DE1614175C - Verfahren zum Herstellen von ins besondere fur Infrarotbildwandler ver wendetem, pulverförmigen, photoleitendem Material - Google Patents

Description

Widerstandsverhältnis von Dunkelwiderstand zu Bestrahlungswiderstand sehr klein und die aus solchen Materialien hergestellte Vorrichtung dementsprechend wenig empfindlich ist.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren vorzuschlagen, mit dem ein als Infrarotbildwandler verwendbares pulverförmiges photoleitendes Material hergestellt werden kann, dessen Leitfähigkeit durch Infrarotbestrahlung löschbar ist und das neben hoher Qualität des pulverförmigen Materials insbesondere eine hohe Empfindlichkeit aufweist.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß bei einem Verfahren der eingangs genannten Art im ersten Brennarbeitsgang beim Einarbeiten des Aktivators mit einer flußmittelfreien Masse gearbeitet wird.

Da im ersten Brennarbeitsgang mit einer flußmittelfreien Arbeitsmasse gearbeitet wird, liegt in seinem Verlauf nur der Aktivator, der einen Akzeptorstörstoff darstellt, vor. Das Kristallwachstum wird nicht beschleunigt, und die unnötige Einführung eines Donatorstörstoffes ist vermieden. Erst die im ersten Brennarbeitsgang gebrannte Masse wird nach feinem Pulverisieren im zweiten Brennarbeitsgang unter Zusatz eines Flußmittels gebrannt, das nun den im ersten Brennarbeitsgang zugesetzten Aktivator kompensiert und das Kristallwachstum angemessen beschleunigt. Die erhaltenen pulverförmigen photoleitenden Materialien kommen in der Teilchenform der gewünschten sphärischen Form sehr nahe. Sie weisen außerdem eine geringe Korngröße auf, die überdies gut gleichmäßig ist. Das Schüttgewicht ist niedrig. Schließlich weist beim so erhaltenen pulverförmigen Material der Dunkelwiderstand nur eine geringe Abhängigkeit von der angelegten Spannung auf. Es kann also Material mit hoher Empfindlichkeit erhalten und zu Bildwandlern großer Qualität verarbeitet werden.

Zweckmäßig werden von dem im ersten Brennarbeitsgang eingearbeiteten Aktivator pro Molekül der festen Lösung aus Cadmiumsulfid und Cadmiumselenid 4 · IO-⁴ bis 1 · IO-³ Moleküle zugesetzt. Bei einem Aktivator kann es sich um Kupfer oder Silber handeln. Ein derartiger Zusatz erbringt eine befriedigende Aktivatorwirkung und kann hinsichtlich der Störstoffwirkung durch den Flußmittelzusatz im zweiten Brennarbeitsgang leicht ausgeglichen werden.

Die feste Lösung Cadmiumsulfid und Cadmiumselenid hat vorteilhaft eine Zusammensetzung CdS₁-^Se_x mit 0 < χ < 0,8. Beim Arbeiten mit einer flußmittelfreien Masse dieser Zusammensetzung im ersten Arbeitsgang werden hinsichtlich der Empfindlichkeit die besten Ergebnisse erzielt.

Im ersten und im zweiten Brennarbeitsgang wird die Temperatur von 600⁰C zweckmäßig je für 40 Minuten und beim anschließenden Brennen bei 500° C die Temperatur für je 15 Minuten aufrechterhalten. Eine solche Brenndauer hat sich als für die Eigenschaften des hergestellten Materials besonders vorteilhaft herausgestellt.

Die nach dem ersten Brennarbeitsgang verwendete Flußmittellösung besteht zweckmäßig aus 0,2 Mol Cadmiumchlorid und 1,0 Mol Ammoniumchlorid. Vor dem Befeuchten mit der Flußmittellösung kann das Material zweckmäßig in Wasser eingetaucht, zerkleinert und das erhaltene Pulver mit Wasser gewaschen werden.

In der folgenden Beschreibung wird die Erfindung beispielsweise erläutert. In den Zeichnungen zeigt F i g. 1 eine graphische Darstellung des fnfrarotlöschungsprozentsatzes als Funktion der Wellenlängen der Infrarotstrahlen und

F i g. 2 eine graphische Darstellung des Infrarotlöschungsprozentsatzes einer pulverisierten festen Lösung aus Cadmiumsulfid und Cadmiumselenid in Abhängigkeit des Cadmiumsulfidanteiles mit dem Vorspannungs-Lichtstrom als Parameter.

Bei einem photoleitenden Material aus Cadmiumsulfid und Cadmiumselenid (in der nachstehenden Beschreibung als CdS bzw. CdSe bezeichnet) wird die Photoleitfähigkeit, die durch elektromagnetische Strahlen von Wellenlängen eines bestimmten Bereichs hervorgerufen wird, durch eine Infrarotbestrahlung vermindert. Diese Erscheinung wird als »optisches Löschen« oder »Infrarotlöschen« bezeichnet und ist an Einkristallen experimentell nachgewiesen. Die verwendeten Infrarotstrahlen haben eine Wellenlänge von 0,8 bis 1,6 Mikrometer.

Die Infrarotlöschung ergibt sich beispielsweise bei einem reinen CdS-Einkristall der nicht oder nur wenig mit Störstoff dotiert ist. Einkristalle beliebiger Form und beträchtlicher Größe sind jedoch nur schwer herstellbar. Es ist also wünschenswert, eine infrarotlöschbare Substanz herzustellen, die als dünne, gesinterte Schicht oder als Pulver vorliegt und große, in ihrer Form beliebige Flächen zu bilden vermag. Derartige Substanzen sind beispielsweise für Festkörper-Infrarotbildwandler geeignet.

Ein Infrarotbildwandler ist eine Vorrichtung, in der eine infrarotlöschbare photoleitende Schicht und eine elektrolumineszierende Schicht miteinander kombiniert sind, an das Ganze eine Spannung angelegt wird und die Lumineszenz der elektrolumineszierenden Schicht durch eine Impedanzänderung der photoleitenden Schicht gesteuert ist. Die Impedanzänderung ist durch Bestrahlung der photoleitenden Schicht mit einem Infrarotbild bewirkt. Das aufgestrahlte Infrarotbild wird so in ein an der elektrolumineszierenden Schicht sichtbares Negativ- oder Positivbild umgewandelt oder verstärkt. Vorzugsweise zeigt das infrarotlöschbare photoleitende Material, das bei einer derartigen Vorrichtung verwendet wird, bei Bestrahlung mit Infrarotstrahlen eine starke Erhöhung seines Widerstandswertes, d. h. eine hohe Empfindlichkeit gerade für Infrarotstrahlen.

CdS hat für sich ungenügende Infrarotlöschungseigenschaften. Reines CdSe zeigt bei Raumtemperatur sogar überhaupt keine Infrarotlöschung (F i g. 2 rechts unten). Erheblich bessere Ergebnisse werden mit einer festen Lösung aus CdS und CdSe erzielt, die für den Festkörper-Infrarotbildwandler und anderen Infrarot empfindlichen Vorrichtungen mit zufriedenstellendem Ergebnis verwendbar ist. Für diese ist der Wirkungsgrad der Infrarotlöschung (nachstehend als Löschungsprozentsatz bezeichnet) hoch; der Wellenlängenempfindlichkeitsbereich zur Seite größerer Wellenlängen hin ausgeweitet; und die Ansprechzeit ist kurz.

Mit »Löschungsprozentsatz« wird der Grad der Infrarotlöschung bezeichnet. Der Löschungsprozentsatz ist wie folgt definiert:

AI

100

wobei mit Q der Löschungsprozentsatz, Jb der elektrische Strom bei Bestrahlung (Lichtstrom), Id der Dunkelstrom und Δ I ein Dekrement entsprechend

5 6

einer Infrarotbestrahlung bezeichnet ist. Der Licht- stoff. An Stelle von Kupfer kann auch ein einwertiges strom Ib wird auch als »Vorspannungs-Lichtstrom« Metall wie Silber od. dgl. verwendet werden. Das bezeichnet. Gewöhnlich wird ein Licht verwendet, schließlich erhaltene Endprodukt ist pulverförmig und dessen Wellenlängenband das Farbempfindlichkeits- photoleitend und hat einen hohen Infrarotlöschungsband der photoleitenden Substanz zumindest teilweise 5 Wirkungsgrad. Sein Dunkelwiderstand ist hoch, und überlappt und das als »Vorspannungslicht« bezeichnet es hat eine hohe Empfindlichkeit,
wird. So wird beispielsweise im Fall eines reinen Zum Messen der Eigenschaften eines infrarotlösch-

CdS-Einkristalls mit schmalem Farbempfindlichkeits- baren photoleitenden Pulvers wurde ein Normalband grünes Vorspannlicht verwendet. element verwendet. Das Pulver wurde mit Äthylzellu-

Die Infrarotlöschung ist wahrscheinlich wie folgt zu io lose auf eine Glasplatte gebunden, die eine Elektrode erklären: von 7 · 0,7 mm aus aufgedampftem Gold hatte. An das

Wenn das Vorspannungslicht auf eine Substanz wie Element wurde eine Gleichspannung von 400 V an-CdS gestrahlt wird, bilden sich Elektronen und Defekt- gelegt.

elektronen (Löcher). Die Elektronen befinden sich in F i g. 1 zeigt die Löschungs-Prozentsätze der her-

einem Leitungsband, das zur Leitfähigkeit beiträgt. 15 kömmlichen photoleitenden CdS-Substanz und der Andererseits nehmen die Löcher bestimmte Defekt- festen Lösung CdS-Se als Funktionen der Wellenniveaus in einem verbotenen Band ein. Wenn sich ein längen der Infrarotbestrahlung. Die Kurven I bzw. II Ausgleichszustand bildet, verlängert sich wegen der entsprechen dem herkömmlichen photoleitenden CdS-von Störstoffzentren eingefangenen Löcher die Lebens- bzw. dem photoleitenden CdS-Se, das ein Gemisch aus dauer der Elektronen, die die Ladungsträger darstellen, 20 gleichen Teilen CdS und CdSe enthält,
woraus eine Aktivierungswirkung folgt. Wenn sich In diesem Beispiel ist eine herkömmliche Leucht-

nun die Infrarotstrahlung dem Vorspannungslicht stoff röhre mit einem Filter verwendet, der Strahlen r\ überlagert, werden die von den Störstoffzentren einge- einer Wellenlänge von mehr als 0,7 Mikrometer abfil- ν I fangenen Löcher auf das vollbesetzte Energieband ge- tert, um das Vorspannlicht zu erhalten. Die Lumihoben. Folglich nimmt die oben beschriebene Akti- 25 neszenz einer Leuchtstoffröhre einer Farbtemperatur vierungswirkung ab, und die Lebensdauer der Elek- von 285O⁰K wird durch einen Monochromator monotronen wird herabgesetzt, weil es mit einer größeren chromiert und als Infrarotstrahlenquelle verwendet. Wahrscheinlichkeit zu einer Rekombination der Elek- Die auf der Zeichnung dargestellten Kurven sind in

tronen mit den Löchern kommt. Dadurch ergibt sich bezug auf die Verteilung der Emissionsenergie nicht die Abnahme der Leitfähigkeit, die als Infrarot- 30 kalibriert. Die Abhängigkeit des Löschungsprozentlöschung bezeichnet wird. Der Ursprung der Defekt- satzes von den eingestrahlten Infrarot-Wellenlängen oder Störstoffniveaus, der beim Infrarotlöschen eine zeigt bekanntlich meist Spitzen in der Nähe von 1,4 wichtige Rolle spielt, ist noch nicht aufgeklärt. Es ist und 0,9 Mikrometer. Die Lage der Spitze bei 0,9 Mijedoch anzunehmen, daß es sich um ein Akzeptor- krometer schwankt mit dem Material, da sie durch die niveau handelt, das einen gewissen strukturellen De- 35 Spektral-Photoleitfähigkeitscharakteristiken des Matefekt hat. rials auf der Seite der größeren Wellenlängen beein-

Das für Infrarotbildwandler verwendbare pulver- trächtigt wird.

förmige photoleitende Material wird auf folgende Wahrscheinlich auf Grund der Tatsache, daß das in

Weise hergestellt: diesem Beispiel verwendete Material panchromatisch

100 g eines Gemisches aus CdS und CdSe oder eine 40 ist, geht die Spitze bei 0,9 Mikrometer in der Photofeste CdS-CdSe-Lösung werden in 150 cm³ Wasser leitfähigkeit auf der Seite der größeren Wellenlänge dispergiert. Dem Gemisch wird Kupferchloridlösung unter. Nur die Spitze von 1,4 Mikrometer ist sichtbar, zugesetzt, es wird gründlich untermengt und an- Aus der Zeichnung ist ersichtlich, daß das verwen-

schließend in einem abgeschlossenen Kreislauf 17 Stun- dete CdS-Se-Material hervorragende Löschungseigenden lang bei 150° C getrocknet. Die erhaltene Trocken- 45 schäften hat und auf diese Weise als Infrarot empfindmasse wird in kleine Partikeln zerkleinert und in einer liches Material mit einer Empfindlichkeit bis etwa sauerstoffhaltigen Atmosphäre, wie z.B. Luft, 40Minu- 1,7 Mikrometer von Infrarotstrahlen verwendbar ist. ten lang bei 600⁰C gesintert (1. Brennarbeitsgang). _ Die Kurve Γ ist durch Normalisieren der Kurve I

Die gesinterte Substanz wird in Wasser getaucht und für das herkömmliche Material mit der Kurve II des zu einem feinen Pulver pulverisiert. Nach gründlichem 50 vorliegenden Materials am Maximalpunkt erzielt. Aus Waschen mit Wasser wird der pulverisierte Anteil in diesem Grunde ist der Ordinatenmaßstab willkürlich, ein Lösungsgemisch aus 0,2 Mol Cadmiumchlorid und Der relative sowie der absolute Empfindlichkeitswert 1 Mol Ammoniumchlorid gebracht, der Lösungsüber- des erfindungsgemäßen Materials sind auf der Seite schuß abgefiltert und der verbleibende Anteil ge- der größeren Wellenlängen verbessert.
trocknet. Die getrocknete Substanz wird gesiebt, um 55 F i g. 2 zeigt die Löschungsprozente des CdS-Sedie gröberen Pulverkörnchen zu entfernen, und dann Materials als Funktionen des Mischungsverhältnisses wieder in der gleichen Atmosphäre 40 Minuten bei von CdSe zu CdS bei Raumtemperatur für verschiedene 600° C gebrannt (2. Brennarbeitsgang). Vorspann-Lichtströme.

Die gebrannte Substanz wird dann gesiebt, um die Das auf die Abszisse aufgetragene X ist das Mi-

größeren Partikeln zu entfernen, in einem schwefel- 60 schungsverhältnis von CdSe zu CdS in Gewichtsprohaltigen, inerten Gas bei 500⁰C 15 Minuten lang ge- zenten. Wenn dementsprechend Z=O ist, entspricht brannt und anschließend in einem Vakuum bei 500⁰C es reinem CdS, ist X = 50, entspricht es CdS-Se mit 15 Minuten lang gebrannt (3. Brennarbeitsgang). 50°/₀ CdSe, und ist X = 100, dann entspricht es reinem

Nach dem Abkühlen wird die gebrannte Substanz CdSe.

gesiebt, um die größeren Partikeln zu entfernen. Die 65 Die verwendeten Infrarotstrahlen sind monochroma-Zusatzmenge an Aktivator aus der Gruppe Ib des tisches Licht mit einer Wellenlänge von 1,4 Mikroperiodischen Systems, wie Kupfer, beträgt Vorzugs- meter und einer Intensität von 250 μ W/cm². Die weise etwa 4 · IO-⁴ bis 1 · 10-³ Mol pro Mol Stamm- Kurven III und IV zeigen die Beziehung zwischen den

Löschungsprozenten und den Mischungsanteilen, falls die Vorspannungs-Lichtströme 100 μ A bzw. 10 μ Α entsprechen.

Das photoleitende, infrarotlöschbare CdS-Se hat zumindest im Bereich von χ < 80 verbesserte Infrarot-Löschungseigenschaften.

Weiter ist die Zeitkonstante bei der Löschung, also der zeitliche Abstand zwischen dem Zeitpunkt der Infrarotbestrahlung und dem Zeitpunkt des dadurch bewirkten Stromabfalls niedrig. Gleiches gilt für den zeitlichen Abstand von Ende der Infrarotbestrahlung und Wiederanstieg des Lichtstromes. Die kleine Zeitkonstante ist bei einem Infrarot empfindlichen Material wichtig. Wird es beispielsweise als Infrarotbildwandler verwendet, ergibt sich ein sichtbares, umgewandeltes Bild mit einer kurzen Ansprechzeit auf Infrarot-Bildbestrahlung, und das umgewandelte Bild verschwindet schnell, wenn das Infrarot-Bild beseitigt ist.

In Tabelle I sind die Ansprechzeitkonstanten von CdS-Se-Materialien, die jeweils 20 bzw. 50°/₀ CdSe aufweisen, gegenüber dem herkömmlichen CdS-Material dargestellt. Mit tr ist die Anlaufzeit-Konstante (1/e) bei Strahlung von Infrarotstrahlen bezeichnet und

mit ro die Abfallzeit-Konstante (1/e), wenn die Infrarotstrahlen nicht mehr einstrahlen. Der Vorspannungs-Lichtstrom ist konstant. Je größer bei dem erfindungsgemäßen CdS-Se-Material die CdSe-Menge ist, desto kurzer ist die Inf rarotlöschungs-Ansprechzeit.

Tabelle

(sek.)
(sek.)

CdS

2,5
14

CdS₈₀-Se₂,

1,2

2,5

0,7
1,3

Die Indices des CdS-Se geben die Gewichtsprozente der Bestandteile an. Die Vorspannungs-Lichtströme liegen in allen Fällen konstant bei 30 μ Α.

Aus der vorstehenden Tabelle ist ersichtlich, daß die Infrarotlöschungs-Ansprechcharakteristik des CdS-Se ungewöhnlich gut ist.

In der obigen Beschreibung ist besonders auf pulverförmiges Material Bezug genommen. Selbstverständlich ergibt eine gesinterte dünne Schicht die gleichen hervorragenden Ergebnisse.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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Claims (6)

1 2 mit einer ein Flußmittel enthaltenden Lösung ange- Patentansprüche: feuchtet, getrocknet, gesiebt und in einem zweiten Brennarbeitsgang in einer sauerstoffhaltigen Atmo-

1. Verfahren zum Herstellen von insbesondere Sphäre bei einer Temperatur von 600° C gebrannt wird, für Infrarotbildwandler verwendetem, pulverförmi- 5 worauf das Material nach neuerlichem Sieben unter gern photoleitendem Material, das eine durch In- Zusatz von Schwefel bei 500⁰G erhitzt und anschliefrarotbestrahlung löschbare Leitfähigkeit hat, aus ßend bei 500⁰C im Vakuum gebrannt wird.

einer festen Lösung von Cadmiumsulfid und Photoleitendes Material, das aus einer festen Lösung Cadmiumselenid besteht und in drei einander fol- von Cadmiumsulfid und Cadmiumselenid besteht, ist genden Brennarbeitsgängen hergestellt wird, wobei io bekannt (deutsche Auslegeschrift 1141 736). Bekannt das Gemisch zunächst erhitzt und getrocknet und ist es auch (deutsche Patentschrift 863 535), die Leitdie zerkleinerte Masse in einem ersten Brenn· fähigkeit von aus Cadmiumsulfid, Cadmiumselenid arbeitsgang zum Einarbeiten eines Aktivators aus und Cadmiumtelurid bestehendem photoleitendem der Gruppe Ib des periodischen Systems der EIe- Material durch Bestrahlung mit langwelliger Strahlung mente, wie Cu z. B. als Chlorid, in einer sauerstoff- 15 zu verringern. " haltigen Atmosphäre bei 600⁰C gesintert wird, Bei einem weiteren bekannten Verfahren von der worauf das gesinterte Material mit einer ein Fluß- eingangs genannten Art (deutsche Patentschrift mittel enthaltenden Lösung angefeuchtet, getrock- 1 043 536) wird ein photoleitendes Material für Meßnet, gesiebt und in einem zweiten Brennarbeitsgang instrumente, Bildwandler, Schalter usw. beschrieben, in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre bei einer 20 das aus Cadmiumsulfid — Cadmiumselenid besteht Temperatur von 600⁰C gebrannt wird, worauf das und bei dem diese Chalkogenide mit Aktivatoren und Material nach neuerlichem Sieben unter Zusatz von einem Flußmittel erhitzt und gebrannt werden. Als Schwefel bei 500° C erhitzt und anschließend bei Aktivator dient beispielsweise Kupferchlorid, als Fluß-500⁰C im Vakuum gebrannt wird, dadurch mittel eine Lösung von Cadmiumchlorid und Ammogekennzeichnet, daß im ersten Brenn- 25 niumchlorid.

arbeitsgang beim Einarbeiten des Aktivators mit Werden pulverförmige photoleitende Materialien

einer flußmittelfreien Masse gearbeitet wird. aus Cadmiumsulfid und Cadmiumselenid unter Zusatz

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn- von Flußmitteln gebrannt, so führt das unausweichlich zeichnet, daß von dem im ersten Brennarbeitsgang zu einem sehr schnellen Kristallwachstum. Schnelles eingearbeiteten Aktivator pro Molekül der festen 30 Kristallwachstum hat besonders große Korngrößen Lösung aus Cadmiumsulfid und Cadmiumselenid und Schüttgewichte zur Folge. Es ist also nicht mög-4 · IO-⁴ bis 1 · 10-³ Moleküle zugesetzt werden. lieh, pulverförmiges Material hoher Qualität zu er-

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch zeugen, wofür geringe Korngrößen und niedrige gekennzeichnet, daß die feste Lösung eine Zusam- Schüttgewichte erforderlich wären. Außerdem führt mensetzung CdS₁-XSe₁ mit 0 < χ < 0,8 hat. 35 das Brennen mit Flußmittelzusatz zu äußerst ungleich-

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, mäßigen Korngrößen, da insbesondere die Geschwindadurch gekennzeichnet, daß im ersten und zweiten digkeit des Kristallwachstums in gewissen Richtungen Brennarbeitsgang bei 600⁰C 40 Minuten und beim angehoben wird. Das hat scharfkantige, beispielsweise anschließenden Brennen bei 500⁰C 15 Minuten quaderförmige Pulverteilchen zur Folge. Pulverlang gebrannt wird. 40 förmige Massen zur Herstellung von Bildwandlern

5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn- u. dgl. sollen aber eine möglichst gleichmäßige Kornzeichnet, daß das Material nach dem ersten Brenn- größe und möglichst sphärische Kornformen aufarbeitsgang mit einer Lösung aus 0,2 Mol Cad- weisen. Nur dann kann beim Ausbilden einer Schicht miumchlorid und 1,0 Mol Ammoniumchlorid be- durch Abbinden der pulverförmigen Masse mit einem feuchtet wird. 45 Binder, beispielsweise einer aushärtbaren Plastikmasse

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekenn- eine photoleitende Schicht gleichmäßiger Eigenschaf ten zeichnet, daß das gesinterte Material vor dem Be- erzielt werden. Werden jedoch die beim Zusatz eines feuchten mit der Flußmittellösung in Wasser ein- Flußmittels im ersten Brennarbeitsgang erzielten getaucht, zerkleinert und das erhaltene Pulver mit Pulvermassen in eine Schicht für einen Infrarotbild-Wasser gewaschen wird. . 5° wandler verarbeitet, so ist die Infrarotempfindlichkeit

über die Bildfläche ungleichmäßig und die Bildqualität so stark vermindert, daß die Verwendung der Vorrich-

tung häufig kaum noch möglich ist.

Wird im ersten Brennarbeitsgang ein Flußmittel wie 55 CdCl₂ zugesetzt, so wird im Übermaß Cl, das ein

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen Donatorstörstoff ist, in das pulverförmige Material von insbesondere für Infrarotbildwandler verwendetem, eingeführt. Das führt wieder dazu, daß der Widerstand pulverförmigem photoleitendem Material, das eine so hergestellter Materialien, deren Leitfähigkeit durch durch Infrarotbestrahlung löschbare Leitfähigkeit hat, Infrarotbestrahlung löschbar sein soll, in nicht beaus einer festen Lösung von Cadmiumsulfid und Cad- 60 strahltem Zustand, also der Dunkelwiderstand erhebmiumselenid besteht und in drei einander folgenden lieh vermindert wird. Weiter zeigt dieser Dunkel-Brennarbeitsgängen hergestellt wird, wobei das Ge- widerstand eine Abhängigkeit von der Betriebsspanmisch zunächst erhitzt und getrocknet und die zer- nung, die zu seiner erheblichen Verminderung bei kleinerte Masse in einem ersten Brennarbeitsgang zum steigender Betriebsspannung führt. In üblicher Weise Einarbeiten eines Aktivators aus der Gruppe Ib des 65 verwendete Bereiche hoher Betriebsspannung setzen periodischen Systems der Elemente, wie Cu z. B. als dabei den Dunkelwiderstand auf Widerstandswerte Chlorid, in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre bei herunter, die den Widerstandswerten bei Bestrahlung 600⁰C gesintert wird, worauf das gesinterte Material schon sehr nahe sind. Daraus ergibt sich, daß das