DE1805385A1 - Plattierbad und Verfahren zum stromlosen Aufplattieren von Nickel - Google Patents
Plattierbad und Verfahren zum stromlosen Aufplattieren von NickelInfo
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Description
Ii ti
RCA 59*350
US Ser.No. 678,373
Piled: October 26, 1967
Radio Corporation of America, New York, N.Y. (V.St.A.)
Plattierbad und Verfahren zum stromlosen Aufplattieren von Nickel.
Die Erfindung betrifft ein Plattierbad sowie ein Verfahren zum stromlosen Aufplattieren von Nickel aus wäßriger Lösung.
Die Technik des stromlosen Aufplattierens von Nickel auf die verschiedenartigsten Substrate oder Unterlagen durch autokatalytlsche
Reduktion von Nickelionen aus wäßriger Lösung ist allgemein bekannt. Bei einem speziellen stromlosen Nickelplattierverfahren
enthält das Plattierbad Nickelionen, Hypophosphitionen (als Reduziermittel·), Pyrophosphationen (für die Komplexierung
der Nickelionen zwecks Verhinderung der Bildung unerwünschter Niederschläge) und Ammoniumhydroxyd (zur Unterstützung der Komplexierung
der Nickelionen sowie als Quelle von Hydroxyllonen für die Erhöhung des PH-Wertes des Bades.
Bei üblicherweise verwendeten Lösungen zum stromlosen Nickelplattieren
wird gewöhnlich mit relativ hohen Temperaturen, und zwar etwas unterhalb des Siedepunktes des Wassers gearbeitet. Bei
diesen Temperaturen treten Instabilitäten in der Plattierrate oder -geschwindigkeit sowie der Zusammensetzung des Bades auf, und zwai
wegen der Schwierigkeit, die Badtemperatur unter Bedingungen der laufenden oder Fließbandherstellung genau zu kontrollieren, f erner
wegen der sehr rauchen Verdampfung des Ammoniaks aus der Lösung sowie wegen der spontanen Zersetzung der Plattierlösung,
Außerdem sinkt bei erhöhten Temperaturen der Wirkungsgrad der
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Ausnützung des relativ teuren hypophosphithaltigen Materials sehr
rasch ab.
Zusätzliche Probleme bei der Verwendung des stromlosen Nickelbades
bei erhöhten Temperaturen ergeben sieh durch das unerwünsehte Aufplattieren von Nickel auf nichtmetallisierte Teile von Keramik-
oder Kunststoffsubstraten bei der Herstellung von gedruckten Schaltungen und ähnlichen elektronischen Anwendungen sowie
durch den relativ hohen Phosphorgehalt der aufplattierten Nickelschicht,
Durch den Phosphor wird die .Schicht spröder oder brüchiger und werden, im Falle des Aufplattierens auf Halbleiterbauelemente,
Donatorverunreinigungen eingeführt, durch welche die Eigenschaften des darunter befindlichen Halbleitermaterials beeinflußt j
werden können. I
Bei Fortschreiten des stromlosen Aufplattiervorganges besteht;
die Tendenz, daß der Ρττ-Wert des Bades sieh erniedrigt. Dadurch !
verringert sieh das Reduziervermögen der Hypophosphitionen, was j
die Folge hat, daß' die Plattiergeschwindigkeit rasch abnimmt. j
Erfindungsgemäß ist ein Verfahren zum stromlosen Aufplattieren einer Nickel-Phosphorschicht auf eine Substratfläche bei Zimmertemperatur vorgesehen. Als erstes wird ein wässeriges Plattierbad
zubereitet, das anfänglich ein Nickelsalz, eine Quelle von Hypophosphitionen, einen Nickelionenkomplexbildner sowie eine
Menge an Ammoniumhydroxyd enthält,- die ausreicht, den PH-Wert des
Bades entsprechend einer spezifizierten Plattierrate oder -geschwindigkeit einzustellen. Diesem Bad wird eine Menge einer Base
zugesetzt, um den Pjj-Wert.des Bades ohne nennenswerte Beeinflussung
der spezifizierten Plattierrate zu erhöhen. Wenn das zu plattierende Substrat, anschließend in dieses Bad eingetaucht wird,
erfolgt das stromlose Aufplattieren der Nickel-Phosphorschicht mit einer Plattierrate, die durch die Erniedrigung des Ρτ,-Wertes
im Zuge des Fortschreitens des Plattiervorganges relativ unbeeinflußt
bleibt. ■-..„■
In den Zeichnungen zeigen:
Fig. 1 ein Diagramm, das die Änderung der Plattierrate in Abhängigkeit
vom Pjj-Wert für ein Plattierbad bekannter Zusammensetzung wiedergibt; und
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" " in '■■■
Fig. 2 Diagramme, welche die Abhängigkeit der Plattierrate vom Ρττ-Wert für verschiedene Plattierbäder erfindungsgemäßer Zusammensetzung
wiedergeben.
Das stromlose Aufplattieren von Nickel, genauer: Nickel-Phosphorlegierungen,
aus wässeriger Lösung wird durch die Reduktion von Nickelionen durch Hypophosphitionen in Gegenwart eines
Katalysators eingeleitet.
Das stromlose Nickelplattierverfahren katalysierende Elemente sind Eisen, Kobalt, Nickel, Ruthenium, Rhodium, Palladium, j
- . ι
Osmium, Iridium und Platin. t
Elemente, die auf Grund einer anfänglichen Verdrängungsreak- j tion unter entweder direktem oder galvanisch bedingtem Aufbringen
von Nickel stromlos nickelplattiert werden können, sind Kupfer, Silber, Gold, Beryllium, Germanium, Aluminium, Kohlenstoff, i
Vanadium, Molybdän, Wolfram, Chrom, Selen, Titan, Uran und Zink.
Beispiele von Elementen, die nichtkatalytisch sind und nach
dem stromlosen Verfahren gewöhnlich nicht direkt nickelplattiert werden können, sind Wismut, Cadmium, Zinn und Blei.
Die Aktivität der katalytischen Stoffe schwankt beträchtlich. Eisen, Kobalt, Nickel und Palladium sind besonders gute Katalysatoren
für das stromlose Nickelplattierverfahren.
Zum Plattieren einer nichtkatalytischen Oberfläche ist es
üblich, diese Oberfläche durch Aufbringen einer dünnen Schicht aus katalytischem Material zu aktivieren. Am gebräuchlichsten für
diesen Zweck ist Palladium, gewöhnlich in Form des Palladiumchlorids .
Das Nickelplattierbad, das ein Nickelsalz wie z.B. Nickelsulfat oder Nickelchlorid, eine Quelle von Hypophosphitionen wie
z.B. Natriumhypophosphit, einen Nickelkomplexbildner wie z.B. Natriumpyrophosphat sowie Ammoniumhydroxyd enthält, efenet sich
! besonders für den Gebrauch bei relativ niedrigen Temperaturen, j Insbesondere bei Zimmertemperatur (d.h. Temperaturen von ungefähr
Plattierbäder mit den folgenden Konzentrationen der vorerwähnten Bestandteile sind besonders gut bei Zimmertemperatur ,geeignet:
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Bestandteil Chemische Formel Konzentrations-
bereich
Konzentrationfür bevorzugte
Nickelchlorid
oder Nickelsulfat
Natriumhypophosphit
Natriumpyrophosphat
Ammoniumhydroxyd (58 Gew.-^)
NiCIg.6HgO
NiSO4.6HgO NaHgPO2.H2O
Na4P9O7.lOH-0
T" Cm I £a>
10 bis 45 g/l Bad 22 g/l Bad
10 bis 50 g/l Bad 25 g/l Bad
10 bis 50 g/l Bad 25 g/l Bad
10 bis 100 g/l Bad 50 g/l Bad
5 bis 40 cc/l Bad 20 cc/l Bad
Da die in Tabelle I angegebenen Lösungen bei Zimmertemperatur arbeiten, ist ihre Lebensdauer im allgemeinen auf einige wenige
Wochen beschränkt, wenn nicht die sich spontan bildenden Nickelkerne herausgefiltert oder durch Zugabe einer kleinen Menge eines
Stabilisiermittels (gewöhnlich mit einem Gehalt an Bleiionen, funktionellen Thiolgruppen oder anderen Substanzen, die als die
katalytischen Nickelkernstellen inaktiv machende Gifte wirken) entaktiviert werden.
Wegen der begrenzten Lebensdauer der Plattierlösung hat es sich als zweckmäßig erwiesen, das Stromlosplattierbad in Form getrennter
Oxydier- und Reduziermittel anzurichten. Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird das Oxydationsmittel als eine wässerige Lösung mit einem Gehalt von 20 cc konzentriertes (58 Gewichtsprozent]
Ammoniumhydroxyd, 100 g Natriumpyrophosphat und 50 g Nickelsulfat je Liter zubereitet. Das Reduktionsmittel wird in diesem Fall als
eine wässerige Lösung mit einem Gehalt von 50 g Natriumhypophosphit
je Liter zubereitet.
Die genaue Menge des in der Oxydationslösung verwendeten Ammoniumhydroxyds hängt von dem gewünschten PH-Anfängswert ab,
der sich beim Zusammenmischen der Oxydations- und der Reduktionslösung im richtigen Mengenverhältnis (1 Teil Oxydationslösung auf
1 Teil Reduktionslösung) ergibt. Die Mischung der genannten Oxydations-
und Reduktionsmittel in den angegebenen Mengenverhältnissen ergibt einen PH-Anfangswert von ungefähr 10,5 .
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Da die Plattlerlösung bei Zimmertemperatur etwas empfindlicher
gegen die Anwesenheit katalytischer Gifte ist als bei erhöhter Temperatur, muß man Reagenzien hoher Reinheit, die frei
von solchen Giften sind, verwenden (außer natürlich, wenn eine
extrem kleine, kontrollierte Menge katalytischen Giftes absichtlich als Stabilisiermittel zugesetzt wird, gewöhnlich in einem
relativen Mengenanteil von nicht mehr als einigen wenigen Teilen pro Million).
Die in Tabelle I angegebene bevorzugte Nickelplattierbadzusammensetzung
zeigt eine starke Änderung der Plattierrate (Plattiergeschwindigkeit)
in Abhängigkeit vom Ρττ-Wert, wenn dieser
durch Verändern der Konzentration des Ammoniumhydroxyds im Bad geändert wird. Das Diagramm nach Fig. 1 gibt die Abhängigkeit der
Plattierrate vom PH-Wert für die vorerwähnte bevorzugte Zusammensetzung
wieder.
Man sieht aus Fig. 1, daß bei Erhöhung des Ρττ-Wertes von ungej
fähr 9,2 auf 10 die Plattierrate sich nahezu verdoppelt. Bei noch weiterem Anstieg des Ρττ-Wertes und der Konzentration des Ammoniumhydroxyds)
erreicht die Plattierrate einen Spitzenwert (bei einem Pt, von 10,1), um dann rasch abzufallen.
Auf Grund dieser starken Änderung der Plattierrate in Abhängigkeit
vom Pjj-Wert ist es schwierig, die Dicke der aufplattierten
Nickel-Phosphorschicht zu kontrollieren, da die Menge des aufplattierten Materials eine komplexe Funktion der Zeit ist. Ferner
muß der P^-Wert des Bades während des Plattiervorgangs sehr
rl
genau überwacht oder sehr genau kontrolliert werden (durch Zugabe
zusätzlicher Hydroxylionen zwecks weitgehender Konstanthaltung des Pg-Wertes). Jede dieser Forderungen läßt sich in einem laufenden
Produktionsverfahren oder Fließbandverfahren nur mit gewissen Schwierigkelten erfüllen.
Es wird angenommen, daß der in Fig. 1 dargestellte Kurvenverlauf
sich daraus ergibt, daß ein Nickel-Ammoniak-Pyrophosphat-.
komplex entsteht und sich das dynamische Gleichgewicht zwischen
diesem Komplex und einem Niekel-Ammoniakkomplex einstellt, ent- '
sprechend den nachstehenden Gleichungen (l) bis (3):
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-2 ■■■■■■-·:.■■..:.
NiTT+PcO ·* '' NiP2O . (1)
i(P2O7)
(2)
wobei η eine ganze Zahl, derart, daß 1 < η <
4, ist
" "2
[Ni(P2O7) (NH3)J + (6-n)NH3 tZZ^ Ni(NH^)6 +2 +P2O7-4
[Ni(P2O7) (NH3)J + (6-n)NH3 tZZ^ Ni(NH^)6 +2 +P2O7-4
Der Mischkomplex auf der linken Seite der Gleichung (3) ist
verhältnismäßig reaktiv, d.h. das Nickel im Mischkomplex wird | durch die Hypophosphitionen im Plattierbad leicht zu metallischem ;
Nickel reduziert. Andererseits ist der Nickel-Ammoniakkomplex auf der rechten Seite der Gleichung (J) verhältnismäßig wenig oder
weniger reaktiv, d.h. das Nickel in diesem Nickel-Ammoniakkomplex j reagiert in geringerem Maße mit den Hypophosphitioneh unter Bildung
der metallischen Nlckelplattierung.
Das in die Lösung bei Erhöhung der Ammoniumhydroxydkonzentration vom Pu--Anfangs wert von etwas über 9 eingebrachte Ammoniak
fördert die Bildung des Mischkomplexes, wie in Gleichung (.2) angegeben.
Beim Zugeben von mehr Ammoniumhydroxyd zur Plattierlösung verschiebt sich das dynamische Gleichgewicht nach Gleichung (>)
im Sinne einer Erniedrigung der Konzentration des erwünschten, hochreaktiven Mischkomplexes und einer Erhöhung der Konzentration
des weniger reaktiven Nickel-Ammoniakkomplexes, was eine entsprechende Erniedrigung 4er Plattierrate zur Folge hat.
Durch Zugabe einer kontrollierten Menge einer (vorzugsweise starken) Base (die keine Ammoniumionen enthält) zu der vorerwähnten
bevorzugten Zusammensetzung kann der PH-Wert der Plattierlösung
ohne nennenswerte Beeinflussung der Plattierrate erhöht
werden, welch letztere annähernd auf ihrem ursprünglichen Wert, entsprechend der Badzusammensetzung vor Zugabe der Base, verbleibt.
'
Bei Anwendung dieser verbesserten Plattierzüsammensetzung mit der (starken) Base für das stromlose Aufplattieren von Nickel-Phosphor
bleibt die Plattierrate über einen weiten Bereich unter-
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schiedlicher P^-Werte weitgehend konstant, so daß die Erniedrigung
des Pjj-Wertes, die notwendigerweise im Zuge des Fortschreitens
des Plattiervorganges eintritt, keinen wesentlichen Einfluß auf die Plattierrate hat.
Andererseits ändert sich jedoch bei fortschreitendem Plattiervorgang
die Plattierrate deshalb, weil die Konzentration der Nickel- und Hypophosphltionen während des Aufplattierens der
Nickel-Phosphorschicht laufend abnimmt. Um die Plattierrate konstant zu halten, muß man daher kontrollierte Mengen eines Nickelsalzes
(wie das vorerwähnte Nickelchlorid oder Nickelsulfat) und einer Quelle von Hypophosphitionen (wie das vorerwähnte Natriumhypophosphit)
zugeben, damit die Nickel- und die Hypophosphitionenkonzentration weitgehend konstant gehalten werden.
Die Erfindung beseitigt zumindest weitgehend das Erfordernis der genauen Kontrolle des P„-Wertes des Bades zwecks Sicherstellung
einer weitgehend konstanten Plattlerrate. Es wird somit möglich, Nickel-Phosphor als eine Schicht von genau kontrollierter
Dicke selbst, in solchen Fällen aufzuplattieren, wo mit Produktionsverfahren, bei denen die Kontrolle des Ρχτ-Wertes verlorengeht, gearbeitet
wird.
Die verschiedenen Diagramme nach Fig. 2 geben die Plattierrate
als Funktion des Ρντ-Wertes für die bevorzugte Zusammensetzung
nach Tabelle I wieder, wobei
1. das PH anfänglich auf einen bestimmten Wert (angegeben
durch die kleinen Quadrate in den einzelnen Diagrammen der Fig. 2) eingestellt wurde, und zwar unter Anwendung
der entsprechenden, für diesen PH-Anfangswert erforderlichen
Konzentration an Ammoniumhydroxydj und
2. das Pj1 dann über den Anfangswert durch Zugabe einer starken
Base, und zwar Lithiumhydroxyd (Fig. 2a), Natriumhydroxyd
(Fig. 2b), Kaliumhydroxyd (Fig. 2c) bzw. Tetraäthylammoniumhydroxyd (Fig. 2d) zum Bad erhöht wurde.
Die resultierende Änderung der Plattierrate als Funktion des P„, wobei das P„ durch jede dieser Basen modifiziert wird, ist
aus Pig. 2 ersichtlich. Es ergibt sich, daß über einen PH-Bereich
von annähernd einer Einheit die Änderung der Plattierrate In Ab-
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- _ - _ ■.___„ „j SOS385 -
Bangigkeit vom Ρ~ annähernd ein Viertel so groß ist wie bei der
bevorzugten Zusammensetzung (siehe Flg. l) mit lediglieh einem
Gehalt an Ammoniumhydroxyd.* als Hydroxylionenquelle.
Das Plattierbad, nachdem es auf einen IW-Änfangswert eingestellt ist, wird dann gegen Änderungen der Plattierrate in Ab- ,
hängigkeit vom.P*, durch Zugeben einer (vorzugsweise starken) Base,
die keine Ammoniumionen (NH^)+ enthält, zur Plattlerlösung stabilisiert
. Durch die starke Base wird das PH der* Lösung ohne
nennenswerte Beeinflussung der Plattierrate erhöht* Dies wirkt sich so aus, daß die Plattierrate weitgehend unempfindlich gegen
eine etwaige nachträgliche Erniedrigung des Pjj-Wertes ist, die
sich im Zuge des Aufplattierens der Ifäckel-Phosphorschieht aus
der Plattierlösung auf ein Substrat ergibt.
. Statt Lithiumhydroxyd, Natriumhydroxyd, Kaliumhydroxyd und
Tetraäthylammoniumhydroxyd gemäß den angegebenen Beispielen kann man als starke Basen auch anderweitige Basen verwenden, vorzugsweise verwendet man Alkalihydroxyde,
Sowohl der Ρ,,-Änf angswert (eingestellt durch die Konzentra«
11
tion an Ammoniumhydroxyd) als auch der Pg-Badwert (eingestellt
durch die Konzentration der nach der Anfangs einst ellung der Plat
tierlösung zugesetzten Base) werden vorzugsweise im Bereich von 9,0 bis. 11,5 gehalten* Bei wesentlich niedrigeren Pjj-Werten als
9,0 besteht die Tendenz der Bildung unerwünschter ilieäersehllge,
während höhere Pjj-Werte als 11,5 zu anderen unerwünschten liebenreaktionen
führen.
Der besondere Vorteil des Verfahrens liegt darin, daß das
stromlose flattieren bei Zimmertemperatur durchgeführt werden
kann, wodurch verschiedene der Probleme, die bei flattierverfahren gemäß dem Stand der Technik auftreten, behöben werden» ttad '
zwar entflllt die Notwendigkeit einer genauen Temperaturkontrolle
(4a die Zimmertemperatur normalerweise innerhalb eines Bereichs
von 2 oder 3Pe stabil 1st)* Firrner verringert sich der
verlust mit einen vernaehltssigbaren Wert« Sodann verringert
der proaentUÄl« Anteil des fnosphors in der amfplattitrten
fhosphorecsMöht« Der gewietitsprözenttiale fhosphöränteil in den
v«rfahrensgetBlß unter Verwendung der voi?erwätoiti#n bevorzugten
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Zusammensetzung auf plattierten Schichten beträgt ungefähr £-3 #,
gegenüber 5-3.5 $> bei dem vorbekannten, mit erhöhter Temperatur
arbeitenden Verfahren.
Soll verfahrensgemäß eine Nickel-Phosphorschicht auf ein
nichtmetallisches oder nichtkatalytisches Substrat aufplattiert
werden, so muß man zunächst das Substrat durch Aufbringen eines Filmes aus katalytischem Material aktivieren.
Beispielsweise wurde das erfindungsgemäße Verfahren erfolgreich
zum stromlosen Aufplattieren einer Nickel-Phosphorschicht auf ein Keramiksubstrat mit hohem Aluminiumoxydgehalt bei Zimmertemperatur
angewendet, wobei das Substrat zunächst in eine wässerige Sensibilisierlösung mit einem Gehalt von 70 g/l ZinnchlorUr
der Formel SnClg.HgO und 40 cc/l 37#ige (Gewichtsprozent) Salzsäure
eingetaucht wird. i
Nach dem Eintauchen in die Sensibilisierlösung wird das Sub- j
strat sorgfältig in Wasser gespült oder gewaschen und dann in eine wässerige Aktivierlösung mit einem Gehalt von 1 g/l Palladiumchlorid
der Formel PdCIg und 1 cc/l 37#ige (Gewichtsprozent)
Salzsäure eingetaucht. Das Substrat wird dann wiederum sorgfältig in Wasser gewaschen und anschließend mehrere Minuten lang bei
4O-5O°C im Vakuum getrocknet. Die Eintauchzeit in beiden Fällen
(Sensibilisierlösung und Aktivierlösung) beträgt in nicht kritischer.
Weise ungefähr 1 Minute.
Das durch diese Behandlung erhaltene Substrat konnte ohne weiteres verfahrensgemäß bei Zimmertemperatur stromlos nickelplattiert
werden.
Es wurde ferner festgestellt, daß bei Zimmertemperatur die hohen Konzentrationen an Sulfat- (oder Chlorid-), Natrium- und
Phosphitionen, die beim Begenerieren des Plattierbades (d.h.
j durch die Zugabe von Nickelsulfat oder Nickelchlorid und Natrium-
; hypophosphit) eingeführt werden, nicht schädlich sind und sogar
zu-einer geringfügigen Erhöhung der Plattierrate führen.
Dieses Phänomen scheint sich mindestens zum Teil aus der<.umgekehrten
oder invereeri Löslichkeitscharakteristik des Nickelphoöphits
(Ni HPO5) ztf ergeben. Und-zwar hat Nickelphosphit, das
einen unerwünschten Niederschlag bildet, bei Zimmertemperatur e±ne
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- ίο -
höhere Löslichkeit als bei den erhöhten Temperaturen, die bei den
vorbekannten Stromlosplattierverfahren angewendet werden.
Obwohl die Erfindung hauptsächlich für die Anwendung'bei \ -'■
Zimmertemperatur geeignet ist, kann sie auch dazu angewendet'wer-:
den, Stromlosnickelplattierbäder der beschriebenen Art" gegen "
Schwankungen des Ρττ-Wertes bei erhöhten Temperaturen relativ unempfindlich
zu machen. '
Solange die Konzentrationen an Nickel- und Hypophosphitionen
im Plattierbad konstant gehalten werden, ergibt sich aufgrund der; erfindungsgemäßen Maßnahmen eine weitgehend feste Plattierrate
für die Stromlosplattierung einer Nickel-Phosphorschicht selbst bei Abfallen des Pu-Wertes im Zuge des fortschreitenden Plattier- ι
Vorgangs.
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Claims (12)
1.) Plattierbad zum stromlosen Atifplattieren von Nickel aus wässeriger Lösung auf ein Substrat bei einer Temperatur unterhalb 35^0,i
wobei auf einer Fläche des Substrats eine dünne Schicht aus kata- j
lytischem Material vorhanden ist, dadurch gekenn- j
zeich nve t , daß das Plattierbad ein Nickelsalz, eine Quelle!
von Hypophosphitionen, einen Nickelionenkomplexbildner mit einer
Quelle von Pyrophosphationen sowie Ammoniumhydroxyd enthält und frei von Substanzen ist, welche die katalytisch© Wirkung des katalytischen
Materials vergiften können.
2.) Plattierbad nach Anspruch 1, gekennzeichnet
durch einen Gehalt an 10-50 g/l eines der Nickelsalze
NiCl2.6H2O und NiSO4.6H3O, 10-50 g/l NaHpjPOg.HpO, 10-100 g/l
Na4PpO7-IOHpO uind 5-^0 cc konzentriertem Ammoniumhydroxyd.
3.) Verfahren zum stromlosen Aufplattieren einer Nickel-Phosphorschi
eht auf eine Substratfläche, dadurch gekennzeichnet,
daß ein wässeriges Plattierbad zubereitet wird, das ein Nickelsalz, eine Quelle von Hypophosphitionen, einen
Nickelionenkomplexbildner und eine Menge an Ammoniumhydroxyd enthält,
die ausreicht, das P„ des Bades auf einen vorbestimmten Wertj
entsprechend einer bestimmten Plattierrate, einzustellen; daß dem
Bad eine Menge einer Base zugesetzt wird, um den P^-Wert des Bades
ohne wesentliche Beeinflussung der Plattierrate zu erhöhenj und
daß das Substrat in das Bad eingetaucht wird, um die Schicht auf die genannte Fläche aufzuplattieren, wobei die Plattierrate durch
die Erniedrigung des Pjj-Wertes des Bades im Zuge des Aufplattierens
der Schicht weitgehend unbeeinflußt bleibt.
4.) Verfahren nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet , daß die Schicht aus der Lösung in öegenwart
eines Katalysators aufplattiert wird, und daß vor dem Eintauchen
I des Substrats auf der zu plattierenden Substratfliehe eine den
{Katalysator enthaltende Schicht gebildet wird.
j 5-) Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
daß das Eintauchen bei ZlBwerteinperatur erf ο _
6.) Verfahren nach Anspruch 5, dadurch g e^k .einzeichnet ,daß als Base einAlkalihydroxyd verwendet
wird. '-. ' '· : '
7 ·) Verfahren nach Anspruch 5, dadurch, "gekennzeichnet,
daß als Base Kaliumhydroxyd oder eine Substanz der Formel (CpH,-)^NOH verwendet wird.
8.) Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,
daß der vorbestimmte und der erhöhte P^-Wert im Bereich von 9*0 bis 11,5 liegen.
9.) Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß als Nickelsalz Nickelchlorid der Formel
NiCl2.6H2O oder Nickelsulfat der Formel NiSO^.6H3O, als Hypophosphitionenquelle
Natriumhypophosphit der Formel NaH2PO3.HgO
und als Komplexbildner Natriumpyrophosphit der Formel Na^PgO^.
lOHpO verwendet werden.
10.) Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet,
daß die Konzentration des Natriumhypophosphits im Bad 10-50 g/l, die relative. Konzentration des Natriumpyrophosphats
20-100 g/l und die relative Konzentration des Nickelsalzes 10-50 g/l des Bades betragen.
11.) Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet,
daß die Konzentrationen an Natriumhypophosphit, Natriumpyrophosphat und Nickelsalz 25 g/l, 50 g/l bzw. 25 g/l des
Bades betragen.
12.) Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,
daß die Herstellung der Katalysatorschicht und
das Eintauchen des Substrats bei Zimmertemperatur erfolgen, und
daß zur Bildung der Katalysatorschicht die zu beschichtende Sub-· stratfläche in eine wässerige Sensibilisierlösung mit einem Gehalt
an Zinnetilorür der Formel SnCl2.2HpQ und Salzsäure und dann in
eine wässerige Aktivierlösung mit einem Gehalt an Palladiumchlorid
der Formel PdClp und Salzsäure eingetaucht wird.
15.) Verfahren nach Anspruch 9, dadurch g e k e η η zeichnet
, daß nach dem Eintauchen in das Plattierbad das ' Bad durch Zugabe zusätzlicher Mengen an Nickelsalz und Natrium-
9 0 9 8 2 0 / 11 3 a
Il IHIII1
hypophosphit regeneriert wird, derart, daß das Bad ohne Ausfällung
unerwünschter Phosphitverbindungen auf im wesentlichen der bestimmten Plattierrate gehalten wird.
90 9820/1133
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US3574664A (en) | 1971-04-13 |
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