DE1917136A1 - Verfahren zur Herstellung von Kristallen,insbesondere Haarkristalle und Gegenstaende,die solche Haarkristalle enthalten - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Kristallen,insbesondere Haarkristalle und Gegenstaende,die solche Haarkristalle enthalten

Info

Publication number
DE1917136A1
DE1917136A1 DE19691917136 DE1917136A DE1917136A1 DE 1917136 A1 DE1917136 A1 DE 1917136A1 DE 19691917136 DE19691917136 DE 19691917136 DE 1917136 A DE1917136 A DE 1917136A DE 1917136 A1 DE1917136 A1 DE 1917136A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
metal
crystals
partial pressure
crystallization
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19691917136
Other languages
English (en)
Other versions
DE1917136C3 (de
DE1917136B2 (de
Inventor
Eindhoven Emmasingel
Knippenberg Wilhelm Franciscus
Basart Johan Charles Marie
Gerrit Verspui
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1917136A1 publication Critical patent/DE1917136A1/de
Publication of DE1917136B2 publication Critical patent/DE1917136B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1917136C3 publication Critical patent/DE1917136C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/04—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • C30B11/08—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt every component of the crystal composition being added during the crystallisation
    • C30B11/12—Vaporous components, e.g. vapour-liquid-solid-growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/90—Carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/10—Particle morphology extending in one dimension, e.g. needle-like
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/61—Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer

Description

DIpL-InQ. Erich E. Walther 2000 hamburq ι, 25.5.69 Fa.,n..„w.ll SS?SKf' "/Thl Fernschreiber: 2-161587 « dpu d
N.V.Philips*Gloeilampenfabrieken Akte: PHN-3146
Abschrift
"Verfahren zur Herstellung von Kristallen, insbesondere Haarkristalle und Gegenstände, die solche Haarkristalle
enthalten."
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Kristallen, bei dem das Kristallwachstum durch einen VLS-Mechanismus erfolgt. Die Erfindung bezieht sich insbesondere auf die derartige Herstellung dünner drahtförmiger Kristalle, die manchmal als "whiskers" oder "Haarkristalle" bezeichnet werden, unter welcher Bezeichnung langgestreckte Kristalle, ungeachtet der Form ihres Querschnittes, verstanden werden sollen. Weiter bezieht sich die Erfindung auf gemäß oben erwähntem Verfahren hergestellte Kristalle und Gegenstände, die solche Kristalle enthalten.
Kristallzüchtung durch einen VLS-(vapour-liquid-solid)-Mechanismus ist in "Transactions of the Metallurgical Society of AIME" Bd. 233 (1965), Seite 1053 ff." beschrieben worden. Bei einer solchen Kristallzüchtung wird bzw. werden dieser Stoff oder seine Bestandteile aus einer Gasphase in örtlich auf einem Substrat angebrachten Tropfen eines Metalls, in dem der zu kristallisierende Stoff löslich ist, aufgenommen und der Stoff aus den Tropfen auf dem Substrat abgelagert.
Das Kristallwachstum ist dabei stark anisotrop, d.h. es erfolgt nahezu nur in einer Richtung senkrecht zur Substratoberfläche. Dies ist eine Folge der Tatsache, dass die Aufnahme des zu
009839/1818
kristallisierenden Stoffes bzw. seiner Bestandteile aus der Gasphase bevorzugt an der freien Oberfläche der flüssigen Metallphase stattfindet, während die Abscheidung aus der flüssigen Metallphase nur an der Grenzfläche Tropfen-Substrat erfolgt.
Es hat sich nun herausgestellt, daß die erhaltenen Kristalle im wesentlichen infolge der Abnahme des Volumens der Metalltropfen durch Verdampfung, namentlich bei fortgesetztem Wachstum, etwas kegelförmig sind. Auch ändere Faktoren können möglicherweise dieses kegelige Wachstum fördern, z. B. wie auf Seite IO59 des angeführten Artikels erwähnt wird, ein lamellares Wachstum auf den Seitenflächen der Kristalle. Außerdem hat die Verdampfung von Metall zur Folge, dass das Längswachstum der Kristalle beschränkt wird,
Die Erfindung bezweckt unter anderem, bei VLS-Wachstum die Dicke der Kristalle zu beherrschen und/oder die erwähnte Beschränkung des Längswachstums zu beseitigen.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Kristallen, insbesondere drahtförmigen Kristallen, bei dem das Kristallwachstum durch einen VLS-Mechanismus erfolgt und das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Dicke der Kristalle während des Wachstums dadurch beherrscht wird, dass die Größe der Tropfen des Metalls, das beim VLS-Wachstum als flüssige Phase dient, geregelt wird.
Durch die Einstellung der Grosse der Metalltropfen mittels Einstellung des oben erwähnten Partialdruckes ist es möglich, den Einfluß der Faktoren, die beim Kristallwachstum Dickenschwankungen verursachen können, völlig auszugleichen, so daß sich Kristalle mit konstanter Dicke ergeben. Es ist jedoch auch möglich, durch kontinuierliche oder diskontinuierliche Veränderung der Tropfengröße während des Wachstums
009839/1818
des oben erwähnten Partialdruckes Kristalle mit vorherbestimmtem Dickenverlauf herzustellen. Dadurch, daß die Metalltropfen instant gehalten werden können, läßt sich auch die Beschränkung des Längswachstums infolge des Verschwindens des Metalles beseitigen.
Für die VergrÖsserung der Tropfen oder zum Konstanthalten ihrer Größe ist ein Partialdruck des Metalls in der Kristallisationsatmosphäre erforderlich, der grosser als der durch die Verdampfung der Metalltropfen erzeugte Druck ist. Es muß somit zusätzliches Metall zugeführt werden.
Zu diesem Zweck wird die Kristallisationsatmosphäre mit einer Quelle des Metalls oder der Metallverbindung verbunden, wobei der Partialdruck des Metalls im Kristallisationsraum durch die Temperatur, der diese Quelle ausgesetzt wird, eingestellt wird.
Wenn die Kristallisation nicht in einem geschlossenen System, sondern in einem Gasstrom durchgeführt wird, kommt noch die Möglichkeit hinzu, dass dieses Gas als Transportmittel für das Metall bzw. die Verbindung benutzt und die Grosse der Metallzufuhr oder Abfuhr, mittels der Strömungsgeschwindigkeit des Gases geregelt wird.
Zur vorübergehenden Verkleinerung der Tropfen wird vorzugsweise eine forcierte Abfuhr des Metalls erhalten durch vorübergehende Erniedrigung des Gasdrucks und/oder durch vorübergehende Erniedrigung der Temperatur einer etwa vorhandenen Metallqueile. Zum gleichen Zweck, im Falle die Kristallisation in einem Gasstrom durchgeführt wird, kann das Gas, das durch den Kristallisationsraum geführt wird, vorübergehend einem Gehalt am Metall oder an der Metallverbindung gegeben werden, der niedriger als der Gehalt in der Kristallisa tionsat-mosphäre oder sogar Null ist.
009839/1818
Gemäß einer anderen Ausführungsform des Verfahrens wird dem Gasstrom ein Stoff ,zugesetzt, der mit dem Metall unter Bildung einer flüchtigen Verbindung eine Reaktion eingeht, so daß Metall der Tropfen zusammen mit dem Gas abgeführt wird.
Ein glücklicher Umstand bei der Zufuhr und Abfuhr von Metall mittels der Gasphase zwecks Einstellung der Tropfengrösse ist, dass diese Zu- bzw. Abfuhr, ebenso wie die Aufnahme aus der Gasphase des zu kristallisierenden Stoffs bzw. seiner Bestandteile, bevorzugt an der Oberfläche des flüssigen Metalles erfolgt. ■ "
Eine etwaige geringe Metallablagerung auf den Seitenflächen der Kristalle kann, wenn diese in Form von "whiskers" zur Verstärkung von Materialien bestimmt sind, welche die Kristalle an sich entweder gar nicht oder nur schlecht benetzen, mit Vorteil ausgenutzt werden. Dies ist z.B. der Fall bei "whiskers" (Haarkristallen) aus Siliziumkarbid, das durch die meisten Metalle und Legierungen nicht benetzt wird, während solchen "whiskern" beim Vorhandensein einer haftenden Metallablagerung auch eine bessere Haftung an Metallen aufweisen, in die sie zur Verbesserung der mechanischen Ei^ genschaften mittels Hinzufügen an eine Schmelze dieser Metalle aufgenommen wird. .
Die Metallablagerung auf dem Kristall läßt sich erforder- ■ lichenfalls dadurch fördern, dass der Partialdruck des Metalldampfs vor der Beendigung des Kristallwachs'tums kurzzeitig stark erhöht wird. ' ·
Übrigens kann eine etwaige unerwünschte Metallablagerung durch Schleifen oder Ätzen entfernt werden.
Die mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellten Kristalle sind für mehrere technische Anwendungen von Vorteil. :
009839/1818 "5 "
Es ist z.B. wichtig, lange Kristalle, insbesondere "whiskers" (Haarkristalle), mit konstanter Dicke für elektronische und mechanische Anwendungen zur Verfügung zu haben, bei denen gesonderte Kristalle Verwendung finden und konstante Eigenschaften auf einer großen Länge erforderlich sind.
Daneben können "whisker"-förmige Kristalle (Haarkristalle) mit diskontinuierlich veränderlicher Dicke für die Verstärkung von Materialien zweckmäßig sein, weil die Verdickung eine gute mechanische Verankerung der Kristalle in den Materialien gewährleisten.
Sofern die erfindungsgemäßen Kristalle aus Halbleitermaterialien aufgebaut und für elektronische Anwendungen bestimmt sind, können ihre Leitungseigenschaften auf bekannte Weise durch Aufnahme von Dotierungsstoffen eingestellt werden. Diese Zusätze können bekanntlich während des Wachstums auf dem Wege über die Gasphase in die Kristalle eingebaut oder ' aber in einer Nachbehandlung durch Diffusion in sie aufgenommen werden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im folgenden an Hand der Zeichnung näher beschrieben.
Es zeigen skizzenweise
Fig. 1 eine Vorrichtung zur Herstellung drahtförmiger Siliziumkarbidkristalle,
Fig. 2 eine Variante dieser Vorrichtung, Fig. 3 eine andere Variante der Vorrichtung.
009839/1818
Beispiel I:
Drahtförmige Siliziumkarbidkristalle werden mit Hilfe einer in Fig. 1 der Zeichnung dargestellten Vorrichtung hergestellt.
In dieser Figur bezeichnet 1 einen Graphittiegel mit einer Höhe von 60 mm, einem Innendurchmesser von 45 mm und einem Außendurchmesser von 53 mm. Der Tiegel wird mit 3 g Siliziumdioxyd 2 beschickt, in dem eine Graphitmulde 5 angeordnet wird. Der Tiegel 1 wird mit einem Deckel aus gesintertem Siliziumkarbid 4 versehen, auf dessen Innenfläche Eisenkörner 5 mit einem Durchmesser von weniger als 5 /U angebracht sind. Das Ganze wird in einem (nicht dargestellten) Quarzrohr angeordnet, in dem eine Wasserstoffatmosphäre unter etwa Außenluftdruck aufrechterhalten wird. Das Quarzrohr ist durch eine (nicht dargestellte) Induktionsspule zur Erhitzung des Graphittiegels 1 umgeben.
a) Bei Erhitzung auf 12500C wird im Tiegel eine Silizium und Kohlenstoff enthaltende Wasserstoffatmosphäre aufgebaut. Die Eisenkörner 5 nehmen aus dieser Atmosphäre Silizium und Kohlenstoff auf, wobei sie schmelzen, während gemäß einem VLS-Mechanismus aus der entstandenen flüssigen Eisenphase Siliziumkarbid epitaktisch auf den als Substrat dienenden Siliziumkarbiddeckel 4 aufwächst. Einer der gebildeten Kristalle hat einen Durchmesser von 24yum am Fuß, welcher Durchmesser am wachsenden Ende nach einem Wachstum von 1 mm auf 19/um und bei fortgesetztem Wachstum von weiterem 1/2 mm in 19 Stunden auf 16,5/um verringert war. Ein anderer Kristall war in dieser Zeit zu einer Länge von 1 mm gewachsen, wobei der Durchmesser von^/um am Fuß auf 29/um am wachsenden Ende verringert war.
009839/1818
Dies veranschaulicht das bekannte kegelige Kristallwachstum. Dieses kegelige Kristallwachstum ist der Verdampfung an der Oberfläche der flüchtigen Metallphase bei VLS-Wachstum zuzuschreiben.
b) Wird aber, gemäß einer Ausführungsform der Erfindung, in die Mulde 3 drei Gramm Eisenpulver gegeben, wonach die Kristallisation von Siliziumkarbid während 42 Stunden bei 12300C unter im übrigen gleichen Umständen durchgeführt wird, so wird der Partialdruck des Eisens erhöht, wodurch die Eisentropfen sogar grosser und die gebildeten Kristalle in der Wachstumsrichtung immer dicker werden. Der Durchmesser eines Kristalles, der am -Fuß 8,4yum betrug, hatte am wachsenden Ende z.B. nach einem Wachstum um ) ram zu 9/um und dann nach fortgesetztem Wachstum um 7 mm auf 10,8/um zugenommen.
Beispiel II;
Wie Fig. 2 darstellt, wird in einem Graphitschiffchen 6 ein Graphittiegel 7 angeordnet, in dem sich Quarzkörner 8 befinden. Über dem Tiegel 7 wird eine Platte aus sublimiertem Siliziumkarbid 9 mit einem Durchmesser von 20 mm angebracht. Auf der den Tiegel 7 zugekehrten Seite der Platte 9 werden zuvor Eisenkörner 10 mit einem Durchmesser von weniger als 5^um angebracht. Ferner ist im Graphitschiffchen 6 eine Quarzmulde Il, die 1 g Eisenpulver 12 enthält, angeordnet.
Das Ganze wird in ein (nicht dargestelltes) Rohr aus gesintertem Aluminiumoxyd gegeben, das durch einen (nicht dargestellten) rohrförmigen elektrischen Ofen umgeben ist.
Durch das Rohr wird in der Pfeilrichtung Wasserstoff mit einer Geschwindigkeit von 25 l/h (liter pro Stunde) hindurchgeleitet. Mit Hilfe des Ofens wird das Graphitschiffchen 6
- 8 009839/1818
derart erhitzt, dass der Teil, in dem sich der Tiegel 7 befindet, auf 126o°C erhitzt wird, während der Teil, in dem sich die Mulde 11 (die Eisenquelle) befindet, eine Temperatur von 118O0C annimmt.
Durch Erhitzung während 40 Stunden wachsen auf die Platte 9 Siliziumkarbid-"whiskers" (-Haarkristalle) auf, die auf der ganzen Länge gleichmäßig dick sind. Es werden z.B. auf einer Länge von einigen cm bei einer Dicke von 10/Um keine oder;, nur geringe Dickenabweichungen, wie beispielsweise eine einzige örtliche Abweichung von etwa 0,^/Osa, festgestellt. ■
Beispiel III:
Wie Fig. 3 darstellt, wird in einem Schiffchen aus gesintertem Aluminiumoxyd 13 eine Aluminiumoxydmulde 14 angeordnet, in der sich 0,5 g Gold 15 befindet. Auf dem Schiffchen 6 wird eine Siliziumscheibe 16 mit einem Durchmesser von 20 mm angeordnet, auf deren Unterseite Goldkörner 17 mit einem Durchmesser von etwa 10/um angebracht sind.
Das Ganze wird in einem (nicht dargestellten) Aluminiumoxydrohr angeordnet, das durch einen rohrförmigen elektrischen Ofen umgeben ist. ·
Durch das Rohr wird in der Pfeilrichtung Wasserstoff mit 2 Mol.# SiCl^ mit .einer Geschwindigkeit von 20 l/h hindurchgeleitet.
a)Mit Hilfe des Ofens wird das Ganze während 16 Stunden auf 10500C erhitzt. Auf die Platte l6 wachsen Silizium-"whiskers" (Siliziumhaarkristalle), deren Durchmesser in der Längsrichtung z.B. von 9 /um am Fuß bis zu 20/um, um eine Länge von 5 mm vom Fuß zunimmt.
009839/1818
b) Dadurch, daß stoßweise Chlor in einer Menge von 1
in den Gasstrom aufgenommen wird, ergeben sich "whiskers" mit örtlich stark verringertem Durchmesser.
c) Wenn die Mulde 14 (die Goldqueile) auf 1150°C erhitzt wird, während die Temperatur an der Stelle, an der das Kristallwachstum erfolgt (dem Siliziumsubstrat 16), auf 10500C gehalten wird, so erfolgt ebenso wie bei der unter a) beschriebenen Ausführungsform in der Längsrichtung eine Zunahme des Durchmessers.
Patentansprüche
-1Or
009839/1818

Claims (12)

1 HI 7.1 3 δ - 10 - ■ ■ - r ■ Patentansprüche:
1.1 Verfahren zur Herstellung von Kristallen, insbesondere drahtförmigen , ^y Kristallen (Haarkristallen), bei denen das Kristallwachstum durch einen VLS-Mechanismus erfolgt, mit Verwendung von Tropfen eines geschmolzenen Metalles als Lösungsmittel in dem VLS-Prozeß, dadurch gekennzeichnet, daß der Durchmesser der Kristalle während des Wachstums dadurch beherrscht wird, daß in der Kristallisationsatmosphäre der Partialdruck des Metalls oder einer Verbindung des Metalls, die durch Zersetzung das Metall liefert, geregelt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung von Kristallen mit konstantem Durchmesser der Einfluß der Faktoren, die beim Kristallwachstum Dickenänderungen herbeiführen können, durch Einstellung einer konstanten Größe der Metalltropfen mittels entsprechenden Einstellens des Partialdruckes Metalltropfen ausgeglichen wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung von Kristallen mit vorherbestimmten Durchmesserverlauf die Größe der Metalltropfen mittels Variation des Partialdrucks variiert wird.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Partialdruck des Metalls im Kristallisationsraum mittels einer gesonderten Quelle des Metalls oder der Metallverbindung geregelt wird, wobei der Partialdruck des Metalls im Kristallisationsraum mit Hilfe der Temperatur, der diese Quelle ausgesetzt wird, eingestellt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Partialdruck des Metalls dadurch erhöht wird, daß die Temperatur der Quelle des Metalls oder der Metall verbindung erhöht wird.
009839/1818
6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Kristallisation in einem Gasstrom erfolgt und die Größe der Metalltropfen durch Einstellung der Strömungsgeschwindigkeit des Gases eingeregelt wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Partialdruck des Metalls dadurch vorübergehend erniedrigt wird, daß der Gasdruck und^oder die Temperatur einer in diesem Raum befindlichen Metallquelle vorübergehend erniedrigt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Partialdruck im Kristallisationsraum dadurch vorübergehend erniedrigt wird, daß Gas mit einem Gehalt an Metall bzw. an der Metall verbindung, der niedriger als der in der Kristallisationsatmosphäre ist, oder Gas, das frei von dem Metall und der Metallvei'bindung ist, vorübergehend hindurchgeleitet wird.
9. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß durch den Kristallisationsraum ein Gasstrom hindurchgeleitet wird., dem vorübergehend ein Stoff zugesetzt wird, der unter Bildung einer flüchtigen Verbindung eine Reaktion mit dem Metall eingeht.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung von Kristallen mit einem Metallüberzug der Partialdruck des Metalls in der Kristallisationsatmosphäre vor der Beendigung des Kristallwachstums kurzzeitig erhöht wird.
11. Gemäß einem der in den Ansprüchen 1 bis 10 beschriebenen Verfahren hergestellte Kristalle, insbesondere "whisker"-förmige Kristalle (Haarkr ist alle).
12. Gegenstände, die ganz oder teilweise aus Kristallen nach Anspruch 11 bestehen.
009839/1818
SAD ORI©!N.*L
Leerseite
DE1917136A 1968-04-13 1969-04-02 Verfahren zur Herstellung von drahtförmigen Kristallen Expired DE1917136C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL6805300A NL6805300A (de) 1968-04-13 1968-04-13

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1917136A1 true DE1917136A1 (de) 1970-09-24
DE1917136B2 DE1917136B2 (de) 1973-10-04
DE1917136C3 DE1917136C3 (de) 1974-05-16

Family

ID=19803336

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1917136A Expired DE1917136C3 (de) 1968-04-13 1969-04-02 Verfahren zur Herstellung von drahtförmigen Kristallen

Country Status (9)

Country Link
US (1) US3632405A (de)
BE (1) BE731440A (de)
CH (1) CH538300A (de)
DE (1) DE1917136C3 (de)
ES (1) ES365930A1 (de)
FR (1) FR2006185A1 (de)
GB (1) GB1229900A (de)
NL (1) NL6805300A (de)
NO (1) NO124059B (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5404836A (en) * 1989-02-03 1995-04-11 Milewski; John V. Method and apparatus for continuous controlled production of single crystal whiskers
JP2697474B2 (ja) * 1992-04-30 1998-01-14 松下電器産業株式会社 微細構造の製造方法
RU2099808C1 (ru) * 1996-04-01 1997-12-20 Евгений Инвиевич Гиваргизов Способ выращивания ориентированных систем нитевидных кристаллов и устройство для его осуществления (варианты)
US6221154B1 (en) * 1999-02-18 2001-04-24 City University Of Hong Kong Method for growing beta-silicon carbide nanorods, and preparation of patterned field-emitters by chemical vapor depositon (CVD)
CN1306619C (zh) * 2001-03-30 2007-03-21 加利福尼亚大学董事会 纳米线以及由其制造的器件

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3346414A (en) * 1964-01-28 1967-10-10 Bell Telephone Labor Inc Vapor-liquid-solid crystal growth technique
US3493431A (en) * 1966-11-25 1970-02-03 Bell Telephone Labor Inc Vapor-liquid-solid crystal growth technique

Also Published As

Publication number Publication date
CH538300A (de) 1973-06-30
NL6805300A (de) 1969-10-15
BE731440A (de) 1969-10-13
ES365930A1 (es) 1971-03-16
US3632405A (en) 1972-01-04
NO124059B (de) 1972-02-28
GB1229900A (de) 1971-04-28
FR2006185A1 (de) 1969-12-19
DE1917136C3 (de) 1974-05-16
DE1917136B2 (de) 1973-10-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0165449B2 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterfolien
DE944571C (de) Verfahren zur Beeinflussung DER elektrischen Eigenschaften von Halbleiterkoerpern bei deren Herstellung aus reinem Halbleitermaterial, welches nur sehr kleine Anteile an Geber- und Nehmerberunreinigung enthaelt
DE1719493A1 (de) Verfahren zur Herstellung von drahtfoermigen Koerpern (Haarkristallen) kreisfoermigen Querschnitts,die aus Siliciumcarbid-Einkristallen bestehen,und Gegenstaende aus Siliciumcarbid-Haarkristallen kreisfoermigen Querschnitts
DE2745335A1 (de) Vorrichtung zum ziehen von einkristallinem silizium
DE60125689T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Siliziumkarbidkristallen unter Verwendung von Quellegasen
DE2122192B2 (de) Verfahren zur Vorbehandlung von beim Züchten von halbleitenden Kristallen als Einschließungsmittel verwendetem Boroxid
DE1917136A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Kristallen,insbesondere Haarkristalle und Gegenstaende,die solche Haarkristalle enthalten
DE1230227B (de) Verfahren zur Herstellung von homogenen Koerpern aus Germanium-Silicium-Legierungen
DE2114645C3 (de) Verfahren zum epitaktischen Aufwachsen einer Halbleiterverbindung
EP1805354B1 (de) Verfahren zur herstellung von gruppe-iii-nitrid- volumenkristallen oder -kristallschichten aus metallschmelzen
DE1592122A1 (de) Verfahren zum Darstellen grosser Einkristalle hohen Reinheitsgrades der Chalkogenideder Seltenen Erden
DE1667604B1 (de) Verfahren zur herstellung von kristallinem cadmiumtellurid
DE3013045A1 (de) Verfahren zur herstellung massiver, perfekter einkristallbirnen aus gadolinium-gallium-granat
DE1161036B (de) Verfahren zur Herstellung von hochdotierten AB-Halbleiterverbindungen
DE2110961B2 (de) Verfahren zum epitaktischen Aufwachsen eines ternären HI-V-MischkristaUs
DE1719498A1 (de) Epitaxialwachstum von Galliumarsenid
DE3002671C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Siliciumcarbidsubstrats
DE2632614A1 (de) Vorrichtung zum ziehen eines einkristallinen koerpers aus einem schmelzfilm
DE1719469A1 (de) Kristallzuechtungsverfahren
DE2700994A1 (de) Vorrichtung und verfahren zum ziehen von kristallinen siliciumkoerpern
DE2727305A1 (de) Verfahren zum abscheiden von feinkristallinem silicium aus der gasphase an der oberflaeche eines erhitzten traegerkoerpers
DE1124028B (de) Verfahren zum Herstellen von einkristallinem Silicium
DE2409005A1 (de) Verfahren zur epitaxialen herstellung von halbleiter-siliziumkarbid
DE2227190C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Kristallen und deren Verwendung
DE1667655C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Slliziumkarbidkristalten

Legal Events

Date Code Title Description
SH Request for examination between 03.10.1968 and 22.04.1971
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
8339 Ceased/non-payment of the annual fee