DE1719511C3 - Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes - Google Patents
Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere HalbleiterstabesInfo
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/32—Mechanisms for moving either the charge or the heater
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Description
2. Vorrichtung nach Anspruch!, dadurch ge- schmelzen einen störungsfreien Betrieb sicherzustelkennzeichnet.
daß Teile (10, 11) der Abdeckein- [en.
richtung (9) mit der Platte (6) verschiebbar sind. I.rfindungsgemäß wird diese Aufgabe bei einer
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch ge- Vorrichtung der eingangs^rwähnten Art dadurch gekennzeichnet,
daß die verschiebbaren Teile (10, 25 löst, daß der Schlitz an der Innenseite der Wand mit
11) der Abdeckeinrichtung (9) aus federndem einer bei beliebiger Stellung der Platte wirksamen
Material bestehen. Abdeckung versehen ist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1 und 2, da- Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung
durch gekennzeichnet, daß an der Seitenwand (2) werden an Ausführungsbcispielen an Hand der
der Zonenschmelzkammerwand (1) Rollen (12. 30 Zeichnung näher erläutert.
13) zum Auf- und-'oder Abspulen der verschieb- Fig. 1 zeigt im Schnitt eine Abdeckeinrichtung
baren Teile (10. 11) der Abdeckoinrichtung (9) gemäß der Erfindung, die
angebracht sind. F i g. 2 und 3 zeigen im Schnitt eine weitere Ab-
5. Vorrichtung nach Anspruch 1 und 2, da- deckeinrichtung gemäß der Erfindung.
durch gekennzeichnet, daß ab verschiebbares 35 In F i g. 1 ist eine Zonenschmelzkammer, die eine
Teil der Abdeckeinrichtung(9) eine Jalousie (15) Vakuum-, Schutzgas- oder Überdruckkammer darvorgesehen
ist. stellen kann, mit 1 bezeichnet. In der einen vertikalen Zonenschmelzkammerwand 2 ist ein Schlitz 3 an-
gebracht, durch den eine Halterung 4 einer Heizein-
40 richtung 5 hilldurchgeführt ist. Die Heizeinrichtung 5 kann eine induktive Heizspule sein. Die Halterung 4
Das Hauptpaient betrifft eine Vorrichtung zum der Heizeinrichtung 5 dient gleichzeitig zur Zufühliegelfreien
Zonenschmelzen mit einer Vakuumkam- rung des Stromes und des Kühlmediums. Der Hier, mit Halterungen, in denen das zu behandelnde Schlitz 3 in der vertikalen Zonenschmelzkammer-
«tabförmige Material lotrecht gehalten ist und mit 45 wand 2 wird von einem Schlitten 6 abgedeckt, der
einer in der Vakuumkammer in lotrechter Richtung mittels eines Antriebs in Pfeil richtung auf- und abbe-Verschiebbar
angebrachten und von außen bewcgba- wegbar ist. Dichtungselemente7, z.B. Simmerringe,
fen Heizeinrichtung, wobei in einer Seitenwand der ermöglichen eine gasdichte Durchführung der Halte-Vakuumkammer
ein lotrecht verlaufender Schlitz an- rung 4 durch den Schlitten 6. Als Abdichtung zwigebracht
ist, der durch eine in lotrechter Richtung 50 sehen dem Schlitten 6 und der Seitenwand 2 der Zo-Verschiebbare
Platte bedeckt ist, an der eine durch ncnschmelzkammer 1 ist ein elastischer Dichtungsden
Schlitz geführte Halterung der Heizeinrichtung ring 8 vorgesehen. Wie bereits erwähnt, kann die Abbefestigt
ist. dichtung aber auch mittels eines Ölfilms hergestellt Die Abdichtung zwischen der mit einem Schlitz sein. An der Innenseite der vertikalen Zonen-Versehenen
Seitenwand und der Platte kann durch 55 schmelzkammerwand 2 ist eine Abdeckeinrichtung 9
«inen Ölfilm, vorzugsweise mittels einer mit Öl ge- vorgesehen, die den Schulz 3 in der Seitenwand 2 der
Mlten Rinne, die den Schlitz umschließt und von der Zonenschmelzkammer 1 bei beliebiger Stellung des
blatte ganz überdeckt ist, bewirkt sein. Nach einem Schlittens 6 abdeckt. Teile 10 und 11 der Abdeckeinlltercn
Vorschlag kann aber auch zur Abdichtung richtung 9 sind mit dem Schlitten 6 verschiebbar. Die
■wischen der Platte und der Seitenwand der Zonen- 60 verschiebbaren Teile 10 und M der Abdcckeinrich-•chmelzkammer
eine den Schlitz umschließende ela- tung9 bestehen aus federndem Material, beispiclsttiseh
verformbare Dichtungsleiste angebracht und weise aus 0,1 bis 0,2 mm dickem Blech aus einer
gegen Verschieben gesichert sein. Kupfer-Beryllium-Legierung. An der Seitenwand 2
Da bei den neueren Zonenschmelzanlagen der der Zonenschmelzkammer I sind zwei Rollen 12 und
Verschiebeweg der Heizeinrichtung sehr groß 65 13 angebracht, auf die die Blechteile 10 und 11 beim
Ist, beispielsweise 1 m und mehr, muß auch Verschieben der Heizeinrichtung 5 auf- oder abge-Jcr
Schlitz in der seitlichen Zonenschmelz- spult werden. Die Blechteile 10 und 11 sind etwas
tammerwand eine entsprechende Länge haben. Da breiter als der Schlitz 3, so daß dieser völlig abge-
deckt ist. Die Blechteile 10 up:1 1Ϊ sind an der Haitetung4
der Heizeinrichtung 5 in einem Ring 14 befestigt, beispielsweise angeschraubt. Die Rollen 12, 13
können als Federgehäuse ausgebildet sein, 50 daß die Blechteile 10, 11 in jeder Stellung des Schlittens ge-•paniu
sind.
In den F i g. 2 und 3 ist als Abdeckeinrichtung für den Schlitz3 eine Jalousie 15 vorgesehen. Die über
der Heizeinrichtung 5 angeordneten Lamellen sind
mit 16s die darunter liegenden sind mit 17 bezeichnet.
D:ie Lamellen 16, 17 sind in Nuten 18 in den Lamellenführungen
19, 20 geführt. Die Lamellen 16, 17 können aus einem Material bestehen, auf dem Halbleitermaterial
gut haftet. Für Silicium im Aluminium besonders geeignet. Damit ist der Vorteil verbunden,
daß kein Halbleitermaterialfilter von der Abdeckeinrichtung 9 abspringt und die am Boden der Schmelzkummerwand
befindliche Wellendichtung gefährdet.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
1. Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmel- Breite des Schlitzes, biespielsweise von 2,5 bis 5 cm.
ten mit einer Vakuumkammer, mit Halterungen, 5 Bei derartigen Anlagen zum tiegelfreien Zonen-IBi
denen das zu behandelnde stabförmige Mate- schmelzen kommt es häufig vor, daß sich verdamp-
. rial lotrecht gehaltert ist, und mit einer in der Va- fendes oder aus der Schmelzzone abspritzendes
kuumkammer in lotrechter Richtung verschieb- Halbleitermaterial, beispielsweise Silicium, im Be-
bar angebrachten und von außen bewegten elek- reich des Schlitzes am "Schlitten ablagert und beim
Irischen Heizeinrichtung, wobei in einer Seiten- io Verschieben des Schlittens zu den Dichtungsstellen
wand der Vakuumkammer ein lotrecht verlaufen- gelangt. Bei Öldichtungen kann es vorkommen, daß
der Schlitz angebracht ist. der durch eine in lot- der im allgemeinen nur 2 bis 10 μ starke Ölfilm zvvi-
rechter Richtung verschiebbare Platte bedeckt ist, sehen Schlitten und Schmelzkammerwand aufgeris-
tn der eine durch den Schlitz geführte Halterung sen wird und sich der Schlitten festfrißt. Auch elasti-
der Heizeinrichtung befestigt ist, nach Patent 15 sehe Gummidichtungen können durch Halbleiterma-
1 262 226, dadurch gekennzeichnet. terial, das sich in spitzen Kristallen oder Splittern ab-
daß der Schlitz (3) an der Innenseite der lagert, beschädigt und damit unbrauchbar werden.
Wand (2) mit einer bei beliebiger Stellung der Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, diese
Platte (6) wirksamen Abdeckung (10, 15) verse- Gefahr zu beseitigen und insbesondere auch bei den
hen ist. " 20 beschriebenen Großanlagen zum tiegelfreien Zonen-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES0113662 | 1968-01-10 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1719511A1 DE1719511A1 (de) | 1971-05-27 |
DE1719511B2 DE1719511B2 (de) | 1974-08-15 |
DE1719511C3 true DE1719511C3 (de) | 1975-06-19 |
Family
ID=7532667
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19681719511 Expired DE1719511C3 (de) | 1968-01-10 | 1968-01-10 | Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1719511C3 (de) |
-
1968
- 1968-01-10 DE DE19681719511 patent/DE1719511C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1719511A1 (de) | 1971-05-27 |
DE1719511B2 (de) | 1974-08-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
EGZ | Application of addition ceased through non-payment of annual fee of main patent |