DE1938767B2 - Verfahren zum abgleichen von elektrischenduennschicht-kondensatoren - Google Patents
Verfahren zum abgleichen von elektrischenduennschicht-kondensatorenInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 241001676573 Minium Species 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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Description
Damit ergeben sich die Vorteile, daß die zu be-
30 arbeitenden Substrate nicht in eine Vakuumkammer wie bei den Elektronenstrahlbearbeitungsvorrichtun-
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ab- gen eingebracht werden müssen, daß die den Abgleichen
von elektrischen Dünnschicht-Kondensa- gleichvorgang überwachenden Meßgeräte nicht getoren,
die aus zwei auf einer isolierenden Unterlage stört werden, daß das Dielektrikum unverletzt bleibt,
aufgebrachten und gegeneinander durch eine dünne 35 so aaß kein Kurzschluß zwischen den beiden Kon-Dielektrikumsschicht
isolierten Metallschichten be- densatorbelegungen auftreten kann, und daß der Abstehen,
wobei bis zum Erreichen des gewünschten gleichvorgang durch eine aufgebrachte Schutzschicht
Kapazitätswertes mit Hilfe eines Lasers nur Teile des hindurch erfolgen kann, wobei der Einfluß dieser
oberen Kondensatorbelags entfernt werden. Schutzschicht auf die Meßwerte bereits beim Ab-
Elektrische Dünnschicht-Kondensatoren werden 40 gleichen mit berücksichtigt wird,
z. B. so hergestellt, daß auf ein Glassubstrat zu- Die Intensität der Strahlung kann in einfacher
z. B. so hergestellt, daß auf ein Glassubstrat zu- Die Intensität der Strahlung kann in einfacher
nächst eine wenige 100 bis 1000 A starke Alu- Weise durch Filter geregelt werden.
miniumschicht etwa in Form eines Rechteckes auf- Vorzugsweise wird der Abgleichvorgang messend
miniumschicht etwa in Form eines Rechteckes auf- Vorzugsweise wird der Abgleichvorgang messend
gedampft wird. Darauf wird eine isolierende Di- überwacht und gesteuert.
elektnkumsschicht aus SiO in etwa 1 μπι Stärke auf- 45 Da die zum Messen verwendete Apparatur, z. B.
gebracht und hierauf wieder eine dünne Aluminium- eine Kapazitätsmeßbrücke, durch die zum Abtragen
schicht als zweiter Kondensatorbelag. der oberen Deckschicht erfindungsgemäß ver-
Die Abmessungen der Belagflächen sind wegen wendeten Photonen nicht gestört wird — ganz im
der unvermeidlichen Fertigungstoleranzen so ge- Gegensatz zu den bekannten Abgleichverfahren, die
wählt, daß die Kapazität des Kondensators zunächst 50 mit elektrischen Funken oder energiereichen Elekgrößer
ist als der Sollwert. Das Einstellen dieses tronenstrahlen arbeiten — kann der Abtragvorgang
Sollwertes erfolgt durch Entfernen von aktiver Belag- besonders schnell und genau gesteuert werden.
fläche mit Hilfe eines Lasers. Aus der Zeitschrift Wichtig bei der Durchführung des erfindungs-
fläche mit Hilfe eines Lasers. Aus der Zeitschrift Wichtig bei der Durchführung des erfindungs-
»Proceedings of the IEEE«, Bd. 57 (1969), Heft 2, gemäßen Verfahrens ist neben der Verwendung
Seiten 129 bis 131, ist bekannt, daß es vorteilhaft 55 kurzer Laserimpulse, daß jeder Laserimpuls auf ein
wäre, Teile der oberen Belagfläche zu entfernen, vom vorhergehenden Impuls noch nicht allzusehr
ohne das Dielektrikum zu beschädigen, aber daß dies erhitztes oder gar schon abgetragenes Gebiet der
eigentlich unmöglich wäre. Es wird lediglich die obersten Schicht auftrifft, da ja nur diese oberste
Möglichkeit angedeutet, daß die Aufgabe mit Hilfe Schicht entfernt werden soll. Ist die Vorschubvon
Riesenimpulsen vielleicht gelöst werden könnte. 60 geschwindigkeit nicht so groß, daß die einzelnen
Nachteüig ist bei bisher bekannten Verfahren, daß Brennflecke getrennt liegen, so ergeben sich Kurznicht
nur der oberste Deckbelag, sondern auch die Schlüsse zwischen den einzelnen an sich isolierten
Dielektrikumsschicht und der unterste Belag bis auf Schichten, weil die Brennflecke auf bereits abdie
Substratoberfläche abgetragen werden. Das führt getragene Schichtstellen fallen und dadurch auch
oft zu einer Erhöhung des Verlustfaktors, zu einer 65 die unteren Schichten abgetragen werden.
verringerten Langzeitstabilität, da die Angriffsfläche An Hand der Zeichnung soll das erfindungs-
verringerten Langzeitstabilität, da die Angriffsfläche An Hand der Zeichnung soll das erfindungs-
für schädliche chemische und physikalische Einflüsse gemäße Verfahren erläutert werden.
erhöht wird, und hauptsächlich zu Kurzschlüssen Auf einem Substrat 1 ist ein Dünnschicht-
erhöht wird, und hauptsächlich zu Kurzschlüssen Auf einem Substrat 1 ist ein Dünnschicht-
Kondensator, bestehend aus einem ersten Belag 2 aus z.B. Aluu einer Isolierschicht3 aus SiO
und einem Deckbelag 4 aus Aluminium, aufgebracht
worden, z. B. durch Aufdampfen der einzelnen Schichten im Vakuum.
Das beschichtete Substrat 1 wird dann auf eine Vorschubeinrichtung gelegt (symbolhaft dargestellt
durch einen Doppelpfeil 9).
Das aus einem Riesenimpulslaser 10 austretende Strahlenbündel 5 wird mittels einer Optik 6 in einem
Brennfleck 7 auf der Deckschicht 4 fokussiert, worauf das Metall an dieser Stelle bis zur Verdampfung
erhitzt wird und eine belagfreie Stelle 8 zurückbleibt.
Strahlungsintensität, Impulsdauer, Wellenlänge und Fokussierung sind dabei in Abhängigkeit von
Dicke und Material der Deckschicht 4 so eingestellt, daß die Isolierschicht 3 nicht durchtrennt oder
bleibend verändert wird, daß aber die oberste Schicht einwandfrei abgetragen wird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (3)
1. Verfahren zum Abgleichen von elektrischen Ein geeignetes Abgleichverfahren muß es daher
Dünnschicht-Kondensatoren, die aus zwei auf 5 ermöglichen, von den übereinander aufgebrachten
einer isolierenden Unterlage aufgebrachten und dünnen Schichten nur die oberste Schicht zu entgegeneinander
durch eine dünne Dielektrikums- fernen, ohne die darunterliegenden Schichten zu beschicht
isolierten Metallschichten bestehen, wo- schädigen oder deren Eigenschaften nachteilig zu
bei bis zum Erreichen des gewünschten Kapazi- verändern.
tätswertes mit Hilfe eines Lasers nur Teile des io Ein bekanntes Verfahren besteht darin, einen
oberen Kondensatorbelags entfernt werden, da- energiereichen gebündelten Elektronenstrahl mit
durch gekennzeichnet, daß der fokus- Hilfe eines homogenen Magnetfeldes auf eine Kreissierte
Strahl (5) eines Riesenimpulslasers (10) bahn zu bringen und Kreisdurchmesser und
verwendet wird und daß die Laserimpalse auf Bündelung so zu wählen, daß der Elektronenstrahl
eine von vorhergehenden Impulsen noch nicht 15 nur die zu bearbeitende oberste Schicht streifend
allzusehr erhitzte oder schon abgetragene berührt, ohne in die darunter befindlichen Schichten
Stelle (8) des oberen Kondensatorbelags (4) ge- einzudringen (deutsche Auslegeschrift 1 268 285).
richtet werden. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein
richtet werden. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- Abgleichverfahren für Dünnschicht-Kondensatoren
kennzeichnet, daß die Intensität des Laserstrahls 20 mit Hilfe eines Lasers anzugeben, bei dem Teile nur
durch Filter in Abhängigkeit von Art und Dicke des oberen Kondensatorbelags entfernt werden.
des zu entfernenden Belagmaterials eingestellt Die erfindungsgemäße Lösung der Aufgabe ist da-
wird. durch gekennzeichnet, daß der fokussierte Strahl
3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch eines Riesenimpulslasers verwendet wird und daß
gekennzeichnet, daß der Abgleichvorgang 25 die Laserimpulse auf eine von vorhergehenden Immessend
verfolgt und gesteuert wird. pulsen noch nicht allzusehr erhitzte oder schon abgetragene
Stelle des oberen Kondensatorbelags gerichtet werden.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19691938767 DE1938767B2 (de) | 1969-07-30 | 1969-07-30 | Verfahren zum abgleichen von elektrischenduennschicht-kondensatoren |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19691938767 DE1938767B2 (de) | 1969-07-30 | 1969-07-30 | Verfahren zum abgleichen von elektrischenduennschicht-kondensatoren |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1938767A1 DE1938767A1 (de) | 1971-02-18 |
DE1938767B2 true DE1938767B2 (de) | 1972-11-16 |
Family
ID=5741384
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19691938767 Withdrawn DE1938767B2 (de) | 1969-07-30 | 1969-07-30 | Verfahren zum abgleichen von elektrischenduennschicht-kondensatoren |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1938767B2 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2947702A1 (de) * | 1978-11-30 | 1980-06-04 | Tdk Electronics Co Ltd | Kondensatorabgleichvorrichtung fuer einen quarzoszillator und abgleichkondensator |
DE3124740A1 (de) * | 1980-08-14 | 1982-04-08 | VEB Elektronik Gera, DDR 6500 Gera | Verfahren zum abgleichen der kapazitaet elektrischer kondensatoren |
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FR2598848B1 (fr) * | 1986-05-13 | 1988-07-15 | Europ Composants Electron | Condensateur de precision a ajustement de la capacite nominale |
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US5264983A (en) * | 1991-09-19 | 1993-11-23 | Johanson Dielectrics, Inc. | Monolithic capacitor with variable capacitance |
US6867602B2 (en) | 2002-07-09 | 2005-03-15 | Honeywell International Inc. | Methods and systems for capacitive balancing of relative humidity sensors having integrated signal conditioning |
-
1969
- 1969-07-30 DE DE19691938767 patent/DE1938767B2/de not_active Withdrawn
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Also Published As
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DE1938767A1 (de) | 1971-02-18 |
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