JPH03274001A - X線反射膜 - Google Patents

X線反射膜

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JPH03274001A
JPH03274001A JP7412990A JP7412990A JPH03274001A JP H03274001 A JPH03274001 A JP H03274001A JP 7412990 A JP7412990 A JP 7412990A JP 7412990 A JP7412990 A JP 7412990A JP H03274001 A JPH03274001 A JP H03274001A
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JP
Japan
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single crystal
ray
atom
crystal films
reflecting film
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Application number
JP7412990A
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English (en)
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Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野] 本発明は、X線反射鏡及び反射型X!Ii!マスクの反
射膜構成、構造に関する。 [従来の技術] 従来、X線反射鏡には、Si単結晶基板や石英アモルフ
ァス基板上に、CやSiのアモルファス又は多結晶膜と
Mo、Pd等のアモルファス又は多結晶膜をスパッタ法
等により多層に形成して成るのが通例であった。 [発明が解決しようとする課題1 しかし、上記従来技術によると、X線反射膜のX線反射
率が10%程度と極めて低いと云う課題があった。 本発明はかかる従来技術の課題を解決し、Xa反射率の
高いX!反射膜構成、構造を提供する事を目的とする。 〔課題を解決するための手段] 上記課題を解決する為に、本発明は、X線反射膜に関し
、単結晶基板上に2種の異種原子をヘテロジニアスに多
層にエピタキシャル成長させる手段を取る事を基本とす
る。 [実 施 例] 以下、実施例により本発明を詳述する。 第1図は本発明の一実施例を示すX!反射鏡の断面図で
ある。すなわち、単結晶基板lの表面にA原子単結晶膜
2とB原子単結晶膜3とを互いに積層して形成したちの
である。ここで単結晶基板lとして、Si、サファイヤ
(A℃、O,)、5ion(水晶)Mgo、A12La
Os 、Mo等の単結晶基板を用いる事ができ、A原子
単結晶膜として、Pd、Au、Mo、Zu、Pt、Rh
等の重金属単結晶膜が、B原子単結晶膜としてC(ダイ
ヤモンド)、S、St、Ti等の軽金属や軽元素の単結
晶膜を用いる事ができる。又、単結晶膜の育成方法とし
ては、原子層エビクキシャル法や分子線エピタキシャル
法が用いられる。 更に単結晶多層膜を部分エピタキシャル法やホトエツチ
ングにより、図形状に形成し1反射型X線マスクに応用
する事もできる。
【発明の効果】
本発明により、X線の反射効率を50%以上の高効率の
X線反射鏡や反射型x締マスクを提供することができる
効果がある。 2・・・A原子単結晶膜 3・・・B原子単結晶膜

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 単結晶基板上には、2種類の異種原子がヘテロジニアス
    に多層エピタキシャル単結晶膜育成されて成る事を特徴
    とするX線反射膜。
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