EP0011723B1 - Verfahren und Einrichtung zur interferometrischen Messung von sich ändernden Schichtdicken - Google Patents

Verfahren und Einrichtung zur interferometrischen Messung von sich ändernden Schichtdicken Download PDF

Info

Publication number
EP0011723B1
EP0011723B1 EP79104231A EP79104231A EP0011723B1 EP 0011723 B1 EP0011723 B1 EP 0011723B1 EP 79104231 A EP79104231 A EP 79104231A EP 79104231 A EP79104231 A EP 79104231A EP 0011723 B1 EP0011723 B1 EP 0011723B1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
thickness
layer
wavelength
wavelengths
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
EP79104231A
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
EP0011723A1 (de
Inventor
Charles Arden Gaston
Joseph Pennell Kirk
Chester Alexander Wasik
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of EP0011723A1 publication Critical patent/EP0011723A1/de
Application granted granted Critical
Publication of EP0011723B1 publication Critical patent/EP0011723B1/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0675—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating using interferometry

Definitions

  • the invention relates to a method for interferometric measurement of layer thicknesses according to the preamble of claim 1 and a device for performing the method.
  • Cyclic changes in optical interference have long been used in the prior art to continuously measure the thickness of a transparent layer.
  • it is known to determine or regulate the absolute thickness of a deposited layer for example in the case of cathode sputtering, by counting the number of cycles in the optical interference signal, starting from the layer thickness 0 at the beginning of the precipitation.
  • the same method was used to monitor decreasing layer thicknesses, but in this case the original layer thickness must be known exactly in order to be able to clearly determine the absolute thickness.
  • the original thickness of a layer to be removed is not exactly known for many practical measuring tasks; this case often occurs in the semiconductor industry, for example, where e.g. Quartz layers on a silicon wafer must be etched down to a precisely defined final thickness.
  • the thickness of the quartz layer lies within a certain and known thickness range, but the absolute layer thickness changes from semiconductor wafer to semiconductor wafer depending on the accuracy of the process control in previous manufacturing steps.
  • the absolute thickness of this quartz layer must therefore be known before the etching process is complete; only then is it possible to determine the desired end point of the process and to avoid over-etching.
  • the present invention therefore has the task of specifying a method and a device of the type mentioned at the outset, with which the absolute value of changing thicknesses of transparent layers can be determined in a simple manner without the thickness of the starting layer having to be exactly determined beforehand.
  • the layer whose thickness is to be registered is illuminated with white light.
  • the reflected light modified by optical interference on the dielectric layer is measured by photodetectors at two different wavelengths.
  • the cyclical intensity fluctuations at both wavelengths are compared with one another in order to obtain a clear determination of the absolute layer thickness.
  • This uniqueness is ensured in the proposed method, although the original layer thickness is known only so imprecisely that the uncertainty range would be several intensity cycles in the intensity curve of each individual wavelength.
  • the wavelengths can be selected so that certain selected extreme points of both curves coincide with a layer thickness that is less than the expected minimum initial thickness and that such coincidence does not occur with larger layer thicknesses up to and including the expected maximum.
  • the determination of the absolute layer thickness in this way makes it possible to carry out etching processes up to the desired end point without overetching.
  • the device used for measuring the layer thickness is structurally simple; Illumination with white light also provides a polychromatic optical image of the measured area (e.g. for visual observation). Since only the relative position of the extreme points to both interference curves is important for the measurement, there is no need to measure the intensity, which is difficult to measure, from the intensity reflected on the layer or the substrate.
  • the optical interference in a transparent layer modulates a monochromatic light beam so that its amplitude has a sinusoidal component when the thickness changes continuously.
  • a change in the thickness of ⁇ / 2 n corresponds to a complete cycle of the sinusoidal signal.
  • a single monochromatic light beam therefore requires that the original thickness is known down to ⁇ / 2n.
  • a sinusoidal signal is available that was recorded at a second wavelength, it becomes possible to ensure the uniqueness even with a much greater uncertainty in the determination of the original thickness. For example, if the ⁇ / 2n values for the two wavelengths 0.15 and 0.25 are 11 m, the repetition cycle or the uniqueness range for the common signal is three times as large as for the signal that was recorded only at the longer wavelength.
  • the sample 14 can be, for example, a semiconductor wafer with a quartz layer deposited thereon, which is subjected to an etching process together with a number of such wafers.
  • the optical system described is part of a control system for determining the desired end point of an etching process.
  • the optical system includes a source 20 for white light as well as a lens 22 and an aperture 23, with which light is directed onto a neutral beam splitter 25.
  • the beam splitter 25 preferably comprises a glass plate which has a metal or dielectric layer on one side and thus partially reflects light of all wavelengths.
  • a lens 26 receives light from the beam splitter and focuses it at a selected point on the surface of layer 12. The light is reflected from both the top and bottom surfaces of layer 12 and travels along the light path 28 through lens 26 and through Beam splitter 25.
  • the reflected light is partially reflected on a narrow band filter 31;
  • Another narrow-band filter 32 is attached in the beam path of the light reflected by the filter 31.
  • the filters 31 and 32 consist of glass plates which have been provided on one side with superimposed dielectric layers in order to transmit light of a certain wavelength and to reflect light of all other wavelengths.
  • Filter 31 transmits light of a first specific wavelength
  • filter 32 also light of a second specific wavelength.
  • a photodetector 34 receives the light passing through filter 31
  • a similar photodetector 35 receives the light passing through filter 32.
  • the remaining light which was reflected on both bandpass filters in the beam path 28, reaches the lens 38, where it is focused and enables the test point on layer 12 to be observed visually. With the help of visual observation, the test point can be aligned to a specific location of the semiconductor wafer to be examined.
  • the measuring system also includes a curve recorder 40, which is designed for two input signals and provides a continuous recording of both signals, as shown in FIG. 2.
  • the curve recorder converts the electrical output signal of the photodetector 34 into an essentially sinusoidal representation of the changes in amplitude at the wavelength transmitted by filter 31, which arise due to the corresponding change in thickness of layer 12.
  • the output signal from photodetector 35 appears as a substantially sinusoidal curve, the corresponding amplitude changes in that passed through filter 32. Wavelength reproduces.
  • Each of the selected wavelengths results in a different interference pattern, which is dependent on the wavelength itself and on the refractive index of the quartz for this particular wavelength.
  • the first interference pattern therefore shows maxima and minima that are not in phase with the maxima and minima at the second wavelength. At certain points, however, the extreme points coincide. From Fig. 2 it can be seen, for example, that no coinciding maxima occur within the thickness range shown, but a coinciding minimum, which is represented by line B at 2.42 p thickness, and coincidences of minima with maxima at points A and C (at 2.12 and 2.74 ⁇ ).
  • the initial thickness of layer 12 is in the range 2.2 to 2.7 p, it can be concluded from the observation of the first coincidence between a minimum in the 0.45 l signal and a maximum in the 0.6 ⁇ signal that the absolute value of the layer thickness that was achieved in the etching process is 2.12 f i.
  • the extreme points occurring in one of the two signal curves can then be used to determine the material removed during the etching and to control the achievement of the desired final thickness. This allows the process of removing a quartz layer to be precisely controlled up to a certain level without overetching. This control can be done by an operator or, if desired, automatically.
  • wavelengths chosen in the example are not the only ones that can be used.
  • the nominal value of 1.33 for the ratio was not exactly achieved (since the refractive index of quartz is not the same at these two wavelengths), so that a maximum-minimum coincidence (and not a maximum-maximum coincidence ) gave the best phase reference.
  • a small change in the wavelengths used can cause a large change in the position of coinciding extreme points.
  • one of the wavelengths is preferably chosen to be as small as possible in order to increase the accuracy in determining the final thickness. It is also desirable to choose a frequency ratio which, with a suitable thickness, provides a clearly recognizable, coinciding extreme value, i.e. a ratio that enables an operator to determine the correct coinciding extreme points visually with great certainty.
  • Table 1 shows other suitable wavelength ratios, each ratio being related to an allowable error in determining the location of the extreme points; the table also shows the corresponding number of cycles in the signal of the shorter wavelength which occur from one coincident maximum to the next. It generally follows from this table that greater uncertainties in the layer thicknesses, which require a greater number of cycles between coinciding points, likewise result in the need to determine the bearings of the extreme points more precisely.
  • the optical devices with which the sinusoidal signals required to uniquely determine the thickness can be generated are diverse.
  • narrow-band filter with an oblique beam incidence conventional beam splitters and narrow-band filters with vertical beam incidence can also be used.
  • the illuminating beam does not need to strike the layer with a vertical angle of incidence.
  • Two different monochromatic beams could also be used, which can have completely independent beam paths towards and away from the layer.
  • a single photodetector could also be used for the alternative scanning of the two wavelengths. Wavelength ratios greater than 2 are possible if invisible wavelengths are used.
  • a coincidence of extreme points that occurs within the original thickness range can be avoided (assuming that the distance between later coincidences is greater than the initial uncertainty) by delaying the start of the search for coincidences accordingly.
  • Wavelength ratios other than those given in Table I can be used if care is taken to ensure that the pattern of the coinciding extreme points permits unambiguous identification of the thickness with the existing accuracy in the determination of the extreme points. It is even possible to use more than two different wavelengths to increase the number of cycles that lie between indistinguishable coincidences of extreme points.
  • the invention can also be used in those manufacturing processes in which no material is removed but additional material is applied and in which the starting thickness of the layer is not exactly known.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur interferometrischen Messung von Schichtdicken nach dem Oberbegriff von Anspruch 1 und eine Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens.
  • Zur Messung der Dicke einer durchsichtigen dünnen Schicht auf optischem Wege sind zahlreiche Verfahren bekannt. Bei allen diesen Verfahren wird die Intensität eines mit der Schicht in Wechselwirkung tretenden Lichtstrahls gemessen, wobei gleichzeitig ein Parameter des Systems kontinuierlich geändert wird (z.B. die Wellenlänge, der Einfallswinkel, die Polarisation usw.). Wenn eine sich ändernde Schichtdicke laufend registriert werden soll, sind diese Verfahren jedoch so langsam oder so teuer, dass sie nicht mehr praktikabel sind. Diese bei den bekannten Verfahren störende Änderung der Schichtdicke kann aber nun selbst als Abtastvariable eingesetzt werden.
  • In der Optik ist es seit langem bekannt, dass Licht einer bestimmten Wellenlänge, das an einer transparenten dünnen Schicht reflektiert wird oder durch diese hindurchgeht, je nach Dicke der Schicht zu einer konstruktiven oder destruktiven Interferenz führt. Wenn also die Dicke einer Schicht kontinuierlich zu- oder abnimmt, ergibt sich aufgrund der Interferenz eine sinusförmige Intensitätsfluktuation im durchgelassenen oder . reflektierten Licht.
  • Zyklische Änderungen der optischen Interferenz werden im Stand der Technik zur laufenden Messung der Dicke einer durchsichtigen Schicht seit langem verwendet. Insbesondere ist es bekannt, die absolute Dicke einer niedergeschlagenen Schicht, beispielsweise bei Kathodenzerstäubung, dadurch zu bestimmen oder zu regeln, dass die Anzahl der Zyklen in optischem Interferenzsignal gezählt wird, ausgehend von der Schichtdicke 0 bei Beginn des Niederschlags. Das gleiche Verfahren wurde zur Überwachung von abnehmenden Schichtdicken angewandt, in diesem Fall muss jedoch die ursprüngliche Schichtdicke genau bekannt sein, um die absolute Dicke eindeutig bestimmen zu können. Ein Beispiel für die Messung der Dicke einer auf einem Substrat niedergeschlagenen Schicht durch Auszählen von Interferenzmaxima ist in der DE-A-2 448 294 beschrieben; da nach der dort gestellten Aufgabe neben der vom Wert Null aus aufgebrachten Schicht sowohl deren Enddicke als auch deren Brechungsindex unbekannt sind, werden die durch Interferenz beeinflussten Intensitätskurven von zwei reflektierten Strahlenbündeln gleicher Wellenlänge aufgenommen, die unter verschiedenen Einfallswinkeln auf die Schicht auftreffen. Aus der Zahl der Interferenzmaxima in beiden Kurven können die beiden unbekannten Grössen Dicke und Brechungsindex ermittelt werden. Eine Anwendung des Verfahrens bei unbekannter Ausgangsdicke ist nicht möglich.
  • Dieses allgemeine Verfahren wurde schon verbessert, indem statt Licht einer Wellenlänge zwei sich geringfügig unterscheidende Wellenlängen verwendet wurden, um die Interferenzmuster zu erzeugen; anschliessend werden dann beispielsweise die Ausgangssignale der beiden Detektoren durch Summen- und Differenzverstärker kombiniert, um die gesuchte Schichtdicke genauer zu bestimmen. Alle diese Systeme unterlagen jedoch der Beschränkung, dass die Schichtdicke nur in bezug auf einen bekannten Referenz- oder Ausgangspunkt bestimmt werden konnte. Die zyklische Variation des Ausgangssignals dieser Systeme liefert keine eindeutige Information über die absolute Schichtdicke, sofern nicht zusätzliche Parameter herangezogen werden.
  • Aus dem Artikel «A simple non-destructive method of measuring the thickness of transparent thin films between 10 and 600 nm» von I. Fränz und W. Langheinrich in Solid-State Electronics 1968 Vol. 11, Seiten 59-64 ist ein Messverfahren für die Dicke dünner Schichten bekannt, bei dem die Intensität des bei zwei verschiedenen Wellenlängen an der Schicht reflektierten Lichtes nach Interferieren gemessen wird, um mit den Messwerten anhand von Eichkurven die zugehörigen Schichtdicken zu bestimmen. Durch die Verwendung zweier Wellenlängen können die sich aus der Eichkurve für eine Wellenlänge ergebenden mehrdeutigen Ergebnisse eindeutig bestimmten Dickenbereichen zugeordnet werden. Dieses Messverfahren lässt sich nicht für eine laufende Überwachung sich ändernder Schichtdicken heranziehen; ausserdem ist es messtechnisch schwierig, absolute Intensitätswerte mit grosser Genauigkeit und ausreichender Reproduzierbarkeit zu erhalten.
  • Bei vielen praktischen Messaufgaben ist die ursprüngliche Dicke einer abzutragenden Schicht nicht genau bekannt; dieser Fall tritt beispielsweise häufig in der Halbleiterindustrie auf, wo z.B. Quarzschichten auf einer Siliciumscheibe bis zu einer genau festgelegten Enddicke abgeätzt werden müssen. Die Dicke der Quarzschicht liegt innerhalb eines bestimmten und bekannten Dikkenbereichs, die absolute Schichtdicke ändert sich jedoch von Halbleiterscheibe zu Halbleiterscheibe in Abhängigkeit von der Genauigkeit der Prozesskontrolle in vorhergehenden Herstellschritten. Die absolute Dicke dieser Quarzschicht muss deshalb vor Abschluss des Ätzprozesses bekannt sein; nur dann ist es möglich, den gewünschten Endpunkt des Prozesses zu bestimmen und ein Überätzen zu vermeiden.
  • Die vorliegende Erfindung stellt sich daher die Aufgabe, ein Verfahren und eine Einrichtung der eingangs genannten Art anzugeben, mit denen auf einfache Weise der Absolutwert sich ändernder Dicken von durchsichtigen Schichten bestimmt werden kann, ohne dass vorher die Dicke der Ausgangsschicht genau bestimmt werden müsste.
  • Diese Aufgabe wird durch die in den Ansprüchen 1 und 6 gekennzeichnete Erfindung gelöst; Ausgestaltungen der Erfindung werden in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
  • In einem Ausführungsbeispiel wird dazu die Schicht, deren Dicke registriert werden soll, mit weissem Licht beleuchtet. Das durch optische Interferenz an der dielektrischen Schicht modifizierte reflektierte Licht wird durch Photodetektoren an zwei voneinander verschiedenen Wellenlängen gemessen. Die zyklischen Intensitätsschwankungen bei beiden Wellenlängen werden miteinander verglichen, um eine eindeutige Bestimmung der absoluten Schichtdicke zu erhalten. Bei dem vorgeschlagenen Verfahren ist diese Eindeutigkeit gewährleistet, obwohl die ursprüngliche Schichtdicke nur so ungenau bekannt ist, dass im Intensitätsverlauf einer jeden einzelnen Wellenlänge der Unsicherheitsbereich mehrere Intensitätszyklen betragen würde. Zur Vereinfachung des Phasenvergleichs der beiden periodischen Intensitätskurven können die Wellenlängen so ausgewählt werden, dass bestimmte ausgesuchte Extrempunkte beider Kurven bei einer Schichtdicke zusammenfallen, die geringer ist als die erwartete minimale Anfangsdicke und dass bei grösseren Schichtdicken bis einschliesslich des erwarteten Maximums ein solches Zusammenfallen nicht erfolgt. Die Bestimmung der absoluten Schichtdicke auf diesem Weg ermöglicht es, Ätzprozesse bis zum gewünschten Endpunkt ohne Überätzen durchzuführen.
  • Die zur Schichtdickenmessung verwendete Einrichtung ist konstruktiv einfach; durch Beleuchtung mit weissem Licht steht gleichzeitig eine polychromatische optische Abbildung des gemessenen Bereichs zur Verfügung (z. B. zur visuellen Beobachtung). Da nur die relative Lage der Extrempunkte zu beiden Interferenzkurven für die Messung von Wichtigkeit ist, entfällt die messtechnisch schwierige absolute Bestimmung der an der Schicht bzw. dem Substrat reflektierten Intensität.
  • Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nun anhand von Zeichnungen näher erläutert.
  • Es zeigen:
    • Fig. 1 eine schematische Darstellung eines optischen Systems zur Beleuchtung einer Oberfläche mit weissem Licht, zur Registrierung der Intensität des an der Oberfläche reflektierten Lichts bei zwei bestimmten, voneinander verschiedenen Wellenlängen und zur Erzeugung eines Abbildes dieser Oberfläche mit allen Wellenlängen, ausser den zur Messung verwendeten.
    • Fig. 2 eine graphische Darstellung des Ausgangssignals des in Fig. 1 beschriebenen optischen Instruments, wenn die untersuchte Oberfläche eine durchsichtige dünne Schicht aufweist, deren Dicke kontinuierlich abnimmt, und wenn die beiden registrierten Wellenlängen so ausgewählt sind, dass sich ein Verhältnis von ungefähr 1,33 zwischen den beiden Zykluslängen ergibt.
  • Bei einigen zur Messung sich ändernder Schichtdicken verwendeten Systemen muss die absolute Schichtdicke bestimmt werden können und nicht nur die Änderung bezüglich eines unbekannten Anfangswerts. Die optische Interferenz in einer durchsichtigen Schicht moduliert einen monochromatischen Lichtstrahl so, dass seine Amplitude eine sinusförmige Komponente aufweist, wenn sich die Dicke kontinuierlich ändert. Eine Änderung der Dicke von λ/2 n (wo λ = Wellenlänge und n = Brechungsindex) entspricht einem vollständigen Zyklus des sinusförmigen Signals. Ein einzelener monochromatischer Lichtstrahl erfordert daher, dass die ursprüngliche Dicke bis auf λ/2n bekannt ist. Bei normalem optischen Material (n = 1,5) und praktisch verwendbaren Wellenlängen (λ < µm) muss die ursprüngliche Schichtdikke also mit einer Toleranz von 0,3 µ bekannt sein, um die Eindeutigkeit der verschiedenen Ordnungen zu gewährleisten.
  • Steht dagegen ein sinusförmiges Signal zur Verfügung, das bei einer zweiten Wellenlänge aufgenommen wurde, wird es möglich, die Eindeutigkeit auch bei einer sehr viel grösseren Unsicherheit in der Bestimmung der Ursprungsdicke zu gewährleisten. Sind beispielsweise die λ/2n-Werte für die beiden Wellenlängen 0,15 und 0,25 11m, so ist der Wiederholungszyklus bzw. der Eindeutigkeitsbereich für das gemeinsame Signal dreimal so gross wie für das Signal, das alleine bei der längeren Wellenlänge aufgenommen wurde.
  • Könnte die Phase des Sinussignals mit mathematischer Genauigkeit bestimmt werden, gäbe es überhaupt keine Grenze für den Bereich, der bei Verwendung zweier verschiedener Wellenlängen eindeutig bestimmt werden könnte. Beträgt beispielsweise das Verhältnis der Zykluslängen der beiden Sinussignale m: m + 1, so ist der gemeinsame Wiederholzyklus m-mal so lang wie der längere Zyklus alleine. Bei der Auslegung eines praktischen Systems muss jedoch die Unsicherheit bei der Bestimmung von Extrempunkten des Signals in Betracht gezogen werden. Unter der Annahme, dass der Extrempunkt eines sinusförmigen Signals innerhalb ± eines Bruchteils F eines Zyklus bestimmt werden kann, erlauben die folgenden Gleichungen den Unsicherheitsbereich in der Bestimmung der Anfangsdicke zu bestimmen, der noch eindeutig aufgelöst werden kann.
    • X, und λ2 seien die beiden Wellenlängen,
    • n, und nz die entsprechenden Brechungsindizes der zu messenden Schicht.
    • Mit
      Figure imgb0001
       sei das Wellenlängenverhältnis innerhalb der Schicht definiert.
  • Dann wiederholt sich das gemeinsame Signal nach m, Zyklen des Signals von Wellenlänge λ1 und nach m2 Zyklen des Signals von 2" (da die Extremwerte innerhalb der Messgenauigkeit wieder zusammenfallen können), wenn m1-m2 R ≤ (R + 1) F.
  • Fig. 1 zeigt ein optisches System 10, mit dem die Dicke einer durchsichtigen Schicht 12 auf einem Halbleiterplättchen 14 gemessen werden kann, das auf einer geeigneten Halterung 16 angebracht ist. Bei der Probe 14 kann es sich beispielsweise um eine Halbleiterscheibe mit einer darauf niedergeschlagenen Quarzschicht handeln, die zusammen mit mehreren solcher Scheiben einem Ätzprozess unterworfen wird. Das im folgenden beschriebene optische System ist Teil eines Steuersystems zur Bestimmung des gewünschten Endpunkts eines Ätzprozesses.
  • Zum optischen System gehört eine Ouelle 20 für weisses Licht sowie ein Linse 22 und eine Blende 23, mit denen Licht auf einen neutralen Strahlteiler 25 gelenkt wird. Der Strahlteiler 25 umfasst vorzugsweise eine Glasplatte, die auf einer Seite eine Metall- oder dielektrische Schicht aufweist und so Licht aller Wellenlängen teilweise reflektiert. Eine Linse 26 empfängt Licht vom Strahlteiler und fokussiert es in einem ausgewählten Punkt auf der Oberfläche der Schicht 12. Das Licht wird sowohl von der oberen als auch der unteren Oberfläche der Schicht 12 reflektiert und läuft längs des Lichtweges 28 durch die Linse 26 und durch den Strahlteiler 25.
  • Das reflektierte Licht wird an einem Schmalbandfilter 31 teilweise reflektiert; im Strahlengang des am Filter 31 reflektierten Lichts ist ein weiteres Schmalbandfilter 32 angebracht. Beispielsweise bestehen die Filter 31 und 32 aus Glasplatten, die auf einer Seite mit aufeinanderliegenden dielektrischen Schichten versehen wurden, um Licht einer bestimmten Wellenlänge durchzulassen und Licht aller anderen Wellenlängen zu reflektieren. Filter 31 lässt Licht einer ersten bestimmten Wellenlänge durch, Filter 32 ebenso Licht einer zweiten bestimmten Wellenlänge. Ein Photodetektor 34 empfängt das durch Filter 31 gelangende Licht, ein ähnlicher Photodetektor 35 das durch Filter 32 gelangende Licht. Das verbleibende Licht, das an beiden Bandfiltern im Strahlengang 28 reflektiert wurde, gelangt zur Linse 38, wo es fokussiert wird und die visuelle Beobachtung des Prüfpunktes auf Schicht 12 ermöglicht. Mit Hilfe der visuellen Beobachtung kann der Prüfpunkt auf eine bestimmte zu untersuchende Stelle der Halbleiterscheibe ausgerichtet werden.
  • Es ist hier hervorzuheben, dass in dem beschriebenen optischen System eine besonders wirksame Anordnung zur Ausfilterung eines oder mehrerer monochromatischer Strahlen aus einem polychromatischen Strahl beschrieben ist und dass dieses Prinzip auch vorteilhaft zur Realisierung der Verfahren verwendet werden kann, die im Stand der Technik beschrieben sind. Im besonderen handelt es sich hier um die Anordnung der Filter 31 und 32, die mit dem einfallenden Strahl einen Winkel bilden, so dass die reflektierten Wellenlängen zu anderen optischen Komponenten abgelenkt werden; die Filter wirken somit als Strahlteiler.
  • Zum Messsystem gehört ausserdem ein Kurvenschreiber 40, der für zwei Eingangssignale ausgelegt ist und eine kontinuierliche Aufzeichnung beider Signale, entsprechend der Darstellung in Fig. 2. liefert. Der Kurvenschreiber setzt das elektrische Ausgangssignal des Photodetektors 34 in eine im wesentlichen sinusförmige Darstellung der Amplitudenänderungen bei der durch Filter 31 durchgelassenen Wellenlänge um, die aufgrund entsprechender Dickenänderung der Schicht 12 entstehen. In derselben Weise erscheint das Ausgangssignal von Photodetektor 35 als im wesentlichen sinusförmige Kurve, die entsprechende Amplitudenänderungen bei der durch Filter 32 durchgelassenen. Wellenlänge wiedergibt.
  • Jede der ausgewählten Wellenlängen ergibt ein verschiedenes Interferenzmuster, das abhängig von der Wellenlänge selbst und vom Brechungsindex des Quarzes für diese bestimmte Wellenlänge ist. Das erste Interferenzmuster zeigt daher Maxima und Minima, die mit den Maxima und Minima bei der zweiten Wellenlänge nicht in Phase sind. An bestimmten Stellen treten jedoch Koinzidenzen der Extrempunkte auf. Aus Fig. 2 ist beispielsweise ersichtlich, dass innerhalb des dargestellten Dickenbereichs keine zusammenfallenden Maxima auftreten, jedoch ein zusammenfallendes Minimum, das durch Linie B bei 2,42 p Dicke dargestellt wird, sowie Koinzidenzen von Minima mit Maxima an den Stellen A und C (bei 2,12 bzw. 2,74 µ). Ist also bekannt, dass die Anfangsdicke der Schicht 12 im Bereich 2,2 bis 2,7 p liegt, so kann aus der Beobachtung der ersten Koinzidenz zwischen einem Minimum im 0,45 li Signal und einem Maximum im 0,6 µ Signal geschlossen werden, dass der absolute Wert der Schichtdicke, der im Ätzprozess erreicht wurde, 2,12 fi beträgt.
  • Danach können die in einer der beiden Signalkurven auftretenden Extrempunkte dazu verwendet werden, das während des Ätzens abgetragene Material zu bestimmen und das Erreichen der gewünschten Enddicke zu steuern. Damit kann der Prozess des Abtragens einer Quarzschicht bis zu einem bestimmten Niveau ohne Überätzen genau kontrolliert werden. Diese Steuerung kann durch einen Operator oder, wenn gewünscht, auch automatisch erfolgen.
  • Es ist klar, dass die im Beispiel ausgewählten Wellenlängen, 0,6 und 0,45 µ, nicht die einzigen sind, die verwendet werden können. Bei der Wahl dieser Wellenlängen wurde sogar der Nominalwert 1,33 für das Verhältnis nicht genau erreicht (da der Brechungsindex von Quarz bei diesen beiden Wellenlängen nicht gleich ist), so dass eine Maximum-Minimum-Koinzidenz (und nicht eine Maximum-Maximum-Koinzidenz) die beste Phasenreferenz ergab. Eine kleine Änderung der verwendeten Wellenlängen kann eine grosse Änderung der Lage zusammenfallender Extrempunkte hervorrufen.
  • Bei der Auswahl von zwei Wellenlängen zur eindeutigen Messung von Schichtdicken wird vorzugsweise eine der Wellenlängen so klein wie möglich gewählt, um die Genauigkeit bei der Bestimmung der Enddicke zu erhöhen. Es ist ausserdem wünschenswert, ein Frequenzverhältnis zu wählen, das bei einer geeigneten Dicke einen eindeutig erkennbaren, koinzidierenden Extremwert liefert, d.h. ein Verhältnis, das es einem Operator ermöglicht, die korrekten koinzidierenden Extrempunkte visuell mit grosser Sicherheit zu bestimmen.
  • Es ist ausserdem natürliche notwendig, ein Verhältnis zu wählen, das zwischen koinzidierenden Extrempunkten einen so grossen Widerholzyklus aufweist, dass der erwartete Bereich von zu messenden Filmdicken keinen koinzidierenden Punkt enthält und damit die tatsächliche Filmdicke nicht maskiert. Der erste koinzidierende Punkt, der bei einem Halbleiterplättchen mit einer Schichtdicke im erwarteten Bereich beobachtet werden kann, sollte auftreten, nachdem die Dicke unter den Minimalwert der erwarteten Anfangsdicken gesunken ist.
  • Unter Beachtung all dieser Faktoren wurde festgestellt, dass ein Wellenlängenverhältnis (R) von 1,33 für einen weiten Bereich praktischer Anwendungen vorteilhaft ist. Dieses Verhältnis führt zu koinzidierenden Maxima, die durch drei Zyklen in einem Signal und vier Zyklen im anderen getrennt sind. Ist der Brechungsindex der Schicht 1,5 und die kleinere Wellenlänge 0,45 µ, so erlaubt dieses Verhältnis eine eindeutige Schichtdickenbestimmung, wenn der Unsicherheitsbereich in den Anfangsschichtdicken bis zu 0,6 µ beträgt; gleichzeitig wird keine «falsche Koinzidenz» angezeigt, wenn die beiden Extrempunkte weniger als 0,28 Zyklen voneinander getrennt sind.
    Figure imgb0002
  • Tabelle 1 zeigt andere geeignete Wellenlängenverhältnisse, wobei jedes Verhälntis zu einem zulässigen Fehler in der Bestimmung der Lage der Extrempunkte in Bezug gesetzt wurde; ausserdem ist in der Tabelle die entsprechende Anzahl von Zyklen im Signal der kürzeren Wellenlänge angegeben, die von einem koinzidierenden Maximum zum nächsten auftreten. Aus dieser Tabelle ergibt sich allgemein, dass grössere Unsicherheiten in den Schichtdicken, die eine grössere Anzahl von Zyklen zwischen koinzidierenden Punkten erfordern, gleichermassen die Notwendigkeit ergeben, die Lager der Extrempunkte genauer zu bestimmen.
  • Die optischen Einrichtungen, mit denen die zur Eindeutigkeit der Dickenbestimmung erforderlichen sinusförmigen Signale erzeugt werden können, sind vielfältig. Statt der Schmalbandfilter mit schiefem Strahleinfall können auch übliche Strahlenteiler und Schmalbandfilter mit senkrechtem Strahleinfall verwendet werden. Der beleuchtende Strahl braucht auf die Schicht nicht mit senkrechtem Einfallswinkel aufzutreffen. Es könnten auch zwei verschiedene monochromatische Strahlen verwendet werden, die zu der Schicht hin und von der Schicht weg vollkommen unabhän-- gige Strahlengänge aufweisen können. Zur alternativen Abtastung der beiden Wellenlängen könnte auch ein einzelner Photodetektor verwendet werden. Wellenlängenverhältnisse grösser 2 sind möglich, wenn nicht-sichtbare Wellenlängen Verwendung finden. Eine Koinzidenz von Extrempunkten, die innerhalb des ursprünglichen Dikkenbereichs auftritt, kann umgangen werden (unter der Annahme, dass der Abstand zwischen späteren Koinzidenzen grösser ist als die anfängliche Unsicherheit), indem der Beginn der Suche nach Koinzidenzen entsprechend verzögert wird. Andere Wellenlängenverhältnisse als in Tabelle I angegeben, können verwendet werden, wenn darauf geachtet wird, dass das Muster der zusammenfallenden Extrempunkte eine eindeutige Identifizierung der Dicke bei der vorhandenen Genauigkeit in der Bestimmung der Extrempunkte zulässt. Es ist sogar möglich, mehr als zwei verschiedene Wellenlängen zu verwenden, um die Anzahl der Zyklen zu erhöhen, die zwischen nicht unterscheidbaren Koinzidenzen von Extrempunkten liegt. Diese Variationen des bevorzugten Ausführungsbeispiels sollen aufzeigen, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die spezielle Realisierungsform beschränkt ist.
  • Die Erfindung kann auch in solchen Herstellprozessen verwendet werden, in denen kein Materialabtrag erfolgt, sondern zusätzliches Material aufgebracht wird und bei denen die Ausgangsdikke der Schicht nicht genau bekannt ist.

Claims (8)

1. Verfahren zur interferometrischen Messung der absoluten Dicke von durchsichtigen dünnen Schichten, deren Dicke sich von einem nicht genau bekannten Anfangswert kontinuierlich ändert, dadurch gekennzeichnet, dass die während der Schichtdickenänderung durch Interferenz entstehenden Intensitätsschwankungen des reflektierten oder durchgelassenen Lichtes bei zwei oder mehr Wellenlängen gemessen werden und dass anhand der Koinzidenz von Extremwerten der bei den einzelnen Wellenlängen erfassten Messsignale die absolute Dicke der Schicht eindeutig bestimmt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Intensitätsschwankungen bei genau zwei Wellenlängen (λ1' λ2) gemessen werden, deren Wellenlängenverhältnis R = λ2 n1 (n" n2 λ1 n2 Brechungsindex bei der jeweiligen Wellenlänge) im Bereich 1 < R <2 liegt.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass als Wellenlängenverhältnis R einer der Werte 2,0, 1,5, 1,33, 1,67, 1,2, 1,75, 1,6, 1,8, 1,43 oder 1,83 gewählt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Wellenlängenverhältnis zu R = 1,33 gewählt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Wellenlängenverhältnis R so gewählt ist, dass bei Anfangsschichtdicken in einem bestimmten Bereich zusammenfallende Extrempunkte erst auftreten, wenn die sich ändernde Schichtdicke den Bereich der Anfangswerte verlassen hat.
6. Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die zu untersuchende Schicht (12) mit senkrecht einfallendem weissem Licht bestrahlt wird und dass im Strahlengang (28) des reflektierten Lichts zwei Schmalbandfilter (31, 32) mit schiefer Strahlinzidenz derart angeordnet sind, dass sie als Strahlteiler wirken und dass hinter den Schmalbandfiltern jeweils Photodetektoren (34 bzw. 35) zur Registrierung des Intensitätsverlaufs an der vom Schmalbandfilter durchgelassenen Wellenlänge angeordnet sind.
7. Einrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass mit dem am zweiten Schmal- - bandfilter (32) reflektierten weissen Licht eine visuelle Beobachtung des Prüfpunkts durchgeführt wird.
8. Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass zur Beobachtung der Interferenzen bei zwei verschiedenen Wellenlängen getrennte monochromatische Lichtwege vorgesehen sind.
EP79104231A 1978-12-04 1979-10-31 Verfahren und Einrichtung zur interferometrischen Messung von sich ändernden Schichtdicken Expired EP0011723B1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/966,415 US4293224A (en) 1978-12-04 1978-12-04 Optical system and technique for unambiguous film thickness monitoring
US966415 1978-12-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP0011723A1 EP0011723A1 (de) 1980-06-11
EP0011723B1 true EP0011723B1 (de) 1983-04-27

Family

ID=25511371

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP79104231A Expired EP0011723B1 (de) 1978-12-04 1979-10-31 Verfahren und Einrichtung zur interferometrischen Messung von sich ändernden Schichtdicken

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4293224A (de)
EP (1) EP0011723B1 (de)
JP (1) JPS5575605A (de)
DE (1) DE2965298D1 (de)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4367044A (en) * 1980-12-31 1983-01-04 International Business Machines Corp. Situ rate and depth monitor for silicon etching
EP0061237B1 (de) * 1981-03-16 1986-04-16 Energy Conversion Devices, Inc. Optisches Verfahren zur Kontrolle der Schichtdicke
IT1155284B (it) * 1982-02-10 1987-01-28 Cselt Centro Studi Lab Telecom Procedimento e apparecchiatura per la misura dell'indice di rifrazione e dello spessore di materiali trasparenti
US4555767A (en) * 1982-05-27 1985-11-26 International Business Machines Corporation Method and apparatus for measuring thickness of epitaxial layer by infrared reflectance
FI823028A0 (fi) * 1982-09-01 1982-09-01 Kalevi Juhani Kalliomaeki Foerfarande foer maetning av korta straeckor med en interferometer som utnyttjar icke-koherent ljus, samt foer utfoerande av foerfarandet avsedd interferometer
JPS59168310A (ja) * 1983-03-02 1984-09-22 エナ−ジ−・コンバ−シヨン・デバイセス・インコ−ポレ−テツド 薄膜の厚みを測定する方法及び装置
JPS617445A (ja) * 1984-06-21 1986-01-14 Toshiba Corp 銅酸化被膜の酸化度判別装置
JPS61212705A (ja) * 1985-03-18 1986-09-20 Fujitsu Ltd 磁気デイスク媒体の膜厚測定方法
DE3600346A1 (de) * 1986-01-08 1987-07-09 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur abbildenden laserinterferometrie und laserinterferometer zur durchfuehrung des verfahrens
US4815856A (en) * 1986-06-05 1989-03-28 Storage Technology Partners Ii Method and apparatus for measuring the absolute thickness of dust defocus layers
US4842410A (en) * 1986-10-24 1989-06-27 Geo-Centers, Inc. Apparatus and method utilizing interference fringes to determine the thermal stability of a liquid
EP0544654B1 (de) * 1988-01-25 1994-12-07 Baxter International Inc. Stumpfkanülenvorrichtung
US4972072A (en) * 1988-10-03 1990-11-20 Tritec Industries, Inc. System for detecting a film layer on an object
US4999014A (en) * 1989-05-04 1991-03-12 Therma-Wave, Inc. Method and apparatus for measuring thickness of thin films
EP0412728A3 (en) * 1989-08-11 1991-04-10 American Telephone And Telegraph Company Interferometric method and apparatus for controlling film thickness
DE4017440C2 (de) * 1990-05-30 1994-02-10 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Messung der Schichtdicke und des Brechungsindex einer dünnen Schicht auf einem Substrat und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US5280340A (en) * 1991-10-23 1994-01-18 Phase Metrics Method and apparatus to calibrate intensity and determine fringe order for interferometric measurement of small spacings
US5457534A (en) * 1991-10-23 1995-10-10 Phase Metrics Method and apparatus to calibrate intensity and determine fringe order for interferometric measurement of small spacings
US5291269A (en) * 1991-12-06 1994-03-01 Hughes Aircraft Company Apparatus and method for performing thin film layer thickness metrology on a thin film layer having shape deformations and local slope variations
JPH0629348U (ja) * 1992-08-31 1994-04-15 株式会社ユアサコーポレーション 薄形電池用充電器
US5673110A (en) * 1993-01-26 1997-09-30 Phase Metrics, Inc. Multiplexed laser interferometer for non-dispersed spectrum detection in a dynamic flying height tester
JP3491337B2 (ja) * 1994-05-13 2004-01-26 株式会社デンソー 半導体厚非接触測定装置
KR960018523A (ko) * 1994-11-16 1996-06-17 배순훈 드럼의 다이아몬드상 카본 코팅두께 측정방법
DE19757706C2 (de) * 1997-12-23 2002-01-24 Jandratek Gmbh Substrat, Vorrichtung und Verfahren zur schnellen Auswertung von Bindungsreaktionen durch interferometrische Schichtdickenmessung
KR100386793B1 (ko) * 1998-04-21 2003-06-09 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 박막의 막두께 계측 방법 및 그 장치 및 이를 이용한 박막디바이스의 제조 방법 및 그 제조 장치
JP3114972B2 (ja) * 1999-03-02 2000-12-04 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ−ション 膜厚検査装置及び膜厚検査方法
WO2000071971A1 (en) 1999-05-24 2000-11-30 Luxtron Corporation Optical techniques for measuring layer thicknesses
US6570662B1 (en) 1999-05-24 2003-05-27 Luxtron Corporation Optical techniques for measuring layer thicknesses and other surface characteristics of objects such as semiconductor wafers
DE19928171B4 (de) * 1999-06-19 2011-01-05 Leybold Optics Gmbh Verfahren zur kontinuierlichen Bestimmung der optischen Schichtdicke von Beschichtungen
US6687008B1 (en) 2000-10-19 2004-02-03 Kla-Tencor Corporation Waveguide based parallel multi-phaseshift interferometry for high speed metrology, optical inspection, and non-contact sensing
JP2002277220A (ja) * 2001-03-19 2002-09-25 Hitachi Ltd 膜厚計測のための計測点決定方法およびそれを用いた薄膜デバイスの製造方法並びに薄膜デバイスの製造装置
DE10328412B4 (de) * 2003-06-19 2005-11-17 Medizinisches Laserzentrum Lübeck GmbH Verfahren zur interferometrischen Bestimmmung optischer Ebenenabstände mit Subnanometer-Genauigkeit
US7286243B2 (en) * 2004-04-19 2007-10-23 Arist Instruments, Inc. Beam profile complex reflectance system and method for thin film and critical dimension measurements
US7088456B2 (en) * 2004-04-24 2006-08-08 Honeywell International Inc. Thin film thickness measurement using multichannel infrared sensor
RU2300077C1 (ru) * 2005-11-10 2007-05-27 Научно Исследовательский Институт Радиоэлектроники и лазерной техники (НИИ РЛ) Московского Государственного Технического Университета им. Н.Э. Баумана Дистанционный способ измерения толщины толстых пленок нефтепродуктов на поверхности воды
JP4939304B2 (ja) * 2007-05-24 2012-05-23 東レエンジニアリング株式会社 透明膜の膜厚測定方法およびその装置
JP5410806B2 (ja) * 2009-03-27 2014-02-05 浜松ホトニクス株式会社 膜厚測定装置及び測定方法
DE112010004023B4 (de) * 2009-10-13 2021-10-28 Hamamatsu Photonics K.K. Filmdickenmessvorrichtung und Filmdickenmessverfahren
DE102017207635B3 (de) * 2017-05-05 2018-10-31 Skz-Kfe Ggmbh Verfahren und Vorrichtung zur Messung einer Schichtdicke eines Objekts
CN107560556A (zh) * 2017-08-17 2018-01-09 中国计量大学 基于l‑m优化算法的白光反射率测量薄膜厚度的方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3737237A (en) * 1971-11-18 1973-06-05 Nasa Monitoring deposition of films
US4047805A (en) * 1973-02-14 1977-09-13 Canon Kabushiki Kaisha Ripple-free dichroic mirrors
DE2448294A1 (de) * 1974-10-10 1976-04-22 Bbc Brown Boveri & Cie Verfahren und vorrichtung zur bestimmung von schichtdicke und brechungsindex von duennen durchsichtigen schichten

Also Published As

Publication number Publication date
JPS639161B2 (de) 1988-02-26
US4293224A (en) 1981-10-06
JPS5575605A (en) 1980-06-07
DE2965298D1 (en) 1983-06-01
EP0011723A1 (de) 1980-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0011723B1 (de) Verfahren und Einrichtung zur interferometrischen Messung von sich ändernden Schichtdicken
DE2851750C2 (de)
DE2853427C2 (de)
DE112010004023B4 (de) Filmdickenmessvorrichtung und Filmdickenmessverfahren
DE3822310C2 (de)
EP0561015A1 (de) Interferometrische Phasenmessung
EP0019088A1 (de) Ellipsometrisches Verfahren und ellipsometrische Vorrichtung zur Untersuchung der physikalischen Eigenschaften der Oberfläche einer Probe
DE112010001378T5 (de) Filmdickenmessgerät und Messverfahren
DE3428593A1 (de) Optisches oberflaechenmessgeraet
DE2414034A1 (de) Verfahren zur messung der dicke mehrerer uebereinanderliegender schichten
DE102008029459A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur berührungslosen Abstandsmessung
DE69631400T2 (de) System für das Messen von Dünnfilmen
EP0075032B1 (de) Verfahren zur interferometrischen Oberflächentopographie
DE3138161A1 (de) Verfahren zur bestimmung von geometrischen parametern der oberflaeche eines objektes und einrichtung zu dessen durchfuehrung
DE2854057A1 (de) Ebenheits-messeinrichtung
DE4403021C2 (de) Luftrefraktometer hoher Genauigkeit
WO2013182567A2 (de) Optisches messsystem mit polarisationskompensation, sowie entsprechendes verfahren
EP1507137B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur polarisationsabhängigen und ortsaufgelösten Untersuchung einer Oberfläche oder einer Schicht
DE3645132C2 (de)
DE3331175C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur interferometrischen Bestimmung der Dicke eines transparenten Gegenstandes
DE2448294A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur bestimmung von schichtdicke und brechungsindex von duennen durchsichtigen schichten
EP0491749A1 (de) Vorrichtung zur absoluten zweidimensionalen positionsmessung.
DE3834948A1 (de) Verfahren zum messen des brechungsindex einer duennschicht
EP0218151B1 (de) Messverfahren und Vorrichtung zur berührungslosen Durchmesserbestimmung dünner Drähte
DE10204943A1 (de) Verfahren zur Bestimmung von Schichtdicken

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

AK Designated contracting states

Designated state(s): DE FR GB

17P Request for examination filed
GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

AK Designated contracting states

Designated state(s): DE FR GB

REF Corresponds to:

Ref document number: 2965298

Country of ref document: DE

Date of ref document: 19830601

ET Fr: translation filed
PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Payment date: 19890930

Year of fee payment: 11

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Payment date: 19900926

Year of fee payment: 12

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Payment date: 19901027

Year of fee payment: 12

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Effective date: 19901031

GBPC Gb: european patent ceased through non-payment of renewal fee
PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Effective date: 19920630

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Effective date: 19920701

REG Reference to a national code

Ref country code: FR

Ref legal event code: ST

PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT