DE1667866B1 - Verfahren zum polen eines ferroelektrischen kristallinen koerpers - Google Patents

Verfahren zum polen eines ferroelektrischen kristallinen koerpers

Info

Publication number
DE1667866B1
DE1667866B1 DE19661667866 DE1667866A DE1667866B1 DE 1667866 B1 DE1667866 B1 DE 1667866B1 DE 19661667866 DE19661667866 DE 19661667866 DE 1667866 A DE1667866 A DE 1667866A DE 1667866 B1 DE1667866 B1 DE 1667866B1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
lithium
crystal
ferroelectric
lithium niobate
properties
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19661667866
Other languages
English (en)
Inventor
Hyman Joseph Berkeley Heights; Nassau Kurt Bernardsville; NJ. Levinstein (V.StA.)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
Western Electric Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co Inc filed Critical Western Electric Co Inc
Publication of DE1667866B1 publication Critical patent/DE1667866B1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G7/00—Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture
    • H01G7/02—Electrets, i.e. having a permanently-polarised dielectric
    • H01G7/025—Electrets, i.e. having a permanently-polarised dielectric having an inorganic dielectric
    • H01G7/026—Electrets, i.e. having a permanently-polarised dielectric having an inorganic dielectric with ceramic dielectric
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G33/00—Compounds of niobium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
    • C30B15/18—Heating of the melt or the crystallised materials using direct resistance heating in addition to other methods of heating, e.g. using Peltier heat
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/22—Complex oxides
    • C30B29/30—Niobates; Vanadates; Tantalates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G7/00—Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture
    • H01G7/02—Electrets, i.e. having a permanently-polarised dielectric
    • H01G7/025—Electrets, i.e. having a permanently-polarised dielectric having an inorganic dielectric
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/60—Optical properties, e.g. expressed in CIELAB-values
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/901—Levitation, reduced gravity, microgravity, space
    • Y10S117/902—Specified orientation, shape, crystallography, or size of seed or substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/42—Piezoelectric device making

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

elektrischen Halbleitermaterialien erzielt werden, sondern das Verfahren dient dazu, den Störstellengehalt des Halbleitermaterials örtlich verschieden zu gestalten, beispielsweise einen pn-übergang innerhalb des Halbleiterkörpers zu erzeugen.
Es ist eine Tatsache, daß es trotz der vorstehend aufgeführten Kenntnisse der Fachwelt und der weltweiten intensiven Forschung nicht gelang, den für die vermuteten ferroelektrischen Eigenschaften von Lithiumniobat bedeutsamen Curiepunkt aufzufinden. Bei der erwähnten intensiven Forschung wurde zwar bei einer anderen Lithiumverbindung, nämlich Lithiumtantalat der ferroelektrische Curiepunkt bei etwa 665° C gefunden (Fiz. Trerd, TeIa Bd. 6, Nr. 1, S. 316 und 317); obwohl dieses Ergebnis vermuten ließ, daß auch Lithiumniobat bei Temperaturen in dieser Höhe seinen Curiepunkt besitzen und damit gepolt werden könnte, schlugen sämtliche diesbezüglichen Versuche fehl.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Verfahren anzugeben, das die Polung von Lithiumniobat ermöglicht.
Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß im Falle eines kristallinen Körpers aus Lithiumniobat mit einer Temperatur von zumindest 1000° C gearbeitet wird.
In Ausgestaltung der Erfindung wird vorgeschlagen, mit einer Stromdichte von wenigstens 0,1 mA/cm2, vorzugsweise bei 0,5 mA/cm2, zu arbeiten.
Der Erfindung liegt die experimentell gewonnene Erkenntnis zugrunde, daß Lithiumniobat seinen Curiepunkt bei 1210° C besitzt. Es ist zur Polung von Lithiumniobat nicht unbedingt erforderlich, in der Nähe des Curiepunktes zu arbeiten; es kann vielmehr bis herab zu 1000° C gegangen werden, vorausgesetzt, daß ausreichend Strom genügend lange durch den Lithiumniobatkörper hindurchgeschickt wird.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren ist es zum ersten Mal ermöglicht, ferroelektrisches Lithiumniobat herzustellen, wodurch die vorstehend geschilderten Anwendungsgebiete für Lithiumniobat eröffnet werden.
Die Erfindung wird mit ihren weiteren Einzelheiten und Vorteilen an Hand der in den Zeichnungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher beschrieben und erläutert:
F i g. 1 zeigt eine teilweise geschnittene Vorderansicht einer Apparatur, in welcher das Polen des Kristalls während des ansich bekannten Ziehvorgangs erfolgt;
F i g. 2 zeigt eine perspektivische Ansicht einer Anordnung, die für das Polen von einem bereits fertigen Lithiumniobatkristall Verwendung findet.
Die in F i g. 1 abgebildete Apparatur ist für das Ziehen von Einkristallen nach Czochralski brauchbar und besteht aus einer Tiegelstütze 1, die in diesem Beispiel aus Tonerde hergestellt ist und so die zusätzliche Aufgabe einer thermischen Isolierung des inneren Tiegels 2 erfüllt, der aus einem Edelmetall wie Platin hergestellt ist und seinerseits die Schmelze 3 enthält, die aus den Ausgangsstoffen zusammengesetzt ist, die in nahezu stöchiometrischer Menge die Bestandteile des fertigen Kristalls ergeben. Im allgemeinen wurde festgestellt, daß diese Schmelze vom stöchiometrischen Verhältnis Niob zu Lithium = 1 um bis zu 10 % oder mehr abweichen darf. Die Schmelze kann außerdem Stoffe aus einer großen Gruppe von Zusätzen enthalten, gewöhnlich in Mengen bis zu 10 Atomprozent, bezogen auf Niob, die aus verschiedenen, dem Fachmann bekannten Gründen der Schmelze einverleibt werden.
Die Schmelze kann z. B. durch direktes Eingeben der üblichen Ausgangsmaterialien Lithiumcarbonat und Nioboxyd in den Tiegel hergestellt werden. Wegen der großen Mengen freigesetzter Kohlensäure bei der Zersetzung des Karbonats ist es aber besser, die Aussetzung zunächst außerhalb des Schmelztiegels vorzunehmen. Natürlich kann Lithium oder Niob in Form irgend einer anderen Verbindung zugesetzt werden.
Im allgemeinen wurde festgestellt, daß die gewöhnlich angetroffenen Verunreinigungen oder die absichtlich zugefügten Verunreinigungen, wenig Einfluß auf das beanspruchte Verfahren haben. Indessen kann je nach dem Verwendungszweck des Kristalls es wünschenswert sein, eine extrem genaue Stöchiometrie einzuhalten, um die meisten oder alle Verunreinigungen in weitem Maße auszuschließen oder, wie schon angegeben, Zusätze zu machen.
Die Schmelze 3 wird mittels einer Heizvorrichtung 4 erhitzt und in geschmolzenem Zustand gehalten, die hier zur Erläuterung als Hochfrequenz-Heizspule dargestellt ist. In Übereinstimmung mit der üblichen Kristall-Züchtungspraxis ist es erwünscht, die Schmelze auf nahezu konstanter Temperatur (in diesem Fall auf einem Nennwert von etwa 1300° C) zu halten, und zu diesem Zweck ist die abgebildete Apparatur mit einem Thermoelement 5 als Fühlorgan versehen. Der Apparat ist außerdem mit einer Spindel 6 ausgerüstet, die langsam angehoben und vorzugsweise durch eine (nicht gezeigte) Vorrichtung gedreht wird und zudem mit einem Spannkopf 7 versehen ist, der den Keimkristall 8 hält, an welchem sich der gezüchtete Kristall 9 verfestigt hat.
Wie wohl bekannt ist, kann vom Geräte-Standpunkt aus die kristallographische Orientierung des Enderzeugnisses recht bedeutsam sein. Wo beispielsweise der Kristall für die Verwendung in einem harmonischen Generator bestimmt ist, in welchem die elektromagnetische Energie senkrecht zur c-Achse transportiert wird und wo das Element wünschenswerterweise in der Richtung dieser Übermittlung lang ist, ist es zweckmäßig von einem gezüchteten Kristall auszugehen, der in der ungefähren Richtung gleichfalls lang ist. Für viele Anwendungen in piezoelektrischen Geräten ist es erwünscht, einen Kristall zu besitzen, dessen Längsabmessungen mit der c-Achse annähernd übereinstimmt.
Die Stromtechnik nach vorliegender Erfindung steuert unumschränkt die Polarität des fertigen Kristalls (die pyroelektrisch gemessen werden kann). Demzufolge hat beim Ziehverfahren die Polarität des Keimkristalls keine Konsequenzen.
Der Stromdurchlaß durch die Grenzfläche Fest— Flüssig in der abgebildeten Apparatur wird mittels eines Gleitkontaktes 10 bewirkt, der die Spindel 6 erfaßt, sowie vermittels der festen Elektrode 11, die mit dem Tiegel 2 elektrisch verbunden ist, die zusammen der Grenzfläche auf dem Wege über die Schmelze und die dazwischenliegenden Bauteile der Apparatur ein Potentialgefälle mit Hilfe einer Energiequelle 12 variabler Polarität und variabler Spannung erteilen. Ein Amperemeter 13 ist zweckmäßig zur Überwachung des Stromdurchgangs, besonders wenn die
5 6
Schaltung so ist, daß eine große Veränderung der Verfahren nach Bridgeman-Stockbarger, vorStromstärke mit der Länge des gewachsenen Kristalls ausgesetzt, daß Einrichtungen zum Isolieren der auftritt. Diese Veränderung, die im allgemeinen uner- Schmelze vom wachsenden Kristall vorgesehen sind, wünscht ist, kann verkleinert werden, indem man F i g. 2 erläutert eine zweite Ausführungsform der einen Schaltwiderstand in der Energiequelle und den 5 Erfindung, nach welcher aus einem bereits gezüchtezugehörigen Elementen einrichtet, der im Verhältnis ten Kristall durch Passage eines elektrischen Stroms zu dem im Kristall auftretenden groß ist. ein praktisch domänenwandfreies, ferroelektrisches
Die Verwendung einer Nachheizung oder anderen Material erzeugt wird. Hierbei ist die Bevorzugung
Anordnung zur Verkleinerung des Temperaturgra- von Kristallen von Geräte-Güte gänzlich durch den
dienten im gezüchteten Kristall, die allgemein von io Verwendungszweck gegeben, für den die Kristalle ein-
Nutzen in der Kristallzüchtung ist, genießt hier einen gesetzt werden sollen.
besonderen Vorteil, indem sie den gezüchteten Teil Ein derartiger Kristall 20, der beispielsweise von
auf erhöhter Temperatur hält und den Widerstand einem widerstandsbeheizten Rohrofen 21 erhitzt wird,
des Kristalls auf einem niedrigeren Wert, womit der ist elektrisch zwischen die Elektroden 22 und 23
Widerstand der gesamten Schaltung mehr konstant 15 geschaltet, die ihrerseits elektrisch mit der variablen
gehalten wird. Stromquelle 24 verbunden sind und den Kristall ohne
Es ist zweckmäßig, bei dem erfindungsgemäßen Berührung mit dem Ofen zwischen sich aufgehängt Verfahren mehr den Stromdurchgang an Stelle der halten. Der Vorgang wird mittels eines Ampere-Feldstärke zu messen, da dieser Wert leichter gemes- meters 25 oder Voltmeters 26 überwacht. Die Temsen wird. Da die Grenzfläche in Serie mit dem Rest 20 peratursteuerung erfolgt in diesem Fall mittels einer des Kristalls liegt und da der gesamte vom Ampere- veränderlichen Energiequelle 27, mit der der Ofen 21 meter gemessene Strom notwendigerweise durch verbunden ist. m diese Grenze geht, ist dieses Kontrollmittel im Gegen- Die Apparatur nach F i g. 2 und das davon wiedersatz zur Messung des elektrischen Feldes unabhängig gegebene Verfahren sind in gleicher Weise auf die von der Länge des gezüchteten Kristalls. Im allge- 25 Behandlung eines polykristallinen Körpers aus Limeinen ist die Stärke des Stroms keine empfindliche thiumniobat anwendbar, wie man ihn auf gewöhn-Bestimmungsgröße. Es wurde gefunden, daß Ströme lichem keramischen Wege oder durch kombinierte von nur 0,5 mA/cm2 Kristallquerschnitt in der Grenz- Fällung erhalten kann. In diesem Zusammenhang ist fläche ausreichen, um praktisch domänenwandfreies, der Körper 20 ein solches kristallines Stück. Die ferroelektrisches Material zu erzeugen. Ströme bis zu 30 Arbeitsbedingungen sind natürlich die gleichen, wie 50 mA/cm2 wurden gleichermaßen brauchbar gefun- bereits angegeben und beruhen auf dem bei etwa den, obwohl wesentlich darüberliegende Werte inso- 1210° C ermittelten Curie-Punkt,
fern stören, als sie bisweilen eine übermäßige Joule- Eine Betriebsart, der Apparatur gemäß F i g. 2 ist sehe Erwärmung des gezüchteten Kristalls bewirken. das Sinkenlassen der Kristalltemperatur von 1210° C Strommengen oberhalb dieses Wertes werden vor- 35 oder darüber, aber unterhalb der Schmelztemperatur zugsweise vermieden, da sie die Wachstumsbedin- von etwa 1255° C, durch den Curie-Punkt hindurch, gungen nachteilig beeinflussen und da sie weiterhin während man Strom durch den Kristall fließen läßt, örtliche Erhitzung hervorrufen können, die von ther- Alternativ kann das Polen vollzogen werden, indem mischer und elektrischer Instabilität begleitet ist. man den Kristall auf kontanter Temperatur oder Nähert sich das Wachstum einer zur c-Achse senk- 40 auf einem konstanten Temperaturbereich unterhalb rechten Richtung so kann ein größerer Minimalwert des Curie-Punktes hält, während man zur gleichen des Stroms von der Größenordnung 10 mA/cm2 Zeit Strom durch den Kristall schickt. Für diesen erforderlich sein. Zweck ist es ratsam, bei einer Temperatur von
In an sich bekannter Weise kann der Ziehmecha- wenigstens 1000° C zu arbeiten, da festgestellt wurde, (| nismus z. B. so ausgeführt werden, daß er das 45 daß das Polen bei wesentlich niedrigeren Tempera-Wachstum mit einer Geschwindigkeit von 10,2 cm je türen übermäßig viel Zeit beansprucht. Die erforder-Stunde oder weniger gestattet. Die Kristallausbildung liehe Polzeit nimmt ab, wenn man sich dem Curiewird durch noch geringere Geschwindigkeiten bis zur Punkt nähert, wobei festgestellt wurde, daß ein Größenordnung von 2,5 mm/Stunde verbessert, we- domänenwandfreier, ferroelektrischer Kristall in nigstens während des Hauptwachstums, bei dem der 5° 5 Minuten oder weniger bei Temperaturen in Höhe volle Durchmesser erreicht ist. Rotation des Kristalls von 1200° C erzeugt werden kann. Die Stromdichten oder Tiegels relativ zum Kristall verkleinert die können wie in der Praxis der Ausführungsform nach Wirkung eines etwaigen Temperaturgradienten an der Fig. 1 zwischen 0,5 mA/cm2 und etwa 50 mA/cm2 Peripherie des Kristalls und dient auch dem Rühren liegen. Noch höhere Stromdichten können ein noch der Schmelze. Wo eine solche Drehung benutzt wird, 55 schnelleres Polen bewirken, und da Joulesche Ersoll sie wünschenswerterweise mit einer Geschwindig- wärmung eintritt, sind die Nachteile eines überhöhten keit von wenigstens 5 Upm erfolgen. Stroms in der Ausführungsform nach F i g. 1 hier
Die Kristaliziehvorrichtung nach Fig. 1 ist ledig- nicht bedenklich.
lieh beispielhaft für die verschiedenen Typen von Bei einer Temperatur in Höhe von 1200° C ist
Apparaturen, die geeigneterweise für die Ausübung 60 der Widerstand von Lithiumniobat annähernd
der Erfindung benutzt werden. 140 Ohm/cm. Unter diesen Bedingungen entspricht
Es ist jegliche Apparatur geeignet, die Züchtung ein Strom im Bereich von 0,5 bis 50 mA/cm2 einem
aus einer Schmelze mit Keimkristall gestattet und Feld von 0,7 Volt/cm Länge bis zu 7 Volt/cm. Mit
dem Kristall relativ zur Schmelze ein Potential er- fallender Temperatur steigt der Widerstand steil an
teilt, das einem elektrischen Strom den Durchgang 65 und erreicht bei einer Temperatur von etwa 10000C
durch die Grenzfläche Fest—Flüssig erlaubt. Andere einen Wert von etwa 630 Ohm/cm, was einer FeId-
solche Apparaturen sind das Zonenschmelzen (sehr stärke entspricht, die etwa 4V2inaI so groß ist, wie
zweckmäßig in Form des Fließzonenschmelzens) das der bei 1200° C angezeigte Wert.
7 8
Die folgenden Beispiele sind ausgewählt, um Beispiel 2
einige der Bedingungen zu erläutern, die sich für die
Herstellung praktisch domänenwandfreie ferroelek- Der Arbeitsgang nach Beispiel 1 wurde wiederholt,
irische Lithiurnniobat-Kristalle ergeben haben. Die jedoch der Keimkristall um etwa 28° von der Herstellung der Kristalle als solche erfolgt nach an 5 c-Achse hinweg gegen die auf (21,0) senkrecht sich bekannten Verfahren wie z. B. dem Kristallzieh- stehende Richtung geneigt. Zusätzlich waren 0,12 g verfahren aus der Schmelze. Die erfindungsgemäß überschüssiges Lithiumcarbonat vorhanden, was hergestellten ferroelektrischen, kristallinen Körper 0,5 Atomprozent Lithium entspricht. Der fertige Krizeichnen sich allein schon durch ihre physikalischen stall von annähernd gleichen Abmessungen erwies und chemischen Eigenschaften wie z. B. durch ihre io sich über einen größeren Teil als praktisch domänenhohe Beständigkeit, vergleichsweise leichten Zucht- wandfrei.
barkeit, sowie dadurch, daß enge Fertigungstoleran- Beispiel 3
zen leicht eingehalten werden können.
Das Verfahren nach Beispiel 1 wurde wiederholt,
Beispiel 1 1S jedoch der Keimkristall so orientiert, daß das Wachs
tum praktisch in der α-Richtung erfolgte. Der fertige
Durch vorauf gehendes Sintern einer Mischung von Kristall erwies sich wieder im wesentlichen domänen-25 g Lithiumcarbonat und 90 g Niobiumoxyd wäh- wandfrei.
rend etwa 10 Stunden bei einer Temperatur von etwa Rpisnipl 4
10000C wurden 100 g Schmelzprodukt hergestellt. 20 ßeibpiei <*
Das gesinterte Erzeugnis wurde dann in einen Platin- Das Verfahren nach Beispiel 2 wurde wiederholt,
tiegel eingesetzt, wie etwa Tiegel 2 der in F i g. 1 ab- mit dem Unterschied, daß der Schmelze 0,5 Atomprogebildeten Apparatur. Der speziell verwendete Tiegel zent Molybdänoxyd, bezogen auf Niob, zugesetzt hatte 5 cm Höhe und 5 cm Innendurchmesser. Der wurden. Der fertige Kristall erwies sich als praktisch Inhalt wurde mittels einer Hochfrequenzspule ge- 25 domänenwandfrei.
schmolzen. Sowohl das Sintern als auch das Schmel- Beispiel 5
zen wurden in Luft durchgeführt und es wird für diese .
Zwecke als wünschenswert betrachtet, daß diese Das Verfahren nach Beispiel 4 wurde wiederholt,
Arbeitsgänge in sauerstoffhaltiger Atmosphäre durch- jedoch die Energiezufuhr so geregelt, daß sich ein geführt werden, um die Wahrscheinlichkeit von 30 Strom von 10 mA entsprechend einer Stromdichte Sauerstoffmangel im Endprodukt zu vermindern. Wie von 12,5mA/cm2 für den schließlich erhaltenen jedoch beobachtet wurde, kann die vermutete Fest- 1-cm-Kristall ergab. Das Endprodukt war praktisch stellung von Sauerstoffmangel bei etwaigem Auftreten domänenwandfrei.
durch eine anschließende, in diesem Beispiel beschrie- Beispiel 6
bene Behandlung beseitig werden. Ein Keimkristall 35
von etwa 12,7 mm Länge und 2,5 mm Durchmesser Das Verfahren nach Beispiel 1 wurde wiederholt,
mit annähernder Ausrichtung der c-Achse (c-Achse jedoch die Polarität des Stroms nach etwa halbem senkrecht) wurde mit der Schmelze in Berührung ge- Wachstum umgekehrt. Der fertige Kristall zeigte bei bracht und in dieser Stellung etwa 10 Minuten be- der Prüfung eine Domänenwand auf etwa halber lassen, um ihn in thermisches Gleichgewicht zu brin- 40 Länge und war praktisch zu beiden Seiten der Wand gen. Der Kristall wurde dann relativ zur Schmelze strukturfrei,
so geschaltet, daß sich ein Stromfluß von 2 mA ergab. g eispiel 7
Der Keimkristall wurde dann mit einer Geschwindig-
keit von 19 mm je Stunde unter Rotation mit etwa Das Verfahren nach Beispiel 1 wurde wiederholt,
100 Upm herausgezogen. Unter diesen Bedingungen 45 jedoch der Keimkristall mit einer Neigung von etwa erreichte die kristallisierende Substanz schnell einen 28° von der c-Achse hinweg auf die (zur Ebene) Durchmesser von etwa 1 cm, der praktisch während (21,0) senkrecht stehende Richtung hin orientiert und des Ziehens konstant blieb. Bei diesem Durchmesser 0,25 g Vanadinpentoxyd, V2O5, entsprechend 0,4 hatte die Stromdichte einen Wert von 2,5 mA/cm2. Atomprozent Vanadin, bezogen auf das vorhandene Eine Gesamtlänge von etwa 5 cm wurde gezogen. Das 50 Niob, zugesetzt. Der fertige Kristall erwies sich über Wachstum wurde beendet, indem die Temperatur der einen größeren Teil hinweg als praktisch domänen-Schmelze im Verlauf einer halben Stunde langsam er- wandfrei.
höht wurde, um das Wachstum zu verringern und BeisDiel 8
schließlich zu beenden, nach welcher Zeit der ge- "
züchtete Kristall aus der Züchtungsapparatur entfernt 55 Ein Lithiumniobatkristall, der auf Grund von wurde. Domänenwänden eine Struktur zeigte, der jedoch
Der Kristall wurde dann in Sauerstoff für eine Zeit- ohne Stromdurchgang durch die Grenzfläche nach spanne von 10 Stunden bei HOO0C angelassen, dem Verfahren des Beispiels 2 gezüchtet worden war, während welcher Zeit die als Zeichen von Sauerstoff- wurde in einem Rohrofen an Platin-Elektroden aufmangel angesehene schwache gelbliche Farbe aus- 60 gehängt, die ihrerseits an eine Energiequelle angebleichte, so daß ein wasserheller Kristall hinterblieb. schaltet wurden. Die benutzte Apparatur wird von Der Kristall wurde geschnitten und poliert, wie in Fig. 2 dargestellt. Es wurde ein Feld von 0,26 Applied Physics Letters, Bd. 6, S. 228 (1965), be- Volt/cm oder ein Gesamtfeld von 1,3 Volt für die beschrieben und mechanisch mit Tonerde von zuerst handelte Gesamtlänge von 5 cm aufrechterhalten, 0,3 anschließend 0,05 μ Korngröße poliert. Optische 65 während die Temperatur des Kristalls in etwa 10 Mi- und mikroskopische Prüfung zeigten Freiheit von nuten von etwa 1240° C auf etwa 1000° C sank. Wie Domänenwänden über einen größeren Teil des angegeben wurde, entspricht dies Feld einer Strom-Kristalls, dichte von etwa 1,4 mA/cm2 bei einer Kristalltempe-
9 10
ratur von etwa 12000C. Der Kristall erwies sich in Beispiel 14
einem größeren Teil als praktisch domänenwandfrei.
Die für 100 g stöchiometrisches Endprodukt benö-
Beispiel 9 tigten Ausgangsmengen LithiumkarbonatLiCO3 und
5 Niobpentoxyd Nb2O5 wurden in einem Mörser mit
Die Arbeitsweise des Beispiels 8 wurde wiederholt, Pistill 5 Minuten gemahlen. Die entstandene Pulver-
aber das Feld für eine Zeitspanne von 15 Minuten mischung wurde in einen Platintiegel gegeben und auf aufrechterhalten und der Kristall auf einer konstan- etwa 1000° C an der Luft erhitzt. Tiegel und Inhalt ten Temperatur von etwa 1200° C gehalten. Der wurden über Nacht auf dieser Temperatur gehalten, fertige Kristall zeigte sich praktisch domänenwandfrei. io wonach sie der Abkühlung überlassen wurden. Der
. . Inhalt wurde herausgenommen, gemahlen und ge-
Beispiel 10 brannt und wieder in der angegebenen Weise ge-
Die Arbeitsweise nach Beispiel 9 wurde wiederholt, mahlen. Die pulverisierte Mischung wurde zur An-
jedoch unter Verwendung eines in der c-Achse ge- fertigung von zwei Stäben 6,4 · 6,4 · 51 mm durch züchteten Kristalls. Der fertige Kristall war praktisch 15 Pressen bei 3515,5 kg/cm2 verwendet. Die Stäbe wur-
domänenwandfrei. den bei einer Temperatur von etwa 1000° C gebrannt
Beispiel 11 unc* **er Nacht auf dieser Temperatur belassen.
Ein solcher Stab wurde in einer Apparatur nach
Die Arbeitsweise nach Beispiel 9 wurde wieder- Fig. 2 vermittels aufgewickelter Platin-Elektroden, holt, jedoch der Kristall auf einer Temperatur von 20 ähnlich 22 und 23, gepolt. Die Temperatur des Muetwa 111O0C gehalten und ein Feld von 4VoIt über sters war etwa 1200°; der Polungsstrom war etwa 5 cm Länge für eine Zeitspanne von etwa 2V2 Stunden 20 mA; die Polungszeit war etwa 1 Stunde.
eingehalten. Der fertige Kristall war praktisch do- Die beiden Stabmuster, der gepolte und der nicht
mänenwandfrei. gepolte, wurden auf piezoelektrisches Verhalten in
Beispiel 12 25 emer Standardapparatur nach Giebe-Scheibe geprüft
und die Abgabe auf einem Oszillographen sichtbar
Das Verfahren des Beispiels 9 wurde wiederholt, gemacht. Das Anlegen identischer elektrischer Felder jedoch unter Verwendung eines aus emer 0,5 Atom- ergab ein starkes piezoelektrisches Echo, wie von der prozent Molybdän enthaltenden Schmelze gezüchte- Oszillographen-Spur für das gepolte Muster sichtbar ten Kristalls. Der fertige Kristall erwies sich in einem 30 gemacht wurde, und rief keine meßbare piezoelekgrößeren Teil als praktisch domänenwandfrei. irische Wirkung in dem nichtgepolten Muster hervor.
Die Erfindung ist überwiegend an Hand eines ein-
Beispiel 13 kristallinen Endprodukts beschrieben, dessen Form
von primärer Bedeutung für die Verwendung in Ge-
Das Verfahren nach Beispiel 9 wurde wiederholt, 35 raten ist, die bei optischen Frequenzen arbeiten. Beijedoch unter Verwendung eines Kristalls, der aus spiel 14 zeigt aber, daß auch gepreßte, polykristalline einer 0,5 Atomprozent Wolfram enthaltenden Körper gepolt werden können. So behandelte polySchmelze gezüchtet war. Der fertige Kristall erwies kristalline Elemente können in einem Temperatursich in einem größeren Teil als praktisch domänen- bereich bis zur Annäherung an den Curie-Punkt von wandfrei. 40 1210° C betrieben werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (2)

1 2 von der Größenordnung 105, ein Wert, der mit jenen Patentansprüche: des Yttriram-Eisengranats und Yttrium-Aluminium granats vergleichbar ist» die beide annähernd isotrop
1. Verfahren zum Polen eines ferroelektrischen sind.
kristallinen Körpers, bei dem ein elektrischer 5 Lithiumniobat ist ein wasserhelles Material, das im
Strom durch zumindest einen Teil des Körpers gesamten sichtbaren Spektrum und darüber hinaus
hindurchgeschickt wird, während dieser wenig- einschließlich der Bandbreite von 0,4 bis etwa 4,5 μ
stens während eines Teils der Strombehandlung transparent ist.
auf einer Temperatur in der Nähe seines Curie- Diese Eigenschaften haben ein intensives Studium
punktes gehalten wird, dadurch gekenn- io der Verwendung des Lithiumniobats in einer breiten
zeichnet, daß im Falle eines kristallinen Kör- Klasse von Geräten ausgelöst.
pers aus Lithiumniobat mit einer Temperatur von Es wurde beispielsweise gefunden, daß Lithium-
zumindest 1000° C gearbeitet wird. niobat eine Doppelbrechung besitzt, die größer als
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- seine Dispersion in einem bemerkenswerten Teil des kennzeichnet, daß mit einer Stromdichte von wenig- 15 optischen Bereichs ist und damit seine Verwendung stens 0,1 mA/cm2, vorzugsweise bei 0,5 mA/cm2, als phasenentsprechendes optisches Umwandlungsgearbeitet wird. material (Harmonischer Generator, Parametrischer
Verstärker usw.) gestattet. Man sehe beispielsweise Applied Physics Letters, Bd. 5, S. 234 bis 236 (1964),
ao und Physical Review Letters, Bd. 14, S. 973 (1965),
~~ ein. Viele andere Geräte, die die obigen Eigenschaf
ten verwerten, befinden sich nun in der Prüfung. A
Die Geschichte des Lithiumniobats begann 1949 in fl Physical Review, Bd. 76, S. 1886, als die Autoren
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Polen 25 dieses Aufsatzes,Bernd T. Matthias und Josef P. eines ferroelektrischen kristallinen Körpers, bei dem Remeika, über spontan gebildete, aus der ein elektrischer Strom durch zumindest einen Teil des Schmelze gezüchtete Kristalle berichteten. Dieser Körpers hindurchgeschickt wird, während dieser we- Aufsatz enthält die erste bekannte Bezugnahme auf nigstens während eines Teils der Strombehandlung die möglichen ferroelektrischen Eigenschaften des auf einer Temperatur in der Nähe seines Curiepunktes 30 Lithiumniobats. Die Autoren berichten hier über das gehalten wird. Auffinden eines starken ferroelektrischen Effektes in
In letzter Zeit hat jene Forschungs- und Entwick- Lithiumtantalat und Lithiumniobat In einer Abbillungsarbeit starke Fortschritte gemacht, die sich mit dung wird die Abhängigkeit der Sättigungs-Polarisa-Stoffen für Schaltungselemente befaßt, deren Funk- tion von der Temperatur für das Tantalat gezeigt. Es tionen von der Piezoelektrizität, der Ferroelektrizität 35 findet sich die Feststellung, daß ein ähnlicher Effekt und den verschiedenen Wechselwirkungen dieser für das Niobat festgestellt werden könnte, jedoch bei Eigenschaften mit elektromagnetischen und elasti- höherer Temperatur.
sehen Schwingungen abhängen. Noch vor wenigen Es findet sich eine Reihe von Veröffentlichungen,
Jahren wurde die Materialgruppe, die eine dieser die auf dem erwähnten Aufsatz von Matthias und Eigenschaften zeigt, vom Quarz, Bariumtitanat und 4° Remeika beruhen und Lithiumtantalat und -niobat wenigen wasserlöslichen Substanzen beherrscht, die als gleichwertig im ferroelektrischen Sinne behandeln, während der kriegsbedingten Quarzknappheit ent- Dennoch blieben die vermuteten ferroelektrischen wickelt worden waren. In jüngster Zeit sind indessen Eigenschaften von Lithiumniobat in der Fachwelt eine Anzahl kristalliner Materialien gefunden wor- stark umstritten, da eine Hysteresisschleife bei M den, deren Eigenschaften denen des Quarzes über- 45 Lithiumniobat experimentell nicht nachweisbar war. ™ legen sind, beispielsweise die Wurtzite, das Zinkoxyd Das Fehlen einer Hysteresisschleife und der damit und das Cadmiumsurfid. Insbesondere besitzen be- verwandten Eigenschaften, beispielsweise die Existenz stimmte Lithiumkristalle, wie das Lithiummetagallat eines Curiepunktes, wurde als Grund dafür angeseelektromechanische Kopplungskoeffizienten von der hen, daß ein Polen dieses Materials unmöglich sei. drei- bis vierfachen Größe der bei Quarz erzielbaren 50 Unter Polen wird dasjenige Verfahren verstanden, bei Werte. Einige der aufgefundenen Materialien besitzen dem ein elektrisches Feld an ein ferroelektrisches ferner hohe elektrische, elastische Werte von Q und Material angelegt wird, um die Dipole des Materials gestatten daher ihre Verwendung in vorgeschlagenen auszurichten, d. h., das Material von einem Vielbe-Geräten, die auf der Wechselwirkung piezoelektrischer zirkszustand in einen Einbezirkszustand überzufüh-Eigenschaften mit Wellenbewegungen beruhen. 55 ren.
Während der letzten Jahre befaßte sich eine gestei- Bei einem bekannten Polungsverfahren (schwedi-
gerte Aktivität mit noch einem anderen piezoelektri- sehe Patentschrift 159 871), das auf Bariumtitanat sehen Material. Dieses Material, Lithiumniobat, angewandt wird, wird das Polen knapp unterhalb des LiNbO3, ist in mancher Hinsicht einer der interessan- Curiepunktes durchgeführt, da man in diesem Temtesten piezoelektrischen Einkristalle. Es ist bereits be- 60 peraturbereich mit geringeren elektrischen Polungskannt, daß Lithiumniobat einen elektromechanischen feldstärken auskommt.
Kupplungskoeffizienten in Höhe von 50% hat und Es war der Fachwelt ferner bekannt (deutsche Pa-
damit einen Umwandlungs-Wirkungsgrad in einem tentschrift 959 479; USA.-Patentschrift 2 842 467), einkristallinen Stoff äußert, der erstmalig mit den bei der Herstellung von kristallinen Halbleitermatebesten verfügbaren Werten keramischer ferroelektri- 65 rialien während des Ziehens der Kristalle aus der scher Stoffe vergleichbar ist, die jetzt in Transdukto- Schmelze einen elektrischen Strom durch die Grenzren Verwendung finden. Die an Lebensdauerver- fläche Fest—Flüssigkeit zu schicken. Hierdurch soll suchen bei 500 Megahertz bestimmten ß-Werte sind indessen keine Polarisation der ohnehin nicht ferro-
DE19661667866 1965-07-12 1966-07-08 Verfahren zum polen eines ferroelektrischen kristallinen koerpers Withdrawn DE1667866B1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US47124065A 1965-07-12 1965-07-12
US516357A US3346344A (en) 1965-07-12 1965-12-27 Growth of lithium niobate crystals

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1667866B1 true DE1667866B1 (de) 1972-03-23

Family

ID=27043367

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19661667866 Withdrawn DE1667866B1 (de) 1965-07-12 1966-07-08 Verfahren zum polen eines ferroelektrischen kristallinen koerpers

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3346344A (de)
JP (1) JPS5340719B1 (de)
BE (1) BE683386A (de)
DE (1) DE1667866B1 (de)
GB (2) GB1149492A (de)
NL (1) NL149090B (de)
SE (1) SE332136B (de)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3446603A (en) * 1965-07-12 1969-05-27 Bell Telephone Labor Inc Growth of lithium niobate crystals
US3418086A (en) * 1966-06-20 1968-12-24 Bell Telephone Labor Inc Lithium meta-niobate crystalline growth from melt containing magnesium oxide
US3428438A (en) * 1966-11-14 1969-02-18 Hughes Aircraft Co Potassium tantalate niobate crystal growth from a melt
US3528765A (en) * 1967-06-08 1970-09-15 Union Carbide Corp Lithium niobate crystals having elevated phase matching temperatures and method therefor
US3653814A (en) * 1970-08-03 1972-04-04 Bell Telephone Labor Inc Technique for the growth of single crystal lead molybdate
US4045278A (en) * 1973-11-22 1977-08-30 Siemens Aktiengesellschaft Method and apparatus for floating melt zone of semiconductor crystal rods
US4001076A (en) * 1974-12-11 1977-01-04 Gte Laboratories Incorporated Method for growing thin epitaxial layers of a non-linear, optically active material
DE2624357A1 (de) * 1975-06-11 1976-12-23 Commissariat Energie Atomique Verfahren und vorrichtung zum messen und regeln der erstarrung eines fluessig/ fest-zweiphasensystems
US3980438A (en) * 1975-08-28 1976-09-14 Arthur D. Little, Inc. Apparatus for forming semiconductor crystals of essentially uniform diameter
JPS5264698A (en) * 1975-11-22 1977-05-28 Fujitsu Ltd Process for treating single area
US4330359A (en) * 1981-02-10 1982-05-18 Lovelace Alan M Administrator Electromigration process for the purification of molten silicon during crystal growth
FR2526449B1 (fr) * 1982-05-04 1985-07-05 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de fabrication d'un monocristal, exempt de toute contrainte, d'un compose ferroelectrique a structure cristalline
WO1989001914A1 (en) * 1987-08-27 1989-03-09 Hughes Aircraft Company PROCESS FOR PURIFYING (Nb1-xTax)2O5 AND THE PREPARATION OF KNb1-xTaxO3-CRYSTALS THEREFROM
JP2004256388A (ja) 2003-02-18 2004-09-16 Carl-Zeiss-Stiftung 六方晶系単結晶の成長方法及び同単結晶の半導体素子用基板としての利用
DE10306801A1 (de) * 2003-02-18 2004-09-02 Schott Glas Verfahren zur Herstellung von hexagonalen Einkristallen und deren Verwendung als Substrat für Halbleiterbauelemente
DE102004002109A1 (de) * 2004-01-14 2005-08-11 Deutsche Telekom Ag Behandlung von Kristallen zur Vermeidung lichtinduzierter Änderungen des Brechungsindex
US8261690B2 (en) * 2006-07-14 2012-09-11 Georgia Tech Research Corporation In-situ flux measurement devices, methods, and systems
CN105624790A (zh) 2016-03-01 2016-06-01 南开大学 铋镁双掺铌酸锂晶体
CN114773058B (zh) * 2022-03-24 2023-06-20 华南理工大学 一种负离子功能材料及其制备方法和应用

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE959479C (de) * 1952-09-23 1957-03-07 Siemens Ag Verfahren zum Ziehen von Halbleiterkristallen aus einer Schmelze fuer elektrisch unsymmetrisch leitende Systeme mit oertlich verschieden grosser Stoerstellenkonzentration
US2842467A (en) * 1954-04-28 1958-07-08 Ibm Method of growing semi-conductors

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2702427A (en) * 1948-03-13 1955-02-22 Roberts Shepard Method of making electromechanically sensitive material
US2706326A (en) * 1952-04-23 1955-04-19 Bell Telephone Labor Inc Polarization process for pseudocubic ferroelectrics
US2983988A (en) * 1953-06-16 1961-05-16 Honeywell Regulator Co Method of polarizing transducers
US2777188A (en) * 1954-12-21 1957-01-15 Bell Telephone Labor Inc Method and apparatus for processing ferroelectric crystal elements
US2758008A (en) * 1955-03-24 1956-08-07 Ibm Process of preparing pure alkali metal niobate
US3283164A (en) * 1963-12-19 1966-11-01 Bell Telephone Labor Inc Devices utilizing lithium meta-gallate

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE959479C (de) * 1952-09-23 1957-03-07 Siemens Ag Verfahren zum Ziehen von Halbleiterkristallen aus einer Schmelze fuer elektrisch unsymmetrisch leitende Systeme mit oertlich verschieden grosser Stoerstellenkonzentration
US2842467A (en) * 1954-04-28 1958-07-08 Ibm Method of growing semi-conductors

Also Published As

Publication number Publication date
BE683386A (de) 1966-12-01
US3346344A (en) 1967-10-10
GB1172980A (en) 1969-12-03
JPS5340719B1 (de) 1978-10-28
GB1149492A (en) 1969-04-23
NL6609451A (de) 1967-01-13
SE332136B (de) 1971-01-25
NL149090B (nl) 1976-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1667866B1 (de) Verfahren zum polen eines ferroelektrischen kristallinen koerpers
DE69819971T2 (de) Vorbehandelte Kristalle aus Lithiumniobat und Lithiumtantalat und das Verfahren zu ihrer Herstellung
DE112010002019B4 (de) Multiferroische Nanobereich-Dünnschichtmaterialien, Speichervorrichtungen mit den multiferroischen Dünnschichtmaterialien und Verfahren zu ihrer einfachen synthetischen Herstellung und magnetischen Kopplung bei Raumtemperatur
DE1034772B (de) Verfahren zum Ziehen von spannungsfreien Einkristallen fast konstanter Aktivatorkonzentration aus einer Halbleiterschmelze
DE112009000328B4 (de) Verfahren zum Aufwachsen eines Siliziumcarbideinkristalls
CH425922A (de) Elektrisches Bauelement mit einem Festkörper, dessen thermomagnetische Eigenschaften ausgenutzt werden
DE1764651C3 (de) Vorrichtung zur elektrooptischen Modulation oder nichtlinearen Frequenzänderung von kohärentem Licht durch Phasenanpassung
DE69933017T2 (de) WELLENLÄNGENUMWANDLUNGSKRISTALL, VERFAHREN und Gerät ZUR ERZEUGUNG VON LASERSTRAHLEN
DE1544338A1 (de) Zuechtung von Lithiumniobat-Kristallen
DE3111657C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Magnetschichten auf Substraten mit Granatstruktur
DE2726744C3 (de) Einkristallines Substrat aus Calcium-Gallium-Granat sowie mit diesem hergestellte magnetische Blasendomänenanordnung
DE2113373A1 (de) Elektro-optischer Modulator
DE1667866C (de) Verfahren zum Polen eines ferroelektrischen kristallinen Körpers
DE2346399A1 (de) Verfahren zum zuechten von epitaxialschichten
DE1519868A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Faserstruktur in einem Halblerterkorper
WO2022028800A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum züchten eines seltenerd-sesquioxid-kristalls
DE2447509A1 (de) Magnetischer blasenspeicher und granatschichten fuer blasenspeicher
EP0023063A1 (de) Einkristall auf der Basis von Seltenerdmetall-Gallium-Granat und magnetische Dünnschichtanordnung mit einem monokristallinen Granat-Substrat
DE2508651C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines ununterbrochenen kristallinen Bandes
DE2405912C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Einkristallen
DE69938406T2 (de) Supraleiter mit hohem remanentem Feld
DE3107635A1 (de) Kristallischer koerper aus quecksilber (ii)-iodid fuer einen strahlungsdetektor und verfahren zur herstellung eines solchen koerpers
DE1619953A1 (de) Verfahren zur Zuechtung grosser Einkristalle,enthaltend Niob oder Tantal
DE2518667C3 (de) Kopplungselement für eine Vorrichtung zur Umwandlung einer elektrischen Größe in eine magnetische Größe
DE2625535A1 (de) Ferroelektrische keramische materialien

Legal Events

Date Code Title Description
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
8339 Ceased/non-payment of the annual fee