DE1904199A1 - Verfahren zur Herstellung von Halbleiterelementen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von HalbleiterelementenInfo
- Publication number
- DE1904199A1 DE1904199A1 DE19691904199 DE1904199A DE1904199A1 DE 1904199 A1 DE1904199 A1 DE 1904199A1 DE 19691904199 DE19691904199 DE 19691904199 DE 1904199 A DE1904199 A DE 1904199A DE 1904199 A1 DE1904199 A1 DE 1904199A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- depth
- area
- opposite
- initially
- grooves
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
- H10D48/38—Devices controlled only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Element Separation (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB5358/68A GB1185971A (en) | 1968-02-02 | 1968-02-02 | Methods of Manufacturing Semiconductor Elements and Elements Manufactured by the Method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1904199A1 true DE1904199A1 (de) | 1969-09-04 |
Family
ID=9794603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19691904199 Pending DE1904199A1 (de) | 1968-02-02 | 1969-01-29 | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterelementen |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1904199A1 (https=) |
| FR (1) | FR2001194A7 (https=) |
| GB (1) | GB1185971A (https=) |
| NL (1) | NL6901633A (https=) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3701696A (en) * | 1969-08-20 | 1972-10-31 | Gen Electric | Process for simultaneously gettering,passivating and locating a junction within a silicon crystal |
-
1968
- 1968-02-02 GB GB5358/68A patent/GB1185971A/en not_active Expired
-
1969
- 1969-01-29 DE DE19691904199 patent/DE1904199A1/de active Pending
- 1969-01-31 NL NL6901633A patent/NL6901633A/xx unknown
- 1969-01-31 FR FR6902015A patent/FR2001194A7/fr not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL6901633A (https=) | 1969-08-05 |
| FR2001194A7 (https=) | 1969-09-26 |
| GB1185971A (en) | 1970-04-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2737073C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Isolierschicht-Feldeffekttransistors für eine Ein-Transistor-Speicherzelle | |
| DE4324481C2 (de) | Transistor-Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren | |
| DE2755433C2 (de) | Strahlungsemittierende Halbleiterdiode | |
| DE3210742A1 (de) | Solarzellenbatterie und verfahren zum herstellen der batterie | |
| CH660649A5 (de) | Mosfet-anordnung. | |
| DE2600195A1 (de) | Injektionslaser und verfahren zu seiner herstellung | |
| DE2738008A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer eintransistor-speicherzelle | |
| DE2040911A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements | |
| DE2109352C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines lateralen bipolaren Halbleiter-Bauelements | |
| DE1906479A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
| DE1208411B (de) | Durchschlagsunempfindlicher Halbleitergleichrichter mit einer Zone hoeheren spezifischen Widerstands | |
| DE1904199A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterelementen | |
| DE2448014A1 (de) | Gesteuerter silizium-gleichrichter und verfahren zu dessen herstellung | |
| DE2323438B2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes | |
| DE1274243B (de) | Verfahren zur herstellung einer tunneldiode | |
| DE2629785A1 (de) | Monolithisches polychromes halbleitergebilde | |
| DE1589696C3 (de) | Halbleiterbauelement, insbesondere Flächentransistor | |
| DE2737503A1 (de) | Feldeffekttransistor mit interdigitalstruktur und verfahren zu seiner herstellung | |
| DE3137675A1 (de) | Thyristor mit einem mehrschichten-halbleiterkoerper und verfahren zu seiner herstellung | |
| DE6924915U (de) | Steuerbares halbleiterbauelement | |
| DE2536377A1 (de) | Halbleiterlaser mit variabler streifenbreite | |
| DE2751272A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
| DE2324385C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltung | |
| DE2208461A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
| WO2016055526A1 (de) | Strahlungsemittierender halbleiterchip, verfahren zur herstellung einer vielzahl an strahlungsemittierenden halbleiterchips und optoelektronisches bauelement mit einem strahlungsemittierenden halbleiterchip |