DE1622365A1 - Xerographische Bildplatte - Google Patents
Xerographische BildplatteInfo
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Description
Patentanwälte Dipl.-Ing. E Weickmann, Dr. Ing. A.Weickmann
DiPL.-InG. H.WeICKMANN, DiPL.-PhyS. Dr. K. FlNCKE
Dipl.-Ing. F. A.Weickmann, Dipl.-Chem. B. Huber
IiAMKXEROXLIMIl1ED
Rank Xerox House
338, Euston Road . ;
■:1t ο η d ο η , 'N.W.1 ■'■':..-. '.■-.'■■'
England
England
Die Erfindung bezieht sich auf die Xerographie, insbesondere
auf eine neuartige photoleitfähige Stoff zusammensetzung..
In der-xerographischen Technik wird ein elektrostatisches latentes Bild auf einer Bildplatte erzeugt, die aus einer leitfeinen
Unterlage, beispielsv^ise -einer Metallfläche besteht
und Kit einer photoleitf eiligen Isolierstoff schicht versehen ist.
Eine derartige Platte ist beispielsweise aus Metall mit einem überzug aus glasförmigem Selen gebildet. Mit ihr ist es möglich.,
eine elektrostatische Ladung aufzunehmen und zu speichern und diese bei Belichtung iöit einem Strahlungsmuster aktivierender
Strahlung selektiv abzuleiten. Das auf diese Weise erzeugte latente elektrostatisohe Bild kann entwickelt und
^™ t_ ^^
sichtbar gemacht werden, indem fein verteilte elektrosköpische
Zeichenteilchen auf die Oberfläche der photoleitfähigen
Schicht aufgebracht werden.
Glasförmiges Selen ist zwar in den meisten Fällen zu einem
in der kommerziellen Xerographie verwendeten Standardstoff
geworden, jedoch können viele seiner Eigenschaften durch die
Beigabe von Legierungseleinenten verbessert werden,,beispielsweise das Empfindlichkeitsspektruia, die Lichtempfindlichkeit,
die thermische Stabilität usw. In den US-Patentschriften 2 5^2 und 2 822 500 sind die Vorteile der Beeinflussung glasförmigen
Selens durch die Zugabe geeigneter Lengen von Arsen beschrieben, durch die das Empfindlichkeitsspektrum verbreitert,
die gesamte piiotographische Empfindlichkeit erhöht und
die thermische Stabilität der\phoroleitfähigen Schicht verbessert wird. .·■"'-.""
Wie in der US-Patentschrift- 2 297 .691 beschrieben ist, sind
typische photoieitfähige*Isolierstoffe Schwefel, Anthracen,
Anthrachinon und geschraoisene Lischungen von Schv/efel und Selen,
in denen der Schv/exel der. größeren Anteil bildet. V/Qirend die
vorstehend genannten photoleitfähigen Stoffe in der kommerziellen
Xerographie"weitgehend durch glasförmiges Selen ersetzt,
wurden., weist dieses & doch einige Mächt eile auf. Hei der Anwendung
auf flexiblen Bändern zeigt glasförmiges Selen die Eigenschaft,
wahrend der zahlreichen Biegungen bei der Bandführung
zu springen oder abzublättern. Zur, Vermeidung dieser Erscheinungen ist es erforderlich, basortdere nicht phouoleitfähip;e
Zwischenschichten und KlBbstofwfBi-vox-zusehen, die das Selen
gegenüber den Spannungen und Belastungen auf einem flexiblen
Band widerstandsfähig machen» Die Verwendung eines Ehotolei*-*
ters, der auch über längere Seit hinaus gegenüber Biegebeanspruchungen
vrider stands fähig ist ohne mi^ Ihm unverträgliche
Unterlagenoder Klebstoffe zu benötigen, würde die Herstellung
photoleitfähiger Bänder weitgehend vereinfachen und wirtschaftliher
gestalten* ,Ferner würde eine photöleltfähige Zwischenschicht
mit hoher Flexibilität günstige physikalische und photoleitfähige
Eigenschaften aufweisen, wobei sich der weitere
Rachteil ergäbe, daß diese Zwischenschicht und auch iiie eigentliche photoleitfähige Schicht durch icontinulerllche Verdampfunf;
ohne Unterbrechung des Vakuums gebildet werden körmten.
Die Verwendung von Schwefel zusammen mit Selen ist bereits durch
die letztgenannte Patentschrift bekannt, ferner sinä in den US-Patentschriften
2 662 852» 2 844 495» "2 öHS- 5^3 und; 2 365 76-verschiedene
Kombinationen von Scliviefel, Arseft und Selen beschrieben,
die als Photoleiuer verwendet oder vorgeschlagen sind.
In den genannten Veröffentlichungen ist jedoch nicht ausgeführt, daß durch Verwendung kritischer Anteile der vorstehend ^enann^en
Elemente ein Photoleiter freschaffen wird, der annehisbare xerographische
EIgenschaf"cen in Verbindung; mix auiiergev/öhnlicher
physikalischer Flexibilität zur Vertceaäuiis a-ui einen Band, einer
■2rommel oder einem Streifen, beslust. und swar enuweder'als
flexible ivrlschenflache In liosibinärlon mi" eir^ei^ weniger i:_er:Iclen
photoleitfähl^en Stoff oder, als PbOOclelter selbsu. " . :
Bekanntlich.ergibt sich dutch die Zueate von Beto'eiei ζλι Sei ereine
glasige Legierung,, die:~ xmn±r:s~? spröde als "Seies;ist.. Es
' V "BAD
wurde bereits gezeigt, daß Schwefelbeigaben bis zu ca. 30 At
und mehr Legierungen ergeben, die eine Glasübergangstemperatur bei oder unter Zimmertemperatur haben. Die Glasübergangstemperatur
(Tg) ist diejenige (Temperatur, bei der ein harter, spröder,,· glasbildender Stoff in einen viskosen, flexiblen, gummiähnlichen
Zustand übergeht, in dem er fließen kann. Der Vorteil von Schwefel-Selenmischungen liegt nicht in erster Linie in
den xerographischen, sondern in den mechanischen Eigenschaften.
Es ist somit möglich, photoleitfähige Stoff zusammensetzungen
mit Temperaturen Tg na-he oder unter Zimmertemperatur zu bilden.
Diese Stoffe' kernen zur Erzeugung flexibler photoleitfählger ItPiI-:.
me_mit ausgezeichneter Haftkraft an Unterlagen sowie glatten
Oberflächen verdampft werden. Die xerographische Verwendung
von Schwefel-Setomischungen wurde bereits vorgeschlagen, wobei
in einem ir-alle. (Kanadische Patentschrift ?12 992) 10 bis 4-0 At#
Schwefel genannt sind. Ein starker llachteil dieser Mischungen
ist jedoch dadurch gegeben, daß bei allen Schwefel-Selenzusammen-Setzungen
gegenüber reinem Selen eine geringere Stabilität im Hinblick auf Entglasung oder Kristallisation durch Erhitzung
gegeoen ist.
Die Erfindung sieht nun eine flexible, thermisch stabile photoleiöfähige
Stoffzusammensetzung vor, die aus Arsen, Schwefel
und Selen bestellt. Diese Legierung kann In einer ähnlichen Weise
wie die photoleitfähigen Legierungen aus Arsen und Selen hergestellt
werden., wie In den US-Patent schrift en 2 803 54-2 und
2 622 300 sowie in der deutschen Paten-aanmelaung R 4-6 503 lXa/57e
beschrieben 1st-, . '
0O98AA/1428 - 5-
■■■■'■■'. /BAD -OKOINAL"
Durch -die Erfindung werden Arsen-Schwefel-Selenlegierungen
geschaffen, die eine für die Flexibilität geeignete Glasübergangstemperatur
besitzen, jedoch auch ausreichende-Anteile
Arsen erhalten, um gegenüber Kristallisation durch Erhitzung "
stabil zu bleiben. Die gemäß der Erfindung gebildeten Stoffzusammensetzungen
werden nach der !Temperatur Tg im Hinblick
auf die geeigneten mechanischen Eigenschaften ausgewählt. Die Vorteile der verbesserten phötoleitfähigen Arsen-Schwefel-Selenmischung
gehen aus der folgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen der Erfindung·an Hand der Figuren hervor. Es zeigen:
Fig.1 ein ternäres Diagramm für Arsen-Schwefel-Selenzusämmen-Setzungen,
und
Pig.2 eine graphische Darstellung des Zusammenhanges der Temperatur
Tg und verschiedener prozentualer Anteile von Arsen bei einem
bestimmten Verhältnis von Selen zu Schwefel.
In ii'ig. 1 ist ein ternäres-Diagamm dargestellt, welches verschiedene
Zusammensetzungen Arsen-Selen-Schwefel zeigt. Derjenige Teil dies Diagramms, der einen viskosen, flexiblen, gummiarti-5en
Stoff mit einer günstig'niedrigen Gläsübergangstemperatur
enthält, ist die Fläche 1—2—3-4-5-6·- Diese Stoff zusammensetzung
enthält ca. 0,5 bis 10 At# Arsen, ca« 90 bis 10 At$ Schwefel
und ca. 10 bis 90 At^ Selen. Die Glasübergangstemperatur für .derartige Legierungen l-i.ögt zwischen ca. 40° G und ca. D0 C.
Eine spezielle Anweddung der Erfindung ist in Fig..2." dargestellt,
die in graphischer DarstellungdenZusammenhang zwischen der
Temperatur Tg und verschiedenen Anteilen Arsen bei einem kon-
Q: 9 $844/14 2 g bad orksinäl
■■■.-■■ .:■"■' '. -'. '"■ - 6 -
stauten Atomverhältnis von Schwefel zu Selen von 1 : 1 zeigt.
Wie aus der Kurve hervorgeht, steigt die Temperatur Tg bei
steigenden Arsenanteilen an, wobei sie bei ca. 20 At# Arsen
über 100° C steigt. Mir dieses Verhältnis von Schwefel zu
Selen-, wird also bei relativ geringen Prozentwerten Arsen ein günstiger Wert.der Temperatur Tg erreicht, der gewährleistet,
daß während üblicher Betriebsbedingungen, wie z.B. Zimmer- ·
temperatur, die erfindungsgemäße Stoffzusainmensetzung ihren "
gummiartigen Zustand beibehält. Wie aus Fig.2 hervorgeht, liegt
ein Bereich günstiger mechanischer Eigenschaften der dargestellten Stof!Zusammensetzung auf der durch die bei 40° C verlaufende
gestrichelte Linie begrenzten iTi'che. üieser Bereich gilt für
Arsenanteile bis zu ca. 6 At#. S1Ur eine derartig bemessene Stoffzusammensetzung
erhält man also eine Temperatur Tg von 40 G
oder weniger. Dies bedeutet, daß unter Beibehaltung einer Temperatur,
von mindestens bis zu 40 C eine Stoffzusammensetzung
mit 6 °/o Arsen im gummiartigen Zustand bleibt und nicht einen :
■glasigen oder spröden Sustand annimmt, der sie als Zwlsehenflache
oder flexible photoleitfähige Schicht ungeeignet machen würde.
Wird der Arsenanteil auf 2 At£>
verringert;, so mu3 die Tenperatur
lediglich über 20° G, also dem viert Tg für 2 itjä Arsen, gehalten
vrerden. - ■''
Die erfindungsgemäßen Arsen-Schwefel-Selenlerrierurfg-en können
nach jedem geeigneten Verfahren hergestellt werden, liormalerweise
wird vor der Bildimg dear endgültigen Legierung zunächst
eine vorreagierte Legierung der aestandteile erzeugt. Me λ:ι-fangslegierungen
v/erden durch Wiegen des elementaren Arsens,
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Schwefels und Selens sowie deren ValmumabsehliiS in einer
Silikaglasampulle gebildet» Die Stoffe werden 24 Stunden-lang
auf ca. 500 bis 600° 0 gehalten und dann auf Zimmertemperatur
abgekühlt. Abhängig von der Zusammensetzung ist die abgekühlte.
Legierung völlig polykristallin, eine Mischung kristalliner.
und amorpher Phasen oder völlig ■· amorph». DieVorreaktionder Legierungen vor der Verdampfung wird der einfachen Aufdampfung
einer nicht reagierten Mischung der elementaren Bestandteile
vorgezogen, da sich damit Selenverbindungen ergeben., die günstigere Dampfdruckwerte als elementare Bestandteile aufweisen.
Die vorstehend genannte Legierung wird in einer Kugelmühle
auf eine kleine Teilchengröße von weniger als ca. 1 mm Durch-.
messer gebracht, bevor die Verdampfung; durchgeführt wird.
Ein typisches^Verfahren zur Zubereitung der Legierung ist die
Vakuumauf dampf ung, bei der der geeignete Anteil eines ν tteden
Bestandteils in Itorm einer vorreagierteii Legierung in einen
flachen erhitzten Schmelztiegel gegebenwird, der sich in,
einer Vakuuäikanimer bei einem Bracii von ca, ΊΟ ; bis :"10 mm
Quecksilbersäule befindet. Der Sciisielz-tie^el kanii aus einem :"■
neutralen Stoif viie Quarz, Molyba^ji oder einem keraiaiscii ausgekleideten
He tall bestehen. Die Arsen-Sciiwef el-Selenlefcierunr
wird auf einer 'Temperatur gehalten, die die Erseugang einer'
ausreichenäen Dampf menge zur AbJ.a:~eruns; in einer ar-neniessener!
Seit gewährleistete Beispielsweise bildet eine Legierun.™ aus
1 At^ Arsen, 24 Ätjfe Schvief el und 75 A,t^' Selen bei i; bis 3-ε tundiger
Erhitzung auf ca. 4J0 bis 500° C eine Schicht von ca.
10 bis 40 Ivikron Stärke» ■■-.. . ; -.-
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Oberhalb des erhitzten Schmelztiegels wird" eine Unterlage angeordnet,
Ihre Temperatur beträgt ca* 50 bis 80° G, wobei dieser
Wert durch Haltung der Unterlage an einer wassergekühlten
■ - ί
Platte beibehalte η wird.
Ein anderes typisches Verfahren besteht in der Entspannungsverdampfung bei Vakuum mit den genannten Druckwerten, wobei die
ausgewählte ternäre Legierungszusammensetzung von Arsen, Schwefel und Selen mit einer Teilchengröße von weniger als 1 Mikron ■
in einen erhitzten, neutralen Schmelztiegel getropft wird, der
auf einer Temperatur von ca. 400 bis 600° C gehalten wird* Die
Legierung wird so.schnell eingetropft, daß sich keine flüssige
Schmelze ansammelt und damit das Problem der fraktionellen Verdampfung
vermieden wird. Der von der erhitzten Mischung gebildete Dampf schlägt sich oberhalb des Schmelztiegels auf der Unterlage
nieder. Diese befindet sich auf einer Tmperatur von ca. 50 bis
80° G, Dieses Verfahren wird so-lange fortgesetzt, bis sich auf
der Unterlage eine Legierungsschicht der gewünschten Stärke gebildet
hat.
• ■ - -
Die erfindungsgemäßen Legierungen können auf Jeder geeigneten Unterlageleitfähiger oder isolierender Art gebildet werden.
Leitfähige unterlagen sind . ' Metallplatten aus Messing, Aluminium,
GoIq, Platin, Stahl o.a. Sie können jede geeignete Stärke
haben, starr oder flexibel sein, die Form eines Blattes,
Bandes, Z-ylinders o.a. haben und mit einer dünnen Schicht eines
Plastikstoffes überzogen sein. Ferner können auch Stoffe wie ■
metallisiertes Papier, Plastikblätter, und zwar mit oder ohne
QQ98U/H28 · - 9 -
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' - 9> / V622365
einen dünnen Überzug aus Aluminiumjοdid, oder mit einer dünnen
Schicht Chrom oder Zinnoxid überzogenes Glas verwendet.werden.
In bestimmten Fällen kann sogar auf die Unterlage verzichtet
werden, wenn die photoleitfähige Schicht gebildet wurde. Die
Stärke der aus der erfindungsgemäßen Zusammensetzung gebildeten,
photoleitfähigen Schicht ist nicht, kritisch. Sie liegt zwischen
ca» 0,1 und 300 Mikron oder mehr, jedoch für die meisten üblichen
Anwendungsfälle im allgemeinen zwischen ca. 20"und 80. Mikron.
Wird sie als flexible Zwischenfläche verwendet, so ist die erfindungsgemäße
Stoffzusammensetzung normalerweise wesentlich
dünner als die photoleitfähige Schicht und liegt zwischen ca.
0,1 und 3 Mikron. Im allgemeinen haben Platten aus Arsen, Schwefel
und Selen eine etwas geringere xerographische Entlädungsgeschwindigkeit
als Selen, jedoch eine außergewöhnlich gute Haftkraft oder flexible ·Eigenschaften, die sie für xerographische
Zwecke und die Anwendung auf flexiblen Bändern als vorzüglich
geeignet erscheinen lassen.
Bei der VerWendung als Zwischenschicht kann jede geeignete photoleitfähige
Schicht auf der aus Arsen, Schwefel und Selen bestehenden Zwischenschicht gebildet werden. Ferner können zwei
oder mehr photoleitfähige Schichten mit verschiedenen Photoleitfähigkeitseigenschaften
vorgesehen sein. lypische Photoleiter sind glasförmiges Selen, glasfarmiges Selen in legierung mit anderen
Anteilen wie Arsen, Antimon, Wismuth, Tellur und deren ·
Mischungen,. Falls erwünscht, können diese Photoleiter mit geeigneten
Zusätzen wie Jod, Chlor, BiOm usw.■in Anteilen von ca.
10~ bis 1 % dotiert sein, um ihre Eigenschaften zu verbessern.
Eine einzigartige Eigenschaft der erfindungsgemäßen Stoffzusammen-
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BAD ORiGlMAL -
setzung besteht darin, daß bei Verwendung als Zwischenschicht
ähnlich wie bei einer Epoxydzwischenschicht der Vorteil eines flexiblen Stoffes auf Selenbasis gegeben ist, der durch kontinuierliche
Auf dampf ung ohne Unterbrechung des Vakuumzustandes, gebildet wird. Es sei bemerkt, daß auch die organischen Photo
leiter zusammen mit einer Zwischenschicht aus Arsen, Schwefel und Selen verwendet werden können.
Die folgenden Beispiele dienen der weiteren spezieilen Erläuterung
der vorliegenden Erfindung im Hinblick auf die Herstellung einer lichtempfindlichen Platte mit einer Arsen-Schwefel-Selenlegierung
und stellen verschiedene vorzugsweise Ausführungsbeispiele hierzu dar.
Eine Mischung von 1 At^ Arsen (1,2 Gew.#), 24- At^ Schwefel
(11,5 Gew,#) und 75 At# Selen (8?,4- Gew ■..#) v/ird in einer
Quarzphiole unter Abschluß gebracht und 24- Stunden lang in
einem Schaukelofen auf 500° C gehalten, wonach eine Abkühlung auf Zimmertemperatur vorgenommen wird. Die erhaltene homogene
Legierung v/ird dann aus der Quarzphiole entnommen. Sie wird in
einer Kugelmühle auf eine Teilchengröße von weniger als ca. 1 mm Durchmesser gebracht und in einem Silikaglas-Schmelztiegel
inline Vakuumkammer eingegeben. Eine saubere Aluminiumplatte wird innerhalb der Vakuumkammer auf einer wassergekühlten Platte ca. 30 cm oberhalb des Schmelztiegels angeordnet und auf
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- 11 BAD ORiGiNAL
einer Temperatur von ca* 70° G gehalten« Der Schmelztiegel
ist mit »einem spiralförmigen Widerstandsheizer umgeben, dej?
eine Temperatur aron 5OQ O wahrend der Verdampfung erzeugt.
Die Valcuümlsammer wird dann auf einen Druck von ca» 10 ^ min
Quecksilbersäule gebracht. Die !legierung wird mit" kontrollierter Geschwindigkeit aus einem (gleichfalls innerhalb der Vakuumkammer angeordneten) mit veränderlicher Geschwindigkeit
vibrierenden Trichter, der- mit einer wenige Zentimeter über
dem 'Schmelztiegel angeordneten Schutte verbunden ist* in den
erhitzten Schmelztiegel eingegeben. Die Verdampfung wird"ca.
2 Stunden lang fortgesetzt t wonach sich eine 40 Mikron starke Schicht einer flexiblen Arsen«-Schwefel-Selenlegierung auf
der Aluminiümunterlage gebildet hat. Der Schmelztiegel wird
dann auf Zimmertemperatur abgekühlt, der Unterdruck beseiigt
und d|.e mit der Legierung überzogene Äluraihiumplätte aus der
Vakuumkammer entnommen. .
Die.Platte aus Beispiel I wird-dann folgendermaßen mit einem
xerographischen Bild versehen: Die Platte wird durch Koronaladung auf eine positive Spannung von ca. 600 Volt gebracht
und zur Erzeugung eines latenten elektrostatischen Bildes auf
ihrer Oberfläche ca, 1/2 Sekunde lang- aus einem Abstand von
ca. 40 cm mit einer grünen fluoresEierenden Iiampe beXichtet.
Das latente Bild \iira dann durcii; ICaskacLiarung eines· ■■elek-tro-
skopischen Seiehennaterials über die Bildflache .entwickelt. Das
entwickelte Bild wird auf ■-ein,-Blatt Papier -übertragen und. auf
"diesem: durch Einscimelsurii™ fixiert. Kit diesem Y-erfaliren· err-ibt
sich eine misreseiciinete - HeproCvUrcion des Oriijis&rbildes.
84 4
BAD
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162238 5
Nach dem in Beispiel I beschriebenen Verfahren wird eine homogene,
vorreagierte Legierung aus 3 At^ Arsen (4-1 Gew.#), 50 At#
Schwefel (28,9 Gew.^) und 4-7 At# Selen (67*1' Gew.#) hergestellt*
Eine zweite vorreagierte Legierung von ca. 18 (fer.# Arsen und
82 Gew.# "Selen wird gleichfalls nach diesen Verfahren gebildet. Beide Legierungen werden in getrennte 5 x 10 cm große flache
Keramikschmelztiegel innerhalb einer Vakuumkammer eingegeben. Die vorreagierten Legierungen sind gleichmäßig über die Fläche
des jeweiligen Schmelztiegels verteilt. Eine 10 χ 12 cm große
m ■■■-.- - ■■■"". / ■.,-.-■ -
„saubere Aluminiümplätte wird innerhalb der Vakuumkammer ca. 30 cm
Oberhalb der Schmelztiegel angeordnet und auf einer Temperatur von ca. 70° 0 mittels einerwassergekühlten Platte gehalten.
Die Vakuumkammer wird dann auf einen Druck von ca. 10 V mm
Quecksilbersäule gebracht. Der Schmelztiegel mit der Legierung aus Arsen-,. ■ Schwefel ".und Selen wird zuerst auf eine Vardampfuhgstemperatur
von ca. 450° 0 erhitzt und auf dieser Temperatur ge-;
halten, so daß sich eine flexible Schicht dieser Legierung von
ca. 3 Mikron.Stärke auf der Aluminiumunterlage bildet. Der
φ Schmelztiegelwird dann auf Zimmertemperatur abgekühlt, und ohne
Unterbrechung des Vakuums wird der. zweite Schmelztiegel mit der
Legierung aus Arsen und Selen auf { ca. 300° 0 erhitzt und ca. 2
Stunden lang eine Verdampfung der Legierung durchgeführt, so daß
sich eine 40 Mikron starke Schicht aus Arsen und Selen über der
Schicht aus Arsen, Schwefel und Selen bildet=. Nach dieser Zeit wird der Schmelztiegel auf Zimmertemperatur abgekühlt, der Unterdrück
-besefcigt und die zusammengesetzte zweischichtige Platte' '
mit einer Zwischenschicht aus Arsen, Schwefel und Selen und einer
darüber aufgebrachten dickeren Schicht aus Arsen und Selen aus der Vainiumkamiiier entnommen. : 00984 4/1428 .
... -■-■■■■■■■'.. -: . BAD OFMCÜf^ÄL.
Beispiel IV . ." .".■■/-'.
Die 10 χ .12 em große Platte aus Beispiel III wird, auf die
Trommel einer Bürokopiermaschine Xerox .813 aufgezogen. Dann
wird eine AnEb.1 Kopien hergestellt. Mit dieser Platte ergibt
sich eine ausgezeichnete KopieQualität mit dem zusätzlichen
Vorteil einer guten Biegefähigkeit und Flexibilität.
Die mechanischen Eigenschaften der erfindungsgemäß hergestellten
Platten ergeben sich aus einfachen Biegetests, bei denen die
Platte mit einer Zwischenschicht aus Arsen, Schwefel und Selen
oder eine einzelne photoleitfähige Schicht über einen Winkel von 90° oder mehr gebogen wird, ohne ein Abblättern, Brechen
oder irgend eine physikalische Verschlechterung zu beobachten.
Diese Art der Biegung kann mit Platten aus-glasfÖrmigem Selen nicht durchgeführt werden, da diese bei einem derartigen Biegewinkel
entweder springen oder abblättern, wodurch sie völlig
zerstört werden. : ° \
Wie aus der vorstehenden Besehreibung hervorgeht, ergibt sich
durch die Zugabe von Schwefel in Kombination mit Arsen und
Selen eine lichtempfindliche Stoffzusammensetzung mit ausgezeichneten
physikalischen Eigenschaften und verbesserter thermischer Stabilität. ;
Obwohl in den vorstehend beschriebenen vorzugsweisen Ausführungsformen der Erfindung spezielle Bestandteile und Stoffmengen be-,
schriben wurden, können auch andere geeignete Stoffe und Verfahrensarten
wie die weiter oben genannten mit ähnlichen Er*-
gebnissen angewendet werden.-ferner können weitere Stoffe bei-
^ 1428:
gegeben werden, die eine synergetische, verbessernde oder
anderweitig abändernde Wirkung auf die Eigenschaften der erfindungsgemäßen Stoffzusammensetzung zeigen.
Andere Ausführungsformen und Weiterbildungen sind dem Fachmann nach Kenntnis der vorstehenden Beschreibung m%lich. Diesewerden
insgesamt durch den Grundgedanken der Erfindung umfaßt.
IO9a44/1428
- ■ ■ ■ '/. BAD ORIGINAL
Claims (1)
- ~ η- -.-.■■ -: \ / : Ί62236ΒFlexiblev thermisch stabile pnotoleitfähige Stoffzusammensetzung, gekennzeichnet duich Anteile /von Arseni Schwefel und Selen.2* Stoff zusammensetzung nach. Anspruch 1, gekennzeiehneij durcii eine Zusammensetzung, die.----durch, die mit den Punkten 1-2»-3-4-5-6 in I?ig,1 bestimmte flache erfaßt ist.3. Stoff zusammensetzung nach Anspruch 1» dadurch gekennzeichnet, daß Anteile von bis zu 10 A;fcomprozent Arsen, 10 bis 90 Atomprozent fi Schwefel und 90 bis 10 AtomprozQiitSelen vorgesehen: sind«4. Xerographische Bildplatte mit einer gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche gebildeten photoleitfähigen Isolierstoffschicht, gekennzeichnet durch eine auf einer elektrisch leitfälhigen Unterlage aufgebrachte Legierungsschicht aus 0,5 bis 10 Atomprozent Arsen, 10 bis 90 Atomprozent Schwefel und 90 bis 10 Atomprozent Selen. ^5. Xerographische Bildplatte mit einer gemäß einem der Ansprüche bis 3 gebildeten Legierungsschicht, gekennzeichnet durch eine elektrisch leitfähige Unterlage, auf der die klebende, flexible \Üegierungsschicht als Zwischenschicht aufgebracht ist, und durch eine,, auf der Zwischenschicht aufgebrachte photoleitfähige Isolierst off schicht.6. Bildplatte nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß'die Zwischenschicht aus 0,5 bis 10 Atomprozent Arsen, 10 bis 90 Atonprozent Schwefel und 90 bis 10 Atocmrozent Selen besteht.^ 009844/U28- 16 -· BAD ORiQINAL7. Bildplatte nach Anspruch. 5 oder 6, dadurch, gekennzeichnet, daß die Stärke der Zwischenschicht bis zu."3 Mikron beträgt.8. Bildplatte nach einem der Ansprüche ^ bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitfähige Schicht aus glasförmigem Selen be-,"" steht.9. Bildplatte nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitfähige Schicht aus. einer glasjifÖrmigen Legierung von Arsen und Selen besteht.10. Bildplatte nach Anspruch.,9» dadurch gekennzeichnet, daß die aus Arsen und Selen bestehende Legierung miibeinem Halogen dotiert ist.11. Bildplatte nach einem der Ansprüche 5 bis 10, -.dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitfähige Schicht äine größere xerographische Entladungsgeschwindigkeit als die Zwischenschicht hat.12. Bildplatte nach einem der Ansprüche $ bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitfähige Schicht aus mehreren photoleitfahigen■:'.■■■■■■ .■ "TeiÜEchichten besteht, die unterschiedliche Empfindlichkeitsspektrenbesitzen.^ " ' : \ :13. Verfahren zur Herstellung einer gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3 ausgebildeten piiotoleitfähigen Schicht insbesondere zur Verwendung für eine gemäß einem der.-.Ansprüche Λ bx's 12 ausgebildete Bildplatte, dadurch gekennzeichnet, daß die Legierung aus Arsen, Schwefel und Selen auf eine Unterlage hex Vakuum aufgedampft wird, die auf einer Temperatur gehalten wird, welche zur Kondensierung der genannten Be st andre ile aüsreichejpjä ^^riris--JLst,.. w-oeturch sich eine -.-■''■ ." , . - BAD OKGiMAL . -stark viskose, flexible photoleitfähige Stoff zusammensetzung ergibt. ; ; -; ; - -14. /Verfahren nach. Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß unmittelbar nach der Bildung der Arsen-Schwefel-Selenschic.ht ohne Unterbrechung des Vakuums eine zweite photoleitfähige= Legierung auf diese Schicht aufgedampft wird, wodurch sich auf der Unterlage eine aus mehreren Schichten bestehende- photoleitfähige Struktur ergibt. ; ",- ■15. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14·, dadurch gekennzeichnet, daß die aus Arsen, Schwefel und Selen bestehende Legierung in einen erhitzten Schmelztiegel eingetropft und durch Entspannungsverdampfurg auf die Unterlage, aufgebracht wird.16. Verfahren nach Anspruch 1,3 oder 14, dadurch gekennzeichnet, daß die aus Arsen, Schwefel und Selenbestehende Legierung auf die Unterlage aufgedampft wird,, indem sie während der Verdampfung in einem flachen, erhitzten Schmelztiegel vorgesehen ist.-- ■■--..- BAD ORIGINAL009044/Leersei te-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US60922167A | 1967-01-13 | 1967-01-13 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1622365A1 true DE1622365A1 (de) | 1970-10-29 |
DE1622365B2 DE1622365B2 (de) | 1976-09-23 |
Family
ID=24439843
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19681622365 Withdrawn DE1622365B2 (de) | 1967-01-13 | 1968-01-13 | Elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
BE (1) | BE709133A (de) |
DE (1) | DE1622365B2 (de) |
FR (1) | FR1552402A (de) |
GB (1) | GB1219142A (de) |
NL (1) | NL159792B (de) |
-
1968
- 1968-01-09 BE BE709133D patent/BE709133A/xx unknown
- 1968-01-11 GB GB161768A patent/GB1219142A/en not_active Expired
- 1968-01-12 FR FR1552402D patent/FR1552402A/fr not_active Expired
- 1968-01-13 DE DE19681622365 patent/DE1622365B2/de not_active Withdrawn
- 1968-01-15 NL NL6800624A patent/NL159792B/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1219142A (en) | 1971-01-13 |
NL159792B (nl) | 1979-03-15 |
DE1622365B2 (de) | 1976-09-23 |
NL6800624A (de) | 1968-07-15 |
FR1552402A (de) | 1969-01-03 |
BE709133A (de) | 1968-07-09 |
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BHN | Withdrawal |