DE19533091C2 - Halbleiterspeichereinrichtung mit einer Funktion zum Erzeugen eines verstärkten Potentials - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiterspei­ chereinrichtung.

Insbesondere bezieht sie sich auf eine Halbleiterspeicherein­ richtung, die eine Schaltung zum Ausgeben eines verstärkten Potentials aufweist.

Halbleiterspeichervorrichtungen wie ein DRAM sind mit einer Erzeugungsschaltung für ein verstärktes Potential zum Zuführen eines verstärkten Potentiales z. B. zu Wortleitungen vorgesehen.

Fig. 11 ist eine Blockdarstellung, die eine Struktur einer Erzeugungsschaltung für ein verstärktes Potential in einer Halbleiterspeichereinrichtung zeigt. Wie in Fig. 11 gezeigt ist, weist die Erzeugungsschaltung für ein verstärktes Poten­ tial eine Oszillatorschaltung 10, eine Pegelbestimmungsschal­ tung (im folgenden auch Niveaubestimmungsschaltung genannt) 30, eine Oszillatorschaltung 40, eine Ladungspumpe 50 und einen Knoten 100 mit einem verstärkten Potential auf.

Die Oszillatorschaltung 10 führt eine Schwingung zum Erzeugen eines Pulssignals S11 aus, das einen ersten vorbestimmten Zyklus, d. h. eine erste vorbestimmte Periode, der Schwingung aufweist. Die Niveaubestimmungsschaltung 30 empfängt das Puls­ signal S11, ein Potential Vpp des Knotens 100 mit dem verstärk­ ten Potential und ein Referenzpotential Vref. Das Referenzpo­ tential Vref wird von einer nicht gezeigten Erzeugungsschaltung für ein vorbestimmtes Potential zugeführt.

Die Niveaubestimmungsschaltung 30 führt einen Vergleich zwi­ schen dem Potential Vpp und dem Referenzpotential Vref entspre­ chend des durch das Pulssignal S11 definierten Zyklus aus. Als ein Ergebnis des Vergleichs bestimmt die Niveaubestimmungs­ schaltung 30 einen relativen Pegel (d. h. hoch oder niedrig) des Potentials Vpp bezüglich des Referenzpotentials Vref und gibt ein Signal S12 aus, das das Ergebnis der Bestimmung anzeigt. Die Niveaubestimmungsschaltung 30 bestimmt den Pegel (im folgenden auch Niveau genannt) des Po­ tentials Vpp als Reaktion auf einen Abfall des Pulssignals S11.

Die Oszillatorschaltung 40 empfängt das Signal S12 und führt als Reaktion auf das Signal S12 eine Schwingung zum Erzeugen eines Pulssignals S13 aus, das einen vorbestimmten zweiten Zyklus aufweist. Die Ladungspumpe 50 empfängt das Pulssignal S13. Die Ladungspumpe 50 wird als Reaktion auf das Pulssignal S13 zum Liefern von elektrischen Ladungen an den Knoten 100 mit dem verstärkten Potential betrieben. Ein verstärktes Potential wird von dem Knoten 100 mit dem verstärkten Potential gelie­ fert.

Der Betrieb der Erzeugungsschaltung für ein verstärktes Poten­ tial, die in Fig. 11 gezeigt ist, wird im folgenden beschrie­ ben.

Fig. 12 ist ein Zeitablaufdiagramm, das Signale von verschie­ denen Abschnitten der in Fig. 11 gezeigten Erzeugungsschaltung für ein verstärktes Potential während des Betriebes zeigt. In Fig. 12 sind das Potential Vpp und die Pulssignale S11, S12 und S13 gezeigt.

Wie in Fig. 12 gezeigt ist, erniedrigt sich das Niveau des Po­ tentials Vpp zum Zeitpunkt t11 aufgrund von Leckströmen oder ähnlichem unter das Referenzpotential Vref. Zu einem nachfol­ genden Zeitpunkt t12 für die Niveaubestimmung bestimmt die Niveaubestimmungsschaltung 30, daß das Potential Vpp niedriger als das Referenzpotential Vref ist.

Dadurch erhält das von der Niveaubestimmungsschaltung 30 gesandte Signal S12 das H-Niveau. Das H-Niveau des Signals S12 bedeutet, daß das Ergebnis der Bestimmung ist, daß das Poten­ tial Vpp niedriger als das Referenzpotential Vref ist.

Als Reaktion auf das H-Niveau des Signal S12 startet die Oszillatorschaltung 40 die Oszillation bzw. Erzeugung des Puls­ signals S13. Dadurch beginnt die Ladungspumpe 50 mit dem Be­ trieb. Aufgrund des Betriebes der Ladungspumpe 50 steigt das Niveau des Potentials Vpp des Knotens 100 mit dem verstärkten Potential schrittweise.

Zum Zeitpunkt t13 überschreitet das Potential Vpp das Referenz­ potential Vref. Das von der Niveaubestimmungsschaltung 30 aus­ gesandte Signal S12 wird auf dem H-Niveau gehalten bis die nächste Niveaubestimmung zum Zeitpunkt t14 beginnt. Darum setzt die Ladungspumpe 50 ihren Betrieb bis zum Start der nächsten Niveaubestimmung fort.

Bei der oben beschriebenen Erzeugungsschaltung für ein ver­ stärktes Potential wird die einmal betriebene Ladungspumpe 50 ihren Betrieb selbst dann nicht vor dem nächsten Bestimmungs­ zeitpunkt stoppen, falls das Potential Vpp während des Bestim­ mungszyklus auf das Niveau des Referenzpotentials Vref oder über dieses hinaus wiederhergestellt worden ist. Daher arbeitet die Ladungspumpe 50 verschwenderisch. Darum treten in der Erzeugungsschaltung für ein verstärktes Potential Probleme da­ hingehend auf, daß ein Überschwingen des Potentials Vpp des Knotens mit dem verstärkten Potential auftreten kann, und daß der Stromverbrauch groß ist.

Aus der US 5 264 808 ist eine Halbleitereinrichtung mit einem Knoten zur Erzeugung eines verstärkten Potentials bekannt. Die Schaltung weist weiter zwei Treiberpuls-Oszillatorschaltungen, die jeweils ein Treiberpulssignal, die unterschiedliche Perioden aufweisen, erzeugen, eine Auswahlschaltung, die als Reaktion auf ein externes Steuersignal und ein Signal von einer Pegelbestim­ mungsschaltung eines der Treiberpulssignale auswählt, und eine Ladungspumpenschaltung, die als Reaktion auf das von der Aus­ wahleinrichtung ausgewählte Treiberpulssignal eine elektrische Ladung zum Anheben des Potentials des Knotens mit verstärktem Potential an den Knoten mit verstärktem Potential liefert, auf. Das Treiberpulssignal mit der längeren Periode wird zur Erzeugung des verstärkten Potentials während eines Selbstauffrischungsbe­ triebs verwendet.

Es ist Aufgabe der Erfindung, eine Halbleiterspeichereinrich­ tung mit einem reduzierten Stromverbrauch anzugeben.

Diese Aufgabe wird durch eine Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 1 gelöst.

Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen ange­ geben.

Die Erfindung macht es außerdem möglich, das Überschwingen eines verstärkten Potentials in einer Halbleiterspeicherein­ richtung zu verhindern.

Eine Halbleiterspeichereinrichtung nach einer Ausführungsform der Erfindung weist einen Knoten mit einem verstärkten Poten­ tial, eine Bestimmungszyklus-Steuerschaltung, eine Niveaube­ stimmungsschaltung, eine Treiberpuls-Oszillatorschaltung und eine Ladungspumpenschaltung auf.

Der Knoten mit verstärktem Potential ist zum Ausgeben eines verstärkten Potentials vorgesehen. Die Bestimmungszyklus- Steuerschaltung gibt ein Steuerpulssignal aus, das einen steuerbaren Zyklus (Schwingungsdauer) zum Definieren eines Zyklus, der zum Bestimmen des Niveaus des Potentials des Kno­ tens mit verstärktem Potential verwendet wird, aufweist.

Die Niveaubestimmungsschaltung vergleicht das Potential des Knotens mit verstärktem Potential mit einem vorbestimmten Refe­ renzpotential, um so das relative Niveau des Potentials des Knotens mit verstärktem Potential bezüglich des Referenzpoten­ tials zu bestimmen, wobei die Bestimmung entsprechend eines Bestimmungszyklus ausgeführt wird, der durch das von der Be­ stimmungszyklus-Steuersignalschaltung ausgegebene Steuerpuls­ signal definiert wird.

Die Treiberpuls-Oszillatorschaltung oszilliert ein Treiberpuls­ signal, d. h. sie erzeugt das Treiberpulssignal mit einer Schwingung in Pulsform, wenn die Niveaubestimmungsschaltung bestimmt, daß das Potential des Knotens mit verstärktem Poten­ tial niedriger als das Referenzpotential ist. Als Reaktion auf das von der Treiberpuls-Oszillatorschaltung (mit Pulsen) ausge­ gebene Treiberpulssignal wird die Ladungspumpenschaltung so betrieben, daß sie dem Knoten mit verstärktem Potential eine elektrische Ladung zum Anheben des Potentials des Knotens mit verstärktem Potential zuführt.

Die Bestimmungszyklus-Steuerschaltung gibt ein Steuerpulssignal mit einem ersten Zyklus als Reaktion auf die Bestimmung durch die Niveaubestimmungsschaltung, daß das Potential des Knotens mit verstärktem Potential gleich oder höher als das Referenzpo­ tential ist, aus, und sie gibt das Steuerpulssignal mit einem zweiten Zyklus, der kürzer als der erste Zyklus ist, als Reak­ tion auf die Bestimmung durch die Niveaubestimmungsschaltung, daß das Potential des Knotens mit verstärktem Potential niedri­ ger als das Referenzpotential ist, aus.

Wie oben beschrieben worden ist, vergleicht die Niveaubestim­ mungsschaltung das Potential des Knotens mit verstärktem Poten­ tial mit dem Referenzpotential entsprechend eines Bestimmungs­ zyklus, der durch das von der Bestimmungszyklus-Steuerschaltung ausgegebene Steuerpulssignal definiert wird. Wenn bestimmt ist, daß das Potential des Knotens mit verstärktem Potential niedri­ ger als das Referenzpotential ist, oszilliert die Treiberpuls- Oszillatorschaltung das Treiberpulssignal als Reaktion auf das Ergebnis der Bestimmung. Als Reaktion auf das Treiberpulssignal wird die Ladungspumpenschaltung betrieben.

Die Bestimmungszyklus-Steuerschaltung gibt das Steuerpulssignal mit dem ersten Zyklus aus, wenn die Niveaubestimmungsschaltung bestimmt hat, daß das Potential des Knotens mit verstärktem Potential gleich oder höher als das Referenzpotential ist, und sie gibt das Steuerpulssignal mit dem zweiten Zyklus aus, wenn das Potential des Knotens mit verstärktem Potential als niedri­ ger als das Referenzpotential bestimmt ist. Auf diese Art und Weise wird der Zyklus des Steuerpulssignals umgeschaltet.

Der zweite Zyklus des Steuerpulssignals ist kürzer als der er­ ste Zyklus. Darum ist, wenn bestimmt ist, daß das Potential des Knotens mit verstärktem Potential niedriger als das Referenzpo­ tential ist, der Zyklus des Steuerpulssignals unter den Zyklus reduziert, der eingestellt wird, wenn bestimmt ist, daß das Po­ tential des Knotens mit verstärktem Potential gleich oder höher als das Referenzpotential ist.

Während die Ladungspumpenschaltung betrieben wird, ist der Zyklus zur Niveaubestimmung durch die Niveaubestimmungsschal­ tung kürzer als der Zyklus in dem Fall, in dem die Ladungspum­ penschaltung nicht betrieben wird. Wie oben beschrieben wurde, wird die Niveaubestimmung entsprechend eines kurzen Zyklus aus­ geführt, während die Ladungspumpenschaltung betrieben wird, so daß die Ladungspumpenschaltung schnell gestoppt werden kann, wenn das Potential des Knotens mit verstärktem Potential auf oder über das Referenzpotential wiederhergestellt ist. Darum kann ein Überschwingen des Potentials des Knotens mit verstärk­ tem Potential unterdrückt bzw. vermieden werden.

Die Halbleiterspeichereinrichtung kann weiter eine Referenz­ puls-Oszillatorschaltung zum Oszillieren eines Referenzpuls­ signals zum Einstellen des ersten Zyklus aufweisen, wobei in diesem Fall die Bestimmungszyklus-Steuerschaltung das Referenz­ pulssignal und das Treiberpulssignal empfängt und so arbeitet, daß sie ein Signal mit dem gleichen Zyklus wie das Referenz­ pulssignal als das Steuerpulssignal mit dem ersten Zyklus als Reaktion auf die Bestimmung durch die Niveaubestimmungsschal­ tung, daß das Potential des Knotens mit verstärktem Potential gleich oder höher als das Referenzpotential ist, ausgibt, und daß sie ein Signal mit dem gleichen Zyklus wie das Treiberpuls­ signal als das Steuerpulssignal mit dem zweiten Zyklus als Re­ aktion auf die Bestimmung durch die Niveaubestimmungsschaltung, daß das Potential des Knotens mit verstärktem Potential niedri­ ger als das Referenzpotential ist, ausgibt.

Entsprechend dieser Struktur gibt die Bestimmungszyklus-Steuer­ schaltung selektiv das Signal mit dem gleichen Zyklus wie das Referenzpulssignal, das durch die Referenzpuls-Oszillatorschal­ tung oszilliert bzw. erzeugt wird, bzw. das Signal mit dem gleichen Zyklus wie das Treiberpulssignal, das durch die Trei­ berpuls-Oszillatorschaltung oszilliert bzw. erzeugt wird, als das Steuerpulssignal aus.

Das Signal mit dem gleichen Zyklus wie das Referenzpulssignal wird als das Steuerpulssignal ausgegeben, wenn die Niveaube­ stimmungsschaltung bestimmt, daß das Potential des Knotens mit verstärktem Potential gleich oder höher als das Referenzpoten­ tial ist. Das Signal mit dem gleichen Zyklus wie das Treiber­ pulssignal, dessen Zyklus kürzer als der des Referenzpuls­ signals ist, wird als das Steuerpulssignal ausgegeben, wenn die Niveaubestimmungsschaltung bestimmt, daß das Potential des Kno­ tens mit verstärktem Potential niedriger als das Referenzpoten­ tial ist.

Wie oben beschrieben wurde, wird das Treiberpulssignal zum Treiben der Ladungspumpenschaltung auch zum Definieren des Zyklus der Niveaubestimmung des Potentials des Knotens mit verstärktem Potential verwendet. Daher kann in der Bestimmungs­ zyklus-Steuerschaltung der Zyklus des Steuerpulssignals gesteu­ ert werden.

Des weiteren kann die Niveaubestimmungsschaltung ein Signal ausgeben, das ein erstes Niveau erhält, wenn das Potential des Knotens mit verstärktem Potential gleich oder höher als das Referenzpotential ist, und das ein zweites Niveau erreicht, wenn das Potential des Knotens mit verstärktem Potential nied­ riger als das Referenzpotential ist. Darüber hinaus kann die Bestimmungszyklus-Steuerschaltung eine erste und eine zweite Gatterschaltung aufweisen.

Die erste Gatterschaltung empfängt das Referenzpulssignal und das Ausgabesignal der Niveaubestimmungsschaltung und gibt das Referenzpulssignal aus, wenn das Ausgabesignal der Niveaube­ stimmungsschaltung auf dem ersten Niveau ist. Die zweite Gat­ terschaltung empfängt das Ausgabesignal der ersten Gatterschal­ tung und das Treiberpulssignal und gibt ein Signal, das das logische ODER dieser Signale anzeigt, als das Steuerpulssignal aus.

Entsprechend dieser Struktur gibt die erste Gatterschaltung das Referenzpulssignal aus, wenn die Niveaubestimmungsschaltung be­ stimmt, daß das Potential des Knotens mit verstärktem Potential gleich oder höher als das Referenzpotential ist, und das Signal mit dem gleichen Zyklus wie das Referenzpulssignal, das derart ausgegeben wird, wird von der zweiten Gatterschaltung als das Steuerpulssignal ausgegeben.

Wenn die Niveaubestimmungsschaltung bestimmt, daß das Potential des Knotens mit verstärktem Potential niedriger als das Refe­ renzpotential ist, unterdrückt bzw. blockiert die erste Gatter­ schaltung demgegenüber das Referenzpulssignal und die zweite Gatterschaltung gibt das Signal mit dem gleichen Zyklus wie das Treiberpulssignal als das Steuerpulssignal aus.

Darum kann das Steuerpulssignal ein Pulssignal sein, das auf das Referenzpulssignal mit einem langen Zyklus reagiert, wenn das Potential des Knotens mit verstärktem Potential gleich oder höher als das Referenzpotential ist, und es kann ein Signal sein, das auf das Treiberpulssignal mit einem kurzen Zyklus reagiert, wenn das Potential des Knotens mit verstärktem Poten­ tial niedriger als das Referenzpotential ist.

Die erste Gatterschaltung kann eine Inverterschaltung und eine logische Gatterschaltung aufweisen. Die Inverterschaltung in­ vertiert das Ausgabesignal der Niveaubestimmungsschaltung und gibt das invertierte Signal aus. Die logische Gatterschaltung empfängt das Ausgabesignal der Inverterschaltung und das Refe­ renzpulssignal und gibt ein Signal, das das logische UND dieser Signale anzeigt, aus.

Entsprechend der oben beschriebenen Struktur gibt die erste Gatterschaltung aus der logischen Gatterschaltung das Signal aus, daß das UND des eingegebenen Referenzpulssignals und des Signals, das durch Invertieren des Ausgabesignals der Niveaube­ stimmungsschaltung durch die Inverterschaltung erhalten wird, anzeigt.

Darum kann, um das Steuerpulssignal auszugeben, wenn bestimmt ist, daß das Potential des Knotens mit verstärktem Potential gleich oder höher als das Referenzpotential ist, das Signal, das auf das Referenzpulssignal reagiert, der zweiten Gatter­ schaltung zugeführt werden.

Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten von Ausführungsbeispielen der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:

Fig. 1 eine Blockdarstellung, die eine Struktur einer Erzeu­ gungsschaltung für ein verstärktes Potential in einer Halbleiterspeichereinrichtung nach einer Ausführungs­ form der Erfindung zeigt;

Fig. 2 ein Schaltbild, das eine Struktur einer ersten Oszil­ latorschaltung aus Fig. 1 zeigt;

Fig. 3 ein Schaltbild, das eine Struktur einer Bestimmungs­ steuerschaltung aus Fig. 1 zeigt;

Fig. 4 ein Zeitablaufdiagramm, das Wellenformen von ver­ schiedenen Abschnitten der Bestimmungssteuerschaltung aus Fig. 3 während des Betriebes zeigt;

Fig. 5 ein Schaltbild, das eine Struktur einer Niveaubestim­ mungsschaltung aus Fig. 1 zeigt;

Fig. 6 ein Zeitablaufdiagramm, das Wellenformen von ver­ schiedenen Abschnitten einer Niveaubestimmungsschal­ tung aus Fig. 5 während des Betriebes zeigt;

Fig. 7 ein Schaltbild, das eine Struktur einer zweiten Oszillatorschaltung aus Fig. 1 zeigt;

Fig. 8 ein Schaltbild, das eine Struktur einer Ladungspumpe aus Fig. 1 zeigt;

Fig. 9 ein Zeitablaufdiagramm von Wellenformen von verschie­ denen Abschnitten der Ladungspumpe aus Fig. 8 während des Betriebes;

Fig. 10 ein Zeitablaufdiagramm, das den allgemeinen Betrieb der Erzeugungsschaltung für ein verstärktes Potential aus Fig. 1 zeigt;

Fig. 11 ein Blockdarstellung, die eine Struktur einer Erzeu­ gungsschaltung für ein verstärktes Potential in einer Halbleiterspeichereinrichtung zeigt; und

Fig. 12 ein Zeitablaufdiagramm, das Signale von verschiedenen Abschnitten der Erzeugungsschaltung für ein verstärk­ tes Potential aus Fig. 11 während des Betriebes zeigt.

Wie in Fig. 1 gezeigt ist, weist die Erzeugungsschaltung für ein verstärktes Potential nach einer Ausführungsform der Halb­ leiterspeichereinrichtung eine Oszillatorschaltung 1, eine Be­ stimmungssteuerschaltung 2, eine Niveaubestimmungsschaltung 3, eine Oszillatorschaltung 4, eine Ladungspumpe 5 und einen Kno­ ten 100 mit einem verstärkten Potential auf. Die Oszillator­ schaltung 1 bildet eine Referenzpuls-Oszillatoreinrichtung. Die Bestimmungssteuerschaltung 2 bildet eine Bestimmungszyklus- Steuereinrichtung. Die Oszillatorschaltung 4 bildet eine Trei­ berpulssignal-Oszillatoreinrichtung.

Ein Hauptunterschied zwischen der Erzeugungsschaltung für ein verstärktes Potential aus Fig. 1 und derjenigen aus Fig. 11 be­ steht im Vorsehen der Bestimmungssteuerschaltung 2.

Die Oszillatorschaltung 1 oszilliert bzw. erzeugt ein Referenz­ pulssignal S1 zum Erhalten eines vorbestimmten ersten Zyklus, d. h. einer vorbestimmten ersten Schwingungsdauer einer Puls­ folge. Die Bestimmungssteuerschaltung 2 empfängt das Referenz­ pulssignal S1, ein Signal S3, das von der Niveaubestimmungs­ schaltung 3 ausgesandt wird, und ein Treiberpulssignal S4, das von der Oszillatorschaltung 4 ausgesandt wird.

Als Reaktion auf diese Signale gibt die Bestimmungssteuerschal­ tung 2 ein Steuerpulssignal S2 aus, das den Bestimmungszyklus (den Bestimmungszeitablauf) der Niveaubestimmungsschaltung 3 definiert.

Die Niveaubestimmungsschaltung 3 empfängt das Steuerpulssignal S2, das Potential Vpp des Knotens 100 mit dem verstärkten Po­ tential und das Referenzpotential Vref. Das Referenzpotential Vref wird von einer entsprechenden nicht gezeigten Potentialer­ zeugungsschaltung zugeführt.

Die Niveaubestimmungsschaltung 3 führt einen Vergleich zwischen den Niveaus des Potentials Vpp und des Referenzpotentials Vref entsprechend dem durch das Steuerpulssignal S2 definierten Zyklus aus. Durch den Vergleich zwischen den Potentialniveaus bestimmt die Niveaubestimmungsschaltung 3 ein relatives Niveau (d. h. hoch oder niedrig) des Potentials Vpp bezüglich des Refe­ renzpotentials Vref und gibt ein Signal S3 aus, das das Ergeb­ nis der Bestimmung anzeigt.

Die Oszillatorschaltung 4 empfängt das Signal S3. Als Reaktion auf das Niveau des Signals S3 oszilliert bzw. erzeugt die Oszillatorschaltung 4 ein Treiberpulssignal S4, das gegebenen­ falls ein Pulssignal mit einem zweiten Zyklus ist, der kürzer als der Oszillationszyklus (Schwingungsdauer) der Oszillator­ schaltung 1 ist. Das Treiberpulssignal S4 wird zum Treiben der Ladungspumpe 5 verwendet.

Die Ladungspumpe 5 empfängt das Treiberpulssignal S4. Die Ladungspumpe 5 arbeitet als Reaktion auf einen Puls des Trei­ berpulssignals S4 und liefert elektrische Ladungen an den Knoten 100 mit einem verstärkten Potential.

Fig. 2 ist ein Schaltbild, das eine Struktur der Oszillator­ schaltung 1 aus Fig. 1 zeigt. Wie in Fig. 2 gezeigt ist, weist die Oszillatorschaltung 1 eine ungerade Anzahl von Invertern 11 bis 15 auf. Diese Inverter 11 bis 15 sind in einer ringähnli­ chen Form in Reihe geschaltet. Die Oszillatorschaltung 1 wird durch Ausnutzen der Tatsache gebildet, daß eine Schwingung auf­ tritt, da die Verbindungen zwischen den Invertern keinen stabi­ len Punkt bzw. Zustand aufweisen.

Die Oszillatorschaltung 1 gibt das Pulssignal mit einem vorbe­ stimmten Zyklus aus, d. h. das Referenzpulssignal S1. Der Zyklus des Referenzpulssignals S1 wird durch die Anzahl der in der Oszillatorschaltung 1 vorhandenen Inverter definiert.

Fig. 3 ist ein Schaltbild, das eine Struktur einer Bestimmungs­ steuerschaltung 2 aus Fig. 1 zeigt. Wie in Fig. 3 gezeigt ist, weist die Bestimmungssteuerschaltung 2 einen Inverter 21, ein UND-Gatter 22 und ein ODER-Gatter 23 auf.

Das UND-Gatter 22 empfängt das Referenzpulssignal S1 und ein durch Invertieren des Signals S3 durch den Inverter 21 gebilde­ tes Signal. Das UND-Gatter 22 gibt ein Signal S22 aus, das das UND dieser Signale anzeigt. Das ODER-Gatter 23 empfängt ein Signal S22 und das Treiberpulssignal S4 und gibt ein ODER dieser Signale als Steuerpulssignal S2 aus.

Fig. 4 ist ein Zeitablaufdiagramm, das die Wellenformen (Signalwellenformen der Signale) verschiedener Abschnitte der Bestimmungssteuerschaltung 2 aus Fig. 3 während des Betriebes zeigt.

Wie in Fig. 4 gezeigt ist, gibt die Bestimmungssteuerschaltung 2 das Steuerpulssignal S2 in der folgenden Art und Weise aus, wenn das Signal S3, das von der Niveaubestimmungsschaltung 3 ausgegeben wird, auf dem H-Niveau ist. Die Bestimmungssteuer­ schaltung 2 unterdrückt bzw. blockiert das Referenzpulssignal S1, das von der Oszillatorschaltung 1 gesandt wird, und gibt das Steuersignal S2 synchronisiert mit dem Treiberpulssignal S4, das von der Oszillatorschaltung 4 gesandt wird, aus.

Demgegenüber gibt die Bestimmungssteuerschaltung 2 das Steuer­ pulssignal S2 in der folgenden Art und Weise aus, wenn das Niveau des Signals S3, das von der Niveaubestimmungsschaltung 3 gesandt wird, auf dem L-Niveau ist. Die Bestimmungssteuerschal­ tung 2 unterdrückt bzw. blockiert das von der Oszillatorschal­ tung 1 gesandte Referenzpulssignal S1 nicht und gibt das Steuerpulssignal S2 synchronisiert mit dem Referenzpulssignal S1, das von der Oszillatorschaltung 1 gesandt wird, aus. Der Grund dafür besteht darin, daß das Treiberpulssignal S4 nicht schwingt bzw. mit Pulsen erzeugt wird, wenn das Signal S3 auf dem L-Niveau ist.

Fig. 5 ist ein Schaltbild, das eine Struktur einer Niveaube­ stimmungsschaltung 3 zeigt. Wie in Fig. 5 gezeigt ist, weist die Niveaubestimmungsschaltung 3 p-Kanal-MOS-Transistoren 31 bis 34, n-Kanal-MOS-Transistoren 35 bis 39, NAND-Gatter 321 und 322 und einen Inverter 310 auf.

Ein Stromversorgungsknoten N1 empfängt ein Stromversorgungspo­ tential Vcc. Ein Masseknoten N2 empfängt ein Massepotential (0V). Die Transistoren 31, 35, 37 und 39 sind in Reihe zwischen den Stromversorgungsknoten N1 und den Masseknoten N2 geschal­ tet. Die Transistoren 32, 36 und 38 sind in Reihe zwischen den Stromversorgungsknoten N1 und den Transistor 39 geschaltet.

Jeweils die Gateelektroden der Transistoren 32 und 36 sind mit einem Knoten N3, der sich zwischen den Transistoren 31 und 35 befindet, verbunden. Jeweils die Gateelektroden der Transisto­ ren 31 und 35 sind mit einem Knoten N4, der sich zwischen den Transistoren 32 und 36 befindet, verbunden. Die Transistoren 31, 32, 35 und 36, die in dieser Art und Weise verbunden sind, bilden eine dynamische Verriegelungsschaltung.

Der Transistor 37 empfängt das Referenzpotential Vref an seiner Gateelektrode. Der Transistor 38 empfängt das Potential Vpp des Knotens 100 mit dem verstärkten Potential an seiner Gateelek­ trode. Die Transistoren 37 und 38 weisen die selbe Größe auf. Der Transistor 39 empfängt an seiner Gateelektrode ein Signal, das durch Invertieren des Steuersignals S2 durch den Inverter 310 gebildet wird.

Der Transistor 33 ist zwischen den Stromversorgungsknoten N1 und einen der Eingabeanschlüsse des NAND-Gatters 322 geschal­ tet. Die Drainelektrode des Transistors 33 ist mit dem Knoten N3 verbunden. Der Transistor 33 empfängt an seiner Gateelek­ trode das durch Invertieren des Steuerpulssignals S2 durch den Inverter 310 gebildete Signal.

Der Transistor 34 ist zwischen den Stromversorgungsknoten N1 und einen der Eingabeanschlüsse des NAND-Gatters 321 geschal­ tet. Die Drainelektrode des Transistors 34 ist mit dem Knoten N4 verbunden. Der Transistor 34 empfängt an seiner Gateelek­ trode das durch Invertieren des Steuerpulssignals S2 durch den Inverter 310 gebildete Signal.

Der andere Eingabeanschluß des NAND-Gatters 322 ist mit dem Ausgabeanschluß des NAND-Gatters 321 verbunden. Der andere Ein­ gabeanschluß des NAND-Gatters 321 ist mit dem Ausgabeanschluß des NAND-Gatters 322 verbunden. Die NAND-Gatter 321 und 322 bilden eine Verriegelungsschaltung 320.

Es wird nun eine Beschreibung des Betriebes der in Fig. 5 gezeigten Niveaubestimmungsschaltung gegeben. Fig. 6 ist ein Zeitablaufdiagramm, das Wellenformen von verschiedenen Ab­ schnitten (Signalwellenformen der Signale verschiedener Ab­ schnitte) der Niveaubestimmungsschaltung 3 aus Fig. 1 während des Betriebs zeigt. Der Betrieb wird im folgenden unter Bezug­ nahme auf die Fig. 5 und 6 beschrieben.

Wie in Fig. 6 gezeigt ist, werden die Transistoren 33 und 34 angeschaltet, wenn das Steuerpulssignal S2 auf dem H-Niveau ist. Dadurch werden die beiden Knoten N3 und N4 auf das H- Niveau vorgeladen. Wenn das Steuerpulssignal S2 das L-Niveau erreicht, werden die Transistoren 33 und 34 abgeschaltet und der Transistor 39 wird angeschaltet.

Wie bereits zuvor ausgeführt wurde, weisen die Transistoren 37 und 38 die selbe Größe auf. Darum unterscheiden sich die Drain­ ströme der Transistoren 37 und 38 voneinander, wenn an ihre Gateelektroden unterschiedliche Potentiale angelegt sind. Ge­ nauer gesagt fließen, wenn das Potential Vpp des Knotens 100 mit einem verstärkten Potential sich von dem Referenzpotential Vref unterscheidet, unterschiedliche Drainströme in den Transi­ storen 37 und 38.

Falls z. B., wie in Fig. 6 zum Zeitpunkt ta gezeigt ist, das Potential Vpp zu dem Zeitpunkt, wenn sich das Eingabesignal S2 auf das L-Niveau erniedrigt, höher als das Referenzpotential Vref ist, ist der Wert des Drainstromes des Transistors 38, der das Potential Vpp an seiner Gateelektrode empfängt, größer als der Wert des Drainstromes des Transistors 37, der das Referenz­ potential Vref an seiner Gateelektrode empfängt.

Darum erreicht in der durch die Transistoren 31, 32, 35 und 36 gebildeten dynamischen Verriegelungsschaltung der Knoten N3 das H-Niveau und der Knoten N4 das L-Niveau. In diesem Fall wird ein Wert auf dem L-Niveau in der Verriegelungsschaltung 320 gesetzt. Dadurch erreicht das von der Verriegelungsschaltung 320 ausgegebene Signal S3 das L-Niveau.

Zum Zeitpunkt tb aus Fig. 6, zu dem das eingegebene Steuerpuls­ signal S2 das H-Niveau erreicht, führt die Verriegelungsschal­ tung 320 einen Haltebetrieb aus. Dadurch hält die Verriege­ lungsschaltung 320 den zuvor eingeschriebenen Wert auf dem L- Niveau. Daher wird das von der Verriegelungsschaltung 320 aus­ gegebene Signal fortlaufend auf dem L-Niveau gehalten.

Wie zum Zeitpunkt tc in Fig. 6 gezeigt ist, ist, wenn das Potential Vpp niedriger als das Referenzpotential Vref ist, der Wert des Drainstromes des Transistors 37, der das Referenzpo­ tential Vref an seiner Gateelektrode empfängt, größer als der Wert des Drainstromes des Transistors 38, der das Potential Vpp an seiner Gateelektrode empfängt.

In der durch die Transistoren 31, 32, 35 und 36 gebildeten dynamischen Verriegelungsschaltung erreicht daher der Knoten N4 das H-Niveau und der Knoten N3 das L-Niveau. In diesem Fall wird ein Wert auf H-Niveau in der Verriegelungsschaltung 320 gesetzt. Darum erreicht das von der Verriegelungsschaltung 320 ausgegebene Signal S3 das H-Niveau.

Zum nachfolgenden Zeitpunkt td in Fig. 6 erreicht das eingege­ bene Steuerpulssignal S2 das H-Niveau und die Verriegelungs­ schaltung 320 führt den Haltebetrieb aus. Dadurch hält die Ver­ riegelungsschaltung 320 den zuvor eingeschriebenen Wert auf dem H-Niveau. Darum wird das von der Verriegelungsschaltung 320 ausgegebene Signal S3 auf dem H-Niveau gehalten.

Auf diese Art und Weise bestimmt die Niveaubestimmungsschaltung 3 das Niveau des Potentials Vpp des Knotens 100 mit dem ver­ stärkten Potential entsprechend des Zeitablaufs der ansteigen­ den Flanken des eingegebenen Steuerpulssignals S2.

Fig. 7 ist ein Schaltbild, das eine Struktur der Oszillator­ schaltung 4 aus Fig. 1 zeigt. Wie in Fig. 7 gezeigt ist, weist die Oszillatorschaltung 4 ein NAND-Gatter 41 und zwei Inverter 42 und 43 auf.

Die Inverter 42 und 43 sind in Reihe zwischen einen Ausgabean­ schluß des NAND-Gatters 41 und einen der Eingabeanschlüsse des NAND-Gatters 41 geschaltet. Das NAND-Gatter 41 empfängt das von der Niveaubestimmungsschaltung 3 gesandte Signal S3 an seinem anderen Eingabeanschluß. Das Treiberpulssignal S4 wird von dem NAND-Gatter 41 ausgegeben.

Der Betrieb der Oszillatorschaltung 4 wird nun im folgenden be­ schrieben. Wie in Fig. 4 gezeigt ist, ist das von dem NAND-Gat­ ter 41 ausgegebene Treiberpulssignal S4 auf dem H-Niveau fixiert, wenn das Signal S3 auf dem L-Niveau ist. Daher wird in diesem Fall der Puls des Treiberpulssignals S4 nicht oszilliert bzw. es ist kein Puls auf dem Signal vorhanden.

Wenn das eingegebene Signal S3 auf dem H-Niveau ist, arbeitet das NAND-Gatter 41 bezüglich des Signals S3 als ein Inverter. Wenn das NAND-Gatter 41 die Funktion als ein Inverter hat, hat die Oszillatorschaltung 4 die selbe Funktion wie eine Oszilla­ torschaltung, die drei Inverter aufweist. Daher bildet in die­ sem Fall die Oszillatorschaltung 4 eine Schaltung, die eine Oszillatorfunktion zum Erzeugen des Treiberpulssignals S4 mit einem Zyklus, der kürzer als derjenige ist, der durch die Oszillatorschaltung 1 aus Fig. 2 erzeugt wird, die fünf Inver­ ter aufweist.

Darum erzeugt die Oszillatorschaltung 4 das Pulssignal entspre­ chend des selben Prinzips wie die Oszillatorschaltung 1, die in Fig. 2 gezeigt ist, wenn das eingegebene Signal S3 auf dem H- Niveau ist. Daher bildet das von der Oszillatorschaltung 4 aus­ gegebene Treiberpulssignal S4 in diesem Fall ein pulsähnliches Signal.

Fig. 8 ist ein Schaltbild, das eine Struktur einer Ladungspumpe 5 aus Fig. 1 zeigt. Wie in Fig. 8 gezeigt ist, weist die La­ dungspumpe 5 Kondensatoren 51 und 53, einen Inverter S2 und n-Kanal-MOS-Transistoren 54, 55 und 56 auf.

In der Ladungspumpe 5 sind der Kondensator 51 und der Transi­ stor 56 in Reihe zwischen einen Eingabeknoten N0 und einen Ausgabeknoten N8 geschaltet. Der Transistor 56 ist in einer solchen Art und Weise diodengeschaltet, daß seine Gateelektrode mit seiner Drainelektrode, die auf der Seite eines Knotens N7, der sich zwischen dem Kondensator 51 und dem Transistor 56 be­ findet, angeordnet ist, verbunden ist.

Der Transistor 55 ist zwischen den Stromversorgungsknoten N1, der das Stromversorgungspotential Vcc empfängt, und den Knoten N7 geschaltet. Der Inverter 52 und der Kondensator 53 sind in Reihe zwischen den Eingabeknoten N0 und die Gateelektrode des Transistors 55 geschaltet.

In der folgenden Beschreibung wird ein Knoten zwischen dem Inverter 52 und dem Kondensator 53 als Knoten N5 und ein Knoten zwischen dem Kondensator 53 und der Gateelektrode des Transi­ stors 55 als Knoten N6 bezeichnet.

Der Transistor 54 ist zwischen den Stromversorgungsknoten N1 und den Knoten N6 geschaltet. Der Transistor 54 ist in einer solchen Art und Weise diodengeschaltet, daß seine Gateelektrode mit seiner Drainelektrode, die auf der Seite des Stromversor­ gungsknotens N1 angeordnet ist, verbunden ist.

Der Betrieb der Ladungspumpe 5 aus Fig. 8 wird nun im folgenden beschrieben. Fig. 9 ist ein Zeitablaufdiagramm, das Wellenfor­ men von verschiedenen Abschnitten (Signalwellenformen der Signale verschiedener Abschnitte) während des Betriebes der Ladungspumpe aus Fig. 8 zeigt.

Wie in Fig. 9 gezeigt ist, ist das Potential des Knotens N5 gleich dem Stromversorgungspotential Vcc, wenn das Pulssignal S4, das als ein Pulssignal zugeführt wird, auf dem L-Niveau ist. Der Knoten N6 ist auf Vcc-Vth vorgeladen, wobei Vth die Schwellspannung des Transistors ist.

Da das Vorladen bereits ausgeführt worden ist, wird in diesem Fall das Potential des Knotens N6 auf 2 . Vcc-Vth aufgrund der Kopplung durch den Kondensator 53 verstärkt. Dadurch wird der Transistor 55 angeschaltet und der Knoten N7 auf das Stromver­ sorgungspotential Vcc vorgeladen.

Wenn das Treiberpulssignal S4 auf das H-Niveau ansteigt, ändert sich das Potential des Knotens N5 von dem Stromversorgungspo­ tential Vcc auf 0 V und das Potential des Knotens N6 kehrt auf Vcc-Vth zurück.

In diesem Fall wird das Potential des Knotens N7 auf 2 . Vcc auf­ grund der Kopplung durch den Kondensator 51 verstärkt. Ein Strom fließt durch den Transistor 56 zu dem Ausgabeknoten N8. Als Reaktion darauf erniedrigt sich das Potential des Knotens N7. In diesem Fall wird der Transistor 55 ausgeschaltet, da die Spannung zwischen dem Gate und der Source auf -Vth geht.

Auf diese Art und Weise liefert die Ladungspumpe 5 elektrische Ladungen an den Knoten 100 mit verstärktem Potential als Reak­ tion auf den Puls des Treiberpulssignals S4, das von der Oszil­ latorschaltung 4 ausgegeben wird, und erhöht derart das Poten­ tial Vpp.

Der allgemeine Betrieb der Erzeugungsschaltung für ein ver­ stärktes Potential, die derart aufgebaut ist, wird im folgenden beschrieben. Fig. 10 ist ein Zeitablaufdiagramm, das den allge­ meinen Betrieb der Erzeugungsschaltung für ein verstärktes Potential aus Fig. 1 zeigt. In Fig. 10 sind das Potential Vpp des Knotens 100 mit verstärktem Potential, das Referenzpuls­ signal S1, das Steuerpulssignal S2, das Signal S3 und das Trei­ berpulssignal S4 dargestellt.

Wie in Fig. 10 gezeigt ist, oszilliert die Oszillatorschaltung 1 das Referenzpulssignal S1. Wenn die Ladungspumpe 5 nicht arbeitet, weist das Steuerpulssignal S2, das von der Bestim­ mungssteuerschaltung 2 ausgegeben wird, den selben Zyklus wie das Referenzpulssignal S1 auf. Daher führt die Niveaubestim­ mungsschaltung 3 die Niveaubestimmung des Potentials Vpp ent­ sprechend des Zyklus der Pulse des Referenzpulssignals S1 aus.

Zum Zeitpunkt t1 erniedrigt sich das Potential Vpp des Knotens 100 mit verstärktem Potential unter das Referenzpotential Vref. Dadurch bestimmt zum Zeitpunkt t2 des nächsten Abfalls des Steuerpulssignals S2, d. h. beim nächsten Niveaubestimmungsbe­ trieb, die Niveaubestimmungsschaltung 3 das Niveau des Poten­ tials Vpp. Als ein Ergebnis der Bestimmung erreicht das Signal S3, das von der Niveaubestimmungsschaltung 3 ausgegeben wird, das H-Niveau.

Als Reaktion darauf bildet das Signal S4, das von der Oszilla­ torschaltung 4 ausgegeben wird, das Pulssignal bzw. wird ein Pulssignal. Dadurch beginnt die Ladungspumpe 5 ihren Betrieb. Als Folge steigt das Potential Vpp, wie in Fig. 10 mit A, B und C bezeichnet ist, und wird in Richtung des Referenzpotentials Vref wiederhergestelt.

Während des Betriebes der Ladungspumpe 5 weist das Steuerpuls­ signal S2, das von der Bestimmungssteuerschaltung 2 ausgegeben wird, den selben Zyklus wie der Puls des Treiberpulssignals S4 auf. Darum bestimmt die Niveaubestimmungsschaltung 3 das Niveau des Potentials Vpp entsprechend des (kurzen) Zyklus des kurzen Pulses basierend auf dem Treiberpulssignal S4. Darum wird die Bestimmung des Niveaus des Potentials Vpp während des Betrei­ bens der Ladungspumpe 5 entsprechend eines Zyklus ausgeführt, der kürzer als derjenige ist, der während des Stoppens des Betriebes der Ladungspumpe verwendet wird.

Als ein Ergebnis der Niveaubestimmung des Potentials Vpp durch die Niveaubestimmungsschaltung 3 in dem obigen Fall wird das Signal S3 auf dem H-Niveau gehalten, wenn das Potential Vpp niedriger als das Referenzpotential Vref ist. Wenn währenddes­ sen das Potential Vpp höher als das Referenzpotential Vref ist, wird, wie in Fig. 10 zum Zeitpunkt t3 zu sehen ist, die Niveau­ bestimmungsschaltung 3 das Niveau des Potentials Vpp zum Zeit­ punkt t4 des nächsten Abfalls des Steuersignals S2 bestimmen, d. h. beim nächsten Niveaubestimmungsbetrieb. Als ein Ergebnis der Bestimmung fällt das von der Niveaubestimmungsschaltung 3 ausgegebene Signal S3 auf das L-Niveau ab.

Als Reaktion darauf stoppt das Treiberpulssignal S4, das von der Oszillatorschaltung 4 ausgegeben wird, die Oszillation bzw. Schwingung in der Pulsform. Dadurch stoppt die Ladungspumpe 5 ihren Betrieb.

Bei der Erzeugungsschaltung für ein verstärktes Potential aus Fig. 1, die oben beschrieben worden ist, wird die Niveaubestim­ mung des Potentials Vpp entsprechend eines langen Zyklus (Schwingungsdauer) während des Stops des Betriebs der Ladungs­ pumpe 5 ausgeführt, während die Niveaubestimmung des Potentials Vpp entsprechend eines kurzen Zyklus während des Betriebs der Ladungspumpe 5 ausgeführt wird.

Daher kann bei der Erzeugungsschaltung für ein verstärktes Potential der Betrieb der Ladungspumpe schnell gestoppt werden, wenn das Potential Vpp des Knotens 100 mit verstärktem Poten­ tial durch den Betrieb der Ladungspumpe 5 auf das Referenzpo­ tential Vref wiederhergestellt ist. Darum kann ein Überschwin­ gen des Potentials Vpp verhindert werden, und als Folge kann der Stromverbrauch der Halbleiterspeichereinrichtung reduziert werden.

Claims (6)

1. Halbleiterspeichereinrichtung mit
einem Knoten (100) mit verstärktem Potential, der zum Ausgeben eines verstärkten Potentials (Vpp) vorgesehen ist,
einer Bestimmungsperiode-Steuereinrichtung (2) zum Ausgeben eines Steuerpulssignals, das eine steuerbare Periode zum Defi­ nieren einer Periode aufweist, die zur Zeitsteuerung einer Bestimmung eines Pegels des Knotens (100) mit verstärktem Potential verwendet wird,
einer Pegelbestimmungseinrichtung (3) zum Vergleichen des Potentials (Vpp) des Knotens (100) mit verstärktem Potential mit einem vorbestimmten Referenzpotential (Vref), die einen Pegel des Potentials des Knotens (100) mit verstärktem Potential relativ zu dem Referenzpotential periodisch in Übereinstimmung mit der Periode, die durch das von der Bestimmungs­ periode-Steuereinrichtung (2) ausgegebene Steuerpulssignal definiert ist, bestimmt,
einer Treiberpuls-Oszillatoreinrichtung (4) zum Erzeugen eines Treiberpulssignals, wenn die Pegelbestimmungseinrichtung (3) bestimmt, daß das Potential des Knotens (100) mit verstärk­ tem Potential niedriger als das Referenzpotential ist, und
einer Ladungspumpeneinrichtung (5), die als Reaktion auf das von der Treiberpuls-Oszillatoreinrichtung (4) ausgegebene Treiberpulssignal eine elektrische Ladung zum Anheben des Potentials des Knotens (100) mit verstärktem Potential an den Knoten (100) mit verstärktem Potential liefert,
wobei die Bestimmungszyklus-Steuereinrichtung (2) das Steuerpulssignal mit einer ersten Periode als Reaktion auf die Bestimmung durch die Pegelbestimmungseinrichtung (3), daß das Potential des Knotens (100) mit verstärktem Potential gleich oder höher als das Referenzpotential ist, ausgibt, und das Steuerpulssignal mit einer zweiten Periode, die kürzer als die erste Periode ist, als Reaktion auf die Bestimmung durch die Pegelbestimmungseinrichtung (3), daß das Potential des Knotens (100) mit verstärktem Potential niedriger als das Refe­ renzpotential ist, ausgibt.

2. Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch
eine Referenzpuls-Oszillatoreinrichtung (1) zum Erzeugen eines Referenzpulssignals zum Einstellen der ersten Periode, wobei die Bestimmungsperiode-Steuereinrichtung (2) das Referenz­ pulssignal und das Treiberpulssignal empfängt und
als Reaktion auf die Bestimmung durch die Pegelbestimmungsein­ richtung (3), daß das Potential des Knotens mit verstärktem Potential gleich oder höher als das Referenzpotential ist, so arbeitet, daß sie ein Signal mit der gleichen Periode wie das Referenzpulssignal als das Steuerpulssignal mit der ersten Periode ausgibt, und
als Reaktion auf die Bestimmung durch die Pegelbestimmungsein­ richtung (3), daß das Potential des Knotens mit verstärktem Potential niedriger als das Referenzpotential ist, so arbeitet, daß sie ein Signal mit der gleichen Periode wie das Treiberpuls­ signal als das Steuerpulssignal mit der zweiten Periode ausgibt.

3. Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Pegelbestimmungseinrichtung (3) ein Signal ausgibt, das einen ersten Pegel erreicht, wenn das Potential des Knotens (100) mit verstärktem Potential gleich oder höher als das Refe­ renzpotential ist, und das einen zweiten Pegel erreicht, wenn das Potential des Knotens (100) mit verstärktem Potential nied­ riger als das Referenzpotential ist, und
daß die Bestimmungsperiode-Steuereinrichtung (2) eine erste Gattereinrichtung (21, 22) zum Empfangen des Refe­ renzpulssignals und des Ausgabesignals der Pegelbestimmungs­ einrichtung (3) und zum Ausgeben des Referenzpulssignals, wenn das Ausgabesignal der Pegelbestimmungseinrichtung auf dem ersten Pegel ist, und
eine zweite Gattereinrichtung (23) zum Empfangen des Ausgabe­ signals der ersten Gattereinrichtung (22) und des Treiberpuls­ signals und zum Ausgeben eines Signals als das Steuerpuls­ signal, das die ODER-Verknüpfung der empfangenen Signale anzeigt, aufweist.

4. Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Gattereinrichtung (21, 22) eine Invertereinrichtung (21) zum Invertieren und Ausgeben des Ausgabesignals der Pegelbestimmungsschaltung (3) und eine Logikgattereinrichtung (22) zum Empfangen des Ausgabe­ signals der Invertereinrichtung (21) und des Referenzpuls­ signals und zum Ausgeben eines Signals, das die UND-Verknüpfung der empfangenen Signale anzeigt, aufweist.

5. Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet,
daß die Pegelbestimmungseinrichtung (3) aufweist:
eine erste Verriegelungseinrichtung (31 bis 38), die auf das Steuerpulssignal reagiert, zum Erzeugen und Halten eines Poten­ tials auf dem ersten Pegel, wenn das Potential des Knotens (100) mit verstärktem Potential gleich oder höher als das Refe­ renzpotential ist, und zum Erzeugen und Halten eines Potentials auf dem zweiten Pegel, wenn das Potential des Knotens (100) mit verstärktem Potential niedriger als das Referenzpotential ist, und
eine zweite Verriegelungseinrichtung (320), die auf das Steuer­ pulssignal reagiert, zum Ausgeben des durch die erste Verriege­ lungseinrichtung (31 bis 38) erzeugten Potentials und zum Hal­ ten des Ausgabezustands.

6. Halbleiterspeichereinrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet,
daß die Referenzpuls-Oszillatoreinrichtung (1) eine ungerade Anzahl erster Invertereinrichtungen (11 bis 15) zum Definieren der ersten Periode aufweist,
daß die Treiberpuls-Oszillatoreinrichtung (4) eine ungerade Anzahl zweiter Invertereinrichtungen (41 bis 43), die als Inverter zum Definieren der zweiten Periode betreibbar sind, aufweist, und
daß die Anzahl der ersten Invertereinrichtungen (11 bis 15) größer als die Anzahl der zweiten Invertereinrichtungen (41 bis 43) ist.