FR2406304A1 - Procede et appareil d'etablissement d'un contact electrique par decharge avec une plaquette semi-conductrice - Google Patents
Procede et appareil d'etablissement d'un contact electrique par decharge avec une plaquette semi-conductriceInfo
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Abstract
L'invention concerne un procédé et un appareil d'établissement d'une connexion électrique avec une plaquette semiconductrice, à travers une couche isolante. Une décharge électrique est appliquée à une plaquette montée dans un support. Cette décharge forme un canal conducteur à partir de la région conductnce, et à travers la couche isolante. Ce canal conducteur présente un circuit d'impédance relativement basse permettant d'éliminer les électrons qui sont injectés pendant certaines opérations de traitement telles que l'exposition à un faisceau d'électrons. L'invention s'applique notamment à la fabrication des composants MOS.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US84067477A | 1977-10-11 | 1977-10-11 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2406304A1 true FR2406304A1 (fr) | 1979-05-11 |
FR2406304B1 FR2406304B1 (fr) | 1983-01-07 |
Family
ID=25282934
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR7829057A Granted FR2406304A1 (fr) | 1977-10-11 | 1978-10-11 | Procede et appareil d'etablissement d'un contact electrique par decharge avec une plaquette semi-conductrice |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5464477A (fr) |
CA (1) | CA1118535A (fr) |
DE (1) | DE2843310C2 (fr) |
FR (1) | FR2406304A1 (fr) |
GB (1) | GB1604004A (fr) |
NL (1) | NL7810167A (fr) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2488730A1 (fr) * | 1980-08-18 | 1982-02-19 | Western Electric Co | Procede de fabrication de circuits integres par lithographie par faisceau de particules chargees |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55162004A (en) * | 1979-06-06 | 1980-12-17 | Toshiba Corp | Electric charge corpuscular ray irradiation unit |
JPS5744543U (fr) * | 1980-08-27 | 1982-03-11 | ||
US7038204B2 (en) | 2004-05-26 | 2006-05-02 | International Business Machines Corporation | Method for reducing proximity effects in electron beam lithography |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1472038A (fr) * | 1964-05-14 | 1967-03-10 | Texas Instruments Inc | Corps diélectriques comportant des parties conductrices ou métalliques, éléments composites de ceux-ci avec des semiconducteurs et procédés de fabrication de tels corps et éléments composites |
DE1800212A1 (de) * | 1968-10-01 | 1970-05-06 | Telefunken Patent | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung |
DE1800193A1 (de) * | 1968-10-01 | 1970-05-14 | Telefunken Patent | Verfahren zum Herstellen von Kontakten |
FR2294548A1 (fr) * | 1974-12-12 | 1976-07-09 | Du Pont | Structure apte a former au moins une diode et un trajet de conduction associe |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3710101A (en) * | 1970-10-06 | 1973-01-09 | Westinghouse Electric Corp | Apparatus and method for alignment of members to electron beams |
-
1978
- 1978-05-30 GB GB2439178A patent/GB1604004A/en not_active Expired
- 1978-09-26 CA CA000312138A patent/CA1118535A/fr not_active Expired
- 1978-10-04 DE DE19782843310 patent/DE2843310C2/de not_active Expired
- 1978-10-10 NL NL7810167A patent/NL7810167A/xx not_active Application Discontinuation
- 1978-10-11 JP JP12423678A patent/JPS5464477A/ja active Granted
- 1978-10-11 FR FR7829057A patent/FR2406304A1/fr active Granted
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1472038A (fr) * | 1964-05-14 | 1967-03-10 | Texas Instruments Inc | Corps diélectriques comportant des parties conductrices ou métalliques, éléments composites de ceux-ci avec des semiconducteurs et procédés de fabrication de tels corps et éléments composites |
DE1800212A1 (de) * | 1968-10-01 | 1970-05-06 | Telefunken Patent | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung |
DE1800193A1 (de) * | 1968-10-01 | 1970-05-14 | Telefunken Patent | Verfahren zum Herstellen von Kontakten |
FR2294548A1 (fr) * | 1974-12-12 | 1976-07-09 | Du Pont | Structure apte a former au moins une diode et un trajet de conduction associe |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2488730A1 (fr) * | 1980-08-18 | 1982-02-19 | Western Electric Co | Procede de fabrication de circuits integres par lithographie par faisceau de particules chargees |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA1118535A (fr) | 1982-02-16 |
DE2843310A1 (de) | 1979-04-19 |
JPS6129534B2 (fr) | 1986-07-07 |
DE2843310C2 (de) | 1983-06-01 |
FR2406304B1 (fr) | 1983-01-07 |
NL7810167A (nl) | 1979-04-17 |
JPS5464477A (en) | 1979-05-24 |
GB1604004A (en) | 1981-12-02 |
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