DE1919507A1 - Integrierter Kondensatorspeicher - Google Patents
Integrierter KondensatorspeicherInfo
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 43
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- PSGAAPLEWMOORI-PEINSRQWSA-N medroxyprogesterone acetate Chemical compound C([C@@]12C)CC(=O)C=C1[C@@H](C)C[C@@H]1[C@@H]2CC[C@]2(C)[C@@](OC(C)=O)(C(C)=O)CC[C@H]21 PSGAAPLEWMOORI-PEINSRQWSA-N 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 7
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 6
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 4
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 3
- 241001122767 Theaceae Species 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 3
- 241000209202 Bromus secalinus Species 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 241000252335 Acipenser Species 0.000 description 1
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- 241000251730 Chondrichthyes Species 0.000 description 1
- 241000272184 Falconiformes Species 0.000 description 1
- 241001446459 Heia Species 0.000 description 1
- 241000575946 Ione Species 0.000 description 1
- LTXREWYXXSTFRX-QGZVFWFLSA-N Linagliptin Chemical compound N=1C=2N(C)C(=O)N(CC=3N=C4C=CC=CC4=C(C)N=3)C(=O)C=2N(CC#CC)C=1N1CCC[C@@H](N)C1 LTXREWYXXSTFRX-QGZVFWFLSA-N 0.000 description 1
- 241000252067 Megalops atlanticus Species 0.000 description 1
- 101100072408 Mus musculus Il21r gene Proteins 0.000 description 1
- 101100400378 Mus musculus Marveld2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020175 SiOH Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000130764 Tinea Species 0.000 description 1
- 208000002474 Tinea Diseases 0.000 description 1
- 206010044565 Tremor Diseases 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 235000014121 butter Nutrition 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- VOVZEZKGVHTBFB-UHFFFAOYSA-N dihu Chemical compound O=C1NC(=O)C(C)=CN1C1OC(COP(O)(=S)OC2C(OC(C2)N2C3=C(C(NC(N)=N3)=O)N=C2)COP(O)(=S)OC2C(OC(C2)N2C3=C(C(NC(N)=N3)=O)N=C2)COP(O)(=S)OC2C(OC(C2)N2C(N=C(N)C=C2)=O)COP(O)(=S)OC2C(OC(C2)N2C(NC(=O)C(C)=C2)=O)COP(O)(=S)OC2C(OC(C2)N2C3=C(C(NC(N)=N3)=O)N=C2)COP(O)(=S)OC2C(OC(C2)N2C3=NC=NC(N)=C3N=C2)COP(O)(=S)OC2C(OC(C2)N2C(N=C(N)C=C2)=O)COP(O)(=S)OC2C(OC(C2)N2C(NC(=O)C(C)=C2)=O)COP(O)(=S)OC2C(OC(C2)N2C(N=C(N)C=C2)=O)CO)C(OP(O)(=S)OCC2C(CC(O2)N2C3=NC=NC(N)=C3N=C2)OP(O)(=S)OCC2C(CC(O2)N2C3=C(C(NC(N)=N3)=O)N=C2)OP(O)(=S)OCC2C(CC(O2)N2C3=NC=NC(N)=C3N=C2)OP(O)(=S)OCC2C(CC(O2)N2C3=C(C(NC(N)=N3)=O)N=C2)O)C1 VOVZEZKGVHTBFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 210000003608 fece Anatomy 0.000 description 1
- 210000004013 groin Anatomy 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 231100000518 lethal Toxicity 0.000 description 1
- 230000001665 lethal effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- XOFYZVNMUHMLCC-ZPOLXVRWSA-N prednisone Chemical compound O=C1C=C[C@]2(C)[C@H]3C(=O)C[C@](C)([C@@](CC4)(O)C(=O)CO)[C@@H]4[C@@H]3CCC2=C1 XOFYZVNMUHMLCC-ZPOLXVRWSA-N 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
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- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
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- G—PHYSICS
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- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/18—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages
- G11C19/182—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages in combination with semiconductor elements, e.g. bipolar transistors, diodes
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- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/18—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages
- G11C19/182—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages in combination with semiconductor elements, e.g. bipolar transistors, diodes
- G11C19/184—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages in combination with semiconductor elements, e.g. bipolar transistors, diodes with field-effect transistors, e.g. MOS-FET
- G11C19/186—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages in combination with semiconductor elements, e.g. bipolar transistors, diodes with field-effect transistors, e.g. MOS-FET using only one transistor per capacitor, e.g. bucket brigade shift register
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- G11C—STATIC STORES
- G11C27/00—Electric analogue stores, e.g. for storing instantaneous values
- G11C27/04—Shift registers
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
- H01L27/105—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including field-effect components
- H01L27/1055—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including field-effect components comprising charge coupled devices of the so-called bucket brigade type
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Description
PHH 3145
KTS/RJ.
KTS/RJ.
abriebe
. N SU
. N SU
"integrierter Kondensatorspeicher"·
Die Erfindung bezieht sich auf einen integrierten Kondensatorspeicher, der eine Folge von Kapazitäten
enthält, wobei mit xiilfe von Steuersignalen Ladung von
einer Kapazität der Folge über einen Tranaistor eur
nächsten Kapazität der Folge verschoben werden kann, sm welchem Streck zwischen > awei aufeinanderfolgenden kapazitäten der Folge ein solcher Transistor vorhanden i»t, woejei diese Tranaistoren gleichfalls eine Folg« bildenv während der Kollektor eines solchen Transistors zur Ladungsverschiebung mit dem Emitter des nächsten Transistors verbunden .ist, wobei der integrierte Speicher ein
einer Kapazität der Folge über einen Tranaistor eur
nächsten Kapazität der Folge verschoben werden kann, sm welchem Streck zwischen > awei aufeinanderfolgenden kapazitäten der Folge ein solcher Transistor vorhanden i»t, woejei diese Tranaistoren gleichfalls eine Folg« bildenv während der Kollektor eines solchen Transistors zur Ladungsverschiebung mit dem Emitter des nächsten Transistors verbunden .ist, wobei der integrierte Speicher ein
909847/0859
BAD ORIGINAL
PHK
verbünden ist. Die Speicherkapazitäten sind bei dieser
Schalt'ungeanordnung in die Kollektorkreise der Transistoren
aufgenommen* wobei die vom Kollektor abgekehrten
Anschlüsse der Kondensatoren galvanisch eilt einer Schaltspännungequelle
verbunden sind. Der Emitter jedes Tran»
tors liegt über einen Widerstand an Erde, während der
Kollektor jedes Transistors über eine Diode ebenfalls an Erde liegt* Die Durchlassrichtung dieter Diode und die
Durchlassrichtung des Kollektor-Basis-'Jberganges dee betreffenden
Transistors sind dabei entgegengesetzt gewählt.
Ein Kachteil dieser Schaltungeanordnung ist,
dass im Vergleich zur als ersten beschriebenen bekann- ten Schaltungsanordnung bei dieser alternativen Schaltungsanordnung
Schwankungen in den Abmessungen und Dotierungskonzentration«
der einzelnen. Transistoren und Dioden
einen g.r&s»«ren £iiuIuM auf die übertragungsfunktion d··
Speichers haben. Durch diesen Einfluss auf die Übertragungsfunktion,
die bei der alternativen Seh^ltungeanordnung
uo einen Faktor von etwa 100 grääeer iei, wird bei
Integration die Ausbeute verringert. Ferner besteht die
Folge von Transistoren wechselweise aus npn- und pnp-'fransistoren,
wShrend bei integration eine.Schaltung ·
mit nur npn- oder nur pnp*-Tr.ansistören zu bevorzugen
BAD. ORiGSNAL
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PHIi 3145
densatörspeicher zu schaffen, bei dem die erwähnten Kachteile
vermieden sind, und sie beruht unter anderem auf der Erkenntnisf dass zu diesem Zweck zweckmäesig von einer
Schaltungsanordnung ausgegangen werden kann, wie sie
P IS Vf 95
in der Patentanmeldung η beschrieben worden
ist, und die sich infolge der geringen Anzahl von Bauelenenten besonders zur integration eignet. Bei dieser
Schaltungsanordnung, deren Prinzip in Fig. 1 dargestellt
ist, ist der vom kollektor abgekehrte Anschluss jede» kondensat.regalvanisch nit der Basis des betreffenden
Transistors verbunden, Bei dieser Schaltungsanordnung erübrigen sioh Lj^gflB^in den Kollektor-Emitter-Strecken,
wodurch der erwähnt· Sacht·il der alt ersten beschriebenen bekannten Schaltungsanordnung rcraieden
Ferner enthält die Folge von Transistoren in Gegen*ats '
zur zweiten beschriebenen bekannten Schaltungsanordnung keine konplementäreh Transistoren, während kleine Unterschiede
zwisohen den Transistoren verbaltniselseig wenig
Einfluss auf die Übertragungsfunktion des Speichers ausüben.
Die Erfindung beruht ferner auf der Erkenntnis, da3 3 die Schaltungsanordnung nach Pi£· 1 sich nioht nur
besonders zur Integration eignet, sondern daao auch ihr-e
Vi rku/igs weise "bei Integration verbessert werden kann.
in allgemeinen wird die Verwendung der Schaltungsanordnung
nach Fig. 1 auch durch die parasitäre efcO D^®
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PHN 5145
Substrat enthält, das mit isolierten Haitoieiterinseln
versehen ist, in denen sich die Transistoren der Folge befinden.
Die .Erfindung bezieht (sich feraser auf eine
£chs>ltung3änordnung mit einem derartigen integrierten
Kondensatorspeicher. - -
Kondensatorspeicher werden muter andern häufig als Speicher für analoge Information angewendet, z.B. in
Verzögerungsleitungen für Audio- oder Videofrequenzsignale
oder in Fi lter schaltungen. Dabei ist ea mit ßfioksicht
auf die Integration wichtig, dass XSr dies· Speleher
keine Selbstinduktionen erforderlich sind, dies in
Gegensatz zu vielen anderen öse ichern waü. dchieberegiat»rn,
bei denen Selbstinduktionen unvermeidlich sind.
Bei einer bekannten Schaltungsanordnung für
einen Kondensator speicher dieser Art, de~r in "Slmatronics
trttere", Bezeiabe». 1967, ^i Kr. I2j Seiten 544-546/
beschrieben aro.rden ist» sind der Kollektor und 4er Emitter
aufeinanderfolgender transistoren über -die Reihenschaltung
einer Diode und eines' Wider standee, miteinander
verbunden. Dabei ist die Durchlassrichtung der erwähnten Mode gleich derjenigen-der Emitter-Basis-Dioden der
Transistoren gewählt. Die Kondensatoren „e-ia'd &it
bindungspunkten in der -Schaltung zwischen ύ*η
Dioden und den erwähnten Widerstand ler'rbmiden· _ßlm von
diesen Verbiiidungspunkten abgekehrten ABSchlBsse der
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3145
Kondensatoren mit gerader Ordnungszahl in der Folge sind
galvanisch miteinander, verbunden und liegen über eine
SchaltSpannungsquelle an Erde. Die von den erwähnten
Verbindungepunkten abgekehrten'Anschlüsse der Kondensatoren:
ait ungerader Ordnungszahl sind galvanisch oi!einander "verbunden und liegen über ein· zweite Schmltspannungsquelle'&n
Erde. Perner sind di· Basiselektroden an Erde gelegt. Das Verschieben von Ladung von einen Kondensator'
zum nächsten wird BitteIe der beiden Echaltspannuh£equellen
gesteuert,, wobei die durch dies· quelle abgegebenen
Spannungen zueinander fjegenphueig sind. Sie
Transistoren, die ala elektronische Schalter dienen,
sind dabei &bwechaelnd Ik leitenden und im nichtleitenden
Zustande ._ * -
Sin lackteil dieser Schaltungsanordnung ie*i
dass ein.Teil der inforaation in des jibrasltSren Kollektor-Bfiel««Kape>sitSt
-der .franeistoren festgehalten wird, '
well die Diode die jiufladun« dieser parasitären Kapazität
über den Esitter de· nSohetea XraneisioM verhladert.
Die· verursacht beeon&ere bei Itfihexan Prefueazen eine
verholtnisalsslg grosse DiKpflung. " -
TJa diese Dämpfung zu verringern, wurde i« erwähnten
Artikel "bereit» eine andere Schal ^messanordnung
vorgeschlagen, die gieionfalls eine Folge VOM Traneistoren
enthält, bei der jedoch der kollektor eines Transistors
galvanisch, ait der Basis des nächsten Transistors OnKaINAL
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HL·., J I.4.5
Enitter-KollektQr-Kapazität der 'iranaistören beschrankt.
Infolg· des Vorhandenseins dieser parasitären Kej*zitlten
kann ein elektrisches Übersprechen zwischen benaeh-:
barten Speicherkapazitäten auftreten, so dass die in einer Speicherkapazität gespeicherte Information nicht
völlig von der Information in den weiteren Speicherkapazitäten getrennt ist.
Bei den üblichen Transistoren, bei denen sieh
der Halbleiterkörper in einer Hülle befindet, besteht die parasitär· Bmitter-Kollektor-Kapaaitlt au eines erheblichen
Tail aus der Kapazität zwischen den Anschlussleitern des Emitters u^^des Kollektors. Bei integrierten jchaltungen sind für den Anschluss der Transistoren
jedoch nur verhaltnisnässi^* kurze Anfchlussleiter erforderlich,
die meistens aus Leitbahnaa bestehen·
Die sich dadurch ergebende Ferrinj* rung der
ßnitter-Kollektor-Kapazität hat bei der Torll«f»&4«&
Schaltung eine Verringerung des elektrischen
ohens zur Folge.
Auf Grund der Verringerua* des
tJber Sprechens können die upeicherkap* aiii tea In eines
integrierten kondensatorspeicher kleiner benessen werden, wodurch die Schaltgeschwindigkeit zunimmt und der
Speicher bei höheren Frequenzen Anwendung finden kann·
Die Erfindung beruht ferner auf der wichtigen Srkenntni3, dass die Schaltungsanordnung dadurch D
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PHN 3145
in besondere kompakter und einfacher Form integriert werden
kann, dass die Kondensatoren weggelassen und die Kollektör-Basis-Kapasit&ten der Transistoren al· SpeioherkapaiitiLten
benutst werden·
Ein integrierter Kondensatorspeicher der einlange beschriebenen Art ist gemüse der Erfindung dadurch
gekennzeichnet, dass die Kapasituten duroh die
Kollektor-BaeU-Kapasitäten der Transi»tor«n gebildet
werden, wahrend die Basiselektroden der Transistoren tun elektrischen Ausgang bzw. au den elektrischen Ausgängen für" die Steuersignals gehSren·
Auf diese Weise ergibt sioh einen sehr einfacher
integrierter Kondensatorspeicher, a*t eine sehr
guts Wirkung mit «ins» geringes Bedarf an Tlloheniakalt
Je Speicherelement rerbindet, Veil jedes 8peiöA»rele«ent
aus nur eines Transistor besteht. Dabei werden die bei
InfontationsSbertrajMag suftrstsnAsn Verluste praktisch
duroh dm Verstärkungsfaktor dsr Transistoren bestiasit.
Js »ehr sloh disssr Kollektor-sB^tter-etroaversttricungafaktor
Asa Wert 1 nlhert, umso langer kSnnen die Ketten
/on~ Spe.lohereleaenten sein, ohne dass eine atörende
Diapfuac auftritt. - . -
Der integrierte Kondensatorspeloher geaSes
der Erfindung kann unter anderes fttr LaufseitrersSgerung
von s.B. Audio- und/oder Vldeofre^uenssignalen
Anwendung finden. Dabei ist eine lange Versegerungs-
909847/0859
par J145
zeit je Speicherelement, d.h. je Transistor, gewflneoht,
veil die AbsohwäOhung des verengerten Signulee in beträohtliehen
Nasse von der Gesamtlahl der Transistoren
der VeriSgerungsleitung abh&ngig ist· Bei Anwendung einer Folge von Transistoren (siehe Fig. 1) ergibt eich
eine maximale VersSgerungeseit je Speicherelement, wenn
eäatliohe Basiselektroden Ober je eine Sohaltspannung··
quelle an Erde oder ein anderes BesugspotentIaI gelegt
werden. Duroh eine derartige Wahl der Sohaltsignale
(rig. 2), daes diese je wlhrend eine· (£)tea Teile Jede«
Abtastperiode T einen Wert von 1 Volt und vihrend de« übrigen Teiles dieser Periode einen Wert tob O Volt
hüben, wobei sie ausserdeBHsjVMe· (—)t#n Teil der Periode
T seitlich gegeneinander vereetst sind, derart(
dass sun&ohst der n-te Transistor und dann der (n-1)tef
der (n-2)te uew. leitend wird, wird die VereSgerungseeit
je Bpeioherelement emzioal und gleich
T Sekunden,
η
η
In der Prazie ist nan jedooh bestrebt, die
Zahl der erforderlichen Sohaltepannungxiuellen auf Kosten
einer geringen Verringerung der VersSgerungsseit
der Speicherelemente zu beschranken. Dies ist dadurch erzielbar, dass mehrere Basiselektroden von Transistoren
miteinander verbunden werden und eine bevorzugte Aueführungeform eines integrierten Kondensatorspeicher·
BAD 909847/0859
PHN 5145
<J«r iJrfindung ist daher dadurch gekennzeichnet,
dass eine bestimmte Anzahl von Basiselektroden von Transistoren der Folge galvanisch miteinander verbunden.
sindf wobei diese Anzahl keine zwei benachbarten Transistoren
enthält.
Ee iet offensiehtXieh ein JiSgIichit föns.tige*
Konpromiss zwischen der Ansah! der »a verwenden*·!»
oohaltspannungsquelien ußd der Anzahl der erfor&erliohen
Traneistoren erwünscht. Dabei ist es wioatif, dass die
Terzögerungszelt je ij pe ichere lesen t ferner von 4er Art
abhangig ist, in der die Basiselektroden Kciurere? fremsistoren
der Folge galvanisch ai««Inander vwrbtg&Aem
•in*. . ·
Obgleich ·· for 41« Virgin«··»!·· *1· lcliieb«-
refiftter f*nü%%f mmm Imi <Si#te)r fertinAwie vva 9a·!··
• leittr·«·» Mhnnr ?r«asi*t@**n di· 3(k»«inr«ii erfüllt
wi ri, 4a·· s«ei bee*eWMirte Tspeesistoren rtioht
zeitif leitend sein können, «erden grtaaere
geeüifs der Srfindung zur ErhaltuJic ei»*· günstigen Ko»-
promiases aus einer Folg* ro» Transistoren auffebaat»
die mindestens zwei aufeinanderfolgende aneinander; grenzende Gruppen mit je'der gleichen iüizahl aufeinanderfolgender
Transistoren enthalt, wob«i 4ie.Basiselektroden
derjenigen TraneiBtoren, die zu vereöhdedenen ,
Cruppen gehören, jedoch in ihrer Gruppe die gleioh»
Ordnungszahl tragen, galvanisch miteinander verbunden "
909847/0859 · .. BADORiGiNAL
. ,ο - 1319507
PKIi 314 5
> Dieser Aufbau macht es möglich, bei einer
vorherbestimmten Anzahl anzuwendender Schaltspannungequellen die maximal* Verzögerungszeit je Spaicher·leBent
zu erzielen. Die Anzahl der Translatoren jede? Qruppe
ist dabei durch die Anzahl der zu verwendenden Sohaitquellen bestimmt.
Sie Transietoren der Folge können je in einer
getrennten Halbleiterinsel angebracht seia, wobei die
Transistoren auf übliche Weise durch ein sich Über eine
Isolierschicht erstreckendes Huetar von Leitbahnen miteinander
verbunden sein können. Ea können sieh jedoch die Halbleiterzonen einer Ansahl von Transistoren* deren
Basiselektroden galvanisch miteinander verbunden sind, zwecknissig in einer gemeinsamen insel erstrecken» wobei
die Halbleiterinsel eine geaeinaaa· Bssisgea· bildet,
während die Emitter- und die Kollekte»zone in Fora von
Oberfllchenzonen angebracht sind. Sadureh wird das erforderliche
Leitbuhnmuster vereinfacht, wXhrend ferner
die je Speioherlement erforderliche
erheb lioh ve mindert wird. Zwar ist dabei ia
nen der Stromverstarkungaf&ktor von Transiatoyea dieses
Typs etwas kleiner, aber das ist für verschiedene Anwendungen unbedenklich.
Die PoIge von Transistoren eines Kondensatorspeichers
genass der Erfindung kann eine Sndgruppe ent-
; iÄD ORIGINAL
909847/0859
- 11 -
ii& 3145
halten, die eine Vorrichtung, ζ »Β, einen !transistor oder
•ine "Diode, enthält, die mindestens einmal je Abtaetperlod·
T die etwaige Information, di· in der letzten Speicherkapazitfit des Speichers enthalten ist, lßscbt.
Ausser dieser abechliesäenden Vorrichtung kann die Endgruppe
eine Anzahl von Translatoren der Pole« enthalten, die kleiner ist als die Anzahl der Traneietoreη
der vorhergehenden Gruppe oder Gruppen, Auch für diese Endgruppe gilt, dass mit RHckeicht auf die VerxBgerungszeit
je Speicherelement das Element bzw· die Elemente der Endgruppe, einschlieöslich der erwShnten absohlieseenden
Vorrichtung, vorzugsweise gleichzeitig alt dem
Speieherelement bzw· den Speicherelementen der anderen
Gruppen oder Gruppen geschaltet worden die in ihrer
ürupj-e die gleiche Ordnungszahl naban·
• . Wie »erelte bemerkt, eliid 4ie £r»qut*Mn,
telditio 4er SpeieiÄr. Lommnamag fla4«R fcutn, uMfr
-mfisf en die Speioherkaptsitftte« ..ubso er··"
•er «ein, je aiedriger 44-e" v#irwen4et«ir V^re^mteEex «int«
infolgedeeeen kann die Koll»ktor-iesie'-Xa>ajti%It Hb.
licher integrierter Transistoren z.B. tsil Verwendung
niedriger /requenzert zu klein sein« . .-.· . . ·
Deshalb enthSlt eine wichtige AuaTChrnngs- ,.
form eines Kondensatorspeichirs nit -eise? Ancabl von
Transistoren in einer eeneinsaaen Balbleiterinsel ei-
909847/0869
■" BAD OBlGtNAi
PHN 3145
nen oder mehrere Transistoren mit vergrSsEerter Köllek-
tor-Basis-Kapazität, wobei diese AuSfÜhrun^sfora dadurch
gekennzeichnet ist, dass ein Teil der Oberfläche
der Ktfllektorjsone mindestens eines der Transistoren der
FoI^e durch eine weitere Oberflächenzone eingenoEBen
wird, die vom gleichen Leitungatyp wie di« Baeiaaop*
iet und galvanisch mit ihr verbunden let» 0
Durch die Anwendung der weiteren Oberflächenzon*
wird die Xollektor-Baeie-KäpaiitXt de* Transistors
erheblich vereröeaert, wodurch ein integrierter Speiche?
nit einer Folg· derartiger Transiat«re» auch bei
niedrigen Prequeniea tin,guteβ Signal-fistt#eh«T#rhtitauf«»icI·
fine andere wichtige Aueftthraagafeni ein·· '«■κ»
alt e£a*ji *%*t mhrii** 1τ*η·Χ*<° ■
el2.ektor*S»eia"t«f«titlt iat
4«t«Kr«li ftktnateichnet, data die Isalaaone alndeitaaa
«ijay» traftaiatera der Folg· ein« 0%«rf lieh·**®»· iat«
Vo* der «in «rater t>berf Hohen teil dur<fe die S»itt«rsoae
und ein zweiter überflSchenteil d»r«fc flM ew«lti
Sone eingvaowBen wird» wobei die zweite S«tief dl« von
gleichen Leitungetyρ wie die Saitterzone iet, galvanisch mit der an diese Basiszone grenzenden Kollektorzone verbunden ist. Dabeu beansprucht der zweit« Ober*
flSchenteil vorzugsweise wenigstens ein Drittel far
Oberfläche der Basiszone, während weiter vorzugsweise
909847/0859
PHN 3145
sämtliche Transistoren eier Folge gleich ausgebildet
sind·
Bei diesen Transistoren mit vergrösserter Basis-Kollektor-Kapazität ist der Flächeninhalt des 3asi3-ifollektor-Ubergangs
wirkungsvoll vergrSssert, wobei aus-Sßrden
die Dotierung der zweiten Zone bei doppeltdiffundierten
Transistoren höher sein kann als die des Kollektors,
wodurch die Kapazität je Flächeneinheit des Übergangs zwischen der zweiten Zone und der Basiszone
grosser als die des übrigen 'leils des Basis-Kollektor-Überganges
ist.
Vorzugsweise ist die Basiszone, eines .Traneistors
mit vergrößerter Kollektor-Baais-Kapazitlt mit einem
Anschluaeleiter versehen, der 'an einer zwischen der
Ztiitterzone und der zweiten Zone liegenden Stelle an
de? BbtiszOne angeschlossen iaW ' .-■■■· ■'■· ■
.: ■ Auf dies· We ie« ergib* ei öh'« in'konpaJfter Aufbau,
bei dem de? Baeiskontakt auf einer, möglichst langen
Strecke sowohl an di.6 Emitterzone als «udh-an die sweite
2one grenzt und derEeihenwiäerstebd in des* Basiesone
sowohl für den aktiven Teil-dieses Transietore als
auch für seinen kapazitiven ΐβϊί möglichst beschränkt
wird. '· · : ." . ' -." .··-.· .·'. ". · ;
Bei einer weiteren Au«führungafpni eine« Kondlen8atorspeichers
mit mindestens ei nein Transistor mit vergrössert'er KolLektor-Basis-Kapazitüt veist die Basie-
909847/08S9 >
;..
!919507 44 -
zone dieses Tranaistors geaäss der Erfändung: einen dicken
und einen dünsten Texi auf, wobei die zweite. Zone wtnig-Gtons
einen OiKs rf lachen teil des dicken Teiles der Basis·
zone einnimat» ' ■
Auf diese Weise wird der Reihenwiderstand des
kapazitiveren feiles der Basiszone, d.h. des Teiles unter
der zweitea Zone» weiter verringert« #
Weiterhin kann beispieleweise beispielsweise
doppeltdif fundierten Transistoren, zumal wenn die Basiszone
einen dicken und einen dünnen Teil aufweist, der
kollektorserienwiderstand so grosi dein, dass er eine
wichtige Soll* amieHjmpp..
Bei einer weiteren Aueführungsfora eines Kondensatorspeicher
genäss der Erfindung enthält eine
Kollektorsoa© eines Transistors mit vergrSsserter KoI- '
lektor-Basis-Kapasitat ausser einem hochohniigen Teil
einen niederohaigen Teil, der sich wenigstens teilweise
unter dea dicken Teil der Basiszone aretreökt»
infolg»des3en wird der Koliektorserienwiderstand
iaebesondere in den Teil der KoXlsktorsone, der
unter des dicken Teil der Basis sons liegt und daher
Runner als der übrige Teil der Kolle&torzone ist, verringert.
Babei ist bei eir.er bevorzugten A fora der Trssiisietor so ausgebildet, dass der niederohni{;e
Teil des Kollektor zone an den dicken Teil der
Basiszone grenzt» wodurch nicht nur ein weiterer Kapa-
Pffii 5145
sitSt&gewimi erzielbar ist, weil infolge der höheren
Dotierung die Kapazität je Flächeneinheit ia Gebiet, in
dem der niederohfidge Teil der Kollektorzone und der
dicke Teil der Basiszone aneinander grenzen, grSeser
al· ausserhalb dieses Gebiet«· let, sondern auch die
Herstellung eines Transistors »it einer Basiszone alt
eines dicken und einem dünnen Teil vereinfacht werden
kann, «ie nachstehend n&her erläutert wird·
pasitEt auch dadurch vergaröesert werden kann» dass die
Kollektorzone höher dotivart wird· in der Praxis ist dies
jedoch insbesondere bsi dcppeltdiffundierten Transistoren
schwer durchführbar» Ke kSansn uuch Transistoren .
alt einer Basiszone £l«ioh*Es8lear,l»ioke verwendet wer·
den, die »ich bis zua nieüerohaigeR Teil der Kollektorsone.
erstreckt· Eine derartig* Struktur .ißt z»B. Bit
liilf« ei he«. Substrats kerefeellbar» .&&* «it. slnsr. »pi* ·
taktlsohen Sehioht veresheis IfTt9 die entweder aus ein·*
nieAerohaifeji und «in«· höchoheieen Λ11 «uff«Wut ist
od»r elslohaissic dotiert-»^«"^ean^wQbfi-i* FaJlI eime
Tsrfrabene Schicht Anwendon^ fftuAst« 9e>be% kSonett die
Sicke der epitaktiechen Schient Nxnd/odfr der vergrabenen
Schicht so klein bzw· so grQ«sseasse«n werden# dass ·
sich eine diffundierte Basiszone üblicher Dicke*bis zu«
niederoljnigen Teil der KoI vektor zone., ersi'reckt. Sinl»
derartige Losung ist jedoch in den PSllen, in denen
9 0 9 8 U 7 / 0 S 5 § ■ ,"-^0 original
PHN 3145
die Schaltungsanordnung auch andere Transistoren alt anderen Eigenschaften, z.B. einer hohen Kollektor-Basis
-Durchbruchspannung, enthält, schwer ausführbar·
Transistoren nit vergrßaaerter kollektor-4asis-Knpozitüt
kSxmen auch mit Vorteil als Bauelement·,
z.B. in einen Kondensatorspeieher in nichtintegriarter
i'orn, oder ale Killerintegrator benutzt werden· #
Eine einen integrierten Speicher geoXsa d«r
Erfindung enthaltende Schaltungsanordnung 1st dadurch
gekennzeichnet, dass des bitter ein·· oder mehrerer
Transistoren der Folg· Eingangssignal· sugefünrt **rd«n
können, während ein ^^angskrel· Torband·* 1*6, «Jm
Kollektor mindestens ein·· Traneietor· der Folg· *lektrische
Signale zu entnehmen, wob·! alt Hilf· Blnd··-
tens einer aohaltspunnungequelle den Baal««l<kt»4t ·
der Transistoren der Folge Steuersignale zugeführt werden,
die Translatoren der Folge »tu» ..eitergeben von
Ladung in den leitenden Just&nd bringen, wobei dl· angrenzenden
Transistoren jede3 leitenden Translator· der
Folg· nichtleitend sind»
jtuafüT.rungebeispiele d»r £rfladtuig sind la
den Zeichnungen dargestellt und werden im folgenden .
naher beschrieben. Ea neigen
Fit,*· 1 das Prinzip der Schaltung, die in einen Kondensatorjpeieher tTemass der Erfindung angewandt
let,
.... . 909847/0859 · ·. bad orjginal-
ph:« 3 U 5
. Fig» 2 3ehaltsignale der Schaltapannungequelie
nach Fig· 1 in Abhängigkeit von der ώβϋ,
l'ig» 3 schenatiBch ein© Draufsicht auf ein·
Ausführungafona eines integrierten Kondenaatorcpsichere
Cöaüas der Erfindung,
- '-.-.' ■'Fig* 4 echeoatiadh ein* Drauföioht, die 4«a
- '-.-.' ■'Fig* 4 echeoatiadh ein* Drauföioht, die 4«a
durch eine strichpunktierte Mai« umgebenen Teil der
• · ·
Fig. 3ίAKt»prieht,
·: .'■■-' Fig. 5 eehesatiach «inen ffsaie· der Liaie
Ϋ - V.der ?ig« 4 geführten iuerfehnitt dvurch die Ansei 4t
;, i Pig. 6 ein Sehaltbild für den.integrierten
Kondensatorspeicher naoh den Figuren 3, 4 UR^ S
;'■·■?-.- Fif. 7 den Verlauf der ßpannungwa in Abhängigkeit
von der Zeit fur einige Funkie des Schaltbildes,
nach flg* 6, ■ ;.
■■-■' , ■ ' ·· Fiii. β acheu&tiach einen ^uereehnltt dureh
einen vTranstetör, 'der -»ich «Bernfalla ?ur Jinwertdiing in '
eisern integrierten JCöndenSatorepeiehÄr nseh 4#r-ärfin«
diHu eigne t.i ■ ■ ■ ...
Fig. 9 ochenatisüh «insu .4uerechnitt
eine andere wichtige ^usf^hrtshgiefara &in*ei'.e
genäaaen Transietore, . · .'
Fig. 10 sehe'aijfisoii »in··- äp»iifi|lWi% -kut :--WU-"
weiteres Ausführtuigsbeispiel »iitoa i
deaaatorepeiobers geraaas der 3rfindusi,
Fig» ί1 sehematisoh einen ßeaiss der
9093A7/Q8SS · . -r..\ t-aciV;-. BAD original
PHN 3145
ZI - XI der Flg. 10 Geführten *ue?eoknitt durch «inea der
im apsichey nach Flj* 10 verwendet«» 'üraneiotorea. ■
Der integrierte KondensatorSpeicher gesslaa des
Fieren 3» 4 und 5 enthSlt «Ine Folge voa Xap&ai%lte&»
bei dor mit Hilfe von Steuersignalen Ladung cua eine? KapazitSt
der Folge über einen -Tr-aneiator ϊ {wofeei in-Fig·
3 η von 1 bis 12 ^-eht) zur nächsten Kapaaität der F©lg%
verschoben «erden kann, zu welche» Zweck zwischen je
aufeinanderfolgenden Kapaaiflte& ein «olühey
Tn vorgesehen iet9 wob«l di*»# TrenieiatO3P«n ^_ abeafalls
eine FoI je bilden, während i*r Kollcktosr a Ti nur m "
Transistors T an der Stalle eines Sentaktfeasts
η B
mit einer Met&lilsiterliaira 18 Xont|i|ct aasht$ als
Kollektor η für die VeraoliiebHBg vqs ladung an der 9%·!·
Ie eines Kontaktfeneters I5 ait &m Saittex 52-'4ea
folgenden Transistors yerbiad«t9 wobei der
Speicher ein Substrat SO »ufweist, das ait
Halblititerinsaln f Ma. Ί3 vareehsn 'iatt ■ in
die Transistoren '£ Wflaiea·" lala:vorli#g»ad#n AuafShrungsbeispiel
besteht das"Sufeetrat 50'aus ein·»-Malblai« *
t ·!»·?. ta rial vom einen Leitungstyp, auf daa «iint" »pltak«
tische Schicht roe a&deran Leitisngstyp ene«1»yaefct ist»-
Me«β epitttktisohe ScMeM iat d«3f*h iaoli#rs9Ä<m 63
@iB«n Leitungatyp in "έα&έΜ t'Ms 13 untartallt«
ist die Ob«rfIoeh« der epitäüliäcben äohieht ait
Isoliorsshicht veraehea» ia dey uaür "and·**»
% <i S 0 \ Γ · ■ -: * . BAD ORIGINAL
PHH 5145
fenater 15 bis 17 «neebraoht ainft· Dl· In··In 1 big 12
•nthaitan je einen Tranalator J , di· in Pie· 3 &«r Xtouit»
liohkeit halber nur aöheaatieoh durch dl· KonteJctfeneter
15, 16 and 17 «Up den tfnltt·*, di· Beil· fet* den Kollektor
jede· Transistors angedeutet «ind·
. ' Geaasa der Erfindung beetehen di· Speieherkap*-
zitSten aus dm Kollektor-Basia-KasaKitit der Translato-
ren T ,'«Ehrend die Buaia«l«ktrod«n der Transistoren T
η . . ■ η
je durch ein Fenster 16 alt einer der Wtal11«itbahnen
19 und 20 Xontakt stachen und somit sum elektrischen fiin-
£anc bx*· zu den elektrischen Eingingen.für die Steuer-•i£nnle
gchOren, di· eittels der Ketalleitbahnen 19 und
20 zugeführt werden kSnnen. .
Dieser Kondensatorspeicher^hat eine koapakte
einfache Struktur, bei der die je Upeichereleeent erforderliche
PlEch· klein ist, weil jede· Sp*icherei«jMnt
au· nur tinea ^ronsietor. besteht« Dabei sind di· ?*rlu*t·
infolge «Ines clAktrlsohen Überspreohens durch knpaiitiY·
Kupplung praktisch Yernuohllssigbar und die VMpf^&C
wird nahezu YOlIi(J durch das Ausaasa beYtia&t* in de*
der Stroaverstarkunt'sftlttor d#r Transistor·!! .von
verschieden iet· . " ' ' ·'■
Di· Basiselektroden:mehrerer Tranalstören
sind durch Fenster 16 und die Metal leitbahn. 1 ? oder 2.0
Galvanisch oiteinander verbunden, wobei-die
derart ^etroffen ist, dass diese miteinander T*rt«nden»n
909847/0850
BAD ORIGINAL
- 20 - '
3145
Transistoren ktine zwei eufeinanderfolgenden Transistoren
enthalten. Infolgedessen kann da· gleiche gleichzeitig den Basiselektroden verschieden«?
zugeführt werden, so dass weniger Schaltspannungsquellcm
erforderlich sind, als wenn jedem Traneiator ein eigene·
Steuersignal zugeführt werden würde· Wie bereit· wnrShnt«
bringt diese.Vereinfachung jedoch eine Verringerung
tels der Leiterbahn 19 und die der g«r*4sahlia>a Tran·!··
toren T durch die Leiterbahn 20 galTanisch altelnander
verbunden. Die Folge von Transistoren T_ weist infolge>
dessen eeohs aufeinanderfolgende, aneinander grensende
Gruppen auf, die je die gleiche Anzahl τοη aufeinander- ■
folgenden Transistoren enthalten, wob·! die Basiselektroden der Transistoren, die zu versohiaAeaen Ofuppaa gih$·
ren, jedoch in ihrer Gruppe diegleiohe Ordnung·»ah!haben,
(jalvaniech aiteihander verbunden sind·
Durch diese Verbindungswaise ergibt sieh tin
cT&nstitffer Komproeies zwischen der Zahl der zu verwendenden
Schultepannungs^uellen und der YersSgeruhgeselt je·
Speicherelement. Bei Verwendung von aus je zwei Transi··
toren bestehenden Gruppen betragt dieVersSgerungsseit
je Speicherelement ^T bek., wobei ? die Abtastperioda darstellt.
Bei einer grSseeren Anzahl von Transistor·» Ja
S09847/08S9 >· bad original
PHN 5145
Gruppe ist die Verzögerungezeit je Speicherelement proportional
'der Anzahl von Transistoren je Gruppe, die gleichzeitig Information enthalten.
Der Kondensatorspeicher nach den Figuren 3t 4 und 5 enthalt veiter eine Sndgruppe, die in dieses Fäll au« einer
Diode besteht, die. in der Insel 13 untergebracht ist·
Diese Diode·-enthalt Zonen 21 und 22 von entgegengesetsten
leitung«typen, wobei die Zone 22 die Zone 21 in der Salt·
leitorinsel ua^ibt. Die Zone 21' ist an dor Stell« do·
Xontaktfensters 23 mit der Metall· it »ahn 24 Wrbundoaft
die an der 3t«lle eines Fensters 17 alt des Kolloktor
des Transistors T^2 Kontakt oaoht, Durch -das Xontaktfonster
25 sind die Zone 22 und die Insel'13 alt der MetalI-leitbahn
19 verbunden, wo-bei. der p&->Ubergaag z«isehen
der torte 22 und der Insel TJ an der Stelle dee Fen st er β'
25 leurage schlossen ist· .'.,.! .-...■.··.· '.· · : ·.
• . *.*-■'..;..De,r integrierte/jjjjeieiwir Jcäna- alt iübliokea Pia·
nir|ran*istoren aufgebaut we*dea.. Die- JCollekter-ifaeie-Käpasitit
solcher Trähelototeift betrügt ei*a 1 pf.. Bio* tafioee
dieser Kapazität lSsst aioh d#duroii'ottisfP.rn, dato der
Plüoheninhalt der Bagiesone-verbessert-wire% . .· · ;" .
Beim Aueführtmgsbeispiel fe-eeäe»;den. Figuren 3,
4 und 5 findet eine Wirkungsvollere ϊ/e.ise *ur ?ergrBss#-
rung der Baeis-Kollektor-Kapa^ität iöiwendung« Die 4i«llektorzone
des Transistors Tn besteht &ua der läseiji(siehe
yig. 5, in der η - 4 i3t). Die Basiszone ist eino: Ob**·
909847/0859
·■:■ .BAD ORIGINAL
- 22 - ·
mn 3145
flSchenzone 51» Sin erster übcrflächenteil dieser Oberflächenzone
wird durch die Emitterzone 52, ein zweiter durch
eine zusatz liehe Zone 33 eingenommen, wobei die zusätzliche
2one 73 von gleichen Leit«un£styp nie die Enitterzone
52 ist und galvanisch mit der an die Basiszone 51
grenzenden kollektorzone 4 dadurch verbunden ist, dass
der Bandteil 54 der Zone 55 einen Oberflächenteil der
Kollektor«one einnimmt.
ea
Der pn-übergang 55 erstreckt sich zwischen der
Basiszone 51 einerseits und der kollektorson· 4 und der
zusätzlichen Zone 53 andererseits. Dabei ist der FlEeheniixh<
dieses pn-übergang» 55 und somit auch die Kollektor-Bas
is -Kupa ζ it.St erheblich grSsscr als heia Fehlen der
Zone 53· ferner kann die Dotierung der 2one 53 höher als
die der Kollektorzone 4 und 2.3. gleich der der Eiaitterent
52 Bein. Die« hänft alt der Tatsache zusanmen, dass
die Dotierung der Kollekteraöne verhSltniealeeif niedrig
gvv&hlt v«rd«n au··» ««an la tor Ιη··1 4 alt Hilf« der
Cblichen FhotoSta- und X>lf f. sionsverfabres ein« Baeieione
51 und ein· Emitter*©»· 52 ang<»br»oht werden aünsen·
Durch den Unterschied In Dotierung zwischen der Kollektorzone
4 und der zusätzlichen Zone 53 ist die Kapazität
je PlSchenciaheit des Teiles des pn-Übergangs, der sich
zwischen der Zone 53 ^d der Basiszone 51 befindet, er-
heblieh grSaeer als die des übrigen Teiles dieses Überganges
55· ·
909847/0859
PHN 5145
Vorzugsweise nidnt die zusätzliche Zone 53 mindestens
«in Drittel der Oberfläche der Basiszone rj\ ein.
Bei Anwendung von "für Planartransistoren {(blichen Dotierungakonzentrationen
und Zonendicken ist die Kollektor· Baaia-Kapazitst sodehn um einen Faktor von taindestens 2
grOsser als-bei einer Basiszone gleicher Gröese, jedooh
ohne zusätzliche Zone.
suga weise ·ό gewählt, dass diaees Tenot'er auf einer
lichst langen Strecke sowohl an die Emitterzone 52 alt
auch an die tueatzliehe «ione 55 eronit« wodurch sowohl
der Basiswiderstand des aktiven Teils de· Transistor« als
auch der Serienwiderstand de· kapazitiveren Teils der Basiszone
51 möglichst beschr&okrt werden* Der Ansohlusslei·
ter 20 aaoht deshalb Kontakt alt dar. Basiason« $1 an ti*
ner 3Uli.e, die dureh da· Xontaktf«ni*fr »6 Wstiaet wird,
4a· »wisöfeen der »eitterMm^ 52 und t»r K««lt«li«h*n
.'"".. ' Derltendiheaiborspiioher aaV«|l~ajt*·Ψϊβρχψ* 3» ♦
«ad Jiit rBllig auf «Ina. ia 4e.r,Mai»i*ii*ria»haiM Ib-Iioh·
Uwiae herstellbar« »as yutsti-a* 5··-W*tfί&Μ a,B.
au« p-leitendea Slliciutt. Auf. de» dübstrÄt kann1 eine epitaktische
Schicht aus tJeitenden 8ili«iuB »4* eina» i>ieke
▼on z.3. 10 /um angebr&cht· eexn. liitteie üblicher .Photoatz-
und Diffusionsverfahren kS&non dann die p-leitenden
lsolierzo.nen 63 angebracht werden, woduroh eioh die iso-
909847/0869' -
5U5
lierten. ±neeln 1 bjs 13 ergeben, Di· Inseln t bia 12» in
denen die Transistoren T1 bis T12 untergebracht eind, haben
z.B. die Abir.ee s uiii: en 125 /um χ 135 /UO. DsIe Abmessungen
der diffundierten Basiszonen 5.1 können 85 /Ua x 95 /Ua
betragen. Die Emitterzone 52 ist z.B. 1 /um dick und
nlnuat einen überflachenteil von 20 mm χ JO /um der Basiszone
51 *in. Die Sicke der zusätzlichen Zone 53 be-
t gleichfalle 1 /tun, wenn sie gleichzeitig nit der
Emitterzone hergestellt werden ist. Die Breite der gone
?3 ist z.B. 35 /um, wahrend der Randteil 54 s.B. 5 yvm
aus der ursprünglichen Begrenzung dar Basiszone $\ heraueragt.
Pie Zonen 21 und 22 der Diode in der Insel I3 können
gleichzeitig mit der Basiszone £1 bzw. der Sfflitterzone
52 fJigebraclit werden.
Die Oberfläche des Halbleiterkörper* l«t mit
einer leolierechicht 56, s.B. au· SilioiuaoÄjrd und/oder
Siliciumnitrid, überzogen. Auf dieser leoliertohioht
kSanen auf übliche Weist Mttalleitbahnen 1Θ, ty, 20, 24
und 26 angebracht werfen, die duroh in der üchicht §6
hergestellte fenster 15, 16, 17, 23 und 25 Alt den darunterliegenden Halbleiterzonen Kontakt «achen. Die Metall·
itbahr.en 19, 2ü, 24 und kb v.eisen ferner Gebiete 27,
2S,^9 und 30 zu KontaktieruntiSzwecken auf. Jiese Gebiete
27 bis 3(J können auf übliche Wise mit Kontaktstiften eines üblichen Gehäuses verbunder, werden. Das Gebiet }ü gehört 2ur. elektrischen Eingunf des Speichers, durch den
PHN 3145
der KOllektor-Baeis-Kapazitiit des Transietors t. infornation
zugeführt werden kann. Über daa Gebiet 2$. können de«
werden· Über die Gebiete 27 und dB kann die YerSchiebung
der Ladung ia Speicher mit Hilfe von Steuersignalen gesteuert werden. . . . . .
Fig. 6 leigt ein Schaltbild, bei de· der Innerhaie
der strichpunktierten Linie liegende Teil de» integrierten Speieher naoh den Figuren J bis 5 entspricht.
. Der elektrische Eingang des integrierten Speichere
ist »it einen Blngangeltrei· +erblinden, der au· de*
. Reiheneohaltung eines .fideretande» H. und einer ein Auseangssignal
T. liefernden Quelle besteht, wobei die rom ■
Widerstand H0 abgekehrte "tUmm die«eV Taille im ein Be.
zugepotentiel, e.Bv an Εχϋβ, ceitgi ist. 2wisohen den
• Gebieten. 2? uerd 28 1st eine {»oiMtltepejaLnuo^tqueiie. I1 angebrftöht,
dit ein ^te'uerfignal V1-- liefe*** tlhMnd AmM ·
CeWt 2β An ein, Jeiu&sp.otenUaVfcjeUgt itt.. Mit Ulf· des
Steuersignale V wefdtn» wie nach« ie head^ j»B^sr erltut«rt
wird, Traneistoren der Folge ««eoks.der:fersia&leb«ag ton
Ladung in den leitenden Zustand tfebraöhty »«hei die be~
naohbarten Traneietoien Jedes, leitenden T¥4neiitbre der
Folge nichtleitend sind. Anflgäogäsi^iale kJJnne» dem KoV-
" lektor eines oder oehreTerdef Transistoren' t-'t .·*·Β·ϊ· wie
in der Figur dargestellt ist, dem Kollektor des Tr*n«letors
T12,,entnommen werden.-Der kollektor diese» Traneie-
908847/085»
PiIK Ϊ1.--5
tors T.2 iat mit einem Ausgan^skreis verbunden, der schematisch
durch den Block U angegeben ist und dessen Aufbau" für die 3eSchreibung der Erfindung unwichtig ist» Der Ausgangekreis
U kann z.B. einen Impedanztransformator und einen
Tiefpass oder eine weitere Verzögerungsleitung erhalten.
Zur besseren Ver»t£ndni· der j/lrkungsweiee dea
Speicher· eind in Fig. 7 die wiohtifetea Spaanungeaeitdi*·»
graiaae in einigen Funkten der Jehaltun* nach Fig· 6 dargestellt.
Fig. 7a zeigt das Zeltdlaeraa* der d pawning ?Ä
der Sohaitspaanungequelie S^. Mt Spanou&f ist eijs* s/an*·
trisch* Aechteekspannungait einer positiven Spitse von
♦ £ Volt und einer negativen upitae von - K Volt, »Ehrend
die Periodenzeit der Rechteckspannung gleich T Sekunden
let. Diese Periode T, die Abtastperiode, sttss us Kindes- .
tens einen Faktor 2 kleiner als die Periodenzeit der
höchsten in der £ingangs*pajttm&g V^ auftretenden Signalfreouens
«ein, Sie lingaAfcepattaan« T. iat i» Fi^. ?b 4argeteilt,
wahrend der Zeitintervall· ft, Yy f. und
γ·η hat der Punkt 27 der Fig. 6 ein Potential von - S
Volt it. bezug auf den iunkt 28, der alt Erde verbunden
ist. Der Transistor T1 ist wahrend der erwähnten Zeitintervalle
nichtleitend, wenn die ^in^an^sspannung 7. ^
- £ Volt iet. Wenn angenommen wird, dass die Kapazitäten
C auf eine Spannung »wischen 0 Volt und + B Volt jeladen
sind, so sind auch ciie weiteren ungeradz_.ahlig;en
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PKN 3145
T,, Τ^» usw. nichtleitend. Die Transistoren
Ϊ.,, T , uaii sind.in diesen Zeitintervallen leitend, wenn
die Spannungen Über den Speicherkapazitäten C,, C-, us*,
kleiner als ♦ Ji Volt sind« Sodann werden diese Kapazitäten
C^1 C,, usw. auf eine Spannung von *B ToIt geladen,
vShreridt die "Spannungen Oljer den Kapazitäten C», CL, utv«
je UO den gleichen Betrag absinken, um den die dpajinung
über der vorhergehenden ungeradzahligen Kapazität anateict.
Dabei wird angenofcaen, das· eaailiohe Kap*iiitl%en
Während der 2ei.t, in der der Punkt 27 eine Spannung von *£ YoIt in bezug auf den Punkt 26 hat, d*h. geaäfls
Fit". 7» während der Zeitintervulle Ί 2t V^t. Tg und
^ Qt «ird inforcation über dje Create des lingangeeigaale
V. an die Kapazität C1 «eltergegeben« Die CrOese de· lin-Range
eigncl· * !lh rend dieser SeitinterTall« ist «leioh t,
O, ♦l.bzw. O Volti wihveni dl«ur »vnikttemlle wird '
4er Txaneietor-T. dureh einea Stro« dürohflosten, der
g - γ- —···.-··■■
gleich ' Atapei1· ist und di«.apanttttn4 rvä JC ToIt über
der Kap-izitüt C1 verrinßertJ öabei ttelit r den inneren
Basia-iiaiitter-Widerstaivd dnr. Die Ströme, 'die während
der erwähnten ^eitintprvalle den Trwieistqr-f^.durchfliee-ςβη,
Bind in I-'if. 7c dÄi-^eateilt, während der Verlauf dfr
Spannung über der Kapazität C in Pij· 7d und der tier
Spannung über 4er Kp.pazitSt C2 in Fig. ?e
BAD ORIGINAL
t J
sind. Aus Pig·* 74 geht hervor, iass <Jie
über der Kapazität c~ während der Zeitintervaile
t £ und Ύ β linear mit der Zeit verlaufenr wae jedoch in
Wirklichkeit nur dtann der Fall ist, wenn der l&derstä»d
R vielmals grSsser ale der innere Basia-Ekiitierwider-Starsd
r des Transistors T1. ist» lltie grScste
kun^, nämlieh AV - E YoIt1 tritt im g
nMirend die Spanliuiit'seenkung im Intervall /2"^ gleich WuIl
Volt iat.i infolgedessen besteht nur fitr die Eingangesignaie,
welch· dn Intervall -E K V« ζ * E Volt liegen, eine
lineare Besiehung attischer, der SpaiUiungssenkung 7 Über
der Kapazität O' und dej^rwähnten iingan^ssignal. Der
Widerstand R Kuss dabei so gross ben«ssen «erden, da··
ο .
bei einem Eingangssignal von 0 Volt aie Spannung fiber der *·"*
Kapaaltat C1 während der Zeit, ie der der Punkt 27 ein
Potential von ♦ E Volt (;egen jSrde hat, genau gleich £ S
Volt wird» Der zu diesem Zweck erforderliche sittlere
t .
ι ■■..-■
B K + Γ«
tat C und die leitä'iuer T" ieder Äbtastperiode 1F, »Ehrend
der das Potential de» punfcte· 27 -fleicb -f E Volt
istf bestinimt. Dieeer Ladeatron ist glaich G1E § wobei
S/2 die Spannun£sSenkung über der Kapazität C, bei einem
EixiC&ngeeignal von 0 YoIt lit« Daraus; iolgt* dass fffr
eine richtige Einstellung des mittleren Ledeetroae T
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ORIGINAL
PHN J145
C1 R
gleich sein nuss. Günstige Verte für den mittleren
2 ·
Lade st rom ait flöek'sicht Auf ein gutes üignal-Rausoh-Yerhältnis
XkTiA auf die. erforderliche cichaltleirtung liefen
»wischen 1 /uA und 1 al.
Iiea letzten Transistor der Folge, T12, folgt
eine Vorrichtung, beim vorliegenden Beispiel die Mode J),
welche dient, un die Spannung über der Kapazität C12 *uf
den Bezugspegel'von +B Volt zu bringen, jeweils bevor neue
Information an diese KapasitSt C12 weitergegeben wird·
Dies wird dadurch erreicht, dass die vom Kollektor de·
Transistors T12 abgekehrte öeite der Diode.D mit den Basiselektroden
der ungeradzahligen Transistoren T verbunden
ist, wodurch die Diode D; gleichzeitig« mit diesen ungeradzahligen Transistoren T in den leitenden Zustand
k'orfttit. - ' ' . ';■.■■·' ■·.·"·■ ·.·'··.
. ' Aue der irlfitttenin^ akr Schaltung nach Wf · 6' '
geht hervor, da?s die inforsatlon in tor* eine*. L*4un#fmahfe,-eli
von einer Speicherkapazität C ^1 aas di· nlohete
Speicherkapazität C weitei'geleltet- wir** -JeAO**! vird
eioe Kapazität Cn-1 aus der'naon.f'olgfrhdtfÄ Eäj^eitit Qn
wieder auf den Bezu^spegel von £ Volt nachgeladen, »9
dass die inf ormationsübertra-^og.. «nd die iAAangeYeriotjIebuiit;
in ent&egenfesetaten Hichtungen errölgea» -" ■' ' . .:;
Es dürfte weiterhin einleuchten, dass die Kin«
gangesignale auch dem Emitter eines anderen .als des «rat«·
909847/081$
3145
Traneistors der Folge sowie gleichzeitig; den Emittern nehrerer
Transistoren zugeführt werden können.
Das Ausführunb-sbe5 spiel nach den Figuren 5» 4 und
lj eines integrierten Kondensatorspeicher enthalt Transistoren
T mit erhöhter Kollektor-BaeiB-KftpasitSt. Ein derartiger
Transistor alt erhöhter Kollektor-Basis-Kapasltlt
wurde insbesondere an Hand der Figuren 4 und 5 beschrieben.
Bin andere« Ausführungebeispiel ein·· Tranei·-'
. tors ait erhöhter Kollektqr-Baaia-KapazitEt, der auch in
einem Kondensatorspeicher geaiss* der Erfindung Anwendung
finden kann, vird nunmehr an Band der Figur 8 beschrieben»
Fio C zeigt einen den ^,uerschniti der Figur 5 entsprechenden
Querschnitt durch «inen Transistor ait erhöhter Eellektor-Busis-KapazitSt,
wobei in den beiden Figuren «nt» ^^
sprechende Teilt Bit den gleichen Bezugaaiffern beseiChnet
sind. Beim Transistor nach Fig· ö besteht die iusätsliche
Zone aus saehreren Teilen, die in dor Figur ait 60
und ii bezeichnet sind. Diese Teile 60 und 61 können Teile
einer zuBäiiuaenhänjenden zusätzlichen Zone aexn und/oder
i-.B. durch Fenster und eine Metalleitbahn galvanisch ait·
einander verbunden sein. Ferner kann auöh ein« zueätzliche
Zone Anwendung finden, die im Halbleiterkörper völlig
dur^ft die Basiszone umoeben und a«Bc dureh eine Ketalieit»
bahn mit dar Basiszone verbunden iet.
Beim Ausfünrungebeispiel i;ach Fig. 8 ist awar
der Oberflächenteil der Basiszone, der dureh die zusatz-
903S47/ÖHS
BAD ORSGiNAL-.
1.919587 .
- 3-f -
FHK" 5145
liehe ion« eingenommen wird, kleiner all bei« Transistor
nt oh Fig. 5, aber dear steht gegenüber, das* die landllnge
der zweiten Zone *aji der ObeffHohe des Halbleiterkörper»
grBeeer i»t. Bei einer diffundierten Baelssone ist dl«
Konxefitrfttioa i»r Detierunf an der Ob«rfltohe mm hSiiilM«
Infolf««!«i«en ici die Ktpttsitlt Je Fllohaneinheit des JM
Übergmgee fcwiichen der xueltrliohen Zorn· und der Be^iesone
gerade an Rande, in der Mähe der Oberfläche de·
HalbleiterkSrpere, as grQeaten« Za alIge«βinen hingt ee
bon den Dotierungekontentrationea und dra Dicken der Basiszone und der lueltaliehee Zone ab, welohe Geometrie
die grSeete KapasitSteerhBhung ergibt. Das vorstehende
ermSglicht ee den Faohaann, von Fall iu Fäll »u beeti·-
men, ob ein ae&liehet groieer fit«h*sinhaltf eine »8«-
lichet {jroeae Kandlfinge öder, e&at *#i»ehen die »en beiden
Extremen liegende Zwiechenfoni Bit Hfiokeioht auf die XBglichkeiten
und die Beeehrlfikangtn der aur ?*rf*gune »tehervden
KeT»teliungeverfahren zu; bevorittfen let. " '
•Fenie.r kann, die Kollektorzone 4» vie' die· ta
Fig· ϋ dargestellt ist, aueeer einem boohohmdgen Veil einen
niederohmigen Teil 4a uefaieen, wodurob der 4£ollelttereerienwideratand
herabgesetzt wird, ßieeer nie4erahmige
Teil 4s kann z.B. äuT die darfiptsttllte, Übliche W«iee die
Form einer vergrabenen äohiöltt habfn. . · -.· .' . ·. '
Fig. 9 aeitjt einen LJchnitv diiareh; .eine·" iniiteret
wichtig« Aueführungsform eines Transistors Bit erhöhter
tstisi?
- 52- -
Kollektor-üasie-KapuzitSt. Dabei weist die Eäeiiäöhi «inen
dicken Teil 51a und einen dünnen teil 5"Ib £uft wahrend die
zweite Zone 55 wenigstens* einen Oberflachenteil d«e dioken
Teile 31a einnimnt. Durch Verwendung einer Baeiesoa* Hit
einen dicken und einem dünnen feil wird der Basiiwider-Etand,
insbesondere der des kapazitiveren Teiles der-Si«
üiBzone, erniedrigt. Dabei kann jedoch der Serienwider-#
stand zwischen dem Teil der Kollektorzone 4, der unlfr
der Emitterzone 5<? liet,t, und der züeStzliehen iiorii 53
ir.l'oife-e der geringeren Dicke der Kollektorsone 4 unter
dem dicken Teil 51a der Baeieaone grÖeeer aein» Es ilt
däfihalb bei Anwendung- f^|K, Basiesone nit einem diokeB '
und einem dünnen Teil gewünaoht, Ιαββ die Kollektor«©»·
aus?er einem hochοhaigen Teil einen niederohaigeh Teil 4a
enthalt, der eich wenigstens teil»·!«· unter den dieken '
Teil 51a der BaeÜaBne erstreckt.
Auaser einer Emiedriguae des Basieaerienwidir»
Etandes t'i^t die Anwendung einer Basiszone mit einem
dieken Teil den weiteren Vorteil eines Bei trac·" zur erhöhten
Kolliktor-Baiie-KapozitSt, weil der Fliiehiriinhält
des pn- Über£ant;e8 zwischen der Köllektor»ne 4 tind der
Baeiszone 51 verjjr8seert iit. Di#e#f Beitrag wird fläjiri ·
noch etwas weiter vergrösaert, wenn der diöke Teil 5fit
der Basiszone an den niederohniigen Teil 4^^ der Kollektorzn·
£rehzt. Die letztere iLüsführvu^rsforr, hat atiseerden
den Vorteii, daiü der dicke "Teil 51;: der Basifsörie bei
BAD ORIGiNAL
-■"33" - "
PHW 3145
der Herstellung des Transistors gleichzeitig mit den Ä*olierzo&en
6J angebrecht werden kaaa· Uhren* »loh iie .*··-
lierzorfen 65 bis in da» Substrat 50 erstrecken, atSast der
dicke Toil 51a der· Basiszone auf den niederohmigen Teil 4*
.der Kollektorzono, wodurch kein- Kurzschluss zwisohen der
Basiszone 51 und dero Substrat 50 auftritt·
einer zusätzlichen -one hoch die einer Basiszone Kit ein··
• · · . ". . dicken und elnea dünnen Teil einen suaStzliehen Diffuslonavorgang
bei der- Herstellung· Die zusätzliche 2on· kamt
gleichzeitig alt der Enitterion«, ier disk· Teil der Be>
siazone gleichzeitig alt den Xaolierzonen hergestellt
werden.
Bei einem «eiteren Auaftthrungabeiep^el einea integrierten Kondensatorspeiohera ^asäs's der'Erfindung» von
dem-Fie. 10 eine Drüufaie-hf zeigtt ist durch' di· Terweix- ·
dung· e.ihea Traneietors νβη.β^η«»'»äderen.Ty^p der eirfor·
derliclie Flächeninhalt .^e Spiiich.exelemeij-t erhebltch -war-.
kleinert. Dieses Ausfühxungs&elspiel enthalt ein· Folge
von 9 TraneiatorsnTyQ -..Τ-", die drei aufeih&nderfolg#nde
aneinander grenzende Gruppen..'yon^Je. drei· Hufeiaand'erfolgenden
Transistoren, nämlich: ϊ~0 - T^ " ^t* " '^75 ^111*
Ϊ7£ - T7ß, aufweist. Die- Kollektorzone 80^edeβ "de* Transistoren
T70 bis T77 i**oht .'arider. Stelle ein«*
81 in einer Isolierschicht. Kontakt mit einer *uf der i.aoli'erechicht
liegenden *letalleitisrbahri M; die diejee Kollektorzone
80 B)it der Skitter2on· O^ des naohsten Trainaiatora
909847/OISfi ·. , ■ ;"".; BAD. ORiGINAL
3145
der Polfe durch ein Fenster 84 hindurch verbindet. Die
rtalbleiterzonen der Transistoren, die zu verschiedenen
Gruppen gehören, aber in ihrer Gruppe die gleiche Ordnungezahl tragen, das heisat die Transistoren Τ·»ο» Τ»,» Τ j el
T71» T74» Τ77^ und Τ72· Τ75* Τ7β* βΓβίΓβο1ζ:·η eieh in d*r
gleichen Halbleiterinsel 85, 86 baw. 87, wob·! dies·.Halb- '
leiterinsein eine ireraeinsane Basiszone für di· betreffende Transistoren bilden, während, di· laitter- und Koll«ktorzonen
in Fora von OberflSchtnaoßen 63 bav· 80 angebracht
sind. Dabei können den geaeineuMH Basiszonen 65»
06 und 37 Steuersignale über die Metalleitbahnen, SO, 89
und 9^ zugeführt werdei^^die an der stelle der Fenster 91 '
mit den Basiszonen Kontakt naehen. Die Basiszonen können
je duroh ein Fenster hindurch, vie dies bela vorliegenden Aueführungsbeispiel der Fall 1st, oder durch mehrere Fenτ
ster hindurch kontaktiert sein, die ζ·Β· an entgegengesetzten
Seiten der H&lbleiterinMl liefen können. Sie
Emitterzone 83 des Transistors T-Q ist alt der Metalleitbahn
y5 verbunden, die zum elektrischen Eingang des Speichers-gehSrt.
Über die Leitbahn 36, die an der Stell· de·
Fensters 01 mit der Kollektorzone 80 des Transistors T-.
Kontakt macht, können .luogan&ssignale abgenooiaen werden·
Ein Teil der OberflSche der Kollektorzone 81
wird durch eine v/eitere Oberflachenzone ')2t 93 bzw. 94
eingenommen, die vom gleichen Leitungstyp wie die Basisaonen
85 bis 87 ist. jede der weiteren ÜberflSehenzon·
909847/Otii
to 3145
92, 93 uh<i 94 ftiiat auch einen Teil der Oberfläche der b·-
ireffüriclih iäeiexbn* 85» Θ6 bzw* 87 ein, wodurch die weiteren
OberflSchentonen alt der betreffenden Basiszone §·!-
taniibh rerbunden «ind«
Δχα ErISuterung zeigt Fig. 11 einen ge alse der
βtriohpunktierten Linie XI - Xi der Fig. 10 geführten
.Schnitt durch den Translator T70» wobei entsprechende
Teilt mit din gleichen Bezu£3ziff«rn bezeichnet eind. Der
Traniietor ?-0 enthalt einen HalblelterkSr^er, der durch
eia dubitrat 100 au« z.l. p-leitend«· Bilioiu« und eint
auf di«tea «ng«brachte tpitaktieoh« Schicht 63 aus n-ieit«nimi
äilleiua gebildet wird, wobei eiat Emitterion· 63
und. ein· kollektorzone 60, die beide aus p-leitendea Si-.
liciua bestehen, sich von der gleiohen Ob«rflSch« 101 in
den HÄlbleiterlBrper hinein eretreck«ht wobei «ie innerhalb·
dee Heleleiterkörper« ciiarcb ·1ι»β Paii»jsonf.85 tuagebcß
jtiiüd·.Of·!*·-'d«r,'Sri^ö4uiag wird ein T*±l, der Ober* ·
fische der Ko%lektöraeä* durch ein· weiter« OberflSehen-
«örie 92'·1φηοΜ·ή,'ϋ«,το1 gleichen Leitung«typ iit wie
die Dftaieton· 85 und galvwaiich f?it. die>«r Vfrbunden iit.
Die Oberfläche 101 de» Halbl»i-ieik5rp»xe i*t
■it einer ieiliireehiöht 102 aberzogen, in 4*τ *ie Fernster
31» 84 und ()1 enfftWftcht #lft<t in aeoi^.lietaileitbahnen
02, 95 und 68 pit der Kollektoraöne 80, der |»itterxone
83 bzw, der Baaiszone θ5 Kontakt geb*Ä«
kann zur Verrincerünjg; von Serlehwiäeretathd iü: dir
9098/.7/095S
BAD ORIGINAL
PHN 3U5
zone 05 ein niederohmiger Teil 103» der in Fig· 11 ale ein·
gestrichelt -gezeichnete Schicht dargestellt ist und vom
gleichen Leitun^styp i3t wie die Basiszone 05» jedooh einen
niedrigeren spezifischen Widerstand hat, vorgesehen sein.
Der an Hand der Figuren 10 und 11 beschrieben·
integrierte Speicher weist eine besonders kompakte Structur
ait einen einfachen Leitbahnmuster auf. Ferner erstrecken
sich die Leiterbahnen 82e welche die Emitterzonen 83 des einen Transistors mit der Kollektorzone 80
des nächstfolgenden Transistor· verbinden» nur atf eis·?
sehr kurzen Strecke unmittelbar über 4er Kollekierse&t
dieses einen Transistor·» wodurch die parasitär· Butter*
Kollektor-KapazitSten, über die ein elektrisches fiber- *·*·
sprechen stattfinden kann» sehr klein sind·
Auch tritt die parasitäre SubatratkapasitSt
bei dieser AusführungsTora zwischen den Basiselektrode«
der Transistoren und des Substrat auf» was sohaltttaf»%·«*-
nisoh . günstiger iai als wenn sie zwischen den Kollektorelektroden
und dem Substrat auftritt» wie dies beta iipei*
eher nach den Figuren 3, 4 und 5 der Fall ist« Aueserdea
ist beim Speicher genass den Figuren 3» 4 und 5 die EaItter-Basis-Durchbruchspannung
oassgebend für die h&Ohstzuläesige
Spannung über den Speiohorkapazitatenf wobei
diese Durohbruchspannung bei doppeltdiffundierten Transistoren
Bit guten Ssiitterwirkungsgrad nur wenige ToIt
9098A7/08ld
. · ■ " BAD
-- 37 -
PHIi 5145
betrügt. Dagegen ist beim Transietor genäse Flg. 11 die
Baais-Uollektor-DMrchbruchspannung maeagebend, weil si·,
die niedrigste Durohbruchapannung ist, wobei dieae Durchbruchapannung
leicht höher als bei einem doppeltdiffundierten Transistor sein kann, .
.' ' Ebenso wie der integrierte Speicher gemäaa den ■
Figuren 3t 4 und 5' kann der" integrierte Speicher gemlae
den Figuren '10 und. 11 völlig auf eine in der Halbleitertechnik
üblich· Weise 'hergestellt werden.
Ea sei bemerkt^ dass die Irtindung sich nicht
auf die beschriebenen Ausführungsbeispiele beaohrlnkt und
dass für den Fachnann im Rahmen der Erfindung unnpbe Abänderungen
möglich sind. Se lSaat sich.ζ·Β. die Struktur
des Speichers nach Fig· } dadurch noch etwas kompakter
gestalten, dass die Leitbahnen 19 und 20 nioht TBllig ,
über den Isolierzonen'6^f aondern teilweise tfber dan KoI-lektorsonen
derjenigen Tranaietören,-. deren Basiszone «it
der betreffenden Leitbahn.'verbunden- ist, angebracht werden.
Die Isolierzonen. 63 können in dieses Fall aehaaler
ausgebildet werden, ohne daa.s aus^.tsliohe ja^msitfire
Kapazitäten, über die ein' elektriBcheeffberi^Techen statt
finden kann, zwiachen den'tiitbahnen.ij i»d έθ ψίά Kollek
torzonen von Transistoren, die ..nicht *i.t ..*·» b.«tr»f£end.*n
Leitbahii verbunden sind, eingeführt werden. 'turn*i XZnnen
kürzere oder längere Tran si st ojrfo Igen'Anwendung flndeni.
wobei erforderlichenfalls, die. Verluste, die ilBwea#nilr
909847/0859 ·. . . -■;·...·" .BAD-
ΡΗΠ 3145
liehen dadurch verursacht werden, dass der Verstärkungsfaktor
der Transistoren kleiner als 1 ist, durch Zwischenschaltung
ein·· oder mehrerer Ladungsverstärker ausgeglichen
werden können. Auch können mehrere Transietorfolgen
parallel geschaltet werden, wobei ein gemeinsaner Eingang
und/oder ein gcmeinsaner Ausgang verwendet werden k&nn.
Ferner kinnen übliche Abtastkrelee und/oder Ausgangskrefrse
benutzt werden, die ebenso wie die etwaigen Ladungsverstärker gnnz oder teilweise zueamaen Bit den Kondensatorspeicher
integriert werden kinnen. Diese und weitere Höglichkeiten
der Schaltung sind bereite in der erwähnten
Patentanmeldung Nr. ...^LgDi 2006c) erwähnt worden·
.,uch können als fiingangesignale nicht nur elektrische,
sondern auch andersartige, z.3. elektromagnet!- *
sehe, Jignale Anwendung finden. -Js kann z.B. die Photo- empfindlichkeit
des Kollektor-Basis-Ubergange ausgenutzt
werden, wobei es wichtig ist« dass die Photoempfindlioh-
e»
keit dieses pn-UberganoS bei einen Transistor nit erhöh- .
ter Koliektor-Basie-Kapazitltt infolge des Vorhandenseins der
zusätzlichen Zone b2w. der weiteren Oberfllchenzone
gesteigert ist. Diese gesteigerte Photoeapfindliohkeit
hängt nicht nur alt dem grösseren FlScheninhalt de· pn«
Überganges, aondern auch mit der Tatsache zusannen, das·
ein Teil dieses pn-Ubergangea, d^h, der Teil zwischen der
zusätzlichen Zone und der Basiszone bz*. zwischen der weiteren
UberfiSohenzone und der Kollektorzone, sieh in einen
909847/0859
PHN 5145
geringeren Abstand von der Halbleiteroberfläche befindet,
als bei'o Fehlen einer derartigen zus&tzliche. Zone bzw·
«eiteren Oberfl£ohenaone der Fall wSre«
«eiteren Oberfl£ohenaone der Fall wSre«
Die TrtJisis toren können sowohl npn* als au oh
pnp-Traneietoren sein, während auch andere Übliche Geometrien, isolierverfahren und Materialien benutat werden. k6nnen· Auch kOnnen Transistoren oif erhShter Kollektor« Basis-Kapazität in einer üblichen Gehäuse untergebracht und als BütteleDtnte« z.B. in Kondensatorspeichern, oder als Millerintegrator verwendet werden· Dabei können die isoliermonen entfallen vnfl. es kann z.B. eic niederohuiges Halbleitersubstrat Tom gleiohen Leitungetyp wie die Kollektorxone Anwendung finden«
pnp-Traneietoren sein, während auch andere Übliche Geometrien, isolierverfahren und Materialien benutat werden. k6nnen· Auch kOnnen Transistoren oif erhShter Kollektor« Basis-Kapazität in einer üblichen Gehäuse untergebracht und als BütteleDtnte« z.B. in Kondensatorspeichern, oder als Millerintegrator verwendet werden· Dabei können die isoliermonen entfallen vnfl. es kann z.B. eic niederohuiges Halbleitersubstrat Tom gleiohen Leitungetyp wie die Kollektorxone Anwendung finden«
909847/0859
Claims (1)
- PKIf 3145Patentansprüche ι1. integrierter Kondensatorspeicher, der ein· Folge von Kapazitäten enthalt und bei den mit Hilfe von Steuersignalen Ladung von einer Kapazität der Folge über einen Transistor zur nEchetfolgenden Kapazität der Folge verschoben werden kann, zu welchem Zweck.zwischen je zwei aufeinanderfolgenden Kapazitäten der Folge ein solcher Transistor vorgesehen ist, wobei diese Transistoren ebenfalls eine Folge bilden, während der Kollektor eines solohes Transistors zum Terschieben von Ladung mit dem Esitfcer des nSchetfolgenden Transistors verbunden ist, wob·! der integrierte Speieher ein Substrat enthält, dae alt ii*U·?· ten Halbleiterineeln versehen ist« in denen sieh die fran« sistoren der Folge befinden, dadurch gekennseiohnet, dass « die Kapazitäten durch die Kollektor-Basis-KapazitSten der. Transistoren gebildet werden, während die Basiselektrode» der Transistoren xua elektrischen JCingang btw. zu dem elektrischen Eingängen f6r di· Steuersignal·2. Kondensatorspeieher naoh Anspruch 1, gekennzeichnet, dass die Basiselektroden oiaer Ansahl von Transietoren der Folge galvanisch miteinander verbunden sind, wobei diese /inzahl v^n Transistoren keine zwei aufeinanderfolgenden Transistoren enthält.3. Kondensatorspeicher nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Folge von Transistoren mindestens zwei aufeinanderfolgende nnelnandergrenzende Grup-9098A7/08S9BAD ORiGlNAi3U5pen mit je der gleichen Anzahl τοη aufeinanderfolgend·!! Üranaistoren enth<, wob. el die Basiselektroden derjenigen Traneiβtoren, die zu versohiedenen Gruppen gehören, aber in ihrer Gruppe die gleiche Ordnungszahl tragen» galvanisch miteinander verbunden sind,4. · }>.dndensator3peioher nftöh eines oder mehreren der vorstehenden ..nsprüche, dadurch gekennzeichnet, das· die Basiszone mindestens eines der Transistoren der ?olge eine Oberflächenzone ist, von der ein erster Oberfliehenteil durch die Snitterzone und ein zweiter OberflSehenteil durch eine zusätzliche Zone eingenommen wird, wobei die zusatz Hohe Zone, die vom gleichen Leitung· typ «1« die Emitterzone 1st, galvanisch alt der on diese Jlasi·- * zone grenzenden Kollektor»ne verbunden ist·5. . Kondensatorspeicher nach Anspruch 4t -dadurch gekennzeichnet, dass die erwfihntfe Basisedhe' mit-ein«a Anschiu'sileiter verseheh'-l»t, der an. finer zwiechefc der Emittersorte und.-der zuabtauchen Zone liegenden. Stell· mit der Basiszone Kontakt gibt· . · . '6. JLondensatorspeicBer nijitfh rJiepruoh 4">€·*.% durch gekennzeichnet, des« ^ie ijr'fitf'..Saft* üjpMir>iNi·" Drittel der OberflIch* der Baeiazohe elaniiat;7. Konder.uiatorepeioher -«a#h elB·« «4«r itekrerefli der Ineprfiche 4 bis ό,. dadurch gekennseiahoet, d·*· dl·, erwähnte Baeietone einen dicken, yaaa elhen dftnee». Ail■ a»fweistf wobei die zusätzliche ?ofte wenig*tens ein·« 0·«*«909847/00Sl-. ■':.'■ ■ BADORiGINALPKN J145flSchenteil des dioken Teiles einnimmt·8. Kondensatorspeicher naoh Anspruch 7» dadurch gekennzeichnet, dass die Kollektors tfe ausser οinen hochohmigen Teil einen niederohnigen Teil enthält, welcher niederohmige Teil sich wenigstens teilweise unter dem dicken Teil der Basiszone erstreckt· .9. Kondensatorspeicher nach Anspruch- 8, dadurch gekennzeichnet, dass der nledcrohaige Teil der Kollektorxone an den dicken Teil der B&sisaone grenzt.10« Kondensatorspeicher naoh Anspruch 2 oder 3 t dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterzonsn einer Anzahl von Transietoren derFolge, deren Basiselektroden jalVc-nisch niteinander verbunden Bind, sich in einer gerne ine amen Halbleiterinsel erstrecken, wobei die Halblei- ■ terinsel eine geaeinsaoe Basiszone £ür di· Transistoren bildet* während die Emitter· und Kollektorsonen in foxn von Oberfläohenzonen tingebracht sind.11. Kondensatorspeieher naoh Ansprudi 10, dadurch hekennzeichnet, dass ein Teil der Oberfläche der Kollektorzone mindestens eines der Transistoren der Folge durch eine weitere Oberflüohen-one eingenommen wird, die voa gleichen Leitun^etyp ist wie die Basiszone und galvanisch ■it Ihr verbunden ist.12. Schaltungsanordi ung nit einem integrierten Kondensatorspeicher nach eines oder aehreren der vorstehende« AnsfSflohe, dadureh gekennseiohnet, dass desPHN 3145eines oder mehrerer Transistoren der Folge Eingang·signale zugeführt werden können, wahrend ein Ausgangckreia vorhanden ist, um dem Kollektor mindestens eine· Transistors der FoIce elektrische signale zu entnehmen, wobei mit Hilfe mindesten« einer bchaltepannungsquelle den Basiselektroden der Transistoren der Folge Steuersignale au-geführt werden, die Transistoren dir .Folge zus Weitergeben • · - ■ .Ton Ladung in dem leitenden Zu·tend bringen* wobei di· angrenzenden Transistoren Jede· leitenden Translator· der Po if β nieht leitend lind..15. Tranalator, unter anderen zur Verwendung in einen Kondensatorspeicher naoh eine« oder mehreren der vorstehenden Ansprfiohs, der einen Halbleiterkörper enthält» wobei die Basissono dea Transistor* eine OberfiKehsnzon* des Hali.lsltsrktrpers 1st, wthrend ela Qfaerfllohentell der Basiszone' duroh 61«. tnitteraene elnetnosuwa wird, wobei der KOlIsfet0* nur mit-elieaoA/ir aelirertn ln»«hlu··- ' leitern versehe!) 1st, die nur mit dieses Kollektor. Kon-takt machen, d'aduroh ge kennzeichnet, dasa ein zweiter *ν - ■Oberflachenteil der Basiszone durch eine zusätzliche Zone eingenommen wird, wobei die zusätzliche Zone,-die vom. gleichen Leitungetyp wie die Emitterzone ist, galvaniaoh nit der va\ die Basiszone grenzenden Koil»fcVor*one Yerb-Uhden ist. · · '■ ■ .. ·14. Transistor nach Ansprach 1J, dadurch fekenn*zeichnet, daas die Basiszone nit einem Anschlussleiter909847/0Ι5Θ• BAD ORIGINALPHii 3145versehen ist, der an einer zwischen der Emitterzone und der zusätzlichen Jone liegenden Stelle alt der Basiszone Kontakt gibt.15· Transistor nach Anspruch 13 oder 14t dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Zone wenigstens ein Dritt·! der Oberflache der Basiszone einnimmt« 16· Transistor nach einem oder mehreren der Ansprfr» ehe 15 Ma 15, dadurch gekennzeichnet! dass die «rwShat« Basiszone einen dicken und einen dünnen Teil aufweiet, wobei die zusätzliche Zone wenigstens einen GberflSohtnteil des dicken Teile· einninnt.17· Translator no^bg^nepruoh 16, dadurch ge kenn·' zelohnet, dass die kollektorzone aueser einem boehohalgtn Teil einen ndederohaigen Teil entbSlt» der eich wenigstens teilweise unter den dicken Teil der dasisaon« er- ' streckt.18, Transistor nacn Anspruch 17» dadurch gekennzeichnet, dass der nie derohaige Teil der Kollektorzone an den dicken Teil der .basiszone grenzt.19· Transistor, unter ,anderen zur Verwendung in elften Kondensatorspeicher nach einem oder nehreren der Ansprüohe 2, J9 10, 11 und 12, der einen Halbleiterkörper enthält, wobei sich eine Eniitterzone und eine Kollektorzone vcn der jleicheir Überflüche her in den Halbleiterkörper tiinei-ioretrecken, woboi sie innerhalb de· terkörpera durch eine Basiszone us^cben sind, dadurch909847/08MBAD ORfGIfMALphi; 3145gekennzeichnet, dnas ein Teil der Oberfläche der Kollektor· zone durch eine «eitere Oberflächen ζ one eingenommen ist» dierora gleiohen Leitungetyp ist wie die Üasisaont »ad galvanisch «it ihr verbunden ist·9098*7/0119
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL6805704.A NL162500C (nl) | 1968-04-23 | 1968-04-23 | Geintegreerd condensatorgeheugen. |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1919507A1 true DE1919507A1 (de) | 1969-11-20 |
DE1919507B2 DE1919507B2 (de) | 1979-12-06 |
DE1919507C3 DE1919507C3 (de) | 1982-06-09 |
Family
ID=19803412
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1919507A Expired DE1919507C3 (de) | 1968-04-23 | 1969-04-17 | Kondensatorüberladungsvorrichtung |
DE19691966847 Withdrawn DE1966847A1 (de) | 1968-04-23 | 1969-04-17 | Transistor |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19691966847 Withdrawn DE1966847A1 (de) | 1968-04-23 | 1969-04-17 | Transistor |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS509515B1 (de) |
AT (1) | AT301908B (de) |
BE (1) | BE731974A (de) |
CH (1) | CH511496A (de) |
DE (2) | DE1919507C3 (de) |
DK (1) | DK131253B (de) |
ES (2) | ES366285A1 (de) |
FR (1) | FR2011816A1 (de) |
GB (2) | GB1271154A (de) |
NL (1) | NL162500C (de) |
SE (1) | SE386299B (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8574629B2 (en) * | 2008-08-01 | 2013-11-05 | Anteis S.A. | Injectable hydrogel with an enhanced remanence and with an enhanced ability to create volume |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1041501A (en) * | 1964-05-08 | 1966-09-07 | Gen Micro Electronics Inc | Memory device |
-
1968
- 1968-04-23 NL NL6805704.A patent/NL162500C/xx active
-
1969
- 1969-04-17 DE DE1919507A patent/DE1919507C3/de not_active Expired
- 1969-04-17 DE DE19691966847 patent/DE1966847A1/de not_active Withdrawn
- 1969-04-18 DK DK214469AA patent/DK131253B/da unknown
- 1969-04-21 ES ES366285A patent/ES366285A1/es not_active Expired
- 1969-04-21 CH CH600269A patent/CH511496A/de not_active IP Right Cessation
- 1969-04-21 AT AT383569A patent/AT301908B/de not_active IP Right Cessation
- 1969-04-22 SE SE6905711A patent/SE386299B/xx unknown
- 1969-04-23 GB GB20743/69A patent/GB1271154A/en not_active Expired
- 1969-04-23 FR FR6912840A patent/FR2011816A1/fr not_active Withdrawn
- 1969-04-23 BE BE731974D patent/BE731974A/xx unknown
- 1969-04-23 GB GB3691/71A patent/GB1271155A/en not_active Expired
- 1969-04-23 JP JP44031055A patent/JPS509515B1/ja active Pending
-
1970
- 1970-12-31 ES ES386979A patent/ES386979A1/es not_active Expired
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1041501A (en) * | 1964-05-08 | 1966-09-07 | Gen Micro Electronics Inc | Memory device |
US3356860A (en) * | 1964-05-08 | 1967-12-05 | Gen Micro Electronics Inc | Memory device employing plurality of minority-carrier storage effect transistors interposed between plurality of transistors for electrical isolation |
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Title |
---|
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"IEEE Transactions on Military Electronics", Juli/Okt. 65, S. 246 bis 254 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ES386979A1 (es) | 1973-12-01 |
NL162500C (nl) | 1980-05-16 |
DE1966847A1 (de) | 1974-09-19 |
ES366285A1 (es) | 1971-05-01 |
DK131253B (da) | 1975-06-16 |
GB1271154A (en) | 1972-04-19 |
NL162500B (nl) | 1979-12-17 |
AT301908B (de) | 1972-09-25 |
JPS509515B1 (de) | 1975-04-14 |
DE1919507C3 (de) | 1982-06-09 |
DE1919507B2 (de) | 1979-12-06 |
NL6805704A (de) | 1969-10-27 |
SE386299B (sv) | 1976-08-02 |
DK131253C (de) | 1975-11-17 |
FR2011816A1 (de) | 1970-03-13 |
GB1271155A (en) | 1972-04-19 |
BE731974A (de) | 1969-10-23 |
CH511496A (de) | 1971-08-15 |
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AF | Is addition to no. |
Ref country code: DE Ref document number: 1541954 Format of ref document f/p: P |
|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8340 | Patent of addition ceased/non-payment of fee of main patent |