DE1719511B2 - Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes - Google Patents
Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere HalbleiterstabesInfo
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/32—Mechanisms for moving either the charge or the heater
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Description
gebracht, durch den eine Halterung 4 einer Heizein-
40 richtung 5 hindurchgeführt ist. Die Heizeinrichtung 5
kann eine induktive Heizspule sein. Die Halterang 4
Das Hauptpatent betrifft eine Vorrichtung zum der Heizeinrichtung 5 dient gleichzeitig zur Zufühtiegelfreien
Zonenschmelzen mit einer Vakuumkam- rang des Stromes und des Kühlmediums. Der mer, mit Halterangen, in denen das zu behandelnde Schute 3 in der vertikalen Zonenschmelzkammeritabförmige
Material lotrecht gehaltert ist und mit 45 wand 2 wird von einem Schütten 6 abgedeckt, der
einer in der Vakuumkammer in lotrechter Richtung mittels eines Antriebs in Pfeilrichtung auf- und abbeverschiebbar
angebrachten und von außen bewegba- wegbar ist. Dichtungselemente7, z.B. Simmerringe,
ten Heizeinrichtung, wobei in einer Seitenwand der ermöglichen eine gasdichte Durchführung der Halte-Vakuumkammer
ein lotrecht verlaufender Schute an- rang 4 durch den Schlitten 6. Als Abdichtung zwigebracht
ist, der durch eine in lotrechter Richtung 50 sehen dem Schütten 6 und der Seitenwand 2 der Zo-
! verschiebbare Platte bedeckt ist, an der eine durch nenschmelzkammer 1 ist ein elastischer Dichtungsden
Schute geführte Halterung der Heizeinrichtung ring 8 vorgesehen. Wie bereits erwähnt, kann die Abbefestigt
ist. dichtung aber auch mittels eines Ölfilms hergestellt Die Abdichtung zwischen der mit einem Schütz sein. An der Innenseite der vertikalen Zonenversehenen
Seitenwand und der Platte kann durch 55 schmelzkammerwand 2 ist eine Abdeckeinrichtung 9
einen Ölfilm, vorzugsweise mittels einer mit öl ge- vorgesehen, die den Schlitz 3 in der Seitenwand 2 der
füllten Rinne, die den Schute umschließt und von der Zonenschmelzkammer 1 bei beüebiger Stellung des
Platte ganz überdeckt ist, bewirkt sein. Nach einem Schüttens 6 abdeckt. Teile 10 und 11 der Abdeckeinälteren
Vorschlag kann aber auch zur Abdichtung richtung 9 sind mit dem Schlitten 6 verschiebbar. Die
zwischen der Platte und der Seitenwand der Zonen- 60 verschiebbaren Teile 10 und 11 der Abdeckeinrichschmelzkammer
eine den Schute umschüeßende ela- rung 9 bestehen aus federndem Material, beispielsstisch
verformbare Dichtungsleiste angebracht und weise aus 0,1 bis 0,2 mm dickem Blech aus einer
gegen Verschieben gesichert sein. Kupfer-Beryllium-Legierang. An der Seitenwand 2
Da bei den neueren Zonenschmelzanlagen der der Zonenschmelzkammer 1 sind zwei Rollen 12 und
Verschipbeweg der Heizeinrichtung sehr groß 65 13 angebracht, auf die die Blechteile 10 und 11 beim
ist, beispielsweise 1 m und mehr, muß auch Verschieben der Heizeinrichtung 5 auf- oder abgeder
Schute in der seitlichen Zonenschmelz- spult werden. Die Blechteile 10 und 11 sind etwas
kammerwand eine entsprechende Länge haben. Da breiter als der Schlitz 3, so daß dieser völlig abge-
deckt ist. Die Blechteile 10 und 11 sind an der Halieiung4
der Heizeinrichtung 5 in einem Ring 14 befestigt, beispielsweise angeschraubt Di^ Rollen 12, 13
können als Federgehäuse ausgebildet sein, so daß die Blechteile 10, 11 in jeder Stellung des Schlittens gespannt
sind.
Li den F i g. 2 und 3 ist als Abdeckemrichtung für
den Schlitz 3 eine Jalousie 15 vorgesehen. Die über der Heizeinrichtung 5 angeordneten Lamellen sind
mit 16, die darunter liegenden sind mit 17 bezeichnet Die Lamellen 16,17 sind in Nuten 18 in den Lamellenführungen
19, 20 geführt Die Lamellen 16,17 können aus einem Material bestehen, auf dem HaIbleitermaterial
gut haftet Für Silicium im Aluini besonders geeignet Damit ist der Vorteil verbunden,
daß kein Halbleitermaterialfilter von der Abdeckeinrichtung 9 abspringt und die am Boden der Schmelzkammerwand
befindliche Wellendichtung gefährdet
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (5)
1. Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmel- Breite des Schützes, biespielsweise von 2^5 bis 5 cm.
zen mit einer Vakuumkanimer, mit Halterungen, 5 Bei derartigen Anlagen zum tiegelfreien Zonenin
denen das zu behandelnde stabförmige Mate- schmelzen kommt es häufig vor, daß sich ^erdamprial
lotrecht gehaltert ist, und mit einer in der Va- fendes oder aus der Schmelzzone abspritzendes
kuumkammer in lotrechter Richtung verschieb- Halbleitermaterial, beispielsweise Silicium, im Bebar
angebrachten und von außen bewegten elek- reich des Schützes am Schütten ablagert und beim
frischen Heizeinrichtung, wobei in einer Seiten- io Verschieben des Schüttens zu den Dichtungsstellen
wand der Vakuumkammer ein lotrecht verlaufen- gelangt Bei öldichtungen kann es vorkommen, daß
der Schütz angebracht ist,* der durch eine in lot- der im allgemeinen nur 2 bis 10 μ starke Ölfilm zwirechter
Richtung verschiebbare Platte bedeckt ist, sehen Schütten und Schmelzkammerwand aufgerisan
der eine durch den Schütz geführte Halterung sen wird und sich der Schütten festfrißt Auch elastider
Heizeinrichtung befestigt ist, nach Patent 15 sehe Gummidichtungen können durch Halbleitenna-1262226,
dadurch gekennzeichnet, ierial, das sich in spitzen KristaUen oder Sputtern abda£
der Schütz (3) an der Innenseite der lagert, beschädigt und damit unbrauchbar werden.
Wand (2) mit einer bei beüebiger Stellung der Aufgabe der vorüegenden Erfindung ist es, diese Platte (6) wirksamen Abdeckung (10, 15) verse- Gefahr zu beseitigen und insbesondere auch bei den hen ist 20 beschriebenen Großanlagen zum tiegelfreien Zonen-
Wand (2) mit einer bei beüebiger Stellung der Aufgabe der vorüegenden Erfindung ist es, diese Platte (6) wirksamen Abdeckung (10, 15) verse- Gefahr zu beseitigen und insbesondere auch bei den hen ist 20 beschriebenen Großanlagen zum tiegelfreien Zonen-
2. Vorrichtung nach Ansprach 1, dadurch ge- schmelzen einen störungsfreien Betrieb sicherzuste!-
kennzeichnet, daß Teile (10, U) der Abdeckein- len.
richtung (9) mit der Platte (6) verschiebbar sind. Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe bei einer
3. Vorrichtung nach Ansprach 2, dadurch ge- Vorrichtung der eingangs erwähnten Art dadurch gekennzeichnet,
daß die verschiebbaren Teile (10, »5 löst, daß der Schute an der Innenseite der Wand mit
11) der Abdeckeinrichtung (9) aus federndem einer be1, beüebiger Stellung der Platte wirksamen
Material bestehen. Abdeckung versehen ist.
4. Vorrichtung nach Ansprach 1 und 2, da- Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung
durch gekennzeichnet, daß an der Seitenwand (2) werden an Ausführungsbeispielen aa Hand der
der Zonenschmelzkammerwand (1) Rollen (12, 30 Zeichnung näher erläutert.
13) zum Auf- und/oder Abspulen der verschieb- F i g. 1 zeigt im Schnitt eine Abdeckeinrichtung
baren Teile (10, 11) der Abdeckeinrichtung (9) gemäß der Erfindung, die
angebracht sind. F i g. 2 und 3 zeigen im Schnitt eine weitere Ab-
5. Vorrichtung nach Ansprach 1 und 2, da- deckeinrichtung gemäß der Erfindung.
durch gekennzeichnet, daß als verschiebbares 35 In F i g. 1 ist eine Zonenschmelzkammer, die eine
Teil der Abdeckeinrichtung (9) eine Jalousie (15) Vakuum-, Schutegas- oder Überdruckkammer darvorgesehen
ist. stellen kann, mit 1 bezeichnet In der einen vertikalen Zonenschmelzkammerwand 2 ist ein Schute 3 an-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES0113662 | 1968-01-10 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1719511A1 DE1719511A1 (de) | 1971-05-27 |
DE1719511B2 true DE1719511B2 (de) | 1974-08-15 |
DE1719511C3 DE1719511C3 (de) | 1975-06-19 |
Family
ID=7532667
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19681719511 Expired DE1719511C3 (de) | 1968-01-10 | 1968-01-10 | Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1719511C3 (de) |
-
1968
- 1968-01-10 DE DE19681719511 patent/DE1719511C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1719511C3 (de) | 1975-06-19 |
DE1719511A1 (de) | 1971-05-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
EGZ | Application of addition ceased through non-payment of annual fee of main patent |