DE1801584B2 - Verfahren zur herstellung eines feuchtigkeitsundurchlaessigen ueberzuges auf einem elektronischen bauelement - Google Patents
Verfahren zur herstellung eines feuchtigkeitsundurchlaessigen ueberzuges auf einem elektronischen bauelementInfo
- Publication number
- DE1801584B2 DE1801584B2 DE19681801584 DE1801584A DE1801584B2 DE 1801584 B2 DE1801584 B2 DE 1801584B2 DE 19681801584 DE19681801584 DE 19681801584 DE 1801584 A DE1801584 A DE 1801584A DE 1801584 B2 DE1801584 B2 DE 1801584B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- wax
- paraffin
- component
- temperature
- moisture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 5
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 claims description 17
- 239000001993 wax Substances 0.000 claims description 12
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 3
- 229940057995 liquid paraffin Drugs 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 2
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 230000009189 diving Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
- H05K5/06—Hermetically-sealed casings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Description
dargestelltes Gehäuse aus beispielsweise Epoxidharz
20 wird der Fotowidersland 3 mit einer wasserundurchlässigen
Schutzschicht versehen. Dazu wird wie folgt
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Her- verfahren:
!teilung eines feuchtigkeitsundurchlässigen Überzuges Der obere Teil der beschriebenen Einheit wird bis
»uf einem elektronischen Bauelement durch Tauchen zu der durch eine strichpunktierte Linie 7 angedeute-
linter Vakuum in geschmolzenes Paraffin oder »5 ten Grenze in ein mit geschmolzenem Paraffin gefüll-
Wachs. tes Gefäß getaucht, so daß der Fotowiderstand 3 und
Elektronische Bauelemente, beispielsweise Transi- die benachbarten Enden der Kontaktfedern 4 und 5
»toren, strahlungsempfindlicher Elemente oder Fest- benetzt werden. Der Tauchvorgang findet in einem
körperschaltkreise wurden bisher meistens mit einem evakuierten Ofen bei einer Temperatur von etwa
luftdichten Glas- oder Metallgehäuse versehen oder 30 100- C während beispielsweise 2 Stunden statt. Dabei
in Keramik eingegossen. Bern Undichtwerden eines wird die Feuchtigkeit praktisch restlos aus der Oberderartigen
Gehäuses gelangt Feuchtigkeit an die flächenzone des Fotowiderstandes 3 herausgetrieben.
Oberfläche des elektronischen Elementes, was zu Vor der Entnahme aus dem Paraffinbad wird zur Er-Chemischen
Reaktionen, zur Ausbildung von Ober- zielung einer günstigen Schichtdicke die Temperatur
flächen-Kriechströmen, zur Veränderung der elektri- 35 des flüssigen Paraffins bis nuf einen um wenige Grad
»chen Kenndaten und sogar zum völligen Kurzschluß Celsius über dem Schmelzpunkt liegenden Wert ge-
©der zur Zerstörung des elektronischen Elementes senkt, denn die gewünschte Schichtdicke des Paraffinführen
kann. Überzuges kann durch die Temperatur, bei welcher
Da die Einkapselung der Bauelemente in Glas-, die Entnahme erfolgt, beeinflußt werden. Nach der
Metall- oder Keramikgehäuse mit erheblichen Her- 40 Entnahme aus dem Ofen wird die beschriebene Ein-
»tellungskosten verbunden ist und trotzdem zu kei- heit zur Verhinderung von Tropfenbildung bewegt,
nem völligen Abschluß gegen äußere atmosphärische bis das Paraffin ganz erstarrt ist. Das Paraffin umEinwirkungen
führt, wurde dazu übergegangen, die schließt jetzt den Fotowiderstand 3 und einen Teil
Bauelemente mit einem Kunststoffgehäuse zu ver- der Kontaktfeder 4 und 5 mit einer dünnen homotehen.
Alle dazu in Frage kommenden Kunststoffe 45 genen Schicht. Bereits von diesem Fertigungsschritt
tind jedoch für Feuchtigkeit durchlässig. Durch die an ist der Fotowiderstand 3 gegen jegliche Feuchtigtlas
Bauelement von der Umgebung trennende Kunst- keitseinflüsse aus der umgebenden Atmosphäre gettoffwand
findet ein Wassertransport statt, was in schützt.
kurzer Zeit zum Ausfall des Bauelementes führen Paraffine sind bekanntlich Kohlenwasserstoffe mit
kann. 50 einer Kettenlänge von C18 bis C11 ohne Seitenketten.
Es ist ferner bekannt, die Bauelemente vor der Auf Grund dieser molekularen Struktur und der feh-Einkapselung
in Kunststoff mit Silicongummi zu um- lendcn Quellfähigkeit für Wasser nimmt die Paraffingeben.
Dadurch wird zwar der Feuchtigkeitstransport schicht kein Wasser auf und läßt keines durch, bildet
Verzögert, nicht aber verhindert. Nach einer durch also einen idealen Feuchtigkeitsschutz. Ferner verhält
tlic Diffusionskonstante des betreffenden Silicon- 55 sich das Paraffin inert, d. h., es geht keine chemische
gummis für Wasserdampf und seine Wandstärke ge- Reaktion mit der Oberfläche des Fotowiderstandes 3
gebenen Zeit dringt die Feuchtigkeit trotzdem zum oder mit der Umhüllung ein. Die benötigte Schicht-Bauelement
vor. dicke ist äußerst gering, so daß kein unzulässiger
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, elektro- Strahlungs- bzw. Lichtveriust in Kauf genommen
nische Bauelemente mit einer Schutzschicht zu ver- 60 werden muß.
sehen, die für Feuchtigkeit undurchlässig ist und An Stelle von Paraffin können auch Wachse, also
weder mit dem Bauelement noch mit dem Gehäuse in Ester aus höhermolekularen, einwertigen Alkoholen
irgendeiner Weise reagiert. Ferner soll diese Schutz- und festen Fettsäuren verwendet werden, deren mole-
schicht transparent sein und die allgemein bei elek- kularer Aufbau aus langen Ketten und nur kurzen
tronischen Bauelementen gestellten Forderungen, 65 Seitenketten besteht und die ähnliche feuchtigkeits-
beispielsweise au die Temperaturbeständigkeit, er- abweisende Eigenschaften besitzen wie Paraffin. Die-
fUllen. ses weist jedoch den Vorteil auf, daß es seine Ge-
während die Wachse dabei zu Rißbildungen neigen. Es wurde gefunden, daß bei Kadmiumsulfid-Fotowiderständen
der Tauchvorgang vorteilhaft bei einer Temperatur von wenigstens annähernd 100° C durchgeführt
wird. Bei tieferen Temperaturen wird die im Kadmuimsulfid-Sinterkörper enthaltene Feuchtigkeit
nur unvollständig herausgetrieben, während bei höheren Temperaturen im Sinterkörper vorhandener
Sauerstoff in die Gitterstruktur eingebaut wird.
Der Schmelzpunkt von Paraffin oder Wachs liegt in den meisten Fällen unterhalb der für elektronische
Bauelemente geforderten Grenztemperatur. Wenn im späteren Gebrauch der Erweichungspunkt des verwendeten
Paraffins oder Wachses überschritten werden soll, muß eine zusätzliche Lackschicht dafür sorgen,
daß der feuchtigkeitsundurchlässige Überzug an Ort und Stelle bleibt. Steht das elektronische Bauelement
mit einem weiteren Stoff, beispielsweise mit Silicongummi in Berührung, so besteht die Gefahr,
daß die Paraffin- oder Wachsschicht bei höheren Temperaturen in das Gefüge des SiUcongunonis hineindiffundiert.
Dieser Diffusionsprozeß kann ebenfalls durch Zwischenschaltung einer Trennschicht aus
Lack verhindert werden. Vorteilhaft wird die Lackschicht,
beispielsweise Nitrozellulose- oder Acrylharzlack, in einem Tauchprozeß aufgetragen und im
Vakuumschrank getrocknet.
Neben den genannten Lacken kommen auch andere Überzugsmittel in Frage, welche eine dünne,
lichtdurchlässige, für Paraffin bzw Wachs undurchlässige elastische Schicht bilden, die jedoch ohne
weiteres wasserdurchlässig sein darf.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (2)
1 2
net, daß das mit elektrischen Anschlüssen versehene
Patentansprüche: elektronische Bauelement in an sich bekannter Weise
unter Vakuum in geschmolzenes Paraffin oder Wachs
1, Verfahren zur Herstellung eines feuchtig- getaucht wird und daß zur Erzielung einer günstigen
keitsundurchlässigen Überzuges auf einem elek- 5 Schichtdicke die Temperatur des flüssigen Paraffins
tronischen Bauelement durch Tauchen unter oder Wachses vor der Entnahme des Bauelementes
Vakuum in geschmolzenes Paraffin oder Wachs, abgesenkt wird.
dadurch geken nzeichnet, daß die Tem- Die Erfindung wird nachfolgend an Hand einer
peratur des flüssigen Paraffins oder Wachses vor Figur und eines Ausführungsbeispiels, das sich auf
der Entnahme des Bauelementes (3) abgesenkt io die Herstellung eines Feuchtigkeitsschutzes bei einem
wird. Fotowiderstand bezieht, näher erläutert.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch g-- In der Figur ist ein mit aufgedampften Elektroden 1
kennzeichnet, daß die Temperatur vor der Ent- und 2 versehener Fotowiderstand 3 aus gepreßtem
nähme bis auf einen um wenige Grad Celsius und gesintertem Kadmiumsulfid zwischen zwei lamelüber
dem Schmelzpunkt des Paraffins bzw. 15 lenförmigen Kontaktfedern 4 und 5 eingeklemmt,
Wachses liegenden Wert gesenkt wird. welche in Schlitze eines Isolierkörpers 6 eingesei/i
sind. Vor der Einkapselung der aus den Teilen 1 bis 6 bestehenden Einheit in ein in der Figur nicht
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH1328068A CH468143A (de) | 1968-09-04 | 1968-09-04 | Verfahren zur Herstellung eines feuchtigkeitsundurchlässigen Überzuges auf einem elektronischen Bauelement |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1801584A1 DE1801584A1 (de) | 1970-06-11 |
DE1801584B2 true DE1801584B2 (de) | 1972-05-18 |
Family
ID=4391013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19681801584 Pending DE1801584B2 (de) | 1968-09-04 | 1968-10-03 | Verfahren zur herstellung eines feuchtigkeitsundurchlaessigen ueberzuges auf einem elektronischen bauelement |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
CH (1) | CH468143A (de) |
DE (1) | DE1801584B2 (de) |
FR (1) | FR2017329A1 (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3703465C2 (de) * | 1987-02-05 | 1998-02-19 | Behr Thomson Dehnstoffregler | Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Schaltgerätes und elektrisches Schaltgerät |
-
1968
- 1968-09-04 CH CH1328068A patent/CH468143A/de unknown
- 1968-10-03 DE DE19681801584 patent/DE1801584B2/de active Pending
-
1969
- 1969-08-13 FR FR6927863A patent/FR2017329A1/fr not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2017329A1 (en) | 1970-05-22 |
DE1801584A1 (de) | 1970-06-11 |
CH468143A (de) | 1969-01-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1567488B2 (de) | Diffusionsorgan zum abtrennen von wasserstoff aus gasgemischen | |
DE2659566A1 (de) | Elektrisch isolierende zwischenschicht fuer elektrische bauelemente sowie verfahren zur herstellung von elektrischen bauelementen mit einer solchen zwischenschicht | |
DE1490160A1 (de) | Metallteilchen enthaltende Glasurmasse zur Herstellung elektrischer Widerstaende und elektrischer Widerstand | |
DE1179277B (de) | Beschichtung elektrischer Schaltelemente mit Glas | |
CH648131A5 (de) | Verfahren zur herstellung eines fluessigkristallanzeigeelementes. | |
DE4005011C1 (de) | ||
DE10007179A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Dotieren einer Schmelze mit einem Dotierstoff | |
DE1696125B1 (de) | Zinnoxid ueberzug und verfahren zu seiner aufbringung | |
DE1801584C (de) | Verfahren zur Herstellung eines feuchtigkeitsundurchlässigen Überzuges auf einem elektronischen Bauelement | |
DE2023156A1 (de) | Einrichtung mit mindestens einem gesinterten magnetischen Ferrit-Speicherkern und Verfahren zum Herstellen einer solchen Einrichtung | |
DE1801584B2 (de) | Verfahren zur herstellung eines feuchtigkeitsundurchlaessigen ueberzuges auf einem elektronischen bauelement | |
DE1175796B (de) | Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE3046375C2 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE1590867A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Widerstandselementen | |
DD141870A5 (de) | Einbau einer faerbenden substanz in durchsichtige organische grundsubstrate | |
EP0258670B1 (de) | Füllschichtbauteil | |
EP0517032B2 (de) | Patronenförmiges Ableitelement für potentiometrische Messketten und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE1806457A1 (de) | Plattenerhitzer | |
DE1589862A1 (de) | Gehaeuse fuer Halbleiterbauelemente | |
DE1237400C2 (de) | Verfahren zum Vakuumaufdampfen eines feuchtigkeitsfesten isolierenden UEberzuges aufHalbleiterbauelemente, insbesondere auf Halbleiterbauelemente mit pn-UEbergang | |
DE1801583A1 (de) | Strahlungsempfindliche Zelle,insbesondere Fotowiderstandszelle,und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE1489091C2 (de) | Eingekapseltes Halbleiterbauelement | |
DE1540408C3 (de) | Verfahren zur Ummantelung eines Halbleitergleichrichters | |
DE1183608B (de) | Photozelle mit einer isolierenden flachen Glashuelle und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE10026257A1 (de) | Elektrisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |