DE1805970A1 - Verwendung des Verfahrens zum Abscheiden einer Schicht von Halbleitermaterial aus einer gasfoermigen Verbindung dieses Halbleitermaterials - Google Patents

Description

Verwendung des Verfahrens zum Abscheiden einer Schicht von Kalbleitermaterial aus einer gasförmigen Verbindung dieses Halbleitermaterials

Aus der französischen Patentschrift 1 511 998 ist es bekannt, ein Siliziumgefäß,in dem uiliziumscheiben einem Diffusionsprozeß unterworfen werden sollen, durch Ausbohren eines Siliziumstabes herzustellen. Dieser oiiiziumstab kann entsprechend der deutschen Auelegeschrift 1 102 117 gewonnen werden, indem auf einem erhitzten, langgestreckten draht- oder fadenförmigen Trägerkörper au3 Silizium weiteres Silizium durch thermische Zersetzung einer den Siiiziumdraht umspülenden gasförmigen Siliziumverbindung abgeschieden wird.

:.^rach der deutschen Patentschrift 1 061 5',C kann ein Stab aus Halbleitermaterial aucn durch Abscheiden von Halbleitermaterial mittels Reaktion mit einer gasförmigen Haibleifcerverbindung auf einem erhitzten stabf'Örmigen 'irägerkörper auf; demselben Halblei termaterialppwonnen werden. Auch hier verbleibt der stabförmige Träger-Körper im durch Abscheiden von Halbleitermaterial erzeugten Stab.

Falls erforderlich, kann ein durch Abscheiden gewonnener HaIbLe L terstab vor dem Ausbohren der öffnung verdickt werden, indem er z.H. nach der deutschen Auslegeychrift 1 148 525 einem tiegeifreien Zoner.achmelzprozeß unterworfen und dabei durch eine aufeinander zugerichtete Bewegung der beiden Stabenden in axialer Richtung gestaucht wird.

Das Ausbohren eines Halbleiterstabes ist jedoch mit einem großen Verlust an kostspieligem Halbleitermaterial verbunden. Dies gilt besondere dann, wenn dünnwandige Hohlkörper hergestellt werden sollen, d.h., wenn das Volumen des Hohlraums im herzustellenden Gefäß aus Halbleitermaterial größer sein soll als das Volumen der Gefäßwandung.

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Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, hier Abhilfe zu schaffen. . '

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch die Verwendung des Verfahrens zum Abscheiden einer Schicht von Halbleitermaterial, insbesondere Silizium, aus einer gasförmigen Verbindung dieses Halbleitermaterials, bei dem das Halbleitermaterial auf der Oberfläche eines beheizten Trägerkörpers aus einem anderen, hitzebeständigen Material niedergeschlagen wird, zum Herstellen eines aus dem Halbleitermaterial bestehenden Hohlkörpers in der Weise, daß nach dem Niederschlagen der Halbleiterschicht der Trägerkörper ohne Zerstörung der genügend dick bemessenen Halbleiterschicht entfernt wird.

Der Trägerkörper kann mit mechanischen und/oder chemischen Mitteln entfernt werden.

Es ist möglich, auf diese Weise Hohlkörper aus Silizium, Germanium oder auch aus halbleitenden intermetallischen Verbindungen von Elementen der III. und V. Gruppe des Periodensystems der Element, wie Indiumantimonid oder Galliumarsenid, herzustellen.

Aus der US-Patentschrift 2 A'*>8 892 ist es zwar bekannt, eine dünne Siliziumschicht auf einem Tantalband durch Reduktion von gasförmigem Siliziumtetrachlorid mit Wasser3toffgas zum Herstellen von Halbleiterbauelementen niederzuschlagen. Aus der US-Patentschrift 2 763 581 ist es außerdem bekannt, Halbleitermaterial aus einer gasförmigen Halbleiterverbindung durch thermische Zersetzung auf einem Wolframdraht abzuscheiden. Bei beiden Verfahren ist jedoch der Träger aus Metall Teil des Halbleiterbauelementes und wird aus 'dem niedergeschlagenen Halbleitermaterial, nicht entfernt.

Schließlich ist ana eier fyansösiaehen Patentschrift 1. 511 998 bekannt, die Innenwände eines sinaeitig abgesohlo.si?@a©n Holifeylindere aus Graphit mit ei»©;»? Eohisht aus hoohr©in@ai Halbleitermaterial a-u üb«rz±elien. Auch hler χΑτύ ios* Grap&it ansehllsß©^ ni©ht v©a der

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Eine Weiterbildung der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß die Trägerkörper zonenweise erhitzt und das Halbleitermaterial zonenweise auf seiner Außenfläche niedergeschlagen wird. Hierdurch läßt sich ein Hohlkörper gewinnen mit über seiner Länge verschiedenen, „einstellbaren Wandstärken Außerdem gestaltet sich hierbei die Kontrolle der Dicke der abgeschiedenen Schicht aus Halbleitermaterial besonders einfach. Günstig ist es, einen Trägerkörper aus einem genügend hochschmelzenden Stoff zu verwenden, der bei der zum Abscheiden erforderlichen Temperatur mit dem niedergeschlagenen Halbleitermaterial weder legiert noch eine chemische Verbindung eingeht. Als derartiger Stoff kommen insbesondere Graphit, Tantal, Molybdän oder Wolfram in Frage.

Der Trägerkörper kann nach dem Niederschlagen der Halbleiterschicht durch Ausbohren und/oder Ausfräsen aus dem Hohlkörper aus Halbleitermaterial entfernt werden. Reste des Trägerkörpers können im Anschluß an das Bohren oder Fräsen durch Ätzen mit an sich bekannten Ätzmitteln, wie z.B. Flußsäure, entfernt werden. Graphit und Metalle können besonders leicht ausgebohrt oder ausgefräst werden, letzte Reste vom Trägerkörper können durch Ätzen leicht dann aus dem Hohlkörper aus Halbleitermaterial entfernt werden, wenn ein Trägerkörper aus Metall verwendet wurde.

Der Trägerkörper kann auch durch Erhitzen in einer "sauerstoffhaltigen Atmosphäre aus dem Hohlkörper aus Halbleitermaterial ausgebrannt werden. Dies empfiehlt sich besonders bei einem Hohlkörper aus Silizium und einem Trägerkörper aus Graphit, da sich erhitztes Silizium in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre mit einer Oberflächenschicht aus Oxyden überzieht, die es anschließend vor weiteren Angriffen des Sauerstoffs schützt. Das Erhitzen beim Abbrennen kann wie beim Abscheidungsprozeß zonenweise erfolgen, indem ähnlich dem für Halbleiterstäbe bekannten Zonenschmelzverfahren eine Relativbewegung zwischen dem mit der Schicht aus Halbleitermaterial versehenen Trägerkörper und einer den Trägerkörper umgebenden ringförmigen Heizeinrichtung in Richtung der Achse des Trägerkörpers bzw. des Hohlkörpers aus Halbleitermaterial gegebenenfalls mehrfach durchgeführt wird. Die Heizeinrichtung kann beispielsweise eine mit hochfrequentem

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Wechselstrom gespeiste Induktionsspule aus einem flüssigkeitsgekühlten Hohlleiter sein, die eine oder wenige Windungen hat. Als Heizeinrichtung kann auch ein ringförmiger elektrischer Strahlungsheizer verwendet werden, der gegebenenfalls mit einer Einrichtung zum Fokussieren der Strahlung versehen ist., Das Abbrennen kann an Luft oder in einem Reaktionsgefäß in reiner Sauerstoff atmosphäre erfolgen.

Zum Herstellen eines Rohres aus Halbleitermaterial wird vorteilhaft ein stabförmiger Trägerkörper mit entsprechend großem Querschnitt und von beliebiger gewünschter Form verwendet. Dieser Trägerkörper kann massiv sein.

Von besonderem Vorteil ist es insbesondere bei größeren Querschnitten des Hohlkörpers aus Halbleitermaterial von z.B. mehreren Quadratzentimetern bis einem Quadratdezimeter und mehr, einen hohlen Trägerkörper zu verwenden. Zur Herstellung eines Hohlzylinders aus Halbleitermaterial ist ein hohlzylinderförmiger Trägerkörper besonders zweckmäßig. Das Halbleitermaterial kann auf den Außenflächen des hohlen Trägerkörpers abgeschieden werden. Dies ist besonders günstig, wenn der Trägerkörper ausgebohrt oder ausgefräst wird, da gegenüber einem massiven Trägerkörper ein unter Umständen bedeutender Teil der Bohr- oder Fräsarbeit erspart wird.

Auf zylinder- oder' hohlzylinderförmige Trägerkörper sind zur Gewinnung von Hohlzylindern aus Halbleitermaterial bevorzugt Halbleitermaterialschichten abgeschieden worden, deren Dicke im Bereich

von -rrr der lichten Weite des Trägerkörpers bis zur lichten Weite liegt.

Für einen hohlen Trägerkörper können dieselben Stoffe wie für einen massiven verwendet werden, nämlich, wie oben angegeben, Graphit oder genügend hochschmelzendes Metall, welches mit dem Halbleitermaterial weder chemisch reagiert noch legiert. Der Traf gerkörper kann dam beim Abscheiden mittels eines ihn durchfließenden elektrischen Stroms direkt beheizt werden.

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Wird ein hohler Trägerkörper verwendet, so kann zur Erhitzung eine ' Induktionsheizspule oder ein elektrischer Widerstansheizkörper im Innenraum des Trägerkörpers angeordnet sein. Die von letzterem erzeugte Wärme kann durch Strahlung oder mit Hilfe eines elektrisch isolierenden, insbesondere pulverförmigen Füllmittels durch Leitung auf den Trägerkörper und die darauf niedergeschlagene Halbleiterschicht übertragen werden.

Bei größeren Querschnitten kann die Differenz der Schrumpfungen von Trägerkörper und des auf ihm abgeschiedenen Hohlkörpers aus Halbleitermaterial beim auf den Abscheidungsprozeß folgenden Erkalten so groß sein, daß der Trägerkörper unbeschädigt aus dem Hohlkörper aus Halbleitermaterial herausgezogen werden kann. Diese Maßnahme kann dadurch erleichtert werden, daß ein sich über seine Länge an der Außenfläche konisch verjüngender Trägerkörper verwendet wird. Eine andere Möglichkeit mit ähnlicher Wirkung besteht insbesondere bei einem Trägerkörper aus anderem Material als Graphit darin, daß die Außenfläche des Trägerkörpers, auf der das Halbleitermaterial abgeschieden wird, vor dem Abscheiden mit einem Graphitüberzug versehen wird. Vorteilhaft kann die Außenfläche des Trägerkörpers auch berußt werden.

Ein Überzug aus Graphit ermöglicht beispielsweise auch die Verwendung eines aus Gußeisen oder Stahl bestehenden, massiven oder hohlen Trägerkörpers. Der Trägerkörper kann auch aus einem elektrisch nicht leitenden hitzebeständigen Material, vorzugsweise Aluminiumoxyd (Keramik), bestehen, und an der Außenfläche vor dem Abscheiden mit einem Überzug aus Graphit oder einem hochschmelzenden Metall z.B. aus Tantal oder Molybdän, versehen werden. Insbesondere ein Trägerkörper aus Aluminiumoxyd (Keramik) hat den Vorzug, daß er beim Abkühlen stärker schrumpft als Halbleitermaterial, z.B. Silizium, und deshalb besonders leicht aus dem Hohlkörper aus Halbleitermaterial entfernt werden kann.

Mit den angegebenen Maßnahmen und Mitteln können nicht nur Rohre aus Halbleitermaterial, sondern auoh Hohlkörper mit beliebigen anderen Formen hergestellt werden. Hierbei kann ob unter

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Umständen zum nachträglichen Entfernen des Trägerkörpers nötig sein, die darauf niedergeschlagene Hälbleiterschicht an einer oder mehreren Stellen aufzutrennen. Bei Verwendung eines Trägerkörpers aus Graphit genügt aber eine meist ohnehin vorhandene. Öffnung in der Halbleiterschicht, um ein Ausbrennen des Trägerkörpers zu ermöglichen, selbst wenn die Öffnung verhältnismäßig eng ist.

Einige Ausführungsbeispiele des neuen Verfahrens und weitere Einzelheiten werden im folgenden anhand der Zeichnung-beschrieben.

Figur 1 zeigt einen Schnitt durch eine Einrichtung zum Abscheiden einer Schicht von Halbleitermaterial,

Figur 2 zeigt eine Abänderung der Einrichtung nach Figur 1,

Figur 3 zeigt einen Schnitt durch einen Trägerkörper mit einer auf ihm abgeschiedenen Schicht aus Halbleitermaterial,

Figur 4 zeigt einen Ofen zum Ausbrennen des Trägerkörpers aus einer abgeschiedenen Schicht von Halbleitermaterial,

Figur 5 zeigt eine weitere Einrichtung zum Abscheiden von Halbleitermaterial.

Die Einrichtung nach Figur 1 besteht aus einem zylinderförmigen Quarzrohr 2, das an einem Ende mit einem Schliff 3 und am anderen mit einer Austrittsöffnung 4 versehen ist. Innerhalb des Rohres 2 sind zwei Quarzstege 5 angeordnet, auf denen ein Trägerkörper 6 ruht. Es ist vorteilhaft, wenn die Achsen des Quarzrohres 2 und des Trägerkörpers 6 fluchten. Das Quarzrohr 2 ist dort, wo sich der Trägerkörper 6 befindet, von einer mehrwindigen Zylinderspule 7 umschlossen, die aus einem nicht dargestellten Hochfrequenzgenerator gespeist wird. Am- Schliff 3 ist eine Gaszuführung 8 angebracht.

Der Trägerkörper 6 kann z.B. massiv sein und aus Graphit bestehen. Durch das Anschlußteil 8 wird beispielsweise ein Gemisch aus gasförmigem Silicochloroform (SiHGl-.) und molekularem Wasserstoff (H₂) in das Rohr 2 eingeleitet, während der Trägerkörper 6 mit Hilfe der Hochfrequenzspule 7 auf eine Temperatur im Bereich zwiachen 1050° und 1250 C erhitzt wird. Am durch die Hochfrequenz-

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spule 7 erhitzten Teil des Trägerkörpers 6 wird das gasförmige Silicochloroform durch den Wasserstoff reduziert und es scheidet sich dort eine geschlossene Siliziumschicht 9 ab. Durch die Öffnung 4 im Rohr 2 tritt Salzsäuregas als Restgas aus.

In der in Figur 2 dargestellten Abwandlung der Einrichtung nach Figur 1 ist das Quarzrohr 22, das nur in einem Ausschnitt dargestellt ist, sonst aber dem Quarzrohr 2 in Figur 1 entspricht, von einer Zylinderspule 23 umschlossen, die nur wenige Windungen aufweist und daher wesentlich kurzer als der Trägerkorper .24 ist. Gie ist in Richtung der Rohrachse verschiebbar. Der Trägerkorper 24 ist ein Hohlzylinder aus Graphit, der an den beiden Enden mit Graphitstopfen 25 verschlossen ist. Er ruht, wie der Trägerkörper in der Einrichtung nach Figur 1, auf Quarzstegen 26. Mittels der Spule 23 wird der Trägerkorper 24 zonenweise erhitzt und auf ihm eine zusammenhängende Siliziumschicht 27 zonenweise abgeschieden. Mit einer Einrichtung nach Figur 2 ist es möglich, eine zusammenhänge Siliziumschicht mit längs der Achse des Trägerkörpers 24 verschiedenen Schichtdicken abzuscheiden.

Die Trägerkorper 6 bzw. 24 können auch aus Tantal, Molybdän oder Wolfram bestehen. Die Entfernung derartiger Trägerkorper aus dem durch die abgeschiedene Siliziumschicht 9 bzw. 27 gebildeten Hohlkörper wird erleichtert, wenn die Außenfläche dieser Trägerkorper vor dem Abscheiden deu oiliziums graphitiert oder berußt wird.

Es können auch Trägerkorper 6 b?:w. 24 verwendet werden, die aus Aluminiumoxyd (Keramik), Gußeisen oder Stahl bestehen und deren Außenfläche vor dem Abscheiden des Siliziums graphitiert oder berußt werden. Trägerkorper aus diesen Stoffen sind besonders gunstig, da sie einen wesentlich größeren Wärmeausdehungskoeffizienten als Silizium, Germanium oder halbleitende intermetallische Verbindungen haben und daher beim Abkühlen stärker schrumpfen als die auf ihrer Außenfläche abgeschiedene Schicht aus Halbleitermaterial. Sie können daher nach dem Abkühlen mühelos aus dem aus der abgeschiedenen Schicht aus Halbleitermaterial bestehenden Hohlkörper herausgezogen werden. Eine chemische Reaktion oder Legierungsbil-

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dung des Halbleitermaterials mit dem Gußeisen oder dem Stahl während des Abscheidens wird durch die auf der Außenfläche des Trägerkörpers befindlichen Graphit- oder Rußschicht verhindert.

Auch durch die konische Verjüngung an der Außenfläche eines in Figur 3 dargestellten Trägerkörpers 31 wird das Entfernen desselben aus dem durch die Schicht 32 beispielsweise aus Silizium bestehen-· den Hohlkörper ohne Zerstörung dieses Hohlkörpers erleichtert. Vorteilhaft kann auch dieser Trägerkörper 31 aus Eisen, Stahl oder Keramik bestehen und an der Außenfläche vor dem Abscheiden des Siliziums mit einem Graphitüberzug 33 versehen werden.

Besteht der Trägerkörper aus einem relativ leicht brennbaren Material wie Graphit,so kann er aus der auf seine Außenfläche abgeschiedenen zusammenhängenden Schicht aus Halbleitermaterial auch durch Ausbrennen entfernt werden. Figur 4 zeigt ein Beispiel für eine Einrichtung zum Ausbrennen des Trägerkörpers. Diese Einrichtung besteht aus einem Keramikofen 41, in dem Heizwendeln 42 angeordnet sind. In diesem Ofen 41 ist ein rohrförmiger Trägerkörper 43 aus Graphit mit einer auf seiner Außenfläche abgelagerten Siliziumschicht 44 angeordnet. Der Ofen beheizt den Trägerkörper 43 und die Siliziumschicht 44 auf eine Temperatur von etwa 1300° C. Mittels einer vor einer der beiden Ofenöffnungen angeordneten Düse 45 wird durch den rohrförmigen Trägerkörper 43 Luft oder Sauerstoff geblasen, so daß der Graphit, aus dem der Trägerkörper 43 besteht, verbrennt.

Die Beheizung des Trägerkörpers 43 kann während des Ausbrennens auch zonenweise mit einer längs der Achse des Trägerkörpers 43 bewegbaren I^duktionsheizspule erfolgen.

Die in Figur 5 dargestellte Abscheideeinrichtung ist besonders für hohle Trägerkörper geeignet. Sie besteht aus einer Quarzglocke 51 mit' einer relativ großen öffnung 52 und einer relativ kleinen Gasaustrittsöffnung 53. Der hohle Trägerkörper 54, der aus Graphit . bestehen möge, ist an einem Ende abgeschlossen und am anderen mit einem Flansch 55 versehen. Der Flansch 55 ist mittels Schrauben 56

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und eines mit Kühlschlagen 63 versehenen Kupferringes 57 an der großen Öffnung 52 der Quarzgxocke 51 unter Zwischenlage von Dich-. tungsringen 64 befestigt. Am abgeschlossenen Ende des Trägerkörpers 54 ist ein innerhalb des Trägerkörpers 54 befindlicher Eisenstab 58 beispielsweise in einer Gewindebohrung befestigt. An diesem Sisenstab 58 und am Kupferring 57 sind Stromzuführungen 59 und 60 befestigt, so daß der Trägerkörper 54 zur Beheizung von elektrischem Strom durchflossen werden kann. Das Reaktionsgasgemisch, z.B. gasförmiges Silicochloroform und Wasserstoff, wird durch die Öffnungen 61 in die Glocke 51 eingeleitet, und es schlägt sich beispielsweise eine Siliziumschicht 62 auf der Außenfläche des Trägerkörpers 54 nieder. Der Trägerkörper 54 kann auch durch eine in der Zeichnung nicht dargestellte Hochfrequenzinduktionsheizspule oder einen von elektrischem Strom durchflossenen Strahlungsheizer, die in seinem Innenraum angeordnet sind, beheizt werden.

Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren läßt sich eine ausgezeichnete Maßhaltigkeit für die Innenfläche des aus dem abgeschiedenen Halbleitermaterial bestehenden Hohlkörpers erzielen. Außerdem ist das Gefüge des abgeschiedneen Halbleitermaterial so dicht, daß der Hohlkörper als praktisch gasdicht anzusehen ist. Messungen an evakuierten Hohlkörpern aus Silizium ergaben bei Zimmertemperatur eine Leckrate kleiner als 6 · 10~ Torr. Liter . see" . Auch bei höheren Temperaturen wurde keine Vergrößerung der Leckrate festgestellt.

Die gemäß der Erfindung hergestellten Hohlkörper aus Halbleitermaterial könne η beispielsweise zur Urawandlungin einen Einkristall nach dem Anschmelzen eines einkristallinen Keimkristalls an ein Ende des Hohlkörpers noch entsprechend dem Vorschlag nach unserer gleichzeitig eingereichten Patentanmeldung (PLA 68/

1636) mit der Bezeichnung "Verfahren zum Verändern der kristallinen Struktur eines rohrförmigen Ausgangskristalls und/oder zum Verändern der Konzentration eines in dem rohrförmigen Ausgangskristall enthaltenen Fremdstoffes" einem Zonenschmelzprozeß mit einem oder mehreren Schmelzzonendurchgängen ausgehend von der Anschmelzstelle des Keimkristalls unterworfen werden.

15 Patentansprüche
5 Figuren - 10 -

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Claims (14)

- 10 Patentansprüche PLA 68/1635

1. Verwendung des Verfahrens zum -Abscheiden einer Schicht von Halbleitermaterial, insbesondere Silizium, aus einer gasförmi-

• gen Verbindung dieses Halbleitermaterials, bei dem das Halbleitermaterial auf der Außenfläche eines beheizten Trägerkörpers aus einem anderen hitzebeständigen Stoff niedergeschlagen wird,' zum Herstellen eines aus dem Halbleitermaterial bestehenden Hohlkörpers in der Weise, daß nach dem Niederschlagen der Schicht aus.Halbleitermaterial der Trägerkörper ohne Zerstörung der genügend dick bemessenen Schicht aus Halbleitermaterial entfernt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ,gekennzeichnet, daß der Trägerkörper zonenweise erhitzt und das Halbleitermaterial zonenweise auf seiner Außenfläche niedergeschlagen wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch.gekennzeichnet, daß ein Trägerkörper aus einem genügend hochschmelzenden Stoff verwendet wird, der bei der zum Abscheiden erforderlichen Temperatur mit dem niedergeschlagenen Halbleitermaterial weder legiert noch eine chemische Verbindung eingeht.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein Trägerkörper aus Graphit, Tantal, Molybdän oder Wolfram verwendet wird.

5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerkörper nach dem Niederschlagen der Halbleiterschicht in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre erhitzt und aus dem Hohlkörper aus Halbleitermaterial durch Abbrennen entfernt wird.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerkörper zonenweise erhitzt wird.

7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein stabförmiger Trägerkörper verwendet wird.

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8. Verfahren nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, daß ein
hohler Trägerkörper verwendet wird.

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß ein hohlzylinderförmiger Trägerkörper verwendet wird.

10. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der hohle Trägerkörper mit einer innerhalb des Hohlraumes befindlichen Heizeinrichtung beheizt wird.

11. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Trägerkörper verwendet wird, der sich an der Außenfläche
konisch verjüngt.

12. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß

die Außenfläche des Trägerkörpers vor dem Abscheiden des Halbleitermaterials mit einem Graphitüberzug versehen wird.

13. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Außenfläche des Trägerkörpers vor dem Abscheiden des Halbleitermaterials berußt, wird.

14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13» dadurch gekennzeichnet, daß ein Trägerkörper aus Gußeisen oder Stahl verwendet wird.

15» Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Trägerkörper aus Aluminiumoxyd (Keramik) verwendet wird, der auf seiner Außenfläche mit einem Überzug aus Graphit oder
einem hochschmelzenden Metall versehen ist.

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