DE2219622C3

DE2219622C3 - Verfahren und Anordnung zum Bestimmen der Dicke einer Schicht dielektrischen Materials während ihres Anwuchses

Info

Publication number: DE2219622C3
Application number: DE2219622A
Authority: DE
Inventors: Jean Evreux Eure Pompel; Yannick Le Rueil Vacon
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1971-05-11
Filing date: 1972-04-21
Publication date: 1979-07-05
Also published as: FR2136999A1; GB1386306A; JPS4744200A; DE2219622A1; US3775277A; DE2219622B2; FR2136999B1; JPS5435101B1

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bestimmen der Dicke einer dünnen Schicht dielektrischen Materials während des Anbringens dieser Schicht durch Kathodenzerstäubung auf Substraten, die sich auf einer Trägerelektrode befinden, in einem Raum, in dem eine Gasentladung aufrechterhalten wird, so daß der Raum wenigstens teilweise mit einem Plasma gefüllt ist.

Es sind verschiedene Verfahren zum Messen der Dicke einer dünnen Schicht während der Bildung dieser Schicht bekannt, wenn diese durch ein anderes Verfahren ais Kathodenzerstäubung, beispielsweise durch Aufdampfen in Vakuum, gebildet v, ird.

Die komplizierte physikalische und chemische Beschaffenheit des zwischen den Elektroden einer Kathodenzerstäubungsanordnung gebildeten Plasmas, insbesondere in der Nähe der Trägerelektrode, wo die dünne Schicht gebildet Wird, und die mit der Entladung einhergehenden Lichterscheinungen erschweren es in hohem Maße, den Anwuchs der Schicht zu beobachten. Diese Beobachtung ist besonders schwierig, wenn die zu bildende Schicht aus dielektrischem Material besteht.

Entsprechend einem bekannten Verfahren wird die Dicke einer dünnen Schicht dielektrischen Materials während ihres Anwuchses mit einer von den Umständen abhängigen, mehr oder weniger großen Genauigkeit durch Techniken bestimmt, die auf Lichtinterferenz beruhen: Ein Lichtbündel mit bekannter Zusammensetzung wird unter einem bestimmten Einfallswinkel auf das Substrat gerichtet, auf dem die Schicht gebildet wird. Das reflektierte Licht gelangt auf einen geeichten

ίο Detektor, der das Licht registriert und der die Maxima und Minima in der Intensität des reflektierten Lichtes anzeigt, die dann entstehen, wenn sich die durch das Substrat und durch die Oberfläche der gebildeten Schicht reflektierten Lichtbündel vereinigen.

|-> Der Nachteil eines derartigen Verfahrens, wenn es bei Kathodenzerstäubung angewendet wird, besteht darin, daß es beinahe unvermeidlich ist, daß der Detektor das fortwährend durch die Gasentladung ausgesandte Licht auffängt und aufzeichnet

Außerdem ändert sich die Intensität dieses Lichts stark mit den Eigenschaften der Gasentladung, während sich die spektraie Zusammensetzung des Lichts auch je nach der Art der im Zerstäubungsraum vorhandenen Gase ändert

Man hat versucht, diese Nachteile zu beseitigen, indem man dem Detektor Filteranordnungen zuordnete, die dai Licht der Meßqiielle von dem durch die Entladung gebildeten Licht trennen sollen; trotz ihres komplizierten Aufbaus sind diese Filteranordnungen jedoch nicht in der Lage, die Nachteile vollständig zu beseitigen.

Diese Nachteile verursachen selbstverständlich Meßfehler hinsichtlich der Schichtdicke, und diese Meßfehler sind um so größer, je komplizierter die Zusammensetzung des Entladungsgases ist

Andererseits kann das Meßverfahren durch Reflexion nur für Schichten mit geringer Dicke angewendet werden, durch welche Schichten hindurch das einfallende Licht bis zur Oberfläche des darunter liegenden Substrats durchdringen kanr..

Die Erfindung bezweckt, ein Verfahren zu schaffen, um mit Hilfe einer einfachen Anordnung die Dicke einer durch Kathodenzerstäubung gebildeten dünnen Schicht dieleketrischen Materials unabhängig von den zur Bildung dieser Schicht erforderlichen Arbeitsumständen fortwährend leicht und genau bestimmen zu können.

Die Erfindung beruht auf der Einsicht, daß zwischen der Unterseite einer dünnen dielektrischen Schicht einerseits, v/elche Unterseite mit einer Trägerelektrode einer Kathodenzerstäubungsanordnung in elektrischem Kontakt steht, und der dem bei der Entladung entstandenen Plasma zugekehrten Oberseite der erwähnten Schicht andererseits ein Potentialunterschied besteht, der bei übrigens gleichbleibenden Umständen von der Dicke der Schicht abhängt.

Das erfindungsgemäße Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß in der Nahe der Trägerelektrode und in einer ungefähr parallel da/u verlaufenden Ebene ein Aufnehmer im Plasma angeordnet ist, der aus einer Isolierplatte besteht, die zwei leitende Gebiete aufweist, von denen das erste der Kathodenzerstäubung ausgesetzt wird, während das zweite davon abgeschirmt Wird₍ Und daß Potentialunterschiede zwischen den beiden erwähnten Gebieten untereinander und zwischen dem ersten Gebiet Und einem Bezugspotential gemessen Werden.

Vorzugsweise bestehen die Isolierplatte und die Substrate aus demselben Material.

Durch die Anordnung des Aufnehmers, wobei eines der beiden leitenden Gebiete der Kathodenzerstäubung ausgesetzt wird, wird dieses Gebiet mit einer dünnen Schicht dielektrischen Materials bedeckt, die der sich auf den Substraten niederschlagenden Schicht entspricht, während das durch den Schirm abgeschirmte Gebiet unbedeckt bleibt.

Das elektrische Potential des mit der Schicht bedeckten Gebiets ändert sich als Funktion der Schichtdicke, während sich das Potential des unbedeckten Gebiets auf einen bestimmten Wert einstellt, der »Schwebepotential« genannt wird.

Die Dicke der dünnen Schicht wird dadurch bestimmt, daß gleichzeitig der Potentialunterschied zwischen den beiden leitenden Gebieten und der Potentialunterschied ι ί zwischen dem mit der Schicht bedeckten Gebiet und einem Bezugspotential gemessen wird, welches Bezugspotential beispielsweise das Potential der Trägerelektrode ist, die sich in der Nähe des Aufnehmers befindet. Die Dicke kann dann mit einer einfachen Formel errechnet werden, wie später anhand der Figuren ucSCliFtcucn WiFu.

Das erfindungsgemäße Meßverfahren ist mithin einfach, und darin besteht der erste Vorteil der Erfindung. 2¹J

Der zweite Vorteil besteht darin, daß mit diesem Verfahren ohne Rücksicht auf die Umstände, in denen die Gasentladung stattfindet, und ohne Rücksicht auf die Art des Gases oder des Gasgemisches im Ze:irstäubungsraum genaue Messungen ausgeführt werden können, jo Außerdem ist die Messung unabhängig von der Intensität und der spektralen Zusammensetzung des Lichts bei der Gasentladung, womit ein deutlicher Fortschritt in bezug auf die bisher üblichen Verfahren erzielt ist. i>

Ein dritter Vorteil des erfindungsgemälJen Verfahrens besteht darin, daß eine sehr einfache Anordnung ausreicht, die leicht herstellbar und preisgün >tig ist.

Entsprechend einer ersten Ausführungsform eines zur Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens erforderlichen . lufnehmers befinden sich die beiden leitenden Gebiete auf derselben Seite der Isolierplatte. Die andere Seite dieser Platte kann direkt auf der Trägerelektrode angeordnet werden.

Entsprechend einer zweiten Ausführungsform der 4> Meßanordnung befindet sich eines der beiden leitenden Gebiete auf einer Seite der Isolierplatte und das zweite auf der anderen Seite. Wenn die Platte in dt:r Nähe der Trägerelektrode und etwa parallel dazu angeordnet wird, ist das der Trägerelektrode zugekehrte leitende w Gebiet gegen den durch die Kathodenzerstäubung verursachten Niederschlag abgeschirmt. Bem einer auf diese An und Weise ausgeführten Anordnung ist es mithin nicht erforderlich, einen gesonderten Schirm anzuwenden, da die Isolierplatte selbst als Schirm dient. r» Demgegenüber ist es nicht mehr möglich, die Platte auf der Trägerelektrode anzuordnen. Es ist eine gesonderte Befestigungsanordnung für die Platte erforderlich.

Die Erfindung wird anhand einiger i«i den Zeichnungen dargestellter Ausführungsbeispiele näher erläutert, eo Es zeigt

Fig. 1 eine Draufsicht auf eine erste Ausführungsform eines Aufnehmers zum Ausführen des erfindungsgemäßen Verfahrens,

F i g. 2 einen auf schcrnailsche Art und Weise dargestellten Längsschnitt durch den in Fig-1 dargestellten Aufnehmer mit einem oberhalb desselben angeordneten Schirm,

Fig.3 eine Darstellung des Aufnehmers entsprechend Fig.2, wobei die wesentlichen elektrischen Kapazitäten dargestellt sind, die bei der Anwendung der Meßanordnung berücksichtigt werden müssen,

Fig.4 eine schematische Darstellung des in Fig.3 wiedergegebenen elektrischen Netzwerks,

Fig.5 eine Draufsicht auf eine zweite Ausführungsform eines Aufnehmers zum Ausführen des erfindungsgemäßen Verfahrens,

Fig.6 einen Längsschnitt durch den in Fig.5 dargestellten Aufnehmer,

F i g. 7 die wesentlichen elektrischen Kapazitäten, die bei der Anwendung der Meßanordnung berücksichtigt werden müssen, welche mit dem in Fig.6 dargestellten Aufnehmer in der Nähe einer Trägerelektrode versehen ist, und

F i g. 8 eine schematische Darstellung des in F i g. 7 wiedergegebenen elektrischen Netzwerks.

Der in F i g. 1 und 2 dargestellte Aufnehmer besteht aus einer Isolierplatte 10, deren Seite I0a mit zwei Gebieten 11 und 12 versehen Λ, die aus einer beispielsweise aufgedampften Schrht aus leitendem Material bestehen und in bezug aufeinander isoliert sind. Über gleichfalls aus leitendem Material bestehende Spuren 13 und 14 kann ein elektrischer Kontala zu den Gebieten 11 und 12 hergestellt werden.

Das Material, aus dem die Platte 10 besteht, ist beispielsweise poliertes Glas, wie es üblicherweise in der Technik der dünnen Schichten angewendet wild. Vorzugsweise besteht die Platte 10 jedoch aus demselben Material wie die Substrate, auf denen durch Kathodenzerstäubung eine Schicht vorgesehen wird. Hierdurch werden Meßfehler verhindert, die u. a. infolge der für verschiedene Materialien verschiedenen Sekundäremissions- Koeffizienten auftreten können.

Die Art des leitender Materials, das die Gebiete 11 und 12 und die Spuren 13 und 14 bildet, hängt von der Zusammensetzung der zu betrachtenden dünnen Schien einerseits und von den in dem bei der Entladung gebildeten Plasma vorhandenen Gasen andererseits ab. Vorzugsweise verwendet man Nickel, das in einer re .ktiven Umgebung leicht passiviert wird.

Vorzugsweise wird die Unterseite iOb des Aufnehmers auf einer Metallplatte 15 angeordnet, die auf einem konstanten Potential gehalten wird in be.cug auf die Masse des elektrischen Generators, der die Entladung der Zerstäubungsanordnung aufrechterhält. Diese Platte ist beispielsweise die Trägerelektrode, auf der zugleich die Substrate angebracht werden.

Die Spuren 13 und 14 sind mit den Anschlußdrähten 16 und 17 verbunden, die bis außerhalb des Raumes verlaufen, in dem die Gasentladung stattfindet. Diese Drähte 16 und 17 sind von einer isolierenden Bekleidung 18 !!mgeben, die beispielsweise aus Emaille oder Aluminiumoxyd besteht, deren Eigenschaften sich unter Einfluß der Entladung nicht ändern. Der Draht Ib muß über seine Gesamtlänge im Gasentladungsraum isoliert sein, um zu verhindern, daß bestimmte Teile der Drahtoberfläche die mit einer dünnen Schicht de", zerstäubten Mai-rials unregelmäßig bedeckt werden könnten, mit dem Plasma in Berührung bleiben. Hierzu schirmt man die Kontaktstelle zwischen der Spur 13 und dem Draht 16 sowie den blanken Teil des Drahtes 16 beispielsweise mittels einer dünnen Aluminiumoxydschicht ab.

An der Außenseite des Entladungsraums sind die Drähte 16 und 17 mit einem ersten Voltmeter 19 verbunden. Der Draht 16 ist ferner über ein zweites

Voltmeter 20 mit einem Punkt verbunden, der sich auf einem festen Bezugspotenlial befindet In diesem Ausführungsbeispiel wird dieser Punkt durch die Trägereiektrode 15 gebildet. Da die Trägereiektrode in KalhodenzefstäübungsanordnUngen im allgemeinen unmittelbar mit der Masse der Anordnung verbunden ist, ergibt die Verbindung zwischen dem Voltmeter 20 und der Trägereiektrode kein einziges praktisches Problem.

Die Voltmeter 19 und 20 sind Gleichspanriuriigsinstrufnente. Sie müssen mit einem geeigneten Filter versehen werden, wenn die Gasentladung nicht ausschließlich durch ein elektrisches Gleichstromfeld aufrechterhalten wird.

In dem Raum, in dem die Kathodenzerstäubung stattfindet, wird das leitende Gebiet Ii der Kathodenzerstäubung ausgesetzt, was zur Folge hat, daß es

mn 1.1!IU UVIIIViIl Al wviwrLL· TTHU, nauitiiiu uaa it,iivnuii Gebiet 12 durch einen (in F i g. 1 gestrichelt dargestellten) Schirm 22 gegen die Kathodenzerstäubung geschützt wird.

Vorzugsweise ist der Schirm 22 elektrisch isoliert, so daß er keinen nennenswerten Einfluß auf die Potentialverteilung in der Nähe des Aufnehmers hat Wenn der Schirm nicht aus magnetischem Material hergestellt ist, hat er nahezu keinen Einfluß auf die Gasentladung. Um das Isolationsproblem zu vereinfachen. wäMt man vorzugsweise einen Schirm aus Glas oder einem keramischen Material.

Bei Versuchen mit der beschriebenen Anordnung hat sich gezeigt, daß die Abmessungen der Elemente dieser Anordnung, namentlich die Abmessungen der leitenden Gebiete 11 und 12, nicht kritisch sind. Auch die Form der Gebiete 11 und 12 ist unwichtig, und die Oberflächen der Gebiete dürfen unterschiedlich sein. Die Schichtdicke der Gebiete liegt vorzugsweise zwischen 100 nm und 500 nm.

Der Abstand zwischen dem Gebiet 12 und dem Schirm 22 liegt beispielsweise zwischen 5 mm und

15 mm, während der Schirm parallel zur Ebene des Aufnehmers angeordnet ist (wie es der Fall ist in F i g. 1). Der Potentialunterschied zwischen einer Auftreffplatten-Elektrode und der Trägerelektrode der Kathodenzerstäubungsanordnung liegt zwischen 1500 und 4000 V bei einem Abstand zwischen diesen Elektroden von 35 bis 60 mm.

Das Verfahren zum Messen der Dicke einer dünnen Schicht dielektrischen Materials mit Hilfe der vorstehend beschriebenen Meßanordnung wird im folgenden auf einfache Wp« anhand der F i g. 3 und 4 erläutert

Aus F i g. 3 geht hervor, daß das durch das leitende Gebiet 11, die dielektrische Schicht 21 (deren Dicke χ und dielektrische Konstante ε beträgt) und das unbedeckte leitende Gebiet 12 gebildete System einen ersten Kondensator C_x bildet, wobei die Schicht 21 mit dem Gebiet 12 über das umgebende, elektrisch leitende Plasma elektrisch verbunden ist

Der Kondensator C_x bildet zusammen mit verschiedenen anderen Kondensatoren ein Netzwerk. Die wichtigsten dieser anderen Kondensatoren sind der Kondensator Ci, der mit dem Kondensator C_x parallel geschaltet ist und dessen Dielektrikum durch das Material der Platte 10 gebildet ist, der Kondensator C₂ (dessen Elektroden durch das Gebiet 11 und den Draht

16 einerseits und die Platte Ϊ5 andererseits gebildet werden) und der Kondensator d (dessen Elektroden durch das Gebiet 12 und den Draht 17 einerseits und die Platte 15 andererseits gebildet werden).

Das durch die erwähnten Kondensatoren gebildete Netzwerk ist in Fig.4 schematisch dargestellt. Das Problem beim Bestimmen der Dicke * der dünnen Schicht 21 kann auf das Bestimmen der Dicke des Dielektrikums des flachen Kondensators C_x zurückgeführt werden. Betrachtet werden nun die beiden Kondensatoren C_x und Ci. (Der Kondensator C\ kann vernachlässigt werden wegen seiner in bezug auf den Kondensator C_x verhältnismäßig kleinen Kapazität). Am Kondensator CrStehteiri Potentiäliihterschied

wobei Vsdas Potential des mit der Schicht 21 bedeckten leitenden Gebiets 11 und Vf das »Schwebepotential« des leitenden Gebiets 12 ist, das mit dem Plasma in Berührung ist. (Es ist bekannt daß jede isolierte Oberfläche, die sich in dem bei einer Gasentladung

Potential annimmt, das »Schwebepotential« genannt 2ö wird. Sowohl die an das Plasma grenzende Oberfläche der Schicht 21 als auch das leitende Gebiet 12 haben dieses Schwebepotential). Das Voltmeter 19 mißt den Wert

' '

Am Kondensator C₂ steht ein Potentialunterschied

IV₅-VoI,

wobei Vo das feste Bezugspotentid ist. in diesem Fall das Potential der Trägerelektrode J5. Das Voltmeter 20 mißt den Wert

Da die Kondensatoren C_x und C₂ in Reihe geschaltet sind, ist:

C_X-\V_F-V_s\ = C₂-IK_x- KoI
woraus hervorgeht, daß

c-c - ^lVs - ^Ko1
^Cx - ^Cl ίκΤ^ί

Wenn man den Kondensator C₁ einem flachen Kondensator gleichstellt, dessen Elektrodenoberfläche gleich S ist so gilt außerdem, daß

- 4.T χ - ^Ll \V_F - Vs\

Wr-

ist, woraus hervorgeht, daß:

— = k
χ

ist, wobei

k = C₂--^-

In Wirklichkeit ist die Formel für die Konstante k komplizierter, als sich bei der Betrachtung der obenstehenden Formel zeigt. Der Wert von k hängt von den Werten der verschiedenen vorhandenen Kapazitä-

len ab, und diese Werte hängen ihrerseits u. a. von der Geometrie, von den Positionen und den physikalischen Eigenschaften der die Meßanordnung bildenden EIe^ mcnle untereinander ab. Es ist übrigens möglich, einige der erwähnten Faktofen zu beeinflussen, Um die Empfindlichkeit der Anordnung zu ändern.
Um aus den Meßergebnissen

IVf-VsI und [Ks -V₀]

Unmittelbar den Wert χ errechnen zu können, wird der Aufnehmer vorher geeicht. Hierzu bildet man eine dünne Schicht dielektrischen Materials im Gebiet 11 des Aufnehmers, wobei dieser in seiner Arbeitsstellung im Kathodenzerstäubungsraum angeordnet ist und mißt man die Werte

I Kr-Ks,| und I Ks,-Ko|

in dem Moment, in dem die Entladung ausgeschaltet wird. Dänadi niiBi man die Diüke Ai ucs gcuüucicn dünnen Schicht-Materials, indem man ein bekanntes Meßverfahren anwendet. Dieser eine Versuch reicht für die Eichung aus. Während der späteren Bildung der dünnen Schicht, deren Dicke gemessen werden soll, mißt man jeweils die beiden zueinander gehörigen Werte

I Vf- Ku) und | K₅- K_o|,
die durch Vergleich mit den Werten

IV_F- K_Si| und | Vs₁ - V_o\

dne Bestimmung der Schichtdicke ermöglichen Indem nämlich die vorstehend hergeleitete Formel für angewendet wird, erhält man:

= k

Ws, - K_n|

⁽²⁾ V₂ - Π

Wenn die Formel (1) durch die Formel (2) geleilt wird, erhält man:

X2 _ Ws₁ - Vo\ Wf - Vs₂I

woraus hervorgeht:

.X₂ = X₁ ·

Ws₁ - K₀I Wf- Vs₂I Ws₂ - V₀] 'Wf- Vs₁

Man kann auf diese Weise die Werte von Xj, x*,..., X_n aus den aufeinanderfolgenden Messungen der Werte

I Vf-VsI und IV₅-VoI

herleiten.

Wert und Polarität jedes der Potentiale Vf, V₅und Ko hängen von der Polarität der Elektroden ab, die ihrerseits von der Art und Weise abhängt, in der die Gasentladung gespeist wird. (Beispielsweise mit Wechselspannung, modulierter Spannung usw.). Dies ist der Grund, weshalb für

I V_F- vy und | K₅- K_o|

absolute Werte genommen werden müssen.

Es sei bemerkt, daß der Potentialunterschied am Kondensator Ci konstant gleich Vf- Vq bleibt. In der vorstehend ausgeführten Berechnung braucht der Kondensator Cs mithin nicht berücksichtigt zu werden.

ίο Entsprechend der zweiten Ausführungsform eitles Aufnehmers zum Ausführen des erfindungsgerriäßen Verfahrens besteht dieser Aufnehmer gleichfalls aus einer Isolierplatte 10, auf der zwei leitende Gebiete 11 und 12 vorgesehen ^r.ind. In diesem Fall befindet sich das Gebiet 11 jedoch auf der einen Seite, und das Gebiet 12 auf der anderen Seite der Platte 10 (Siehe F i g. 5 und 6). In diesen Figuren ist das Gebiet 12 schmaler als das Gebiet 11; dieser Unterschied ist jedoch keine Nuiweiidigkeii.

Vorzugsweise befindet sich der Aufnehmer in der Nähe der Trägerelektrode 15, die die zu bedeckenden Substrate trägt, und in einer Ebene, die zu dieser Elektrode etwa parallel ist. Auf diese Weise ist das Gebiet 11 zum Entiadungsraum der Kathodenzerstäubungsanordnung gerichtet, so daß dieses Gebiet allmählich mit einer dünnen Schicht bedeckt wird, deren Dicke gleich derjenigen der die benachbarten Substrate bedeckenden Schicht ist, während das Gebiet 12, das durch die nun als Schirm dienende Platte 10 geschützt wird, nun unbedeckt bleibt.

Abgesehen vom Aufnehmer, der eine andere Gestalt hat, entsprechen alle Elemente der Meßanordnung denjenigen der anhand von Fi g. 1 und 2 beschriebenen Anordnung. Deutlichkeitshalber sind dieselben Bezugsziffern verwendet.

Ein Aufnehmer entsprechend den Fig.5 und 6 darf

(Eichung) nicht auf der Trägerelektrode 15 angeordnet werden, da

das leitende Gebiet 12 dann mit dieser Elektrode in Berührung wäre. Deshalb wird der Aufnehmer bei-

40 spielsweise auf einem starren (nicht dargestellten) (Messung) Träger angeordnet, der selbst auf der Trägerelektrode

befestigt ist.

Es ist erwünscht, daß sich der Aufnehmer möglichst nahe der Trägerelektode befindet, zumindest in der unmittelbaren Nähe der Substrate, auf denen die dünne Schicht gebildet wird. Der Abstand zwischen dem Aufnehmer und der Trägerelektrode liegt vorzugsweise zwischen 5 mm und 10 mm.

In F i g. 7 sind, völlig entsprechend F i g. 3, die

so Kapazitäten C_x, Q. C₂ und C₃ dargestellt. Auch das elektrische Schema nach F i g. 8, das aus F i g. 7 hervorgeht, ist mit dem elektrischen Schema nach Fig.4 identisch, das selbst von dem Aufnehmer nach F i g. 3 hergeleitet ist

Die für den Aufnehmer des ersten Typs angestellte Berechnung kann mithin auf dieselbe Art und Weise für den Aufnehmer des zweiten Typs ausgeführt werden. In beiden Fällen findet man dieselben Formeln zum Bestimmen der Dicke x.

Der Wert der Konstanten k kann auch bei einem Aufnehmer des zweiten Typs beeinflußt werden, was die Anpassung der Empfindlichkeit der Meßanordnung ermöglicht.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Verfahren zum Bestimmen der Dicke einer dünnen Schicht dielektrischen Materials während des Anbringens dieser Schicht durch Kathodenzerstäubung auf Substraten, die sich auf einer Trägerelektrode befinden, in einem Raum, in dem eine Gasentladung aufrechterhalten wird, so daß der Raum wenigstens teilweise mit einem Plasma gefüllt ist, dadurch gekennzeichnet, daß in der Nähe der Trägerelektrode und in einer ungefähr parallel dazu verlaufenden Ebjpne ein Aufnehmer im Plasma angeordnet ist, der aus einer Isolierplatte besteht, die zwei leitende Gebiete aufweist, von denen das erste der Kathodenzerstäubung ausgesetzt wird, während das zweite davon abgeschirmt wird, und daß Potentialunterschiede zwischen den beiden erwähnten Gebieten untereinander und zwischen dem ersten Gebiet und einem Bezugspotential gemessen werden.

2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet daß das Bezugspotential das Potential der Trägerelektrode ist

3. Anordnung zum Ausführen des Verfahrens nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Anordnung einen im Gasent'adungsraum anzuordnenden Aufnehmer enthält, der aus einer Isolierplatte besteht, deren Vorderseite zwei unabhängige, leitende Gebiete aufweist, wobei sich vor einem dieser Gebiete ein Schirm befindet.

4. Anord ung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Schirm elek'risch isoliert ist.

5. Anordnung zum Ausführen des Verfahrens nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Anordnung einen im Gasentladungsraum anzuordnenden Aufnehmer enthält, der aus einer Isolierplatte besteht, deren beide Seiten je ein leitendes Gebiet aufweisen.