DE1919144A1 - Mikrominiaturisierte elektronische Schaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Mikrominiaturisierte elektronische Schaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung

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DE1919144A1 DE19691919144 DE1919144A DE1919144A1 DE 1919144 A1 DE1919144 A1 DE 1919144A1 DE 19691919144 DE19691919144 DE 19691919144 DE 1919144 A DE1919144 A DE 1919144A DE 1919144 A1 DE1919144 A1 DE 1919144A1
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Description

Unser Zeichen: T 751
■Texas Instruments Incorporated
13500 Hdrth Central 'Expressway
Dallas,- Texas (V,St.A.Q ■
Mikrominiaturisierte elektronische Schaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer mikrominiaturisierten elektronischen Schaltung und insbesondere eine mit Hilfe der Energie eines Elektronenstrahls hergestellte mikrominiaturisierte elektronische Mehrschichtschaltung.
In der deutschen Patentanmeldung P 15 64 962.2 ist ein Verfahren beschrieben, bei dem mit Elektronenstrahlen Vorsprünge oder Hügel auf einkristallinem Halbleitermaterial erzeugt werden, in welchem ansehliessend Schaltungselemente gebildet werden. Bei dem beschriebenen Verfahren wird ein hoehenergetischer Elektronenstrahl auf ein aus einem einkristallinen Plättchen bestehendes Substrat gelenkt. Durch ein gemäss einem vorbestimmten Programm durchgeführtes impulsförmiges Steuern des Elektronenstrahls über die Eläche des Plättchens werden an gewünschten Stellen viele Vorsprünge oder Hügel aus einkristallinem Material mit gegebenen Abmessungen erzeugt. Die Energie des hoeh-
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energetischen Strahls beträgt in einem typischen Fall ■ 10O ■ keV bei einem Strählstrom, der etwas kleiner, als 5 P-A ist. Die Impulsfrequenz beträgt etwa 250 Hz. .
Bisher sind verschiedene Halbleiterschaltungselemente wie etwa Transistoren,. Dioden und Widerstände in diesen Vorsprüngen oder in. den durch ein Elektronenstrahlschn&id- ■-verfahren umgrenzten Flächen hergestellt worden. Dies geschah zusätzlich zum üblichen Verfahren mittels -Phoromaskierung und chemischer Ätzung. Durch eines oder durch eine Kombination dieser Verfahren konnte 'eine integrierte Schaltung in Planartechnik hergestellt werden. Wegen der <=- Schwierigkeiten, die beim Ausrichten, insbesondere beim Photo— maskierungs— und Ätzverfahren auftraten, war es jedoch , schwierig, wenn nicht gar unmöglich, Mehrschichtschaltungen herzustellen.■
Mit dem in der oben genannten, gleichzeitig schwebendem Anmeldung - beschriebenen Elektronenstrahlverfahren konnten zwar verhältnismässig reine einkristalline Bauelementengebiete erzeugt werden, doch führten andere Verfahren zur Herstellung integrierter "Schaltungen in Planartechnik zu Baue-lementengebieten, die oft unerwünschte Verunreinigungen enthielten. Diese Verunreinigungen -beeinflussten die Arbeitsweise der Vorrichtung oft in schädlicher Weise. Die unter Verwendung von Pnotomaskierung und -■: -" -chemischem Ätzen durchgeführten Verfahren eignen sieh ausserdem nicht für die Erzeugung einer groösen Dichte ■ ' der Schaltungselemente. ' ■ ·
Es ist das Ziel der Erfindung, eine mikrominiaturisierte elektronische Mehrschichtschaltung herzustelleil, mit der sich eine grösse Anzahl von dicht aneinandergefügten zuverlässigen Schaltungselementen auf einem ^Plättchen erzeugen lässt. Fach der Erfindung soll eine mikrominiaturisierte elektronische Schaltung mit Hilfe eines
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Elektronenstrahls zusammen mit anderen Herstellungsverfahren erzeugt werden. Auch eine mikrominiaturisierte elektronische Schaltung in einer dreidimensionalen, gestapelten Anordnung soll nach der Erfindung geschaffen werden. Ausserdem soll eine mikrominiaturisierte elektronische Schaltung mit relativ reinen einkristallinen Bauelementengebieten hergestellt werden.
Gemäss der Erfindung wird eine mikrominiaturisierte elektronische Schaltung aus einem Plättchen aus einkristallinem Substrat hergestellt, das mit einer dielektrischen oder isolierenden Schicht überzogen ist.
Ein auf das Plättchen gelenkter Energiestrahl erzeugt durch Verdampfen ein Loch in der dielektrischen Schicht und bildet auf dem Substrat durch die herausgedampfte Öffnung einen Hügel. Mit Hilfe eines abtastenden Energiestrahls lässt man dann auf der Oberseite der dielektrischen Schicht ein einkristallines Bauelementengebiet "wachsen", indem man den Hügel als Kristallisationskern benutzt. Nachfolgende Oxidschichten und nachfolgende Schichten aus Bauelementengebieten werden dann ebenfalls mit Hilfe des Energiestrahls durch Herausdampfen von Löchern aus der dielektrischen Schicht und durch Vergrössern des ursprünglichen Hügels erzeugt.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt. Darin zeigen: .
Fig.1 bis 7 raassstäblich vergrösserte Schnittansichten eines Plättchens, in denen die aufeinanderfolgenden Schritte zur Herstellung mikrominiaturisierter elektronischer Mehrschichtschaltungen dargestellt sind.
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Damit man als Endprodukt eine mikrominiaturisierte elektronische Mehrschichtschaltung erhält, kann eine Kombination aus Elektronenstrahl-, Ionenstrahl- und chemischen Reaktionsverfahren verwendet werden. Zur Erzielung des gewünschten Ergebnisses können auch andere gebündelte Energiequellen und die herkömmliche Halbleitertechnologie (wie etwa das Ofenschmelzen) angewendet werden. Zu der nachfolgenden Beschreibung wird jedoch das Elektrqnenstrahlverfahren zur Erzeugung verschiedener Bauelementenschichten besonders hervorgehoben.
α Als Ausgangsmaterial wird ein einkristallines Substrat 10, etwa Silicium, verwendet, das mit einer dielektrischen oder isolierenden Schicht 12,etwa Siliciumdioxid, überzogen ist. Die Beschreibung der Erfindung ist zwar für Silicium als Grundmaterial durchgeführt, es können aber auch andere Materialien wie etwa Germanium oder Galliumarsenid sowie andere Verbindungshalbleiter aus den Gruppen H-VI und H-V des periodischen Systems verwendet werden. Das Substrat 10 kann aus jedem beliebigen Halbleitermaterial mit jedem beliebigen spezifischen Widerstand bestehen, doch soll die Erfindung unter Bezugnahme auf ein einkristallines Silicium vom (n+)-Leitungstyp mit niedgigem spezifIs-cjheni Widerstand, das mit einer 5000A dicken Schicht 12 aus Siliciumdioxid überzogen ist, beschrieben werden. Weiterhin sei bemerkt, dass in der Zeichnung zwar nur ein Bauelementengebiet dargestellt ist, ein gegebenes Plättchen aber Dutzende oder sogar Hunderte von Bauelementengebieten enthalten kann, von denen jedes aus einem Transistor, einer Diode, aus anderen Bauelementen oder aus einer Kombination von solchen Bauelementen bestehen kann, *
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Die zur Herstellung der mikrominiaturisierten elektronischen Schaltungen verwendete Elektronenstrahlvorrichtung ist in der oben erwähnten Patentanmeldung sowie in der "US-Patentschrift 5 340 601 genau beschrieben worden. Eine genaue Beschreibung wird hier nicht für notwendig erachtet. In einem Elektronenstrahlgenerator wird ein Strom hochenergetischer Elektronen von einer geheizten Katode emittiert, die an eine Heizstromquelle angeschlossen ist. Die von der Katode des Elektronengenerators emittierten Elektronen werden von einer negativen Beschleunigungs-. gleichspannung, die zwischen der Katode und einer an Masse liegenden Anode angelegt ist, zum Substrat 10 hin beschleu- A nigt. Üblicherweise können die beschleunigten Elektronen zu einem Strahl gebündelt und mit Hilfe von Ablenkplattengruppen so gesteuert werden, dass sie ein bestimmtes Muster beschreiben. In einem typischen Pail gibt die, Katode Elektronen in Impulsen einer Dauer von 5 bis 25/us bei einer Frequenz von etwa 250 Impulsen pro Sekunde ab. Die Energie des Strahls liegt bei seinem Auftreffen auf dem Substrat 10 in der Grössenordnung von 0,5 bis 1,0 mW/cm . Wie in vielen nachgewiesenen Experimenten demonstriert worden ist, kann ein Elektronenstrahl mit der Genauigkeit von etwa 5 f- eingestellt werden. Die Herstellung mikrominiaturisierter elektronischer Schaltungen mit Hilfe eines Elektronenstrahls weist daher eine beachtliche - %
Genauigkeitsverbesserung gegenüber dem üblichen Photomaskierungs- und Ätzverfahren auf.
Zwei der vielen Vorteile des Slektronenstrahlverfahrens zur Herstellung mikrominiaturisierter elektronischer Schaltungen sind die extrem enge Schmelzzone des Strahls und die Steuerbarkeit der Strahlauftreffstelle. Mit einem Elektronenstrahl können Schmelzzonen der gewünschten Form und an räumlich in bestimmter Beziehung stehenden Orten
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• innerhalb extrem enger Toleranzen hergestellt werden. Gemäss der Erfindung wird der Elektioienstrahl zur Bildung eines vorbestimmten Musters iiapulsartig über die Fläche der dielektrischen Schicht 12 mit einer Energie geführt, die gerade unter der zur Verdampfung des iiakriitalUnen Substrate 10 sriordö-rlioliün Energie liegt· Obwohl die Energie zwar nicht zum Verdampfen des Substrats 10 ausreicht, besitzt der Energiestrahl doch genügend Energie, um durch Verdampfen ein Loch in der dielektrischen Schicht 12 zu erzeugen. Als Folge werden eine Vielzahl von durct die dielektrische Schicht 12 ragenden Hügeln, wie der Hügel von Pig.2, aus einkristallinem Silicium a,uf dem Substrat geformt. Man beachte, dass der Hügel 14 nicht durch Schneiden oder Ätzen von Kerben in das Substrat 10, sondern durch eine über die ursprüngliche Fläche des Substrats hinausgehende Materiaierweiterung erzeugt wird. Laboratoriumsuntersuchungen der auf diese Weise hergestellten Hügel haben gezeigt, dass eine Volumenzunähme des Substrats 10 vorliegt.
Nachdem der Hügel 14 auf dem Substrat geformt worden ist, wird ein kleiner Bereich aus einkristalltnein Material 16 epitaktisch über der dielektrischen Schicht 12 angebracht, wobei der Hügel als Kristallisationskern benutzt wird. Y/ieoben bereits erwähnt wurde können neben dem Elektronenstrahlverfahren auch'andere Verfahren zur vollständigen Herstellung mikrominiaturisierter elektronischer Mehrschichtschaltungen angewendet werden. Im Falle des Kristalls 16 kann zur Aufbringung eines Einkristalls auf dem einkristallinen Hügel 14 eine in der Gasphase durchgeführte übliche Reaktion angewendet werden, so dass die Gitterstruktur der resultierenden Schicht eine exakte Erweiterung der Kristallstruktur des Substrats ist. Nach Fig.3 sind nun zwei Schichten aus einkristallinem Material vorhanden, die als Gebiet zur Herstellung von Transistoren oder anderer Halbleitervorrichtungen verwendet werden können.
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Diese Schichten können miteinander Tarbunden oder durch Entfernen des Hügels 14 zur Bildung einer unabhängigen Schaltung elektrisch isoliert werden.
Wenn es erwünscht ist, kann die Fläche des Kristalls 16 durch einen abtästenden Elektronenstrahl ausgedehnt werden, durch den das Silicium tatsächlich zu einer Fläche "wächst", die grosser als die Fläche ist, die durch epitaxiale Aufbringung des Siliciums allein erreicht werden könnte. Dies ist in Fig.4 dargestellt, wo der Kristall 16 über die dielektrische Schicht 12 mit Hilfe eines schematisch dargestellten, abtastenden Elektronenstrahls ä 18 erweitert worden ist. Das Wachsen des Siliciums kann durch Verwendung eines abtastenden Elektronenstrahls allein oder in Kombination mit einer chemischen Dampfatmosphäre aus epitäxialem Dampf (wie Triehlorsilan) durchgeführt werden. Diese erweiterte Fläche kann als Bauelementengebiet zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen durch Photomaskierung und durch Erzeugung dotierter Bereiche durch Diffusion verwendet werden. Vorzugsweise wird der Kristall 16 mit Hilfe einer Photomaske und mit chemischer Ätzung in mehrere Bauelementebereiche 20 und 22 geteilt, damit diese Gebiete vom Hügel 14 isoliert werden.
Damit zusätzliche Schaltungsebenen gebildet werden, werden I die dielektrische Schicht und- die Bauelementengebiete und 22' mit Hilfe irgendeines üblichen Oxidbildungsverfahrens mit einer in Fig.6 dargestellten zweiten dielektrischen Schicht 24 überzogen. Diese zweite dielektrische Schicht 24 wird mit einer Dicke in der Grössenordnuhg von Mikron abgeschieden. Nun wird eine Wiederholung der Schritte zur Erzeugung eines Lochs in der dielektrischen Schicht und zur Ausweitung des Hügels 14 durchgeführt. D^rch Lenken des hochenergetischen Elektronenstrahls auf die dielektrische Schicht 24 im
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Bereich des Hügels 14 entstellt durch. Verdampfen ein Loch in der dielektrischen Schicht und es erfolgt eine weitere Ausdehnung des Substrats 10, wodurch die Höhe des Hügels 14 vergrössert wird. Folglich wird ein Kristall 26 epitaktisch'auf der dielektrischen Schicht 24 wieder unter Verwendung des Hügels 14 als Kristallisationskern abgeschieden. Dieser Kristall wird mit Hilfe eines abtastenden Elektronenstrahls erweitert und durch ein Maskierungs- und Ätzverfahren in einem gewünschten Muster bearbeitet.
Laboratoriutnsversuche haben gezeigt, dass durch geeignete Auswahl der Strahlenenergieparameter. ein Hügel mit einer Höhe von mehreren Vielfachen von 25,4» (mils) erzeugt werden kann. Da die Dicke der dielektrischen Schichten 12 und 24 in der Grössenordnung von Mikron liegt, können die oben beschriebenen Vorgänge wiederholt werden, damit auf einer Anzahl von Schichten an vorbestimmten Stellen entweder auf oder sandwichartig zwischen dielektrischem Material liegende mikrominiaturisierte elektronische Schaltungen entstehen. Diese Schaltungsebenen können durch einen Hügel verbunden oder elektrisch getrennt sein.Wo es erwünscht ist, kann ein Hügel nach Vollendung der Schaltungsebene durch einen Elektronenstrahl entfernt werden, dessen Energie zum Verdampfen des Hügels ausreicht
Zusätzlich zur Vergrösserung des Hügels 14 durch aufeinanderfolgende Schichten aus dielektrischem Material kann der Elektronenstrahl auf die Bauelementengebiete 20 und 22 gelenkt werden, so dass Hügel 28 und 50 nach Fig.4 entstehen, die zusätzliche Kristallisationskerne an der Oberfläche der dielektrischen Schicht 24 bilden. Die Hügel 28 und 30 sind besonders dort wichtig, wo die Schaltung auf den Bauelementengebieten 20 und 22 mit den Bauelementengebieten auf der dielektrischen Schicht24 verbunden werden soll. Gemäss den oben beschriebenen
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Verfahrensschritten können Bereiche 32 und 34 aus einkristallinem Material unter Verwendung der Hügel 28 und als Kristallisationskerne auf die dielektrische Schicht 24 aufgebracht werden. Biese einkristallinen Bereiche können durch Verwendung eines abtastenden Energie— « Strahls allein oder in Kombination mit einer chemischen Atmosphäre aus epitaxialem Dampf ( wie trockenem Trichlorsilan") vergrössert werden. Eine Kombination der Wirkungen kann erzielt werden, indem das Elektronenstrahlverfahren allein oder zusammen mit den Photomaskierungs- und Ätzverfahren angewendet wird, wie oben bereits entsprechend ausgeführt wurde.
Mit Hilfe des hier beschriebenen Verfahrens, das nicht nur einfacher ist, sondern auch eine weitergehende Mikrominiaturisierung ermöglicht als es bisher mit Hilfe des Photomaskierungs- und Ätzverfahrens möglich war, können sehr exakte Muster aus Hügeln . und Bauelementengebieten erzeugt werden. Obwohl hier besonderer Nachdruck auf die Verwendung von Elektronenstrahlen gelegt worden ist, ist auch .beabsichtigt, andere konzentrierte Energiequellen^ wie Laser, in gleicher Weise zur Herstellung einer Vielzahl von Hügeln auf einkristallinem Material zu verwenden. Bei Substraten aus Silicium kann die dielektrische Schicht aus Siliciumnitrid oder Siliciumkarbid 'zusätzlich zu Siliciumdioxid bestehen.
Patentansprüche
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Claims (1)

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- ίο -
P a t e η t a n s ρ r ü c h- e
, 1. . Verfahren zur Herstellung einer mikrominiaturisierten ^—s elektronischen Schaltung aus einem einkristallinen
Substrat, das mit einer dielektrischen Schicht überzogen ist, dadurch gekennzeichnet, dass mit Hilfe eines Energiestrahls durch Verdampfen ein Loch in der dielektrischen Schicht erzeugt wird, dass mit Hilfe eines Energiestrahls auf der Oberfläche des einkristallinen Substrats ein Hügel (H) erzeugt wird, ; der durch das Loch in der dielektrischen Schicht ™ ragt, und dass auf der dielektrischen Schicht unter. Verwendung des Hügels (14) als ELristailisationskern eine einkristalline Schicht (16) geformt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die einkristalline Schicht über der dielektrischen Schicht durch epitaxiale Abscheidung eines einkristallinen Materials auf dem Hügel erzeugt wird.
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass zur Ausdehnung der einkristallinen Schicht ein abtastender Energiestrahl auf die einkristalline Schicht gelenkt wird.
4. Verfahren nach. Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet, dass der Energiestrahl, der durch Verdampfen ein Loch in der dielektrischen Schicht, den Hügel und die Erweiterung der einkristallinen Schicht erzeugt f aus einem Elektronenstrahl besteht.
5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass
die Vergrosserung der einkristallinen Schicht mit Hilfe eines abtastenden Elektronenstrahls in einer Atmosphäre aus epitaxialem Dampf erzielt wird.
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6. . - Verfahren nach. einem der vorhergehenden Ansprüche.,
dadurch gekennzeichnet % dass die kristalline Schicht zur Erzeugung von Bauelementengebieten(20, 22) in einem bestimmten Muster bearbeitet wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
dass auf der dielektrischen Schicht und den Bauelementen-,ebieten eine zweite dielektrische Schicht (24) aufgebracht wird, dass mit Hilfe eines Energiestrahls in der zweiten dielektrischen Schicht ein sich mit dem durch das Loch in der dielektrischen Schicht ragenden Hügel überdeckendes Loch durch Verdampfen erzeugt wird, dass der Hügel durch das herausgedampfte Loch in der zweiten dielektrischen Schicht mit Hilfe eines Energiestrahls ausgeweitet wird, dass über der zweiten dielektrischen Schicht eine einkristailine Schicht (26) unter Verwendung des ausgeweiteten Hügels als Kristallisationskern erzeugt wird und dass die aui' der zweiten dielektrischen Schicht angebrachte einkristailine Schicht mit dem Umrisslinienmuster zusätzlicher Bauelementengebiete versehen wird.
8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine Vielzahl von Löchern durch Verdampfen in der dielektrischen Schicht dadurch hergestellt wird, dass ein Energiestrahl auf verschiedene Bereiche der dielektrischen Schicht .in einem solchen Muster gelenkt wird, dass auf der Oberfläche des einkristallinen Substrats Hügel erzeugt werden, die jeweils durch die aus der dielektrischen Schicht herausgedampften Löcher ragen, dass auf jedem dieser Hügel ein einkristallines Material angebracht wird, so dass über der dielektrischen Schicht eine Vielzahl von einkris'tallinen Schichten entsteht, dass die einkristalline Schicht bei jedem der Hügel durch Lenken eines Energiestrahls längs der Umfangslinie jeder der einkristallinen
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Schichten über die dielektrische Schicht ausgeweitet wird und dass bei jeder der erweiterten einkristallinen Schichten durch Erzeugen eines Umrisslinienmusters ' ■ Bauelementengebiete gebildet werden.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnä, dass in ausgewählte Flächen der Bauelementengebiete an ausgewählten Bereichen ein Dotierungsmaterial eindiffundiert wird.
10. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, fc dass über einer weiteren dielektrischen Schicht, die darunterliegenden Bauelementengebiete und die dielektrische Schicht, auf der diese angebracht sind, bedeckt, zusätzliche Bauelementengebiete durch Aufbringen einer weiteren dielektrischen Schicht über der weiteren dielektrischen Schicht und den darauf befindlichen Bauelementengebieten und der Wiederholung der Anwendung eines Energiestrahls auf diese Bauelementengebiete, wodurch, durch die nachfolgende dielektrische Schicht eine Vielzahl von HUgeln ausgeweitet wird, erzeugt werden, dass über der nachfolgenden dielektrischen Schicht einkristalline Schichten gebildet werden, dass diese einkristallinen Schichten ausgedehnt werden und dass auf den ausgedehnten'. " einkristallinen Schichten ein Muster aus Bauelementengebieten erzeugt wird.
. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass über der dielektrischen Schicht und den Bauelementengebieten eine zweite dielektrische Schicht abgeschieden wird, dass in der zweiten dielektrischen Schicht mit Hilfe eines EnergieStrahls durch Verdampfen Löcher erzeugt werden, die sich mit den Bauelementengebieten auf der ersten dielektrischen Schicht überdecken, dass auf jedem
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der Bauelementengebiete mit Hilfe eines Energiestrahls ein Hügel (28, 30) erzeugt wird, der durch, das entsprechende Loch in der zweiten dielektrischen Schicht ragt, und dass unter Verwendung der Hügel auf den Bauelementengebieten als Zristallisationskerne jeweils- einkristalline Schichten (32, 34) über der zweiten dielektrischen Schicht gebildet werden.
12. Nach dem Verfahren von Anspruch 6 hergestellte, dreidimensional angeordnete, mikrominiaturisierte elektronische Schaltung mit einem einkristallinen Substrat aus Halbleitermaterial und einer über diesem einkristallinen Substrat liegenden Schicht aus dielektrischem Material, gekennzeichnet durch eine Vielzahl von einkristallinen Inseln (20, 22) aus Halbleitermaterial, die auf der dielektrischen Schicht einzeln und vom einkristallinen . Substrat isoliert angebracht sind.
13. Schaltung räch Anspruch'12, dadurch gekennzeichnet, dass über der darunterliegenden dielektrischen Schicht und der Vielzahl der darauf befindlichen einkristallinen Inseln eine zweite dielektrische Schicht (24) abgeschieden ist, und dass auf dieser zweiten dielektrischen Schicht mindestens eine ' einkristalline. Insel aus Halbleita?material abgeschieden .ist, - .
14. Schaltung räch Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass aus dem einkristallinen Substrat ein Hügel (14) gebildet ist, der durch sich überdeckende Öffnungen in den dielektrischen Schichten ragt, und dass die eine einkristalline Insel einstückig mit dem Hügel und damit mit dem einkristallinen Substrat verbunden ist.
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15. Schaltung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass auf der ersten und der zweiten dielektrischen Schicht aufeinander ausgerichtete einkristalline Inseln (20, 22, 325 34) aus Halbleitermaterial angebracht sind, dass aus jeder eitikristallinen Insel auf der ersten dielektrischen Schicht Hügel (28, 30) gebildet sind, die durch entsprechende Öffnungen in der zweiten dielektrischen Schicht ragen, und dass diese Hügel jede einkristalline Insel auf der eiäen dielektrischen Schicht mit der entsprechenden einkristallinen Insel auf der zweiten dielektrischen Schicht einstückig verbinden.
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