DE1800212A1 - Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung - Google Patents
Verfahren zum Herstellen einer HalbleiteranordnungInfo
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Description
Telefunken PatentVerwertungsgesellschaft
m.b.H.
Ulm / Donau, Elisabethenstr. 3
Ulm / Donau, Elisabethenstr. 3
Heilbronn, den 26.9.1968 FE/PT-Ma/Na HN 56/68
"Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung"
Es sind bereits Halbleiterbauelemente bekannt geworden, bei
denen der Injektionsstrom auf eine Vielzahl voneinander ge- Λ
trennter Emissionszonen aufgeteilt und von diesen Emissionszonen über pn-Übergänge in eine gemeinsame weitere Zone injiziert
wird. Vor allem bei Leistungstransistoren wählt man heute vielfach sogenannte Overlay- oder Multiemitterstrukturen.
Diese Transistoren werden in planarer Bauweise gefertigt, wobei in einen Halbleiterkörper vom Leitungstyp der Kollekte zone
eine zu e· er Oberflächenseite des Halbleiterkörpers sich
erstreckende Ba «one eindiffundiert wird. In diese Basiszone
werden nach einer entsprechenden Maskierung der Oberfläche der.
Basiszone eine Vielzahl voneinander getrennter Emitterzonen eindiffundiert, dxe im Anschluß Ja ran sämtlich mit Kontakten
versehen werden müssen. Alle Emitterkontakte werden schließlich
zu»einem gemeinsamen Emitteranschluß des Transistors miteinander
über auf einer Isolierschicht verlaufenden Leitbahnen verbunden.
Die Kontakte werden meist so hergestellt, daß auf die gesamte
Oberf1achense1 te des Halbleiterkorpers eine Metallschicht aufgedampft
wird, die dann mit Hilfe der bekannten Photomaskierungs-
und Ätztechnik in tertigungsgerechter Weise strukturiert wird.
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Es sind auch bereits Planarstrukturen bekannt geworden, meist
bei Germanium-Planartransistoren, bei denen eine Emitterzone in eine eindiffundierte Basiszone einlegiert wird.
Die Erfindung betrifft nun ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit einer ersten Zone von einen
Leitungstyp, in die eine Vielzahl von Zonen vom anderen Leitungstyp
einlegiert sind.
Zur Vereinfachung der Herstellungsmethoden für eine derartige
Anordnung und zur Verbesserung des fertigen Produktes wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß nach der Herstellung der
sich zu einer Oberflächenseite eines Halbleiterkörpers erstreckenden
Zone vom einen Leitungstyp die genannte Oberflächenseite des Halbleiterkörpers mit einer bestimmte Bereiche
unbedeckt lassenden Schicht aus isolierendem Material maskiert
wird, daß auf die Oberflächenseite eine Folie aus dem in den Halbleiterkörper stellenweise einzulegierenden Material aufgelegt
wird, daß ein Elektronenstrahl über die Folie derart geleitet
und gesteuert wird, daß die Folie an den von der Isolierschicht unbedeckten Bereichen erhitzt und unter Bildung von
Sperrschichten in die Zone vom einen Leitungstyp einlegiert >
wird, und daß der nicht in die Zone vom einen Leitungstyp einlegierte Teil der Folie als elektrische Verbindung zwischen den
einzelnen einlegierten Bereichen auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers
belassen wird»
Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich besonders zur Herstellung
von Leistungs-Planartransistoren mit zahlreichen Einzelemittern, die in eine an alle Emitter gemeinsam angrenzende
Basiszone einlegiert werden. Das angegebene Verfahren hat den Vorteil, daß die Emitterzonen gleichzeitig hergestellt und
kontaktiert werden. Auf diese Weise wird außer dem Aufdampfprozeß
für das Emitterkontaktmaterial auch die bisher erforderliche Maskierung und Ätzung dieser aufgedampften Schicht aus ^
Kontaktierungsmaterial überflüssig« Zur Herstellung der genannten
Leistungstransistoren mit Vielfachemitterstruktur wird die
erste Zone vom einen Leitungstyp als Basiszone in einen Halbleiterkörper
vom Leitungstyp der Kollektorzone eingelassen bzw» eindiffundiert, während in diese Basiszone eine Vielzahl von
miteinander verbundenen Emitterzonen mit Hilfe eines gesteuerten Elektronenstrahls einlegiert werden.
Es hat sich gezeigt, daß Elektronenstrahlen besonders geeignet
sind um scharf lokalisierte Bereiche eines schichtförmig ausge- { bildeten Legierungsmaterials in einen Halbleiterkörper einzulegieren.
Die Intensität und der Querschnitt eines Elektronenstrahls sind leicht variierbar. In einer vorteilhaften Weiterbildung
des erfindungsgemäßen Verfahrens ist daher vorgesehen,
daß der Querschnitt, die Intensität, der Intervallrythmus, in dem der Elektronenstrahl unterbrochen wird und die Bewegung des
Elektronenstrahls über die stellenweise in den Halbleiterkörper einzulegierende Folie durch einen vorprogrammierten Computer gesteuert
werden.
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In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform des erfindungsgemäßen
Verfahrens wird in eine einen Halbleiterkörper vom Leitungstyp der Kollektorzone bedeckende Isolierschicht
zunächst ein Basisfenster eingebracht, danach wird auf die gesamte, das Basisfenster enthaltende Oberflächenseite des
Halbleiterkörpers ein das Basisdiffusionsmaterial enthaltender Störstoff aufgedampft. In einem sich anschließenden
Temperaturprozeß diffundieren aus der aufgedampften Schicht
Störstellen in den Halbleiterkörper, die in einem Bereich des Halbleiterkörpers den Leitungstyp der Basiszone erzeugen. Danach
wird die aufgedampfte Schicht wieder entfernt. Mit Hilfe eines Elektronenstrahls werden nun in die Basiszone Vertiefungen
eingebracht, die nicht bis zum Kollektor-Basis-pn-Übergang
reichen. Bei der sich anschließenden Maskierung der
Halbleiteroberfläche mit einer isolierenden Schicht bleiben diese Vertiefungen unbedeckt. Nun wird die Folie aus dem Emitter-Legierungsmaterial
auf die Halbleiteroberfläche aufgelegt und mit Hilfe eines Elektronenstrahls werden in die genannten Vertiefungen
aus der aufgelegten Folie Teile der Folie unter Bildung der Basis-Bmitter-Sperrschichten einlegiert. Die nicht
einlegierten Teile der Folie dienen hier wiederum zur gegenseitigen
elektrischen Verknüpfung der einzelnen Emitterzonen...
Durch die dem Emitter-Legierungs-Prozeß vorangehende Herstelltnug.
von Vertiefungen, in der Basiszone, in die die Emitterzonen einlegiert
werden, erzielt man sehr kleine Basisweiten und somit sehr hohe Grenzfrequenzen und hohe Stromverstärkungswerteo
1&9G212
Als Material für die isolierende Schicht eignet sich besonders Siliziumoxyd, Siliziumdioxyd oder Siliziumnitrid.
Die Erfindung soll im weiteren noch anhand von zwei Ausführungsbeispielen
näher erläutert werden. Hierzu werden die Figuren 1 bis k herangezogen, in denen jeweils verschiedene
Fertigungsphasen eines Multi-Emitter-Planartransistors dar- g
gestellt sind.
Die Figur 1 zeigt einen Halbleiterkörper 1 mit einer Zone 2
vom Leitungstyp der Kollektorzone. Der Halbleiterkörper 1 wird
zur Herstellung der Basiszone 3 mit einer Isolierschicht k bedeckt,
in die mit Hilfe der bekannten Photolack-, Maskierungsund Ätztechnik ein Basis-D ffusionsfenster eingebracht wird.
Durch dieses Fenster werden in die Kollektorzone 2 Störstellen eindiffundiert, die einen Teil der Kollektorzone zur Basiszone
umdotieren. Danach wird die Isolierschicht 4, die beispielswei- '
se aus Siliziumoxyd, Siliziumdioxyd oder Siliziumnitrid besteht, wieder vervollständigt und durch einen weiteren Maskierungsund
Ätzprozeß werden an den für die Herstellung verschiedener
Emitterzonen vorgesehenen Bereichen Öffnungen als Emitterlegierungsfenster
in die Isolierschicht eingebracht. Eine oder mehrere weitere Öffnungen dienen als Basiskontaktierungsfenster.
Auf die Isolierschicht 4 wird nun eine Folie 7 aus dem Emitterlegierungsmaterial
aufgelegt. Hierzu ist ein Justierprozeß erforderlich, der dem bekannten gegenseitigen Justieren von Masken
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auf Halbleiterscheiben entspricht. Die Folie wird in dieser justierten Lage gehaltert. Nun wird ein Elektronenstrahl 9
über die Folie 7 geführt und so gesteuert, daß an Oberflächensteil.
. wo die Isolierschicht k Öffnungen aufweist, das Legierungsniaterial
bis zur Legierungstemperatur erhitzt und in die Basiszone 3 unter Bildung der Emitterzonen 8 einlegiert
wird. An Oberflächens te'1 en, an denen die Isolierschicht die
Halbleiteroberfläche bedeckt und das Legierungsmaterial nicht zum Schmelzen gebracht wurde, überbrücken Teile Io der Folie
die Isolierstoffbereiche 6 zwischen den einzelnen Emittern und
stellen so die elektrische Verbindung zwischen den voneinander getrennten Emitterzonen dar. Die Basiskontakte 5 können schließlieh
unter Verwendung einer Metallmaske durch Aufdampfen hergestellt werden. Es ist auch möglich, die Basiskontakte vor der
Bildung der Emitterlegierung^fenster in der Isolierschicht und
der Emitterzonen mit Hilfe der bekannten Auf ar.; ~, Photomaskierungs-
und Ätztechnik herzustellen.
Will man pnp-Germanium-Planartransistoren mit einer Vielfachemitterstruktur
nach dem erfindungsgemäßen Verfahren herstellen,
wird als Legierungsmaterial vorzugsweise eine Aluminium." lie
gewählt. Bei der Fertigung von pnp-Silizium-Planartransistoren
mit Vielfachemxtterstruktur besteht die stellenweise einzu- I
legierende Folie aus einer Gold-Bor-Legierung, während bei npn-Silizium-Planartransistoren eine Folie zur Fertigung der
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Emitter struktur aus einer Gold-Arsen-Legjierung verwendet
wird. Die Folien haben vorzugsweise eine Dicke zwischen 25 und 50 ,um.
Anhand der Figuren 2 bis 4 wird eine etwas abgewandelte Verfahrensweise
näher beschrieben. In Figur 2 ist wiederum ein Halbleiterkörper 1 mit einer Zone 2 vom Leitungstyp der Kollektorzone
eines zu fertigenden Transistors dargestellt. In die g Isolierschicht 4 auf der Halbleiteroberfläche wird ein Basisdiffusionsfenster
eingebracht und- in dieses Basisdiffusionsfenster
eine Schicht 11 aus dem Diffusionsmaterial für die Basiszone
aufgedampft und leicht anlegiert. Soll ein pnp-Planartransistor erzeugt werden, besteht diese aufgedampfte Schicht
beispielsweise aus Arsen oder Antimon. Bei einem sich anschiiessenden
Temperaturprozeß diffundieren Störstellen, die einen Bereich
3 des Halbleiterkörpers zur Basiszone umdotieren aus der aufgedampften Schicht 11 in den Halbleiterkörper ein. Danach
wird die Schicht 11 aus dem Basisdiffusionsmaterial in ( einem geeigneten Lösungsmittel von der Halbleiteroberfläche wieder
entfernt uftd die Ieolierschicht 4 vervollständigt. Gemäß
Figur 3 werden mit Hilfe eines gesteuerten Elektronenstrahls 9
Löcher in die Isolierschicht 4, die beispielsweise aus Siliziumdioxyd
besteht, eingebracht. Hierbei werden auch Oberflächenbereiche der Basiszone abgetragen, so daß sich in der Basiszone
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Vertiefungen 12 bilden, die nicht bis zum Basis-Kollektorpn-Übergang
reichen. Zwischen den einzelnen Vertiefungen bleiben Stege aus Halbleitermaterial vom Leitungstyp der
Basiszone bestehen, die von Oxydschichtstegen 6 bedeckt sind.. In die .3 eichfalls in die Oxydschicht k eingebrachten Basiskontaktierungsfenster
werden beispielsweise mit Hilfe einer Metallmaske Basiskontakte 5 aufgedampft.
Schließlich wird, wie sich aus der Figur k ergibt, auf die
Oxydschicht eine Folie 7 aus einem Emitterlegierungsmaterial aufgelegt, die die Öffnungen in der Oxydschicht und die Vertiefungen
12 in der Basiszone überdeckt. Ein Elektronenstrahl 9 wird über die Folie geleitet und so gesteuert, daß die Folie 7
in den Bereichen, wo sie die Vertiefungen in der Basiszone über-» deckt, auf die Legierungstemperatur erhitzt wird, so daß an diesen
Stellen das Legierungsmaterial in die Basiszone unter Bildung der voneinander getrennten Emitterz ien 8 cinlegiert wird.
Die übrigen Folienteile Io überbrücken. die ~>
lege 6 aus Isoliermaterial zwischen den einzelnen Emitterzonen und stellen die
elektrische Verbindung zu sämtlichen Einzelemittern dar.
Die Wahl der Legierungsmaterialien, des Halbleitermaterials
und der Störstellenkonzentration in den einzelnen Halbleiterbereichen
kann in beliebiger Weise den Erfordernissen angepasst
und variiert werden» Wesentlich ist bei der vorliegenden Er-
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findung, daß eine Vielzahl von Zonen mit Hilfe eines Elektronenstrahls aus einer Folie in einen Halbleiterkörper
einlegiert und die nichteinlegierten Teile der Folie zugleich als elektrische Zuleitungen zu diesen Zonen verwendet
werden.
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Claims (10)
- BelegexemplarDarf nicht geändert werden- Io -Patentansprüche(lj) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit einer ersten Zone vom einen Leitungstyp, in die eine Vielzahl von Zonen vom anderen Leitungstyp einlegiert sind, dadurch gekennzeichnet, daß nach der Herstellung der sich zu einer Oberflächenseite eines Halbleiterkörpers erstreckenden Zone vom einen Leitungstyp die genannte Oberflächenseite des Halbleiterkörpers mit einer bestimmte Bereiche unbedeckt lassenden Schicht aus isolierendem Material maskiert wird, daß auf die Oberflächenseite eine Folie aus dem in den Halbleiterkörper stellenweise einzulegierenden Material aufgelegt wird, daß ein Elektronenstrahl über die Folie derart geleitet und gesteuert wird, daß die Folie an den von der Isolierschicht unbedeckten Bereichen erhitzt und unter Bildung von Sperrschichten in die Zone vom einen Leitungstyp einlegiert wird, und daß der nicht in die Zone vom einen Leitungstyp einlegierte Teil der Folie als elektrische Verbindung wischen den einzelnen einlegierten Bereichen auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers belassen wird.
- 2) Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dieerste Zone vom einen Leitungstyp als Basiszone in einen Halbleiterkörper vom Leitungstyp der Kollektorzone eingelassen wird, und daß in diese Basiszone eine Vielzahl von miteinanderQ09813/U78:"" '^!!!!!!!iirii11!;!1!111!?111!!!!!!!!!!1!11!!!!!!!!!!;»!!1!!! ■ iiiiiifriNiNiflifNinifTiVHmiiiippr | ν-Tip::1 ■- 11 -verbundenen Emitterzonen mit Hilfe eines gesteuerten Elektronenstrahls einlegiert werden.
- 3) Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Fertigung von pnp-Germanium-Planartransistoren mit einer Vielfach-Emitterstruktur zur Herstellung der in die Basiszone einlegierten Emitterzonen eine Aluminiumfolie verwendet wird. ™
- 4) Verfahren nach Anspruch 1 -der 2, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Fertigung von pnp-Silizium-Planartransistoren mit einer Vielfach-Emitterstruktur zur Herstellung der in die · Basiszone einzulegierenden Emitterzonen eine Gold-Bor-Folie verwendet wird.
- 5) Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,daß bei der Fertigung von npn-Silizium-Planartransistoren mit * einer Vielfach-Emitterstruktur zur Herstellung der in die Basiszone einlegieren Emitterzonen eine Gold-Arsen-Folie verwendet wird*
- 6) Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Folien mit einer Dicke von 25 bis 5o verwenu t werden.009819/1178
- 7) Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Folie auf die Struktur der Halbleiteroberfläche einjuitiert und in justierter Lage auf der Halbleiteroberfläche gehaltert wird.
- 8) Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurchgekennzeichnet, daß in eine einen Halbleiterkörper vom Leitungstyp, der Kollektorzone bedeckende Isolierschicht ein Basisfenster eingebracht wird, daß auf die das Basisfenster enthaltende Oberflächenseite des Halbleiterkörpers ein das Basisdiffusionsmaterial enthaltender Stoff aufgedampft wird, daß in einem Temperaturprozeß aus der aufgedampften Schicht Störstellen in den Halbleiterkörper eindiffundiert werden, die in einem Bereich des Halbleiterkörpers den Leitungstyp der Basiszone erzeugen, daß die aufgedampfte Schicht wieder entfernt wird, daß vor dem Auflegen einer aus dem Emitter- egierungsmaterial bestehenden Folie \f den an die Oberfläche tretenden Bereich der Basiszone mit einem Elektronenstrahl Vertiefungen in die Basiszone eingebracht werden, die nicht bis zum Basis-Kollektor-pn-Übergang reichen, daß bei der Maskierung der Halbleiteroberfläche mit einer isolierenden Schicht diese Vertiefungen unbedeckt bleiben, und daß in diese Vertiefungen aus der aufgelegten Folie aus dem Legierungsmaterial mit Hilfe eines gesteuerten Elektronenstrahls Teile der Folie unter Bildung Ut Basis-Emitter-Sperrschichten einlegiert werden.0 0 9 819/1179ϊλ;;;»:«-ϊ! ίΰ β:!*1 iiis;1;:,ι ".r 'ι ■'"- 13 -
- 9) Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als Material für die isolierende Schicht Siliziumoxyd, Siliziumdioxyci der Siliziumnitrid verwendet wird.
- 10) Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Querschnitt, die Intensität, der A Intervallrythmus und die Bewegung des Elektronenstrahls mit Hilfe eines programmierten Computers gesteuert wird.009819/117»
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-
1969
- 1969-10-01 GB GB1234544D patent/GB1234544A/en not_active Expired
- 1969-10-01 US US862776A patent/US3629017A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2406304A1 (fr) * | 1977-10-11 | 1979-05-11 | Fujitsu Ltd | Procede et appareil d'etablissement d'un contact electrique par decharge avec une plaquette semi-conductrice |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3629017A (en) | 1971-12-21 |
GB1234544A (de) | 1971-06-03 |
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