DE1919507A1 - Integrierter Kondensatorspeicher - Google Patents

Integrierter Kondensatorspeicher

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DE1919507A1
DE1919507A1 DE19691919507 DE1919507A DE1919507A1 DE 1919507 A1 DE1919507 A1 DE 1919507A1 DE 19691919507 DE19691919507 DE 19691919507 DE 1919507 A DE1919507 A DE 1919507A DE 1919507 A1 DE1919507 A1 DE 1919507A1
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Sangster Frederik Leonar Johan
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Description

PHH 3145
KTS/RJ.
Dr.-In7. n««e-Die*ri* Zdef PatrnUkwtlt
abriebe
. N SU
Anmaldung voai '/j». ^f-.
"integrierter Kondensatorspeicher"·
Die Erfindung bezieht sich auf einen integrierten Kondensatorspeicher, der eine Folge von Kapazitäten enthält, wobei mit xiilfe von Steuersignalen Ladung von
einer Kapazität der Folge über einen Tranaistor eur
nächsten Kapazität der Folge verschoben werden kann, sm welchem Streck zwischen > awei aufeinanderfolgenden kapazitäten der Folge ein solcher Transistor vorhanden i»t, woejei diese Tranaistoren gleichfalls eine Folg« bildenv während der Kollektor eines solchen Transistors zur Ladungsverschiebung mit dem Emitter des nächsten Transistors verbunden .ist, wobei der integrierte Speicher ein
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PHK
verbünden ist. Die Speicherkapazitäten sind bei dieser Schalt'ungeanordnung in die Kollektorkreise der Transistoren aufgenommen* wobei die vom Kollektor abgekehrten Anschlüsse der Kondensatoren galvanisch eilt einer Schaltspännungequelle verbunden sind. Der Emitter jedes Tran» tors liegt über einen Widerstand an Erde, während der Kollektor jedes Transistors über eine Diode ebenfalls an Erde liegt* Die Durchlassrichtung dieter Diode und die Durchlassrichtung des Kollektor-Basis-'Jberganges dee betreffenden Transistors sind dabei entgegengesetzt gewählt.
Ein Kachteil dieser Schaltungeanordnung ist, dass im Vergleich zur als ersten beschriebenen bekann- ten Schaltungsanordnung bei dieser alternativen Schaltungsanordnung Schwankungen in den Abmessungen und Dotierungskonzentration« der einzelnen. Transistoren und Dioden einen g.r&s»«ren £iiuIuM auf die übertragungsfunktion d·· Speichers haben. Durch diesen Einfluss auf die Übertragungsfunktion, die bei der alternativen Seh^ltungeanordnung uo einen Faktor von etwa 100 grääeer iei, wird bei Integration die Ausbeute verringert. Ferner besteht die Folge von Transistoren wechselweise aus npn- und pnp-'fransistoren, wShrend bei integration eine.Schaltung · mit nur npn- oder nur pnp*-Tr.ansistören zu bevorzugen
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Die Erfindung bezweckt, einen integrierten Kon-
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densatörspeicher zu schaffen, bei dem die erwähnten Kachteile vermieden sind, und sie beruht unter anderem auf der Erkenntnisf dass zu diesem Zweck zweckmäesig von einer Schaltungsanordnung ausgegangen werden kann, wie sie
P IS Vf 95
in der Patentanmeldung η beschrieben worden ist, und die sich infolge der geringen Anzahl von Bauelenenten besonders zur integration eignet. Bei dieser Schaltungsanordnung, deren Prinzip in Fig. 1 dargestellt ist, ist der vom kollektor abgekehrte Anschluss jede» kondensat.regalvanisch nit der Basis des betreffenden Transistors verbunden, Bei dieser Schaltungsanordnung erübrigen sioh Lj^gflB^in den Kollektor-Emitter-Strecken, wodurch der erwähnt· Sacht·il der alt ersten beschriebenen bekannten Schaltungsanordnung rcraieden Ferner enthält die Folge von Transistoren in Gegen*ats ' zur zweiten beschriebenen bekannten Schaltungsanordnung keine konplementäreh Transistoren, während kleine Unterschiede zwisohen den Transistoren verbaltniselseig wenig Einfluss auf die Übertragungsfunktion des Speichers ausüben.
Die Erfindung beruht ferner auf der Erkenntnis, da3 3 die Schaltungsanordnung nach Pi£· 1 sich nioht nur besonders zur Integration eignet, sondern daao auch ihr-e Vi rku/igs weise "bei Integration verbessert werden kann.
in allgemeinen wird die Verwendung der Schaltungsanordnung nach Fig. 1 auch durch die parasitäre efcO D^®
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Substrat enthält, das mit isolierten Haitoieiterinseln versehen ist, in denen sich die Transistoren der Folge befinden.
Die .Erfindung bezieht (sich feraser auf eine £chs>ltung3änordnung mit einem derartigen integrierten Kondensatorspeicher. - -
Kondensatorspeicher werden muter andern häufig als Speicher für analoge Information angewendet, z.B. in Verzögerungsleitungen für Audio- oder Videofrequenzsignale oder in Fi lter schaltungen. Dabei ist ea mit ßfioksicht auf die Integration wichtig, dass XSr dies· Speleher keine Selbstinduktionen erforderlich sind, dies in Gegensatz zu vielen anderen öse ichern waü. dchieberegiat»rn, bei denen Selbstinduktionen unvermeidlich sind.
Bei einer bekannten Schaltungsanordnung für einen Kondensator speicher dieser Art, de~r in "Slmatronics trttere", Bezeiabe». 1967, ^i Kr. I2j Seiten 544-546/ beschrieben aro.rden ist» sind der Kollektor und 4er Emitter aufeinanderfolgender transistoren über -die Reihenschaltung einer Diode und eines' Wider standee, miteinander verbunden. Dabei ist die Durchlassrichtung der erwähnten Mode gleich derjenigen-der Emitter-Basis-Dioden der Transistoren gewählt. Die Kondensatoren „e-ia'd &it bindungspunkten in der -Schaltung zwischen ύ*η Dioden und den erwähnten Widerstand ler'rbmiden· _ßlm von diesen Verbiiidungspunkten abgekehrten ABSchlBsse der
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Kondensatoren mit gerader Ordnungszahl in der Folge sind galvanisch miteinander, verbunden und liegen über eine SchaltSpannungsquelle an Erde. Die von den erwähnten Verbindungepunkten abgekehrten'Anschlüsse der Kondensatoren: ait ungerader Ordnungszahl sind galvanisch oi!einander "verbunden und liegen über ein· zweite Schmltspannungsquelle'&n Erde. Perner sind di· Basiselektroden an Erde gelegt. Das Verschieben von Ladung von einen Kondensator' zum nächsten wird BitteIe der beiden Echaltspannuh£equellen gesteuert,, wobei die durch dies· quelle abgegebenen Spannungen zueinander fjegenphueig sind. Sie Transistoren, die ala elektronische Schalter dienen, sind dabei &bwechaelnd Ik leitenden und im nichtleitenden Zustande ._ * -
Sin lackteil dieser Schaltungsanordnung ie*i dass ein.Teil der inforaation in des jibrasltSren Kollektor-Bfiel««Kape>sitSt -der .franeistoren festgehalten wird, ' well die Diode die jiufladun« dieser parasitären Kapazität über den Esitter de· nSohetea XraneisioM verhladert. Die· verursacht beeon&ere bei Itfihexan Prefueazen eine verholtnisalsslg grosse DiKpflung. " -
TJa diese Dämpfung zu verringern, wurde i« erwähnten Artikel "bereit» eine andere Schal ^messanordnung vorgeschlagen, die gieionfalls eine Folge VOM Traneistoren enthält, bei der jedoch der kollektor eines Transistors galvanisch, ait der Basis des nächsten Transistors OnKaINAL
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HL·., J I.4.5
Enitter-KollektQr-Kapazität der 'iranaistören beschrankt. Infolg· des Vorhandenseins dieser parasitären Kej*zitlten kann ein elektrisches Übersprechen zwischen benaeh-: barten Speicherkapazitäten auftreten, so dass die in einer Speicherkapazität gespeicherte Information nicht völlig von der Information in den weiteren Speicherkapazitäten getrennt ist.
Bei den üblichen Transistoren, bei denen sieh der Halbleiterkörper in einer Hülle befindet, besteht die parasitär· Bmitter-Kollektor-Kapaaitlt au eines erheblichen Tail aus der Kapazität zwischen den Anschlussleitern des Emitters u^^des Kollektors. Bei integrierten jchaltungen sind für den Anschluss der Transistoren jedoch nur verhaltnisnässi^* kurze Anfchlussleiter erforderlich, die meistens aus Leitbahnaa bestehen·
Die sich dadurch ergebende Ferrinj* rung der ßnitter-Kollektor-Kapazität hat bei der Torll«f»&4«& Schaltung eine Verringerung des elektrischen ohens zur Folge.
Auf Grund der Verringerua* des tJber Sprechens können die upeicherkap* aiii tea In eines integrierten kondensatorspeicher kleiner benessen werden, wodurch die Schaltgeschwindigkeit zunimmt und der Speicher bei höheren Frequenzen Anwendung finden kann·
Die Erfindung beruht ferner auf der wichtigen Srkenntni3, dass die Schaltungsanordnung dadurch D
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in besondere kompakter und einfacher Form integriert werden kann, dass die Kondensatoren weggelassen und die Kollektör-Basis-Kapasit&ten der Transistoren al· SpeioherkapaiitiLten benutst werden·
Ein integrierter Kondensatorspeicher der einlange beschriebenen Art ist gemüse der Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass die Kapasituten duroh die Kollektor-BaeU-Kapasitäten der Transi»tor«n gebildet werden, wahrend die Basiselektroden der Transistoren tun elektrischen Ausgang bzw. au den elektrischen Ausgängen für" die Steuersignals gehSren·
Auf diese Weise ergibt sioh einen sehr einfacher integrierter Kondensatorspeicher, a*t eine sehr guts Wirkung mit «ins» geringes Bedarf an Tlloheniakalt Je Speicherelement rerbindet, Veil jedes 8peiöA»rele«ent aus nur eines Transistor besteht. Dabei werden die bei InfontationsSbertrajMag suftrstsnAsn Verluste praktisch duroh dm Verstärkungsfaktor dsr Transistoren bestiasit. Js »ehr sloh disssr Kollektor-sB^tter-etroaversttricungafaktor Asa Wert 1 nlhert, umso langer kSnnen die Ketten /on~ Spe.lohereleaenten sein, ohne dass eine atörende Diapfuac auftritt. - . -
Der integrierte Kondensatorspeloher geaSes der Erfindung kann unter anderes fttr LaufseitrersSgerung von s.B. Audio- und/oder Vldeofre^uenssignalen Anwendung finden. Dabei ist eine lange Versegerungs-
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zeit je Speicherelement, d.h. je Transistor, gewflneoht, veil die AbsohwäOhung des verengerten Signulee in beträohtliehen Nasse von der Gesamtlahl der Transistoren der VeriSgerungsleitung abh&ngig ist· Bei Anwendung einer Folge von Transistoren (siehe Fig. 1) ergibt eich eine maximale VersSgerungeseit je Speicherelement, wenn eäatliohe Basiselektroden Ober je eine Sohaltspannung·· quelle an Erde oder ein anderes BesugspotentIaI gelegt werden. Duroh eine derartige Wahl der Sohaltsignale (rig. 2), daes diese je wlhrend eine· (£)tea Teile Jede« Abtastperiode T einen Wert von 1 Volt und vihrend de« übrigen Teiles dieser Periode einen Wert tob O Volt hüben, wobei sie ausserdeBHsjVMe· (—)t#n Teil der Periode T seitlich gegeneinander vereetst sind, derart( dass sun&ohst der n-te Transistor und dann der (n-1)tef der (n-2)te uew. leitend wird, wird die VereSgerungseeit je Bpeioherelement emzioal und gleich
T Sekunden,
η
In der Prazie ist nan jedooh bestrebt, die Zahl der erforderlichen Sohaltepannungxiuellen auf Kosten einer geringen Verringerung der VersSgerungsseit der Speicherelemente zu beschranken. Dies ist dadurch erzielbar, dass mehrere Basiselektroden von Transistoren miteinander verbunden werden und eine bevorzugte Aueführungeform eines integrierten Kondensatorspeicher·
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<J«r iJrfindung ist daher dadurch gekennzeichnet, dass eine bestimmte Anzahl von Basiselektroden von Transistoren der Folge galvanisch miteinander verbunden. sindf wobei diese Anzahl keine zwei benachbarten Transistoren enthält.
Ee iet offensiehtXieh ein JiSgIichit föns.tige* Konpromiss zwischen der Ansah! der »a verwenden*·!» oohaltspannungsquelien ußd der Anzahl der erfor&erliohen Traneistoren erwünscht. Dabei ist es wioatif, dass die Terzögerungszelt je ij pe ichere lesen t ferner von 4er Art abhangig ist, in der die Basiselektroden Kciurere? fremsistoren der Folge galvanisch ai««Inander vwrbtg&Aem •in*. . ·
Obgleich ·· for 41« Virgin«··»!·· *1· lcliieb«- refiftter f*nü%%f mmm Imi <Si#te)r fertinAwie vva 9a·!·· • leittr·«·» Mhnnr ?r«asi*t@**n di· 3(k»«inr«ii erfüllt wi ri, 4a·· s«ei bee*eWMirte Tspeesistoren rtioht zeitif leitend sein können, «erden grtaaere geeüifs der Srfindung zur ErhaltuJic ei»*· günstigen Ko»- promiases aus einer Folg* ro» Transistoren auffebaat» die mindestens zwei aufeinanderfolgende aneinander; grenzende Gruppen mit je'der gleichen iüizahl aufeinanderfolgender Transistoren enthalt, wob«i 4ie.Basiselektroden derjenigen TraneiBtoren, die zu vereöhdedenen , Cruppen gehören, jedoch in ihrer Gruppe die gleioh» Ordnungszahl tragen, galvanisch miteinander verbunden "
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. ,ο - 1319507
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> Dieser Aufbau macht es möglich, bei einer vorherbestimmten Anzahl anzuwendender Schaltspannungequellen die maximal* Verzögerungszeit je Spaicher·leBent zu erzielen. Die Anzahl der Translatoren jede? Qruppe ist dabei durch die Anzahl der zu verwendenden Sohaitquellen bestimmt.
Sie Transietoren der Folge können je in einer getrennten Halbleiterinsel angebracht seia, wobei die Transistoren auf übliche Weise durch ein sich Über eine Isolierschicht erstreckendes Huetar von Leitbahnen miteinander verbunden sein können. Ea können sieh jedoch die Halbleiterzonen einer Ansahl von Transistoren* deren Basiselektroden galvanisch miteinander verbunden sind, zwecknissig in einer gemeinsamen insel erstrecken» wobei die Halbleiterinsel eine geaeinaaa· Bssisgea· bildet, während die Emitter- und die Kollekte»zone in Fora von Oberfllchenzonen angebracht sind. Sadureh wird das erforderliche Leitbuhnmuster vereinfacht, wXhrend ferner die je Speioherlement erforderliche erheb lioh ve mindert wird. Zwar ist dabei ia nen der Stromverstarkungaf&ktor von Transiatoyea dieses Typs etwas kleiner, aber das ist für verschiedene Anwendungen unbedenklich.
Die PoIge von Transistoren eines Kondensatorspeichers genass der Erfindung kann eine Sndgruppe ent-
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halten, die eine Vorrichtung, ζ »Β, einen !transistor oder •ine "Diode, enthält, die mindestens einmal je Abtaetperlod· T die etwaige Information, di· in der letzten Speicherkapazitfit des Speichers enthalten ist, lßscbt. Ausser dieser abechliesäenden Vorrichtung kann die Endgruppe eine Anzahl von Translatoren der Pole« enthalten, die kleiner ist als die Anzahl der Traneietoreη der vorhergehenden Gruppe oder Gruppen, Auch für diese Endgruppe gilt, dass mit RHckeicht auf die VerxBgerungszeit je Speicherelement das Element bzw· die Elemente der Endgruppe, einschlieöslich der erwShnten absohlieseenden Vorrichtung, vorzugsweise gleichzeitig alt dem Speieherelement bzw· den Speicherelementen der anderen Gruppen oder Gruppen geschaltet worden die in ihrer ürupj-e die gleiche Ordnungszahl naban· • . Wie »erelte bemerkt, eliid 4ie £r»qut*Mn,
telditio 4er SpeieiÄr. Lommnamag fla4«R fcutn, uMfr
-mfisf en die Speioherkaptsitftte« ..ubso er··" •er «ein, je aiedriger 44-e" v#irwen4et«ir V^re^mteEex «int« infolgedeeeen kann die Koll»ktor-iesie'-Xa>ajti%It Hb. licher integrierter Transistoren z.B. tsil Verwendung niedriger /requenzert zu klein sein« . .-.· . . ·
Deshalb enthSlt eine wichtige AuaTChrnngs- ,. form eines Kondensatorspeichirs nit -eise? Ancabl von Transistoren in einer eeneinsaaen Balbleiterinsel ei-
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nen oder mehrere Transistoren mit vergrSsEerter Köllek-
tor-Basis-Kapazität, wobei diese AuSfÜhrun^sfora dadurch gekennzeichnet ist, dass ein Teil der Oberfläche der Ktfllektorjsone mindestens eines der Transistoren der FoI^e durch eine weitere Oberflächenzone eingenoEBen wird, die vom gleichen Leitungatyp wie di« Baeiaaop* iet und galvanisch mit ihr verbunden let» 0
Durch die Anwendung der weiteren Oberflächenzon* wird die Xollektor-Baeie-KäpaiitXt de* Transistors erheblich vereröeaert, wodurch ein integrierter Speiche? nit einer Folg· derartiger Transiat«re» auch bei niedrigen Prequeniea tin,guteβ Signal-fistt#eh«T#rhtitauf«»icI·
fine andere wichtige Aueftthraagafeni ein·· '«■κ»
alt e£a*ji *%*t mhrii** 1τ*η·Χ*<° ■ el2.ektor*S»eia"t«f«titlt iat
4«t«Kr«li ftktnateichnet, data die Isalaaone alndeitaaa «ijay» traftaiatera der Folg· ein« 0%«rf lieh·**®»· iat« Vo* der «in «rater t>berf Hohen teil dur<fe die S»itt«rsoae und ein zweiter überflSchenteil d»r«fc flM ew«lti Sone eingvaowBen wird» wobei die zweite S«tief dl« von gleichen Leitungetyρ wie die Saitterzone iet, galvanisch mit der an diese Basiszone grenzenden Kollektorzone verbunden ist. Dabeu beansprucht der zweit« Ober* flSchenteil vorzugsweise wenigstens ein Drittel far Oberfläche der Basiszone, während weiter vorzugsweise
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sämtliche Transistoren eier Folge gleich ausgebildet sind·
Bei diesen Transistoren mit vergrösserter Basis-Kollektor-Kapazität ist der Flächeninhalt des 3asi3-ifollektor-Ubergangs wirkungsvoll vergrSssert, wobei aus-Sßrden die Dotierung der zweiten Zone bei doppeltdiffundierten Transistoren höher sein kann als die des Kollektors, wodurch die Kapazität je Flächeneinheit des Übergangs zwischen der zweiten Zone und der Basiszone grosser als die des übrigen 'leils des Basis-Kollektor-Überganges ist.
Vorzugsweise ist die Basiszone, eines .Traneistors mit vergrößerter Kollektor-Baais-Kapazitlt mit einem Anschluaeleiter versehen, der 'an einer zwischen der Ztiitterzone und der zweiten Zone liegenden Stelle an de? BbtiszOne angeschlossen iaW ' .-■■■· ■'■· ■
.: ■ Auf dies· We ie« ergib* ei öh'« in'konpaJfter Aufbau, bei dem de? Baeiskontakt auf einer, möglichst langen Strecke sowohl an di.6 Emitterzone als «udh-an die sweite 2one grenzt und derEeihenwiäerstebd in des* Basiesone sowohl für den aktiven Teil-dieses Transietore als auch für seinen kapazitiven ΐβϊί möglichst beschränkt wird. '· · : ." . ' -." .··-.· .·'. ". · ;
Bei einer weiteren Au«führungafpni eine« Kondlen8atorspeichers mit mindestens ei nein Transistor mit vergrössert'er KolLektor-Basis-Kapazitüt veist die Basie-
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zone dieses Tranaistors geaäss der Erfändung: einen dicken und einen dünsten Texi auf, wobei die zweite. Zone wtnig-Gtons einen OiKs rf lachen teil des dicken Teiles der Basis· zone einnimat» ' ■
Auf diese Weise wird der Reihenwiderstand des kapazitiveren feiles der Basiszone, d.h. des Teiles unter der zweitea Zone» weiter verringert« #
Weiterhin kann beispieleweise beispielsweise doppeltdif fundierten Transistoren, zumal wenn die Basiszone einen dicken und einen dünnen Teil aufweist, der kollektorserienwiderstand so grosi dein, dass er eine wichtige Soll* amieHjmpp..
Bei einer weiteren Aueführungsfora eines Kondensatorspeicher genäss der Erfindung enthält eine Kollektorsoa© eines Transistors mit vergrSsserter KoI- ' lektor-Basis-Kapasitat ausser einem hochohniigen Teil einen niederohaigen Teil, der sich wenigstens teilweise unter dea dicken Teil der Basiszone aretreökt»
infolg»des3en wird der Koliektorserienwiderstand iaebesondere in den Teil der KoXlsktorsone, der unter des dicken Teil der Basis sons liegt und daher Runner als der übrige Teil der Kolle&torzone ist, verringert. Babei ist bei eir.er bevorzugten A fora der Trssiisietor so ausgebildet, dass der niederohni{;e Teil des Kollektor zone an den dicken Teil der Basiszone grenzt» wodurch nicht nur ein weiterer Kapa-
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sitSt&gewimi erzielbar ist, weil infolge der höheren Dotierung die Kapazität je Flächeneinheit ia Gebiet, in dem der niederohfidge Teil der Kollektorzone und der dicke Teil der Basiszone aneinander grenzen, grSeser al· ausserhalb dieses Gebiet«· let, sondern auch die Herstellung eines Transistors »it einer Basiszone alt eines dicken und einem dünnen Teil vereinfacht werden kann, «ie nachstehend n&her erläutert wird·
Ee sei becwrKt, dass die Basis-Kollektor*· Ka-
pasitEt auch dadurch vergaröesert werden kann» dass die Kollektorzone höher dotivart wird· in der Praxis ist dies jedoch insbesondere bsi dcppeltdiffundierten Transistoren schwer durchführbar» Ke kSansn uuch Transistoren . alt einer Basiszone £l«ioh*Es8lear,l»ioke verwendet wer· den, die »ich bis zua nieüerohaigeR Teil der Kollektorsone. erstreckt· Eine derartig* Struktur .ißt z»B. Bit liilf« ei he«. Substrats kerefeellbar» .&&* «it. slnsr. »pi* · taktlsohen Sehioht veresheis IfTt9 die entweder aus ein·* nieAerohaifeji und «in«· höchoheieen Λ11 «uff«Wut ist od»r elslohaissic dotiert-»^«"^ean^wQbfi-i* FaJlI eime Tsrfrabene Schicht Anwendon^ fftuAst« 9e>be% kSonett die Sicke der epitaktiechen Schient Nxnd/odfr der vergrabenen Schicht so klein bzw· so grQ«sseasse«n werden# dass · sich eine diffundierte Basiszone üblicher Dicke*bis zu« niederoljnigen Teil der KoI vektor zone., ersi'reckt. Sinl» derartige Losung ist jedoch in den PSllen, in denen
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die Schaltungsanordnung auch andere Transistoren alt anderen Eigenschaften, z.B. einer hohen Kollektor-Basis -Durchbruchspannung, enthält, schwer ausführbar·
Transistoren nit vergrßaaerter kollektor-4asis-Knpozitüt kSxmen auch mit Vorteil als Bauelement·, z.B. in einen Kondensatorspeieher in nichtintegriarter i'orn, oder ale Killerintegrator benutzt werden· #
Eine einen integrierten Speicher geoXsa d«r Erfindung enthaltende Schaltungsanordnung 1st dadurch gekennzeichnet, dass des bitter ein·· oder mehrerer Transistoren der Folg· Eingangssignal· sugefünrt **rd«n können, während ein ^^angskrel· Torband·* 1*6, «Jm Kollektor mindestens ein·· Traneietor· der Folg· *lektrische Signale zu entnehmen, wob·! alt Hilf· Blnd··- tens einer aohaltspunnungequelle den Baal««l<kt»4t · der Transistoren der Folge Steuersignale zugeführt werden, die Translatoren der Folge »tu» ..eitergeben von Ladung in den leitenden Just&nd bringen, wobei dl· angrenzenden Transistoren jede3 leitenden Translator· der Folg· nichtleitend sind»
jtuafüT.rungebeispiele d»r £rfladtuig sind la den Zeichnungen dargestellt und werden im folgenden . naher beschrieben. Ea neigen
Fit,*· 1 das Prinzip der Schaltung, die in einen Kondensatorjpeieher tTemass der Erfindung angewandt let,
.... . 909847/0859 · ·. bad orjginal-
ph:« 3 U 5
. Fig» 2 3ehaltsignale der Schaltapannungequelie nach Fig· 1 in Abhängigkeit von der ώβϋ,
l'ig» 3 schenatiBch ein© Draufsicht auf ein· Ausführungafona eines integrierten Kondenaatorcpsichere Cöaüas der Erfindung,
- '-.-.' ■'Fig* 4 echeoatiadh ein* Drauföioht, die 4«a
durch eine strichpunktierte Mai« umgebenen Teil der • · ·
Fig. 3ίAKt»prieht,
·: .'■■-' Fig. 5 eehesatiach «inen ffsaie· der Liaie Ϋ - V.der ?ig« 4 geführten iuerfehnitt dvurch die Ansei 4t
;, i Pig. 6 ein Sehaltbild für den.integrierten Kondensatorspeicher naoh den Figuren 3, 4 UR^ S
;'■·■?-.- Fif. 7 den Verlauf der ßpannungwa in Abhängigkeit von der Zeit fur einige Funkie des Schaltbildes,
nach flg* 6, ■ ;.
■■-■' , ■ ' ·· Fiii. β acheu&tiach einen ^uereehnltt dureh einen vTranstetör, 'der -»ich «Bernfalla ?ur Jinwertdiing in ' eisern integrierten JCöndenSatorepeiehÄr nseh 4#r-ärfin« diHu eigne t.i ■ ■ ■ ...
Fig. 9 ochenatisüh «insu .4uerechnitt eine andere wichtige ^usf^hrtshgiefara &in*ei'.e genäaaen Transietore, . · .'
Fig. 10 sehe'aijfisoii »in··- äp»iifi|lWi% -kut :--WU-" weiteres Ausführtuigsbeispiel »iitoa i deaaatorepeiobers geraaas der 3rfindusi, Fig» ί1 sehematisoh einen ßeaiss der
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ZI - XI der Flg. 10 Geführten *ue?eoknitt durch «inea der im apsichey nach Flj* 10 verwendet«» 'üraneiotorea. ■
Der integrierte KondensatorSpeicher gesslaa des Fieren 3» 4 und 5 enthSlt «Ine Folge voa Xap&ai%lte&» bei dor mit Hilfe von Steuersignalen Ladung cua eine? KapazitSt der Folge über einen -Tr-aneiator ϊ {wofeei in-Fig· 3 η von 1 bis 12 ^-eht) zur nächsten Kapaaität der F©lg% verschoben «erden kann, zu welche» Zweck zwischen je aufeinanderfolgenden Kapaaiflte& ein «olühey Tn vorgesehen iet9 wob«l di*»# TrenieiatO3P«n ^_ abeafalls eine FoI je bilden, während i*r Kollcktosr a Ti nur m "
Transistors T an der Stalle eines Sentaktfeasts η B
mit einer Met&lilsiterliaira 18 Xont|i|ct aasht$ als Kollektor η für die VeraoliiebHBg vqs ladung an der 9%·!· Ie eines Kontaktfeneters I5 ait &m Saittex 52-'4ea folgenden Transistors yerbiad«t9 wobei der Speicher ein Substrat SO »ufweist, das ait Halblititerinsaln f Ma. Ί3 vareehsn 'iatt ■ in die Transistoren '£ Wflaiea·" lala:vorli#g»ad#n AuafShrungsbeispiel besteht das"Sufeetrat 50'aus ein·»-Malblai« * t ·!»·?. ta rial vom einen Leitungstyp, auf daa «iint" »pltak« tische Schicht roe a&deran Leitisngstyp ene«1»yaefct ist»- Me«β epitttktisohe ScMeM iat d«3f*h iaoli#rs9Ä<m 63 @iB«n Leitungatyp in "έα&έΜ t'Ms 13 untartallt« ist die Ob«rfIoeh« der epitäüliäcben äohieht ait Isoliorsshicht veraehea» ia dey uaür "and·**»
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fenater 15 bis 17 «neebraoht ainft· Dl· In··In 1 big 12 •nthaitan je einen Tranalator J , di· in Pie· 3 &«r Xtouit» liohkeit halber nur aöheaatieoh durch dl· KonteJctfeneter 15, 16 and 17 «Up den tfnltt·*, di· Beil· fet* den Kollektor jede· Transistors angedeutet «ind·
. ' Geaasa der Erfindung beetehen di· Speieherkap*- zitSten aus dm Kollektor-Basia-KasaKitit der Translato-
ren T ,'«Ehrend die Buaia«l«ktrod«n der Transistoren T η . . ■ η
je durch ein Fenster 16 alt einer der Wtal11«itbahnen
19 und 20 Xontakt stachen und somit sum elektrischen fiin- £anc bx*· zu den elektrischen Eingingen.für die Steuer-•i£nnle gchOren, di· eittels der Ketalleitbahnen 19 und
20 zugeführt werden kSnnen. .
Dieser Kondensatorspeicher^hat eine koapakte einfache Struktur, bei der die je Upeichereleeent erforderliche PlEch· klein ist, weil jede· Sp*icherei«jMnt au· nur tinea ^ronsietor. besteht« Dabei sind di· ?*rlu*t· infolge «Ines clAktrlsohen Überspreohens durch knpaiitiY· Kupplung praktisch Yernuohllssigbar und die VMpf^&C wird nahezu YOlIi(J durch das Ausaasa beYtia&t* in de* der Stroaverstarkunt'sftlttor d#r Transistor·!! .von verschieden iet· . " ' ' ·'■
Di· Basiselektroden:mehrerer Tranalstören sind durch Fenster 16 und die Metal leitbahn. 1 ? oder 2.0 Galvanisch oiteinander verbunden, wobei-die derart ^etroffen ist, dass diese miteinander T*rt«nden»n
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Transistoren ktine zwei eufeinanderfolgenden Transistoren enthalten. Infolgedessen kann da· gleiche gleichzeitig den Basiselektroden verschieden«? zugeführt werden, so dass weniger Schaltspannungsquellcm erforderlich sind, als wenn jedem Traneiator ein eigene· Steuersignal zugeführt werden würde· Wie bereit· wnrShnt« bringt diese.Vereinfachung jedoch eine Verringerung
Verzügerungezeit je Speicherelement Bit sieh. Beim vorliegenden Ausfübrungsbeispiel als* 41a Basiselektroden der ungeradzahligen Translator·» 9. «it*
tels der Leiterbahn 19 und die der g«r*4sahlia>a Tran·!·· toren T durch die Leiterbahn 20 galTanisch altelnander verbunden. Die Folge von Transistoren T_ weist infolge> dessen eeohs aufeinanderfolgende, aneinander grensende Gruppen auf, die je die gleiche Anzahl τοη aufeinander- ■ folgenden Transistoren enthalten, wob·! die Basiselektroden der Transistoren, die zu versohiaAeaen Ofuppaa gih$· ren, jedoch in ihrer Gruppe diegleiohe Ordnung·»ah!haben, (jalvaniech aiteihander verbunden sind·
Durch diese Verbindungswaise ergibt sieh tin cT&nstitffer Komproeies zwischen der Zahl der zu verwendenden Schultepannungs^uellen und der YersSgeruhgeselt je· Speicherelement. Bei Verwendung von aus je zwei Transi·· toren bestehenden Gruppen betragt dieVersSgerungsseit je Speicherelement ^T bek., wobei ? die Abtastperioda darstellt. Bei einer grSseeren Anzahl von Transistor·» Ja
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Gruppe ist die Verzögerungezeit je Speicherelement proportional 'der Anzahl von Transistoren je Gruppe, die gleichzeitig Information enthalten.
Der Kondensatorspeicher nach den Figuren 3t 4 und 5 enthalt veiter eine Sndgruppe, die in dieses Fäll au« einer Diode besteht, die. in der Insel 13 untergebracht ist· Diese Diode·-enthalt Zonen 21 und 22 von entgegengesetsten leitung«typen, wobei die Zone 22 die Zone 21 in der Salt· leitorinsel ua^ibt. Die Zone 21' ist an dor Stell« do· Xontaktfensters 23 mit der Metall· it »ahn 24 Wrbundoaft die an der 3t«lle eines Fensters 17 alt des Kolloktor des Transistors T^2 Kontakt oaoht, Durch -das Xontaktfonster 25 sind die Zone 22 und die Insel'13 alt der MetalI-leitbahn 19 verbunden, wo-bei. der p&->Ubergaag z«isehen der torte 22 und der Insel TJ an der Stelle dee Fen st er β'
25 leurage schlossen ist· .'.,.! .-...■.··.· '.· · : ·.
• . *.*-■'..;..De,r integrierte/jjjjeieiwir Jcäna- alt iübliokea Pia· nir|ran*istoren aufgebaut we*dea.. Die- JCollekter-ifaeie-Käpasitit solcher Trähelototeift betrügt ei*a 1 pf.. Bio* tafioee dieser Kapazität lSsst aioh d#duroii'ottisfP.rn, dato der Plüoheninhalt der Bagiesone-verbessert-wire% . .· · ;" .
Beim Aueführtmgsbeispiel fe-eeäe»;den. Figuren 3, 4 und 5 findet eine Wirkungsvollere ϊ/e.ise *ur ?ergrBss#- rung der Baeis-Kollektor-Kapa^ität iöiwendung« Die 4i«llektorzone des Transistors Tn besteht &ua der läseiji(siehe yig. 5, in der η - 4 i3t). Die Basiszone ist eino: Ob**·
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flSchenzone 51» Sin erster übcrflächenteil dieser Oberflächenzone wird durch die Emitterzone 52, ein zweiter durch eine zusatz liehe Zone 33 eingenommen, wobei die zusätzliche 2one 73 von gleichen Leit«un£styp nie die Enitterzone 52 ist und galvanisch mit der an die Basiszone 51 grenzenden kollektorzone 4 dadurch verbunden ist, dass der Bandteil 54 der Zone 55 einen Oberflächenteil der Kollektor«one einnimmt.
ea
Der pn-übergang 55 erstreckt sich zwischen der Basiszone 51 einerseits und der kollektorson· 4 und der zusätzlichen Zone 53 andererseits. Dabei ist der FlEeheniixh&lt dieses pn-übergang» 55 und somit auch die Kollektor-Bas is -Kupa ζ it.St erheblich grSsscr als heia Fehlen der Zone 53· ferner kann die Dotierung der 2one 53 höher als die der Kollektorzone 4 und 2.3. gleich der der Eiaitterent 52 Bein. Die« hänft alt der Tatsache zusanmen, dass die Dotierung der Kollekteraöne verhSltniealeeif niedrig gvv&hlt v«rd«n au··» ««an la tor Ιη··1 4 alt Hilf« der Cblichen FhotoSta- und X>lf f. sionsverfabres ein« Baeieione 51 und ein· Emitter*©»· 52 ang<»br»oht werden aünsen· Durch den Unterschied In Dotierung zwischen der Kollektorzone 4 und der zusätzlichen Zone 53 ist die Kapazität je PlSchenciaheit des Teiles des pn-Übergangs, der sich zwischen der Zone 53 ^d der Basiszone 51 befindet, er-
heblieh grSaeer als die des übrigen Teiles dieses Überganges 55· ·
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Vorzugsweise nidnt die zusätzliche Zone 53 mindestens «in Drittel der Oberfläche der Basiszone rj\ ein. Bei Anwendung von "für Planartransistoren {(blichen Dotierungakonzentrationen und Zonendicken ist die Kollektor· Baaia-Kapazitst sodehn um einen Faktor von taindestens 2 grOsser als-bei einer Basiszone gleicher Gröese, jedooh ohne zusätzliche Zone.
SUe Stelle des Baeiskontaktfensters 16 wird vor-
suga weise ·ό gewählt, dass diaees Tenot'er auf einer lichst langen Strecke sowohl an die Emitterzone 52 alt auch an die tueatzliehe «ione 55 eronit« wodurch sowohl der Basiswiderstand des aktiven Teils de· Transistor« als auch der Serienwiderstand de· kapazitiveren Teils der Basiszone 51 möglichst beschr&okrt werden* Der Ansohlusslei· ter 20 aaoht deshalb Kontakt alt dar. Basiason« $1 an ti* ner 3Uli.e, die dureh da· Xontaktf«ni*fr »6 Wstiaet wird, 4a· »wisöfeen der »eitterMm^ 52 und t»r K««lt«li«h*n
.'"".. ' Derltendiheaiborspiioher aaV«|l~ajt*·Ψϊβρχψ* 3» ♦ «ad Jiit rBllig auf «Ina. ia 4e.r,Mai»i*ii*ria»haiM Ib-Iioh· Uwiae herstellbar« »as yutsti-a* 5··-W*tfί&Μ a,B. au« p-leitendea Slliciutt. Auf. de» dübstrÄt kann1 eine epitaktische Schicht aus tJeitenden 8ili«iuB »4* eina» i>ieke ▼on z.3. 10 /um angebr&cht· eexn. liitteie üblicher .Photoatz- und Diffusionsverfahren kS&non dann die p-leitenden lsolierzo.nen 63 angebracht werden, woduroh eioh die iso-
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lierten. ±neeln 1 bjs 13 ergeben, Di· Inseln t bia 12» in denen die Transistoren T1 bis T12 untergebracht eind, haben z.B. die Abir.ee s uiii: en 125 /um χ 135 /UO. DsIe Abmessungen der diffundierten Basiszonen 5.1 können 85 /Ua x 95 /Ua betragen. Die Emitterzone 52 ist z.B. 1 /um dick und nlnuat einen überflachenteil von 20 mm χ JO /um der Basiszone 51 *in. Die Sicke der zusätzlichen Zone 53 be-
t gleichfalle 1 /tun, wenn sie gleichzeitig nit der Emitterzone hergestellt werden ist. Die Breite der gone ?3 ist z.B. 35 /um, wahrend der Randteil 54 s.B. 5 yvm aus der ursprünglichen Begrenzung dar Basiszone $\ heraueragt. Pie Zonen 21 und 22 der Diode in der Insel I3 können gleichzeitig mit der Basiszone £1 bzw. der Sfflitterzone 52 fJigebraclit werden.
Die Oberfläche des Halbleiterkörper* l«t mit einer leolierechicht 56, s.B. au· SilioiuaoÄjrd und/oder Siliciumnitrid, überzogen. Auf dieser leoliertohioht kSanen auf übliche Weist Mttalleitbahnen 1Θ, ty, 20, 24 und 26 angebracht werfen, die duroh in der üchicht §6 hergestellte fenster 15, 16, 17, 23 und 25 Alt den darunterliegenden Halbleiterzonen Kontakt «achen. Die Metall· itbahr.en 19, 2ü, 24 und kb v.eisen ferner Gebiete 27, 2S,^9 und 30 zu KontaktieruntiSzwecken auf. Jiese Gebiete 27 bis 3(J können auf übliche Wise mit Kontaktstiften eines üblichen Gehäuses verbunder, werden. Das Gebiet }ü gehört 2ur. elektrischen Eingunf des Speichers, durch den
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der KOllektor-Baeis-Kapazitiit des Transietors t. infornation zugeführt werden kann. Über daa Gebiet 2$. können de«
Kollektor des Transistors T12 Ausgungssignale entnommen
werden· Über die Gebiete 27 und dB kann die YerSchiebung der Ladung ia Speicher mit Hilfe von Steuersignalen gesteuert werden. . . . . .
Fig. 6 leigt ein Schaltbild, bei de· der Innerhaie der strichpunktierten Linie liegende Teil de» integrierten Speieher naoh den Figuren J bis 5 entspricht.
. Der elektrische Eingang des integrierten Speichere ist »it einen Blngangeltrei· +erblinden, der au· de*
. Reiheneohaltung eines .fideretande» H. und einer ein Auseangssignal T. liefernden Quelle besteht, wobei die rom ■ Widerstand H0 abgekehrte "tUmm die«eV Taille im ein Be. zugepotentiel, e.Bv an Εχϋβ, ceitgi ist. 2wisohen den
• Gebieten. 2? uerd 28 1st eine {»oiMtltepejaLnuo^tqueiie. I1 angebrftöht, dit ein ^te'uerfignal V1-- liefe*** tlhMnd AmM · CeWt 2β An ein, Jeiu&sp.otenUaVfcjeUgt itt.. Mit Ulf· des Steuersignale V wefdtn» wie nach« ie head^ j»B^sr erltut«rt wird, Traneistoren der Folge ««eoks.der:fersia&leb«ag ton Ladung in den leitenden Zustand tfebraöhty »«hei die be~ naohbarten Traneietoien Jedes, leitenden T¥4neiitbre der Folge nichtleitend sind. Anflgäogäsi^iale kJJnne» dem KoV-
" lektor eines oder oehreTerdef Transistoren' t-'t .·*·Β·ϊ· wie
in der Figur dargestellt ist, dem Kollektor des Tr*n«letors T12,,entnommen werden.-Der kollektor diese» Traneie-
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tors T.2 iat mit einem Ausgan^skreis verbunden, der schematisch durch den Block U angegeben ist und dessen Aufbau" für die 3eSchreibung der Erfindung unwichtig ist» Der Ausgangekreis U kann z.B. einen Impedanztransformator und einen Tiefpass oder eine weitere Verzögerungsleitung erhalten.
Zur besseren Ver»t£ndni· der j/lrkungsweiee dea Speicher· eind in Fig. 7 die wiohtifetea Spaanungeaeitdi*·» graiaae in einigen Funkten der Jehaltun* nach Fig· 6 dargestellt. Fig. 7a zeigt das Zeltdlaeraa* der d pawning ?Ä der Sohaitspaanungequelie S^. Mt Spanou&f ist eijs* s/an*· trisch* Aechteekspannungait einer positiven Spitse von ♦ £ Volt und einer negativen upitae von - K Volt, »Ehrend die Periodenzeit der Rechteckspannung gleich T Sekunden let. Diese Periode T, die Abtastperiode, sttss us Kindes- . tens einen Faktor 2 kleiner als die Periodenzeit der höchsten in der £ingangs*pajttm&g V^ auftretenden Signalfreouens «ein, Sie lingaAfcepattaan« T. iat i» Fi^. ?b 4argeteilt, wahrend der Zeitintervall· ft, Yy f. und γ·η hat der Punkt 27 der Fig. 6 ein Potential von - S Volt it. bezug auf den iunkt 28, der alt Erde verbunden ist. Der Transistor T1 ist wahrend der erwähnten Zeitintervalle nichtleitend, wenn die ^in^an^sspannung 7. ^ - £ Volt iet. Wenn angenommen wird, dass die Kapazitäten C auf eine Spannung »wischen 0 Volt und + B Volt jeladen sind, so sind auch ciie weiteren ungeradz_.ahlig;en 9098U/0859
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T,, Τ^» usw. nichtleitend. Die Transistoren Ϊ.,, T , uaii sind.in diesen Zeitintervallen leitend, wenn die Spannungen Über den Speicherkapazitäten C,, C-, us*, kleiner als ♦ Ji Volt sind« Sodann werden diese Kapazitäten C^1 C,, usw. auf eine Spannung von *B ToIt geladen, vShreridt die "Spannungen Oljer den Kapazitäten C», CL, utv« je UO den gleichen Betrag absinken, um den die dpajinung über der vorhergehenden ungeradzahligen Kapazität anateict. Dabei wird angenofcaen, das· eaailiohe Kap*iiitl%en
C t'leioh groe« sind*
Während der 2ei.t, in der der Punkt 27 eine Spannung von *£ YoIt in bezug auf den Punkt 26 hat, d*h. geaäfls Fit". 7» während der Zeitintervulle Ί 2t V^t. Tg und ^ Qt «ird inforcation über dje Create des lingangeeigaale V. an die Kapazität C1 «eltergegeben« Die CrOese de· lin-Range eigncl· * !lh rend dieser SeitinterTall« ist «leioh t, O, ♦l.bzw. O Volti wihveni dl«ur »vnikttemlle wird ' 4er Txaneietor-T. dureh einea Stro« dürohflosten, der g - γ- —···.-··■■
gleich ' Atapei1· ist und di«.apanttttn4 rvä JC ToIt über
der Kap-izitüt C1 verrinßertJ öabei ttelit r den inneren Basia-iiaiitter-Widerstaivd dnr. Die Ströme, 'die während der erwähnten ^eitintprvalle den Trwieistqr-f^.durchfliee-ςβη, Bind in I-'if. 7c dÄi-^eateilt, während der Verlauf dfr Spannung über der Kapazität C in Pij· 7d und der tier Spannung über 4er Kp.pazitSt C2 in Fig. ?e
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t J
sind. Aus Pig·* 74 geht hervor, iass <Jie über der Kapazität c~ während der Zeitintervaile t £ und Ύ β linear mit der Zeit verlaufenr wae jedoch in Wirklichkeit nur dtann der Fall ist, wenn der l&derstä»d R vielmals grSsser ale der innere Basia-Ekiitierwider-Starsd r des Transistors T1. ist» lltie grScste kun^, nämlieh AV - E YoIt1 tritt im g
nMirend die Spanliuiit'seenkung im Intervall /2"^ gleich WuIl Volt iat.i infolgedessen besteht nur fitr die Eingangesignaie, welch· dn Intervall -E K V« ζ * E Volt liegen, eine lineare Besiehung attischer, der SpaiUiungssenkung 7 Über der Kapazität O' und dej^rwähnten iingan^ssignal. Der
Widerstand R Kuss dabei so gross ben«ssen «erden, da·· ο .
bei einem Eingangssignal von 0 Volt aie Spannung fiber der *·"* Kapaaltat C1 während der Zeit, ie der der Punkt 27 ein Potential von ♦ E Volt (;egen jSrde hat, genau gleich £ S Volt wird» Der zu diesem Zweck erforderliche sittlere
t .
ι ■■..-■
Ladestrom t - · wird durch die GrÖsee der Kapezi-
B K + Γ«
tat C und die leitä'iuer T" ieder Äbtastperiode 1F, »Ehrend der das Potential de» punfcte· 27 -fleicb -f E Volt istf bestinimt. Dieeer Ladeatron ist glaich G1E § wobei
S/2 die Spannun£sSenkung über der Kapazität C, bei einem EixiC&ngeeignal von 0 YoIt lit« Daraus; iolgt* dass fffr eine richtige Einstellung des mittleren Ledeetroae T
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C1 R
gleich sein nuss. Günstige Verte für den mittleren
2 ·
Lade st rom ait flöek'sicht Auf ein gutes üignal-Rausoh-Yerhältnis XkTiA auf die. erforderliche cichaltleirtung liefen »wischen 1 /uA und 1 al.
Iiea letzten Transistor der Folge, T12, folgt eine Vorrichtung, beim vorliegenden Beispiel die Mode J), welche dient, un die Spannung über der Kapazität C12 *uf den Bezugspegel'von +B Volt zu bringen, jeweils bevor neue Information an diese KapasitSt C12 weitergegeben wird· Dies wird dadurch erreicht, dass die vom Kollektor de· Transistors T12 abgekehrte öeite der Diode.D mit den Basiselektroden der ungeradzahligen Transistoren T verbunden ist, wodurch die Diode D; gleichzeitig« mit diesen ungeradzahligen Transistoren T in den leitenden Zustand k'orfttit. - ' ' . ';■.■■·' ■·.·"·■ ·.·'··.
. ' Aue der irlfitttenin^ akr Schaltung nach Wf · 6' ' geht hervor, da?s die inforsatlon in tor* eine*. L*4un#fmahfe,-eli von einer Speicherkapazität C ^1 aas di· nlohete Speicherkapazität C weitei'geleltet- wir** -JeAO**! vird eioe Kapazität Cn-1 aus der'naon.f'olgfrhdtfÄ Eäj^eitit Qn wieder auf den Bezu^spegel von £ Volt nachgeladen, »9 dass die inf ormationsübertra-^og.. «nd die iAAangeYeriotjIebuiit; in ent&egenfesetaten Hichtungen errölgea» -" ■' ' . .:; Es dürfte weiterhin einleuchten, dass die Kin« gangesignale auch dem Emitter eines anderen .als des «rat«·
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Traneistors der Folge sowie gleichzeitig; den Emittern nehrerer Transistoren zugeführt werden können.
Das Ausführunb-sbe5 spiel nach den Figuren 5» 4 und lj eines integrierten Kondensatorspeicher enthalt Transistoren T mit erhöhter Kollektor-BaeiB-KftpasitSt. Ein derartiger Transistor alt erhöhter Kollektor-Basis-Kapasltlt wurde insbesondere an Hand der Figuren 4 und 5 beschrieben.
Bin andere« Ausführungebeispiel ein·· Tranei·-' . tors ait erhöhter Kollektqr-Baaia-KapazitEt, der auch in einem Kondensatorspeicher geaiss* der Erfindung Anwendung finden kann, vird nunmehr an Band der Figur 8 beschrieben» Fio C zeigt einen den ^,uerschniti der Figur 5 entsprechenden Querschnitt durch «inen Transistor ait erhöhter Eellektor-Busis-KapazitSt, wobei in den beiden Figuren «nt» ^^ sprechende Teilt Bit den gleichen Bezugaaiffern beseiChnet sind. Beim Transistor nach Fig· ö besteht die iusätsliche Zone aus saehreren Teilen, die in dor Figur ait 60 und ii bezeichnet sind. Diese Teile 60 und 61 können Teile einer zuBäiiuaenhänjenden zusätzlichen Zone aexn und/oder i-.B. durch Fenster und eine Metalleitbahn galvanisch ait· einander verbunden sein. Ferner kann auöh ein« zueätzliche Zone Anwendung finden, die im Halbleiterkörper völlig dur^ft die Basiszone umoeben und a«Bc dureh eine Ketalieit» bahn mit dar Basiszone verbunden iet.
Beim Ausfünrungebeispiel i;ach Fig. 8 ist awar der Oberflächenteil der Basiszone, der dureh die zusatz-
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liehe ion« eingenommen wird, kleiner all bei« Transistor nt oh Fig. 5, aber dear steht gegenüber, das* die landllnge der zweiten Zone *aji der ObeffHohe des Halbleiterkörper» grBeeer i»t. Bei einer diffundierten Baelssone ist dl« Konxefitrfttioa i»r Detierunf an der Ob«rfltohe mm hSiiilM« Infolf««!«i«en ici die Ktpttsitlt Je Fllohaneinheit des JM Übergmgee fcwiichen der xueltrliohen Zorn· und der Be^iesone gerade an Rande, in der Mähe der Oberfläche de· HalbleiterkSrpere, as grQeaten« Za alIge«βinen hingt ee bon den Dotierungekontentrationea und dra Dicken der Basiszone und der lueltaliehee Zone ab, welohe Geometrie die grSeete KapasitSteerhBhung ergibt. Das vorstehende ermSglicht ee den Faohaann, von Fall iu Fäll »u beeti·- men, ob ein ae&liehet groieer fit«h*sinhaltf eine »8«- lichet {jroeae Kandlfinge öder, e&at *#i»ehen die »en beiden Extremen liegende Zwiechenfoni Bit Hfiokeioht auf die XBglichkeiten und die Beeehrlfikangtn der aur ?*rf*gune »tehervden KeT»teliungeverfahren zu; bevorittfen let. " '
•Fenie.r kann, die Kollektorzone 4» vie' die· ta Fig· ϋ dargestellt ist, aueeer einem boohohmdgen Veil einen niederohmigen Teil 4a uefaieen, wodurob der 4£ollelttereerienwideratand herabgesetzt wird, ßieeer nie4erahmige Teil 4s kann z.B. äuT die darfiptsttllte, Übliche W«iee die Form einer vergrabenen äohiöltt habfn. . · -.· .' . ·. ' Fig. 9 aeitjt einen LJchnitv diiareh; .eine·" iniiteret wichtig« Aueführungsform eines Transistors Bit erhöhter
tstisi?
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Kollektor-üasie-KapuzitSt. Dabei weist die Eäeiiäöhi «inen dicken Teil 51a und einen dünnen teil 5"Ib £uft wahrend die zweite Zone 55 wenigstens* einen Oberflachenteil d«e dioken Teile 31a einnimnt. Durch Verwendung einer Baeiesoa* Hit einen dicken und einem dünnen feil wird der Basiiwider-Etand, insbesondere der des kapazitiveren Teiles der-Si« üiBzone, erniedrigt. Dabei kann jedoch der Serienwider-# stand zwischen dem Teil der Kollektorzone 4, der unlfr der Emitterzone 5<? liet,t, und der züeStzliehen iiorii 53 ir.l'oife-e der geringeren Dicke der Kollektorsone 4 unter dem dicken Teil 51a der Baeieaone grÖeeer aein» Es ilt däfihalb bei Anwendung- f^|K, Basiesone nit einem diokeB ' und einem dünnen Teil gewünaoht, Ιαββ die Kollektor«©»· aus?er einem hochοhaigen Teil einen niederohaigeh Teil 4a enthalt, der eich wenigstens teil»·!«· unter den dieken ' Teil 51a der BaeÜaBne erstreckt.
Auaser einer Emiedriguae des Basieaerienwidir» Etandes t'i^t die Anwendung einer Basiszone mit einem dieken Teil den weiteren Vorteil eines Bei trac·" zur erhöhten Kolliktor-Baiie-KapozitSt, weil der Fliiehiriinhält des pn- Über£ant;e8 zwischen der Köllektor»ne 4 tind der Baeiszone 51 verjjr8seert iit. Di#e#f Beitrag wird fläjiri · noch etwas weiter vergrösaert, wenn der diöke Teil 5fit der Basiszone an den niederohniigen Teil 4^^ der Kollektorzn· £rehzt. Die letztere iLüsführvu^rsforr, hat atiseerden den Vorteii, daiü der dicke "Teil 51;: der Basifsörie bei
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der Herstellung des Transistors gleichzeitig mit den Ä*olierzo&en 6J angebrecht werden kaaa· Uhren* »loh iie .*··- lierzorfen 65 bis in da» Substrat 50 erstrecken, atSast der dicke Toil 51a der· Basiszone auf den niederohmigen Teil 4* .der Kollektorzono, wodurch kein- Kurzschluss zwisohen der Basiszone 51 und dero Substrat 50 auftritt·
Auf diese Wise erfordert wieder die Anwendung
einer zusätzlichen -one hoch die einer Basiszone Kit ein··
• · · . ". . dicken und elnea dünnen Teil einen suaStzliehen Diffuslonavorgang bei der- Herstellung· Die zusätzliche 2on· kamt gleichzeitig alt der Enitterion«, ier disk· Teil der Be> siazone gleichzeitig alt den Xaolierzonen hergestellt werden.
Bei einem «eiteren Auaftthrungabeiep^el einea integrierten Kondensatorspeiohera ^asäs's der'Erfindung» von dem-Fie. 10 eine Drüufaie-hf zeigtt ist durch' di· Terweix- · dung· e.ihea Traneietors νβη.β^η«»'»äderen.Ty^p der eirfor· derliclie Flächeninhalt .^e Spiiich.exelemeij-t erhebltch -war-. kleinert. Dieses Ausfühxungs&elspiel enthalt ein· Folge von 9 TraneiatorsnTyQ -..Τ-", die drei aufeih&nderfolg#nde aneinander grenzende Gruppen..'yon^Je. drei· Hufeiaand'erfolgenden Transistoren, nämlich: ϊ~0 - T^ " ^t* " '^75 ^111* Ϊ7£ - T7ß, aufweist. Die- Kollektorzone 80^edeβ "de* Transistoren T70 bis T77 i**oht .'arider. Stelle ein«* 81 in einer Isolierschicht. Kontakt mit einer *uf der i.aoli'erechicht liegenden *letalleitisrbahri M; die diejee Kollektorzone 80 B)it der Skitter2on· O^ des naohsten Trainaiatora
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der Polfe durch ein Fenster 84 hindurch verbindet. Die rtalbleiterzonen der Transistoren, die zu verschiedenen Gruppen gehören, aber in ihrer Gruppe die gleiche Ordnungezahl tragen, das heisat die Transistoren Τ·»ο» Τ»,» Τ j el T71» T74» Τ77^ und Τ72· Τ75* Τ7β* βΓβίΓβο1ζ:·η eieh in d*r gleichen Halbleiterinsel 85, 86 baw. 87, wob·! dies·.Halb- ' leiterinsein eine ireraeinsane Basiszone für di· betreffende Transistoren bilden, während, di· laitter- und Koll«ktorzonen in Fora von OberflSchtnaoßen 63 bav· 80 angebracht sind. Dabei können den geaeineuMH Basiszonen 65» 06 und 37 Steuersignale über die Metalleitbahnen, SO, 89 und 9^ zugeführt werdei^^die an der stelle der Fenster 91 ' mit den Basiszonen Kontakt naehen. Die Basiszonen können je duroh ein Fenster hindurch, vie dies bela vorliegenden Aueführungsbeispiel der Fall 1st, oder durch mehrere Fenτ ster hindurch kontaktiert sein, die ζ·Β· an entgegengesetzten Seiten der H&lbleiterinMl liefen können. Sie Emitterzone 83 des Transistors T-Q ist alt der Metalleitbahn y5 verbunden, die zum elektrischen Eingang des Speichers-gehSrt. Über die Leitbahn 36, die an der Stell· de· Fensters 01 mit der Kollektorzone 80 des Transistors T-. Kontakt macht, können .luogan&ssignale abgenooiaen werden·
Ein Teil der OberflSche der Kollektorzone 81 wird durch eine v/eitere Oberflachenzone ')2t 93 bzw. 94 eingenommen, die vom gleichen Leitungstyp wie die Basisaonen 85 bis 87 ist. jede der weiteren ÜberflSehenzon·
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92, 93 uh<i 94 ftiiat auch einen Teil der Oberfläche der b·- ireffüriclih iäeiexbn* 85» Θ6 bzw* 87 ein, wodurch die weiteren OberflSchentonen alt der betreffenden Basiszone §·!- taniibh rerbunden «ind«
Δχα ErISuterung zeigt Fig. 11 einen ge alse der βtriohpunktierten Linie XI - Xi der Fig. 10 geführten .Schnitt durch den Translator T70» wobei entsprechende Teilt mit din gleichen Bezu£3ziff«rn bezeichnet eind. Der Traniietor ?-0 enthalt einen HalblelterkSr^er, der durch eia dubitrat 100 au« z.l. p-leitend«· Bilioiu« und eint auf di«tea «ng«brachte tpitaktieoh« Schicht 63 aus n-ieit«nimi äilleiua gebildet wird, wobei eiat Emitterion· 63 und. ein· kollektorzone 60, die beide aus p-leitendea Si-. liciua bestehen, sich von der gleiohen Ob«rflSch« 101 in den HÄlbleiterlBrper hinein eretreck«ht wobei «ie innerhalb· dee Heleleiterkörper« ciiarcb ·1ι»β Paii»jsonf.85 tuagebcß jtiiüd·.Of·!*·-'d«r,'Sri^ö4uiag wird ein T*±l, der Ober* · fische der Ko%lektöraeä* durch ein· weiter« OberflSehen- «örie 92'·1φηοΜ·ή,'ϋ«,το1 gleichen Leitung«typ iit wie die Dftaieton· 85 und galvwaiich f?it. die>«r Vfrbunden iit.
Die Oberfläche 101 de» Halbl»i-ieik5rp»xe i*t ■it einer ieiliireehiöht 102 aberzogen, in 4*τ *ie Fernster 31» 84 und ()1 enfftWftcht #lft<t in aeoi^.lietaileitbahnen 02, 95 und 68 pit der Kollektoraöne 80, der |»itterxone 83 bzw, der Baaiszone θ5 Kontakt geb*Ä« kann zur Verrincerünjg; von Serlehwiäeretathd iü: dir
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zone 05 ein niederohmiger Teil 103» der in Fig· 11 ale ein· gestrichelt -gezeichnete Schicht dargestellt ist und vom gleichen Leitun^styp i3t wie die Basiszone 05» jedooh einen niedrigeren spezifischen Widerstand hat, vorgesehen sein.
Der an Hand der Figuren 10 und 11 beschrieben· integrierte Speicher weist eine besonders kompakte Structur ait einen einfachen Leitbahnmuster auf. Ferner erstrecken sich die Leiterbahnen 82e welche die Emitterzonen 83 des einen Transistors mit der Kollektorzone 80 des nächstfolgenden Transistor· verbinden» nur atf eis·? sehr kurzen Strecke unmittelbar über 4er Kollekierse&t dieses einen Transistor·» wodurch die parasitär· Butter* Kollektor-KapazitSten, über die ein elektrisches fiber- *·*· sprechen stattfinden kann» sehr klein sind·
Auch tritt die parasitäre SubatratkapasitSt bei dieser AusführungsTora zwischen den Basiselektrode« der Transistoren und des Substrat auf» was sohaltttaf»%·«*- nisoh . günstiger iai als wenn sie zwischen den Kollektorelektroden und dem Substrat auftritt» wie dies beta iipei* eher nach den Figuren 3, 4 und 5 der Fall ist« Aueserdea ist beim Speicher genass den Figuren 3» 4 und 5 die EaItter-Basis-Durchbruchspannung oassgebend für die h&Ohstzuläesige Spannung über den Speiohorkapazitatenf wobei diese Durohbruchspannung bei doppeltdiffundierten Transistoren Bit guten Ssiitterwirkungsgrad nur wenige ToIt
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betrügt. Dagegen ist beim Transietor genäse Flg. 11 die Baais-Uollektor-DMrchbruchspannung maeagebend, weil si·, die niedrigste Durohbruchapannung ist, wobei dieae Durchbruchapannung leicht höher als bei einem doppeltdiffundierten Transistor sein kann, .
.' ' Ebenso wie der integrierte Speicher gemäaa den ■ Figuren 3t 4 und 5' kann der" integrierte Speicher gemlae den Figuren '10 und. 11 völlig auf eine in der Halbleitertechnik üblich· Weise 'hergestellt werden.
Ea sei bemerkt^ dass die Irtindung sich nicht auf die beschriebenen Ausführungsbeispiele beaohrlnkt und dass für den Fachnann im Rahmen der Erfindung unnpbe Abänderungen möglich sind. Se lSaat sich.ζ·Β. die Struktur des Speichers nach Fig· } dadurch noch etwas kompakter
gestalten, dass die Leitbahnen 19 und 20 nioht TBllig , über den Isolierzonen'6^f aondern teilweise tfber dan KoI-lektorsonen derjenigen Tranaietören,-. deren Basiszone «it der betreffenden Leitbahn.'verbunden- ist, angebracht werden. Die Isolierzonen. 63 können in dieses Fall aehaaler ausgebildet werden, ohne daa.s aus^.tsliohe ja^msitfire
Kapazitäten, über die ein' elektriBcheeffberi^Techen statt finden kann, zwiachen den'tiitbahnen.ij i»d έθ ψίά Kollek torzonen von Transistoren, die ..nicht *i.t ..*·» b.«tr»f£end.*n Leitbahii verbunden sind, eingeführt werden. 'turn*i XZnnen kürzere oder längere Tran si st ojrfo Igen'Anwendung flndeni. wobei erforderlichenfalls, die. Verluste, die ilBwea#nilr 909847/0859 ·. . . -■;·...·" .BAD-
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liehen dadurch verursacht werden, dass der Verstärkungsfaktor der Transistoren kleiner als 1 ist, durch Zwischenschaltung ein·· oder mehrerer Ladungsverstärker ausgeglichen werden können. Auch können mehrere Transietorfolgen parallel geschaltet werden, wobei ein gemeinsaner Eingang und/oder ein gcmeinsaner Ausgang verwendet werden k&nn. Ferner kinnen übliche Abtastkrelee und/oder Ausgangskrefrse benutzt werden, die ebenso wie die etwaigen Ladungsverstärker gnnz oder teilweise zueamaen Bit den Kondensatorspeicher integriert werden kinnen. Diese und weitere Höglichkeiten der Schaltung sind bereite in der erwähnten Patentanmeldung Nr. ...^LgDi 2006c) erwähnt worden·
.,uch können als fiingangesignale nicht nur elektrische, sondern auch andersartige, z.3. elektromagnet!- * sehe, Jignale Anwendung finden. -Js kann z.B. die Photo- empfindlichkeit des Kollektor-Basis-Ubergange ausgenutzt werden, wobei es wichtig ist« dass die Photoempfindlioh-
e»
keit dieses pn-UberganoS bei einen Transistor nit erhöh- . ter Koliektor-Basie-Kapazitltt infolge des Vorhandenseins der zusätzlichen Zone b2w. der weiteren Oberfllchenzone gesteigert ist. Diese gesteigerte Photoeapfindliohkeit hängt nicht nur alt dem grösseren FlScheninhalt de· pn« Überganges, aondern auch mit der Tatsache zusannen, das· ein Teil dieses pn-Ubergangea, d^h, der Teil zwischen der zusätzlichen Zone und der Basiszone bz*. zwischen der weiteren UberfiSohenzone und der Kollektorzone, sieh in einen 909847/0859
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geringeren Abstand von der Halbleiteroberfläche befindet, als bei'o Fehlen einer derartigen zus&tzliche. Zone bzw·
«eiteren Oberfl£ohenaone der Fall wSre«
Die TrtJisis toren können sowohl npn* als au oh
pnp-Traneietoren sein, während auch andere Übliche Geometrien, isolierverfahren und Materialien benutat werden. k6nnen· Auch kOnnen Transistoren oif erhShter Kollektor« Basis-Kapazität in einer üblichen Gehäuse untergebracht und als BütteleDtnte« z.B. in Kondensatorspeichern, oder als Millerintegrator verwendet werden· Dabei können die isoliermonen entfallen vnfl. es kann z.B. eic niederohuiges Halbleitersubstrat Tom gleiohen Leitungetyp wie die Kollektorxone Anwendung finden«
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Claims (1)

  1. PKIf 3145
    Patentansprüche ι
    1. integrierter Kondensatorspeicher, der ein· Folge von Kapazitäten enthalt und bei den mit Hilfe von Steuersignalen Ladung von einer Kapazität der Folge über einen Transistor zur nEchetfolgenden Kapazität der Folge verschoben werden kann, zu welchem Zweck.zwischen je zwei aufeinanderfolgenden Kapazitäten der Folge ein solcher Transistor vorgesehen ist, wobei diese Transistoren ebenfalls eine Folge bilden, während der Kollektor eines solohes Transistors zum Terschieben von Ladung mit dem Esitfcer des nSchetfolgenden Transistors verbunden ist, wob·! der integrierte Speieher ein Substrat enthält, dae alt ii*U·?· ten Halbleiterineeln versehen ist« in denen sieh die fran« sistoren der Folge befinden, dadurch gekennseiohnet, dass « die Kapazitäten durch die Kollektor-Basis-KapazitSten der. Transistoren gebildet werden, während die Basiselektrode» der Transistoren xua elektrischen JCingang btw. zu dem elektrischen Eingängen f6r di· Steuersignal·
    2. Kondensatorspeieher naoh Anspruch 1, gekennzeichnet, dass die Basiselektroden oiaer Ansahl von Transietoren der Folge galvanisch miteinander verbunden sind, wobei diese /inzahl v^n Transistoren keine zwei aufeinanderfolgenden Transistoren enthält.
    3. Kondensatorspeicher nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Folge von Transistoren mindestens zwei aufeinanderfolgende nnelnandergrenzende Grup-
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    pen mit je der gleichen Anzahl τοη aufeinanderfolgend·!! Üranaistoren enth&lt, wob. el die Basiselektroden derjenigen Traneiβtoren, die zu versohiedenen Gruppen gehören, aber in ihrer Gruppe die gleiche Ordnungszahl tragen» galvanisch miteinander verbunden sind,
    4. · }>.dndensator3peioher nftöh eines oder mehreren der vorstehenden ..nsprüche, dadurch gekennzeichnet, das· die Basiszone mindestens eines der Transistoren der ?olge eine Oberflächenzone ist, von der ein erster Oberfliehenteil durch die Snitterzone und ein zweiter OberflSehenteil durch eine zusätzliche Zone eingenommen wird, wobei die zusatz Hohe Zone, die vom gleichen Leitung· typ «1« die Emitterzone 1st, galvanisch alt der on diese Jlasi·- * zone grenzenden Kollektor»ne verbunden ist·
    5. . Kondensatorspeicher nach Anspruch 4t -dadurch gekennzeichnet, dass die erwfihntfe Basisedhe' mit-ein«a Anschiu'sileiter verseheh'-l»t, der an. finer zwiechefc der Emittersorte und.-der zuabtauchen Zone liegenden. Stell· mit der Basiszone Kontakt gibt· . · . '
    6. JLondensatorspeicBer nijitfh rJiepruoh 4">€·*.% durch gekennzeichnet, des« ^ie ijr'fitf'..Saft* üjpMir>iNi·" Drittel der OberflIch* der Baeiazohe elaniiat;
    7. Konder.uiatorepeioher -«a#h elB·« «4«r itekrerefli der Ineprfiche 4 bis ό,. dadurch gekennseiahoet, d·*· dl·, erwähnte Baeietone einen dicken, yaaa elhen dftnee». Ail■ a»fweistf wobei die zusätzliche ?ofte wenig*tens ein·« 0·«*«
    909847/00Sl-. ■':.'■ ■ BADORiGINAL
    PKN J145
    flSchenteil des dioken Teiles einnimmt·
    8. Kondensatorspeicher naoh Anspruch 7» dadurch gekennzeichnet, dass die Kollektors tfe ausser οinen hochohmigen Teil einen niederohnigen Teil enthält, welcher niederohmige Teil sich wenigstens teilweise unter dem dicken Teil der Basiszone erstreckt· .
    9. Kondensatorspeicher nach Anspruch- 8, dadurch gekennzeichnet, dass der nledcrohaige Teil der Kollektorxone an den dicken Teil der B&sisaone grenzt.
    10« Kondensatorspeicher naoh Anspruch 2 oder 3 t dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterzonsn einer Anzahl von Transietoren derFolge, deren Basiselektroden jalVc-nisch niteinander verbunden Bind, sich in einer gerne ine amen Halbleiterinsel erstrecken, wobei die Halblei- ■ terinsel eine geaeinsaoe Basiszone £ür di· Transistoren bildet* während die Emitter· und Kollektorsonen in foxn von Oberfläohenzonen tingebracht sind.
    11. Kondensatorspeieher naoh Ansprudi 10, dadurch hekennzeichnet, dass ein Teil der Oberfläche der Kollektorzone mindestens eines der Transistoren der Folge durch eine weitere Oberflüohen-one eingenommen wird, die voa gleichen Leitun^etyp ist wie die Basiszone und galvanisch ■it Ihr verbunden ist.
    12. Schaltungsanordi ung nit einem integrierten Kondensatorspeicher nach eines oder aehreren der vorstehende« AnsfSflohe, dadureh gekennseiohnet, dass des
    PHN 3145
    eines oder mehrerer Transistoren der Folge Eingang·signale zugeführt werden können, wahrend ein Ausgangckreia vorhanden ist, um dem Kollektor mindestens eine· Transistors der FoIce elektrische signale zu entnehmen, wobei mit Hilfe mindesten« einer bchaltepannungsquelle den Basiselektroden der Transistoren der Folge Steuersignale au-
    geführt werden, die Transistoren dir .Folge zus Weitergeben • · - ■ .
    Ton Ladung in dem leitenden Zu·tend bringen* wobei di· angrenzenden Transistoren Jede· leitenden Translator· der Po if β nieht leitend lind..
    15. Tranalator, unter anderen zur Verwendung in einen Kondensatorspeicher naoh eine« oder mehreren der vorstehenden Ansprfiohs, der einen Halbleiterkörper enthält» wobei die Basissono dea Transistor* eine OberfiKehsnzon* des Hali.lsltsrktrpers 1st, wthrend ela Qfaerfllohentell der Basiszone' duroh 61«. tnitteraene elnetnosuwa wird, wobei der KOlIsfet0* nur mit-elieaoA/ir aelirertn ln»«hlu··- ' leitern versehe!) 1st, die nur mit dieses Kollektor. Kon-
    takt machen, d'aduroh ge kennzeichnet, dasa ein zweiter *
    ν - ■
    Oberflachenteil der Basiszone durch eine zusätzliche Zone eingenommen wird, wobei die zusätzliche Zone,-die vom. gleichen Leitungetyp wie die Emitterzone ist, galvaniaoh nit der va\ die Basiszone grenzenden Koil»fcVor*one Yerb-Uhden ist. · · '■ ■ .. ·
    14. Transistor nach Ansprach 1J, dadurch fekenn*
    zeichnet, daas die Basiszone nit einem Anschlussleiter
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    versehen ist, der an einer zwischen der Emitterzone und der zusätzlichen Jone liegenden Stelle alt der Basiszone Kontakt gibt.
    15· Transistor nach Anspruch 13 oder 14t dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Zone wenigstens ein Dritt·! der Oberflache der Basiszone einnimmt« 16· Transistor nach einem oder mehreren der Ansprfr» ehe 15 Ma 15, dadurch gekennzeichnet! dass die «rwShat« Basiszone einen dicken und einen dünnen Teil aufweiet, wobei die zusätzliche Zone wenigstens einen GberflSohtnteil des dicken Teile· einninnt.
    17· Translator no^bg^nepruoh 16, dadurch ge kenn·' zelohnet, dass die kollektorzone aueser einem boehohalgtn Teil einen ndederohaigen Teil entbSlt» der eich wenigstens teilweise unter den dicken Teil der dasisaon« er- ' streckt.
    18, Transistor nacn Anspruch 17» dadurch gekennzeichnet, dass der nie derohaige Teil der Kollektorzone an den dicken Teil der .basiszone grenzt.
    19· Transistor, unter ,anderen zur Verwendung in elften Kondensatorspeicher nach einem oder nehreren der Ansprüohe 2, J9 10, 11 und 12, der einen Halbleiterkörper enthält, wobei sich eine Eniitterzone und eine Kollektorzone vcn der jleicheir Überflüche her in den Halbleiterkörper tiinei-ioretrecken, woboi sie innerhalb de· terkörpera durch eine Basiszone us^cben sind, dadurch
    909847/08M
    BAD ORfGIfMAL
    phi; 3145
    gekennzeichnet, dnas ein Teil der Oberfläche der Kollektor· zone durch eine «eitere Oberflächen ζ one eingenommen ist» dierora gleiohen Leitungetyp ist wie die Üasisaont »ad galvanisch «it ihr verbunden ist·
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DK131253B (da) 1975-06-16
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