DE1918014B2 - Integrierter halbleiterkondensator und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents

Integrierter halbleiterkondensator und verfahren zu seiner herstellung

Info

Publication number
DE1918014B2
DE1918014B2 DE19691918014 DE1918014A DE1918014B2 DE 1918014 B2 DE1918014 B2 DE 1918014B2 DE 19691918014 DE19691918014 DE 19691918014 DE 1918014 A DE1918014 A DE 1918014A DE 1918014 B2 DE1918014 B2 DE 1918014B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
diffusion
semiconductor
semiconductor layer
layer
transition zone
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE19691918014
Other languages
English (en)
Other versions
DE1918014A1 (de
Inventor
Arthur James Poughkeepsie N.Y. Rideout (V.StA.)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of DE1918014A1 publication Critical patent/DE1918014A1/de
Publication of DE1918014B2 publication Critical patent/DE1918014B2/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/0805—Capacitors only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/106—Masks, special
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/136—Resistors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/145—Shaped junctions
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/151—Simultaneous diffusion
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/167—Two diffusions in one hole

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

60
Die Erfindung betrifft einen integrierten Halbleiterkondensator mit geringem Platzbedarf, gebildet durch die Sperrschicht einer Übergangszone zwischen einer ersten und zweiten Halbleiterschicht unterschiedlichen Leitungstyps, wobei die die Sperrschicht-Kapazität des Halbleiterelementes bestimmende effektive Längenbzw. Flächenausdehnung der Übergangszone durch Die U.OUC umfaßt eine Halbleiterscheibe mit konzentrisch angeordneten Zonen abwechselnden Le,-tungstyps. Die Zonen des einen Leitungstyps sind über eine durchgehende Diffusionszone an der Vorderseite und die des entgegengesetzten Leitungstyps über eine entsprechende Diffusionszone an der Ruckseite der Halbleiterscheibe kontaktiert.
Nachteilig bei dieser bekannten Diodenstruktur ist. daß sie sich nicht ohne weiteres in eine monolithische Schaltung integrieren läßt und ein relativ aufwendiges Herstellungsverfahren erforderlich macht.
Bei der Herstellung eines Halbleiterkondensators sei die Diffusionstiefe Xj. Weist das verwendete Maskenfenster beispielsweise eine Breite von 100 λ, auf, so entsteht eine Gesamtbreite der Ubergangszone von etwa 100 X,+ πΧ, Der zweite Summand hat seine Ursache darin, daß an den Rändern des Diffusionsfensters unterhalb der Maske eine Querdiffusion auftritt. die auf jeder Seite einen Viertelkre.s mit einem der Diffusionstiefe X1 entsprechenden Halbmesser bildet. Die Gesamtbreite der auf diese Weise gebildeten Übergangszone setzt sich somit aus einer geradlinigen, der Breite des Maskenfensters entsprechenden Lange 100 X1 und aus dem Umfang zweier Viertelkreise mit dem Halbmesser Xj zusammen.
In der integrierten Schaltungstechnik ist man bestrebt, den Platzbedarf insbesondere für passive Schaltelemente möglichst gering zu halten.
Es ist demzufolge das Ziel der Erfindung, integrierte Halbleiterkondensatoren anzugeben, deren Platzbedarf bezogen auf ihre elektrische Größe gegenüber bekannten entsprechenden Elementen wesentlich geringer ist. Insbesondere ist das Ziel der Erfindung einen integrierten Halbleiterkondensator mit möglichst hohem Kapazitätswert, bezogen auf eine gegebene flächenmäßige Ausdehnung.
Diese Aufgabe wird für einen Halbleiterkondensator der eingangs angegebenen Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Übergangszone durch parallele
Streifen der ersten in der zweiten Halbleiterschicht gebildet ist und daß diese Streifen im Querschnitt senkrecht zu ihrer Längsachse aus sich von der Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht ins Innere erstreckenden and im Bereich der Oberfläche ineinan- 5 der übergehenden halbkreisförmigen Bögen bestehen.
Auf diese Weise wird erreicht, daß der im wesentlichen die Größe der Kapazität bestimmende Teil der Obergangszone angenähert wellenförmig verläuft wobei die einfache Kontaktie; barkeit erhalten io
Eine vorteilhafte Weiterbildung besteht darin, daß entsprechende parallele Streifen der ersten Halbleiterschicht in zwei Richtungen senkrecht zueinander
verlaufen. 's
Auf diese Weise wird nicht nur eine Kapazitätserhöhung in bezug auf die Breite, sondern auch in bezug auf die Länge erreicht
Hinsichtlich des Aufwandes außerordentlich vorteilhafte Verfahren zur Herstellung derartiger Halbleiter- 20 kondensatoren in gebräuchlicher Planartechnik sind in Unteransprüchen niedergelegt.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand der in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiele näher beschrieben. Es zeigt 1S
F i g. 1 in perspektivischer Ansicht einen Teil eines Halbleiterkondensators,
F i g. 2 eine Draufsicht auf einen Teil einer Trägerplatte mit dem Diffusionsmuster,
Fig eine Schnittansicht 3-3 der Anordnung gemäß 3° Fig. 2. wobei die durchgeführten Diffusioner, darge stellt sind,
F i g. 4 eine entsprechende Schnittansicht, nach dem der Halbleiterkondensator fertiggestellt und zum Zwecke seiner Verbindung mit einer monolithischen, integrierten Schaltung metallisiert ist.
Fi g 5 eine entsprechende Schnittansicht, aus der das Ergebnis einer ersten Diffusion eines abgewandelten Verfahrens zur Herstellung des Halbleiterkondensators
zu ersehen ist, .. .
F i g. 6 eine Schnittansicht der Struktur gemäß F1 g. 5 nach einer zweiten Diffusion.
Der insbesondere in Fig. 1 dargestellte Halble.terkondensator 10 weist eine effektive Breitenausdehnung 11 seiner Übergangszone auf, die im wesentlichen von mehreren halbkreisförmigen Bögen 12 bestimmt wird, leder der Bögen 12 zeigt nur einen sthr kleinen geraden Teil der gleich der Breite der Öffnung in der Oxidschicht ist, durch welche die die halbkreisförmige Übergangszone bildende Diffusion von Störstellen erfolgt. Jeder der Bögen 12 hat einen Radius, der nicht größer als die Diffusionstiefe Xj der diffundierten Schicht 14 ist. Die diffundierte Schicht 14 und die Schicht, in welcher Schicht 14 eindiffundiert wird, beispielsweise Substrat 15, weisen entgegengesetzten Leitungstyp auf. Im betrachteten Beispiel ist die Sndiene Schicht 14 P-leitend und das Substrat 15 N Direktive Längenausdehnung 1.6 der Übergangszone der Sperrschicht-Kapazität 10 ergibt sich aus der L mehrere? halbkreisförmigen Bögen 17 verlaufenden Übergangszone. Wie auch die die effektive Bre.te der übergangszone bestimmenden Bögen 12 zeigen auch die die effektive Länge der Ubergangszone bestimmenden Bögen 17 nur einen geringen geraden Teil auf. Der Radius der Bögen 17 entspricht im wesentlichen dem Radius der Bögen 12. Das heißt also, daß der Radius de Böeen 17 nicht größer als die Diffus.onst.efe Xj der diffundierten Schicht 14 ist
Durch den in F i g. 1 gezeigten Aufbau wird eine effektive Breite 11 der Übergangszone der Sperrschicht-Kapazität 10 erzielt, die wesentlich größer als die lineare Ausdehnung der Kapazitätsdiode JO ist
Entsprechendes gilt für die effektive Längenausdehnung 16. Auf diese Weise erhält man eine Kapazitätsdiode 10, deren effektive Fläche wesentlich vergrößert ist ohne daß eine Vergrößerung der benötigten Halbleiterflache erforderlich wäre. Für eine gegebene Ausdehnung einer Kapazitätsdiode erhält man somit einen wesentlich höheren Kapazitätswert.
Bei der Herstellung des Halbleiterkondensators 10 wird in einem ersten Verfahrensschritt eine Oxidschicht 18, beispielsweise Silizium-Dioxid, auf der Oberfläche des Substrats 15 dadurch erzeugt daß die Oberfläche thermisch oxydiert wird. Das Substrat 15 kann beispielsweise an seiner Oberfläche eine Epithaxieschicht aus Silizium aufweisen. Das beispielsweise N-dotierte Substrat kann eine Dicke von etwa 200 μπι und einen spezifischen Widerstand von 0,02 Ohm χ cm aufweisen, wobei die N-dotierte Epitaxieschicht eine Dicke von etwa 6 bis 8 μίτι und einen spezifischen Widerstand von 0,2 Ohm χ cm aufweist.
Nach der Herstellung der Oxidschicht 18 auf der Oberfläche des Substrats 15 wird zunächst in Längsrichtung und dann in Querrichtung jeweils eine Anzahl paralleler Schlitze 19 und 20 in der Silizium-Dioxidschicht gebildet. Die Schlitze 19 verlaufen demnach senkrecht zu den Schlitzen 20. Wie aus F i g. 2 zu ersehen ist. bilden die verbleibenden Teile der Silizium-Dioxidschicht 18 getrennte, quadratische Inseln.
Die Herstellung der Schlitze 19 und 20 kann in der üblichen Weise durch Anwendung der Photoätztechnik erfolgen. Dabei wird die Silizium-Dioxidschicht zunächst mit Photolack beschichtet, geeignet belichtet und dann entlang der Schlitze abgeät/'
In einem anschließenden Verfahrensschritt werden ι durch die Schlitze 19 und 20 eine P-Leitfähigkeit erzeugende Störstellen, beispielsweise Bor, eindiffundiert. Die Diffusion erfolgt vorzugsweise in zwei Schritten. Im ersten Schritt wird bei einer Temperatur von 1200°C und während einer Dauer von 85 Minuten Bor auf das Substrat 15 aufgebracht. Dabei werden etwa 10 Minuten für die Erhitzung des Substrats auf 1200°C benötigt. Die Borkonzentration liegt vorzugsweise bei 1,8 χ ΙΟ18 Atome/cm3. Der resultierende Schichtwiderstand ist 460 Ohm/Flächeneinheit und die Tiefe der Übergangszone in einem Halbleitermaterial mit einem spezifischen Widerstand von einem Ohm χ cm liegt bei etwa 2,5 μην
Während des zweiten Diffusionsschrittes erfolgt eine Neuverteilung des während des ersten Diffusionsschrittes in das Substrat 15 eindiffundierten Bors. Dabei wird zunächst für die Dauer von 5 Minuten Sauerstoff, dann für die Dauer von 40 Minuten Wasserdampf und schließlich für die Dauer von 5 Minuten wiederum Sauerstoff bei einer Temperatur von 9700C über das Substrat 15 geleitet. Der Wasserdampf bewirkt, daß auf der Oberfläche des Substrats 15 eine Oxidschicht entsteht, in die Bor eindiffundiert. Während der ersten 5 Minuten wird das Substrat auf die erforderliche Temperatur gebracht.
Bei diesem Diffusionsschritt wird ein Schichtwiderstand von 517 Ohm/Flächeneinheit erreicht. Die Tiefe der Übergangszone im Halbleitermaterial mit einem spezifischen Widerstand von einem Ohm χ cm beträgt
etwa 3 μιη.
Der Diffusionskoeffizient während des ersten Diffusionsschrittes beträgt 1,05 χ 10-12cm2/sec. Während des zweiten Diffusionsschrittes beträgt der Diffusionskoeffizient 3 χ 10-|4cm2/sec.
Wie in Fig.3 in bezug auf die Breite 11 der Sperrschicht-Kapazität 10 dargestellt, erzeugt die Diffusion durch die Schlitze 19 eine Anzahl von Übergangszonen mit im Querschnitt halbkreisförmigen Bögen 12, die die effektive Breitenausdehnung der Kapazität erzeugen. Damit die Diffusionen durch die Schlitze 19 ineinander übergehen, muß der Abstand der parallelen Schlitze geringer sein als der doppelte Radius der Bögen 12. Aus diesem Grunde muß die Diffusion so gesteuert werden, daß die Entfernung zwischen den einzelnen Schlitzen 19 überbrückt wird. Selbstverständlich muß die Breite der Schlitze so groß sein, daß Diffusion in der gewünschten Weise erfolgen kann.
In der Längenausdehnung der Kapazität 10 erfolgt gleichzeitig mit der Diffusion durch die Schlitze 19 eine entsprechende Diffusion durch die Schlitze 20.
Nach der Eindiffusion der Schicht 14 wird an geeigneter Stelle in die N-dotierte Schicht des Substrats 14 eine N+ -Zone eindiffundiert, über die der eine Anschluß zur Kapazität hergestellt wird. Der andere Anschluß erfolgt über die eindiffundierte P-Schicht 14. Nach Fertigstellung des Halbleiterkondensators 10 wird ein Teil der Silizium-Dioxidschicht 18 und die während der durchgeführten Diffusionen entstandenen Silizium-Dioxidschichten entfernt Wie aus F i g. 4 zu ersehen ist, wird dann auf der oberen Oberfläche der diffundierten Schicht 14 eine Metallschicht 22 niedergeschlagen. Auf diese Weise wird der metallische Kontakt zur Schicht 14 als ein Anschluß des Kondensators hergestellt Auch die nicht dargestellte N+-Zone wird mit einem Metallfilm versehen, über den der andere metallische Anschluß des Kondensators hergestellt wird.
Für die Herstellung der Schicht 14 kann an Stelle der zweistufigen Diffusion auch eine einstufige Diffusion angewendet werden. Das zu verwendende P-dotierte Material könnte beispielsweise wiederum Bor in einer Konzentration von 2 χ 1019 Atomen/cm3 sein. Die Dauer der Diffusion wäre etwa 80 Minuten bei einer Temperatur von 11000C, wobei die ersten 10 Minuten der Erhitzung des Substrates dienen. Der resultierende mittlere Schichtwiderstand würde etwa 196 Ohm/Flächeneinheit betragen und die Diffusionstiefe in einer N-dotierten Probe mit einem spezifischen Widerstand von einem Ohm χ cm wäre etwa 0,91 μητ.
Wäre der Abstand zwischen den Achsen zweier benachbarter Schlitze 19 bzw. 20 größer als das Zweifache der Diffusionstiefe Xj, dann wäre durch eine einfache Diffusion eine Vereinigung der halbkreisförmigen Bögen 12 und 17 nicht zu erzielen, sondern diese wurden einen bestimmten Abstand voneinander aufweisen. In diesem Falle müßten zwei Diffusionen durchgeführt werden.
Das in diesem Fall beispielsweise anzuwendende Verfahren ergibt sich aus den F i g. 5 und 6. In F i g. 5 ist eine beispielsweise aus Silizium-Dioxid bestehende Schicht 25 auf der Oberfläche eines N-dotierten Substrats 26 vorhanden. Die Herstellung dieser Schicht 25 kann durch thermische Oxydation der Oberfläche des Substrats 26 erfolgen. Substrat 26 kann dabei wie das im vorhergehenden beschriebene Substrat 15 aus einer Epitaxieschicht bestehen. Wie bereits beschrieben,
ίο werden in der Silizium-Dioxidschicht 25 in der Längsrichtung parallele Schlitze 27 hergestellt In entsprechender Weise werden zu den Schlitzen 27 senkrecht verlaufende parallele Schlitze in der Querrichtung gebildet. Die im vorliegenden Fall durchzuführende doppelte Diffusion wird lediglich in bezug auf die Breitenausdehnung der Sperrschicht-Kapazität beschrieben.
Nach der Herstellung der Schlitze 27 in der Silizium-Dioxidschicht 25 werden dem Substrat 26 durch Eindiffusion von Bor P-dotierte Bereiche 28 mit halbkreisförmigem Querschnitt erzeugt Die Bereiche 28 gehen dabei, wie angenommen, nicht ineinander über, sondern sind durch isolierende N-leitende Teile des Substrats 26 voneinander getrennt. Diese erste Diffusion entspricht im wesentlichen der im vorhergehenden beschriebenen einzigen Diffusion, sie erfolgt lediglich während einer kürzeren Zeitdauer.
Wie aus F i g. 6 zu ersehen ist, wird nach der ersten Diffusion in der Silizium-Dioxidschicht 25 ein großes Fenster 30 in bekannter Weise freigelegt Die Breite des Fensters 30 entspricht dem Abstand der äußeren Ränder der beiden äußeren Schlitze 27. Entsprechendes gilt für die Längsrichtung der Anordnung.
In einer zweiten Diffusion wird P-leitendes Material durch das Fenster 30 in der Schicht 25 diffundiert Die Konzentration des Materials kann dabei gleich, größer oder kleiner als bei der ersten Diffusion sein.
Bei dieser zweiten Diffusion wird eine flache P-leitende Schicht 31 erzeugt die die P-leitenden Zonen 28 der ersten Diffusion miteinander verbindet.
Die zweite Diffusion könnte auch durch Schlitze erfolgen, die in der Schicht 25 im Bereich der während der ersten Diffusion nicht umdotierten Zone des Substrats 26 hergestellt werden.
Auf Grund der beschriebenen Verfahren erhält man einen Halbleiterkondensator 32 mit einer Sperrschicht 32, deren effektive Breitenausdehnung größer ist als die entsprechende lineare Ausdehnung des Kondensators. Dasselbe gilt für die Längenausdehnung. Die Herstellung der Anschlußmöglichkeiten für den Halbleiterkondensator 26 können in derselben Weise erfolgen, wie bei dem beschriebenen Halbleiterkondensator 10. Selbstverständlich erhält man auch bereits eine wesentliche Kapazitätserhöhung wenn lediglich der Obergang in einer Richtung verlängert wird. In diesem Fall müßten lediglich parallele Schlitze in einer Richtung in der Silizhim-Dioxidschicht hergestellt werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

Patentansprüche: gezielt hergestellte Unebenheiten des Überganges
1. Integrierter Halbleiterkondensator mit geringem Platzbedarf, gebildet durch die Sperrschicht einer Obergangszone zwischen einer erstell und zweiten Halbleiterschicht unterschiedlichen Leitungstyps, wobei die die Sperrschicht-Kapazität des Halbleiterelementes bestimmende, effektive Längen- bzw. Flächenausdehnung der Übergangszone durch gezielt hergestellte Unebenheiten des Überganges vergrößert ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Übergangszone durch parallele Streifen der ersten in der zweiten Halbleiterschicht gebildet ist und daß diese Streifen im Querschnitt senkrecht zu ihrer Längsachse aus sich von der Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht ins Innere erstreckenden und im Bereich der Oberfläche ineinander übergehenden halbkreisförmigen Bögen bestehen. *>
2. Integrierter Halbleiterkondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß entsprechende parallele Streifen der ersten Halbleiterschicht in zwei Richtungen senkrecht zueinander verlaufen.
3. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkon- *5 densators nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Halbleiterschicht in der zweiten Halbleiterschicht durch Diffusion von geeigneten Störstellen unter Verwendung einer Maske mit parallelen Schlitzen bestimmten gegenseitigen Ab-Standes gebildet und die Diffusion so gesteuert wird, daß die Diffusionstiefe größer ist als der halbe gegenseitige Abstand der Längsachsen zweier paralleler Schlitze in den verwendeten Masken.
4. Verfahren zur Herstellung e'nes Halbleiterkondensators nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Halbleiterschicht in der zweiten Halbleiterschicht durch Diffusion von geeigneten Störstellen unter Verwendung einer Maske mit jeweils parallelen Schlitzen in zwei senkrecht zueinander stehenden Richtungen erfolgt und die Diffusion so gesteuert wird, daß die Diffusionstiefe größer ist als der halbe gegenseitige Abstand der Längsachsen zweier paralleler Schlitze in den verwendeten Masken.
5. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkondensators nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Halbleiterschicht in der zweiten Halbleiterschicht durch Diffusion von geeigneten Störstellen unter Verwendung einer Maske mit parallelen Schlitzen bestimmten gegenseitigen Abstandes gebildet wird und daß bei einer keine zusammenhängende Streifenstruktur bildenden Diffusion in einer weiteren, anschließenden Diffusion die Überbrückung zwischen den einzelnen Streifen hergestellt wird.
werden diese Halbleiterkondensator Bauweise dadurch hergestellt, daß erstellen ein« Leitungstyps in eine Störstellen des entgegengesetzten Leitungstyps aufweisende HaIb-S !Sicht eindiffundiert werden. Dabe. b.ldet sich an Her Grenze zwischen den beiden so entstandenen 7onen entgegengesetzten Leitungstyps eine sogenann- « übeSngSoL Die Größe der dabei entstehenden SperShf-Kapazität ist direkt proportional der Fläche der Übergangszone. Daraus ergibt sich, daß fur eine große Sperrschicht-Kapazität in emer integnerten Scha&sanordnung eine entsprechend große SubsSäche erforderlich ist Der Platzbedarf bekannter Sleiterkondensatoren hängt also von der Große des geforderten Kapazuätswertes ab.
8 Bei bekannten Herstellungsverfahren fur Halbleiterkondensatoren erfolgt eine Diffus.on durch ent Masken fenster dessen Größe dem gewünschten Kapaz.tatswer angenaßt sein muß. Bezogen auf eine Langene.nheit der Ubergangszone ist der Kapazitätswert eines diffund.erten Halbleiterkondensators etwa gleich dem Produkt des Kapazitätswertes je Flächeneinheit und der
S SSKfJTo* ,st es bekannt, Ha.ble.te, dioden mit vergrößerter akt.ver Ubergangsflache auszustatten, ohne die Abmessungen der Diode zu
DE19691918014 1968-04-17 1969-04-09 Integrierter halbleiterkondensator und verfahren zu seiner herstellung Ceased DE1918014B2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US72212668A 1968-04-17 1968-04-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE1918014A1 DE1918014A1 (de) 1969-11-13
DE1918014B2 true DE1918014B2 (de) 1976-12-02

Family

ID=24900617

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19691916969 Ceased DE1916969B2 (de) 1968-04-17 1969-04-02 Verfahren zur herstellung eines integrierten widerstandes
DE19691918014 Ceased DE1918014B2 (de) 1968-04-17 1969-04-09 Integrierter halbleiterkondensator und verfahren zu seiner herstellung

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19691916969 Ceased DE1916969B2 (de) 1968-04-17 1969-04-02 Verfahren zur herstellung eines integrierten widerstandes

Country Status (4)

Country Link
US (1) US3611062A (de)
DE (2) DE1916969B2 (de)
FR (1) FR2006332A1 (de)
GB (1) GB1262013A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60143219A (ja) * 1984-11-12 1985-07-29 株式会社　ニフコ 合成樹脂製ナス環

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA957782A (en) * 1970-01-26 1974-11-12 Theodore Kamprath Capacitor structure for integrated circuits
US3962713A (en) * 1972-06-02 1976-06-08 Texas Instruments Incorporated Large value capacitor
US4115797A (en) * 1976-10-04 1978-09-19 Fairchild Camera And Instrument Corporation Integrated injection logic with heavily doped injector base self-aligned with injector emitter and collector
FR2430653A1 (fr) * 1978-07-04 1980-02-01 Thomson Csf Resistance au silicium a tres faible coefficient de temperature
FR2445617A1 (fr) * 1978-12-28 1980-07-25 Ibm France Resistance a tension de claquage amelioree obtenue par une double implantation ionique dans un substrat semi-conducteur et son procede de fabrication
JPS5929138Y2 (ja) * 1982-07-23 1984-08-22 日本ノ−シヨン工業株式会社 合成樹脂製なす環
US20030178057A1 (en) * 2001-10-24 2003-09-25 Shuichi Fujii Solar cell, manufacturing method thereof and electrode material

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2666814A (en) * 1949-04-27 1954-01-19 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor translating device
US2930950A (en) * 1956-12-10 1960-03-29 Teszner Stanislas High power field-effect transistor
US3022472A (en) * 1958-01-22 1962-02-20 Bell Telephone Labor Inc Variable equalizer employing semiconductive element
NL243218A (de) * 1958-12-24
NL255154A (de) * 1959-04-15
US3025438A (en) * 1959-09-18 1962-03-13 Tungsol Electric Inc Field effect transistor
US3171068A (en) * 1960-10-19 1965-02-23 Merck & Co Inc Semiconductor diodes
NL285545A (de) * 1961-11-17
US3252003A (en) * 1962-09-10 1966-05-17 Westinghouse Electric Corp Unipolar transistor
DE1295237B (de) * 1964-10-22 1969-05-14 Siemens Ag Druckempfindliche Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1564790C3 (de) * 1966-12-22 1978-03-09 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Spannungsabhängiger Halbleiterkondensator

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60143219A (ja) * 1984-11-12 1985-07-29 株式会社　ニフコ 合成樹脂製ナス環
JPS6329124B2 (de) * 1984-11-12 1988-06-13 Nifco Inc

Also Published As

Publication number Publication date
DE1916969A1 (de) 1969-11-06
GB1262013A (en) 1972-02-02
DE1918014A1 (de) 1969-11-13
DE1916969B2 (de) 1976-10-28
FR2006332A1 (de) 1969-12-26
US3611062A (en) 1971-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3043289C2 (de)
DE2749607B2 (de) Halbleiteranordnung und Verfahren zu deren Herstellung
DE2523221A1 (de) Aufbau einer planaren integrierten schaltung und verfahren zu deren herstellung
DE1918014B2 (de) Integrierter halbleiterkondensator und verfahren zu seiner herstellung
DE2049507C3 (de) Lichtempfindliche Halbleiteranordnung
DE2147447C3 (de) Halbleiterbauelement
DE1539090B1 (de) Integrierte Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1589890B2 (de) Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelementes mit mis struktur
DE2322197C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer monolithisch integrierten Halbleiteranordnung mehrerer lichtemittierender Dioden
DE2403816C3 (de) Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1614827C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Transistors
DE1240590C2 (de) Integrierte halbleiterschaltungsanordnung und verfahren zu ihrer herstellung
EP0103653A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer monolithisch integrierten Schaltung mit mindestens einem bipolaren Planartransistor
DE2608214A1 (de) Integrierte, hochohmige halbleiter- widerstandsstruktur
DE2105164C2 (de) Halbleiterbauelement mit Basis- und Emitterzone und Widerstandsschicht und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2245368A1 (de) Halbleitertechnisches herstellungsverfahren
DE2105178C3 (de) Integrierte Halbleiterschaltung
DE2414222A1 (de) Verfahren zur herstellung eines transistors
DE1816439C3 (de) Leistungstransistor
DE1800212A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE2216642C3 (de) Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2051892C3 (de) Halbleiteranordnung
DE1944416A1 (de) Verfahren zum Herstellen von flaechenhaften Transistoren geringer Kapazitaet
DE2300791C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Hochfrequenztransistoren
DE2409239C3 (de) Verfahren zum Herstellen von Kapazitätsvariationsdioden

Legal Events

Date Code Title Description
BHV Refusal