutlich an den Pt-
Filmoberflächen, während in den Fällen (2) und (5) die
Oberflächen der Pt-Filme rauh waren. Einkristalline
Diamantfilme wurden nur in den Fällen (1), (3) und (4)
gewachsen. Somit wurde geschlossen, daß das Tempern des Pt-
Films entweder in einer Atmosphäre aus Inertgas oder in einer
Oxidationsatmosphäre durchgeführt werden muß, nicht aber in
einer Reduktions-Atmosphäre.
In Experimenten, die ähnlich den Beispielen 1 und 2
waren, wurde der Effekt der Substrat-Vorbehandlung auf die
Bildung des Diamantfilms untersucht, indem man Substrate in
einem Vakuum, das besser als 1,33 × 10-4 Pa (10-6 Torr) war,
oberhalb von 300°C mehr als 15 Minuten lang vor dem CVD-
Verfahren für Diamant ließ. Es wurde gefunden, daß die
Halbwertsbreiten der oszillierenden Röntgenbeugungskurven der
Diamantfilme 10 bis 30% kleiner als diejenigen der
unbehandelten Diamantfilme waren, die in den Beispielen 1 und
2 erhalten wurden. Darüber hinaus war die Kristallinität der
Diamantfilme auf den vorbehandelten Substraten besser. Falls
das Vakuumniveau schlechter als das vorstehende war oder die
Temperzeit kürzer als zehn Minuten war, war die
Kristallqualität der erhaltenen Filme der Kristallqualität
der Filme ähnlich, die in den Beispielen 1 und 2 erhalten
wurden.
In einem weiteren Experiment, das ähnlich den
Beispielen 1 und 2 war, wurden die Substrate in einem Vakuum,
das besser als 1,33 × 10⁻ Pa (10-6 Torr) war, oberhalb von
300°C mehr als 15 Minuten lang gehalten, und ein CVD-
Verfahren für Diamant wurde unter Verwendung von Quellengasen
durchgeführt, die mindestens eine Gasart ausgewählt aus
Sauerstoff, Chlor und Fluor, oder mindestens ein Inertgas,
ausgewählt aus Helium, Neon und Argon enthielten. Die
maximale Konzentration der hinzugefügten Gase war 1 Vol.-%.
Als Ergebnis waren die Halbwertsbreiten der oszillierenden
Röntgenbeugungskurven der Diamantfilme ungefähr 20% kleiner
als in dem Fall von Beispiel 20, und die Filmqualität war
besser.
Effekte des Substratkratzens auf die Bildung von
Diamantfilmen wurden in Experimenten untersucht, die ähnlich
Beispiel 1 waren, unter Verwendung eines Einkristalls aus Pt
mit einer (111)-Kristalloberfläche, die mittels Schwabbeln
und/oder Ultraschall mit Diamantpulver oder Diamantpaste vor
dem CVD-Verfahren für Diamant poliert worden war. Als
Ergebnis wurde gefunden, daß die erforderliche Zeit, um
dieselbe Dicke des Diamantfilms zu erzielen, um ein bis zwei
Stunden im Vergleich mit dem Fall von Beispiel 1 verkürzt
war, aber die Filmqualität identisch war. Somit wurde
bestätigt, daß das Kratzen der Substratoberflächen zu einer
Verringerung der Wachstumszeit ohne einen Verlust an
Kristallinität führt.
Diamantfilme wurden durch Mikrowellen-Plasma-CVD
unter Verwendung des in Fig. 10 gezeigten Geräts unter den
nachstehend beschriebenen Bedingungen synthetisiert. Die
verwendeten Substrate waren Einkristalle aus Pt (Reinheit
99,99%, Durchmesser: 10 mm und Dicke: 2 mm) mit (111)- oder
(001)-Kristalloberflächen, und der Substrathalter war aus
Molybdän hergestellt.
[Plasmabehandlung vor Vorspannung]
Quellengas: 0,1 bis 10% CH₄, verdünnt mit H₂
Gasflußrate: 50 bis 300 cm³/min unter Standardbedingungen (SCCM)
Gasdruck: 1,33 bis 6,65 kPa (10 bis 50 Torr)
Substrattemperatur: 600 bis 1100 °C
Plasmabehandlungszeit: 30 bis 120 Minuten
Quellengas: 0,1 bis 10% CH₄, verdünnt mit H₂
Gasflußrate: 50 bis 300 cm³/min unter Standardbedingungen (SCCM)
Gasdruck: 1,33 bis 6,65 kPa (10 bis 50 Torr)
Substrattemperatur: 600 bis 1100 °C
Plasmabehandlungszeit: 30 bis 120 Minuten
[Während der Vorspannung]
Quellengas: 0,1 bis 10% CH₄, verdünnt mit H₂
Gasflußrate: 50 bis 300 cm³/min unter Standardbedingungen (SCCM)
Gasdruck: 0,133 bis 13,3 kPa (1 bis 100 Torr)
Substrattemperatur: 400 bis 1100°C angelegte elektrische Vorspannung: -70 bis -350 V DC oder + 70 bis + 350 V DC
Vorspannungszeit: 1 bis 90 Minuten
Quellengas: 0,1 bis 10% CH₄, verdünnt mit H₂
Gasflußrate: 50 bis 300 cm³/min unter Standardbedingungen (SCCM)
Gasdruck: 0,133 bis 13,3 kPa (1 bis 100 Torr)
Substrattemperatur: 400 bis 1100°C angelegte elektrische Vorspannung: -70 bis -350 V DC oder + 70 bis + 350 V DC
Vorspannungszeit: 1 bis 90 Minuten
[Diamantwachstum nach der Vorspannung]
Quellengas: 0,5 bis 15% CH₄ und 0,1 bis 7% O₂, verdünnt mit H₂
Gasflußrate: 50 bis 300 cm³/min unter Standardbedingungen (SCCM)
Gasdruck: 2,66 bis 13,3 kPa (20 bis 100 Torr)
Substrattemperatur: 750 bis 950°C
Wachstumsszeit: 3 bis 40 Stunden.
Quellengas: 0,5 bis 15% CH₄ und 0,1 bis 7% O₂, verdünnt mit H₂
Gasflußrate: 50 bis 300 cm³/min unter Standardbedingungen (SCCM)
Gasdruck: 2,66 bis 13,3 kPa (20 bis 100 Torr)
Substrattemperatur: 750 bis 950°C
Wachstumsszeit: 3 bis 40 Stunden.
Folglich wurden einkristalline Diamantfilme mit
(111)- und (001)-Kristalloberflächen auf dem Pt-Substrat mit
jeweils (111)- und (001)-Kristalloberflächen gewachsen. Die
Filmdicke war ungefähr 10 bis 50 µm. Es wurden jedoch nur
zufällig orientierte polykristalline Diamantfilme
abgeschieden, wenn die Vorspannungsbedingungen außerhalb der
vorstehenden Bereiche waren.
Experimente, die ähnlich denen von Beispiel 23 waren,
wurden durch Mikrowellen-Plasma-CVD ohne Verwendung von
Wasserstoffgas durchgeführt. Diamantfilme wurden unter den
folgenden Bedingungen synthetisiert. Die verwendeten
Substrate waren dieselben wie vorstehend.
[Plasmabehandlung vor Vorspannung]
Quellengas: Mischung aus CO/CO₂
Gasflußrate: 50 bis 300 cm³/min unter Standardbedingungen (SCCM)
Gasdruck: 1,33 bis 6,65 kPa (10 bis 50 Torr)
Substrattemperatur: 700 bis 1200°C
Plasmabehandlungszeit: 30 bis 120 Minuten
Quellengas: Mischung aus CO/CO₂
Gasflußrate: 50 bis 300 cm³/min unter Standardbedingungen (SCCM)
Gasdruck: 1,33 bis 6,65 kPa (10 bis 50 Torr)
Substrattemperatur: 700 bis 1200°C
Plasmabehandlungszeit: 30 bis 120 Minuten
[Während der Vorspannung]
Quellengas: Mischung aus CO/CO₂
Gasflußrate: 50 bis 300 cm³/min unter Standardbedingungen (SCCM)
Gasdruck: 0,133 bis 13,3 kPa (1 bis 100 Torr)
Substrattemperatur: 400 bis 1100°C
angelegte elektrische Vorspannung: -70 bis -350 V DC oder + 70 bis +350 V DC
Vorspannungszeit: 1 bis 90 Minuten
Quellengas: Mischung aus CO/CO₂
Gasflußrate: 50 bis 300 cm³/min unter Standardbedingungen (SCCM)
Gasdruck: 0,133 bis 13,3 kPa (1 bis 100 Torr)
Substrattemperatur: 400 bis 1100°C
angelegte elektrische Vorspannung: -70 bis -350 V DC oder + 70 bis +350 V DC
Vorspannungszeit: 1 bis 90 Minuten
[Diamantwachstum nach der Vorspannung]
Quellengas: Mischung aus CO/CO₂
Flußrate: 50 bis 300 cm³/min unter Standardbedingungen (SCCM)
Gasdruck: 2,66 bis 13,3 kPa (20 bis 100 Torr)
Substrattemperatur: 800 bis 950°C
Synthesezeit: 3 bis 40 Stunden.
Quellengas: Mischung aus CO/CO₂
Flußrate: 50 bis 300 cm³/min unter Standardbedingungen (SCCM)
Gasdruck: 2,66 bis 13,3 kPa (20 bis 100 Torr)
Substrattemperatur: 800 bis 950°C
Synthesezeit: 3 bis 40 Stunden.
Folglich wurden einkristalline Diamantfilme mit
(111)- und (001)-Kristalloberflächen auf dem Pt-Substrat mit
jeweils (111)- und (001)-Kristalloberflächen gewachsen. Die
Filmdicke war ungefähr 10 bis 50 µm. Es wurden jedoch nur
zufällig orientierte polykristalline Diamantfilme
abgeschieden, wenn die Vorspannungsbedingungen außerhalb der
vorstehenden Bereiche waren.
Wenn die Strontiumtitanat-Substrate mit Pt-Film,
dieselben wie in den Beispielen 12 und 13, anstelle von
Volumen-Pt verwendet wurden, wurden einkristalline
Diamantfilme unabhängig von der Dicke des Pt-Films erhalten.
Wenn jedoch die Strontiumtitanat-Substrate mit Pt-Film unter
den in Beispiel 23 genannten Bedingungen verwendet wurden,
wurden polykristalline Diamantfilme gewachsen, wenn die Pt-
Filmdicke weniger als 10 µm war. Daher kann die Pt-Filmdicke
beliebig sein, wenn Wasserstoff an dem Verfahren des
einkristallinen Diamantfilmwachstums nicht beteiligt ist.
Diamantwachstum wurde durch Mikrowellen-Plasma-CVD
entsprechend Beispiel 1 unter Verwendung einer Pt(80 Atom-%)-
Au(20 Atom-%)-Legierung als Substrat (Durchmesser: 10 mm und
Dicke: 2 mm) durchgeführt, welches bei 1000°C 24 Stunden lang
im Vakuum getempert worden war. Als Ergebnis wurde ein
einkristalliner Diamantfilm mit einer (111)-
Kristalloberfläche auf der (111)-Kristalloberfläche des
Substrats erhalten.
Ein Experiment ähnlich wie in Beispiel 25 wurde unter
Verwendung von einer Pt (90 Atom-%)-Ag(20 Atom-%)-Legierung
als Substrat durchgeführt. Als Ergebnis wurde ein
einkristalliner Diamantfilm mit einer (111)-
Kristalloberfläche auf der (111)-Kristalloberfläche des
Substrats erhalten.
Ein Experiment ähnlich wie in Beispiel 25 wurde unter
Verwendung von einer Pt(95 Atom-%)-Cu(5 Atom-%)-Legierung als
Substrat durchgeführt. Als Ergebnis wurde ein einkristalliner
Diamantfilm mit einer (111)-Kristalloberfläche auf der (111)-
Kristalloberfläche des Substrats erhalten.
Ein Experiment ähnlich wie bei Beispiel 25 wurde
unter Verwendung einer Pt(90 Atom-%)-Pd(10 Atom-%)-Legierung
als Substrat durchgeführt. Als ein Ergebnis wurde ein
einkristalliner Diamantfilm mit einer (111)-
Kristalloberfläche auf der (111)-Kristalloberfläche des
Substrats erhalten.
Ein Experiment ähnlich wie bei Beispiel 25 wurde
unter Verwendung einer Pt(80 Atom-%)-Ir(20 Atom-%)-Legierung
als Substrat durchgeführt. Als ein Ergebnis wurde ein
einkristalliner Diamantfilm mit einer (111)-
Kristalloberfläche auf der (111)-Kristalloberfläche des
Substrats erhalten.
Ein Experiment ähnlich wie bei Beispiel 25 wurde
unter Verwendung von Pt(90 Atom-%)-Cu(10 Atom-%)-Legierung
als Substrat durchgeführt. Als ein Ergebnis wurde ein
einkristalliner Diamantfilm mit einer (111)-
Kristalloberfläche auf der (111)-Kristalloberfläche des
Substrats erhalten.
Ein Experiment ähnlich wie bei Beispiel 25 wurde
unter Verwendung von Pt(90 Atom-%)-Cr(10 Atom-%)-Legierung
als Substrat durchgeführt. Als ein Ergebnis wurde ein
einkristalliner Diamantfilm mit einer (111)-
Kristalloberfläche auf der (111)-Kristalloberfläche des
Substrats erhalten.
Ein Experiment ähnlich wie bei Beispiel 25 wurde
unter Verwendung von Pt(90 Atom-%)-W(10 Atom-%)-Legierung als
Substrat durchgeführt. Als ein Ergebnis wurde ein
einkristalliner Diamantfilm mit einer (111)-
Kristalloberfläche auf der (111)-Kristalloberfläche des
Substrats erhalten.
Ein Experiment ähnlich wie bei Beispiel 25 wurde
unter Verwendung von Pt(95 Atom-%)-Ni(5 Atom-%)-Legierung als
Substrat durchgeführt. Als ein Ergebnis wurde ein
einkristalliner Diamantfilm mit einer (111)-
Kristalloberfläche auf der (111)-Kristalloberfläche des
Substrats erhalten.
Ein Experiment ähnlich wie bei Beispiel 25 wurde
unter Verwendung von Pt(95 Atom-%)-Fe(5 Atom-%)-Legierung als
Substrat durchgeführt. Als ein Ergebnis wurde ein
einkristalliner Diamantfilm mit einer (111)-
Kristalloberfläche auf der (111) -Kristalloberfläche des
Substrats erhalten.
Ein Experiment ähnlich wie bei Beispiel 25 wurde
unter Verwendung von Pt(95 Atom-%)-Co(5 Atom-%)-Legierung als
Substrat durchgeführt. Als ein Ergebnis wurde ein
einkristalliner Diamantfilm mit einer (111)-
Kristalloberfläche auf der (111)-Kristalloberfläche des
Substrats erhalten.
Ein Experiment ähnlich wie bei Beispiel 25 wurde
unter Verwendung von Pt(95 Atom-%)-Mn(5 Atom-%)-Legierung als
Substrat durchgeführt. Als ein Ergebnis wurde ein
einkristalliner Diamantfilm mit einer (111)-
Kristalloberfläche auf der (111)-Kristalloberfläche des
Substrats erhalten.
Wie aus den vorstehenden Beispielen deutlich wird,
können einkristalline Diamantfilme mit praktisch großen
Flächen auf Substraten gebildet werden, die aus Volumen-Pt
oder seinen Legierungen hergestellt sind, die (111)- oder
(001)-Kristalloberflächen enthalten, oder auf Dünnfilmen aus
Pt oder seinen Legierungen, die (111)- oder (001)-
Kristalloberflächen besitzen, wenn das geeignete
experimentelle Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung und
Ausführungsform verwendet wird.
Ein erfindungsgemäßes Verfahren bezieht sich auf das
Wachstum einkristalliner Diamantfilme durch chemisches
Aufdampfen auf einer großen Fläche bei niedrigen Kosten. Die
Substratmaterialien sind entweder Volumen-Einkristalle aus Pt
oder seinen Legierungen oder Dünnfilme dieser Materialien,
die auf geeigneten Trägermaterialien abgeschieden sind. Die
Oberflächen dieser Substrate müssen entweder (111)- oder
(001)-Oberflächen sein, oder sie müssen Domänenstrukturen
haben, die aus (111)- oder (001)-Kristalloberflächen
bestehen. Solche Oberflächen können um Winkel innerhalb von
± 10° von der (111)- oder (001)-Oberfläche geneigt sein. Um
die Keimbildungsdichte von Diamant zu erhöhen, kann die
Substratoberfläche durch Schwabbel- und/oder Ultraschall
Polieren gekratzt oder mit Kohlenstoff implantiert werden.
Einkristalline Diamantfilme können gewachsen werden, obwohl
die Substratoberflächen aufgerauht worden sind. Plasma-
Reinigung der Substratoberflächen und Tempern von Pt oder
seinen Legierungsfilmen sind wirkungsvoll, um einkristalline
Diamantfilme mit hoher Qualität zu wachsen.
Claims (20)
1. Verfahren zur Bildung von einkristallinen Diamantfilmen
durch chemisches Aufdampfen (CVD) auf den gesamten oder
mindestens Teilen der Oberflächen von Substraten, die aus
Platin oder seinen Legierungen hergestellt sind und die
entweder (111)- oder (001)-Kristalloberflächen haben und/oder
geneigte Kristalloberflächen bei Winkelabweichungen innerhalb
von ± 10° von jeweils der (111)- oder (001)-
Kristalloberfläche haben.
2. Verfahren zur Bildung einkristalliner Diamantfilm durch
CVD auf Substraten, die jeweils einen Film aus Platin oder
seinen Legierungen umfassen, der auf der gesamten oder
mindestens einem Teil der Oberfläche eines Trägermaterials
abgeschieden ist, wobei der Film entweder (111)- oder (001)-
Kristalloberflächen und/oder geneigte Kristalloberflächen bei
Winkelabweichungen innerhalb von ± 10° von jeweils der (111)-
oder (001)-Kristalloberfläche hat.
3. Verfahren zur Bildung einkristalliner Diamantfilme nach
Anspruch 2, wobei die Dicken der Filme aus Pt oder Pt-
Legierungen mehr als ungefähr 100 nm (1000 Å) und weniger als
ungefähr 0,5 mm sind.
4. Verfahren zur Bildung einkristalliner Diamantfilme nach
Anspruch 2, wobei die Minderheits-Komponenten der Pt-
Legierungen eines oder mehrere Elemente enthalten, die aus
der Gruppe der Elemente VIA, der Elemente VIIA und der
Elemente IB ausgewählt sind, und wobei die
Gesamtkonzentration der Minderheits-Komponenten nicht größer
als 50 Atom-% ist.
5. Verfahren zur Bildung einkristalliner Diamantfilme nach
einem der Ansprüche 1 und 2, wobei die Oberfläche des
Substrats aus Domänen der Kristalloberfläche besteht, wodurch
einkristalline Diamantfilme mit (111)- oder (001)-
Kristalloberflächen auf den entsprechenden Domänen des
Substrats wachsen.
6. Verfahren zur Bildung einkristalliner Diamantfilme nach
Anspruch 2, bei dem das Trägermaterial aus einem Einkristall
aus mindestens einer Verbindung gebildet ist, die aus der
Gruppe, die aus Lithiumfluorid, Calciumfluorid,
Magnesiumoxid, Nickeloxid, Zirkoniumoxid, Aluminiumoxid,
Strontiumtitanat, Bariumtitanat, Bleititanat, Kaliumtantalat
und Lithiumniobat besteht, ausgewählt ist.
7. Verfahren zur Bildung einkristalliner Diamantfilme nach
Anspruch 2, bei dem das Trägermaterial aus einkristallinem
Silizium, Quarz oder Glas hergestellt ist.
8. Verfahren zur Bildung einkristalliner Diamantfilme nach
Anspruch 2, bei dem der Film bei einer Temperatur, die nicht
niedriger als 300°C ist, während und/oder nach der
Abscheidung getempert wird.
9. Verfahren zur Bildung einkristalliner Diamantfilme nach
Anspruch 8, wobei der Film in einer Oxidations-Atmosphäre
getempert wird.
10. Verfahren zur Bildung einkristalliner Diamantfilme nach
einem der Ansprüche 1 und 2, wobei die Oberflächen der
Substrate mittels Schwabbeln und/oder Ultraschall mit
Diamantpulver oder Diamantpaste vor dem CVD-Verfahren für
Diamant poliert worden sind.
11. Verfahren zur Bildung einkristalliner Diamantfilme nach
einem der Ansprüche 1 und 2, wobei die Oberflächen der
Substrate Ionen-Implantation mit Kohlenstoff unter den
Bedingungen, daß die Beschleunigungsspannung zwischen 40 und
120 keV und die Kohlenstoff-Implantationsdichte zwischen 10¹⁶
und 10²⁰ cm-2 ist, ausgesetzt worden sind.
12. Verfahren zur Bildung einkristalliner Diamantfilme nach
einem der Ansprüche 1 und 2, wobei vor dem CVD-Verfahren für
Diamant das Substrat in einem Vakuum, das besser als
1,33 × 10-4 Pa (10-6 Torr) ist, oberhalb von 300°C mehr als
15 Minuten lang behandelt wird, und dann in einem Plasma
gereinigt wird, das mindestens ein Gas, das aus der Gruppe
ausgewählt ist, die aus Wasserstoff, Sauerstoff, Chlor und
Fluor besteht, oder mindestens ein Inertgas, das aus der
Gruppe ausgewählt ist, die aus Helium, Neon und Argon
besteht, oder eine Mischung aus beiden umfaßt.
13. Verfahren zur Bildung einkristalliner Diamantfilme nach
einem der Ansprüche 1 und 2, wobei nach dem Reinigen des
Substrats nach Anspruch 12 die Oberfläche des Substrats durch
ein Plasma behandelt wird, welches ein kohlenstoffhaltiges
Gas und ggf. mindestens ein Gas, das aus der Gruppe
ausgewählt ist, die aus Wasserstoff, Sauerstoff, Chlor und
Fluor besteht, und mindestens ein Inertgas, das aus der
Gruppe ausgewählt ist, die aus Helium, Neon und Argon
besteht, oder eine Mischung aus beiden umfaßt.
14. Verfahren zur Bildung einkristalliner Diamantfilme nach
einem der Ansprüche 1 und 2, wobei an das Substrat eine
Vorspannung in einem Plasma aus einem kohlenstoffhaltigen Gas
angelegt wird.
15. Verfahren zur Bildung einkristalliner Diamantfilme nach
Anspruch 14, wobei das Reaktionsgas frei von
Wasserstoffatomen ist.
16. Verfahren zur Bildung einkristalliner Diamantfilme nach
Anspruch 14, wobei die Kerne aus einem kohlenstoffhaltigen
Gas, das mit, Wasserstoff auf eine Konzentration von 0,1 bis
10 Vol.-% verdünnt ist, unter den Bedingungen gebildet
werden, daß der Gasdruck 0,133 bis 13,3 kPa (1 bis 100 Torr)
ist, die Substrattemperatur 400 bis 1100°C ist, die DC-
Spannung -70 bis -350 Volt oder +70 bis +350 Volt ist und die
Vorspannungszeit 1 bis 90 Minuten ist.
17. Verfahren zur Bildung einkristalliner Diamantfilme nach
einem der Ansprüche 1 und 2, wobei das CVD-Verfahren für
Diamant unter Verwendung eines Quellengases durchgeführt
wird, das frei von Wasserstoffatomen ist.
18. Verfahren zur Bildung einkristalliner Diamantfilme nach
einem der Ansprüche 1 und 2, wobei das CVD-Verfahren für
Diamant unter Verwendung einer Mischung aus Methan,
Sauerstoff und Wasserstoff, wobei die Methan-Konzentration
zwischen 0,1 und 5% ist und die Sauerstoffkonzentration
zwischen 0,1 und 3% ist, bei einer Substrattemperatur, die
höher als 750°C ist, durchgeführt wird, wodurch ein
einkristalliner Diamantfilm mit einer (111)-
Kristalloberfläche auf der (111)-Kristalloberfläche des
Substrats abgeschieden wird.
19. Verfahren zur Bildung einkristalliner Diamantfilme nach
einem der Ansprüche 1 und 2, wobei das CVD-Verfahren für
Diamant unter Verwendung einer Mischung aus Methan,
Sauerstoff und Wasserstoff, wobei die Methan-Konzentration
zwischen 5 und 15% ist und die Sauerstoffkonzentration
zwischen 1 und 7% ist, bei einer Substrattemperatur
niedriger als 850°C durchgeführt wird, wodurch ein
einkristalliner Diamantfilm mit einer (001)-
Kristalloberfläche auf der (001)-Kristalloberfläche des
Substrats abgeschieden wird.
20. Verfahren zur Bildung einkristalliner Diamantfilme nach
Anspruch 14, wobei die Kerne aus einem kohlenstoffhaltigen
Gas, das mit Wasserstoff auf eine Konzentration von 0,1 bis
10 Vol.-% verdünnt ist, unter den Bedingungen gebildet
werden, daß der Gasdruck 0,133 bis 13,3 kPa (1 bis 100 Torr)
ist, die Substrattemperatur 400 bis 1100°C ist, die DC-
Spannung -70 bis -30 Volt oder +70 bis +350 Volt ist und die
Vorspannungszeit 1 bis 90 Minuten ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP31597594A JP3728465B2 (ja) | 1994-11-25 | 1994-11-25 | 単結晶ダイヤモンド膜の形成方法 |
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DE19543723C2 DE19543723C2 (de) | 1997-08-14 |
Family
ID=18071840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (4)
Country | Link |
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JP (1) | JP3728465B2 (de) |
DE (1) | DE19543723C2 (de) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |