DE1939667A1 - Kontinuierliche Messung der Dicke heisser Duennschichten - Google Patents
Kontinuierliche Messung der Dicke heisser DuennschichtenInfo
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Description
Western Electric Company Incorporated . Clark 1-1-1
New York, N, Y. 1G007 U.S.A.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Bestimmen der Dicke einer aufwachsenden transparenten Dünnschicht, während diese
auf eine erhitzte Unterlage, insbesondere eine Halbleiter unter lage,
niedergeschlagen wird.
Beim Aufwachsenlassen von Dünnschichten, insbesondere durch einen Niederschlag aus der Dampfphase, ist die Niederschlagsgeschwindigkeit
schwierig zu reproduzieren. Es ist daher wünschenswert, eine Methode zum Überwachen der Dicke der Schicht zu haben, wenn diese
in situ durch Niederschlagen aus der Dampfphase aufwächst. Es sei
bemerkt, dass der Ausdruck "Niederschlagen aus der Dampfphase"
hier in seinem weitesten Sinne izu verstehen ist und Verfahren, wie
Aufdampfen im Vakuum, pyrolitische Zersetzung, Plasma-Niederschlag
und Zerstäuben, umfasst (jedoch nicht hierauf beschränkt ist).
Selbstverständlich existieren verschiedene bekannte Methoden zum Messen der Filmdicke, nachdem der Film niedergeschlagen und der
Niedersehlagsprozess beendigt worden ist. Siehe beispielsweise Thin
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χ Film Microelectronics, L. Holland (Herausgeber), 1965.
Es sind auch Methoden bekannt (siehe beispielsweise die US-Patentschrift
3 099 579), nach denen die Dicke einer transparenten, auf einer heissen Unterlage aufwachsenden Schicht in situ bestimmt wird
durch Überwachen einer von aussen zugeführten, hieran reflektierten und durchgelassenen elektromagnetischen Strahlung. Diese Methoden
fc haben jedoch den Nachteil, dass die von der heissen Unterlage selbst
emittierte Strahlung diese Bestimmung verfälscht. In ähnlicher Weise
verfälschen, wenn die Schicht beispielsweise im Vakuum aufgedampft wird, die sich am Fenster der Bedampfungskammer ansammelnden
Niederschläge die in situ erfolgende Schichtdickenbestimmung noch weiter. Es ist daher wünschenswert, ein Verfahren zum Bestimmen
der Dicke solcher Dünnschichten während des Aufwachsens derselben in situ haben, das diese Komplikationen vermeidet.
Erfindungsgemäss wird eine kontinuierliche Messung der Dicke einer
auf einer heidsen Unterlage aufwachsenden transparenten, oder zumindest
halbtransparenten, Dünnschicht bewerkstelligt durch Überwachen der Intensität der elektromagnetischen Strahlung in einem
. · gegebenen, vorzugsweise engen Spektralbereich. Diese Strahlung ist
diejenige, welche von der heissen Unterlage emittiert und von der
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ScMeiit durchgelassen wird.
Wie aus der optischen Interferenztheorie bekannt ist, führt die Durchlässigkeit
einer nichtleitenden Dünnschicht» deren Brechungsindex niedriger ist als der der nichtleitenden emittierenden Unterlage»
zti Minima und Maxima annähernd entsprechend folgenden Gleichungen:
η λ * 2t (Minima) (I)
(η+1/2)λ » 2t (Maxima) (2)
Hierin ist η eine ganze Zahl oder Null, ferner λ die Wellenlänge
der überwachten Strahlung, gemessen in der Schicht, und t die Schichtdicke.
Wie vorstehend angegeben, gelten Gleichungen (1) und (2), wenn der Brechungsindex der Schicht kleiner als der der emittierenden
Unterlage ist; andernfalls, d. h., wenn der Brechungsindex der Schicht
grosser als der der emittierenden Unterlage ist, treffen Gleichung (1)
auf Maxima und Gleichung (2) auf Minima zu.
In jedem Fall gelten, wenn entweder die Dünnschicht oder die Unterlage elektrisch leitend ist, die Gleichungen (1) und (2) nicht mehr,
und zwar wegen von Null und ψ verschiedenen Phasenverschiebungen,
die bei der Reflexion und dem Durchlassen der Strahlung an den Grenzflächen auftreten. Aber auch hier treten in jedem Pall Maxima und
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Minima auf, obgleich deren Beziehung zur Schichtdicke im Vergleich
zu Gleichungen (1) und (2) einen zusätzlichen Term enthalten kann,
der diese Phasenverschiebungen repräsentiert. Wenn also die Schicht in der Dicke zunimmt, unterliegt; - gleichgültig ob die Unterlage oder
die Schicht leitend ist - die Intensität der von der heissen Unterlage
emittierten Strahlung einer gegebenen Wellenlänge bei deren Durchfe
gang durch den Film Schwankungen zwischen Maxima und Minima.
Durch Abbrechen des Niederschlagprozesses unmittelbar, nachdem eine vorbestimmte Anzahl (ganze oder bruchteilige Anzahl) solcher
Schwankungen aufgetreten sind, wird dadurch eine vorbestimmte gewünschte
Schichtdicke niedergeschlagen.
Um desweiteren Komplikationen zu vermeiden, die durch Temperaturschwankungen
der Unterlage, ebenso durch sich an den Beobachtungsfenstern der Niederschlagskammer ansammelnden Niederschläge
hervorgerufen werden, ist es vorteilhaft -mit zwei Unterlagen zu arbeiten,
von denen die eine bereits eine Beschichtung aus einem anderen transparenten oder zumindest halbdurchlässigen Material vorausgewählter Dicke trägt. Abgesehen von dieser Beschichtung sind
die beiden Unterlagen ansonsten identisch, jedoch ist dieses nicht . . wesentlich. Das für diese vorgängige Beschichtung verwendete Material
wird wünschenswert von denjenigen Materialien ausgewählt,
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welche dafür bekannt sind, relativ leicht und auf eine vorausgewählte
Dicke reproduzierbar auf der Unterlage aufzuwachsen. Die beiden Unterlagen, von denen die eine die erwähnte vorgängige Beschichtung
trägt, werden dann (zum Erhalt eines thermischen Gleichgewichtes hierzwischen) dicht nebeneinander angeordnet, während der Niederschlagsprozess
der gewünschten Schicht mit der gleichen Geschwindigkeit auf beiden Unterlagen bei der gleichen erhöhten Temperatur
ausgeführt wird. Während dieser Niederschlagsprozess abläuft, wird die von den Unterlagen emittierte und durch die Filme duröhgelassene
elektromagnetische Strahlung entweder periodisch oder kontinuierlich innerhalb eines gegebenen Spektralbereiches, d. h. eines gegebenen
Wellenlängenintervalles, gemessen. Die Differenz zwischen den solcherart überwachten beiden Strahlungsintensitäten der beiden Unterlagen
wird selbst zeitlichen Schwankungen unterliegen. Daher wird eine Schicht der gewünschten Dicke (auf beiden Unterlagen) niedergeschlagen
sein, unmittelbar nachdem eine vorbestimmte (bruchteilige
oder ganzzahlige) Anzahl solcher Schwankungen aufgetreten sein werden. Die Eichung der Anzahl solcher Schwankungen bezüglich der
Schichtdicke kann durch einen Vorversuch oder durch Ausnutzung der Tatsache erfolgen, dass eine jede solche Schwankung einer Dickenzunahme
von einer halben mittleren Wellenlänge der überwachten Strahlung entspricht, wobei jedoch die in der Schicht gemessene
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mittlere Wellenlänge zugrunde zu legen ist. Vorteilhaft wird die
Intensität der von jeder Unterlage emittierten elektromagnetischen
Strahlung durch einen gesonderten Motordetektor überwacht; und deren Ausgangsverhältnis für eine gegebene einfallende Strahlung
wird so eingestellt, dass die Differenz in deren Ausgängen gerade dann gleich Null wird, wenn die gewünschte Filmdicke erreicht ist.
Hierdurch erhält man eine noch genauere Kontrolle über die resultierende Dicke.
Das erfindungsgemässe Verfahren ist in den Ansprüchen gekennzeichnet und nachstehend anhand einiger Ausführungsbeispiele im einzelnen
erläutert.
In der Zeichnung sind
Fig. 1 eine (nicht masstabsgerechte) Darstellung einer
Apparatur zur Durchführung einer ersten Ausführungsform des Verfahrens,
Fig. 2 ein Diagramm des Strahlungsintensitäts verlauf sin
Abhängigkeit von der Schichtdicke, wie dieser bei einer speziellen Ausführungsform des Verfahrens erhalten
wird, und
Fig. 3 eine (nicht maßstabsgerechte) Darstellung einer weiteren
Apparatur zur Durchführung einer zweiten Ausführungsform des Verfahrens. 009809/1108
In Fig. 1 sind Siliziumunterlagen 1 und IA innerhalb einer Nieder-Schlagskammer.
2 angeordnet, die ihrerseits ein gegenüber der zu überwachenden Strahlung von den Unterlagen 1 und IA durchlässiges
oder zumindest teildurchlässiges Fenster 3 besitzt. Linsen 4 und
4A sammeln diese Strahlung von den Unterlagen 1 und IA und fokus sieren
diese auf die Oberflächen von Photodetektoren 5 bzw. 5A, die gegenüber dieser Strahlung gleichfalls empfindlich sind. Nicht dar gestellte
Blenden hindern die Strahlung der Unterlage 1 daran, den
Photodetektor 5A zu erreichen, und umgekehrt die Strahlung der Unterlage IA daran, den Photodetektor 5 zu erreichen. Die Ausgänge
6 und 6A dieser Photo detektoren liegen an einem Differenzverstärker 7; dessen Ausgang durch allgemein bekannte Mittel überwacht wird.
Die Unterlage IA zeigt eine vorgängige Beschichtung 8 aus Siliziumdioxyd
(SiO0) vorbestimmter Dicke, beispielsweise 810 A. Diese
Beschichtung 8 kann'nach bekannten Methoden, beispielsweise durch
thermisches Aufwachsenlassen in Wasserdampf, erhalten werden. Die vorgeschriebene Dicke kann erreicht werden durch Vorausbestimmung
der Niederschlagsgeschwindigkeit nach bekannten Methoden, z.B. durch Spektrophotometrie im sichtbaren oder ultravioletten Be-.
reich oder durch Strahl-Vielfachinterferometrie. Beide Unterlagen 1
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und IA werden dem gleichen Niederschlagsprozess für ein gewünschtes
transparentes Schichtmaterial, beispielsweise Aluminiumoxyd (A1OO„) in an sich bekannter Weise unterworfen. Das Vorsehen einer
Alumiiüumoxyd-Dünnschicht auf Silizium ist beispielsweise bei der
Herstellung eines bestimmten Feldeffekttransistor-Typus mit isolierter
Poor elektrode (IGPET) brauchbar. Die Unterlagen 1 und IA sind
dicht nebeneinander angeordnet, so dass die Schichten B und DA mit t
der gleichen Geschwindigkeit aufwachsen und die Unterlagen in gegenseitigem thermischem Gleichgewicht sind. Im Regelfall werden die
Unterlagen 1 und IA bei 900 C oder darüber während des Nieder-Schlagsprozesses
gehalten, so dass sie nennenswerte Strahlungeintensität im Spektralbereich von .etwa 6000 K Wellenlänge im Vakuum
abstrahlen. Während der Niederschlag fortschreitet, wachsen die Al O -Schichten 9 und 9A auf den Unterlagen 1 bzw. IA auf, und die
Differenz zwischen den Ausgängen 6 und 6A der Photodetektoren 5 bzw. 5A wird am Differenzverstärker 7 gemessen. Wenn diese
Differenz einen vorgeschriebenen Wert nach einer vorgeschriebenen Schwankungsanzahl erreicht, wird der Niederschlagsprozess abgebrochen.
Zu diesem Zeitpunkt werden die Unterlagen 1 und IA eine Schicht 9 bzw. 9A der gewünschten Dicke haben, wie dieses nachstehend
noch anhand der Fig. 2 im einzelnen erläxitert wird. Vorteilhaft
werden im Hinblick auf optimale Genauigkeit die Verf ahrens-
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parameter so eingestellt, dass die gewünschte Pilrndicke dann erreicht
wird, wenn die Differenz zwischen den Ausgängen 6 und 6A gleich Null ist, wie sich dieses gleichfalls aus der nachstehenden
Erläuterung im einzelnen ergibt.
Für schärfere Ergebnisse werden bekannte Filter 10 und 1OA den
Photodetektoren 5 und 5A vorgeschaltet, Biese Filter sind so aus«
gewählt, da/as sie nur einen schmalen Spektralbereich {halbe Bandbreite
gleich 30 K) der Strahlung durchlassen. Daher nassen die
Photodetektoren die Strahlungsintensität in diesem schmalen Spektralbereich/ welche von den heissen Unterlagen IA und t emittiert
und von den Schichten 8, 9A und 9 durchgelassen wird. ;
In Fig. 2 ist die Kurve 21 eine Eichkurve der bei 6000 R {Wellenlänge
im Vakuum) zentrierten Strahlungsintensität über der Dicke der Al0O0-Schicht 9, die auf die Unterlage 1 bei 925°C niedergeschlagen
wird. Die Kurve 21 erhält man mit Hilfe von Filmdickenmessungen,
auf verschiedene Niederschläge folgend, nach bekannten Methoden, Es sei bemerkt, dass der Abstand längs der Absziöse zwischen dem
ersten Maximum und dem ersten Minimum {d. h. eine halbe ,Schwan*
kungsbreite) 860 K ist. Daher würde eine vollständige Schwankung der Kurve 21 in Fig. 2 einem Al0O0-Niederschlag entsprechen, dessen
Dicke gleich 1720 K ist, d.h. gleich einer halben Wellenlänge im
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Film 9 (aus Al O„ bei 925°C) der Strahlung, deren Wellenlänge im
Vakuum 6000 K beträgt. Folglich sind die Schwankungen oder Bruchteile
derselben in der Kurve 21 ein Mass für die Dicke der Al O„-Schicht
9 auf der Unterlage 1.
Die Kurve 22 in Fig. 2 gibt den Verlauf der Strahlungsintensität, bei
6000 R Wellenlänge im Vakuum zentriert, über der Dicke des ALO-Fdlma
9A wieder, der auf der 810 R dicken StO^-Beechichtung 8
auf der Siliziumunterlage IA aufwächst, Wege» der vorgängigen SiO2-Besohlchtunf
Ö sind die Kuryen 22 und 21 "aupser Bias®", d. h.,
deren Maxima und Minima entsprechen nicht derselben Al3O3-Schichtdicke,
Bs sei daran erinnert, dass wegen des dichten Nebeneinanderliegens
der Unterlagen 1 und IA die Dicken der Schichten 9 und 9A
im wesentlichen einander zu jedem Zeitpunkt während ihres Aufwachsens
gleichen. Die Kurven 21 und 22 schneiden sich, von der Dicke Null ausgehend, das erste Mal im Punkt 23, der einer Al0O0-Schichtdicke
470 R für beide Schichten 9 und 9A entspricht. Sonach
wird für eine gewünschte Dicke der AljQo-Schichte» 9 und 9A gleich
470 R der Niederschlagsprozess abgebrochen, wenn die Differenz in
den Ausgängen 6 und 6A, die vom Differenzverstärker 7 gemessen /
wird, das erste Mal gleich Null wird. Da Nullwerte leichter als andere
Werte festaustellen sind, ist es vorzuziehen, die Dicken der
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Filme 9 und 9A durch solche Nullwertbestimmungen zu messen.
Das Ausmass, um welches die Kurven 21 und 22 "ausser Phase" sind,
hängt, unter anderem, von der ursprünglichen Dicke der vorgängigen SiO^-Beschichtung 8 auf der Unterlage IA ab. Wenn daher die Dicke
dieser ursprünglichen SiO_-Beschichtung 8 von den im Vorstehenden
angenommenen 810 A verschieden gewählt wird, so kann das Auftreten
der ersten Nullstelle, d. h. des Überkreuzungspunktes 23 der Kurven 21 und 22 in eine Stellung verlegt werden, die einer von den
obigen 470 A abweichenden Dicke der A1_O„-Schichten 9 und 9A entspricht.
In ähnlicher Weise kann durch Abwarten, bis die zweite und spätere Über kr euzungs stelle (die in Fig. 2 nicht dargestellt ist
und bei 1410 A Al0O0-Schichtdicke auftritt) einen zweiten Nullwert
im Ausgang des Differenzverstärkers 7 erzeugt, eine Dicke für die A1_O„-Schichten 9 und 9A von 1410 A erhalten werden.
Der Schnittpunkt 23 kann auch als einem von den obigen 470 A verschiedenen
Dickenwert der Filme 9 und 9A entsprechend gemacht werden durch Ändern des Verhältnisses der Blendenaperturen der
Photodetektoren 5 und SA oder durch Andern des Verhältnisses
deren Ausgänge 6 und 6A für eine gegebene einfallende Strahlungsintensität,
wie dieses bekannt ist. Diese Einstellungen der Photo -
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detektoren haben die Wirkung einer vertikalen Verschiebung der Kurven 21 und 22 gegeneinander, wodurch sich die Abszisse des
. - Schnittpunktes 23 wie gewünscht ändert.
In Fig. 3 sind eine Mehrzahl weitgehend identischer sauberer SiIi- ,
fc ziumunterlagescheiben 3Ia1 b, c ... innerhalb einer Quarzglocke 30
auf einem Träger 32 angeordnet. Zu Definitionszwecken sei die Unterlage 31a als "Kontroll"-Unterlage bezeichnet. Die Silizium-Unterlagescheibe
3IA hat eine vorgängige Siliziumdioxyd-Beschichtung vorgeschriebener Dicke, beispielsweise wie im Beispiel I 810 A dick.
Der Träger 32 wird zusammen mit den hierauf befindlichen Unterlagen mit Hilfe einer Hochfrequenzheizspule 33 aufgeheizt. Der
Träger 32, der auf einer Welle 34 montiert ist, wird über einen Antriebsgurt
35A von einem Motor 36 in Drehung versetzt. Eine Drehdichtung
36 befindet sich längs des Umfange eines Basisgliedes 37, um die Glocke 30 abzudichten.
Über den Gaseinlass 36 wird ein das niederzuschlagende Aluminiumoxyd
enthaltender Dampf in die Glocke 30 eingeführt. Wenn die Welle . 34 den Träger 32 antreibt, stellt ein Sekundärelektronenvervielfacher
38 die von derjenigen Unterlage auf dem Träger 32 emittierte elektro«
•. . . . 009809/1108
magnetische Strahlung fest, welche gerade auf den Sekundärelektronenvervielfacher
38 gerichtet ist. Ein an der Welle 34 vorgesehener Hocken 39 betätigt je einen der Mikroschalter 41 oder 42 einmal
pro Umdrehung der Welle. Im einzelnen wird der Mikroschalter 4I1
wenn die vorgängig beschichtete Unterlage 3IA gerade auf den Sekundärelektronenvervielfacher
38 gerichtet ist, kurzzeitig geschlossen^ ansonsten ist dieser Schalter offen. In ähnlidher Weise sehliesst der
Nocken 3 9, wenn die "Kontroll"-Unterlage 31a gerade auf den Sekundärelektronenvervielfacher
38 gerichtet ist, den Mikroschalter 42 kurzzeitig. Die Unterlagen 3IA und 31a sind also auf den Träger 32
gegenüber dem Nocken 39 in vorbestimmten Stellungen angeordnet, um diese Schliessungen der Mikroschalter 41 und 42 zu bewerkstelligen,
an welche ihrerseits der Ausgang des Sekundärelektronenvervielfachers 38 elektrisch angeschlossen ist.
Die Mikroschalter 41 und 42 sind mit 'Verstärkern 51 bzw. 52 elektrisch
verbunden. Jeder dieser Verstärker ist eine Kathodenfolger-Anordnung mit negativer Spannungsrückkopplung, um während, des
Betriebs eine Eingangsimpedanz zu haben, welche viel gr.össer als die Impedanz des Sekundärelektronenvervielfachers 38 ist. Kondensatoren
Cl und C2 sind an die Verstärker 51 bzw. 52 angeschlossen, um eine Zeitkonstante zu haben, die im Vergleich zur Umdrehungs-
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periode des Trägers 32 gross ist. Die Eingangsspannungssignale
e und e zu den Verstärkern 51 bzw. 52 werden vom Sekundärelektronenvervielfacher
38, ansprechend auf die von den Unterlagen 3IA und 31a, geliefert. Die Ausgangssignale der Verstärker 51 und
52 sind daher konstante Signale für eine Umdrehung des Trägers 32 und können sich nur schrittweise ändern, und zwar ansprechend auf .
das neue, vom Sekundärelektronenvervielfacher bei jeder neuen Um-P
drehung (während des Schliessens der Mikroschalter 41 und 42) gelieferte
Signal entsprechend der Strahlung von der Unterlage 31A oder 31a. Die Ausgangssignale der Verstärker 51 und 52 werden an
einen Differenzverstärker 53 über Widerstände R. und R_ geliefert.
Ein Gegenkopplungswiderstand R„ ist zweckmässig zur Begrenzung
der Verstärkung des Verstärkers 53 auf einen erwünschten Bereich für die Übertragung zum Detektor 54 vorgesehen. Der Widerstand
R stabilisiert, falls erforderlich, den Verstärker 53.
S _
Der Widerstand R1 ist einstellbar, um die relative Empfindlichkeit
des Differenzverstärkers 53 gegenüber den beiden Signalen der Verstärker 51 und 52 zu steuern, so dass Ungleichmässigkeiten, wie
ungleiche Verstärkung in den Verstärkern 51 und 52, korrigiert werden können. Daher liefert der Detektor 54 im Effekt die Differenz
zwischen der Strahlung, die von den Unterlagen 3.1A und 31a
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in der Glocke 30 emittiert und von den hierauf aufwächsenden Filmen
entsprechend dem fortschreitenden Nieder schlagsprozess modifiziert wird. Diese Differenz unterliegt schwingungsähnlichen Schwankungen,
wenn die Filme während des Niederschlagsprozesses auf den Unterlagen
aufwachsen. Wenn diese Differenz einen vorbestimmten Wert«
vorzugsweise NuIl4 nach einer vorbestimmten Anzahl von Schwankungen
erreicht, wird der Nieder schlagsprozess unmittelbar abgebrochen. Zu diesem Zeitpunkt werden die Unterlagen 3Ia1 b, c ...
sämtlich eine Aluminiumoxydschicht der vorbestimmten, gewünschten Dicke haben, wie sich dieses aus den Ausführungen oben zu Beispiel
I ergibt.
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Claims (8)
- Pa tenta nsprücheVerfahren zum Kontrollieren der Dicke einer auf einer durch Niederschlagen aus der Dampfphase auf einer Unterlage aufwachsenden Schicht, durchNiederschlagen einer Schicht aus der Dampfphase auf zumindest ψ eine erhitzte Unterlage in einer Vakuumkammer,Überwachen der von der Unterlage emittierten und durch die aufgewachsene Schicht durchgehende elektromagnetische Strahlung und Unterbrechen des Niederschlages, wenn die elektromagnetische Strahlung einen Wert erreicht, der einer gewünschten Schichtdickeentspricht,dadurch gekennzeichnet,dass vor dem Niederschlagen der Schicht eine zusätzliche Unterlage, die eine Beschichtung bekannter Dicke aus einem vom niederzuschlagenden Material verschiedenen Material trägt, in die Vakuumkammer verbracht wird,dass die elektromagnetische Strahlung der auf der einen Unterlage niedergeschlagenen Schicht mit der elektromagnetischen Strahlung einer auf der beschichteten Unterlage niedergeschlagenen Schicht verglichen wird, wobei die Schichten auf den beiden Unterlagen unter weitgehend gleichen Bedingungen niedergeschlagen werden,009809/1108und dass der Niederschlag aus der Dampfphase unterbrochen wird, wenn die Differenz der beiden elektromagnetischen Strahlungen einen vorbestimmten, der gewünschten Dicke der Schicht entsprechenden Wert erreicht.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Niederschlag aus der Dampfphase unterbrochen wird, wenn die Differenz zwischen den beiden elektromagnetischen Strahlungswerten gleich Null ist.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass mit einer Beschichtung gearbeitet wird, die in einem vorbestimmten Spektralbereich der elektromagnetischen Strahlung der beschichteten Unterlage zumindest halbdurchlässig ist.
- 4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass im wesentlichen aus Silizium bestehende Unterlagen verwendet werden.
- 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass für die Beschichtung im wesentlichen Siliziumdioxyd verwendet wird.0098 0 9/1108
- 6. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine im wesentlichen aus Aluminiumoxyd bestehende Schicht niedergeschlagen wird.
- 7. Verfahren nach den Ansprüchen 4, 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Spektralbereich auf etwa 6000 A zentriert wird und dass die Unterlagen auf eine Temperatur in der Grössenordnung von 900 C erhitzt werden.
- 8. Beschichtete Unterlage mit einer hierauf aus der Dampfphase niedergeschlagenen Schicht in gewünschter Dicke, gekennzeichnet durch ihre Herstellung entsprechend dem Verfahren nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche.009809/1108
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