DE2711714A1 - Vakuum-aufdampfvorrichtung - Google Patents
Vakuum-aufdampfvorrichtungInfo
- Publication number
- DE2711714A1 DE2711714A1 DE19772711714 DE2711714A DE2711714A1 DE 2711714 A1 DE2711714 A1 DE 2711714A1 DE 19772711714 DE19772711714 DE 19772711714 DE 2711714 A DE2711714 A DE 2711714A DE 2711714 A1 DE2711714 A1 DE 2711714A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- evaporation
- boats
- substrates
- layer thickness
- steam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/545—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
- C23C14/546—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material using crystal oscillators
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
?7117U
Die Erfindung betrifft eine Vakuum-Aufdampfvorrichtung, mit deren Hilfe Komponenten mit unterschiedlichen
Dampfdrücken beliebig gesteuert werden können, so daß Filme mit gewünschtem Komponentenverhältnis oder Gradienten des
Verhältnisses hergestellt werden können.
Beim Vakuumaufdampfen von Schichten, die aus zwei oder mehr unterschiedlichen Elementen bestanden, wurde bisher
entspannungsaufgedampft (flashing evaporation) oder es wurden Hehrfachaufdampfverfahren benutzt mit einer Vielzahl Schiffchen, die die Abweichungen der Zusammensetzung aufgrund unter-
schiedlicher Dampfdrücke der Elemente verhindern sollten. Beim
Entspannungsaufdampfen wird das Ausgangsmaterial Stück für Stück in ein auf hohe Temperatur geheiztes Schiffchen eingebracht,
worauf die Stückchen innerhalb kurzer Zeit verdampfen. Mit diesem Verfahren weichen die Mengen der einzelnen Bestand
teile vergleichsweise wenig von den vorbestimmten Werten ab.
Nachteil dieses Verfahrens ist jedoch, daß Fehler in dem aufgedampften Film auftreten können, da das Ausgangsmaterial
abrupt geschmolzen und verdampft wird. Darüberhinaus kann das Komponentenverhältnis des aufgedampften Films in Richtung der
Beim gemeinsamen Aufdampfen mit Hilfe einer Vielzahl Schiffchen können die Komponenten des aufgedampften
Films beliebig gewählt werden. Da jedoch die Abstände der einzelnen Schiffchen zu den verschiedenen Punkten des zu
bedampfenden Substrats nicht gleich sind, wird das Komponentenverhältnis an den einzelnen Bereichen der Oberfläche des
aufgedampfen Films ungleichmäßig.
In der US-Patentschrift 3 8oo 194 wird ein dem zyklischen Aufschichten einer großen Zahl dünner Schichten der
7098 38/096 1
27117U
einzelnen Komponenten gleichendes Verfahren vorgeschlagen. Nach diesem Verfahren werden die Dampfströme aus einer Vielzahl
Dampfquellen mit Hilfe eines Fühlers vom Ionisationstyp oder einer Schichtdicken-Uberwachungseinrichtung gemessen und ge
steuert. Ein Film mit gewünschtem Komponentenverhältnis wird
durch ein Drehaufdampf-Verfahren erhalten. Nachteil des Verfahrens ist jedoch, daß der die Aufdampfgeschwindigkeit oder
die Dicke des aufgedampfen Films messende Fühler nicht am
gleichen Ort jangebracht ist, wie das zu bedampfende Substrat,
so daß die tatsächlich auf das Substrat aufgedampfte Substanzmenge und die von dem Fühler erfaßte Dampfmenge nicht stets
exakt übereinstimmen.
Aufgabe der Erfindung ist es, die vorstehend erläuterten Nachteile zu vermeiden und eine Vakuumaufdampfvor-
richtung für MehrqueIlen-Aufdampfung anzugeben, mit deren
Hilfe die Aufdampfmenge und die Aufdampfgeschwindigkeit jedes
der Bestandteile mit Hilfe einer Schichtdicken-Uberwachungseinrichtung erfaßt und das Zusammensetzungsverhältnis in Richtung
der Schichtdicke mit hoher Genauigkeit entsprechend einem ge
wünschten Zusammensetzungsprofil des aufgedampften Films ge
steuert werden kann.
Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 angegebenen Merkmale gelöst.
dicken-Uberwachungseinrlchtung vorgesehen, die an einem Drehtisch, welcher die zu bedampfenden Substrate trägt, angebracht ist.
Die Überwachungseinrichtung mißt aufeinanderfolgend die Dicke dünner Schichten, die der Reihe nach von den einzelnen Abdampfschiffchen aufgebracht werden und führt sie in Form eines
elektrischen Signals einer Steuereinrichtung zu. Die Steuereinrichtung unterteilt und umverteilt die auf diese Weise erhaltene Schichtdicken-Information zeitlich aufeinanderfolgend
7 09838/09G1
27117H
in Schichtdicken-Informationen/ die den von den einzelnen Schiffchen aufgedampften Substanzen zugeordnet sind. Sie ermittelt wenigstens eine der Aufdampfgeschwindigkeiten sowie
die Aufdampfmenge jedes der Schiffchen und steuert die Dampfmengen, die von den einzelnen Schiffchen auf das Substrat auf
treffen, indem sie die ermittelten Werte mit entsprechenden Werten eines vorgegebenen Aufdampfprogramms vergleicht.
In einem erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel ist vorgesehen, daß die auf die Substrate auftreffenden Dampf
mengen der einzelnen Schiffchen in der Weise gesteuert werden,
daß die Steuereinrichtung wenigstens einen der Heizströme der Schiffchen sowie die Größe von öffnungen steuert, die zwischen
Blenden und Schlitzen von Schirmen festgelegt sind, welche zwischen den Schiffchen und den zu bedampfenden Substraten an
geordnet sind.
In einer anderen Ausführungsform der Erfindung sind
den Schiffchen Schichtdicken-Uberwachungseinrichtungen zugeordnet, von denen wenigstens eine überwachungseinrichtung am
Drehtisch zwischen den Schiffchen und den Blenden angebracht
ist und die Verdampfungsmengen der zugeordneten Schiffchen
unmittelbar erfaßt. Die.Signale der Schichtdicken-Überwachungseinrichtungen werden auf die Energiequellen der Schiffchen
zurückgekoppelt und halten die Verdampfungsmengen der Schiffchen konstant. Die auf die zu bedampfenden Substrate auf-
treffenden Dampfmengen werden in der Weise gesteuert, daß die Steuereinrichtung die Größe der Offnungen zwischen den Blenden
und den Schlitzen in den Schirmen zwischen den Schiffchen und den zu bedampfenden Substraten steuert.
Im folgenden soll die Erfindung anhand von Zeichnungeη näher erläutert werden, und zwar zeigt:
Fig. 1a eine Prinzipdarstellung einer erfindungsgemäßen Vorrichtung;
709838/0951
27117H
Fig. 1b eine Draufsicht auf einen in der Vorrichtung nach
Fig. 1a benutzten Drehtisch;
gemäßen Vorrichtung angewandten Unterteilungsverfahrens für die Zeitfolge;
Fig. 3 ein prinzipielles Blockschaltbild einer im Rahmen der Erfindung benutzten Steuereinrichtung; und
Fig. 4 einen Teilschnitt durch die Vorrichtung nach Fig. 1b entlang der Linie IV-IV.
Fig. 1a zeigt eine prinzipielle Darstellung einer erfindungsgemä&en Vorrichtung. Die Vorrichtung weist ein
Unterteil 1 sowie eine glockenförmige Haube 2 auf, die zusammen eine Vakuumkammer bilden. Die Kammer ist über ein Ventil 3
mit einer Vakuumpumpe 4 verbunden. Zu bedampfende Substrate 5 sind auf einem*Drehtisch 6 angeordnet* der über eine drehbare
Helle 7 von einem Antriebsmotor 8 gedreht wird. Bei Drehung des Drehtische 6 werden die darauf angeordneten, zu bedampfenden Substrate 5 über Abdampfschiffchen 9 und 1o hinwegbewegt,
so daß sich die Dämpfe der Schiffchen zyklisch darauf niederschlagen können. Die Dämpfe der Abdampfschiffchen 9 und Io
werden bis auf Teile» die sich in speziellen Richtungen ausbreiten, von Schirmen 11 und 12 zurückgehalten. Auf diese
Heise kann die Verunreinigung der Vakuumkammer 1,2 verhindert
werden. Die Menge der zum Drehtisch 6 gerichteten Dämpfe, die
auf die Substrate 5 pro Zeiteinheit niedergeschlagen werden soll, kann durch Steuern der Öffnungsgröße von Schlitzen 13
und 14 in den Schirmen 11 bzw. 12 sowie durch von außen antreibbare Blenden 15 und 16 gesteuert werden. Zum Messen der
709838/0951
auf die Substrate 5 aufgedampften Mengen ist eine Kristall-Schichtdicken-Überwachungseinrichtung 17 in gleicher Stellung
wie die Substrate 5 auf dem Drehtisch 6 angeordnet. Auf diese Heise kann über eine durch die Welle 7 tretende Leitung die
Dicke der aufgedampften Schicht von außen gemessen werden. Das Signal der Schichtdicken-Uberwachungseinrichtung 17 wird einer
Steuereinrichtung 18 zugeführt. In der Steuereinrichtung 18 wird überprüft,ob ein momentan durchgeführtes Aufdampfprogramm
mit der tatsächlichen Schichtdicken-Information übereinstimmt.
Das Ergebnis der Überprüfung wird in eine Steuerinfirmation
umgewandelt, mit deren Hilfe Energiequellen 19 und 2o der Abdampfschiffchen 9 bzw. 1o sowie Blendenantriebe 21 und 22
gesteuert werden.Auf diese Weise können die von den einzelnen Abdampfschiffchen auf den Substraten 5 aufgedampften Mengen
gesteuert werden. In Fig. 1b ist eine Draufsicht auf den
Drehtisch 6 dargestellt, die den örtlichen Zusammenhang zwischen den zu bedampfenden Substraten 5 und der Schichtdicken-Überwachungseinrichtung 17 zeigt. In der Figur ist mit 3o ein
Vorsprung bezeichnet, der als Markierungspunkt der Drehung
dient.
Fig. 2 zeigt die Dickenänderung des mit Hilfe der Drehaufdampfvorrichtung aufgebrachten Mehrschichtfilms in Abhängigkeit von der Zeit. Es soll angenommen werden, daß von
den Abdampfschiffchen 9 und 1o gleichzeitig die Substanzen A
bzw. B abgedampft werden, wenn sich der Drehtisch 6 mit gleichbleibender Drehzahl dreht. Die Dicke des auf das Substrat 5
aufgebrachten Films ändert sich damit entsprechend Fig. 2. Wenn sich das Substrat 5 über dem Abdampfschiffchen 9 befindet,
so nimmt die Filmdicke durch Aufdampfen der Substanz A zu;
wenn es sich über dem Abdampfschiffchen 1o befindet, so wird
die Filmdicke durch Aufdampfen der Substanz B erhöht. Befindet sich das Substrat 5 über keinem der beiden Abdampfschiffchen, so bleibt die Filmdicke konstant. Werden, wie im vorliegenden Beispiel, zwei Sorten von Abdampfschiffchen benutzt,
709838/0951
27117H
so erhält man durch das zyklische Aufbringen der beiden Schichtsorten einen Mehrschichtfilm der Art A, B, A, B ... .
Die Dicke der von den einzelnen Abdaxupfschif fchen während jeder Drehung des Drehtischs 6 abgeschiedenen Schichten kann
nach Fig. 2 durch Teilen der über die einzige Schichtdicke-Uberwachungseinrichtung 17 erhaltenen, zeitlich aufeinanderfolgenden Filmdicke-Information ermittelt werden. Beispielsweise Können zu den Zeitpunkten t-, t./ t. ... die Meßwerte
TCt1), T(t2)/T(t3) ... ermittelt worden sein. Die einzelnen
T(t2) - T(t-) « A-; dies entspricht der Dicke der
ersten Schicht der Substanz A.
T(t-) - T(t2) B B-; dies entspricht der Dicke der
ersten Schicht der Substanz B.
zweiten Schicht der Substanz A.
T(te) - T(t4) « B2; dies entspricht der Dicke der
zweiten Schicht der Substanz B, und so weiter ... .
die Aufdampfgeschwindigkeit ebenfalls ermittelt werden. A = A1
+ A2 + ... gibt die gesamte Schichtdicke der Substanz A allein
an, während B » B- + B2 + ... die gesamte Schichtdicke der
Substanz B allein angibt. Die Aufdampfgeschwindigkeit der
Substanz A um den Zeitpunkt t- herum ist A-/(t2 - t-), während
B-/(t3 - t-) die Aufdampfgeschwindigkeit der Substanz B um den
Zeitpunkt t2 herum bezeichnet. Der Einfachheit halber wurden
bei den vorstehenden Erläuterungen lediglich zwei Abdampfschiffchen erwähnt. Mit Hilfe der Erfindung läßt sich aber
grundsätzlich auch von einer großen Anzahl Abdampfschiffchen
709838/0951
27117H
- 1ο -
gleichzeitig aufdampfen,wenn die Schiffchen entlang dem Umfang
des Drehtische angeordnet sind. Weiterhin wurde lediglich eine einzige Kristall-Schichtdicken-Überwachungseinrichtung
17 erläutert. Eine weitere Kristall-Schichtdicken-Überwachungseinrichtung
31 kann zwischen den Abdampfschiffchen 9 und 1o und den Blenden 15 und 16 in der Weise am Drehtisch 6
angebracht sein, daß die von den letzteren nicht abgehaltenen Dampfströme ständig überwacht werden. Auf diese Weisekönnen
die von den einzelnen Abdampfschiffchen abgegebenen Dampfmen-Ιο
gen auf ähnliche Weise wie vorstehend beschrieben unabhängig von der Stellung der Blenden überwacht werden. Alternativ
können die Abdampfmengen dadurch konstant gehalten werden,
daß den einzelnen Abdampfschiffchen feststehende Schichtdicken-Überwachungseinrichtungen
32 bzw. 33 zugeordnet sind. Die überwachungseinrichtungen sind in der Vakuumkammer angeordnet
und ermöglichen die Steuerung der Ströme der Abdampfschiffchen bei kontinuierlicher überwachung der Aufdaxipfgeschwindigkeit
unabhängig von der Drehung des Drehtische 6.
3 zeigt zur Erläuterung des Konstruktionsprinzips
ein Beispiel eines Blockdiagramms der Steuereinrichtung Die Schichtdicke wird als Änderung der Schwingfrequenz eines
Quarzoszillators mittels eines Detektors 23 erfaßt. Der Detektor 23 mißt die Schichtdicke auf ein Signal eines Triggergenerators
24 hin, der die Zeitlage der Ermittlung, beispielsweise für den Zeitpunkt t~ einen Anfangszeitpunkt t21 und einen Endzeitpunkt
t,,! synchron zur Drehung des Drehtische 6 bestimmt.
Mit 29 ist ein Detektor für den Markierungspunkt 3o bezeichnet. Die Schichtdicken-Information wird einem Rechner 25 zugeführt,
der die Aufdampfmenge jedes AbdampfSchiffchens berech net.
Die Aufdampfmenge wird mit einem aus einer Programmierstufe 26 zugeführten Programm verglichen und das Ergebnis
wird einer Blendensteuerstufe 27 sowie einer Schiffchenstrom-Steuerstufe 28 zur Steuerung des öffnungswinkels der Blende
bzw. zur Steuerung des Schiffchenstrome zugeführt.
709838/095Ί
Die Erfindung betrifft dem Grunde nach ein Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtfilms. Insbesondere bei der
Herstellung eines dünnen Films, welcher mehrere Elemente mit unterschiedlichen Dampfdrücken bei willkürlichen Komponenten*
Verhältnissen enthält, kann die Erfindung vorteilhaft angewandt werden. Sofern die Komponenten so gleichförmig wie möglich vermischt sein sollen, soll die Dicke jeder Schicht der
einzelnen Komponenten vorzugsweise dünner als 1o nm sein. Ein aufgedampfter Film mit einer großen Anzahl dünner Schich
ten derartiger Dicke kann bei einer Gesarotdicke des Films von
1 ,um und mehr sowohl elektrisch als auch optisch als gleichförmiges Material angesehen werden.
Nachfolgend soll ein Anwendungsbeispiel der erfindungsgemäßen Einrichtung erläutert werden. Hierbei wurde
ein dünner Film aus 9o Atom-% Se und 1o Atom-% As hergestellt. Als Abdampfschiffchen 9 nach Fig. 1a wurde ein mit Se gefülltes
Tantalschiffchen benutzt; als Abdampf schiffchen 1o wurde ein
mit As gefülltes Tantalschiffchen verwendet. Die Vakuumkammer 1«2 wurde auf einen Druck von 1 χ Ιο" Torr evakuiert. Der
Drehtisch 6 wurde mit einer Drehzahl von 1oo U/min, gedreht. Die Schiffchen 9 und 1o wurden mit Strom beaufschlagt und die
Blenden 15 und 16 wurden nachdem die Verdampfung mit im wesentlichen konstanter Geschwindigkeit begonnen hatte, zum Freigeben
der Ablagerung geöffnet. Auf der Grundlage der aus dem Signal
der Schichtdicken-Überwachungseinrichtung abgetrenntem Aufdampfgeschwindigkeits-Information steuerte die Steuereinrichtung 18 den öffnungswinkel der Blenden 15 und 16 derart, daß
das Gewichtsverhältnis des aufgedampften Se zum aufgedampften As einem Atomverhältnis von 9:1 entsprach. Sofern die Auf
dampfmengen nicht Innerhalb des Steuerbereichs der Blenden ge
steuert werden können, werden zusätzlich die Ströme der Abdampf schiffchen gesteuert. Auf diese Weise wurden Schichten
aufgedampft, von denen jede Schicht der einzelnen Elemente •twa 1 nm dick war und die zyklisch aufgebracht wurden, bis ein
709838/095Ί
27117H
Film der gewünschten Dicke vorlag.
Es wurde ein dünner Film mit einer Gesamtdicke von
4 »um hergestellt, bei dem Se, As und Te in Richtung der Filmdicke
ein spezielles Zusammensetzungsprofil hatten. Drei Tantalschiffchen wurden mit Se, As2Se- bzw. Te gefüllt und in
die Aufdarapfvorrichtung eingebracht. An den einzelnen Schiffchen wurden Schichtdicke-Ubsrwachungseinrichtungen angebracht
und es wurden die Schiffchenströme so gesteuert, daß die
einzelnen Komponenten mit vorbestimmten Geschwindigkeiten von den Schiffchen während des Aufdampfbetriebs abgedampft wurden.
Hie in Beispiel 1 wurde der Drehtisch mit einer Drehzahl von 1oo U/min, gedreht und die von den Blenden und den Schlitzen
bestimmten Öffnungsgrößen wurden derart programmgesteuert, daß die von den einzelnen Komponenten aufgedampften Mengen das gewünschte
Zusammensetzungsprofil ergaben. Die von den einzelnen Schiffchen auch tatsächlich aufgedampften Mengen wurden dadurch
ermittelt, daß ein Signal der am Drehtisch befestigten Schichtdicken-Uberwachungseinrichtung
zeitlich aufeinanderfolgend ge~ teilt und in dem Rechner umgerechnet wurde. Die auf diese Weise
erhaltenen Vierte wurden zur Kompensation der öffnungswinkel der Blenden mit einem Programm verglichen. Die Aufdampfmengen
wurden in der Weise gesteuert, daß die Dicke der Einzelschichten jeder Komponente 5 nm oder weniger betrug. Der Aufdampfbetrieb
wurde abgeschlossen, als die Gesamtdicke 4 ,um erreicht
hatte.
Wie die vorstehenden Beispiele zeigen, kann mit Hilfe der Erfindung ein dünner Film auf einer Vielzahl Elemente
mit unterschiedlichen Dampfdrücken bei beliebigen und genau gesteuerten Zusammensetzungsprofilen innerhalb des dünnen
Films hergestellt werden. Wenn die Dicke der Einzelschich-
709838/09 ΓΟ
271 171 A
ten jedes der Abdampfschiffchen, wie vorstehend erläutert wurde,
kleiner als Io mn ist, so kann der auf diese Weise erhaltene
dünne Film einem Film gleichgesetzt werden, der aus einem Material besteht, dessen Komponenten im wesentlichen gleich
förmig vermischt sind. Wenn die Dicke der Einzelschichten
größer als einige 1o mn ist, so entspricht der Aufbau des dünnen Films einem aufgedampften Mehrschichtfilm aus Substanzen mit unterschiedlichen Eigenschaften, wie sie beispielsweise in einem Interferenzfilter gefordert werden. Der durch
ein derartiges Verfahren hergestellte dünne Film ist in Abhängigkeit von den verwendeten Bestandteilenvlelseitig anwandbar, beispielsweise als Aufnahmeelektrode von einer Bildaufnahmeröhre, als Lichtempfänger etwa in einem Festkörperfühler und als optischer Bestandteil etwa in einem Inter-
ferenzfilter. Die erfindungsgemäße Vorrichtung ermöglicht bei guter Reproduzierbarkeit außerordentlich gleichförmige
Filme.
709838/09 5 i
Claims (5)
- PATENTANWÄLTE
SCHIFF ν. FÜNER STREHL SCHÜBEL-HOPF EBBINGHAUSMARIAHILFPLATZ 2*3, MÖNCHEN ΘΟ POSTADRESSE: POSTFACH 95 O1 6O, D-8OOO MÖNCHEN 9527117UHITACHI, LTD. 17, März 1977DA-5427Vakuum-AufdampfvorrichtungPatentansprüche11. Vakuum-Aufdampfvorrichtung, gekennzeichnet durch eine mit einer Vakuumpumpe (4) verbundene Vakuumkammer (1, 2), durch einen in der Vakuumkammer (1, 2Jangeord neten, mittels eines Antriebsmotors (6) drehbaren Drehtisch (6), der zumindest auf einem Teil seines Umfangs zu bedampfende Substrate (5) trägt, durch eine Vielzahl den Substraten (5) gegenüberliegend angeordnete Abdampfschiffchen (9, 1o), durch Heizeinrichtungen (19, 2o, 28) für die Abdarapfschiffchen (9, 1o), durch wenigstens eine an dem Drehtisch (6) angebrachte Schichtdicken-Oberwachungseinrichtung (17), die bei jedem7 09838/0951? 7 1 1 7 Han jedem der Abdampfschiffchen (9, 1o) vorbeigeführten Durchlauf der Substrate (5) von den einzelnen Abdampfschiffchen (9/ 1o) auf ihr aufgedampfte Substanzmengen erfaßt und durch eine Steuereinrichtung (18), die ein Signal der Schichtdicken-Überwachungseinrichtung (17) aufnimmt, in zeitlicher Reihenfolge unterteilt und wenigstens eine der Aufdampfgeschwindigkeiten und die Gesamtdampfmenge jedes der Abdampfschiffchen (9, 1o) ermittelt und die auf die Substrate (5) auftreffende Dampfmenge jeder der Abdampfschiffchen durch Vergleich des ermittelten Werts mit einem durch ein vorgegebenes Aufdampfprogramm vorbestimmten Wert steuert. - 2. Vakuum-Aufdampfvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß zwischen den Abdampfschiffchen (9, 1o) und den Substraten (5) mit Öffnungen, insbesondere Schlitze (13, 14) versehene Schirme (11, 12) sowie Blenden (15, 16) angeordnet sind und daß die Steuereinrichtung (18) zur Steuerung der von den einzelnen Abdampfschiffchen (9, 1o) auf die Substrate (5) aufgedampften Daropfmengen die Größe der durch die Schirme (11, 12) und Blenden (15, 16) bestimmten Öffnungen steuert.
- 3. Auf dampf vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß die Steuereinrichtung (18) zur Steuerung der von jedem der Abdampfschiffchen (9, 1o)•7 09838/005127117Hauf die Substrate (5) aufgedampften Dampfmenge die Heizeinrichtungen (19, 2o, 28) der Abdampfschiffchen (9, 1o) steuert.
- 4. Aufdampfvorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß jedem der Abdampfschiffchen (9, 1o) eine Schichtdicken-Uberwachungseinrichtung (32, 33) zugeordnet ist, die die vom zugeordneten Abdampfschiffchen (9, 1o) abgegebene Dampfmenge unmittelbar erfaßt und daß die Signale der Schichtdickenüberwachungseinrichtungen (32, 33) auf die Heizeinrichtungen (19, 2o, 28) der Abdampfschiffchen (9, 1o) zurück gekoppelt sind und die Abdampfmengen der Abdampfschiffchen (9, 1o) konstant halten.
- 5. Aufdampfvorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß wenigstens eine Schichtdicken-Überwachungseinrichtung (31) zwischen den Abdampfschiffchen (9, 1o) und den Blenden (15, 16) derart am Dreh- tisch (6) angebracht ist, daß sie die Abdampfmengen der Abdampfschiffchen (9, 1o) direkt erfaßt und daß die Signale dieser Schichtdicken-Überwachungseinrichtung (31) bzw. Einrichtungen auf die Heizeinrichtungen (19, 2o, 28) der Abdampfschiffchen (9, 1o) zurück gekoppelt sind und dieAbdampfmengen der Abdampfschiffchen (9, 1o) konstant halten.0 9 8 3 8/0901
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2923476A JPS52113379A (en) | 1976-03-19 | 1976-03-19 | Vacuum evaporation |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2711714A1 true DE2711714A1 (de) | 1977-09-22 |
DE2711714B2 DE2711714B2 (de) | 1980-01-31 |
Family
ID=12270529
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2711714A Ceased DE2711714B2 (de) | 1976-03-19 | 1977-03-17 | Vakuumaufdampfvorrichtung zur Herstellung von Schichten aus mehreren Komponenten |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4121537A (de) |
JP (1) | JPS52113379A (de) |
DE (1) | DE2711714B2 (de) |
FR (1) | FR2344643A1 (de) |
GB (1) | GB1532183A (de) |
NL (1) | NL173542C (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2828651A1 (de) * | 1977-07-01 | 1979-01-18 | Hitachi Ltd | Vakuum-bedampfungseinrichtung |
US4197814A (en) * | 1977-02-12 | 1980-04-15 | Futaba Denshi Kogyo K.K. | Apparatus for forming compound semiconductor thin-films |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3028123A1 (de) * | 1980-07-24 | 1982-02-25 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von schichtkondensatoren |
US4348886A (en) * | 1980-11-19 | 1982-09-14 | Rca Corporation | Monitor for oxygen concentration in aluminum-based films |
US4681773A (en) * | 1981-03-27 | 1987-07-21 | American Telephone And Telegraph Company At&T Bell Laboratories | Apparatus for simultaneous molecular beam deposition on a plurality of substrates |
US4386578A (en) * | 1981-05-26 | 1983-06-07 | The Boeing Company | High velocity metallic mass increment vacuum deposit gun |
JPS58217673A (ja) * | 1982-06-11 | 1983-12-17 | Anelva Corp | 膜厚制御方法 |
US4459823A (en) * | 1983-03-30 | 1984-07-17 | Sperry Corporation | Rotating liquid nitrogen cooled substrate holder |
DE3315666A1 (de) * | 1983-04-29 | 1984-10-31 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur messung des auftrages und abtrages von duennen schichten |
US4842893A (en) * | 1983-12-19 | 1989-06-27 | Spectrum Control, Inc. | High speed process for coating substrates |
US5097800A (en) * | 1983-12-19 | 1992-03-24 | Spectrum Control, Inc. | High speed apparatus for forming capacitors |
US5018048A (en) * | 1983-12-19 | 1991-05-21 | Spectrum Control, Inc. | Miniaturized monolithic multi-layer capacitor and apparatus and method for making |
US5125138A (en) * | 1983-12-19 | 1992-06-30 | Spectrum Control, Inc. | Miniaturized monolithic multi-layer capacitor and apparatus and method for making same |
US5032461A (en) * | 1983-12-19 | 1991-07-16 | Spectrum Control, Inc. | Method of making a multi-layered article |
JPS6261315A (ja) * | 1985-09-11 | 1987-03-18 | Sharp Corp | 分子線エピタキシ−装置 |
US4954371A (en) * | 1986-06-23 | 1990-09-04 | Spectrum Control, Inc. | Flash evaporation of monomer fluids |
US4858556A (en) * | 1986-09-15 | 1989-08-22 | Siebert Jerome F | Method and apparatus for physical vapor deposition of thin films |
US5025664A (en) * | 1989-11-02 | 1991-06-25 | Leybold Inficon, Inc. | Multiple crystal head for deposition thickness monitor |
JP3292925B2 (ja) * | 1991-03-01 | 2002-06-17 | 株式会社昭和真空 | 連続式スパッタ装置に於ける膜厚確認方法 |
SE468372B (sv) * | 1991-04-24 | 1992-12-21 | Stiftelsen Im Inst Foer Mikroe | Foerfarande foer tillverkning av tunnfilmssolceller varvid deponering av skikt paa substrat sker i roterbar (cylindrisk) baeranordning |
US5412180A (en) * | 1993-12-02 | 1995-05-02 | The Regents Of The University Of California | Ultra high vacuum heating and rotating specimen stage |
FR2719900B1 (fr) * | 1994-05-11 | 1996-09-20 | Essilor Int | Procédé et dispositif pour la mesure in situ des contraintes se développant au sein d'une couche mince lors de son dépôt sur un substrat. |
US5948983A (en) * | 1997-07-25 | 1999-09-07 | Leybold Inficon, Inc. | Wall deposition monitoring system |
US6830663B2 (en) * | 1999-01-26 | 2004-12-14 | Symyx Technologies, Inc. | Method for creating radial profiles on a substrate |
US6364956B1 (en) | 1999-01-26 | 2002-04-02 | Symyx Technologies, Inc. | Programmable flux gradient apparatus for co-deposition of materials onto a substrate |
US6090444A (en) * | 1999-02-08 | 2000-07-18 | Saunders & Associates, Inc. | Base plater or vacuum deposition apparatus with individually and selectively controlled work holders and capacitively coupled crystal monitor |
EP1333935A4 (de) * | 2000-10-17 | 2008-04-02 | Nanogram Corp | Herstellung eines überzugs durch reaktive abscheidung |
US7828929B2 (en) * | 2004-12-30 | 2010-11-09 | Research Electro-Optics, Inc. | Methods and devices for monitoring and controlling thin film processing |
EP2113584A1 (de) * | 2008-04-28 | 2009-11-04 | LightLab Sweden AB | Verdampfungssystem |
EP2530182B1 (de) | 2010-01-26 | 2015-03-25 | Canon Anelva Corporation | Filmbildungsverfahren, filmbildende vorrichtung und vorrichtung zur steuerung der filmbildenden vorrichtung |
EP2418545B1 (de) | 2010-08-12 | 2018-10-10 | Applied Materials, Inc. | Maskenhandhabungsmodul |
KR102002849B1 (ko) * | 2012-09-17 | 2019-07-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 장치 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1073293A (en) * | 1963-10-16 | 1967-06-21 | Edwards High Vacuum Int Ltd | Apparatus for controlling vapour deposition in a vacuum |
GB1003378A (en) * | 1964-03-23 | 1965-09-02 | Standard Telephones Cables Ltd | Monitoring the thickness of films being vacuum deposited |
FR2088376B3 (de) * | 1970-05-06 | 1974-03-08 | Metal Lux Spa | |
US3732846A (en) * | 1972-01-07 | 1973-05-15 | Us Army | Crystal plating monitoring system |
JPS5331829B2 (de) * | 1972-04-14 | 1978-09-05 | ||
JPS495834A (de) * | 1972-04-15 | 1974-01-19 | ||
US4059067A (en) * | 1974-10-09 | 1977-11-22 | Balzers Patent-Und Beteiligungs-Aktiengesellschaft | Apparatus for determining the rate of flow of particles in a vacuum deposition device |
US3939798A (en) * | 1974-12-19 | 1976-02-24 | Texas Instruments Incorporated | Optical thin film coater |
US4024291A (en) * | 1975-06-17 | 1977-05-17 | Leybold-Heraeus Gmbh & Co. Kg | Control of vapor deposition |
-
1976
- 1976-03-19 JP JP2923476A patent/JPS52113379A/ja active Granted
-
1977
- 1977-03-16 NL NLAANVRAGE7702869,A patent/NL173542C/xx not_active IP Right Cessation
- 1977-03-17 GB GB11476/77A patent/GB1532183A/en not_active Expired
- 1977-03-17 DE DE2711714A patent/DE2711714B2/de not_active Ceased
- 1977-03-18 FR FR7708132A patent/FR2344643A1/fr active Granted
- 1977-03-21 US US05/779,795 patent/US4121537A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4197814A (en) * | 1977-02-12 | 1980-04-15 | Futaba Denshi Kogyo K.K. | Apparatus for forming compound semiconductor thin-films |
DE2828651A1 (de) * | 1977-07-01 | 1979-01-18 | Hitachi Ltd | Vakuum-bedampfungseinrichtung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4121537A (en) | 1978-10-24 |
NL173542C (nl) | 1984-02-01 |
JPS5527624B2 (de) | 1980-07-22 |
GB1532183A (en) | 1978-11-15 |
FR2344643A1 (fr) | 1977-10-14 |
DE2711714B2 (de) | 1980-01-31 |
JPS52113379A (en) | 1977-09-22 |
NL7702869A (nl) | 1977-09-21 |
NL173542B (nl) | 1983-09-01 |
FR2344643B1 (de) | 1980-11-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2711714A1 (de) | Vakuum-aufdampfvorrichtung | |
DE2828651C2 (de) | Vakuum-Aufdampfeinrichtung | |
DE2847620C2 (de) | Vorrichtung zur Herstellung von elektrischen Bauelementen, insbesondere Schichtkondensatoren | |
DE1472196C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines optischen Kreiskeilfilters | |
DE3815006A1 (de) | Vorrichtung zum herstellen von beschichtungen mit abgestufter zusammensetzung | |
DE1949767C3 (de) | Vorrichtung zum Herstellen gleichmäßig dicker Schichten | |
DE3330092A1 (de) | Verfahren zum einstellen der oertlichen verdampfungsleistung an verdampfern in vakuumaufdampfprozessen | |
EP0062764B1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer metallischen Dünnfilm-Magnetplatte und Anordnung zur Durchführung dieses Verfahrens | |
DE2316083B2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Steuern des Auftragens einer bestimmten ölmenge auf eine sich fortlaufend bewegende Materialbahn | |
CH641498A5 (de) | Verfahren und vorrichtung zur regelung der verdampfungsrate oxidierbarer stoffe beim reaktiven vakuumaufdampfen. | |
DE3306870A1 (de) | Vorrichtung zum herstellen von schichten mit rotationssymmetrischem dickenprofil durch katodenzerstaeubung | |
DE3028123A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von schichtkondensatoren | |
DE4106579A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur vakuumverdampfung | |
DE1665826B2 (de) | Verfahren zur herstellung einer duennen widerstandsschicht auf der basis von sno tief 2-x | |
DE10393678T5 (de) | Verfahren zum Bilden eines Films auf einem Substrat | |
DE3424530A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer orientierungsschicht auf einer ebenen oberflaeche einer platte und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens | |
DE19845268C1 (de) | Verfahren zum Bedampfen bandförmiger Substrate mit einer transparenten Barriereschicht aus Aluminiumoxid | |
AT512949B1 (de) | Verfahren zur Beschichtung mit einem Verdampfungsmaterial | |
DE2636537A1 (de) | Herstellverfahren eines ausricht- films fuer fluessigkristall-anzeigezellen | |
DE102016013317B4 (de) | Verfahren zum Herstellen eines dreidimensionalen Formgegenstands und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
DE3712049A1 (de) | Roentgenbelichtungsgeraet | |
DE3044977C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Magnetbeschichtungen | |
DE3925085C1 (de) | ||
DE3335165A1 (de) | Magnetischer aufzeichnungstraeger | |
DE1295957B (de) | Verfahren zum Herstellen einer duennen elektrisch leitenden Metallschicht geringer Breitenausdehnung durch Aufdampfen im Hochvakuum |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8228 | New agent |
Free format text: STREHL, P., DIPL.-ING. DIPL.-WIRTSCH.-ING. SCHUEBEL-HOPF, U., DIPL.-CHEM. DR.RER.NAT., PAT.-ANW., 8000 MUENCHEN |
|
8235 | Patent refused |