DE1953070B2 - Verfahren zum herstellen eines tantaloxinitridschichtwiderstandelements - Google Patents

Description

Die gestellte Aufgabe wird durch die Gesamtheit

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum der folgenden Schritte gelöst:

Herstellen eines Taiilaloxiiiiliidschichlwidersiand- 35 _{a) auf dner UnterIage wird zunä}chst eine Dünnelements sowie auf die nach diesem Verfahren her- _{schidu aus Tanta}i_oxinitrid durch Zerstäuben von gestellten Widerstandselemente. . . Tantal in Gegenwart von Sauerstoff, Stickstoff

In den vergangenen Jahren war die Maniaturisie- _{und eines ine} ⁶ _{rten Ga z B A durch}.

rung von Schaltungskomponenten eine der Haupt- _{füh wobd der Partialdruck m}* Sauerstoff

bestrebung der elektronischen Industrie. Spezielles 40 _VQn [ _bis ,, _{χ 1(H T}orr, der Partialdruck von

Interesse richtete sich dabei auf die Entwicklung von stickstoff von 5 bis 7 χ 10-⁴ Torr reicht und der

Dunnschichtwiderstandsmaterialien, die im Gesamt- Gesamtdruck weniger als 25 χ 1 (H Torr beträgt:

verhalten einen wünschenswerten spezifischen Wider- ,. ,. . , , _.. ,. . , ,

stand, einen niedrigen Temperaturkoeffizient des ^b) ^die niedergeschlagene Dünnschicht wird dann

Widerstandes und eine hohe thermische Stabilität 45 anodisiert und danacn durch Erhitzen in Luft

zeigen. stabilisiert.

Zu den bisher entwickelten aussichtsreicheren Tantalwiderstandsschichten, welche stabil und Materialien gehören (a) der Tantalnitridwiderstand, anodisierbar sind und gut reproduziert werden könder — wie in der USA.-Patentschrift 3 242 006 nen, sowie einen TAT/f-Wert mit negativem Vorbeschrieben — durch reaktives Zerstäuben von Tan- 50 zeichen in der Größenordnung von —200 X 1Ο~⁶/⁰ C tal in Gegenwart von Stickstoff erhalten wird, und (b) aufweisen, sind deshalb besonders wertvoll, weil inteder Tantalwiderstand mit einer amorphen Mischung grierte Schaltungen auf der Basis von Tantal heraus Tantal und Tantalpentoxid, der — wie in der gestellt werden können, deren Frequenzgang ziemlich USA.-Patentschrift 3 258 413 beschrieben — durch konstant ist, das heißt, nur wenig von der Temperatur reaktives Zerstäuben von Tantal in Gegenwart von 55 abhängt. Ferner wird die angegebene Größenordnung Sauerstoff erhalten wird. Obgleich diese Materialien des negativen Werts des TKn-Werts zur Anpassung das Bedürfnis nach sehr zuverlässigen Präzisions- an den positiven Temperaturkoeffizienten der Kapawiderständen mit niedrigen Temperaturkoeffizienten zität von Beta-Tantal-Kondensatoren benötigt,
des Widerstandes und hoher Stabilität befriedigend Nachstehend ist die Erfindung an Hand der Zeicherfüllt haben, erwiesen sie sich nicht in allen Anwen- 60 nung im einzelnen erläutert; es zeigt
dungsfällen als vollständig befriedigend. So mußte Fig. 1 eine Ansicht, teilweise geschnitten, cinei bei integrierten Schaltungen, in welchen ein TKn- Apparatur zur Herstellung einer Tantaloxinitrid-Wert (Temperaturkoeffizient des elektrischen Wider- schicht durch reaktives Zerstäuben von Tantal, entstandswerts) mit einem negativen Wert von sprechend der Erfindung,

— 200 χ 1(H/⁰ C häufig erforderlich ist, um den 65 Fig. 2 ein Diagramm der Abhängigkeit des Tem-

einen positiven Trend aufweisenden Temperatur- peraturkoeffizicnten des Widerstands (in 10 V⁰C]

koeffizienten der Kapazität von Beta-Tantal-Konden- vom Sauerstollpartialdruck (in Torr) und der Summe

satoren zu kompensieren, der Konstrukteur der der Stickstoff- und Sauerstoffpartialdrücke (in Torr'

3 4

zur Darstellung der Änderung des Temperatur- des Bereichs von 1 bis 11 X 1 CH Torr. Wie gefunden

koeffizienten des Widerstands im Temperaturbereich wurde, existiert ein Optimum bei einem StickstofE-

von 0 bis 100⁰C von Widerständen, die aus bei ver- partialdruck von 5 X ICH Torr und einem Sauer-

schiedenen Sauerstoff- und Stickstoffpartialdrücken stoffpartialdruck von 9 X 10"⁴ Torr oder bei Stickbei einem Gesamtargondruck von 20 Millitorr und S stoff- und Sauerstoffpartialdrücken von 7 χ ΙΟ"⁴

aufgestäubten Tantalschichten, gefolgt von einer Torr, wobei diese Ontiir.albedingungen zu den ge-

nachfolgciiden Anodisation bei 100 V und einer wünschten TemperatuYkoeffizienten des Widerstands

5 Stunden langen thermischen Voralterung in Luft von —200 χ 10"V⁰C führen. Untersuchungen er-

bei 250° C, hergestellt wurden, und gaben, daß das Arbeiten mit Stickstoffpartialdrücken

Fig. 3 ein Diagramm zur Darstellung der pro- io von weniger als 5 X 1CH Torr zu einer Verschlechte-

zentualen Widerstandsänderung mit der Zeit (in rung der Stabilität der resultierenden Schicht führt,

Stunden), wie diese durch beschleunigtes thermisches während Partialdrücke weiter oberhalb von 7 X 10"⁴

Altern ohne Belastung für Widerstände erhalten Torr die Anodisierbarkeit der Widerstandsschicht yer-

wurde, die entsprechend der Erfindung bei verschie- schlechtem. In ähnlicher Weise führt ein Arbeiten denen Sauerstoffpartialirücken und einem Stickstoff- 15 mit Sauerstoffpartialdrücken von weniger als 1 X 10"⁴

partialdruck von 7 χ 10-» Torr aufgestäubt wurden. Torr zu Temperaturkoeffizienten des Widerstands.

Die in F i g. 1 dargestellte Apparatur zum Nieder- die sich denen des Tantalnitrids dicht annähern. Der schlagen von Tantalfilmen durch reaktives Zer- maximale Sauerstoffpartialdruck ist von Erwägungen stäuben weist eine Vakuumkammer 11, in der eine diktiert, die sich auf den in integrierten Dünnschicht-Kathode 12 und eine Anode 13 angeordnet sind. Die 20 schaltungen erforderlichen spezifischen Widerstand Kathode 12 kann aus Tantal aufgebaut sein oder beziehen, und es wurde gefunden, daß Sauerstoffalternativ als Unterlage für das Tantal dienen, das partialdrücke oberhalb 11 X 10~⁴ Torr zu einer später in Form einer abdeckenden Folie od. dgl. auf- Hochwiderstandsschicht führen, die für die hier begebracht wird. " schncbenen Anwendungsfälle nicht geeignet ist. Das

Kathode und Anode liegen an einer elektrischen 25 Ausmaß des bei der Durchführung des beschriebenen

Gleichspannungsquelle 14. Eine Tragplatte 15 dient Prozesses benutzten Vakuums hängt von mehreren

als die Halterung für eine Unterlage 16, auf der die Faktoren ab.

Schicht aufzustäuben ist. Eine Zerstäubungsabschir- Eine Erhöhung des Inertgasdruckes und dadurch mung 17 befindet sich auf der Unterlage 16, um den Verringerung des Vakuums innerhalb der Vakuum-Niederschlag während der Vorzerstäubungsperiode 30 kammer 11 erhöht die Geschwindigkeit, mit der das zu verhindern. Leitungen 18 und 19 sind zum Einfüh- zerstäubt werdende Tantal von der Kathode entfernt ren von Stickstoff und Sauerstoff in das System vor- wird, und demgemäß die Niederschlagsgeschwindig- «esehen. keit. Der maximale Druck ist üblicherweise von den

Der Einfachheit halber wird das erfindungsgemäße Grenzen der Speisespannungsquelle diktiert, da ein<*

Verfahren im einzelnen an Hand eines Ausführungs- 35 Erhöhung des Drucks auch den Stromfluß zwischen

beispiels erläutert, bei welchem die Kathode 12 in der Kathode 13 und Anode 12 erhöht. Eine dies-

der dargestellten Apparatur ganz aus Tantal besteht. bezügliche praktische obere Grenze ist ein Druck von

Bevorzugte Materialien für die Unterlage 16 sind 25 χ 10³ Torr bei einer Zerstäubespannung von

Gläser, glasierte Keramikmaterialien u. dgl. Diese 6600 V. obgleich sie abhängig von der Größe der

Materialien müssen die Anforderungen bezüglich 40 Kathode, der Zerstäubungsgeschwindigkeit usw. vari-

Warmfestigkeit und Wärmeleitfähigkeit, die für bei iert werden kann. Der äußerste Maximaldruck ist

reaktiven Aufstäubeverfahren verwendeten Unter- derjenige, bei welchem die Zerstäubung innerhalb der

lagen wesentlich sind, erfüllen. vorgeschriebenen Toleranzen noch ausreichend kon-

Die Unterlage 16 wird zuerst sorgfältig gereinigt, trolliert werden kann. Aus den obigen Erläuterungen

wobei sich übliche Reinigungsmittel als geeignet er- 45 folgt auch, daß der Minimaldruck von der niedrigsten

wiesen haben. Die Wahl des speziellen Reinigungs- Niederschlagsgeschwindigkeit bestimmt ist, die als

mittels hängt von der Zusammensetzung der Unter- wirtschaftlich angesehen werden kann. Nach Erhalt

lage selbst ab. Handelt es sich beispielsweise um des erforderlichen Drucks wird die Kathode 12

Giasunterlagen, so ist ein Auskochen in Königs- gegenüber der Anode 13 elektrisch negativ gemacht.

wasser oder Wasserstoffperoxid eine bequeme Me- 50 Die zum Erhalt einer Zerstäubung praktisch er-

tnode zur Reinigung der Oberfläche, forderliche Minimalspannung beträgt etwa 2000 V.

Sodann wird die Unterlage 16 auf der Tragplatte liine Erhöhung der Spannung zwischen Anode und

15 angeordnet, ebenso die Abschirmung 17, wie dies Kathode hat die gleiche Wirkung wie die Erhöhung

in Fig. 1 dargestellt ist. Die Tragplatte 15 und die des Drucks, das heißt, daß sowohl Niederschlags-

Abschirmung 17 können aus jedem feuerfesten Mate- 55 geschwindigkeit als auch der Stromfluß zunehmen,

rial hergestellt sein. Demgemäß ist die Maximalspannung von den

Als nächstes wird die Vakuumkammer evakuiert gleichen Faktoren abhängig, die den Maximaldruck

und Stickstoff und Sauerstoff werden unter dynami- bestimmen.

schem Druck zugegeben, wonach dann nach Einstel- Der Abstand zwischen Anode und Kathode ist len des Gleichgewichts Argon zugegeben wird. Für 60 nicht kritisch. Jedoch ist der Minimalabstand derdie Zwecke der vorliegenden Erfindung wurde gefun- jenige, welcher zum Erhalt einer Glimmentladung den, daß die Partialdrücke von Sauerstoff und Stick- erforderlich ist, die ja für die Zerstäubung vorhanden stoff innerhalb gewisser kritischer Bereiche gehalten sein muß. Zahlreiche Dunkelräume in der Glimmwerden müssen, um eine Widerstandsschicht zu er- entladung sind allgemein bekannt, so auch der halten, die die gewünschten Eigenschaften zeigt. 65 Crooke'sche Dunkelraum. Für besten Wirkungsgrad Danach muß der Partialdruck von Stickstoff inner- während der Zerstäubung sollte die Unterlage. 16 gehalb des Bereichs von 5 bis 7 χ 10~⁴ Torr gehalten rade außerhalb des Crookeschen Dunkelraums auf werden und der Partialdruck von Sauerstoff inneriialb der der Anode 13 nächstgelegenen Seite angeordnet

werden. Eine dichtere Anordnung der Unterlage 16 stands mit der Zeit (in Stunden) dargestellt, und das zur Kathode 12 führt zu einem Schichtniederschlag Diagramm zeigt die Änderungen des Widerstands für schlechterer Qualität. Ein weiteres Abrücken der Tantalschichten, die entsprechend der Erfindung bei Unterlage 16 von der Kathode 12 führt zu einem Stickstoffpartialdrücken von 7 χ 10-⁴ Torr und ver-Auftreffen eines kleineren Bruchteils des gesamten 5 schiedenen Sauerstoffpartialdrücken zwischen 1 und zerstäubten Metalls auf der Unterlage, wodurch die 11 X 1 (H Torr aufgestäubt worden sind. Zu VerZeit ansteigt, die zum Erhalt eines Niederschlags gleichszwecken ist auch die entsprechende Kurve für einer gegebenen Dicke notwendig ist. Tantalnitrid (Ta₂N) eingetragen. Die Stabilitätsmes-

Es sei bemerkt, daß die Lage des Crookeschen sungen erfolgten durch beschleunigtes thermisches

Dunkelraums vom Druck abhängig ist; er bewegt sich io Altern ohne Belastung bei 85° C und 150° C. Die

mit zunehmendem Druck dichter zur Kathode. Wenn Untersuchung der gezeigten Daten ergibt, daß prak-

die Unterlage dichter bei der Kathode angeordnet tisch wenig Unterschied bezüglich der Stabilität

wird, neigt sie dazu, als ein Hindernis im Weg der zwischen den hier beschriebenen Schichten und der

die Kathode bombardierenden Gasionen zu wirken. üblichen Tantalnitridschicht vorhanden ist. Tatsäch-

Demgemäß sollte der Druck ausreichend niedrig ge- 15 lieh sieht man, daß einige der hier beschriebenen

halten werden, so daß der Crookesche Dunkelraum Schichten gegenüber Tantalnitrid sogar überlegene

außerhalb desjenigen Punktes gelegen ist, bei wel- Stabilität besitzen.

ehern eine Unterlage eine Abschirmung der Kathode Die Unterlage wird während des reaktiven Zerverursachen würde. stäubungsvorgangs auf Temperaturen im Bereich von

Das Abwägen der verschiedenen Faktoren bezug- 20 100 bis 500° C gehallen. Temperaturen unterhalb

lieh Spannung, Druck und relative Anordnung von 100° C führen zu schlechtem Haftungsvermögen der

Kathode und Unterlage zum Erhalt eines Nieder- Schicht auf der Unterlage infolge eines Ausgasens

Schlags hoher Güte ist in der Zerstäubungstechnik der Unterlage, wohingegen nennenswert oberhalb

allgemein bekannt. 500° C liegende Temperaturen die Stabilität schäd-

Für das spezielle Beispiel wird also durch Ver- 25 lieh beeinflussen.

wendung der richtigen Spannung, des richtigen Nach dem Niederschlagsschritt wird die resultie-Drucks und Abstands der verschiedenen Elemente rende Schicht anodisiert, um den Widerstandswcn innerhalb der Vakuumkammer eine Tantaloxinitrid- auf die gewünschte Höhe einzustellen. Hierbei kann schicht niedergeschlagen, wobei das Zerstäuben über nach bekannten Methoden gearbeitet werden, beieine vorberechnete Zeit hinweg fortgeführt wird, um 3° spielsweise nach der in der USA.-Patentschrift die gewünschte Schichtdicke zu erhalten. Für die 3 148 129 beschriebenen Methode.
Zwecke der vorliegenden Erfindung beträgt die Als nächstes werden die anodisierten Schichten in minimale Dicke der auf die Unterlage niedergeschla- Gegenwart von Luft bei Temperaturen im Bereich genen Schicht etwa 400 Ä. Bezüglich der oberen von 200 bis 300° C über eine Zeitspanne im Bereich Grenze für diese Dicke gilt, daß wenig Vorteil er- 35 von 1 bis 5 Stunden hinweg erhitzt, um die Schichten halten wird, wenn über 2000 Ä Schichtdicke hinaus- zu stabilisieren,
gegangen wird. Nachstehend ist ein Beispiel im einzelnen wieder-

Tn Fig. 2 ist die Abhängigkeit des Temperatur- gegeben.

koeffizienten des Widerstands (in 10-⁶Z⁰C) vom Eine reaktive Zerstäubungsapparatur ähnlich der Reaktionsgasdruck für Tantalbeschichten dargestellt, 40 in F i g. 1 dargestellten wurde zur Herstellung einer die bei einem gesamten Argondruck von annähernd Tantaloxinitrid-Schicht benutzt. Die Kathode bestand 20 Millitorr und sich ändernden Sauerstoff-und Stick- aus einer Tantal-Kreisscheibe einer Dicke von storfpartiaidrücken aufgestäubt wurden. Auf den 2.5 mm und eines Durchmessers von ij,6 cm. Bei Niederschlag folgend, wurden die Schichten auf der tatsächlich benutzten Apparatur war die Anode 100 V anodisiert und 5 Stunden lang an Luft ther- 45 nicht geerdet, die Spannungsdifferenz erhielt man misch vorgealtert. Die Bestimmung des Temperatur- durch Negativmachen der Kathode gegen Erde,
koeffizienten des Widerstands erfolgte durch Messen Ein Mikroskopierglasplättchen der ungefähren Abdes Widerstands bei den Temperaturen, bei welchen messungen von 2,5 χ 7,6 cm² wurde als Unterlage solche Schichten in Vorrichtungsanwendungsfällen benutzt. Das Glasplättchen wurde nach folgender verwendet würden; die Bestimmung erfolgte bei 50 Methode gereinigt. Zuerst wurde es in einem BeTemperaturen zwischen 0 und 100° C. netzungsmittel gewaschen, um grobe Schmutzpartikeln

Die Untersuchung der in F i g. 2 angegebenen und Fett zu entfernen, sodann einige Minuten lang graphischen Daten läßt erkennen, daß ein Bereich in Leitungswasser unter intensivem Umrühren, gevon etwa —100 bis —20OxIO-⁸Z⁰C für den folgt von einer Spülung mit deionisiertem Wasser.
Temperaturkoeffizienten des Widerstands bei Stick- 55 Die Vakuumkammer wurde mit Hilfe einer Vorstoffpartialdrücken von 5 χ ΙΟ-⁴ Torr und 7 X 1(H pumpe und einer Öldiffusionspumpe auf 2 χ 10~⁷ Torr über einen Bereich des Sauerstoffpartialdrucks Torr 1 bis 2 Stunden lang evakuiert. Sodann wurde von 1 bis Il X IiH Torr erhalten werden kann. Man die Unterlage auf etwa 450° C erhitzt. Nach Erreisieht, daß zum Erhalt des gewünschten Temperatur- chen dieser Temperatur wurden Sauerstoff und Stickkoeffizienten des Widerstands von annähernd 60 stoff unter dynamischem Druck in die Kammer

200 X 10-⁸Z⁰C ein Stickstoffpartialdruck von eingeführt. Nach Erhalt des Gleichgewichtes wurde

5XlO"⁴ Torr in Verbindung mit einem Sauerstoff- Argon in die Kammer gegeben, um einen Druck von partialdruck von annähernd 9 χ ΙΟ"⁴ Torr verwendet 20 Millitorr zu erhalten. Während des Zerstäubungswerden kann. Man sieht gleichfalls, daß dieser er- Vorganges wurden die Partialdrücke von Stickstoff wünschte Wert auch einen höheren Stickstoffpartial- 65 und Sauerstoff bei 5 χ ΙΟ-⁴ Torr bzw. bei 9XlO-⁴ druck unter Verwendung eines etwas geringeren Torr gehalten.
Sauerstoffpartialdrucks erhalten werden kann. Die Anode und Kathode hatten einen ungefähren

In F i g- 3 ist die prozentuale Änderung des Wider- gegenseitigen Abstand von 8,2 cm. Die gereinigte Un-

terlage befand sich inzwischen in einer Stellung unmittelbar außerhalb des Crookeschen Dunkelraums. Die Zerstäubung wurde durch Anlegen einer Gleichspannung von 6600 V zwischen Kathode und Anode eingeleitet. Um zu Beginn des Zerstäubens Gleichgewicht zu erhalten, wurde es für nützlich befunden, zunächst eine Abschirmung 15 Minuten lang zu bestäuben, wodurch reproduzierbare Ergebnisse sichergestellt wurden. Das Zerstäuben wurde etwa 10 Minuten lang fortgeführt, was zu einer 1800 A dicken Tantaloxinitrid-Schicht führte. Elektrische Messungen wurden in jeder Behandlungsstufe des Widerstandes gemacht.

Als nächstes wurde die aufgestäubte Schicht bei

100 V anodisiert, und zwar unter Verwendung eines aus einer 0,01 gewichtsprozentigen wäßrigen Zitronensäurelösung bestehenden Elektrolyten. Der analysierte Widerstand wurde dann durch 5 Stunden langes Erhitzen auf 250° C in Luft thermisch vorgealtert, gefolgt von einer zusätzlichen Trimmanodisierung, die 10 °/o der anfänglichen Anodisierung betrug. Die Stabilität wurde durch thermisches Altern bei sowohl 85⁰C als auch bei 150⁰C ohne Belastung

ίο bestimmt. Die resultierende Widerstandsschicht hatte einen Temperaturkoeffizienten des Widerstands von — 200/10-^e/° C, einen spezifischen Widerstand von annähernd 650 Mikroohm cm und eine Stabilität, die mit der von Tantalnitrid vergleichbar ist.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

$09512/240

Claims (4)

1 5 2 Patentansprüche· integrierten Schaltung den v\\ kleinen Bereich de: JÄH-Werts von Tantalnitridfilmen (TaJf) mit Ver

1. Verfahren zum Herstellen eines Tantal- schlechterung des Schaltungsverhaltens hinnchmer oxinitridschichtwiderstandelements sowie auf die oder zusätzliche Schaltungen zur Umgehung diesei nach diesem Verfahren hergestellten Widerstands- 5 Schwierigkeit vorsehen. Schichtwiderstände au: elemente, gekennzeichnet durch die Ge- amorphem Tantal-Tantalpentoxid erfüllen zu einen samtheit der folgenden Schritte: gewissen Grad diese angegebene Aufforderung, dem

a) auf einer Unterlage (16) wird zunächst eine f kann ein 2^A-WeH mir einem negativen Wert ir Dünnschicht aus Tantaloxinitrid durch Zer- ^der Größenordnung von —200 X 10-«/° C erhalter stäuben von Tantal in Gegenwart von Sauer- ^{10 werden}- J^{edoch muß eme} Verschlechterung der Stabistoff, Stickstoff und eines inerten Gases, z. B. ^{lltät und} Reproduzierbarkeit in Kauf genommen wer-Argon, durchgeführt, wobei der Partialdruck ^den' ^{so daß aus diesen} Gründen solche Schichtwidervon Sauerstoff von 1 bis 11 X 10-4 Torr der ^{stande häufi}S ^mcht eingesetzt werden können.
Partialdruck von Stickstoff von 5 bis ^{Es sind bereits zur} Einführung in eine Flamme 7 χ ΙΟ-⁴ Torr reicht und der Gesamtdruck ¹⁵ geeignete elektrische Widerstände bekanntgeworden weniger als 25 X 1(H Torr beträgt; (britische Patentschrift 1113 846), die aus Silicium-

,, ,. . , ,, ^_x.. , ■ . , karbidgranulaten und Siliciumoxinitrid als Bindemittel

b) die niedergeschlagene Dünnschicht wird _bestehe ^& _n. _Derartige widerstände eignen sich offenbar dann anodisiert und danach durch Erhitzen _nicht ^ ΐ^_η8&_{Λΐνί(1βΓ!Λ}Μΐκ1β. Es ist ferner ein in LUu stabilisiert. _{2o Verfahren zur} Herstellung von bei hohen Temperatu-

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- ren verwendbaren Widerständen bekanntgeworden kennzeichnet, daß mit einem Sauerstoffpartial- (deutsche Patentschrift 871 784), durch welches die druck von 9 χ 10"⁴ Torr gearbeitet wird. Stabilisierung von Widerständen durch Erhitzung in

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch Luft vorgeschlagen wird. Die Stabilisierung eines gekennzeichnet, daß mit einem Sauerstoffpartial- 25 Dünnschichtwiderstandselements durch Erhitzen in druck von 5XlO"⁴ Torr gearbeitet wird. Luft wird deshalb nicht mehr als neu angesehen.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein kennzeichnet, daß mit einem Sauerstoff- und Schichtwiderstandselement zu schaffen, dessen Stickstoffpartialdruck von ieweils 7 χ 10* Torr TKn-Weri einen negativen Wert von — 50 bis gearbeitet wird. 3° 500 χ 10"⁶/° C aufweist und dessen spezifischer

Widerstand in einem Bereich von 300 bis 1500 χ 1(H

Ohm χ cm liegt.