DE1567468B2 - Verfahren zur abtrennung von chlorsilanen aus gasfoermigen reaktionsprodukten - Google Patents
Verfahren zur abtrennung von chlorsilanen aus gasfoermigen reaktionsproduktenInfo
- Publication number
- DE1567468B2 DE1567468B2 DE19661567468 DE1567468A DE1567468B2 DE 1567468 B2 DE1567468 B2 DE 1567468B2 DE 19661567468 DE19661567468 DE 19661567468 DE 1567468 A DE1567468 A DE 1567468A DE 1567468 B2 DE1567468 B2 DE 1567468B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- chlorosilanes
- chlorosilane
- silicon
- hydrogen
- absorption
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/04—Hydrides of silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Description
Erhitzen auf eine Temperatur, welche zwischen der Siedetemperatur des Chlorsilans und der des Absorptionsmittels
liegt in einer Austreibvorrichtung vom Absorptionsmittel wieder abgetrennt wird.
•Es ist zwar bekannt, zur Herstellung sehr reiner
Siliciumhalogenide die noch Verunreinigungen enthaltenden Ausgangsstoffe in einem organischen Absorptionsmittel,
z. B. einem Kohlenwasserstoff, zu lösen, wobei ein Teil der Verunreinigungen ausfällt, und diese
von der Siliciumhalogenid enthaltenden Lösung durch Filtration zu trennen. In einer weiteren Behandlung
wird die Lösung mit einer mit dem Halogenid nicht mischbaren Säure zur Abtrennung weiterer Verunreinigungen
versetzt und anschließend die Trennung des Halogenids von organischem Lösungsmittel durch
Destillation vorgenommen.
Eine Übertragung dieser bekannten Verfahrensweise
zur Lösung vorliegender Aufgabenstellung lag jedoch auch unter Berücksichtigung der Verwendung organischer
Absorptionsmittel, infolge der sehr unterschiedlichen, die Verunreinigungen darstellenden Stoffe,
nicht nahe.
Es wurde festgestellt, daß sich die Chlorsilane sowohl teilweise als auch vollständig aus den beschriebenen
Chlorierungsgasen am vorteilhaftesten durch einen Waschprozeß entfernen lassen. Es wurde ferner gefunden,
daß sich von der Vielzahl als Waschflüssigkeit in Frage kommender organischer Flüssigkeiten die unbegrenzt
mit Chlorsilanen mischbar sind, folgende am besten eignen: Kohlenwasserstoffe und Chlorkohlen-Wasserstoffe,
insbesondere Paraffinöl und Chlorparaffin; Kieselsäureester, z. B. Oktylsilikat oder
Äthylsilikat, und schließlich Phosphorsäureester, z. B. Trikresylphosphat.
Die genannten organischen Flüssigkeiten haben folgende für den erfindungsgemäßen Zweck erforderliche
gemeinsame Eigenschaften:
a) Sie sind inert gegenüber Chlorsilanen;
b) sie weisen ein gutes Absorptionsvermögen für Chlorsilane auf;
c) sie können mit üblichen Mitteln wieder von den Chlorsilanen getrennt werden;
d) ihre Siedepunkte liegen genügend weit über denen der Chlorsilane; und
e) sie zersetzen sich selbst bei längerem Erhitzen und in Anwesenheit von Chlorsilanen nicht.
Die flüssigen Gemische aus diesen organischen Flüssigkeiten und Chlorsilanen können daher an sich
durch einfaches Erhitzen praktisch wieder vollständig in ihre Bestandteile zerlegt werden. Hierzu ist jedoch
ein Erhitzen auf Siedetemperatur des Absorptionsmittels erforderlich, bei höhersiedenden Absorbentien
sind also hohe Temperaturen erforderlich. So enthält Paraffinöl, wenn man beispielsweise ein gewichtsgleiches
Gemisch von Paraffinöl und SiCl4 auf 200° C erhitzt, immer noch 2 bis 3 Gewichtsprozent
SiCl4. Um nun praktisch eine vollständige SiCl4-Freiheit
des Öles zu erreichen, müßte man Temperaturen von wenigstens 300° C anwenden. Derartig hohe Temperaturen
über 200° C sind jedoch für alle hier genannten organischen Flüssigkeiten von Nachteil.
\ußerdem würde das Verfahren von der Energieseite aer zu sehr belastet werden.
Es wurde nun weiterhin gefunden, daß eine völlige oder gezielte teilweise Trennung der organischen
-lüssigkeiten von den Chlorsilanen auch bei wesentich tieferen Temperaturen erreicht werden kann,
■venn man die Temperaturbehandlung mit einer Inertgasspülung derart kombiniert, daß man entweder
während der Temperaturbehandlung oder auch nachfolgend einen Inertgasstrom über oder in das zu
trennende Gemisch leitet, wobei im Bereich höherer Temperaturen geringere und bei tieferen Temperaturen
größere Mengen Inertgas erforderlich sind.
Zweckmäßigerweise lassen sich solche Inertgase zur Spülung einsetzen, wie sie bereits in dem Reaktionsgemisch vorhanden sind, nämlich Wasserstoff und/oder
Kohlenmonoxid und/oder Kohlendioxid. Dadurch ergibt sich die Möglichkeit zur Rückführung der zu
Spülung benutzten und mit Chlorsilanen beladenen Inertgase in den Waschprozeß.
Durch Anlage eines Vakuums kann das Austreiben des gelösten Chlorsilans erheblich gefördert werden,
indem man dann mit tieferen Temperaturen auskommt. Aufbauend auf diesen vorgenannten Erkenntnissen
gliedert sich das erfindungsgemäße Verfahren in folgende Verfahrensschritte: ^
A) Absorption der Chlorsilane im Absorptionsmittel durch Gegenstromführung der Chlorierungsgase
und des Absorptionsmittels in einem mit Füllkörpern beschickten Turm; Speicherung der den
Turm oben verlassenden chlorsilanf reien Gase.
B) Desorption der Chlorsilane in einer geeigneten Vorrichtung, durch Erhitzung des chlorsilanhaltigen
Absorptionsmittels, Kondensation und Speicherung der Chlorsilane.
C) Weitere oder völlige Desorption der Chlorsilane in der gleichen oder einer anderen Vorrichtung
bei gleicher oder einer anderen Temperatur durch Spülung mit einem von Chlorsilanen freien oder
weitgehend von diesen freien Teilgasstrom aus Verfahrensstufe A.
D) Rückführung sowohl der chlorsilanhaltigen Spülgase als auch des chlorsilanfreien oder weitgehend
freien Absorptionsmittels aus Verfahrensstufe C) in den Absorptionsturm der Stufe A).
Es ist möglich, diesen Absorptions-Desorptions-Zyklus so auszuführen, daß die Chlorsilane nicht vollständig,
sondern zum überwiegenden oder auch nur geringen Teil von den übrigen Chlorierungsgasen abgetrennt
werden. Das kann dadurch geschehen, daß man die Menge an Absorptionsflüssigkeit im Waschturm
so abstimmt, daß die den Turm über Kopf verlassenden Chlorierungsgase einen genau bestimmten
Gehalt an Chlorsilanen aufweisen. Es kann ferner auch
dadurch geschehen, daß man bei den Verfahrensstufen B) und C) nur bis zu einem bestimmten Chlorsilangehalt
desorbiert und das noch chlorsilanhaltige Absorptionsmittel als Waschflüssigkeit auf den Absorptionsturm
der Stufe A) zurückführt, wobei der restliche und definierte Chlorsilangehalt mit den im
Turm aufsteigenden Chlorierungsreaktionsgasen abgetrieben wird. Die Gase, welche nunmehr einen gewünschten
Gehalt an Chlorsilanen aufweisen, können anschließend entweder in Gasometern, sofern der
Taupunkt tief genug Hegt, gespeichert oder auch direkt dem Prozeß der Flammenhydrolyse zur Herstellung
hochdisperser Kieselsäuren zugeführt werden.
Das erfindungsgemäße Verfahren läßt sich auch vorteilhaft für die Trennung von Chlorierungsgasen,
die nur geringe Mengen Chlorsilane enthalten, beispielsweise Gasgemische aus SiCl4 und H2 im Molverhältnis
1:10 bis 1:50, einsetzen. Es ist auch in diesem Falle möglich, den Chlorsilananteil praktisch
vollständig abzutrennen.
Die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird an Hand folgender Beispiele weiter erläutert.
Ein Gasgemisch, enthaltend 1 m3 Wasserstoff, 0,45 m3 gasförmiges SiCl4 (das sind etwa 3,2 kg SiCl4)
und 0,05 m3 SiHCl3 (das sind etwa 0,25 kg SiHCIg)
wird in einer Absorptionssäule (230 cm lang und 40 mm 0 im Verlauf von 10 Stunden mit 3,5 kg
Paraffinöl im Gegenstrom geführt. Die ablaufende Mischung (etwa 7 kg) hat einen SiCySiHCla-Gehalt
von etwa 50 Gewichtsprozent, während der die Säule über Kopf verlassende Wasserstoff praktisch frei von
SiCl4 und SiHCl3 ist.
Die abgelaufene Mischung (7 kg) wird auf 180° C erhitzt, wobei der weitaus größte Teil des in der
Mischung enthaltenen SiCl4 und SiHCl3 verdampft und
so durch nachfolgende Kondensation in reiner Form gewonnen werden kann.
Es bleiben 3,7 kg einer Mischung zurück, die noch 0,2 kg SiCl4 enthält, das sind 5,5 Gewichtsprozent.
Zur restlosen Entfernung des SiCl4-Anteils begast man die Mischung mit 100 1 vom Kopf des Absorptionssäule abgezweigtem, reinen Wasserstoff. Nach der
Spülung mit Wasserstoff bleibt ein praktisch SiCl4- und
SiHCl-freies Paraffinöl zurück, während der mit SiCl4-beladene Wasserstoff wieder der Absorptionssäule zugeführt wird. Das Paraffinöl wird in den
Absorptionskreislauf zurückgeführt.
Ein Gasgemisch, das aus Kohlenmonoxid und gasförmigem Siliziumtetrachlorid besteht (Molverhältnis
CO zu SiCl4 = 2,85:1) wird durch eine Absorptionssäule von 230 cm Länge und A cm. 0 geleitet, wobei
dem Gasstrom n-Oktylsilikat über Raschigringe
entgegenfließt. Während des Durchsatzes von insgesamt 2,3 m3 Gasmischung (1,7 m3 CO und 0,6 m3
gasf. SiCl4, das entspricht 4,46 kg SiCl4) in 12 Stunden
durch die Säule, werden 16,05 kg n-Oktylsilikat zur
Absorption eingesetzt. Das SiCl4-freie Kohlenmonoxid verläßt die Säule über.Kopf, während das niedergewaschene
SiCl4Jn Mischung, mit n-Oktylsilikat unten
abfließt. . ' ■-:,._,·
ίο Die abgelaufene Mischung (20,51..kg), mit einem
SiCl4-Gehalt von 2·ίν74 %rwird jn.ejnerrPestillierblase
auf 200° C erhitzt, wobeireiri-großer .TeM. des gelösten
Siliziumtetrachlorides in reiner Form über eine Rektifiziersäule abdestilliert und in einem Kühler
kondensiert, während n-Oktylsilikat mit einem Gehalt von 6,1% SiCl4 (das entspricht 1,05 kg SiCl4) in der
Blase zurückbleibt.
Zur restlosen Austreibung des SiCl4 leitet man mit
HiMe einer Gasdusche 0,15 m3 Kohlenmonoxid durch
so das 200° C heiße n-Oktylsilikat. Das SiCl4-freie
n-Oktylsilikat und das CO/SiCl4-Gasgemisch führt
man in den Absorptionskreislauf zurück.
1,18 m3 eines Gasgemisches aus CO2 und SiCl4 der
molaren Zusammensetzung CO2 zu SiCl4 = 2,58:1
wird in der in Beispiel 2 beschriebenen Weise mit 21,4 kg Trikresylphosphat getrennt. Man erhält 23,9 kg
Mischung Trikresylphosphat/SiCl4 mit 2,5 kg SiCl4
und praktisch SiCl4-freies CO2.
Das flüssige Gemisch mit 10,5 % SiCl4 wird sodann
auf 1500C erhitzt, dabei destillieren 1,95 kg SiCl4 ab.
Die verbleibende Mischung enthält noch 2,5% SiCl4, entsprechend 0,55 kg, die bei gleicher Temperatur mit
0,20 m3 CO2 ausgetrieben und in den Absorptionskreislauf zurückgeführt werden.
Claims (7)
1. Verfahren zur Abtrennung von Chlorsilanen hochdispersem Siliziumdioxid durch Flammenhydroaus
den bei der Chlorierung oder Hydrochlorierung 5 lyse Verwendung finden. Bei der Herstellung von hochvon
Silizium und Silizium enthaltenden Ausgangs- dispersem ·· Siliziumdioxid werden aber allgemein
materialien anfallenden Reaktionsgemischen aus Chlorsilan/H2-Gemische anderer molarer Zusammen-Chlorsilanen
und Kohlenmonoxid und/oder Koh- Setzung benötigt, z. B. SiCl4/H2 wie 1:2 bis 1:3, so daß
lendioxid oder Wasserstoff, durch Absorption in eine Erhöhung des Wasserstoffgehaltes bzw. eine
flüssigen Medien und anschließendes Austreiben io Erniedrigung des Chlorsilan-Gehaltes in den Reakder
Chlorsilane aus dem Absorptionsmittel, da- tionsgasgemischen unumgänglich ist. Die Erhöhung
durch gekennzeichnet, daß das Gasgemisch des Wasserstoffanteils durch Zuführung reinen Wasbei
Temperaturen unterhalb des Siedepunktes des serstoffs zum genannten Gasgemisch setzt aber voraus,
unbegrenzt mit Chlorsilanen mischbaren Absorp- daß dieser im erforderlichen Umfang von außen außertionsmittels
in einem mit demselben beschickten 15 halb des Chlorierungsprozesses zur Verfügung gestellt
Absorptionsraum im Gegenstrom eingeleitet wird, wird.
dann das Chlorsilan vom Absorptionsmittel durch Hinzu kommt, daß die leistungsmäßige Abstimmung
Erhitzen auf eine Temperatur, welche zwischen der einer technischen Chlorierungsanlage mit einer Anlage
Siedetemperatur des Chlorsilans und der des Ab- zur Herstellung von Siliziumdioxid ohne Zwischensorptionsmittels
liegt, in einer Austreibvorrichtung 20 speicherung der Chlorierungsprodukte praktisch ausabgetrennt
wird. geschlossen ist. Eine Zwischenspeicherung des bei dem
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn- genannten Chlorierungsprozeß anfallenden Gasgezeichnet,
daß die Austreibung der Chlorsilane aus misches, beispielsweise in Gasometern, scheidet aber
dem Absorptionsmittel mit einer Inertgasspülung aus, denn dieses Gemisch besitzt einen Taupunkt von
derartig kombiniert wird, daß ein Inertgasstrom 25 etwa 26° C, d. h., unterhalb dieser Temperatur verentweder
während der Temperaturbehandlung oder ändert sich die Gaszusammensetzung infolge Teilauch
hieran anschließend über oder in das zu kondensation von Chlorsilan, wobei das auskondentrennende
Gemisch geleitet wird. sierte Chlorsilan zu weiteren Schwierigkeiten, bei-
3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, spielsweise bei der pneumatischen Sperrung des
dadurch gekennzeichnet, daß als Inertgasstrom die 30 Gasometers, Anlaß geben kann.
aus dem Absorptionsraum austretenden, vom Es ergibt sich also die Notwendigkeit einer teilweisen
Chlorsilan befreiten Gase verwendet werden. oder quantitativen Abtrennung der Chlorsilane aus den
4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3, da- genannten Reaktionsgasen.
durch gekennzeichnet, daß der mit dem Chlorsilan Die teilweise Kondensation der Chlorsilane zur
beladene Inertgasstrom und das Absorptionsmittel 35 gezielten Einstellung eines bestimmten Chlorsilan/H2-im
Kreislauf wieder eingesetzt werden. Molverhältnisses durch Abkühlung der Gase kommt
5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, da- nicht in Betracht, denn bei 260C scheidet sich gerade
durch gekennzeichnet, daß als Absorptionsmittel noch kein Chlorsilan, bei 150C aber bereits etwa 50%
ein Kohlenwasserstoff oder Chlorkohlenwasser- der in Gasphase vorhandenen Chlorsilane aus, so daß
stoff, insbesondere Paraffin oder ein Chlorparaffin, 40 schon eine geringfügige, nicht beherrschbare Tempeverwendet
werden. raturänderung zu starken Schwankungen des Chlor-
6. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, da- silan/H2-Verhältnisses führen würde. Eine völlige
durch gekennzeichnet, daß als Absorptionsmittel Abtrennung der Chlorsilane durch Tiefkühlung ist
ein Kieselsäureester, z. B. Oktylsilikat oder wegen den anzuwendenden sehr tiefen Temperaturen,
Aethylsilikat, verwendet wird. 45 etwa — 500C und tiefer, wirtschaftlich nicht zu er-
7. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, da- reichen, da beispielsweise der Dampfdruck selbst des
durch gekennzeichnet, daß als Absorptionsmittel SiCl4 bei —20° C immer noch 25 Torr beträgt, so daß
ein Phosphorsäureester, insbesondere Trikresyl- auch dann noch erhebliche Mengen Chlorsilane in der
phosphat, verwendet wird. Gasphase verbleiben.
50 Der Erfindung lag daher die Aufgabenstellung zugrunde, ein Verfahren zur Abtrennung von Chlor-
silanen aus den bei der Chlorierung von Silizium und
" Silizium enthaltenden Stoffen anfallenden (gasförmi-
·.·-.:..■ ....... gen) Reaktionsgemischen, bestehend aus Chlorsilanen
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Abtrennung 55 und Kohlenmonoxid und/oder Kohlendioxid oder
von Chlorsilanen aus gasförmigen Reaktionsgemischen, Wasserstoff, durch Absorption in flüssigen Medien
bestehend aus Chlorsilanen und/oder Kohlendioxyd anzugeben, welches sowohl eine völlige Abtrennung
und/oder Kohlenmonoxid oder Wasserstoff, wie sie der Chlorsilane aus den gasförmigen Reaktionspro-
bei der Chlorierung oder Hydrochlorierung von SiIi- dukten als auch eine teilweise und gezielte Abtrennung
zium, Siliziumlegierungen und Silizium enthaltenden 60 zur Erreichung eines definierten Chlorsilan/Wasser-
Verbindungen, wie Suiziden und (bei Zusatz eines stoff-Verhältnisses ermöglicht.
Reduktionsmittels) Kieselsäuren, anfallen durch Ab- Das Kennzeichnende der Erfindung ist darin zu
sorption in flüssigen Medien. sehen, daß das Gasgemisch aus Chlorsilanen und Bei der Chlorierung von metallischem Silizium, Kohlendioxid und/oder Kohlenmonoxid oder Wasserbeispielsweise
von Siliziden mit Chlorwasserstoff, 65 stoff in einem Absorptionsraum im Gegenstrom zum
entstehen nach den Gleichungen unbegrenzt mit Chlorsilanen mischbaren Absorptions-(Me)Si
+ 4 HCl->-SiCl4 + 2H2 mittel bei Temperaturen unterhalb des Siedepunktes
(Me)Si + 3 HCl->- SiHCl3 + H2 des letzteren geführt und dann das Chlorsilan durch
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DED0051691 | 1966-12-02 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1567468A1 DE1567468A1 (de) | 1970-08-06 |
DE1567468B2 true DE1567468B2 (de) | 1973-04-26 |
DE1567468C3 DE1567468C3 (de) | 1973-11-22 |
Family
ID=7053578
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1567468A Expired DE1567468C3 (de) | 1966-12-02 | 1966-12-02 | Verfahren zur Abtrennung von Chlor silanen aus gasförmigen Reaktionspro dukten |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3500613A (de) |
DE (1) | DE1567468C3 (de) |
GB (1) | GB1139497A (de) |
NO (1) | NO121268B (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3139705C2 (de) * | 1981-10-06 | 1983-11-10 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zur Aufarbeitung der bei der Siliciumabscheidung und der Siliciumtetrachlorid-Konvertierung anfallenden Restgase |
-
1966
- 1966-12-02 DE DE1567468A patent/DE1567468C3/de not_active Expired
-
1967
- 1967-12-01 GB GB54898/67A patent/GB1139497A/en not_active Expired
- 1967-12-01 US US687095A patent/US3500613A/en not_active Expired - Lifetime
- 1967-12-01 NO NO170787A patent/NO121268B/no unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1567468A1 (de) | 1970-08-06 |
US3500613A (en) | 1970-03-17 |
DE1567468C3 (de) | 1973-11-22 |
GB1139497A (en) | 1969-01-08 |
NO121268B (de) | 1971-02-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1242306B1 (de) | Verfahren zur herstellung hochreiner schwefelsäure | |
EP0868398A1 (de) | Verfahren zur abtrennung von mittelsiedern aus einem gemisch aus leicht-, mittel- und hochsiedern | |
DE2804203C3 (de) | Verfahren zur Trennung von isomeren Dichlortoluolen | |
EP1284928B1 (de) | Verfahren zur herstellung konzentrierter salpetersäure sowie anlage zur durchführung eines solchen verfahrens | |
DE2453864C3 (de) | Kontinuierliches Verfahren zur Auftrennung von Gemischen aus Zirkoniumtetrachlorid und Hafniumtetrachlorid | |
DE1567468C3 (de) | Verfahren zur Abtrennung von Chlor silanen aus gasförmigen Reaktionspro dukten | |
DE3633672C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Wasserstoffperoxid | |
DE2807589C2 (de) | ||
DE2132427A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Siliciumtetrafluorid | |
DE1443677C3 (de) | Verfahren zur Gewinnung von spektrophotometrisch reinem Dimethylsulfoxid | |
DE1667444C2 (de) | Verfahren zur Abtrennung von SiCI tief 4 und SiHCI tief 3 aus einem Gasgemisch dieser Halogensilane mit Wasserstoff | |
DE2358500A1 (de) | Verfahren zur gewinnung von trimethylvinylsilan | |
EP0059431A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von reinem Hexafluorpropylenoxid | |
DE10031830B4 (de) | Verfahren zur Herstellung von Fluorsulfonsäure mit geringen Gehalten an niedrigsiedenden Verbindungen | |
AT213845B (de) | Verfahren zur Entfernung borhaltiger Verunreinigungen aus Silan | |
DE1618893C (de) | Verfahren zur Herstellung von alpha, omega-Dimercaptopolythiaalkanen | |
DE1953424C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Glycerindichlorhydrin und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
DE1923228C (de) | Verfahren zur Herstellung von Adsorp tionsmitteln fur die Gas Festkörper Chroma tographie | |
DE973744C (de) | Verfahren zur kontinuierlichen Durchfuehrung chemischer Reaktionen zwischen Gasen und Fluessigkeiten, die gegebenenfalls Feststoffe enthalten | |
AT226207B (de) | Verfahren zur Isolierung von hochkonzentriertem Isopren | |
DE842196C (de) | Verfahren zur Herstellung von 11-Bromundekansaeure | |
DE602583C (de) | Verfahren zur Beseitigung von ueberschuessigem Chlor aus Gasgemischen oder nichtwaessrigen Fluessigkeiten | |
DE643104C (de) | Verfahren zur Nutzbarmachung des gebundenen Stickstoffes im Nitrosylchlorid | |
DE723085C (de) | Verfahren zur Erhoehung der Ausbeute an Essigsaeure bei der katalytischen Umsetzung von Acetaldehyd mit Luft | |
DE2135546B2 (de) | Verfahren und anlage zur reinigung von gelbem phosphor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |