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Halbleiterbauelemente mit stabilisierender Isolierschicht Die ERfindung
bezieht sich auf Halbleiterbauelemente, deren Substratoberflächen mit einem oder
mehreren Grenzschichtrandbereichen eine stabilisierende Isolierschicht aufweisen,
insbesondere auf Oberflächen-Feldeffekt-Transist;oren und Verfahren zu ihrer Herstellung.
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Es ist allgemein bekannt, daß die Substratoberfläche bei der Herstellung
von Halbleiterbauelementen mit einem Siliziumdioxydfilm abgedeckt wird, um so einen
Schutz gegenUber der äußeren Umgebung su erreichen. Eine solche Siliziumdioxydschicht
auf der Halbleiteroberfläche kann gleichzeitig als elektrische Isolierschicht, d.h.
als Dielektrikum und als selektive Maske oder Abdeckung ftir das Eindiffundieren
von Fremdatomen in das Halbleitersubstrat dienen.
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Infolge der Oberflächenladungsdichte (im allgemeinen mit NDS bezeichnet)
eines solchen SiO2-Films von etwa 3 ' 1011 -2
wird an (bzw. in)
der Oberfläche(nschicht) des darunterliegenden Halbleitersubstrates eine Inversion
des eitungstyps oder eine Änderung der Leitfähigkeit induziert, und zwar entsteht
eine schwach p-leitende (p-)-Schicht auf bzw. in einem stark p-leitenden (p+)-Substrat,
eine n-leitende "Inversionsschicht" auf bzw. in einem schwach p-leitenden (p-)-Halbleitersubstrat
und eine stark n-leitende (n+)-Schicht auf bzw, in einew n-leitenden Halbleitersubstrat.
Diese Inversion bzw. Änderung der Leitfähigkeit in der Oberflächenschicht wird vermutlich
durch die Anwesenheit positiver Ionen z.B. Natriumionen im SiO2-Film bedingt.
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Eine solche Schicht hat im allgemeinen einen ungünstigen Einfluß auf
das elektrische Verhalten: die Durchbruchspannung eines vorhandenen pn-Überganges
nimmt ab, der Restetrom steigt dagegen an.
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Weiter verursachen die unterschicdlichen Wärmeausdehnungs koeffizienten
des SiO2-Films und des Silizium-Substrates eine mechanische Spannung an der Oberfläche,
die ebenfalls einen nachteiligen Einfluß auf das elektrische Verhalten des 3au elementes
hat. Wie Messungen zeigen, beträgt der Wärmeausdehnungs koeffizient des SiO2 4,4
# 10-7 pro Grad bei 20°C, während derjenige von Si zwischen -30°C und 18°C bei 2,49
# 10-6 pro Grad liegt. Beim Planartransistor verursacht die dadurch hervorgerufene
(mechanische) Spannung eine Zunahme des Collektor-Rückstromes, ICBO, und eine Abnahme
der Kurzschluß-Stromverstärkung, HFE sowie der Durchbruchspannung BVCBO der Collektorsperrschicht.
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Im Falle eines Oberflächen-Feldeffekt-Transistors verursacht sie
eine
Abnahme der Kurzschluß-Steilheit.
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Kürzlich wurde im Siliziumnitrid, Si3N4, ein Material für die Isolierschicht
eines Halbleiterbauelementes gefunden, das stabiler als Siliziumozyd ist und praktisch
den gleichen Wärmeausdehnungskoeffizienten wie Silizium hat (er beträgt 2,5 # 10-6
pro Grad bei 20°C).
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Leider ist jedoch die Oberflächenladungsdichte (NDS) des Si3N4-Filmes
höher als beim SiO2-Film; sie beträgt etwa 5 # 1012 cm-2. Dieser Wert ändert sich
im übrigen selbst bei Raumtemperatur noch ziemlich leicht mit dem an den Film angelegten
elektrischen Feld. Die Stabilisierung on Si3N4-Filmen bildet daher ein großes Problem
für die Halbleiterindustrie.
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Hauptziel der Erfindung ist daher ein lurch eine verbesser'se Isolierschicht
passiviertes Halbleiterbauelement, die stabiler ist als die SiO2- und Si3N4-Filme
sowie ein Verfahren zur Herstellung solcher Bauelemente.
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Dieses Ziel wird erreicht durch eine auf das Halbleiter- bzw.
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Siliziumsubstrat direkt oder indirekt unter Zwischenschaltung einer
Siliziumoxydschicht aufgebrachte Si3N4-Schicht, deren Oberfläche mit einer anorganischen
Siliziumoxyd und Phosphoroxyd enthaltenden Schicht bedeckt ist.
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Ein sclches Halbleiterbauelement wird beispielsweise dadurch erhalten,
daß man auf einer der Hauptflächen des Halb leitersubstrates direkt oder unter Zwischenschaltung
einer
Siliziumoxydschicht einen Siliziumnitridfilm erzeugt und dessen
Oberfläche anschließend einer Phosphor oder oxydierten Phosphor (z.B. P2O5) enthaltenden
oxydierenden Atmosphäre aussetzt.
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Im nachfolgenden wird die Erfindung snhand der angefügten Zeichnungen
näher erläutert; es zeigen: Fig. 1 einen Längsschnitt durch ein Halbleiterbauelement
gemäß einer Ausführungsform der Erfindung; Fig. 2a bis 2d die einzelnen Herstellungsstufen
der in Fig. 1 gezeigten Anordnung im Schnitt; Fig. 3 und 4 die elektrischen Kennlinien
eines Halbleiterbauelementes gemäß der Erfindung und eines solchen bekannter Art;
Fig. 5 eine graphische Darstellung der Änderung der Dicke einer Silizium- und Phosphoroxyd
enthaltenden Isolierschicht auf einem Siliziumnitridfilm in Abhäng@gkeit von der
Behandlungszeit; Fig. 6 Infrarotspektren von verschiedenen Filmen; Fig. 7 bis 10
Längsschnitte durch Halbleiterbauelemente gemäß anderer Ausführungsformen der Erfindung.
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Fig. 1 zeigt ein Beispiel für eine "MIH-Diode" (Metall-Isolator-Halbleiter-Diode)
gemäß der Erfindung, bei der das Halbleitersubstrat 1 aus Germanium, Silizium oder
einer intermetallischen Verbindung bzw. Zusammensetzung besteht. 2 ist eine Elektrode
zur Herstellung eines nicht-gleichrichten@on Kontaktos (nonrectifying
contact)
mit der Unterseits des Halbleitersubstrates, 3 ein Siliziumnitridfilm auf dessen
Oberfläche, 4 eine anorganische Isolierschicht auf dem Siliziumnitridfilm 3, die
Siliziumozyd und Phosphoroxyd enthält und 5 ist schließlich eine auf der anorganischen
Isolierschicht orgesehene Metallelektrode.
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Anhand der Fig. 2a bis 2d wird ein Vorfahren zur Herstellung einer
solchen Halbleitoranordning, wis si@ in Fig. 1 gezoigt wird, näher erläutert.
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Wie Fig. 2a zoigt, wird zunächst ein n-leitendes Siliziumsubstrat
1 mit einem Widerstand von 5# cm horgestellt. Dieses wird 5 bis 10 Minuten lang
einer 20 1/min Stickstoff, 200 ml/min Ammoniakgas (ammonium gas) und 10 ml/min Monosilan
enthaltenden Atmosphäre bei 875°C ausgesetzt, wodurch eine Siliziumnitridschicht
3 einer bicke von otwa 2 800 Å auf der Oberfläche des Halbleitersubstrates gebildet
wird, wie Fig. 2b zeigt.
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Danach wird das Substrat 1 bzw. die so erhaltene Anordnung etwa 10
Minuten lang einer 2 1/min Sauerstoff und 0,5 1/min Phosphoroxydchlorid (POCl3)
enthaltenden Atmosphäre bei 1100°C ausgesetzt. Auf diese Weise wird auf der Oberfläche
des Siliziumnitridfilms 3 eine anorganische Isolierschicht 4 mit Siliziumoxyd und
Phosphoroxyd gebildet, wie sie in Fig. 2c gezeigt ist, und zwar in einer Dicke on
etwa 1000 Å. Schließlich wird die in Fig. 2d gezeigte Aluminiumelektrode 5 in einem
bestimmten Muster auf der anorganischen Isolierschicht 4 erzeugt. Das
Substrat
1 bzw. die entsprechend mit Isolierschicht versehene Anordnung wird längs der angedeuteten
Linien 10 zur Erzielung einer Halbleiterscheibe gewünschter Größe zerteilt. Diese
Scheibe wird mit einer z.B. goldplattierten Metallplatte 2 verbunden und man erhalt
so ein Halbleiterbauelement, wie es in Fig. 1 gezeigt ist, Die elektrischen Kennlinien
dieser Halbleiteranordnung sind gegenüber bekannten Anordnungen merklich verbessert,
wie anhand der Fig. 3 und 4 gezeigt werden wird.
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Die in Fig. 1 gezeigte MIH-Diode wird 30 Minuten lang bei einer bestimmten
Temperatur gehalten und danach auf Zimmertemperatur abgeküglt; während disser Behandlung
liegt eine Spannung Va an den Elektroden 2 und 5 (dieser Vorgang wird üblicherweise
"Kühlung (cooling) im elektrischen Feld" oder "Temperaturbehandlung unter Spannung"
bezeichnet). Danach wird die C-V-Kennlinie (Kapazitanz gegen Spannung) der MIH-Diode
gemessen. Die Fig. 3 zeigt die Abhängigkeit zwischen der angelegten Spannung Va
und der Änderung der ebenen Bandspannung bzw. Flachbandspannung (flat band voltage)
VFB an der Oberfläche des Halbleitersubstrats VFB ist hier die von außen zwischen
den Substrat und der auf der Isolierschicht angebrachten Elektrode angelegte Spannung
zur Glättung bzw. Abflachung des Energiebandes an er Ober fläche des Halbleitersubstrates.
# VFB ist in Fig. 3 die Differenz zwischen der "Flachbandspannung VFBO vor der Kühlung
im elektrischen Feld" und der "Flachbandspannung" VFBI nach dieser Behandlung.
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In Fig. 3 zeigen die Kurven 6 und 7 die Kennlinien für Va gegen #VFB
der MIH-Diode nach einer "Küblung bzw. Temperaturbehandlung im elektrischen Feld"
bei 25°C und 200°C. Für diese Messungen wird eine Diode wie in Fig.@ 1 hergestellt
und 30 Minu@ ten lang bei 25°C in der freien Atmosphäre unter Anlegung einer Spannung
Va von etwa 200 Volt zwischen den Elektroden 2 und 5 belassen. Die Ergebnisse der
Messungen der C-V-Kennlinie dieser MIH-Diode zeigen, daß die "Flachbandspannung
VFB" (der erfindungsgemäßen Diode bei 25°C) um etwa 2 Volt verändert wird, wie der
Punkt P der Kurve 6 zeigt.
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Fig. 4 zeigt Ergebnisse ähnlicher Messungen an einer MIH-Diode, bei
der ein Siliziumnitridfilm einer Dicke von etwa 2800 Å auf einem n-leitenden Siliziumnitrat
mit einem spezifischen Widerstand von 5 # cm gebildet und eine Metallelektrode direkt
auf diesem Siliziumnitridfilm ohne Zwischenschaltung irgend einer anorganischen
Siliziumoxyd und Phosphoroxyd enthaltenden Isolierschicht angebracht wird, Die so
erzeugte MIH-Diode wird 30 Minuten lang bei Zimmertemperatur (250C) unter etwa 200
V belassen. Wie der Punkt Q in Fig. 4 zeigt, ändert sich VFB um etwa 50 V.
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Ein Vergleich zwischen den Fig. 3 und 4 zeigt, daß die elektrischen
Eigenschaften der Halbleiteranordnung gemäß der Erfindung merklich verbessert sind.
Selbst nach einer "Kühlung btw, Temperaturbehandlung im elektrischen Feldn erleidet
das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement nur eine geringe Veränderung hinsic11tlicn
VFB@ Das bedeutet, daß diese Anordnung sehr
stabil gehalten worden
kann, selbst wenn sie einem starken äußeren elektrischen Feld tind einer hohen Temperatur
ausgesetzt wird.
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Das heißt, die Passivierung durch die Siliziumoxyd und Phosphoroxyd
enthaltende anoraanische Isolierschicht auf dem Siliziumnitridf>ilm kann die
Halbleiteroberfläche gegenflber Änderungen der Temperatur und des äußeren Felder
stabilhalten.
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Wie weiter unten mehr erläutert wird kann die Erfindung bei einem
Halbleiterbauelement mit einein pn-Übergang zur Passivierung des Randgebietes bzw.
Durchstoßbereiches des pn-Über- , ganges an der Oberfläche mit Erfolg ausgenutzt
werden.
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Nachfolgend wird ein Verfahren zur Herstellung eines erfindungsgemäßen
Halbleiterbauelementes naher beschrieben, bei dem ein Siliziumnitridfilm einer Phosphor
oder ein Oxydationsprodukt desselben enthaltenden oxydierenden Atmosphäre zur Bllw
dung einer anorganischen Isolierschicht mit Siliziumoxyd und Phosphoroxyd auf der
Oberfläche des Films ausgesetzt wird.
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Nach der vorstehend angegebenen Herstellungsweise gemaß der Erfindung
kann die Dicke der anorganischen Isolierschicht durch die Aufheiztemperatur und
-zeit sowie Menge des zugelieferten Sauerstoffs und Phosphoroxyds während der Behandlung
willkürlich kontrolliert werden. So zeigt Fig. 5 eine Kurve fUr die Dicke der anorganischen
Isolierschicht in Abhängigkeit von der Behandlungszeit. Diese Behandlung wurde bei
etwa 11000C
in einem Reaktionsrohr durch Einleiten von 300 ml/min
mit POCl3-Gas gesättigtem Sauerstoff vorgenommen. Obgleich es möglich ist, die Dicke
durch die Behandlungsdauer willkürlich, d.h, auf irgendeinen Wert einzustellen,
wurde anhand von zahlreichen Untersuchungen gefunden, daß die anorganische Isolierschicht
vorzugsweise stärker als 100 R sein sollte.
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Weiter kann die Behandlungstemperatur, obgleich sie bei der vorstehend
beschriebenen Ausführung bei etwa 11000C lag, zwischen 800 und 12000C und vorzugsweise
zwischen 1000 und 11000 C liegen, um den (angestrebten) elektrischen Eigenschaften
der Halbleiter gemäß der Errindung zu genUgen.
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Die (Siliziumoxyd und Phosphoroxyd enthaltende) anorganische Isolierschicht
gemäß der Erfindung mit ihren gUnatigen Wirkungen kann nicht erhalten werden, wenn
der Siliziumnitridfilm allein einem Sauerstoffstrom ohne Phosphor oder Phosphoroxyd
bzw. oxydiertem Phosphor ausgesetzt und auf 1000 bis 1100°C aufgeheizt wird.
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Die Bildung der anorganischen Isolierschicht bei dieser Herstellungsart
ist einigermaßen schwierig zu erklSren. Es wird angenommen, daß die Oberfläche des
Siliziumnitridfilms infolge der starken Oxydationswirkung von P205 oder der katalytischen
Wirkung des Phosphors oxydiert und in Siliziumoxyd umgewandelt wird. Es wird weiter
angenommen, daß bei genUgend langer Behandlungsdauer der Sillztumnitridfilm nahezu
vollständig in eine Siliziumoxyd und Phosphoroxyd enthaltende Isolierschicht umgewandelt
wird.
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Fig. 6 zeigt Ergebnisse von Messungen der Infrarotdurchlässigkeit
einer stärkeren anorganischen Isolierschicht gemäß der Erfindung im Vergleich zu
Siliziumdioxyd- und Siliziumnitrid-Filmen. Die Kurven 32,33 und 54 entsprechen den
anorganischen Isolierschichten gemäß der Erfindung, die nach 5, 15 und 30 Ninuten
langer Behandlung erhalten werden. Es wird gefunden, daß der erfindungsgemäße anorganische
Film Siliziumoxyd und Phosphoroxyd enthält und es wird angenommen, daß dieser anorganische
Film wahrscheinlich eine glasähnliche Struktur zeigt.
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Nachfolgend wird die Anwendung der Erfindung bei verschiebe nen Halbleiteranordnungen
mit einem oder mehreren pn-Übergängen im Halbleitersubstrat beschrieben.
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Fig. 7 zeigt einen npn-Bipolar-Transistor. it 11 iiird ein n-leitendes
Siliziumsubstrat mit geringem Widerstand bezeichnet, 12 ist eine n-leitende durch
Epitaxialwachstum erzeugte Collek torschicht von hohem WiderstandS 13 eine durch
Diffusion erzeugte p-leitende Basiszone und 14 eine ebenfalls durch Diffusion hergestellte
n-leitende Emitterzone. Oberhalb dieser Leitfähigkeitszonen befinden sich ein Siliziumnitridfilm
15, eine Siliziumoxyd und Phosphoroxyd enthaltende anorganische Isolierschicht 16
und Elektroden 17 und 18 in ohmsches Kontakt mit den Zonen 13 bzw. 14.
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Ein solcher Transistor wird im wesentlichen durch folgende Verfahrensschritte
hergestellt: Die Diffusionszonen 13 und 14 werden unter Anwendung der Ublichen Technik
mit Siliziumdioxydabdeckung
bzw. -maske und Eindiffundieren von
Fremdatomen in die Ipitaxialsohicht 12 hergestellt. Danach wird die Siliziumdioxydabdeckung
entfernt und der Siliziumnitridfilm 15 sowie die anorganische Isolierschicht 16
auf der Halbleiteroberfläche in der durch die Fig. 2a bis 2d veranschaulichten Art
erzeugt.
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Dann wird ein Fotolack bzw. ein Material fUr ein Fotodruckverfahren
auf die Oberfläche der Isolierschicht 16 aufgebracht. In bekannter Weise wird ein
vorher festgelegter Teil des Fotodruckmaterials nach entsprechender Exposition der
Anordnung entfernt und die darunterliegende Isolierschicht durch Ätzen mit Flußsäurelösung
entfernt. Der verbleibende Siliziumnitridfilm wird durch Behandlung mit siedender
Phosphorsäure bei etwa 1800C (an den gewünschten Stellen) abgetragen.
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Die vorstehend angegebene Ätzbehandlung in zwei Stufen fUr die Isolierschichten
15 und 16 hat den folgenden Vorteil: Die Isolierschicht 16 wird durch eine im wesentlichen
flußsäurehaltige Ätzlösung gut entfernt, während sie durch siedende Phosphorsäure
nur schwach angegriffen wird. Die Isolierschicht 16 wirkt dann also als selektive
Abdeckung rWr die Abtragung bestimmter Bereiche des Si3N4-Films, wobei ein sich
nach den Seiten hin ausbreitender Angriff der Isolierschicht durch ein Abheben der
Fotolackschicht vermieden werden Dann. Man erhält also auf diese Weise eine saubere
Xtsabtragung der Isolierschicht an den gewünschten Bereichen.
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Schließlich werden die Elektroden 17 und 18 angebracht und nan erhält
einen Transistor mit den Kollektorzonen 11 und 12,
der Basiszone
13 und der Emitterzone 14e Das Verhalten dieses gemäß der Erfindung hergestellten
Transistors ist sehr stabil, da die Isolierschicht 15 und 16 eine leichte Beeinflussung
der leitenden oder der Inversionsschichten durch die umgebende Temparatur und ein
von außen angelegtes Feld verhindert. Da die Wärmeausdehnungskoeffizienten von Siliziumnitrid
und Silizium nahezu gleich sind, treten keine unerwünschten Wärmespannungen an der
Oberfläche des Halbleitersubstrates auf. Die elektrischen Eigenschaften und Verläßlichkeit
des neuen Halbleiterbauelements sind mithin gegenüber der bisher gebräuchlichen
Art verbesserte Weiterhin wird der Rückwärts-Reststrom des pn-Uberganges verringert.
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Fig. 8 zeigt einen Oberflächen-Feldeffekt-Transistor mit einem n-Kanal
mit erfindungsgemäßer Isolierschicht. 21 ist hier ein p-leitendes Siliziumsubstrat,
22 und 23 Sind n-leitende Diffusionszonen, 24 ist ein Siliziumnitridfilm, 25 eine
Siliziumoxyd und Phosphoroxyd enthaltende anorganische Isolierschicht, 26 eine Quelle-Elektrode
in ohmschem Kontakt mit der Diffusionszone 22, 27 eine isolierte Tor oder 8teuerelektrode
und 28 eine Senko- bzw. Drain-Elektrode in ohmschem Kontakt mit der Diffusionszone
23. Die nleitenden Zonen 22 und 23 können unter Verwendung einer SiO2-Maske bzw.
Abdeckung der Oberfläche des Siliziumsubstrates 21 und Eindiffundieren von n-leitenden
Frewdatomen durch die selektive SiO2-Abdec!cung in das Substrat 21 erzeugt werden.
Die SiO2-Maske wird anschließend entfernt und der Siliziumnitridfilm 24 und die
Isolierschicht
25 werden dann nacheinander auf der Oberfläche des Siliziumsubstrates gebildet.
Bestimmte Teile dieser Schichten 24 und 25 werden dann im Ätzerfahren unter Bildung
von Aussparungen für die Elektroden 26 und 28 entfernt. Schließlich werden letztere
(d.h. die Elektroden bzw. Anschlüsse 26 und 28) abgeschieden.
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Der Siliziumnitridfilm and die Siliziumoxyd und Phosphoroxyd enthaltende
anorganische Isolierschicht haben eine bemerkenswerte Wirkung insbesondere bei einer3
Oberflächen-Feldeffekt-Transistor, dessen Isolierschicht einem starken elektrischen
Feld und/oder hohen Temperaturen ausgesetzt wird.
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Bs wurde festgestellt, daß der gemäß der Erfindung hergestellte Feldeffekt-Transistor
in seinem Verhalten stabiler ist als ein herkömmlicher Typ. Da die Dielektrizitätskonstante
des vorstehend beschriebenen Isolierfilms etwa 2,6-mal größer ist als diejenige
eines SiO-Films (dessen Dielektrizittskonstante 3,8 beträgt) kann die Kurzschluß-Steilheit
Cm des Oberflächen-Feldeffekt-Transistors erhöht sein.
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Da weiter die vorstehend beschriebene Isolierschicht im wesentlichen
den gleichen Wärmeausdehnungskoeffizienten hat wie das Siliziumsubstrat 21 und somit
nicht zur Ausbildung höherer Wärmespannungen an der Substratoberfläche führt, ist
die Isolierschicht gemäß der Erfindung besonders dann bei einem Halbleiter'bauelement
wirksam bzw. von Interesse, wenn dessen Oberfläche für seinen Betrieb wesentlich
bestimmend ist.
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Obgleich bei den vorstehend beschriebenen Ausführungsarten von Halbleiterbauelementen
die Siliziumnitridschicht Jeweils direkt auf der Substratoberfläche erzeugt wurde,
ist die Erfindung nicht auf diese Ausführung allein beschränkt, sondern kann auch
bei Halbleiteranordnungen angewandt werden, bei den en eine Siliziumdioxydzwischenschicht
zwischen dem Halbleitersubstrat und dem Siliziumnitridfilm angeordnet ist, wie in
den Fig. 9 und 10 gezeigt wird, Fig. 9 eeigt einen pnp-Bipolar-Transistor, bei dem
31 ein p-leitendes Siliziumsubstrat ist, 33 und 35 n- bzw. p-leitende Diffusionszonen
sind und 36 einen auf der Substratoberfläche ge bildeten SiO2-Film einer Dicke von
2000 bis 5000 R darstellt.
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37 ist ein Siliziumnitridfilm, 38 eine anorganische Silizium-und Phosphoroxyd
enthaltende Isolierschicht und 39 und 40 sind Basis- und Emitter-Elektroden.
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Pigo 10 zeigt eine integrierte Halbleiterschaltung, bei der eine
Mehrzahl von Oberflächen-Feldeffekt-Transistoren innerhalb eines einzigen Substrates
zusammengefaßt sind, Dabei ist 41 ein n-leitendes Siliziumsubstrat, 43 und 47 und
durch Diffusion erzeugte pn-leitende Quelle-Zonen, 45 und 49 p-leitende Senke-Zonen,
die ebenfalls durch Diffusion erzeugt wurden, und 51 ist ein SiO2-Film mit einer
Dicke von 1000 bis 5000 2 auf der Substratoberfläche, 52 ein Siliziumnitridfilm,
53 eine Siliziumoxyd und Phosphoroxyd enthaltende anorganische Isolierschicht; 54
und 55
sind Tor- bzw. Steuerelektroden und 56, 57 und 58 leitende
Schichten in ohmsches Kontakt mit den Quelle- und Senke-Zonen.
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Obgleich sich die vorstehenden Erläuterungen auf Halbleiterbauelemente
beziehen, bei denen das Halbleitersubstrat aus Silizium besteht, kann die Erfindung
selbstverstlindlicn auch auf andere Materialien angewandt werden. Ebenso sind die
vorstehend beschrieben. Behandlung und das Verfahren zur Ersetzung der Isolierschicht
gemäß der Erfindung nicht einschränkend aursufassen: So kann beispielsweise der
SiO2-Film nach Aufbringen auf din Oberfläche der 8i3N4-Schicht unter Bildung von
phosphorhaltiger Glas verglast werden.