DE1572360C3 - Verfahren zur Herstellung von Mattierungsbildern auf einer thermoplastischen Schicht - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Mattierungsbildern auf einer thermoplastischen Schicht, die sich auf einer mit einer leitfähigen Unterlage versehenen photoleitfähigen Schicht befindet, wobei die thermoplastische Schicht auf ein erstes Oberflächenladungspotential aufgeladen, sodann mit einer elektromagnetischen Strahlung in bildmäßiger Verteilung belichtet, sodann auf ein zweites Oberflächenpotential aufgeladen und abschließend zur Ausbildung des erwünschten Mattierungsbildes erweicht wird.

In der britischen Patentschrift 10 49 881 ist ein Deformationsabbildungsverfahren beschrieben, bei dem zur selektiven Mattierung eines kontinuierlich deformierbaren Filmes oder einer Schicht in bildmäßiger Verteilung ein elektrostatisches Ladungsbild verwandt wird. Durch die Mattierungsvorgänge erhält man bei diesem Verfahren Bilder mit Eigenschaften, die gegenüber den nach dem bisherigen Verfahren hergestellten Bildern große Unterschiede zeigen. Die bisherigen Verfahren beruhten darauf, daß an den Grenzlinien zwischen geladenen und ungeladenen Flächenteilen der deformierbaren Oberfläche ein Saum gebildet wurde, wodurch sich ein Muster aus vertieften und erhöhten Flächenteilen entsprechend den geladenen und ungeladenen Flächenteilen ergab. Dadurch entstand bei der Abbildung eines aus kontinuierlich getönten Flächen bestehenden Bildes lediglich ein Relief- oder Konturenbild. Die elektrostatischen Mattierungsverfahren ermöglichen andererseits eine Abbildung von Flächentönungsbildern und/oder Linienzeichnungen auf dem mechanisch deformierbaren Stoff in Form von relativ geordneten Strukturen mikroskopisch kleiner Ungleichmäßigkeiten, wodurch an allen Punkten des Deformationsbildes, an denen eine Belichtung vorgenommen wurde, lichtstreuende Eigenschaften vorhanden sind.

Aus der französischen Patentschrift 13 64101 war auch bereits ein elektrophotographisches Abbildungsmattierungsverfahren und weiterhin die Tatsache bekannt, daß sich die Mattierungsdichte in Abhängig-

•o keit von dem auf die zu mattierende Oberfläche aufgebrachten Oberflächenladungspotential ändert.

Aus dieser Patentschrift ist auch bekannt, daß sich eine merkliche Mattierungsdichte erst bei Überschreitung eines Schwellenwertes des Oberflächenladungspotentials einstellt, und daß sich bei hohen Oberflächenladungspotentialen eine Sättigung der Mattierungsdichte ergibt.

Mit diesen bekannten Mattierungsverfahren sind Abbildungen kontinuierlich getönter Bilder wie bei den üblichen Photographierverfahren mit Halogensilberemulsionsschichten möglich. Von den photographischen Verfahren unter Verwendung von Halogensilberemulsion ist es bekannt, daß eine der wichtigsten Eigenschaften dieser Halogensilberemulsionsschichten der Zusammenhang zwischen der Bildschwärzung und der Belichtung, also der sogenannte gamma-Wert der photographischen Emulsion, ist. Entsprechend diesem gamma-Wert der verwandten Halogensilberemulsionsschicht wird bei einer bestimmten Belichtungsstärke eine vorbestimmte Schwärzung erhalten. Diese genaue Zuordnung, die jeweils lediglich nur für eine bestimmte gleichbleibende Entwicklungsart besteht, kann jedoch noch in gewisser Weise durch das jeweils angewandte Entwicklungsverfahren verschoben werden. Durch die Art und die Durchführung des jeweiligen Entwicklungsverfahrens können somit noch entsprechende Änderungen des Kontrastes des betreffenden Bildes erreicht werden, d. h, die Abstufungen der Tönung eines reproduzierten Bildes können noch dem Auge des Betrachters in gewisser Weise angepaßt werden, oder es können Unterbelichtungen und Überbelichtungen ausgeglichen werden. Jede Halogensilberemulsionsschichc besitzt aber einen vorbestimmten gamma-Wert, der nicht nach Bedarf ohne weiteres geändert werden kann.

Der vorliegenden Erfindung liegt nunmehr die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung von Mattierungsbildern anzugeben, durch das die Abhängigkeit der Mattierungsdichte von der Belichtung gesteuert werden kann.

Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs erwähnten Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die jeweils gewünschte Abhängigkeit der Mattierungsdichte von der Belichtung durch die Wahl der Höhe des ersten und des zweiten Oberflächenladungspotentials eingestellt wird.

Durch das erfindungsgemäße Verfahren wird die Möglichkeit im Gegensatz zu den photographischen Verfahren unter Verwendung von Halogensilberemulsion eröffnet, den eigentlichen gamma-Wert einer Mattierungsschicht, d. h. die jeweilige Abhängigkeit der Mattierungsdichte von der Belichtungsstärke entsprechend den jeweils vorliegenden Gegebenheiten gezielt zu steuern. Das heißt, mit Hilfe ein und desselben Aufzeichnungsmaterials können lediglich durch Veränderung der Parameter, unter denen das Abbildungsverfahren durchgeführt wird, der jeweils gewünschte gamma-Wert eingestellt werden.

Vorzugsweise Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens ergeben sich aus den Unteransprüchen.

Im folgenden soll die Erfindung näher an Hand von in der Zeichnung dargestellten vorzugsweisen Ausführungsbeispielen erläutert werden. In der Zeichnung zeigt

F i g. 1 die Ausführung einer aus drei Schichten bestehenden mattierbaren Bildplatte, wie sie bei dem erfindungsgemäßen Verfahren verwendbar ist, ι ο

F i g. 2 eine grafische Darstellung des Zusammenhanges zwischen der Mattierungsdichte und der Oberflächenladungsdichte auf einer Bildplatte gemäß F i g. 1,

F i g. 3 und 4 analytische Kurven, die bei der Durchführung des Verfahrens das in Abhängigkeit vom Logarithmus der Belichtung zu erwartende Oberflächenladungspotential und die Oberflächenladungsdichte einer Bildplatte gemäß F i g. 1 angeben, und

F i g. 5 und 6 empirische Kurven, die die in den F i g. 3 und 4 dargestellten Größen für das in Beispiel I beschriebene Ausführungsbeispiel einer Bildplatte angeben.

In F i g. 1 ist eine typische mattierbare Bildplatte dargestellt. Diese Bildplatte 1 besteht aus einer leitfähigen Unterlage 2, die vorteilhaft aus einem dünnen Aluminiumblech gebildet ist, einer photoleitfähigen Schicht 4 und einer darüber angeordneten mattierbaren Schicht 6. Die photoleitfähige Schicht kann aus einer Schicht glasförmigen Selens mit einer Stärke ds und einer Dielektrizitätskonstante es bestehen. In einigen Fällen kann diese Schicht jedoch auch aus einer natürlichen Verbindung bestehen und zu einem geringeren Anteil Selen enthalten, das als Ladungsspeicher dient, sowie einen größeren Anteil einer relativ panchromatischen Selen-Tellur-Legierung, die als photoleitfähiger Stoff dient.

Die oberste mattierbare Schicht 6 hat die Stärke dp und eine Dielektrizitätskonstante tp. Es sind bereits verschiedene Materialien, die für diese mattierbare Schicht verwandt werden können, bekanntgeworden. In einem typischen Ausführungsbeispiel besteht die Schicht aus einem wenige Mikron starken Überzug aus Glyceryltriester von zu 50% hydriertem Baumharz.

Es sei bemerkt, daß in einigen Fällen zwischen der photoleitfähigen Schicht 4 und der mattierbaren Schicht 6 eine mehrere Hundertstel Mikron starke Zwischenschicht eines organischen Stoffes angeordnet sein kann, die auf noch nicht völlig geklärte Weise zur Erhöhung der Auflösung des endgültigen Mattierungsbildes beiträgt. Für die vorliegende Erfindung stellt diese Zwischenschicht jedoch kein spezielles Erfordernis dar, und sie kann bei überschlägigen Betrachtungen als innerhalb der mattierbaren Schicht 6 liegend gedacht werden.

Bei der Durchführung des elektrostatischen Mattierungsverfahrens wird die Bildplatte 1 zunächst auf der Oberfläche der Schicht 6 mit einer Ladung versehen, indem sie an einer Korona-Ladeeinrichtung oder ähnliches vorbeibewegt wird. Die Bildplatte wird dann mit einem Licht-Schatten-Bild belichtet, z. B. durch ein photographisches Vergrößerungsgerät, wodurch eine Wanderung von Ladungen in Teilen der photoleitfähigen Schicht 4 stattfindet, die unter den belichteten Flächenteilen der Bildplatte liegen. Diese wandernden Ladungen werden an der Zwischenschicht zwischen den Schichten 4 und 6 gebunden, wodurch in entsprechenden Punkten der Oberfläche der deformierbaren Schicht 6 das Potential verringert wird. Danach wird die Schicht 6 nochmals mit derselben oder einer ähnlichen Korona-Einrichtung aufgeladen, um die Oberfläche 6 wieder in einen Äquipotentialzustand zu versetzen. In den vorher belichteten und von der Ladungswanderung beeinflußten Flächenteilen nimmt die Oberfläche der Schicht 6 eine zusätzliche Ladung auf, wodurch das elektrische Feld und die Potentialdifferenz an diesen Flächenteilen gleichfalls sehr verstärkt wird. Bei Erweichung der deformierbaren Schicht 6 mattieren die dem verstärkten elektrischen Feld ausgesetzten Flächenteile zu einem Grade, der von dem elektrischen Feld oder der vorhandenen Ladungsdichte abhängt.

In F i g. 2 ist eine Kurve dargestellt, die die experimentell erreichte Mattierungsdichte einer derartigen Bildplatte als eine Funktion der Ladungsdichte auf der Bildplatte nach der zweiten Aufladung zeigt. Die Bezeichnung »Mattierungsdichte« bezieht sich auf die Lichtabschwächung

I02

k ι

die in einem optischen Weg erzeugt wird, in dem die mattierte Platte angeordnet ist. Die Dichte kann also als eine direkte Angabe der innerhalb des optischen Weges durch die Mattierungsdeformation gestreuten Lichtmenge angesehen werden. Die dargestellte Kurve zeigt, daß bei jedem Mattierungsverfahren ein bestimmter Minimalwert der Ladungsdichte erreicht sein muß, bevor eine Mattierung stattfindet. Ferner zeigt sie, daß nach Überschreiten eines bestimmten Maximalwertes der Ladungsdichte die Mattierungsdichte keinen merklichen Zuwachs erhält. Diese beiden kritischen Werte sind in F i g. 2 mit στ und Omax bezeichnet, wobei die Indizes sich auf den Schwellwert und den maximalen ausnutzbaren Ladungsdichtewert beziehen, bis zu dem sich Änderungen der Mattierungsdichte erreichen lassen.

Die Bedeutung des vorliegenden Verfahrens besteht vor allem darin, daß der Bereich der Mattierungsdichte zwischen den Werten orund omax zur Übereinstimmung mit Belichtungsbereichen verschiedener Breite gebracht werden kann. Gemäß der üblichen photographischen Terminologie bedeutet dies, daß das vorliegende Verfahren ein Verfahren zur Änderung des sogenannten gamma-Wertes der Bildplatte darstellt. Durch das vorliegende Verfahren wird somit praktisch die Einstellung der Empfindlichkeit der Bildplatte innerhalb eines angemessenen Bereiches ermöglicht

Das Verständnis der genauen Vorgänge des Verfahrens ist am besten möglich, wenn eine schrittweise Analyse vorgenommen wird, die angibt, in welcher Weise die Ladungsdichte auf einer mattierbaren Bildplatte nach der nochmaligen Aufladung ore sich bei einem allgemeinen Mattierungsverfahren ändern kann, wobei die Möglichkeit unterschiedlicher Oberflächenladungspotentiale für die anfängliche und für die nochmalige Aufladung eingeschlossen sein soll.

Die in F i g. 1 dargestellte mattierbare Bildplatte t wird zunächst auf ein gleichmäßiges Oberflächenladungspotential Vo durch eine Korona-Entladung aufgeladen, wobei sich auf der thermoplastischen mattierbaren Schicht 6 eine Ladungsdichte σο einstellt. Bei Belichtung werden innerhalb der photoleitfähigen Schicht 4 Ladungsträger gebildet, die unter dem Einfluß des elektrischen Feldes der Oberflächenladungen wandern. In einem belichteten Flächenteil wird das Oberflächenladungspotential zu einem Grade verrin-

gert, der durch die Ladung σε bestimmt ist, welche nach der Belichtung an der Zwischenschicht zwischen photoleitfähiger und thermoplastischer Schicht vorhanden ist. Das Oberflächenladungspotential Ve in den belichteten Flächenteilen hat den folgenden Wert:

/ds dp\ as

"\fs t-p J fs

Bei dem Oberflächenladungspotential kann die Einwirkung des Dunkelabfalles nicht von der Einwirkung der Belichtung eindeutig unterschieden werden. Daher sind in dem Wert Δ Vdie Einflüsse der Belichtung und des Dunkelabfalles zusammengefaßt. Die Ladungsdichte OE an der Zwischenschicht umfaßt die durch Belichtung und durch Dunkelabfall bestimmte Ladung. Somit ergibt sich

Die Bildplatte 1 wird dann nochmals aufgeladen, um auf der Oberfläche den Äquipotentialzustand wieder herzustellen. Die Aufladung auf ein Potential Vr (Vr> Vo) ergibt eine Oberflächenladungsdichte ore in einem belichteten Flächenteil und ord an einem unbelichteten Flächenteil. Damit ist im unbelichteten Flächenteil

und im belichteten Flächenteil

ds dp
- + —

ds

Durch Zusammenfassung der Werte für AVund Vr ergibt sich die Oberflächenladungsdichte in dem belichteten Flächenteil.·

V_R

V₀-V,+

ds dp

FS Fp

FS

Diese Analyse zeigt, daß die endgültige Oberflächenladungsdichte unter anderem eine Funktion der beiden voneinander unabhängigen Verfahrensparameter Anfangspotential Vo und Wiederaufladungspotential Vr sowie der Belichtung ist.

F i g. 3 zeigt eine Anzahl von Kurven, die sich aus der Gleichung (1) ergeben und die Oberflächenladungsdichte ore als eine Funktion des Logarithmus der Belichtung für eine gemäß F i g. 1 ausgebildete Anordnung angeben. Die Änderung des Oberflächenladungspotentials Ve durch die Belichtung vor der Wiederaufladung ist diesem Schaubild gleichfalls zu entnehmen. Die Belichtungseinheiten sind Relativwerte, da die Angabe absoluter Werte für die vorliegende Beschreibung nicht erforderlich ist.

Die Kurven 1 und 2 in F i g. 3 zeigen die Werte für das Anfangsoberflächenladungspotential und das Wiederaufladungsoberflächenpotential von 550 Volt. Es sei bemerkt, daß erwartungsgemäß die Kurven 2 und 4 für die Ladungsdichte Spiegelbilder der Potentialkurven 1 und 3 sind. Als allgemeines Merkmal ergibt sich ferner, daß die Kurven 1 und 2 sich an der senkrechten Achse schneiden, während die Kurven 3 und 4 auf dieser Achse einen Abstand haben, der durch die Spannungsdifferenz zwischen dem Anfangsoberflächenpotential und dem Wiederaufladungsoberflächenpotential bedingt ist.
In diesem Schaubild sind ferner der Schwellwert or für die Ladungsdichte und der Maximalwert Omax für die Ladungsdichte gezeigt. Es ist zu erkennen, daß der Schnittpunkt der Kurven 2 und 4 mit der Linie für den Wert ordie für einen Schwellwert der Mattierungsdichte erforderliche Belichtung angibt. Ferner gibt der

ίο Schnittpunkt der Kurven 2 und 4 mit der Linie für den Wert Omax die Belichtung für eine maximale Mattierungsdichte an. Daraus ist zu ersehen, daß bei der Wahl von Verfahrensparametern gemäß der Kurve 4 der nutzbare Belichtungsbereich dem Abstand 10 entspricht, während bei einer Wahl der Verfahrensparameter gemäß der Kurve 2 der nutzbare Belichtungsbereich enger ist und dem Abstand 12 entspricht.

Die durchschnittliche Steigerung der Kurven 2 und 4 zwischen den Werten στ und omax, multipliziert mit der Steigung der Kurve für σ und die Mattierungsdichte D, ergibt den Wert gamma. Wie aus der Figur hervorgeht, unterscheidet sich der nach Kurve 2 erhältliche gamma-Wert merklich von dem sich nach Kurve 4 ergebenden Wert.

Es sei ferner darauf hingewiesen, daß durch die Verschiebung des Belichtungsbereiches für die Kurve 4 nach links eine Erhöhung der effektiven Empfindlichkeit der mattierbaren Bildplatte bedingt ist, da der Schwellwert für die Mattierung bei einem viel geringeren Belichtungswert als bei der Kurve 2 auftritt. Dieser Faktor ist noch deutlicher in F i g. 4 dargestellt, die Kurven für die Oberflächenladungsdichte und das Oberflächenladungspotential als eine Funktion des Logarithmus der Belichtung zeigt, wobei das Anfangspotential und das Wiederaufladungspotential für jede Kurve gleich, jedoch für die verschiedenen Kurven fortschreitend höher sind. Die Kurven 1 und 2 zeigen diesen Effekt für Vo = Vr = 300 Volt, die Kurven 3 und 4 für Vo = Vr = 400 Volt und die Kurven 5 und 6 für Vo = Va = 500 Volt. In jedem Fall sind die Steigungen einander entsprechender Kurven annähernd gleich, die Empfindlichkeit der jeweiligen inattierbaren Platte nimmt jedoch von Kurve 2 zu Kurve 4 und von Kurve 4 zu Kurve 6 zu. Für die Kurve 6 übersteigt der Wert Vr den Schwellwert für die Mattierung sogar bei Fehlen einer Belichtung, wodurch ein nebelartiger Hintergrund bei höchster Empfindlichkeit der Bildplatte entsteht.

Damit dürfte das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung verständlich sein. Wesentlich ist, daß man bei einem Mauierungsverfahren die Parameter für eine anfängliche und eine nochmalige Aufladung entsprechend der jeweils gewünschten gamma-Empfindlichkeit wählt. Sind beispielsweise relativ schwache Ansprecheigenschaften gewünscht, so wählt man Verfahrensparameter ähnlich denjenigen, der Kurve 3 in F i g. 3, indem vor der Belichtung eine Aufladung auf ein relativ geringes Anfangspotential vorgenommen wird, und indem für die zweite Aufladung eine höhere Spannung verwandt wird, die ausreicht, um den flachen Kurventeil der Ladungsdichte in den gewünschten Belichtungsbereich, z. B. den Bereich 10, anzuheben. Andererseits kann man durch Verwendung relativ hoher Anfangsoberflächenladungspotentiale wie z. B. bei den Kurven 1 und 2, und geeigneter Wiederaufladungsoberflächenpotentiale den Belichtungsbereich an eine dem Bereich 12 in F i g. 3 entsprechende Stelle verschieben.

Die vorstehende Beschreibung ist völlig allgemein gehalten und daher in keiner Weise auf spezielle

mattierbare Bildplatten beschränkt, die bestimmte Schichtstärken, Dielektrizitätskonstanten usw. aufweisen. So können Kurven, wie sie in F i g. 3 und 4 gezeigt sind, für jede mattierbare Bildplatte aufgenommen werden. Falls ausreichend viele Daten vorliegen, kann dies analytisch geschehen. Es ist jedoch für die Praxis besser, für eine vorgegebene Anordnung diese Kurven zunächst empirisch zu bestimmen, d. h. durch das Experiment. Sind die Kurven auf diese Weise einmal festgelegt, so können sie unabhängig von dem jeweils ,₀ angewendeten Verfahren in der beschriebenen Weise verwendet werden, da die ihnen zugrunde liegenden ausschlaggebenden physikalischen Vorgänge wiederholbar sind und nicht von unbekannten Veränderlichen abhängen.

Im folgenden wird an Hand eines Beispiels beschrieben, wie die empirischen Kurven aufgenommen und angewendet werden.

Beispiel

Es wurde eine mattierbare Bildplatte entsprechend der in F i g. 1 gezeigten Anordnung hergestellt, wobei die Unterlage 2 aus eloxiertem Aluminiumblech von 1,3 mm Stärke bestand. Die darauf angeordnete Schicht bestand aus einer ladungsspeichernden Selenschicht von 25 Mikron Stärke, auf der eine 0,3 Mikron starke lichtempfindliche Schicht aus einer Legierung von 75% Selen und 25% Tellur vorgesehen war. Eine derartige Zusammensetzung verleiht der Schicht eine panchro-

20 matische Lichtempfindlichkeit. Im vorliegenden Beispiel wurde über die lichtempfindliche Selen-Tellurschicht eine Zwischenschicht aus einem organischen Stoff von 0,05 Mikron Stärke aufgebracht, deren Aufgabe darin besteht, das größtmögliche Auflösungsvermögen der Anordnung beizubehalten. Die Funktionsweise dieser Zwischenschicht ist noch nicht geklärt.

Auf der Zwischenschicht wurde eine der thermoplastischen mattierbaren Schicht 6 (F i g. 1) entsprechende obere Schicht aufgebracht. Im vorliegenden Beispiel bestand diese Schicht aus Glyceryltriester von zu 50% hydriertem Baumharz von etwa 2 Mikron Stärke. Die Speicherschicht und die lichtempflindliche Schicht wurden durch Vakuumaufdampfung aufgebracht. Die Zwischenschicht und die mattierbare Schicht wurden durch Eintauchen in eine Lösung aufgebracht.

Experimentelle Ergebnisse wurden durch die Änderung der Mattierungsdichte D in Abhängigkeit von log E für diese mattierbare Bildplatte erhalten. Zwei entsprechende Kurven sind in den Fig.5 und 6 dargestellt, die erste zeigt die D-log £f-Kurve für Vb = 400 Volt und Vr = 400 Volt, die zweite ergab sich bei Vo.= 165VoIt und Vr = 600 Volt. Die Tabelle I zeigt eine Zusammenstellung von Daten für diese Bildplatte für verschiedene andere Kombinationen von Anfangspotential und Endpotential. Es sei bemerkt, daß auf Grund dieser Analyse nicht nur eine Änderung des gamma-Wertes erreicht werden kann, sondern daß die Empfindlichkeit der Bildplatte gleichfalls beeinflußt werden kann.

Anfangspotential

Endpotential

Empfindlichkeit

0,8/ Emcs

Gamma

Dma

400	400	2,8
160	455	2,9
160	500	8,0
165	600	8,0
200	490	10,4

Vorstehend wurde die Empfindlichkeit gemäß einer ASA-Definition erhalten, indem der Wert 0,8 durch die Belichtung in mcdsec dividiert wurde, die zur Erzeugung einer Mattierungsdichte von 0,1 Einheiten über dem Nullwert zuzüglich der Nebelbildung erforderlich war. Zur Ermittlung des gamma-Wertes wird eine Linie von einem Punkt an der D-log £"-Kurve 0,1 Dichteeinheiten oberhalb des Nullwertes zuzüglich der Nebelbildung zu einem ähnlichen Punkt 0,1 Dichteeinheiten unterhalb des Wertes ZW gezogen. Der Anstieg dieser Linie stellt den gamma-Wert dar.

Nachdem auf diese Weise der gamma-Wert und/oder die Empfindlichkeit einer mattierbaren Bildplatte unter vorgegebenen Verfahrensbedingungen ermittelt wur-

3,27	1,47
0,75	1,49
1,41	1,36
0,55	1,45
0,53	1,46

den, können nun die Verfahrensbedingungen so festgelegt werden, daß diese mattierbare Bildplatte entsprechend den zu stellenden Anforderungen eingesetzt wird. Dies bedeutet, daß eine Entscheidung getroffen werden kann, welcher gamma-Wert oder welche Empfindlichkeit bei einer vorgegebenen Belichtungsmöglichkeit erwünscht ist und daß unter Bezugnahme der vorstehend beschriebenen Zusammenhänge zwischen dem gamma-Wert bzw. der Empfindlichkeit und der Spannung die richtigen Verfahrensparameter leicht bestimmt werden können, nämlich die richtigen Oberflächenladungsspannungen bei der anfänglichen und der wiederholten Aufladung, wodurch die erwünschten Ergebnisse erreicht werden.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen 609 650/26

Claims (4)

Patentansprüche:

1. Verfahren zur Herstellung von Mattierungsbildern auf einer thermoplastischen Schicht, die sich auf einer mit einer leitfähigen Unterlage versehenen photoleitfähigen Schicht befindet, wobei die thermoplastische Schicht auf ein erstes Oberflächenladungspotential aufgeladen, sodann mit einer elektromagnetischen Strahlung in bildmäßiger Verteilung belichtet, sodann auf ein zweites Oberflächenladungspotential aufgeladen und abschließend zur Ausbildung des erwünschten Mattierungsbildes erweicht wird, dadurch gekennzeichnet, daß die jeweils gewünschte Abhängigkeit der Mattierungsdichte von der Belichtung durch die Wahl der Höhe des ersten und des zweiten Oberflächenladungspotentials eingestellt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis der absoluten Werte des ersten Oberflächenladungspotentials zu dem zweiten Oberflächenladungspotential höchstens gleich 1 ist.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzielung steigender Gamma-Werte steigende erste Oberflächenladungspotentiale verwandt werden.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erhöhung der Empfindlichkeit in Form einer abnehmenden Belichtung für gleiche Mattierungsdichten das zweite Oberflächenladungspotential in bezug auf das erste Oberflächenladungspotential erhöht wird.